TW501158B - Fluorescent display device and method for driving the same - Google Patents

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五、發明說明（1 ) [發明所屬的技術領域] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係關於圖形顯示用螢光顯示管（VFD)及其驅動 方法者。 [習用技術] 第22圖為表示習用螢光顯示管陽極侧基板一部分之 剖面圖。 .第22圖（a)、（b)皆為習用陽極基板之擴大剖面圖，唯 第22圖（a)與（b)係於開口部的構造上有所不同。

Si為陽極側的玻璃基板、該玻璃基板上形成有複數個 陽極A1，且於該陽極A1上形成有平貼狀的絕緣層而 於絕緣層D上形成柵極G2至G3。而該陽極A1與栅極G2 至G3係以積層形成。栅極G2至G3與絕緣層D上形成亦 方形或圓形開口部，且於該開口部内的陽極上塗布螢光體 H1 至 H2 〇 上述柵極G2至G3、螢光體H1至H2及絕緣層D係 ,由厚膜，以網版印刷（screen printing)法予以形成之。 於第22圖（a)中，該螢光體H1與絕緣層D的高度相 同，而於第22圖（b)中，該形成之螢光體hi係低於絕緣層 D者。 又，未圖示之絲極（filament)係張架於柵極G2至G3 上方（與陽極相反方向，參照曰本實開昭63-69354號）。 [發明所欲解決的問題] 因栅極具有將由絲極放射之電子引向陽極的機能，須 配置於比陽極更近於絲極側。而在第22圖（a)、（b)中，柵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312282 I------------S------- I ----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 501158 A7 ---：---^——_____ 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極G2、G3係配置於較螢光體H1、H2為高（近於絲極側） 的位置。結果於第22圖（a)之情形，使由絲極向陽極ai放 射之電子的一部分’衝擊到絕緣層〇之露出面，使絕 緣層D充電（將電荷蓄積，本文令簡稱為充電，chargeup)。 另外於第22圖（b)之情形則衝擊到絕緣層D之露出面 Ds2，使絕緣層充電。 又於第22圖（a)、（b)時，由該充電電荷，使到達螢光 體H1端部的電子受到反撥無法到達螢光體^^，而發生所 謂的電子回跳現象，該結果，於螢光體H1端部產生不發 光部分。其於螢光體H2亦一樣。此種電子回跳現象的影 響，於陽極及柵極寬度小而相對之間隔小時即愈大。故其 精細度愈高，該電子回跳現象的影響也愈大，而顯示品質 亦劣化。 又於習用螢光顯示管，該栅極〇2至〇3及絕緣層〇 係由厚膜予以形成，因絕緣層D之厚度係限於約〇 2mm， 因而難以提升其精細度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更因螢光顯示管的絲極係以一定間隔張架，因此，在 陽極靠近絲極處之放射電子量與較遠處之放射電子量不 同’而由該差量在發光亮度上產生亮度差。 本發明係有鑑於上述諸點，係以提供一種為使絕緣層 的充電減低，且將由絲極出射之電子均勻地擴散於面上， 亮度不均勻度較小的高精細度螢光顯示管為目的。 [解決問題的手段] 本發明的螢光顯示管，係介由薄膜絕緣層在第丨基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 2 312282 501158 v A7

312282 501158 A7 ---丨丨________________B7__ 五、發明說明（4 ) 本發明的螢光顯示管，係於第1基板形成至少可收納 螢光體的凹部者。 本發明的螢光顯示管，係於第1基板形成至少可收納 螢光體的凹部’且於第1基板之凹部内面具有形成之斜度 者。 本發明的螢光顯示管，係於第1基板形成至少可收納 螢光體的凹部’且於絕緣層及栅極形成沿第1基板凹部内 面沈積的凹部者。 本發明的螢光顯示管，係於第1基板形成至少可收納 螢光體的凹部，且於絕緣層及栅極形成沿第1基板凹部内 面沈積的凹部，而於栅極凹部内面具有形成之斜度者。 本發明的螢光顯示管，係於第1基板形成至少可收納 螢光體的凹部，且使第1基板之凹部形成面及其反面為粗 面者。 本發明係於螢光顯示管中，在其背面電極之每一絲極 控制群，以時分割施加絲極選擇電壓及非選擇電壓，選擇 放出電子之絲極者。 本發明係於螢光顯示管中，在其背面電極之每一絲極 控制群，以時分割施加絲極選擇電壓及非選擇電壓，選擇 放出電子之絲極，且在施加於背面電極的絲極選擇電壓設 有電位之傾斜者。 本發明係於螢光顯示管令，以時分割施加絲極選擇電j 壓及非選擇電壓於絲極，以選擇放出電子之絲極者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 -*1 I n , 本紙張尺度適用_國國家標準（CNSM4規格X 297公釐) 4 312282 501158 A7 -------_— — 五、發明說明（5 ) 本發明係於螢光顯示管中，以時分割施加絲極選擇電 壓及非選擇電壓於絲極，以選擇放出電子之絲極，且於背 面電極施加設有電位傾斜的控制電壓者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係於螢光顯示管中，以時分割依序施加柵極選 擇電壓於栅極者。 本發明係於螢光顯示管中，以時分割依序施加栅極選 I擇電壓於栅極，且係於鄰接的兩柵極同時施加栅極選擇電 壓者。 本發明係於螢光顯示管中，在其背面電極之每一絲極 控制群’以時分割施加絲極選擇電壓及非選擇電壓，選擇 放出電子之絲極，且在施加於背面電極之每一絲極控制群 之絲極選擇電壓設有電位之傾斜者。 本發明係於螢光顯示管中，以時分割施加柵極選擇電 壓於栅極，且於陽極輸入信號選擇其發光的螢光體者。 [發明的實施形態] 1 ·螢光顯示管的構造 經濟部智慧財產局屬工消費合作社印製 第1、2及3圖係表示本發明有關第1實施形態的螢光 顯不管一部分之平面圖及剖面圖。其中，第j圖乂 a)係表示 於第1圖（b)中，沿箭頭C方向的第i基板部分之平面圖， 而第1圖（b)係表示於第1圖（a)中，沿箭頭A方向的第i 基板部分之剖面圖，及未於第丨圖（a)中圖示之絲極與第2 基板部分之剖面圖。第2圖（a)即表示於第1圖（b)沿箭頭d 方向的剖面圖，第2圖（b)係表示第i圖（b)的第1基板部分 之擴大圖。又於第3圖（a)表示第2圖（a)之第1基板部分擴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 5 312282 501158 A7

