TW594350B - Liquid crystal display device - Google Patents
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Description
狄、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供-齡示裝置,其中對向電極以及畫素電極均由透 明導電性材料所構成而可有效地提升面板開口率,並利用—平坦化絕緣層 降低電極間之相互影響。 【先前技術】 典型液晶顯示器(LCD)係利用液晶分子之光學異向性及偏光性質。液 晶分子因其薄長形狀而有明確之排列方向,亦即具有方向性。液晶分子排 列方向可藉由對液晶分子施加電場而加以控制。換言之,t電場排列方向 改變時’液晶分子之排列亦㈣。由於入射光因為該排列之液晶分子之光 车異向性而折射至該液晶分子之該取向上,因而可顯示影像資訊。 習知LCD中,液晶分子係藉垂直施加電場而排列,其優點為具有高 透射性及高如率。但藉垂直施加電場使液晶分子排狀液晶顯示器之缺 點為視角較窄。為了克服該窄視角之缺點,而發展出共平面切換(Ιη_ρ_ switching,IPS)液晶顯示器面板。該lps LCD面板施加之電場平行於基板, 其不同於扭轉向列型(TN)或超扭轉向列型(STN) LCD面板。該等IPS LCD 由於晝素電極與共通電極形成在相同基板上而使用橫向電場。此種lps LCD 裝置具有廣視角及低色彩分散之優點。 共平面切換型(In_Plane Switching mode,IPS)液晶顯示裝置一般包含彼 此平行且分隔之上、下基板以及夾在該上、下基板間之液晶。在下基板上 設置有彼此平行且分隔之晝素電極及共通電極。該液晶之長軸方向將因該 畫素電極與共通電極間之橫向電場而扭轉排列。但習知之IPS LCD係使用 5 92003/TP030091 594350 非透明金屬當作對向電極以及晝素電極,如美國專利公開us測謂撕料 所述,在鱗利巾揭示之液晶顯示11的晝素區域構造如第- 圖所示,該組 成LCD的晝素部份包含一沒極線Α、閘門線%、共通電極β、畫素電極(没 極層)F對向電極(IT〇) c、晝素電極(lT〇) d、以及設置在源極電極κ、 及極電極Η和半導體層L交叉處之薄膜電晶體(tft)。此處,尚包括晝素 電極(祕層)F的接觸?LG、畫素電極⑽)d的接觸孔❿沒極線A 的接觸孔1。其雖能提供廣視肖,簡化餘和提高信紐,但其在畫素區 域(pixelregion)中間有一畫素電極係由不透明導電金屬所構成,如此易 造成開口率的降低,進而影響輝度表現。 據此,仍需要發展一種具有改良開口率及輝度之IPS LCD。 【發明内容】 本电明的主要目的係提供—種液晶顯示裝置,其中對向電極以及畫素 電極均由透明導電性材料所構成而可有效地提升面板開Π率,並利用一平 坦化絕緣層降低電極間之相互影響。 本發明的另—目的係提供—觀晶顯稀置係騎向電触畫素電 極設置摘—基板上,可降低垂直電場對於液晶的影,對於製程對位 精度有較大餘裕度。 本發明的另—目的係提供—種液晶顯示裝置,在畫素設計中增加平坦 化絕緣層’除了增加表面平坦化效果,接_部金屬、_ 力線對於液晶的影響。 配合圖式對 本毛月之k些目的和其它目的、點和優點藉由以下說明 熟悉該項技藝人士將更清晰明瞭。 92003/TP030091 6 594350 【實施方式】 為了達成本發明之上述目的及優點以及其他額外優點,本發明提供一 種液晶顯不裝置,包括一基板、在該基板上界定出晝素區域之閘門線與訊 號線、在閘門線與訊號線交叉部分上之薄膜電晶體、共通線、保護層、保 濩層上方的平坦化絕緣層以及在平坦化絕緣層上方之複數個畫素電極和複 數個對向電極;其中畫素電極與該對向電極之起點及終點位在該晝素區域 的同一侧,畫素電極和對向電極係由選自銦錫氧化物(IT〇)及銦辞氧化物 (ΙΖΟ)之任一種透明導電材質所構成,藉此由閘門線與訊號線所界定之畫素 區域之透光度增大,亦即開口率增大而可得到較佳之穿透率。晝素電極和 對向電極延伸入晝素區域之叉狀電極彼此交又並列,且與訊號線平行方向 彼此水平排列,達到面板廣視角效果。此外設置在保護層上方之該平坦化 絕緣層可增加表面平坦性並減錄晶因表面平雛不佳而造狀配向異常 現象,並進而達到增加輝度之效果。
依據本發明之液晶顯示器,該對向電極與晝素電極可呈「ζ」字(zigza! 排列或直、_排列或倾其他湖,只要可在_產生橫向€場即可,朽 就產生夕£域液晶配向以降低色偏的現象而言,較好排列成”z”字型。 本發明將藉脖考赋本發明之_。雜知本技藝者將 了解該等參考圖式僅用以舉例說明本發明,而非用以_其範圍。 請參閱第二和第三圖。第二圖為依照本發明之—液晶顯示裝置具體例 之平面示意圖,及第三圖係第二圖中本發·晶顯示裝置沿著Α_Α,線之截 面示意圖。由第二_合第三0可看出本翻之液晶顯錢置包括一基板 i、設置在基板i上的共通線2、保護層3、保護層3上方的平坦化層4、 92003/TP030091 7 594350 在保護層上方複數個畫素電極5和複數個對向電極ό、以及在問門線7盘 訊號線9蚊料增職助6。_梅二_,糾,於基板 1上設置閑門線V,,並將絕緣層8覆蓋在閑門線π以及共通線2的上 方。此處’間門線7,7,上覆蓋之絕緣層8,其上再覆蓋以非晶型石夕層叫 摻雜非晶财層15。其中’摻雜非晶财層15由保護層3分隔而分成兩; 部分。源極1〇和没極η以對稱於閘門線7且分別置於換雜非晶型石夕層μ 料別兩部分巾。第-峨線9及第二職線9,水平且彼此平行地健在 絕緣層8上方並分置於畫素區域之相對兩側,且第二訊號線9,連接著源極鲁 川。顧極線7,7’與該第-及第二訊號線9,9,交叉界定出畫素區域。沒極 11經由接觸孔U與晝素電極5接通,共通線2經由接觸孔^與對向電極 6接通。此外,對向電極6與畫素電極5可呈「ζ」字^興)排列。