TWI284421B - LED structure for flip-chip package and method thereof - Google Patents

Description

1284421 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 未發明係有關於一種發光二極體結構及其製造方法，特別 是有關於一種適用於覆晶封裝之發光二極體結構及其製造 方法。 【先前技術】 目前的發光二極體的封裝方式，主要是以打線接合（Wlre bonding)的方法。如第一圖所顯示，一種發光二極體打 線封裝的結構示意圖，其中發光二極體2 〇位於一封裝基材 ^0上。兩導線分別從發光二極體2〇的p極接觸（p_ contact)與n極接觸（n_c〇ntact)連接到封裝基材丨〇的 導電區1 2、1 4。導電區1 2、1 4會分別電性地連接到兩個引 腳（lead)，並且包含整個發光二極體2〇在内都會以環氧 樹脂1 6封包。 然而’這樣的封裝方式會面臨到幾個問題。首先，在發光 一極體的P極接觸（P-con tact)需要一層電流分散層來增 加電流在發光二極體的分佈面積，如第二圖所示。發光二 極體2 0包含一底材2卜一主動發光層2 3位於一 n型導電層 馨2與ρ型導電層2 4之間，一 η極接觸2 5與一 p極接觸2 6分別 位於η型導電層2 2與ρ型導電層2 4上，一電流分散層2 7位於 Ρ型‘電層2 4上以增加在ρ型導電層2 4上的電流分佈的面 積’以及一鈍化層2 8 ( p a s s i ν a t i ο η 1 a y e r)用以保護發 光二極體2 0。這裡的電流分散層2 7—般會使用透明導體，

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(I 1284421_ 五、發明說明（2) 例如氧化銦錫或是氧化辞錫或是氧化鎳金等。但是，這類 鈞材料雖然是導體，但是必須與發光二極體的P型導電層 之間形成歐姆接觸，仍然具有電阻，在電流經過的時候會 使發光二極體產生熱量。另外，透明導體雖然是透明的但 是還是會吸收一部分的光線以及反射一部分的光線回去使 得發光二極體的發光效益降低。 再者，發光二極體需要一透明的鈍化層作為保護，這會限 縮鈍化層的材料的選擇。類似地，透明的鈍化層仍然會有 £分的吸收與反射因而降低發光二極體的發光效率？ 另外，在第一圖的封裝底材-1 0的材質，一般是不會使用導 體。當發光二極體產生熱量時，唯一的散熱途徑就是經由 兩條導線將熱量從發光二極體傳送到導體區1 2、1 4。這會 產生嚴重的散熱的問題。 除上述所述封裝之缺點外，在第一圖中，金屬線的高度約 為發光二極體2 0本身的數倍，因此環氧樹脂1 6的厚度不可 能只有接近發光二極體2 0的高度。在應.用端的考量上，無 •提供體積較小，厚度較低的產品。因此，也限縮的發光 二極體的應用範圍。 因此，亟需要另一種封裝結構以改善上述的缺失與不足。

第7頁 > 1284421___ 五、發明說明（3) 【發明内容】 套於上述之發明背景中，傳統的發光二極體封裝結構所產 生之諸多問題與缺點，本發明主要之目的在於提供一種可 以使用覆晶方式封裝之發光二極體的結構與製造方法。覆 晶封裝具有體積小，厚度薄，重量輕，發光面積大等的優 點。再者，本發明之發光二極體結構適用於覆晶封裝時可 改善其良率。 本發明之另一目的為增加發光二極體與金屬的接觸，除了 較佳的散熱效果外，亦可提供反射效果。 本發明之又一目的在於可節省發光面積。 - 本發明之再一目的在於可不需要使用透明導電層作為電流 擴散用的接觸導電層。 本發明之更一目的在於可以不需要透明的鈍化層作為保護 層，材料的選擇可大幅增加。 丨p據以上所述之目的，本發明提供了 一種製造發光二極體 的方法，包含在一發光二極體結構上形成一導體強化層， 並且與前述發光二極體結構之P極接觸與η極接觸電性地連 接。之後，在前述導體強化層上形成一凸塊區域定義層， 其中之凸塊區域定義層之間有兩個電極區域。然後’在前