五、發明說明（6 ) 大圖，而於第3圖（b)，表示第}圖❻）之另一實施形態。 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} si為第1玻璃基板、A1至An為條狀薄膜陽極、Hu 至Hln、……H71至H7n為螢光體、D為薄膜絕緣層、⑴ 至G7係具有開口部的條狀薄膜栅極、pi與為絲極、 B1至B9為條狀背面電極、S2為第2玻璃基板、而S3係 玻璃的側面板。 陽極A1至An與栅極G1至G7係介由絕緣層D配置 成矩陣狀，而於兩者交叉處之柵極G1至〇7與絕緣層：D 部分即形成有開口部。且在陽極A1至An之露出於開口部 部分塗布螢光體H11至H7n。亦將絲極pi與F2張架於條 狀背面電極B1至B9之長方向。 陽極A1至An的寬度為125em、陽極A1至An間的 間隔亦為125 /z m。絲極F1與F2的直徑為15以m，絲極 與陽極的間隔為1.0 mm。 兹將柵極G1至G7及絕緣層D的開口部詳細狀況係 表示於第2圖（b)及第3圖（a)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於第2圖（b)之情形，螢光體H3 3、H43與柵極G3、 G4的高度相同。而於第3圖（a)之情形，螢光體JJ52、H53 與栅極G5之高度相同。如此，由於使螢光體與栅極的高 度相同，由絲極放射的電子係集中於螢光體，可使絕緣層 D的充電及電子回跳減少。 於第3圖（b)之情形，係使螢光體H33、H43高於栅極 G3、G4(接近絲極）的構造例，此時，由絲極放射的電子， 更能集中於螢光體H33、H43，可使絕緣層D的充電更少。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 312282 經濟部智慧財產局項工消f合作社印製 501158 A7 — 丨丨 ............................................................................................丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨"丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨"丨 B7 _ 五、發明制（7 ) ^ ^— 因為本發明之絕緣層D為薄膜，具膜厚度可作成為以 往之厚膜之10分之1以下，因而本發明從這一點即可減少 絕緣層D之電子充電〇 ' 第1、2及第3圖中之柵極與絕緣層的開口部形狀（螢 光體形狀）係如上述，雖為方形，唯得以多角形或圓形等其 他任意的形狀。 ' _因第1、2及第3圖中的絕緣層D亦具“黑矩陣(biaek matrix) 機能，故無須另設“專矩睁”。 再且，因第卜2及第3圖中的螢光顯示管具有習用螢 光顯示管未具備的背面電極⑴至⑽，由該背面電極為補 償柵極G1至G7高度與螢光體Hn至H7n為略同高，或 較低時之栅極G1至G7作用，得由該兩組件一起將由絲極 珠射至陽極的電子予以確實控制。 第4、5圖係表示本發明第i實施形態螢光顯示管的柵 極開口部實施例。於第4、5圖中，係省略第1、2及第3 圖中的絕緣層D，僅圖示柵極〇與陽極a者。 於第4圖（a)之情形，係以該栅極G的開口部完全包圍 螢光體Η，而於第4圖（b)之情形，係將方形開口部的一邊 切成梳齒狀者。 於第5圖（a)之情形，係在栅極g開口部之一處形成切 除部’而於第5圖（b)之情形，係於柵極〇開口部之二處形 成切除部。 在第4圖（b)、第5圖（a)及第5圖（b)之情形，因係在 概極G開口部的一部具有切除部，得以在開口部形成用遮 I. -----* I — I ^ -------1 *— I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 312282 501158 A7 —-------B7____________ 五、發明說明（8 ) 軍（mask)上形成橋接部，由後述的遮罩沈積法形成開口 部〇 茲就第1至5圖所示螢光顯示管之製造方法說明於 後： 首先’將ITO (銦與錫的化合物）或銘金屬以錢鍍或eb 沈積法’在玻璃第1基板S1上成膜，以形成薄膜狀陽極 A1 至 An，由化學餘刻（chemical etching)型樣化（patterning) 為所定形狀。此時，亦可使用沈積遮罩，於形成上述金屬 膜時，同時予以型樣化❶陽極A1至An的膜厚係考慮使用 的金屬材料電阻、配線圖樣等、以數十個nm至數千個nm 的範圍，予以選定。陽極材料於螢光顯示管為直視型（即由 第2基板S2側觀察螢光體之發光）時，得使用IT〇或A1 等金屬之任何一種，若螢光顯示管為透過型（FL型，由第夏 基板S1侧觀察發光）時，使用ιτο。 瘦濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 於該陽極 A1 至 An 上以 CVD(cliemical vapor deposition)將SiOx(矽氧化物）或SiN(矽氮化物）等形成為 薄膜絕緣層D，再以化學蝕刻或IE乾式蝕刻（dry etching) 等形成開口部露出陽極。而該薄膜絕緣層D的膜厚係以數 百nm至數千nm的範圍形成。 而於該絕緣層D上，係以濺鍍或EB沈積ITO或A1 等金屬成膜’以形成薄膜拇極G1至G7，且以乾式餘刻形 成開口部。柵極膜厚係以數十至數千nm的範圍形成。此 時，該如第4圖（a)所示之開口部係於栅極gi至G7成膜 後，以微影法（photolithography)形成。若為第4圖（b)、第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 312282 501158 A7 五、發明說明（9 ) • I i I I I . Ill --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5圖（a)及第5圖（b)所示時，因開口部具切除部，因而可於 開口部形成用遮罩設橋接。因此，第4圖（b)、第5圖（a) 及第5圖（b)之開口部，係於形成栅極gi至（J7時，得以 同時形成其開口部。而於第4圖（a)、第4圖（1>)、第5圖0) 及第5圖（b)開口部之陽極部分，以研槳（slurry)法，將螢光 體H11至H7n成膜形成為數千nm至ι〇〇〇〇ηΐ21的膜厚者。 其次’在玻璃的第2基板S2上，以與上述陽極至 An的形成同樣方法，形成薄膜背面電極Bi至B9。 再將上述第1基板S1與上述第2基板S2相對，將W 等絲極F1、F2配置於基板中間，並將兩基板及側面板“ 以密封材料密封後，施於所定之排氣處理，以製得螢光顯 示管。 第6及7圖係表示本發明第2實施形態的螢光顯示管 之一部分平面圖及剖面圖。其中分別以，第6圖表示第工 丨線_ >基板平面圖，以第7圖（a)表示第6圖中箭頭3方向的擴大 剖面圖，而以第7圖（b)表示為第6圖中箭頭八方向的擴大 剖面圖。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印制衣 首先，於第6圖中，S1為玻璃第1基板，以至八立 為條狀薄膜陽極，H11至Hln........H71至Ή7η為榮光 體、G1至G7為條狀薄膜栅極，且係於底部形成具有開口 部的凹部。陽極A1至An與栅極G1至G7係配置為矩陣 狀，且在兩者交叉部分的陽極上，塗布螢光體Hu至Ha。 陽極A1至An的寬度為125ym，陽極幻至An間的 間隔為125/zme 312282 501158

