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TWI294254B - Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo - Google Patents

Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo Download PDF

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TWI294254B
TWI294254B TW095100056A TW95100056A TWI294254B TW I294254 B TWI294254 B TW I294254B TW 095100056 A TW095100056 A TW 095100056A TW 95100056 A TW95100056 A TW 95100056A TW I294254 B TWI294254 B TW I294254B
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Chih Wen Yao
Hsin Hung Lee
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Au Optronics Corp
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Description

1294254 17703twf.doc/r 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本考§明疋有關於種旦素結構及其修補方法，且特別 是有關於一種有機電激發光顯示單元及其修補方法。 【先前技術】
針對多媒體社會之急速進步，多半受惠於半導體元件 或頦示裝置的快速發展。就顯示器而言，具有高晝質、空 間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之平面顯 示器(Flat Panel Display)已逐漸成為市場之主流。目前市面 上的平面顯示器包括液晶顯示器（Liquid Crystal Display， LCD )、有機電激發光顯示器（Organic Electro-Luminescence Display )以及電漿顯示器面板（pias·吵ρ&η6ι，pop ) 等ί1其中，由於有機電激發光顯示器因其無視角限制、 低，造成本、高應答速度（約為液晶的百倍以上）、省電、 直W驅動、工作溫度範圍大、重量輕與體積小等優點，而 具有極大的發展潛力。 二△冷写知之一種有機電激發光顯示器之電路示 f明參考圖1，習知之有機電激發光顯示器100包括 "υ、夕條掃描配線120、多條資料配線13〇、多鉻 源線140以芬夕， 夕1木 次έ 多個顯示單元15〇0其中，掃描配線12〇- '二友配置於基板11〇上，而適於驅動苴所對庙 顯示單元八 ί應· 二=、W，且顯示單元150透過電源線14〇而電性: 按主一電源Ρ。 如圖1所示，顯示單元150包括一開關薄膜電晶體 1294254 17703twf.doc/r (switchingTFT) 152、一驅動薄膜電晶體（drivingTFT) 154、一有機電激發光元件（〇rganic Electr〇_Luminescence device) 156與一電容器158。由圖丨可以清楚得知，掃描 配線120電性連接至開關薄膜電晶體152之閘極152&，而 資料配線130電性連接至開關薄膜電晶體152之源極 且開關薄膜電晶體152之汲極152c電性連接至驅動 薄膜黾曰曰體154之閘極154a。