第8頁 1284421_ 五、發明說明（4) 述兩個電極區域上形成兩個凸塊墊，且與導體強化層電性 遍連接。接著，將前述之凸塊區域定義層移除，以及將暴 露之導體強化層選擇性移除，使得前述之兩凸塊墊之間電 性地隔離。 本 光 極 且 m m 兩 定 層 發明亦提供了 一種製造發光二極體的方法，包含在一發 二極體結構上形成一鈍化層並暴露發光二極體結構的P 接觸與η極接觸。之後，在前述鈍化層上形成一暫時層 暴露兩個凸塊區域，其中之凸塊區域下方分別有Ρ極接 與η極接觸。接著，在前述暫時層，ρ極接觸，與η極接 上形成一導體強化層。然後，在前述導體強化層上形成 凸塊區域定義層並且與前述暫時層重疊。之後，在前述 個凸塊區域上形成兩個凸塊墊。接著，將前述凸塊區域 義層移除，並且利用剝離法選擇性移除暴露之導體強化 本發明亦提供了 一種適用於覆晶封裝之發光二極體結構， 其包含一底材，與一發光二極體結構。上述之發光二極體 結構位於該底材上，其包含一位於該底材上之η型導通之 0導體層以及一位於其上之Ρ型導通之半導體層。在Ρ型導 通之半導體層與η型導通之半導體層上分別具有一 ρ極接觸 與一 η極接觸。另外，一鈍化層位於上述ρ型導通之半導體 層與露出之之η型導通之半導體層上並露出ρ極接觸與η極 接觸。一導體強化層位於ρ極接觸與η極接觸上，並且分別

第9頁 ⑧ 1284421_ 五、發明說明（5) 與其電性地連接。兩凸塊墊位於上述導體強化層上並且分 另;j與P極接觸及η極接觸電性氣地連接。 【實施方式】 本發明的一些實施例會詳細描述如下。然而，除了詳細描 述的實施例外，本發明還可以廣泛地在其它的實施例中施 行，且本發明的範圍不受限定，其以之後的申請專利範圍 為準。 S者，為提供更清楚的描述及更易理解本發明，圖示内各 .分並沒有依照其相對尺寸繪圖，某些尺寸與其他相關尺 度相比已經被誇張；不相-關之細節部分也未完全繪出，以 求圖示的簡潔。 本發明主要使用覆晶封裝的方式封裝發光二極體，因此提 供一種封裝發光二極體的方法。首先，在一發光二極體結 構上形成一導體強化層，並且與前述發光二極體結構之Ρ 極接觸與η極接觸電性地連接。上述發光二極體結構位於 一透明基板上，並且具有一鈍化層位於發光二極體結構 .。·之後，在前述導體強化層上形成一凸塊區域定義層， 其中之凸塊區域定義層之間有兩個電極區域。然後，在前 述兩個電極區域上形成兩個凸塊墊，且與導體強化層電性 地連接。形成凸塊墊的步驟可為電鑛（plating)、喷塗 (spraying)、塗佈(spin coating)或是印刷(printing) ?

第10頁 T7RZU71__ 五、發明說明（6) 而凸塊墊可為錫鉛凸塊、錫金凸塊、錫銀凸塊、錫銅凸 威、或是其他的焊錫膏（solder paste)、銀膠（silver paste)、或是金屬銅，金，銀，白金，鉬，鈦，鎳，I巴 等金屬。接著，將前述之凸塊區域定義層移除，以及將暴 露之導體強化層選擇性地移除，使得前述之兩凸塊墊之間 電性地隔離。將導體強化層移除的方式可使用蝕刻或是剝 離法。剝離法的使用需要在形成導體強化層步驟之前在發 光二極體結構上可形成一暫時層且與凸塊區域定義層重 疊。 I據本發明的特徵，以第三圖以及第四圖的流程圖說明本 發明的各階段詳細步驟。如第三圖所示，首先，形成發光 二極體結構。然後，在發光二極體上除了 P極接觸與η極接 觸部分以外區域形成鈍化層以保護發光二極體結構。在本 發明中，鈍化層應選擇具有較佳的保護效果的材質。接 著，在鈍化層上形成導體強化層。這層的目的除了可以增 加金屬凸塊墊與發光二極體的ρ極接觸與η極接觸之間的電 性之外，當凸塊墊是以電鍍方式形成的時候，亦可以提供 作為電鍵的金屬電極。之後’在導體強化層上形成凸塊區 •定義層且暴露區域，其下方有發光二極體的ρ極接觸與η 極接觸。這一步驟包含了沉積凸塊區域定義層以及以微影 餘刻（photolithography)的方式定義出凸塊區域，其中 凸塊區域的下方可暴露出部份或是全部之ρ極接觸與η極接 觸。.然後，在定義區内形成凸塊墊·，其中這個步驟可以使