且 其中畫素電極5與該對向電極6之起點及終點均位在畫素區域關—側, . 且該對向電極6除了延伸入畫素區域内之叉狀對向電極部分以外,係呈,, _ 门’字型環繞該畫素區域周緣。此外,畫素電極5和對向電極6的材質均 為透明導電材質’可使用例如銦-錫氧化物(ITO)或銦-鋅氧化物(IZO),藉此 _ 了传到較佳之穿透率。畫素電極5和對向電極6延伸入畫素區域之叉狀電 極呈父又並列,間隔一距離且與訊號線平行方向彼此水平排列。此外,為 提兩表面平坦性,在保護層3上加入平坦化絕緣層4,再於其上設置晝素 、 電極5和對向電極6。由於該平坦化絕緣層4可減少液晶因表面平坦性不 佳而造成配向異常的現象,且因為該平坦化絕緣層4本身為絕緣,因此可 間接降低底部金屬線所引發的電力線對於液晶分子定向的影響。 92003/TP030091 8 又,如第一圖所示,共通線2為不透明金屬層所構成、其係設置於晝 素區域-側並緊靠訊號線9 (共通線採横向排列時)或_線7 (如第二 圖所不,若共通線採縱向排列)、不分割或跨越畫素區域(畫素透光區)並使 整個畫素區域之透光區域為—完整大面積區域。如此,箱―步提高開口 率而、加輝度的效果。該不透明金屬層可由例如選自錫㈣、嫌合金 (AINd)、鎢(W) '銦(Mg)等不翻導電性金屬所形成。 此外,對向電極6緊鄰該訊號線9.9,之部分可與訊號線Μ,重疊或不 重且例如’如第一圖所不,該晝素區域中該對向電極6緊鄰訊號線Μ, P刀未…域線9有任何重豐。當該畫素區域中該對向電極6緊鄰訊號 線9,9之部分與訊號線9.有重疊時,可使橫向電場範圍進一步擴大並進而 增加畫素區域之開口率。 第四圖顯示本發明另一 、設 液晶顯示裝置之具體例,其包括一基板i 閘門線7,7’,並將絕緣層8覆蓋在閉門線7,7,以及共通線2的上方。此處, 閘門線7,7,上覆蓋之_ 8,其上再覆蓋以非晶型知4和摻雜非晶型 石夕層15。其中,摻雜非晶型機15由保護層3分隔而分成兩部分。源極 置在基板丨上的共通線2、保護層3、保護層3上方的平坦化層4、在保護 層上方稷數個晝素電極5和複數個對向電極6、以及在閘門線7與寧號線 9父又部分上之薄膜電晶體16。亦請參閱第二圖,其間,於基板1上設置 的各別兩部 絕緣層8上 10。該閘極 10和汲極11以對稱於閘門線7且分別置於摻雜非晶型矽層b 分中。第一訊號線9及第二訊號線9,水平且彼此平行地佈置在 方並分置於晝素區域之相對兩侧,第二訊號線9,連接著源極 92003/TP030091 9 線7,7,與該第一及第二訊號線9,9,交叉界定出晝素區域。汲極u經由接觸 2與晝素電極5接通’共通線2經由接觸孔13與對向電極6接通。此 外,對向電極6與畫素電極5係呈直線排列。且其中畫素電極5與該對向 電極6之起點及終點均位在畫素區域的同一側,且該對向電極6除了延伸 入畫素區域内之叉狀對向電極部分以外,係呈,,ΓΡ字型環繞該畫素區域周 緣。此外,畫素電極5和對向電極6的材質均為透明導電材質。畫素電極 5和對向電極6延伸入畫素區域之叉狀電極以間隔距離並列且與訊號線平 行方向彼此水平排列。此外,為提高表面平坦性,在保護層3上加入平坦 化絕緣層4,再於其上設置畫素電極5和對向電極6。 又,如第一圖所示,共通線2為不透明金屬層所構成、其係設置於書 素區域一側並緊靠訊號線9 (共通線採橫向排列時)或閘門線7 (如第二 圖所示,若共通線採縱向排列)、不分割或跨越畫素區域(晝素透光區)並使 正個je*素£域之透光區域為一完整大面積區域。如此,可進一步提高開口 率’而增加輝度的效果。同樣地,該不透明金屬層可由例如選自鋁(A1)、 銘敍!合金(AINd)、鎢(W)、鉬(Mo)等不透明導電性金屬所形成。 本發明雖然以藉上述本發明較佳具體例詳細說明本發明之效果及優 點,惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例,並非用來限定本發明實施 之範圍。故即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所 為之均等變化與修飾,均應包括於本發明之申請專利範圍内。 92003/TP030091 10 594350 【圖式簡單說明】 第一圖係習知一畫素區域之平面示意圖; 第二圖係顯示依照本發明之一實施例的一畫素區域之平面示意圖; 第二圖係第二圖之本發明液晶顯示裝置中沿著A—A,線的截面圖;及 第四圖係顯示一依照本發明之另香 月之另貫施例的晝素區域之平面示意圖c 【圖號簡單說明】 1 基板 3 保護層 5 晝素電極 7,7 閘門線 9,9’訊號線 11 汲極 13 接觸孔 15 摻雜非晶型矽層
2 共通線 4 平坦化絕緣層 6 對向電極 8 絕緣層 10 源極 12 接觸孔 14 非晶型碎層 16 薄膜電晶體
92003/TP030091 11
Claims (1)
- 594350 一Ί 一 第092124798 請專利範圍修正本 (93.03.30) 拾、申請專利範園: 1·-種液晶顯示裝置,主要係包含—基板、在絲板上界定出畫素區域之 閘門線與織線、姻π線與峨線交叉部分上之薄輯晶體、及共通 線、保護層、保護層上方的平坦化絕緣層以及在平坦化絕緣層上方之複 數個晝素電極和複數靖向雜;其中該畫素電極無對向電極係位在 同-平面1¾度藉此可得水平電場的絲且其起點及終點餘在該晝素區 域之同-侧’並且該畫素電極和珊向電極的材質均為咖導電材質。 2·如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中該透明材質输錫氧化物 (ITO)或銦·辞氧化物(IZ〇)。 3.如申請專利範圍第i項的液晶顯示裝置,其中該畫素電極和該對向電極 電極以直條狀或” Z”字狀排列。 4·如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中該共通線為不透明金屬層 所構成、其係位於畫素電極—側並緊靠訊號線或關線、不分割或跨越 畫素區域透光區並使整個畫素區域之透光區域為一完整大面積區域。 