另外，驅動薄膜電晶體154 鲁 之源極154b電性連接至電源線140,而驅動薄膜電晶體154 極154c電性連接至有機電激發光元件156。此外，電 容器158電性連接於驅動薄膜電晶體154之閘極15如與電 源線140之間。 〃 具體而言，開關薄膜電晶體152被掃描配線120所輪 ^電㈣啟後’資料配線13〇可以傳遞電|訊號至驅動 薄膜電晶體154之閘極i54a，以開啟驅動薄膜電晶體154。 如，’電源便可以經由電源線！ 4 〇以及驅動薄膜電晶體工5 4 啸供至錢電激魏元件156，以使有機電激發光元件 巧，到顯示之目的。此外’資料配線13〇所傳遞的電壓 =號能控制驅動薄膜電晶體154之通道（未緣示）的開ς 私度/進而控制通過驅動薄膜電晶體154之電流大小。如 此:來，有機電激發光二極體156之發光強度便可以得到 適當控制，以使有機電激發光顯示器100顯示出正確的書 面0 旦 由圖1可知，驅動薄膜電晶體154在顯示單元150中 扣肩相當關鍵的角色，當驅動薄膜電晶體154因製程上的 1294254 17703twf.doc/r 4失而衣作失敗時，將會導致整個有機電激發光顯示器 100之顯示品質大幅下降。 【發明内容】 本么明之目的是提供一種易於進行修補之晝素結 構’其1留修補的可能性，以避免畫素錄構失效。 、本么月之另一目的是提供一種易於進行修補之有機 電激發光㈣單元，其《修獅可能性，以避免晝素結 構失效。 一 、本發明的又一目的是提供一種畫素結構之修補方
法，以避免畫素結構因製程上的疏失而無法正常顯示 題。 J -夕仪i月的再目的是提供一種有機電激發光顯示單 ΐ顯二S。，以避免晝素結構因製程上的疏失而無法正 其適，本制卽—種晝素結構， 知描配線、至少一資料配線以及至少一命 Γ ,晝素結構包括至少—電流控制單元、】 ^-晝素電極*封、—制絲元件。射 =掃描配線、資料配線以及電源線電性連接。此夕^制: 電流控制單元電性連接，而_主動元件盘查ΐ to 本發明提出一種有機電激發光顯示 少-掃描配線、至少一資料配線以及至少—電源二電= 1294254 37703twf.doc/r ΑΥΤΑ 工延之書士 有機電激發光層與至少一電極層。复中:。 夕〜 配置，電極上’鄉她層 少-Silt實麵t上述之電―解^括至 ‘，第一主動兀且：少：弟二主動元件與-電容器。发 中，弟一主動兀件具有一第一閘極、一 - -沒極。第-間極與掃描配線電性連接，而;=7苐 料配線電性連接。此外，第二主匕源，與資 -第二源，及-第二祕。此第二=二：； 連接，而紅雜與魏線紐麵，且第二、盘查^ 電極電性連接。另外，電容器 門息素 源線之間。 w 生遷接於弟-閘極以及電 在本發明之—實施财，上述 一㈣薄臈電晶體或P型薄膜電晶體。 件了以為 在本發明之一實施例甲，上述之第二主 -N型薄膜電晶體或？型薄膜電晶體。 牛可以為 在本發明之一實施例中， ，間極、-第三源極以及一第 弟一汲極與畫素電極電性連接。 且 ^發明之—實施例中，上述之備用主動 一 N型賴電晶體或？型_電晶體。 打以為 在本發明之一實施例中，書 修補導體層，係雹性連接於·：素、，構了以更包括至少- 接於电溽線，而第二源極藉由修補 1294254 17703twf.doc/r ‘源極的部分區域位於修 且笫 等體層興電源線電性連接 補導體層上方。 在本發明之-實施财，晝素結構可以更包括 阻扣層，係位於修補導體層、第二源 三源極的部分區域上方。 I刀吐兑以及罘 在本發明之一實施例中，上述之阻 於修補導體層之覆蓋範圍。 s的後I乾圍大 、、本發明提供一種晝素結構之修補方法， 述之晝素結構’晝素結構之修補方法步、 切斷電流控制單元與電源線之間的電性連 1 =人t 源線與備用主動元件带之後々电 能狗被電餘制單开Γ 使電源線所提供的電流 制早㈣及制絲元件所控制。 