1284421 五、發明說明（7) 用蒸鍍，網印，或是電鍍等的方式。接著，移除凸塊區域 定義層，其中移除的方式可以使用簡單的蝕刻或一般之微 影蝕刻方式。之後，移除暴露之導體強化層，其中移除的 方式亦可以使用簡單的蝕刻或微影蝕刻方式。 在最後一個步驟，除了可以使用蝕刻的製程之外，亦可以 使用剝離的方式。而要使用剝離的方式，必須在先前的步 驟中作簡單的調整。整個步驟流程如第四圖所示。 二極體上形成 ，鈍化層可以 。之後，在鈍 成最後被需被 微影蝕刻的方 Ρ極接觸與η極 上形成導體強 與發光二極體 塊墊是以電鍍 屬墊極。之 暴露區域’其 一步驟包含了 定義出凸塊區 接觸。然後， 這個步驟可以 g先，形成發光二極體結構。然後，在發光 I化層以保護發光二極體結構。在本發明中 選擇不透光但是具有較佳的保護效果的材質 化層上形成一暫時層。這個步驟包含了在製 移除之導體強化層區域形成一暫時層以及以 式定義出凸塊區域，其中凸塊區域下方具有 接觸。接著，在暫時層，P極接觸與η極接觸 化層。這層的目的除了可以增加金屬凸塊墊 的Ρ極接觸與η極接觸之間的電性之外，當凸 方式形成的時候，亦可以提供作為電鍍的金 丨歐，在導體強化層上形成凸塊區域定義層且 下方有發光二極體的Ρ極接觸與η極接觸。這 沉積凸塊區域定義層以及以微影蝕刻的方式 域，其中凸塊區域的下方具有ρ極接觸與η極 在Ρ極接觸與η極接觸上方形成凸塊墊，其中

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使用蒸鍍， 七定義層， 藉由掀離( 網印，或是 其中移除的 1 i f t-of f) 電鍍等的方 方式可以使 暫時層以移 式。接著， 用簡單的蝕 除暴露之導 移除凸塊區 刻。之後， 體強化層。 接下來在第五圖以及第六圖中介紹本發明的兩個實施例。 如第五A圖所示，形成發光二極體結構12〇，這裡的發光二 極體120係舉例說明，可以是目前所使用的任何發光二極 體。在本貫施例中的發光二極體i 2 〇包含一透明底材1 1 〇， 4主動發光層12 3位於n型半導體層型半導體層124 之間，位於η型半導體層122上的n極接觸125與{)型半導體 層1 2 4上的p極接觸1 2 6，以及一用以增加電流分佈的電流 分散層1 27。電流分散層i 2 7一般會使用與p型半導體層工2 4 1歐姆接觸的材質’並且可以不限於只使用透明的導電材 負°在第五A圖中’ p極接觸1 2 6可以跟電流分散層1 2 7具有 相同的高度，也可以是相同結構。 如第五B圖所示，在發光二極體結構1 2 〇上形成鈍化層丨3 〇 以保護發光二極體結構1 2 〇，其中鈍化層1 3 〇需要將發光二 _體1 2 0的p極接觸1 2 6與η極接觸1 2 5露出一部份或是全部 路出。將ρ極接觸1 2 6與η極接觸1 2 5露出來的方式可以使用 微影钱刻的製程，這裡微影製程所使用的光罩可以與形成 Ρ極接觸1 2 6與η極接觸1 2 5的光罩相同或是不相同。在本發 明中’鈍化層1 3 〇可以選擇透光或是不透光但是具有較佳

