TWI248859B - Manufacture of mold core used in nanoimprint - Google Patents

Description

1248859 九、發明說明： [公開聲明] 本案已於今年11月2日因研究而在韓國大田公開， 依專利法第二十二條於申請時敘明上述事實及公開日期， 並檢附證明文件。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種模仁之製法，尤指一種奈米轉印用 模仁之製法。 【先前技術】 按奈米技術之發展已能夠在不同材料上以奈米甚或 以原子尺度之準確度製成各種奈米結構，各式各樣的奈米 製作技術也因此相繼地廣受探討與開發。 就目前製作奈米級（l〇〇nm以下）之模仁而言，可採 用諸如黃光微影技術、電子束直寫技術（E-beam direct write)、限角度散射投影式電子束微影術（SCALPEL)、X光 微影技術、聚焦離子束（FIB，Focused ion beam )微影技 術、以及奈米轉印微影技術（NIL, Nanoimrpint lithography) 等奈米級製程技術，以將線寬縮小至1 〇〇nm以下。相關之 技術包括有美國專利第6,813,077號、美國專利第 6,806,456號、美國專利第6,803,554號、美國專利第 6,777,172號、美國專利第6,512,235號、以及美國專利第 5,772,905 號等。 在半導體製程中，黃光微影技術從深紫外光（DUV， deep ultraviolet lithography)光學微影的氟化氪（KrF ) 5 18246 1248859 24f進機進步至紫外光（vuv，Vacuum⑺的-vi〇iet). 的氟化氬（ArF) 193nm及氟（F2 ) 157nm至未來的極短紫外-光（El^V，extreme ultraviolet)微影I3nm，屬於光學微影技 術二兒子束直舄技術、限角度散射投影式電子束微影術、 X光U衫技術、以及離子束微影技術等則屬非光學微影技 術。如第5A至第50圖所示者即為習知採用電子束微影技‘ 術（EBL)製作奈米模仁之流程。 · 如第5A圖所示，首先提供一矽基材1〇〇，該矽基材 1〇〇上塗佈有諸如氮化矽（SixNy)之薄膜110;接著，如第φ 5—B圖所示，於該薄膜1〗〇上形成一光阻層12〇 •之後，如 第5 C圖所示，用電子束微影技術钮刻該光阻層12 〇，以定 義圖案130,再用金屬舉離（Lift_〇ff);最後，如第犯圖所 示，例如進行反應離子蝕刻（RIE)來蝕刻矽，而形成奈米模 仁 200 〇 ' 惟，使用前述習知技術需要造價昂貴之曝光設備，不 僅製作成本高，且微影速率慢，更有著不易製作大面積奈籲 米壓印模仁的缺點，無法像光學步進機大量生產晶片，而‘ 限制其產業應用之發展。 % 同時，雖然極短紫外光微影技術與限角度散射投影式 電子束微影術較具量產能力’但其設備成本亦呈現倍數式 成長，而約在5仟萬美金以上。如此一來，此種習知技術 亦受限於成本而無法廣泛應用於產業中。 此外，1995年Stephen Y· Chou發表了奈米轉印微影 技術（NIL，Nanoimrpint lithography)，此技術只要使用單次 18246 6 1248859 =微影步驟，即可在大面積的晶圓基材上，以單—模 祓進仃才目同奈米圖案轉移與奈米結構之製作。如此、 於光學微影技術可達到夺米級 1 乂 卉學、木、反且更小之小線寬，相較於非 則具有轉印速度快之功效，而被視為一種可 貝里產奈米結構的先進技術。 