在本發明之一實施例中， 電，=電性連接的方法可以包括雷制早凡與 开杜iit明之一實_中’上述之令電源、_傷用主動 疋件氣性連接的方法可以包括雷射溶接。/、肴用動 明提供—種有機電激發光顯示單元之修補方法， 顯^:^補^之有機電激發光顯示單it ’有機電气發光 约控制通過有機電激發光声備用主動元件能 1294254 17703twf.doc/r 在本發明之一實施例中， + 元件電性連接的方法可以包括雷射炫^源線與備用主動 有與以與晝素結構具 元件失效時，備用此’當第二主動 雷射熔接}取代失效的第u表制（如雷射切割、 顯示單，畫素結構維紅2=1使有機電激發光 易懂二上34和其他目的、特徵和優點能更明顯 日^下了科舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 弟一實施何 往夫二2 „第—實補之晝素結構之電路示意圖。 口月多考圖2，本實施例之晝素結構2〇〇適於與至少一掃插 220至少一資料配線230以及至少一電源線240電 性連接，而此電源線240適於電性連接至至少一電源ρι。 ，么明之晝素結構200包括至少-電流控制單元25〇、至 =六備用主動元件260以及至少一晝素電極27〇。其中， 電流控制單元250與掃描配線220、資料配線230以及電 源線^40琶性連接。此外，晝素電極27〇與電流控制單元 電性連接，而備用主動元件260與晝素電極270以及 電流控制單元250電性連接。這裡要特別留意的是，備用 主動το件260與電源線240電性絕緣。 具體而言，掃描配線220與資料配線230可以將訊繁 1294254 17703twf.doc/r 傳遞至電流控制單元250，而使得電流控制單元25〇得以 _由電源P1提供至晝素電極27q之電流。這裡要特別 ^的是制單元25G可以是—般業界俗稱之兩電 日日脰一電谷(2T1C)之設計、三電晶體一電容(3Tic) 之^十丄三電晶體二電容(3T2C)或其他能適當控制電流之 兀件組合，在此並不加以侷限。 在-貫施例中，電流控制單元25〇可以 一主動元件252、至少一第二主翻一从。 ^ 器256。具體而言，第—主動元件^ 54與至少一電容 線，電性連接，而第-與掃描配 配線_性連接。此外，H 52之源極S1與資料 壓訊號可以傳，電 而傳遞之電壓訊號便可以經由第!:動而=^^ 第二主動元件254。 $主動讀252而傳導至 此外’第二主動元件254之_㈤與第— 252之汲極D1電性連接，且第二主 杜、 、、 與電源線24〇電性連接。另外 之源極S2 二主動元件2M之· G2與電^= 256電性連接於第 〜楚付知’電流控制單* 250與晝素電極 ^了 此電流控制單元250可以控制輸入晝素電極270 Jtt接士’ 小。詳細地說，透過資料配線230傳 电抓大 控制第二主動元件254之通道開啟之电屋訊號可以 主動元件254而傳遞至晝素電極27〇 過第二 制。此外，備用主動元件與晝素電 1] 1294254 17703twf.doc/r 制單元250笔性連接。這裡要特別留意的是，備用主動元 件260是與電源線24〇電性絕緣。換言之，電流無法透過 電源線240而傳導至備用主動元件26〇。 圖疋本發明之第一實施例之晝素結構之剖面示意 圖。請荼^圖3,這裡的第一主動元件252、第三主動元件 254以及^述之備用主動元件260可以採用頂閘極（τ〇ρ gate)之電晶體，此備用主動元件26〇可以選擇與第二主 動兀=254為相同之元件。換言之，備用主動元件260可 以與第一主動元件254透過相同之製程一併製作於基板 21〇上，而不需透過額外之製程來製作備用主動元件26〇。 -般來說’在第-主動元件252、第二主動元件254、備用 主動元件j6G與基板21〇之間可以形成至少一緩衝層 212,而於第一主動元件252、第二主動元件254與備用主 動元件260上可以覆蓋至少一保護層218。 