五、發明說明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，由第7圖的擴大圖，說明本實施形態的第1基 板S1、陽極A1至An、栅極G1至Q7、絕緣層〇及螢光 體H11至H7n的詳細構造。唯於第7圖中，雖僅圖示陽極 等的一部分，其未圖示部分亦與第7圖所示部分一樣。 在第1基板S1，係對應於螢光體H51、H52、H61處 形成凹部。該凹部具有傾斜面Ts及底部Bs。陽極A1所示， 係以條狀形成在包含第i基板S1凹部的表面。且於陽極 Al、A2上形成絕緣層D，再於該上面以條狀形成有栅極 G5、G6。在柵極G5、G6與絕緣層ϋ上具有與第1基板 S1同形狀的凹部，而於該柵極G5、G6與絕緣層D凹部的 底部分別形成有開口部〇g、〇d。該栅極〇5、G6的凹部 Kg内周形成有斜面Tg。亦於絕緣層d凹部，沿第1基板 S1的斜面Ts形成與栅極〇5、G6 —樣的斜面。且於柵極 G5、G6與絕緣層D之開口部〇g、〇d，露出陽極A1、A2 之一部分，而於該露出部分塗布螢光體H51、H52、H61。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於第7圖中，該螢光體H51、H52、H61係與栅極G5、 G6在同高度位置，因此，由絲極放射的電子集中於螢光體 H51、H52、H61，可使絕緣層〇的充電變小，亦可使電子 回跳現象減少。 於第7圖中之雖使螢光體Η51、Η52、Η61與柵極G5、 G6的高度相等，亦可使螢光體高於柵極，此時，可使絲極 放射的電子更集中於螢光體Η51、Η52、Η61，故絕緣層D 的充電更小。 於第7圖中之栅極G5、G6,係於其凹部Kg具斜面Tg, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 312282 501158 經濟部智慧財產局肩工消費合作社印製 A7 五、發明說明（11 因而使截止特性提升，且因絕緣層D的露出面试小 va，而使 電子充電減少。 於本實施形態之絕緣層D膜厚，得為習用膜厚之十八 之一以下，由此，亦可使電子充電減少。 又於本實施形態中，得適宜選定陽極、柵極、絕緣層 及榮光體厚度與第1基板S1之凹部深度，以選定拇極與 螢光體之高度因有關於栅極與螢光體高度之調整係在於 第1基板S1之凹部深度，雖係與斜面Ts無關係，唯於提 升柵極截斷特性上，為低減絕緣層充電，予以設置較宜。 又於本實施形態中，係說明栅極及陽極交又處之第^ 基板以上形成方形凹部的方式，唯得在每_條狀陽極形 成條狀溝。此時，柵極凹部Kg無與陽極垂直相交的邊， 若有時，其係低於螢光體，雖使柵極的截斷特性劣化，唯 於實用上沒有任何問題。 第8圖係表示本發明之栅極凹部（實第7圖之κ幻實施 例擴大平面圖。圖中’A為陽極、D為絕緣層、〇為柵極、 Tg為栅極凹部的斜面、以螢光體。該榮光體h係與第7 圖一樣，形成於栅極G與絕緣層D凹部的開口部。於第8 圖⑷之情形，該柵極G凹部係與第6圖所示—樣為方型， 惟於第8圖⑻之情形’係於方型凹部的一部分形成切除部 C者。該切除部C的大小得 叮从巴雅万型的一全邊。亦可於 方型凹部的上下兩邊形成切除部c。 栅極凹部的開口部在第8 社弟8圖（a)中，係以微影法形成， 唯於第8圖（b)中，可利用切降邱Γ + _ 切除部C，在沈積遮罩上設橋接， K紙張尺㈣財關緖準 “反） 11 312282 i i I I I I . I -------i t i I ^ ί I } 1 ! i ---* I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 501158

於使用遮罩沈積法時，同時予以形成之β 在第6至8圖中，該栅極與絕緣層凹部的開口部係以 方型說明，但得以多角形、圓形等其他形狀。 又，於第7及8圖中之絕緣層D，具有黑矩陣機能， 故無須另設黑矩陣機能。 又，如第7及8圖說明的有關第i基板si發明，將 於本發明第1實施形態中之第12、13圖，說明其與背面電 極同樣的配置，得使栅極G1至G7之高度略與螢光體同高 或低於螢光體時，以背面電極補償栅極G1至G7的電子押 制作用’由該兩側碟實控制由絲極向陽極放射的電子。 第9圖係表示第6至8圖之第1基板si與陽極等的 形成製程者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先係於（1)的玻璃板S(板厚l.lnim)上由微影法形成 抗银型樣，使用BHF(bufferedHF)形成如⑺之具斜面Ts 的凹部Ks。該凹部Ks的深度通常為數#m至數十“瓜， 在本實施例係規定為10/zm。該斜面Ts係形成為對水平方 向l〇#m之長度上升l〇vm之角度。且將形成玻璃基板s 之凹部Ks面的反面形成為粗面p。該粗面p為一不反射 面0 再於含有上述凹部Ks的基板上面，以濺鐘或蒸鍍法 將ITO(銦與錫之化合物）或A1等金屬形成陽極用金屬膜， 由微影法予以型樣處理為如（3)所示條狀陽極此時，可 使用沈積遮罩，於形成陽極用金屬膜時形成陽極A。而Ka 即為陽極凹部、Ta為該凹部斜面。陽極A膜厚為〇. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 312282 501158 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（13 ) 至數从m。原則上，係考慮使用材料的阻值率、配線型樣 或凹部Ks的深度予以選定。而在本實施例中即選定為〇 5 若螢光顯示管為直視型（即由第2基板32側觀察螢 光趙之發光）時，得使用ITO或A1等金屬之任何一種，若 螢光顯示管為透過型（FL型，由第！基板S1侧觀察發光） 時，即使用ITO。而於直視型時，不形成粗面p。 _ 在條狀陽極A上’可如（4)所示，由cvj)(chemical vapor deposition)形成絕緣層D後、用微影法、以化學蝕刻或RIE 乾式餘刻等’於凹部Kd形成12〇 #瓜角的開口部〇d。此 時之Td為凹部Kd的斜面。而於開口部〇d露出陽極a。