5·如申”月專利範圍帛1項的液晶顯示裝置,其中畫素區域中該對向電極分 佈區域不與該訊號線重疊。 6·如申請專概_丨_液晶顯示裝置,其巾晝素區域中緊鄰該訊號線 之該對向電極分佈區域與該訊號線重疊。 7·如申請專利範圍第i項的液晶顯示裝置,其中該畫素電極和該對向電極 父叉並列,且與訊號線平行方向彼此水平排列。 92003/TP030091 12 594350 8·如申明專利細第1項驗晶顯示裝置,其巾該畫素電極和贿向電極、 交叉並列,且與閘門線平行方向彼此水平排列。 , 9·如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中該晝素電極和該對向電極· 電極以直條狀或” Ζ”字狀排列。 1〇·如申請專利細第1項的液晶顯示裝置,其中該共通線為不透明金屬層 所構成、其係位於晝素電極一側並緊靠訊號線或閘門線、不分割或跨越 畫素區域透光區並使整個畫素區域之透光區域為一完整大面積區域。 · 11·如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中晝素區域中該對向電極分鲁 佈區域不與該訊號線重疊。 12·如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中畫素區域中緊鄰該訊號線 之該對向電極分佈區域與該訊號線重疊。 92003/ΤΡ030091 13
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Cited By (1)
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4385993B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2009-12-16 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR101166577B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2012-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
CN100464396C (zh) * | 2005-10-31 | 2009-02-25 | 中华映管股份有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法 |
KR20080000202A (ko) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 표시패널 |
US8988624B2 (en) | 2011-06-23 | 2015-03-24 | Apple Inc. | Display pixel having oxide thin-film transistor (TFT) with reduced loading |
CN106505033B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1008893B1 (en) * | 1996-11-27 | 2003-04-09 | Hitachi, Ltd. | Active matrix liquid crystal display |
KR100250796B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2000-04-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100293811B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 아이피에스모드의액정표시장치 |
JP3750055B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP2003177417A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP4082493B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-04-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP4085170B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-05-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2003
- 2003-09-08 TW TW092124798A patent/TW594350B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-24 US US10/784,800 patent/US7116388B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102967971A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
CN102967971B (zh) * | 2012-11-02 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
Also Published As
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