術技術存在白1知之光學微影技術及非光學微影技 何應用大乎^ 速率慢、以及不易製作等問題，如 "不…卡轉印微影技術快速製作出均勻且符人尺& 之奈米結構模介，以鉉4 ^ 』且付。尺寸規格 曰^ %決習知技術所衍生之問題，實已成 目刖亟欲解決的課題。 声、已成 【發明内容】 鑒於以上所述習知技術之缺點， 提供一種奈米轉印用模仁之f法，俾χ之主要目的係 以及易於製作之效果。#達到成本低、產能高、 本發明之另一目的係 法 俾製作線寬更小之模仁。不未轉印用模仁之製 本發明之再一目的係提供一 ( 法 俾提昇產業利用價值。 不未轉印用模仁之製 本發明之又一目的係提供一 法 俾提昇設計彈性。 不一卡轉印用模仁之製 為達上揭目的以及其他目的 印用模仁之製法，該奈米轉印用模 3、一種奈米轉 具有光相變表面之基材；對 衣法包括··提供- 形成至少一個第一區域以及至少面進行相變化，以 弟一區域；至少局部 18246 1248859 去除该#第一區域，以形成奈米圖案；利用該具有奈米圖 … 案之基材進行轉印；以及進行脫膜，以製得一模仁。該基 ·· 材係一矽基材。該基材較佳係一矽基材，該光相變表面則 係以於X；亥基材上採物理氣相沈積（pVD，pjjysicai Vapor

Deposition)(例如蒸鍍（Evaporation)、濺鍍（Sputtering)或 離子披覆（Ion Planting)等）光相變材料形成一薄膜而成。其 中’该薄膜係非結晶薄膜或結晶薄膜，該光相變材料係合 ’ 金革ε材。 較佳的是，對該光相變表面進行相變化之步驟係以光_ 源照射該基材之光相變表面產生相變化。其中，該光源係 低波長射線，且該光源較佳為g_line紫外光微影、1_1丨以 紫外光微影、氟化氪（KrF)雷射微影、氟化氬（ArF)雷射 锨衫、氟（F2)雷射微影、或極短紫外光（Euv)微影之 至少其中一者。 該光源與該基材之光相變表面間較佳可設置一能量 控制件，該能量控制件與該基材之光相變表面間則復可設籲 置-能量限位件。其中，該能量控制件為光罩（mask)或、 濾波器（filter )，該能量限位件則可為物鏡。 · 較佳的是，該第一區域與該第二區域具有不同之物理 與化學性質。 於該至少局部去除該等第—區域之步驟中係採钱刻 (etching)方式。於該利用該具有奈米圖案之基材進行轉 印之步驟前復可加入於該奈米圖案上設置一抗黏層之步 馬”其中’係採塗佈（coating)或氣相沉積（鄉沉沖咖 18246 8 1248859 於該利用該具有奈米圖 deposition )之方式設置該抗黏層...........〜-八力-下小 案之基材進打轉印之步驟中係於該奈米圖案上旋轉塗佈 光阻層，並進行曝光。其中，該光阻層為選自包括由紫外 1硬化（uv-curable)光阻、熱硬化（thermal_curab丨e)樹 脂、以及熱交聯（thermal_crossHnk)樹脂所組成之群組之 其中一者。该利用該具有奈米圖案之基材進行轉印之步騾 係將形成奈米圖案以及光阻層之同一基材進行轉印。其 中，相變化深度為選自深至基板與不及基板其中之一者。 ‘由於本發明可使用例如可快速加熱之射線，在一光相 變:材=上’進行曝光顯影，使光束在諸如非結晶及結晶 之光相變化材料表面，分別形成結晶區和非結晶區；接著 利用钱刻加卫成形技術，在光相變化表面形成正型或負型 之奈米模仁之快速微影方法，以供奈米轉印使用。、 故，應用本發明可達到成本低、產能高、以及易於製 之效果之P祭提供—種可製作線寬更小之模仁 知技術所存在之成本過高、製作不易、以及： 可提昇產品品質，俾使奈米轉印用模仁：設 计更/、弹性以及提昇產業利用價值。 