絕緣層D的膜厚為0.01/zm至數。而於本實施形態中 係限定為1.0 V 於該絕緣層D上，由蒸鍍遮罩覆蓋開口部〇d予以A1 成膜’形成如（5)所示之柵極〇。Kg為柵極G凹部，Tg為 其斜面，Og為開口部。且係於柵極G，在成膜時當時形成 開口部Og者。柵極G的厚度可為〇〇1//ηι至數十em。 唯於本實施形態中係選定1 〇 #瓜。 而在露於絕緣層D與柵極G開口部Od、〇g之陽極A 上，以研槳（slurry)法形成如（6)的螢光體層Η。 關於背面基板的形成係同於實施例1之所示，故省略 該說明。 在本發明之第1及第2實施形態冲，係使用具有開口 部條狀柵極，唯如下述第3實施形態所示，亦可使用不具 開口部之條狀橋極者。 n n n .^1 I n I— I d ϋ I · n n n «Κ n n n * f tt ,j:l n i an n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297公复） 13 312282 501158 A7 ---------B7 ____ 五、發明說明（14 ) 第10及11圖係表示有關本發明第3實施形態之螢光 顯示管的-部分經平面圖及其剖面圖。第10圖⑷係表示 其剖面圖’而於第10圖(b)表示第10，)箭頭x方向的 平面圖。第11圖（a)、⑻係表示第1〇圖（a)與第1〇圖（b) 之一部分擴大圖。 S1為玻璃基板，A1至An為條狀薄膜陽極，H1至H14 為螢光體，DUD15為絕緣層，⑴至阳為薄膜狀的桃 極，FI、F2為絲極，B1至B9為背面電極，S2為玻璃第2 基板。 柵極G1至Gn的寬度Wg為1〇〇" m，絕緣層m至 D15的為寬度Wd係12 5 // m，各絕緣層的間隔Wh為j 25 β m，陽極A1至An的寬度Wa為125/z m,陽極A1至An 間的各間隔Ws為125/zm，絕緣層D1至D15的厚度Hd 為1 β m，柵極G1至Gn的厚度Hg為0.5 # m，又陽極A1 至An的厚度為〇.15em，螢光體14的厚度為數# m(此處 為1·5 // m)。又，絲極F1及絲極F2的直徑為30 # m。此 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 時’ Hd及Hg皆以0.5以m至數十// m為宜，尤係以〇 5以 m至數// m為佳。 第10圖之螢光顯示管係以如下方式製造之。 首先，於玻璃的第1基板S1上，以ITO(銦與錫的化 合物）或鋁金屬以濺鍍或蒸鍍法成膜，形成薄膜狀陽極A1 至An，由化學蝕刻及遮罩蒸鍍等作成所定形狀的型樣。又 於該陽極A1至An上，以CVD將SiOx(矽氧化物）或SiN(矽 氮化物）等成膜形成為薄膜狀絕緣層D1至D15，且以化學 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 312282 501158 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 廣 合 η 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（15 蝕刻或RIE乾式蝕刻為所定形狀的型樣。而於該絕緣層m 至D15上，以濺鍍或EB沈積成膜，以形成薄膜狀之柵極 G1至G15 ’以乾式餘刻或遮罩沈積等作成所定形狀的型 樣。然後’在形成絕緣層D1至D1 5及柵極G1至G1 5外 的部分之所定陽極A1至An上，將ZnO ; Zn螢光體以研 桀（slurry)法成膜，形成螢光體m至m4。又於其上，配 置W(鎢）等之絲極Fi、]p2。 其次’在玻璃的第2基板上，與上述陽極A1至An — 樣’同時與第1實施形態同樣形成薄膜狀的背面電極 至B9 〇 最後，將上述第1基板S1與第2基板S2相對，以密 封材料將兩基板及未圖示的側面板予以密封後，施以所定 的排氣處理作成螢光顯示管。 上述陽極A1至An與柵極G1至G15,係於第1基板 s!上形成為矩陣狀。絲極F1、F2係張架於柵極G1至G15 的長方向，而背面電極31至39係以條狀形成於第2基板 S2之絲極張架方向。 本發明中’陽極、栅極及背面電極係形成於分別的基 板上’故得僅在兩基板間張架絲極，因此，構造極為簡單。 又因形成柵極G1至G15的絕緣層D1至D15具有黑 矩陣機能，故不須設置黑矩陣。 顯示管的媒動方沬 兹就有關本發明第1實施形態之螢光顯示管的驅動方 法予以說明如下： -I ------------^----* I I I Ϊ ----------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張^欄f國國家標準（―規格⑽χ撕公爱） 15 312282 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（16 ) 陽炼第η圖係表讀裝有，形成與第1至4圖相同構造之 %極、絕緣層、柵梅 第基板S1,與形成為背面電極的 ^ S2的螢光顯示管平面圖及剖面圖。其中，第12 圖（a)為剖面圖，而第 阳弟12圖（b)係表不第12圖（a)中箭頭γ 方向的平面圖。 FI F2為陰極的絲極，係張架於栅極^^至^^之長 向者貪面電極Β1至Β9係為使絲極F1、F2的控制容 易，係沿絲極FI、F? _ 4m拉：p 1 r = 與柵極G1至G7之長方向（係與陽極 交又的方向）配置為條狀者^ 首先，說明背面電極的作用於後·· 於背面電極B1至B9施加-數10V至+數10V的控制 電壓，以控制由絲極F1、F2向陽極A1至An(第12圖中 僅記載A3)放射之電子的電子放射及停止放射。而於背面 電極B1至B9中，係以群體控制絲極f2。 例如··絲極F1為放出電子的絲極，而絲極F2為停止 電子放出的絲極時，在背面電極B1至B5施加「正」控制 電壓作為絲極選擇電壓，且於背面電極B6至B9施加「負」 控制電壓作為絲極非選擇電壓（以負電位覆蓋絲極F2，停 止其電子的放出）。 絲極選擇電壓及絲極非選擇電壓係分別設定於未滿絲 極電位（此時為0V)至+10數V，及-數10V至絲極電位（此 時為0V)的範圍。 若施加於背面電極B1至B5各電極的絲極選擇電壓相 等時，如圖中之絲極F1與陽極A3 ’在近於絲極F1的螢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 16 312282 (請先閱讀背面之注意事項,填寫本頁) rl裝·-- 訂： -a amsm I n D . 501158 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 费 合 社 印 製 17 A7 B7 五、發明說明（17 ) 光體H23、H33與兩側螢光體H13、H43，因對絲極F1的 距離不同，其由螢光體放射的電子量亦不相同，故其發光 亮度不同。 因此，本發明係於施加在背面電極至B9之控制電 壓設定電位的坡度，以使由線狀絲極放出的電子得以在面 上獲得均勻的放射β 第12圖（b)係表不選擇絲極F1狀態時，施加於背面電 極B1至B9的控制電壓之電位坡度狀態者。 於第12圖(b)中，最接近於絲極F1的背面電極B3為 0V，而其兩側背面電極B2、B4為2V，在外側的b!、B5 即施加4 V。如上述，在施加於背面電極的控制電壓設置電 位坡度’可使由絲極放出的電子在包括絲極兩端的範圍面 上’得為均勻擴散。 第12圖之此種背面電極、亦可適用於習用螢光顯示 管。 其次，以第1 3圖說明有關本發明第1實施形態之絲極 直接選擇方法·· 第13圖（a)係表示與第12圖（a)同一的剖面圖^而第 13圖（b)係表示第13圖（a)中之箭頭C方向的平面圖。 在第13圖的示例，係表示由施加於絲極的電壓為「負」 或「正」’可選擇放出電子的絲極。例如•於絲極F1施加 「負」的絲極選擇電壓，而於絲極F2施加「正」的絲極 非選擇電壓時，該絲極F1即由與栅極（陽極）的電位差，成 為可放出電子狀態’且使絲極F2成為不可能放出電子的 312282 I . « i-----* ---訂· ---------.線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 501158 ___B7 五、發明說明) 狀態。 