詳細地說，上述之第一主動元件252例如為至少一薄 艇電晶體，此第-主動元件252主要包括—第—間極⑺、 一第一源極si、一第一汲極D1以及一第一通道層α。一 般而言，在第—閘極G1與第—通道層C1之間會有至少一 閘絕緣層214，而於第一閘極G1與閉絕緣層214上合覆宴 至少-介電層216。另外，第—源極S1與第一汲極^ 分別透過位於介電層216之接觸窗開口 1()與u而電性連 *迢層C1。上一述之第—閘極01會與掃描配線220 廷性連接（如圖2所示），而第一源極幻會與資料配線 230電性連接（如圖2所示）。 、 12 1294254 17703twf.doc/r 本月之第—主動it件254例如為至少—薄膜電晶 體，此第二主動元件254主要包括一第二間極⑺、一第二 源極S2、-第二汲極D2以及一第二通道層q。上述之第 二閘極G2與第-汲極D1電性連接（如圖2所示），而第 ，源極S2與電源線24〇電性連接（如圖2所示），且第 二源弟—汲極D2可以分別透過接觸窗開口 12盘 13而电性連接至第二通道層C2。 以 透過位於保護層218内之至少涵处力 至晝素電極27“ H觸窗開口 14而電性連接 本發明之備用主動元件/ ί 體，此備用主動元件主1船:為至少一薄膜電晶 三間極G3與第—汲極m電^/二通^層其中，第 源極S3與電源線24〇電性 值件留思的是，第三 没極-會與晝素電極270 =連^圖2所示），且第三 值得留音的具，榮± .連接（如圖2所不）。
薄膜電晶體^造主N 1294254 17703twf.doc/r 立件254與備用主數所制、生夕 y型薄膜電晶體。 ~ 這裡要特別說明的是，晝素電極27G之材料例如是铜 锡氧化物（ITO)或銦辞氧化物（IZ0)等之透明 此，素結構200可以適用於底部發光型之有機電激發光顯 拜凡⑽触EmissionOLED)(將在第二實施 當此晝素電極27G為反射性材料時，此畫素 · 可以適用於頂部發光型之有機電激發光顯示
Emission OLED)。七诚 5 屮，口 〆、μ , ρ 素結構200介紹完。匕⑽初步地將本發明之晝 所示之修補區^之局部剖面示意圖。 = i”28t貫施例之晝素結構可以更包括至少一 透過第二源極幻而 的邻八圖2所示），且第三源極S3 清:立於修補導體層280之上方。由圖4可以 電性絕緣。^明之備用主動元件施是與修補導體層280 対，不良或是有_的_發 與電源線240之門沾千:^ 电流控制早元250 源極S2盥電^ 連接。詳細地說，透過切斷第二 断之方式例如是雷射切割。請參考圖 14 1294254 ]7703twf.doc/r
6A 上迷分離弟二源極S2與電源線240之方法例如是以 雷射穿過基板210之背面（基板21〇未形成元件之面）來 切割第二源極S2與電源線24〇。 圖5B是表示圖2中所示之修補區域r之修補步雜示 思f ;請同時參相2錢5B，令電源線與備用主動 j遍，性連接，以使電源線所提供的電流能夠被 =控制早το 250以及備用主動元件26〇所控制。請來考 圖6B，備用主動元件之第三源極％ 至修補導體㈣而與電源線24G電性連接二 源極S3與修補導體層之方法例如是雷射溶Γ 電路^立7二本rt第—實施例之晝素結構進行修補後之 =路^圖’ _考圖7，上述之修補方法可以使傷用主 動兀件260與電源線24〇 攻，f而使得整個畫素結構期能維持曰=；主效動疋件 少-阻月ίΠ圖t，本發明之晝素結構200可以更包括至 部分區位於修補導體層280、第二源極S2的 的覆罢原極D3的部分區域上方。此阻擒層細 阻主=_層280之覆蓋範圍。具體而言， 阻ΐ由基板210背面射入之雷射，== 是，在而f Γ膜層造成傷害。這裡要特別說明的 若是有單7"之製程中，晝素結構· 认可明免不良之畫素結構細繼續進行後續Γ製 15 1294254 17703twf.doc/r 程，以達到節省製造成本之目的。 