第13頁 m4 fife· 五、發明說明（9) 的保護效果的材質。另外，鈍化層1 3 〇的材質亦可以選 擇’氧化石夕，氧化銘（aluminum oxide)，氮化石夕 ·( silicon nitride)，氧化石夕（silicon oxide)，氮氧 化石夕（silicon oxynitride)，氧化组（tantalum 〇x i de)，氧化鈦（t i t an i um ox i de)，氣化 1弓（ca 1 c i um fluoride)，氧化铪（hafnium oxide)，硫化鋅（zinc sulfide)，或是氧化鋅（zinc oxide)等無機材料，或 疋有機材料如樹脂（ABS res i η)，環氧樹脂（epoxy)， 麼克力樹脂（PMM A)，丙烯腈丁烯苯乙烯共聚合物 acrylonitrile butadiene styrene copolymer),聚 ψ 基丙烯酸甲脂（polymerethylmethacrylate)，聚砜 物（polysulfones)，聚醚讽物（polyethersulfone)， 聚峻醯亞胺（polyetherimides)'聚酿亞胺 (polyimide)，聚酿胺酿亞胺（polyamideimide)，聚 曱苯硫化物（polyphenylene sulfide)，或是碳矽熱固 型化合物（silicon-carbon thermosets)等的其中一 種，或是上述材料的組合。 如第五C圖所示，在鈍化層1 3 0上形成導體強化層1 3 2。這 j的目的除了可以增加金屬凸塊墊與發光二極體1 2 〇的姆 觸1 2 6與η極接觸1 2 5之間的電性之外，當凸塊墊是以電 鍍方式形成的時候，亦可以提供作為電鍍的金屬墊極。導 體強化層1 3 2的材質主要是選擇與發光二極體1 2 〇的ρ極接 觸1 2 6與η極接觸1 2 5有良好的導電效果，以及與金屬凸塊

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之間有較佳的接合〇 一般，導體強化層1 32可 料有銅，金，銀，白金m，纪等材^，擇或的是材上 述材料之多層結構為主的材質。 ’ 如第五D圖所示，在導體強化層1 32上形成凸塊區域定義層 134且暴露凸塊區域，其下方有發光二極體12〇的p極接觸 1 2 6與η極接觸1 2 5。這一步驟包含了形成凸塊區域定義層 13 4以及以微影蝕刻的方式定義出凸塊區域，其中凸塊區 域的下方具有ρ極接觸1 26與η極接觸125。凸塊區域定義層 1 3 4除了可以提供形成凸塊墊的遮罩之外，以可以提供形 _凸塊墊時的支撐。由於凸塊區域定義層1 34在製程結束 之後會被移除，所以其材料的選擇一般會以高蝕刻選擇比. 較佳，例如厚膜光阻，高溫光阻，危機電-用光阻，樹脂 (ABS res i η) ’環氧樹脂（ep0Xy)，壓克力樹脂 (P MM A) ’丙細腈丁稀苯乙稀共聚合物 butadiene styrene copolymer)，聚甲基丙烯酸甲月旨 (polymerethylmethacrylate)，聚砜物 (polysul f ones)，聚醚砜物（polyethersul f one)，聚醚 醯亞胺（polyetherimides)，聚醯亞胺（polyimide)， 聚醯胺醯亞胺（ρ ο 1 y a m i d e i m i d e)，聚甲苯硫化物 Φ( polyphenylene sulfide)，或是碳矽熱固型化合物 (silicon-carbon thermosets)等的其中一種，或是上 述材料的組合。

1284421 五 '發明說明（11) 如第五E圖所示，在p極接觸1 2 6與η極接觸1 2 5上方形成凸 成墊1 3 6，其中這個步驟可以使用現有的蒸鍍，網印，或 是電鍍等的方式。現階段大部分會使用電鍍的方式。凸塊 墊1 3 6的材質可以使用鋼，金，銀，白金，鉬，鈦，鎳， 把、錫錯凸塊（solder bump)、錫金凸塊（gold bump)、錫銀凸塊（s i 1 ver bump)、或錫銅凸塊 (copper bump)，或是銀膠（ silver epoxy)，焊錫膏 (solder paste)等。如凸塊墊13 6的材質選擇銀膠，可 以使用塗佈後供烤等製程，再將銀膠研磨第五E圖之結 # 〇 如第五1圖％’移除凸塊區域定義層134，其中移除的方式可 以使用簡單的餘刻。當凸塊區域定義層1 3 4為高選擇比的 材料時’可以使用濕蝕刻的方式移除凸塊區域定義層 如第五G圖所示，梦w s 牙夕除暴露部份之導體強化層1 3 2，其中移 除的方式可以使用銬结n > t ^ 用間早的蝕刻。蝕刻的方式可以使用濕蝕 刻或疋乾钱刻，亦^ I W可以凸塊墊1 3 6作為蝕刻的遮罩。 在另一種實施例中，7 L ^ 7 j甲可使用剝離法以移除導體強化層。與 上個·貫施例類似地，笛丄 士杏#办丨由认„ 弟六A圖包含發光二極體結構2 2 0。在