、=下係错由特定的具體實施例說明本發明之實施 f沾白此技蟄之人士可由本說明書所揭示之 瞭解本發明之直杨版 奋幸工易地 ,,g 八他棱點與功效。本發明亦可藉由1他π η 可τ域用，本㈣書巾的各項細節亦 叮基於不同硯點與應用方 種修飾與變更。 a之精神下進行各 18246 9 1248859 【實施方式】 〜二發明之奈米轉印用模仁之製法係應用奈米轉印 衫技術，於低成本下、 丁铋印u 印用之正型或負型r ^衫及直接製付大面積奈米壓 依奈米轉印之產口而右张“果仁之構以以及作用原理 妯叙-> 有所不同，例如包括奈米結構、井μ 破動兀件、有機雷；4； 4再九學 m生先電元件、電子元件與磁性元件、 刀子兀件、早電子通道元件、量子點 丁以一 王商日日片寺，而均屬習知者，故於 性相關模仁結構與形狀之圖式，僅為例示 陡次月並非用以限定本發明，合先敘明。 1 一實施1 明筝閱罘1Α至第2C圖為依照本發明之奈米轉印用模 仁之製法的第一實施例所繪製之圖式。 、 一首先，提供一具有光相變表面之基材。如第ια圖所 不，係提供一基# 10，該基材10可為例如平板狀之石夕基 材，並可採例如蒸鍍（Evaporation)、濺鍍（Spu浪也g)、 離子披覆（Ion Planting)等之物理氣相沈積（PVD，physicai

Vapor Deposition)或其他適當加工方式於該基材ι〇上形成 有諸如 Ge-Sb-Te (GST)、Gens、Te_Te(VGe Sn、

Te-Ge-Sn-Au、Ge-Te-Sn、Sn-Se-Te、Sb-Se-Te、Sb-Se、 Ga-Se-Te、Ga-Se-Te-Ge、In-Se、In-Se-Tl-C0、Ge-Sb-Te、

GeSbTe+CrTe、GeSbTeCo、Ge-Sb-Te-T^Ag、In_Se_Te、

Ag-In-Sb-Te、Te-Te02、Te-Te〇2-Pd、Sb2Se3/ 叫丁。、

Ag-Zn、Au3Sn7、AUSb、Ii^Sb、Cu-Al-Ni、In-Sb-Se、In-Sb-Te 18246 10 1248859 等合金靶材或其他光相變化材料之薄膜1〇1，而令該基材 1〇具有該薄膜ιοί作為光相變表面。其中，該薄膜ι〇ι可 為非結晶薄膜或結晶薄膜。 隨後，對該光相變表面進行相變化，以形成至少一個 第區域以及至少一個第二區域。如第1B圖所示，可選 擇利用光源2 0照射該基材丨〇作為光相變表面之薄膜 101，令該光源20照射該薄膜1〇1產生光熔化 、 (photomelting) ’使該薄膜⑼快速地產生相變化，而形成 至少一個第—區域1011以及複數個第二區域1013。1中， 該光源20可例如為g_line紫外光微影、卜丨⑹紫外光微影、 IM匕氪（KrF)雷射微影、氟化氬（⑽）雷射微影、氟⑻ 雷射微影、極短紫外光（EUV)微影或其他等效之低 射線’於本實施例中可例如使用飛秒雷射脈衝照射·、 Ge^Sb^Te5薄膜，但並非侷限於此。 於广“也例中’各該第一區域ι〇ιι可為例如結晶區 (C1yStaihne耐k)，各該第二區域.1Gn則可為例曰 區（amorphous regi〇n)，伸於苴 芦、、、口日日 < 1〇n y g )仁於其他貫施例中，各該第-區域 UJ 如非結晶區（amorph〇us regi =可為例如結晶區(一―)，可視二： 杈仁為正型或負型之需求 之第一區域1〇11以μ「Γ 疋’只要所形成 學性質即可^ 區域1013具有不同之物理與化 、σ同妗，该薄膜1 〇】可選擇為細鼾@ g 將結晶材料轉換成非社曰心 k擇為&射線曝光後可 曝先後可將非結晶材料轉換 n線 吳成、、，口日日材科之光相變化材料。 