弟二貫施例 之刊發=第二實施例之有機電激發光顯示單元 之口]面不思圖，而圖9A是本發明之第二實施 ::顯:單元之電路示意圖。請同時參考圖8與圖9二 =明激發光顯示單元3⑻包括晝素結構·、 查二^ 光層Μ與至少一電極層274。其中， 清楚揭露於第—實施例中’而有機電激發 先層272配置於晝素電極27〇上，且 機電激發光層272上。 W々274配置於有 的是，晝素電極270、有機電激發光層272 274可以構成一有機電激發光元件。具體而言， ^旦素電極270之材料例如是反射性㈣，而此電極層274 為銦錫氧化物（IT0)或銦鋅氧化物（IZ〇)等之透 機!激:光顯示單元300為頂部發光型之有機電激 毛先頒不早7^ 300 ( Top Emission OLH))。 细拉:旦素電極270之材料例如是姻錫氧化物（IT0)或 物（ίΖ〇)等之透光材料，而此電極層274為反 材料，則此有機電激發光顯示單元300為底部發光型 (Bern⑽Emissi㈣LED)之有機f激發光顯示單元·。 Δ.工 二主動元件 254 it# 製程所激造之 之一^晶體。當悉丄別限定，也可以如圖呢 1294254 17703twf.doc/r 輿電源
7oMOS D二=:上二3元件254之第· 層272與電極# 274 f右機了 f祕270、有機電激發光 這裡要說明 用絲元件細之第三電性連接至晝二 ❿ 圖。二示之修補區 可《更包括至V’二之：：光二示單元- 與電源線240電性連接。此和第二=;·層· 體層280而與電源、線24〇電性 ：:修補導 上方由圖10可以清楚得知，本發明之備用主動元件 17 1294254 17703twf.doc/r 260是與修補導體層28〇電性絕緣。 當第二主動元件254 (如圖9 者是發生錢的情況時，即可進行下列修補=作不良或 立圖11A疋表不圖9A中所示之修補區域R之修 不思圖。請同時參考圖9A與圖lu，切斷電流於〇 B與電源線240之間的電性連接。詳細地說，朗= 弟一源極S2與電源線240,以使電流控 畸 缓240帝柯έ77 έ矣, 卫單凡250兵電源 2 40 i'，G緣’而切斷之方式例如是雷射切割 Θ十A’上述分離第二源極S2與電源線240之方法例^ θ 二雷射穿過基板210之背面(基板 = 來切割第二源極S2與電源線·。木⑽疋件之面） 示意Ξ :==::__似之修物 用主動元件260電性連接，以使電:原線240與備 能夠被電流控制單元250以及備用;動：：供的電流 請參考圖⑶，備用主動元件二主第=^ 性連接至修補導體層28()而與電 S3疋透過電 接第三源極S3盘修補導體/、: 电性連接，而連 4齡脰層280之方法例如是雷射 _圖疋本發明之第二實施例之有機兩、^本日§妾 =行修補後之電路示意圖。由圖匕二„單 之修補方法可以使備用主動元件 二于知，上述 接以替代第二主動元件25m/、电源線240電性連 單元_能维持=顯:功:而使得有機電激發光顯示 综上所述’本發明之有機電激發光顯示單元與畫素結 1294254 】7703twf.doc/r i 口 ίί與電源線電性絕緣之備用主動元件與修補導體 二_ :弟—主動70件失效時’藉由本發明之有機電激發光 f不早兀之修射法與晝素結構之修補方法，能使第二主 電源線電性絕緣，並使電源線能透過修補導體層 ==備㈣元件。因此，本發明之備用主航 兮b、S *良之* —主動兀件而使畫素結構回復正常的功 2亚使有機電激發絲示單元能正㈣示。本發明 =件可以與第二絲元件—併製成，因此，益須 呈來製作備用主動元件。本發明之録結構 ^衣m若是發現晝素結構有製作不良之情況 晝ί結構進行修補，以避免不良之晝素結 仃後績之製程’進而達到降低製造成本之目的。#一進 —=本伽祕實施·露如上，財 和範圍内，當可作些許之更動與潤:不==之精神 範圍當視後社申請專觀騎界定者鱗本u之保護 【圖式簡單說明】 圖 圖1為習知之-種有機電激發光顯示器之 。