菸亦厣？私極體2 2 0包含一透明底材210，一主動 号又光滑Z Z 3位·於11¾丨主道HA A主牛¥體層2 2 2與p型半導體層2 2 4之間， (s

1284421___ 五、發明說明（12) 位於η型半導體層2 2 2上的η極電2 2 5與p型半導體層2 2 4上的 ρ極接觸2 2 6，以及一用以增加電流分佈的電流分散層 2 2 7。在發光二極體結構2 2 0上形成鈍化層2 3 0以保護發光 二極體結構2 2 0，其中鈍化層2 3 0需要將發光二極體2 2 〇的ρ 極接觸2 2 6與η極接觸2 2 5露出一部份或是全部。在鈍化層 2 3 0上形成一暫時層23 1。暫時層2 3 1可以使用光阻的材 料。這個步驟包含了形成暫時層23丨以及以微影蝕刻的方 式定義出凸塊區域，其中凸塊區域下方具有ρ極接觸2 2 6盥 η極接觸225。 ” =後的製程與上述實施例相同，直到形成凸塊墊236，如 =、Β圖* $。-剝離法是先在暫時層的周圍姓刻一小部分 並且蝕刻的深度約可以接觸到暫時層。然後使用且 空 擇性的蝕刻溶液以選擇性的姓刻 ^ ^ 门& 其他層之間的晶格介面的完整。：二亚；：持：時層與 強化層2 3 2接近凸塊墊2 3 6的附近=: 先在導體 的深度只要可以接觸到暫時層;部分，姓刻，姓刻 浸置在光阻去除液或是具有高^±可_^將/個結構 性的移除暫時層。 的钱刻/谷液即可選擇 ’整個封裝後的發光二極 另外，在覆晶封裝中， 的凸塊墊接觸，與金屬之 。當電流分散層與鈍化層 在本發明中，由於使用覆晶封裝 體具有體積小，重量輕等的優點 由於？極接觸與η極接觸是與金屬 間的接觸面積大，散熱效果較佳

1284421__ 五、發明說明（13) 使用透明材質時，金屬的凸塊墊以及之後覆晶所使用的封 g基板可以提供發光二極體光線的反射效果。覆晶封裝所 採用的發光區域是朝向發光二極體的透明基板，不會因為 有P極接觸與η極接觸遮光，相同的發光二極體的發光面積 較大，可有效節省發光面積。另外，本發明可不需要使用 透明導電層作為電流擴散用的接觸導電層，以及可以不需 要透明的鈍化層作為保護層，材料的選擇可大幅增加。 對熟悉此領域技藝者，本發明雖以一較佳實例闡明如上， f其並非用以限定本發明精神。在不脫離本發明之精神與 圍内所作之修改與類似的安排，均應包含在下述之申請 專利範圍内，這樣的範圍應該與覆蓋在所-有修改與類似結 構的最寬廣的詮釋一致。因此，闡明如上的本發明一較佳 實例，可用來鑑別不脫離本發明之精神與範圍内所作之各 種改變。

第18頁 1284421___ 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 龛一圖顯示傳統發光二極體封裝結構示意圖； 第二圖顯示傳統的雙異質結構發光二極體結構示意圖； 第三圖顯示以本發明的方法之一實施例的流程圖； 第四圖顯示以本發明的方法之另一實施例的流程圖； 第五圖顯示本發明之一實施例的各步驟結構示意圖；以及 六圖顯示本發明之另一實施例的各步驟結構示意圖。 【主要元件符號說明】 10 封裝基材 12' 14 導電區 16 環氧樹脂 20 ^ 120^ 220 發光二極體 2卜 110' 210 發光二極體基底 122^ 222 η -型半導體層 _3、 123^ 223 主動發光層 24、 124、 224 Ρ-型半導體層 25 > 125> 225 η極接觸 26 ^ 126> 226 Ρ極接觸 1Ί、 127> 227 電流分散層