第13圖(b)係表示於絲極F1施加「負」的絲極選擇電 壓而於絲極F2施加「正」的絲極非選擇電遂之狀態。 於該狀態中’螢光體H11至H4n可由絲極接受電子放 射’成為可發光的範圍’唯螢光體H51至H7n不能由絲極 F2獲得電子放射而成為不可能發光範圍。如上述由施加 絲極選擇電壓於絲極F1或絲極F2，可選擇螢光體Η。至 H7n内的可發光範圍。 又於此例中，位於絲極F1、F2中間的螢光體係 位於可由絲極F1、F2雙方接受電子放射的位置，得以重 疊掃描時序，使之與其他位置之螢光體為一樣的發光亮 度’因此’得使各螢光體的發光亮度均勻。 第13圖的直接絲極選擇方法，可與第12圖所示之背 面電極施加具有電位坡度之控制電壓之方法合併使用，以 使絲極的選擇更為確實，且將由方絲極射向陽極的電子均 勻地擴散於放射面。 如上述，本發明係由施加於背面電極的絲極選擇電壓 或施加於絲極的絲極選擇電壓，選擇向陽極放射電子的絲 極，同時’在該絲極選擇電壓設定電位坡度，使射向陽極 的電子均一化。 陽極及栅極的選擇’可適用習用陽極及桃極為矩陣狀 配置之螢光顯示管的選擇方法。例如：以時分割方式，依 序施加-數10V至+數10V的電壓於柵極G1至G7(於選擇 糖極施加較陽極電位為低的電壓’如十數V，而於非選擇 注 貪 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 312282 501158 A7 B7 五、發明說明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 柵極施加低於絲極電位以下的電壓，如-數10 V)，且於陽 極A1至An輸入+數10v的的資料信號，選擇螢光體HU 至H7n内之所定螢光體，使之發光。 第14圖係表示使用第13圖之絲極直接選擇方法的絲 極選擇電路實施例。其係將有關陽極A、柵極G及背面電 極B的電路予以概略的表示，且將資料寫入電路，栅極掃 描電路’控制電壓施加電路予以省略者。 如圖所示，絲極F1、F2係由變壓器T之二次線圈ΕΠ、 Ef2施加交流的絲極電壓。 經濟部智慧財產局，工消f合作社印製 且於二次線圈Efl、Ef2的中心接端Ekl、Ek2介由電 阻Rs、Rs連接電源Eb，同時，介由開關元件Trl、Tr2接 地。且將輸入端Ti之0n/0ff信號，以直接連接開關元件 Trl及介由結點（knot)電路連接於開關元件Tr2，分別供 應。當輸入端Ti之信號為〇n信號時，以開關元件Trl的 導通’將二次線圈Efl之中心接端Ekl接地，即加於絲極 >F1施加接地’即加於絲極；ρ!施加接地電壓。而於另方的 開關元件Tr2供給〇n信號的反轉信號之0ff信號而為導 通。因而’於中心接端Ek2連接電源Eb，將該電壓施加於 絲極F2。當輸入端Ti之信號為〇ff信號時，上述開關元件 Trl、Tr2的導通狀況與上述者相反，係於絲極F2施加接 地電壓’且在絲極；F1連接電源Eb。 如上述’將上述輸入端Ti之信號予以連績供給，即得 以時分割選擇絲極F1或絲極F2。 絲極切換，或選擇用電路可不限於第14圖所示，如可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) 19 312282 A7 五、發明說明（2〇 ) 使絲極F1及絲極F2得以交互獲得「正」電壓、「負」電 壓的電路即可。 、」 第15圖係表示有關為確認本發明第β施形態的施加 於背面電極的控制電壓之電位傾斜效果的電界解析用模擬 模型榮光顯不管剖面圖。 該模型勞光顯示管係與第12圖及第13圖所示者為同 一的構造。其令’S1為第i基板’S2為第2基板，幻為 陽極，G1至G7為柵極，B1至B9為背面電極，F1、F2 為絲極，D為絕緣層。 於模型螢光顯示管中，㈣i基板S1與第2基板S2 的間隔為0.86mm，背面電極B1至B9與絲極F1、F2之間 隔為〇.15mm，絲極H、F2與陽極A1間之間隔為〇 7mm, 綠極F1與絲極F2之間隔為2.0mm，施加於陽極A1的電 壓為12.0V ,施加於絲極F1、F2之電壓為〇v。又於柵極 G1至G7中，係於被選擇栅極施加+6乂，而於非被選擇柵 極施加-6V。 &濟部智！財產局員工消費合作社印製 第16圖係表示第15圖之模型螢光顯示管之模擬結 果第16圖係表不在背面電極Bi至B9施加之控制電壓 之不同時，於陽極A1及背面電極B1至B9之電流密度分 布之變化。而於第16圖（a)表示施加在背面電極之控制電 磨具有電位坡度時的結果。第16圖（b)係於背面電極之控 制電壓不設電位坡度時的結果。 於第16圖中，橫轴為表示第15圖中之第1基板si 橫向距離，而1·〇〇係表示絲極F1與絲極F2中間，-1.00 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312282 501158 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 费 合 作 社 印 製 A7 五、發明說明（21 ) 為陽極A1左端’ 3·00為陽極A1右端相當位置者。縱轴即 表示陽極的電流密度（Ip)及背面電極之電流密度（I back)。 第16圖（a)係表示於背面電極Β1至Β9施加之控制電 Μ (E back)設定與第12圖同樣之電位傾斜時，以控制電壓 為（0V、2V、4V)及（0V、3V、6V)的兩事例進行模擬的結 果。上述電壓中，0V係施加於背面電極B3及B7，2V與 _3V係施加於背面電極之B2、B4、B6、B8，而將4V與6V 施加於背面電極之Bl、B5、B9者。 第16圖（b)之情形係表示於控制電壓（E back)為〇v與 3V之兩事例（無電位傾斜）時進行模擬的結果。 在第16圖（a)時，其任一事例中之電流密度（j p)於絲 極附近及其兩側皆為均勻，可知不為發光的電流密度（I back)幾乎沒有。也就是說，陽極之較處發光亮度均勻而幾 乎沒有無效電流的存在。 而於第16圖（b)之情形，該控制電壓（Eback)為〇v時， _其成為無效電流的電流密度（I back)雖幾乎沒有，唯供為發 光的電流密度（I p)亦於絲極F1及F2之中間部分幾乎完全 消失’因而於中間部分的螢光體不發光。若控制電壓（E back)為3V時，雖供為發光的電流密度(I p)得以在陽極的 全面成略為均勻狀，唯成為無效電流（I baek)係在絲極F1 與絲極F2附近變大。 由此結果，可知控制電壓的電位坡度，將使由絲極放 射的電子得以均句地放射在陽極每處，使各處的電流密度 得以有效地均勻化。 312282 ΙΙΙΙΙί — lllllI · I ! I ί ! I I ,!1111!11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 501158 A7 _____B7_ "~-------- 五、發明說明（22 ) 電位坡度電壓0V、2V、4V、3V、6V即得以由分別產 生該電壓的單獨電源供應，或以利用電阻器的分壓電路提 供。若係使用電阻器時，亦可由背面電極的形狀或其材料， 使每一電極之電阻值不同。 又因係以絲極F1、F2與陽極A1的間隔為〇 7mm時作 上述之模擬試驗，唯該距離亦可為〇jmm至數111111的範 圍。