圖2是本發明之第一實施例之晝素結構之電^：示圖意 圖 圖3是本發明之第一實施例之晝素結構之剖面示意 圖4是圖2中所示之修補區域R之局部剖面亍立同 圖5A〜5B是表示圖2中所示之修補區域r之修=驟 19 1294254 17703twf.doc/r 不意圖。 補步驟 一圖6A〜6B是表示圖2中所示之修補區域R之修 示剖面示意圖。 少 圖7是本發明之第一實施例之晝素結構進行修補後 電路示意圖。 圖8是本發明之第二實施例之有機電激發光顯示單元 之剖面示意圖。 圖9A是本發明之第二實施例之有機電激發光顯示單 元之電路示意圖。 圖9B〜9D是本發明之第二實施例之其他類型之有機 電激發光顯示單元之電路示意圖。 圖10是圖9A中所示之修補區域尺之局部剖面示意 圖。 圖11A〜11B是表示圖9A中所不之修補區域R之修補 步驟不意圖。 圖12A〜12B是表示圖9A中所不之修補區域R之修補 步驟示剖面示意圖。 圖13是本發日狀第二實施彳狀有麵激發光顯示單 元進行修補後之電路示意圖。 【主要元件符號說明】 10、U、12、13、I4 :接觸窗開口 100 :有機電激發光顯示器 110 :基板 120、220 :掃描配線 130、230 ··資料配線 20 1294254 17703twf.doc/r 140、240 :電源線 150 :顯示單元 152 :開關薄膜電晶體 152a、154a:閘極 152b、154b :源極 152c、154c :汲極 154 :驅動薄膜電晶體 156 :有機電激發光二極體 ® 158、256 :電容器 ' 200 :畫素結構 210 :基板 212 :緩衝層 216 :介電層 218 :保護層 250 ··電流控制單元 252 :第一主動元件 ❿ 254:第二主動元件 260 :備用主動元件 270 ··晝素電極 272 :有機電激發光層 274 :電極層 280 ··修補導體層 290 :阻擋層 300 :有機電激發光顯示單元 21 1294254 17703twf.doc/r
Cl 第一通道層 C2 第， 二通道層 C3 第_ 三通道層 D1 第一汲極 D2 第 二没極 D3 第 三汲極 G1 第 一閘極 G2 第 二閘極 G3 第 三閘極 SI 第一源極 S2 第， 二源極 S3 第， 三源極 P、 P1 ： 電源

Claims (1)

1294254 17703twf.doc/r 十、申請專利範圍·· 1·一種畫素結構，適於邀 — 料配線以及至少―電源線ς 掃描配線、至少-資 至少—電流控制單元，與忒晝素結構包括： 及該電源線電性連接； /、q τ田配線、該資料配線以 |素電極，_電流控制單以 至一傷用主動元件，轉金 性連接，以及 單元電性連接，且該備用—St，及該電流控制 2.如申請專利範圍第】項線電性絕緣。 流控制單元包括·· 、β述之晝素結構，其中該電 以;5 一〜第主動元件，具有一第一閘極、一笛_ 及m其中該第 源極 接，而，，極與該資料配線電性;指配線電性連 至少一第二主動元件，具有一- 以及-第二沒極，其中Ί極、-第二源極 接，而嗲第_、盾士 ^《才。，、5亥第一汲極電性連 μ乐一源極與該電源線電性連接，繁- 該晝素電極電性連接；以及 ㈣l亥弟一及極與 之間至少—電容器，電性連接於該第二閑極以及該電源線 -主利_第2項職之晝素結構，其中該第 勤凡件為一Ν型薄膜電晶體或卩型薄膜電晶體。 二主專利範圍第2項所述之晝素結構’其中該第 一動π件為—N型薄膜電晶體或？型薄膜電晶體。 5.如申請專利範圍第1項所述之晝素結構，其中該備 23 1294254 17703twf.doc/r 用主動兀仵具有—第三閘極、一第三源 極’該第三閘極與該第—沒極電性連接，及-第三沒 該電源線雜树，且該第三祕與該 4三源極與 6. 