第19頁 1284421_ 圖式簡單說明 28、130、2 3 0 鈍，化層 1 3 2、2 3 2 導體強化層 134 凸塊區域定義層 136、236 凸塊墊 231 暫時層 « »

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Claims (1)

1. Τ28442Ί_ 六、申請專利範圍 1. 一種封裝發光二極體的方法，包含： ~ 提供一發光二極體結構； 形成一導體強化層在該發光二極體結構上，並且與該發光 二極體結構之P極接觸與η極接觸電性地連接； 形成一凸塊區域定義層在該導體強化層上，其中該凸塊區 域定義層之間有兩個電極區域， 形成兩個凸塊墊在該兩個電極區域上，且與該導體強化層 電性地連接； 移除該凸塊區域定義層；以及 |擇性移除暴露之該導體強化層，使得該兩凸塊墊之間電 I地隔離。 2 ·如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，其中 上述形成該兩個凸塊墊的步驟為電鍍。 3 ·如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，其中 上述形成該兩個凸塊墊的步驟為網印。 4 ·如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，其中 丨.述之凸塊墊可為金、銀、銅、鎳金、錫鉛凸塊、錫金凸 塊、錫銀凸塊、錫銅凸塊、銀膠或焊錫膏。 5.如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，其中 上述移除該導體強化層是蝕刻方法。

   第21頁 >—^ 1284421 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，更包 含在形成該導體強化層步驟之前形成一暫時層在該發光二 極體結構上且該凸塊區域定義層重疊。 7. 如申請專利範圍第6項之封裝發光二極體的方法，其中 上述之暫時層為高選擇比層。 8.如申請專利範圍第7項之封裝發光二極體的方法，其中 述移除該導體強化層的步驟為剝離法。 9.如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，其中 上述之發光二極體結構位於一透明基板上。 1 0.如申請專利範圍第1項之封裝發光二極體的方法，更 包含一鈍化層位於該發光二極體結構上。 1 1 -. 一種封裝發光二極體的方法，包含： 提供一發光二極體結構； 成一鈍化層在該發光二極體結構上及暴露該發光二極體

   (s 1284421 六、申請專利範圍 形成一凸塊區域定義層在該導體強化層上且與該高選擇比 層重疊； 形成兩個凸塊墊在該兩個凸塊區域上； 移除該凸塊區域定義層；以及 以剝離法選擇性移除暴露之該導體強化層。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之封裝發光二極體的方法，其 中上述形成該凸塊墊的步驟為電鍍。 1 3.如申請專利範圍第1 1項之封裝發光二極體的方法，其 中上述形成該凸塊墊的步驟為網印。 1 4.如申請專利範圍第1 1項之封裝發光二極體的方法，其 中上述之凸塊墊可為金、銀、銅、鎳金、錫鉛凸塊、錫金 凸塊、錫銀凸塊、錫銅凸塊、銀膠或焊錫膏。 1 5 .如申請專利範圍第1 1項之封裝發光二極體的方法，其 中上述之發光二極體結構位於一透明基板上。 1 6.如申請專利範圍第1 1項之封裝發光二極體的方法，其 中上述之暫時層為高選擇比層。 1 7. —種適用於覆晶封裝之發光二極體結構，包含：

   第23頁 1284421__ 六、申請專利範圍 一底材； 一發光二極體結構位於該底材上，其中該發光二極體包含 -η型導通之半導體層位於該底材上，一 p型導通之半導體 層位於該η型導通之半導體層上； 一 ρ極接觸位於該ρ型導通之半導體層上； 一 η極接觸位於該η型導通之半導體層上； 一鈍化層位於該ρ型導通之半導體層上並露出該ρ極接觸與 該η極接觸； 一導體強化層位於該Ρ極接觸與該η極接觸上，並且與該ρ f接觸與該η極接觸電性地連接；以及 凸塊墊位於該導體強化層上並且分別與該ρ極接觸與該η 極接觸電性地連接。_ 1 8.如申請專利範圍第1 7項之適用於覆晶封裝之發光二極 體結構，其中上述之兩凸塊墊可為金、銀、銅、鎳金、錫 鉛凸塊、錫金凸塊、錫銀凸塊、錫銅凸塊、銀膠或焊錫 膏。 1 9.如申請專利範圍第1 7項之適用於覆晶封裝之發光二極 彳，結構，其中上述之底材為透明之材料。

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