11 18246 1248859 #接著，至少去除局部該等第一區域以形成奈米圖案。 如第1C®所示’ 用該第—區域1()11與該第二區域⑻3 間所具有物理與化學性質之差異，可採用例如蝕刻 (etchmg)或其他適當加工方式去除局部該等第一區域 10H，以形成奈米圖案1015。其中，於本實施例中係由於 在諸如非結晶區之第—區域⑻1内的高祕原子較諸如、 結晶區之第二區域1013内的原子易於受到腐蝕，因此可去 除局部該等第—區域1011而獲得所欲之奈米圖案1015。 接下來，如第1D圖所示，可在該奈米圖案Mb上採丨 塗佈（coating)或氣相沉積（vap〇rphase心卩仍出仙）等 方式設置一抗黏層1017。其中，該抗黏層ΗΠ7可為例如 tndecafluoro-(U5252)-tetrahydroctyl-trichlorosilane (F]2_TCS)、CsH4CI〗3Si、或其他適當材料。同時，應注 意的是’於本實施例中雖於該奈米圖案1()15設置該抗黏層 X避免力、轉印（Stamp )期間使模仁黏附不想要的聚 口物（polymei ) ’但於其他實施例中亦可省略此步驟。 之後，利m有奈米圖案之基材進行轉印。如第 圖所示，可選擇於該具有抗㈣1Gn之奈米圖案1〇15上 旋轉塗佈光阻層，並進㈣光。於本實施例中，係以 設置例如紫外光硬化光阻為該光阻層㈣，並使用紫外光 進U i_於其他貝施例中亦可選擇使用諸如熱交聯 (化⑽心贿link)樹脂或其他對應之等效絲材料及光 源對錄材H)進行轉印。同時，可選擇將具有該光阻層 1〇19之基材1G放在例如加熱爐（未圖示）中進行80t、 18246 12 1248859 30刀，預烤，以小於〇1N/mm2之應力加壓該 並以紫外光硬化。 101 取後進仃脫膜，以製得-模仁。如第1F 進行脫膜後便可得到一具奈米結構之模仁i。复中，“ 脫膜技術係屬習知者’故於此不再為文贅述。 、 平孔如之模仁1便可應用例如奈米點、奈 米子不未島、奈米線、奈米通道、奈米腔室 腳底吸盤狀毛髮箄之太丰紝搂., t 不木土屁 导夹〜杜：柵、共振器、次波 二、偏先片、濾波片、菲涅耳區板片（Fresnelz〇ne Γ二t子晶體等之光學被動元件;例如)有機電晶體、 有機+ ¥月直、有機發光二極體、有機雷射等之有機電子和 =電兀件；例如電晶體、場效電晶體、假性高電子遷移率 % 效电晶體（pHEMTs, pseud〇morphic High Electron M〇bimy Transistors)、光檢測器等之電子元件與磁性元 件.，例如微結構、磁預錄碟片、磁閥等之磁性元件和微結 構，例如-分子開關和分子元件奈米接觸點、單電子通道、《 和波導元件、量子井和量子點元件等之分子元件、單電子 通暹兀件、置子點兀件；例如光預錄碟片和磁預錄碟片之 預錄媒體；以及例如銘奈米點、奈米流體通道、具奈米孔 之分子膜晶片、DNA電泳晶片等之生醫晶片。丁 於本實施例中，係可選擇利用如第1B圖所示之光源 20照射薄膜101 ’該光源2〇可為飛秒雷射脈衝。如此，對 光熔化而言，可選擇為GST之薄膜1G1係為—活化材料， 且GST非結晶薄膜具有快速且穩定的相轉變特徵。因此， 18246 13 1248859 照射在部分GST薄 之雷射脈衝（1〇-9秒） 使用飛秒雷射脈衝照射GST薄膜時， 膜的時間大約ur]5秒，與習知技術中 相比是相當短的時間。 “同時H2A圖所*，亦可於光源2〇預定照射該薄 胲之路么間叹置一能量控制件60，以由該能量控制件 6〇控制該光源20照射至該薄膜1〇1之能量。