此時，雖得將於控制電極的截止電位予以加深，以擴 大絲極及陽極間的間隔，唯考慮驅動用1C之耐電壓及其成 本’其間隔係以0.5mm至1 ·5ππη較為理想。 又因，本發明第2實施形態的螢光顯示管之驅動方 法，係與第1實施形態的螢光顯示管之驅動方法（第圖 至第16圖）相同，故省略其詳細說明。 特就本發明第3實施形態的螢光顯示管之驅動方法說 明於後： 首先，說明背面電極Β1至Β9的作用。 是面電極Β1至Β9係控制’由絲極F1、F2向陽極Α1 至An放出電子之開始放出及停止放出者。也就是，於背 面電極B1至B9施加由絲極選擇電壓及絲極非選擇電壓所 成的控制電壓，以選擇絲極F1或絲極F2向陽極放出電 子。如以絲極F1及陽極A1為例，最靠近於絲極F1的螢 光體H4及其兩侧之H1至H3、H5至H7對絲極pi的距離 不同。因此，由螢光體的位置放射的電子量亦不同，該發 光亮度亦不同。為此，於本發明係將施加於背面電極B1 至B9的控制電壓設置電位坡度，以控制使由絲極放射的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 312282 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

501158 A7 B7 五、發明說明（23 ) 電子，得在實質面狀上均勻放射。 第10圖所示之螢光顯示管，雖係將柵極形成於較陽極 為上方（靠近絲極側）之位置，亦得以形成於與陽極同一面 上。若形成於與陽極為同一面時，相對地絕緣層的厚度變 薄’由絲極對絕緣層露出面的電子充電影響變小，同時亦 可提升其控制性（截斷性）。 第10圖之背面電極技術，得以應用於習用螢光顯示 管。第17及18圖係表示為說明有關本發明第3實施形態 之控制電壓施加方法的螢光顯示管的一部分平面圖及剖面 圖。其中，第17圖（a)為部面圖、第17圖（b)為依第17圖 (a)之箭頭γ方向的平面圖。第18圖係表示依第17圖（3) 之箭頭X方向的平面圖。 第17及18圖所示的螢光顯示管係與第圖所示者一 樣，唯於控制電壓之施加方法及陽極發光領域之選擇方法 具有其特徵者。 首先’說明該背面電極B1至B9的控制電壓之施加方 係於背面電極B1至B9施加-數10V至+數ιον的控 制電壓，控制絲極F1或絲極F2的電子放出及放出停止。 此時，背面電極B1至B5係以群體控制絲極F1 ,且由背 面電極B5至B9以群體控制絲極F2。若假定絲極F1為電 子放出絲極，而絲極F2為電子放出停止絲極，即於背面 電極B1至B5以作為絲極選擇電壓施加「正」的控制電壓， 且於B6至B9以作為絲極非選擇電壓施加「負」的控制電 312282 ί紙張尺度適財關家鮮（CNS)A4規格（21G X 297公£ 501158 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 社 印 製 五、發明說明（M ) 壓^第17圖（b)係表示此種狀態。係分別將該絲極選擇電 壓設定為「絲極電位（此時為0V)」至+數10V，而將絲極 非選擇電壓係_數10V至「絲極電位（此時為0V)」以下。 第17圖（b)係為使由絲極FI、F2之放出電子向陽極 A1至An各處均勻放射，係於背面電極B1至B5施加之背 面電壓設定電位傾斜。如於最靠近絲極F1的背面電極B3 為0V、該兩側的背面電極B2與B4為2V，B1及B5上施 加4V。如上，在施加於背面電極之控制電壓設定電位坡 度，以使由線狀絲極放射的電子得均勻放射於實質面狀 上。 其次，就陽極發光領域的選擇方法說明於後： 陽極發光領，域的選擇方法有各種方法，本發明係就依 序在鄰接兩柵極上施加栅極選擇電壓之雙線柵極（duai_ wire grid)方式，參照第18圖予以依說明。 在鄰接的2個柵極上施加栅極選擇電壓Vs(〇v<Vs<數 1〇 V)，且於該2個栅極以外的各栅極即施加栅極非選擇電 壓Vhd ίο% vhg0v)，例如，於栅極⑴及G2施加柵 極選擇電壓Vs’在其他各柵極即施加柵極非選擇電壓 Vh。該結果，使陽極A1至An為栅極Gi及G2所挾持部 分，成為可能發光領域。此時，若於陽極Αι寫入資料， 即可於陽極A1之為栅極G1及G2m挾持部分放射電子， 使螢光體H1發光。又於陽#A2^An亦—樣，於寫人資 料後，即可在栅極G1及G2所挾持部分放射電子，使螢光 體H1發光。該鄰接柵極的組合，可由G1及G2、G2& G3、 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21() χ 297 — 24 312282 (請先閱讀背面之注意事項翔填寫本頁) :裝 訂 ----I! 501158 五、發明說明（25 ) G3及CM、G4及G5···依序掃描。而於陽極Al至即係 同步於栅極的掃描，依序寫入資料。 第19圖係表示於說明在有關本發明第3實施形態之螢 光顯示管絲極施加絲極選擇電壓的方法之螢光顯示管的一 部分平面圖及剖面圖。其中，第19圖0)為剖面蹰，而第 19圖（b)為表示第19圖（a)中箭頭X方向的平面圖。 第19圖之螢光顯示管的構造係與第1〇圖所示之螢光 顯示管相同’僅係於其絲極之選擇方法上具有其特徵者。 第19圖的例示，係於絲極施加之電壓為「正」「負」 以選擇放出電子之絲極。如將作為絲極選擇電壓之「負」 訂 電壓施加於絲極F1時，即選擇絲極F1為可能放出電子的 狀態，且於絲極F2上施加「正」電壓，使之為非先端狀 態，以使絲極F2為停止電子放出狀態者。此時，如第j 9 圖（b)所示，陽極A1的螢光體H1至H7，成為可能照射電 子領域，而使螢光體H8至H14成為不可能照射電子之領 P域。在陽極A2至An亦一樣。 經濟部智慧財產局-S工消费合作社印製 又於背面電極B1至B9，係如第17及18圖所示，係 將絲極F1、F2以群體方式控制。其控制電壓的電位坡度 亦與第17及18圖之所示一樣。 本發明第3實施形態之螢光顯示管之選擇絲極？1或 F2的電路，係與第1實施形態（參照第14圖）一樣。 第2 0圖係表示有關本發明第3實施形態中，確認控制 電壓電位坡度效果的電界解析用模擬模型螢光顯示管之 剖面圖。該模型構造係與第10圖為同樣的螢光顯示管。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 312282 501158 A7 五、發明說明（26 於該模型中，第1基板S1與第2基板32的間隔為 0.86mm，背面電極B1至B9與絲極FI、F2的間隔為 0.15mm’絲極Fi、F2與陽極A1的間隔為〇 7mm，絲極 F1與絲極F2的間隔為2mm，施加於陽極A1的電壓為 12.0V，而施加於絲極pi、F2的電壓為〇γ。 第21圖係表示第20圖之模型模擬結果。其中，第η 圖（a)係表示於背面電極之控制電壓設定電位坡度時的结 果，而於第21圖（b)係表示未於控制電壓設定電位坡度時 的結果。第21圖係表示，具有與第i實施形態之第16圖 略同的結果。 [發明的效果】 本發明之螢光顯示管係以配置背面電極，使得以將栅 極配置於各螢光體為低位置，亦可由背面電極補償栅極機 能，使由絲極向陽極放出電子的控制，得以沒有任何的支 障地確實進行。 