如申請專贿圍第5顧it之晝切T電性連接。 用主動兀件為—Μ薄膜電晶體或p型薄膜其中該備 7. 如申請專利朗第5項所述之晝素^晶體。 少一修補導體層，係電性連接於該電^ 更包括至 源極藉由該修補導體層與該電源線電性其中該第二 源極的部分區域位於該修補導體層上方。，且該第三 8·如申請專利範圍第7項所述之晝素 少-阻擔層，係值於該修補導體層、該第’更包括至 域以及該第三源極的部分區域上 "、極的部分區 f ^^料截圍第8 _叙晝素賴，复中1 桂相覆蓋範圍大於該修補導體層之覆蓋範圍。其中该阻 種有機電激發光顯示單元 少 資料配線以及至少-電源線電性連; 电激發光顯示單元包括： 吃伐，忒有機 至少一電流控制單元，蛊 及該電源線連接 ㈣配線、該資料配線以 ’與該電流控制單元電性連接; 早兀電性連接，且該制轉林=極以電流控制 至少一有機電激發光層，配置^電源線電性絕緣’· 至少1極層，配置於該有^該晝素電極上，·以及 x有機電激發光層上。 24 1294254 17703twf.doc/r 11 •如申請專利範圍第10項所述之有 單元，其中該電流控制單元包括： 機電激發光 顯 不 至少-第-主動元件，具有一第一閘椏、— 以及-第：没極’其中該第一，续該掃描配 接，而该第一源極與該資料配線電性連接·-、、、电丨生連 至少-第二主動元件，具有—第二聞極… 以及一第二汲極，其中該第二閘極與診A —、、〜源極 接，而該第二源極與該電源線電性連接：u極電性連 該晝素電極電性連接；以及 邊弟一汲極與 至少一電容器，電性連接於第_ 間。 及該電源線之 12. 如申請專利範圍第u項 單元，其中該第-主動元件為數發光顯示 膜電晶體。 潯馭电晶體或P型薄 13. 如申請專利範圍第u 單元，其中該第二主動 、处，有機電激發光顯示 膜電晶體。 ’、、、型薄獏電晶體或P型薄 M.如申請專利範園第】 單元，其中該傷用主動元件讀發光顯示 以及-第三汲極，該第三閘極c -第三源極 該第三源極與該電源極電性連接，而 電極電性連接。 、、袭且。亥罘二汲極與該晝素 15.如申請專利截图 單元，其巾侧主光顯示 干局Ν型溥胰電晶體或ρ型薄 25 1294254 17703twf.doc/r 膜電晶體 單元:6更如包專利，第14項所述之有機電激發光顯示 其=第二源極藉由該修補導體層與該， 且该第二源極的部分區域位於該修補導體層丄二。， 17.如申請專利範_ 16項所述之^電激發 早兀，更包括至少-阻播層，係位於該 ^ = 二源極的部分區域以及該第三源極的部分以、该弟 '如申請專利範圍第π項所述之有機電激發 ::其中該阻播層的覆蓋範圍大於該修補導體層之覆蓋 〜19·—齡素結構之細方法，其胁胸I如巾往裒刹 乾圍第:項:斤述之晝素結構，該畫素結構之修補方法-包括; 及切斷该電流控制單元與該電源線之間的電性連接；以 令該電源線與該備用主動元件電性 法，構修補方 方法包括雷射切割。 “源線之間電性連接的 22.如申請專利範圍第19項所述之畫素結構修補方 括雷射熔Γ請源線與該備用主動元件電性連接的方法包 26 1294254 17703twf.doc/r 、包，啜无頌7F早元之修補方法，1 補如申請專利範圍第10項所述之有 光干單 元，該有機電激發光顯示單元之修補方法包=先沾不早 及切斷該電流控制單元與該電源線之^電性連接，·以 令該電源線與該傷用主動元件電性 w 控制單元以及該備用主動元件能狗 m* 光層的電流。 "制通過該有機電激發 23·如申請專利範圍第22項 單元之修補方法，其中切斷該電产 一電激發光顯示 間電性連接的方法包括雷射切割:1工早讀該電源線之 如申請專利範圍第 單70之修補方法，其中令該帝有機電激發光顯示 連接的方法包括雷射炫接°。％、、柄該備用主動元件電性
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