此外，如第 2B圖所不，设可於於能量控制（_灯_⑶血ο〗〗#)件 6〇與該薄膜1G1之間設置—能量限位件⑼，以由該能量限 位件8〇精確限制該光源、2〇照射至該薄膜ι〇ι之位置。其 中^月匕里才工制件60可為例如光罩（mask )、濾、波器（肋⑷ 或其他等效元件，該能量限位件8〇則可為例如物鏡 (m1Cr0SC0pe objective _ )或其他等效元件。如此，更 可精確控制所欲形成之奈米圖案，且可形成更小線寬之奈 米結構。 如第2C圖所示，復可設置一微影用驅動系統3,由該 微影用驅動系統3對相變化進行調整及回饋動作。例如於 諸如雷射之光源（例如該光源2q)人射方向可設—反射鏡 31由4此里控制件60控制反射自該反射鏡3丨之光源 20於”亥此里控制件60及該能量限位件8〇間可設一電性 遮蔽件（eleetdealshutte〇 33,且該電性遮蔽件係以諸如 二月自35進仃控制，該基材1〇則可設於受致動器控制之 W 士此便可由§玄微影用驅動系統3對相變化期 間之光源照射時間、能量.、位置、以及其他招關控制。其 中雖本貝靶例中可選擇移動該基材1 〇 ,而該光源2〇則 14 18246 1248859 維持於固定位置，以將該薄膜1〇1欲照射之位 / 源20，但於其他實施中，亦可移動該光源⑼卩押制^ 源20照射至該薄膜1〇1之能量與位置。而且，昭== 響區可限制在皮秒級（pieGse_d)等級，使得奈米圖安= 確地成形在雷射點區域。換言益木，月 A、， ”、、娜疋固疋光源入射方 :以致動H驅動具以目變化材料之基材進彳亍來 是驅動光源而對在固定位置之具光相變化材料 來回掃描，均可形成所欲之奈米圖案。 土 此外，在飛秒雷射脤衝照射期間，即如第ib 可利用微影用軟體及精密驅動系統來控制雷射束，即 ，20,並以脈衝雷射減部分非結晶區，即本實施财之 弟一區域1011 ;而結晶區，即本實施例中之第二區 則可在快速冷卻過程成形’且冷卻速率比^界 速之後，經照射後將雷射頂點提高並移動到之後成 的位置’此過程連續進行直到照射完所有想要 與習知技術相比之下，習知技術之成本高、速率慢、< 士不易製作，本發明則僅需使用可快速加熱及快速冷卻之 =、’在化材料表面上曝光顯影，令 進行相變化’形成結晶區與非結晶區。 !利用U與非結㈣之物理與化學性質不同，進行二 :Γ工:樹米轉印用之模仁使用，不僅達到成 點’且可製作線寬更小之:之習知技術之缺 11提昇產品之品質以及 18246 15 1248859 產業利用價值。 ^ 一貫施例 :青簽閱第3A至第3D圖為依照本發明之奈米轉 -之4法的第二實施例所繪製之圖式。其中，與者^ 例相同或近似之元件係以相同或近似之元件符號：貫旋 省略::細之敘述，以使本案之說明更清楚易僅：、不，亚 第二實施例與第—實施例最大不同之處在於：杳 施例係形成大面積之奈米圖帛，第： 矩陣形之奈米圖案。 ㈣了形成例如 光相圖所示，係利用光源2G照射該基材10作為 先相交表面之賴1G1，而形成至少—個第—區域⑼^ 以及^數個矩陣形之第二區域1〇13，。接著，如第3B圖所 =至> 局部去除該等第—區域1Gu，以㈣奈__ 第3C^後’可選擇痛略第1〇圖形成抗黏層之步驟，如 ^圖所示，形成光阻層1G19並利用該具有奈米圖案之 ，1〇進行轉印。最後，如第3D圖所示，進 製得一模仁Γ。 由此可知，本發明可依需要彡 而罟形成所欲之奈米結構模 仁，不僅可解決習知技術之問題， 第三f施制 ’“可“設計彈性。 第4A至第4C圖為前述實施例之變化例的示意圖式 其中，與前述實施例相同或逬心夕-Μ ^ 乂近似之凡件係以相同或近似^ 元件符號表示，並不再詳加敘诚， 双建而僅說明修改之處， 使本案之特徵更為明確。 