本發明之螢光顯示管係將陽極、絕緣層、栅極等以薄 膜形成，且將栅極開口部位置配置為同於螢光體高度，或 較低於螢光體，使絕緣層的充電減少，以使電子的回跳現 象消失。又因本發明之絕緣層為薄膜，因而得使絕緣層厚 度為習用厚膜的十分之一以下，由此結果亦可改善絕緣層 的充電。 本發明之螢光顯示管因係將陽極、絕緣層、柵極等以 薄膜形成，故可製造高精細度螢光顯示管。由於將栅極與 螢光體高度設定為上述狀態’雖為高精細度構造亦能抑制 (請先閲讀背面之注意事項却填寫本頁) rl裝---- 訂------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 312282 501158 A7 B7 經濟部智慧財產局·!工消-f合作社印製 五、發明說明（27 ) 習用螢光顯示管的絕緣層充電現象。 又因，本發明之螢光顯示管具有背面電極，而該背面 電極係挾持絲極狀地配置於陽極之反對側，因而得容易控 制由絲極向陽極放射電子之電子放出及停止電子放出，且 於控制電壓設置電位坡度，可使由絲極向陽極之放射電子 得以均勻擴散，以實現電子密度均勻的面狀電子源。 丨由於本發明之螢光顯示管，係於絲極施加絲極電壓， 因而得以切換或選擇放出電子之絲極及停止放出的絲極， 因而使由絲極放出電子之電子放出、放出停止容易，且得 以確實進行。又因背面電極之作用得能使放出電子均勻 化。 又因本發明第2實施形態的螢光顯示管，係於形成陽 極、絕緣層、栅極及螢光體層之基板上形成凹部，且於該 凹部形成螢光體層，因而得以任意調整凹部深度，設定螢 >光體層高度幾乎與柵極一樣的高度。 本發明之螢光顯示管，於上述基板之凹部具有凹部斜 面’因而，可於柵極的凹部亦設具斜面，因此，得提升栅 極的截止特性，且因露出於凹部的絕緣層變小，得使絕緣 層的狀電現象減少。 [附圖的簡單說明] 第1圖（a)為本發明第1實施形態的螢光顯示管之平面 圖。 第1圖（b)為本發明第1實施形態的螢光顯示管之割面 圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 27 312282 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝 « ·ϋ n tm— CRH β— »*1 n 訂· ' n Βϋ n Mws 蠢 線· 501158 A7 B7 五、發明說明（28 ) 第2圖（a)為本發明第1實施形態的螢光顯示管之剖面 圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填冩本頁) 第2圖（b)為第1圖中之一部分擴大剖面圖。 第3圖（a)為第1圖中之一部分擴大剖面圖。 第3圖（b)為第1圖中之一部分擴大剖面圖^ 第4圖（a)為第1實施形態的螢光顯示管柵極開口部實 施例圖。 第4圖（b)為第1實施形態的螢光顯示管栅極開口部實 施例圖。 第5圖（a)為第1實施形態的螢光顯示管柵極開口部之 另例圖。 第5圖（b)為第1實施形態的螢光顯示管柵極開口部之 另例圖。 第6圖為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基板 之平面圖。 第7圖（a)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第7圖（b)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之剖面圖。 第8圖（a)為第6圖中之一部分擴大剖面圖。 第8圖（b)為第6圖中之一部分擴大剖面圖。 第9圖（1)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之製程說明圖（1)。 第9圖（2)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) 28 312282 501158 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（29 ) 板之製程說明圖（2)。 第9圖（3)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之製程說明圖（3)。 第9圖（4)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之製程說明圖（4)。 第9圖（5)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之製程說明圖（5)。 第9圖（6)為本發明第2實施形態的螢光顯示管第1基 板之製程說明圖（6)。 第1G圖（a)為本發明第3實施形態的螢光顯示管構造 圖。 第10圖（b)為本發明第3實施形態的螢光顯示管構造 圖。 第11圖（a)為第1〇圖中之一部分擴大剖面圖。 第11圖（b)為第1 〇圖中之一部分擴大剖面圖。 I 第12圖（a)為說明本發明第1實施形態的螢光顯示管 控制電壓施加法之剖面圖。 第12圖（b)為說明本發明第1實施形態的螢光顯示管 控制電壓施加法之平面圖^ 第13圖（a)為說明在本發明第1實施形態的螢光顯不 管燈絲施加燈絲選擇電壓的螢光顯示管剖面圖。 第13圖（b)為說明在本發明第！實施形態的螢光顯示 管燈絲施加燈絲選擇電壓的螢光顯示管平面圖。 第14圖為本發明第1實施形態的螢光顯示管燈絲切換 ti it n n ϋ n n fl— ϋ n n n I n n n n tp n 如·OJΪ t— —I ftf 1-- n n IK I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29 312282 501158 A7 五、發明說明（30 ) 電路之實施例圖。 第15圖為本發明第1實施形態的螢光顯示管之電場解 析用模擬模型構造圖。 第16圖（a)為本發明第1實施形態的螢光顯示管之電 場解析用擬結果圖。 第16圖（b)為本發明第1實施形態的螢光顯示管之電 场解析用擬結果圖。 第17圖（a)為說明本發明第3實施形態的螢光顯示管 控制電壓施加法之剖面圖。 第17圖（b)為說明本發明第3實施形態的螢光顯示管 控制電壓施加法之平面圖。 第18圖為第17圖（a)中箭頭所示X方向之剖面圖。 第19圖（a)為說明在本發明第3實施形態的螢光顯示 管燈絲施加燈絲選擇電壓的螢光顯示管剖面圖。 第19圖（b)為說明在本發明第3實施形態的螢光顯示 管燈絲施加燈絲選擇電壓的螢光顯示管平面圖。 第20圖為本發明第3實施形態的螢光顯示管之電場解 析模擬用模型構造圖。 第21圖（a)為本發明第3實施形態的螢光顯示管之電 場解析模擬結果圖。 第21圖（b)為本發明第3實施形態的螢光顯示管之電 場解析模擬結果圖。 第22圖（a)為習用螢光顯示管之構造圖。 第22圖（b)為習用螢光顯示管之構造圖 312282 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 ϋ (210 X 297公爱丁 501158 A7 B7 五、發明說明（31 ) [符號說明] A，A1至An陽極 D 絕緣層 G，G1至G7拇極 S1 玻璃第1基板 S3 玻璃側面板 C 切除部 >〇d，Og 開口部 Ta，Td，Tg，Ts 斜面 G1至G15薄膜柵極 B1至B9背面電極 F卜F2燈絲 Η，HI，H2，H11 至 H7n 螢光體 S2 玻璃第2基板 Bs 底部 Ka，Kd，Kg，Ks 凹部 S 玻璃 D1至D15絕緣層 HI至H14螢光體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 工 消 費 合 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 31 312282