18246 16 1248859 如第4A圖所#，係將前述實施例為呈平板狀之基材. 20 1U改為王滾輪狀之基材30。於本實施例中，該基材％ .. 可由例如一軸件50所轉動支撐，且該基材30徑向周面形 成為光相變表面301。光源2〇則從下方照射該光相變表面 =，以形成至少-個第—區域1Gn，，以及複數個矩陣形之 弟一區域1〇13”。 - μ接著，如第4B圖所示以形成奈米圖案1〇15”。最後 2 4C圖所示’使該滾輪狀之基材％以連續成形方式并

反狀之基材70上諸如紫外光硬化（υν销仏⑷樹脂^ 二硬化（thermal_curable)樹脂之光阻们〇19”硬化成形 亦可選擇將具有該光阻層1Q19，，之基材Μ放在例女 加Λ、、爐（未圖不）中逸2 ^ γ Q A X λλ 之庙U π 分鐘預烤，以諸如州/麵 心' 口堅该光阻層101並使該光阻層1019”硬化。如此. 對該基材70谁许股# μ 叉化如此‘ 仁。 進仃脫杈’就可以得到具奈米結構的高分子模 個實施例中之奈米轉印用模仁之製法亦可將一 材r再將；：=之基材轉印至另-個具備光阻層之基 =再將料備級層之基材進行賴，以㈣具奈米社 之而不限於前述實施例中於同 ； C圖所不，可令兩個形成有奈米圖： 均具有光相變表面之基材。 彳ng印兩面 作奈實施例係以例如平板或滾輪狀之基材製 才、仁，但所屬技術領域中具有通常知識者應 18246 17 1248859 知，本發明亦可應用諸如曲面狀或其他不規則形狀之基 材，且該基材可為例如可撓式基材或不可換式基材，此應 為所屬技術領域中具有通常知識者所易於思及之均等實: 一由上可知，本發明之奈米轉印用模仁之製法可有多種 貝轭與5又5十之彈性。同時，前述實施例可進行各種巧單之 替換:舉=來說’第—實施例之抗黏層1Gl7亦可形歧第 -及弟三實施例之任_者；第—實施例與第二實施例之第 一區域與第二區域的形狀、凄丈目與設置位置，係依實際所 需加以互換或修改；且亦可將第—實施例中之微影用驅動 二統二應用於第二及第三實施例。其中，相變化深度可為 4自深至基板或不及基板者。 … 本發明實施之料。 替換之内容皆應屬 因此，本發明之奈米轉印用模仁之製法不僅可達 產能高、以及易於製作之效果，更可製作線寬更小 俨：一、:且：發明無製造上之困•’可有效提昇產業利用( 貝，亚可“設計彈性，故可解決習知技術之種種缺失。 之特Z 2上所述之具體實施例，僅㈣以例釋本發明 及功效’而非用以限定本發明之可實施範田壽，在未 喊本發明上揭之精神與技純訂，任何本 :示内容而完成之等效改變及修飾，斤 專利範圍所涵蓋。 巧r、之曱5月 【圖式簡單說明】 第1 A至第1F圖係顯示本發明之第_實施例的奈米 18246 18 1248859 轉印用模仁之製法之製程示意圖； 第2A至第2C圖係第一實施例之製法的變化例，其中 第2A以及第2B圖係顯示光源之應用變化例，第2C圖則 係顯示第一實施例應用微影用驅動系統之示意圖； 第3A至第3D圖係顯示本發明之第二實施例的奈米轉 印用模仁之製法之製程示意圖； 第4A至第4C圖係顯示本發明之第三實施例的奈米轉 印用模仁之製法之製程示意圖；以及 第5A至第5D圖係顯示習知技術之奈米轉印用模仁之 製法的製程示意圖。 【主要元件符號說明】 1 > V 模仁 10 基材 101 薄膜 1011 、 1011， 、 1011” 第一區域 1013 、 1013, 、 1013” 第二區域 1015 、 1015, 、 1015” 奈米圖案 1017 抗黏層 1019 、 1019” 光阻層 20 光源 40 紫外光 60 能量控制件 19 18246 能量限位件 微影用驅動系統 反射鏡 電性遮蔽件 電腦 致動器 平台 基材 光相變表面 軸件 基材 20 18246

Claims (1)

1. ^48859 申請專利範圍： •一種奈米轉印用模仁之製法，包括·· 提供一具有光相變表面之基材，· 區域：:么相變表面進行相變化，以形成至少-個第 ^域以及至少一個第二區域； 至少局部去除該等第一卩枝寻罘£域，以形成奈米圖案，· 利用该具有奈米圖案之基材進行轉印；以及 進行脫膜’以製得—模仁。 2·如申請專利範圍第〗 中，該基材係-石夕基材 轉印用模仁之製法 3. t申請專利範圍第1項之奈米轉印用模仁之f法 中’該光相變表㈣形成有—_。 、 4. :申，專利_第3奴奈邮卩 ^相膜係於該基材上為物理氣相沈積光相變材料所 5. 範:第4項之奈米轉印用模仁之製法物：咖積係為選自蒸_，一） 披復（i〇nplanting)與軸（Sputtering =申請專利範圍第4項之奈米轉印 7中由該薄膜係為非結晶薄膜與結晶薄膜中之:者 7·如申請專利範圍第4項 中’該光相變材料係合模仁之製法 8.如申請專利範圍第4中，相傲作听存去貝之Z下未轉印用模仁之製 中相.艾化冰度為選自深至基板與不及基板其中 其 其 ，其、離子 0 ，其 ► 其 其 之 18246 21 1248859 者。 9. 如申4專利範圍第〗項之奈米轉印用模仁之製法，其 中，對該光相變表面進行相變化之步驟係以光源照射該 基材之光相變表面產生相變化。 10. 如申π專利範圍第9項之奈米轉印用模仁之製法，其 中》亥光源為選自包括由g_line紫外光微影紫 外光微影、氟化氪（KrF)雷射微影、氟化氨（ArF)雷 射微影、氟（f2)雷射微影、以及極短紫外光（euv) 微影所組成之群組之至少其中一者。 11 ·如申請專利範圍第9項之太半絲h ^ Μ疋不、水轉印用模仁之製法，其 中’该光源與該基材之光相變. 祁又表面間復設置一能量控制 仵〇 12·如申請專利範圍第u項 矛 貝之奈未轉印用模仁之製法，盆 中，該能量控制件為選自光夏 八 其中一者。 九罩（mask)與濾波器（niter) I申請專㈣圍第U項之奈轉印用模仁之製法，1 ( :^里控制件與該基材之光 二 量限位件。 。彳又。又置一月匕 14·如申請專利範圍第η項之太半 只 < 不未轉印用模仁 中，該能量限位件為物鏡。 衣法八 15·如申請專利範圍第}項之太 ,.^ 不、水轉印用模仁之掣、本甘 中，該弟-區域與該第 ：衣法，其 質。 ，、有不同之物理與化學性 16.如申請專利範圍第}項之 丁耗即用杈仁之製法，豆 / \ 18246 22 1248859 二=:部去除該等第-區域之步驟中係侧 申請專利範圍第，項之奈米轉印 中，於該利用該具有夺乎图安夕衣云'、 復可加入於該夺米圖：：：：材進行轉印之步驟前 -如申請專利範二二轉抗，層之步驟。 矛/貝之奈未轉印用模仁之萝法，苴 中，係採塗佈（coating)或氣相沉積 ^ deposmon)之方式設置該抗黏層。、 ase 中，於該利用該具有奈米圖案之 衣法其 係於該奈米圖案上旋轉塗佈一光;層，：進驟中 口申請專利範圍第19項之奈米轉印用模丁 :。 中，該光阻層為選自包括由紫外光硬化（uv 其 =、熱硬化（thermal_eurable)樹脂、以及 (thermai-crosslink)樹脂所組成之群組由、、又叶 儿如申請專利範圍第Μ之奈轉印用之者。 中，該利用該具有奈米圖案之基材進行轉印^^其 形成奈米圖案以及光阻層之同_基材進—轉V ^係將 18246 23