Claims (1)

1. 501158 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1· 一種螢光顯示管，係介由薄膜絕緣層在第1基板上形成 矩陣狀之塗布螢光體的條狀薄膜陽極及條狀薄膜栅 極’而於第2基板形成薄膜背面電極，且在第1基板與 第2基板間張架絲極者。 2· —種螢光顯示管，係以條狀薄膜陽極及條狀薄膜柵極介 由薄膜絕緣層形成為矩陣狀之第1基板，與形成為薄膜 背面電極的第2基板間張架絲極，且於薄膜陽極與薄膜 柵極的交又處之薄膜栅極與薄膜絕緣層形成開口部，在 該開口部内的薄膜陽極上，塗布螢光體者。 3. —種螢光顯示管，係介由絕緣層在第i基板上形成矩陣 狀之塗布螢光體的條狀陽極及條狀柵極，而於第2基板 形成條狀背面電極，且在第1基板與第2基板間將絲極 張架於背面電極之長方向者。 4. 一種螢光顯示管，係以條狀陽極及條狀柵極介由絕緣層 形成為矩陣狀之第1基板，與形成為條狀背面電極的第 2基板間之背面電極的長方向上張架絲極，且於陽極與 柵極的父叉處之栅極與絕緣層形成開口部，在該開口部 内的陽極上，塗布螢光體者。 5·如申#專利粑圍第3或第4項記載之螢光顯示管，其 中，陽極、栅極、絕緣層及背面電極等為薄膜狀之構成 者。 6·如申請專利範圍第丨至第4項中任何一項記載之螢光顯 示管，係於施加在背面電極之絲極選擇電壓予‘以設定電 位坡度手段者。 --1 I ------I--· 1-------^ « I ------« 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   、經濟部智慧財產局昊工消費_合作社印製 if C8 -----------—___ D8—_ 六、申請專利範圍 7-如申請專利範圍第丨至第4項中任何一項記載之螢光顯 不管，係將螢光體的表面配置於較接觸柵極之絕緣層面 更近於絲極侧者^ 8·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 栅極的開口部形成切口者。 9·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 φ 第1基板形成至少可收納螢光體的凹部者。 10·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 第1基板形成至少可收納螢光體的凹部，且於第i基板 之凹部内面具有形成之斜度者。 11·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 第1基板形成至少可收納螢光體的凹部，且於絕緣層及 栅極形成沿第1基板凹部内面積層的凹部者β 12·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 第1基板形成至少可收納螢光體的凹部，且於絕緣層及 •柵極形成沿第1基板凹部内面積層的凹部，而於栅極凹 部内面具有形成之斜度者。 13·如申請專利範圍第2或第4項記載之螢光顯示管，係於 第1基板形成至少可收納螢光體的凹部，且使第1基板 之凹部形成面及其反面為粗面者。 14· 一種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第1至 第4項中任何一項記載之螢光顯示管中，在其背面電極 之每一絲極控制群，以時分割施加絲極選擇電壓及非選 擇電壓，選擇電壓，選擇放出電子之絲極者^ H ϋ I. n I n n n t— n n I · n n n n n n f^-r°-Je n n n K n ϋ i I (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 33 312282 1 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 τ、申請專利範圍 i5· 一種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第1至 第4項中任何一項記載之螢光顯示管中，在其背面電極 之每一絲極控制群，以時分割施加絲極選擇電壓及非選 擇電壓，選擇放出電子之絲極，且在施加於背面電極的 絲極選擇電壓設有電位坡度者^ 16·—種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第1至 第4項中任何一項記载之螢光顯示管中，以時分割施加 絲極選擇電壓及非選擇電壓於絲極，以選擇放出電子之 絲極者。 17.一種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第i至 第4項中任何一項記載之螢光顯示管中H分割施加 絲極選擇電壓及非選擇電壓於絲極，以選擇放出電子之 、為極且於貪面電極施加設有電位坡度的控制電壓者q 18·—種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第}至 第4項中任何一項記載之螢光顯示管中，以時分割依序 施加栅極選擇電壓於栅極者。 19.一種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第^至 第項令任何一項記載之螢光顯示管中，以時分割依序 施加栅極選擇電壓於柵極，且係於鄰接的兩栅極同時施 加柵極選擇電壓者。 2〇·-種勞光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第】至 第4項中任冑一項記載之榮光顯示管卜在其背面電極 之每一絲極控制群，以時分割施加絲極選擇電壓及非選 擇電壓，選擇放出電子之絲極，且在施加於背面電極4 ‘紙張尺度_ t目目家辟（CNS)A4祕（ . -------! ---------t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   六、申請專利範圍 每一絲極控制群之絲極選擇電壓設有電位坡度者。 21·—種螢光顯示管的驅動方法，係於申請專利範圍第i至 第4項中任何一項記载之螢光顯示管中，以時分割施加 柵極選擇電壓於栅極，且於陽極輸入信號選擇其發光的 I ! I------«II -------- ) ^ *11!!111« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 螢光體者。

   * 經濟部智慧財產局冕工消f.合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 35 312282