TW393687B - A production method for a discrete structure substrate - Google Patents

Description

經漪部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明（1 ) 本發明係鼷於一種一倒為攘敗蹰而另一側為未擴敗靥 之甬靥構造式矽半導钃晶圓的雛歎霣路用基板之製造方法 。更詳言之，係醆於霣晶臞、二極钃等離敢霣路用基板之 製埴方法，該離散«路用基板必須具供良好结晶性，其未 擴散靥表面所能檢拥得之饍位密度平均在5000 « /erf Μ 下，而按照形成雛散霣路用基板時所要求之睹位密度，κ 預先調整/決定之晶圃索材厚度進行擴敗，並控制未擴散 暦在擴敗時產生之蟮位，然後在加工完成所欲最終尺寸之 雛敗霣路用基板時，亦能滿足所需錯位密度者。 習知離敗電路用基板之製造方法中，製造方法（1)係： 準備乘經雎予所需之前處理之晶圓索材， 以鱭敗法從晶圓兩面形成所欲深度之攘黻暦， 完全除去晶画單面之攘歎雇， 製得具有預定攘敗靥厚度（稱為Xj>輿未纊散雇厚度（ 稱為Xi)之雛败霣路用基板。 因此，晶圓索材厚度乃為製品厚度（1』+ 11)加上包括 欲除去之軍供攘敢靥厚度在內之最小禳械加工裕度所得之 厚度。 由於以上述習知方法形成於晶圇兩側之擴敗層中須除 去任一侧之掮敗靥，结果導致一半擴敗靥浪費，因此最近 乃採用以下所示之習知方法（2>: 準備業經廉予所需之前處理之晶圓素材， K擴散法從具圆兩俩形成預定深度之孃散蘑， 從晶圃厚度中闢部位切割晶圓， -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（2 ) 製得具有預定擴散曆厚度（Xj)與未擴敗曆厚度之兩 Η難敗霣路用基板。 因此，晶圓素材厚度乃為製品厚度（Xj + Xi)之2倍厚 度加上切割裕度及切剌面側之最小機械加工裕度。 此種方法即使獾得2片雛败電路用基板，但本來即是 較厚晶圃，作看之下，好像對原材料之滅省並無鬭係，不 通原材料之減省必須兼顧及由晶画錠（ingot)切取晶圖Η 時之損失，故此方法確實可Κ獲得厚材料之減省》 Κ上雖僅陳述習知方法（1)(2),但任一種方法中，擴 敗前之晶圖素材厚度當然是由製品厚度（離散霣路用基板 厚度）加上製成所欲尺寸之製品所需之最小限度機械加工 裕度（结果均呈切割粉属>。 本發明雖係在難敗霣路用基板之製造方法中Μ使用擴 散方法之製程為對象，但用該擴敗方法製埴離散電路用基 板時，為了獲致一定的辕質「濃度j 、「掮敗曆深度J ， 高溫（例如1 2801!)下長時間（例如165小時）的晶圔热處 理乃不可或缺。 進行該熱Λ理時，由於： ① 用Κ形成擴散曆之雜霣中，羼於Ν型、Ρ型代表性 雜質之磷、薩原子的原子半徑係小於矽原子半徑，由於該 等原子和矽原子置換時產生在掮敗靥之收嫌力，使得未擴 敗靥亦產生應力， ② 在晶圓進出擴敗鑪時，由於晶圃群係在相互密接狀 態，故特別是具一定厚度以上之晶圓時，晶圓外周部與中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 -^1 1^. I I I I I I 訂— I 、線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 心部之瀑度差更為鑛大，會在未擴敗曆產生热應力， 等主要原因，晶圓之未擴散層内必然會發生饍位或所謂潸 動（slip)之連績錯位情形。 據稱，埴種錯位通常會使「製成最終元件時之霣氣特 性劣化J,有不能獲致目擁特性之嚴重問臞。另一方面， 由於均勻分布之某種程度的箱位之存在可使高頻特性良好 ，故亦有要求具備一定範圈的錯位密度的特殊情形。 故本發明係K雛敗霣路用基板之未擴曆散表面檢拥所 得平均錯位密度為5000個/erf〜0個/ctf (幾近無缺陷结 晶）之晶圓為對象，而K提供一種能夠符合所需錯位密度 位準之製造方法為課题。 為達成上述課颶，申鏞専利箱第1項之技術手段係 為矽半導體晶圃之一側為攘散曆而另一側為未擴敝^Ui) 之兩靥構造式，其未掮散騰表面之鍇位密度平均在50 00 俪/cm2 Μ下之矽半導豔離散霣路用基板之製造方法，其中 ，設由於矽半導黷抛光加工而殘留有加工變形之擴敗前晶 圓素材厚度（Τ)(單位：w·)以下式（1>表示 T = 2Xj + Xi+a ____(1) 為了能滿足製成離敗基板時所霈之鎌位密度，所採行 之手段係預先使擴敢前之暴圓素材厚度抉定在式（1)中之 cc值處於45彡《=930之範園内，Μ該晶圖素材厚度施行 擴敗完了後，獲得2曆構造所需厚度之離敗電路用基板。 更詳言之，本發明形靥離敗靥所用之暴圓素材係經前 處理，使其殘留抛光加工時之加工變形，由於擴散曆是從 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I.-----.---C 裝------訂------f i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央摞準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 晶圓兩供面形成（現實情況中不可能只形成單面攘敝曆）， 因此要獲致一 Η雛败電路用基板，素材至少需具備（2Xj + Xi)之厚度。闞於素材之厚度（T>係Μ式（1) Τ = 2 X j + X i + α 來表示。 此處，α係表示決定晶圓素材厚度時之調整裕度，該 α值大小為在45忘oc=930之範圏内，而由製成離散霣路 用基板時未擴敗曆表面所需之錯位密度來決定，並將該厚 度之晶圓素材嫌行擴敢，而加工完成所需厚度之難散電路 用基板為特徽。 再者，調整裕度α之範_係以能夠期待獲得較飫繕位 密度位準之45w·為下限值，α值越大，攘歎深度只要在 程度上有所差別錯位即越少，但越邊某界限時，則顯現發 生滑動之問鼸，故K 9 3 0 U·為上限值。 以第1麵來說明用Μ揭示擴歎前晶圓素材厚度於擴敗 遘程中（热負載時）產生之錯位，與其後未擴敝曆表面檢澜 所得之繕位的上述闞係，擴敗完了後之晶圔剖面則Μ第2 來表示，其中擴敗層厚度Xj,製成雛散霣路用基板時之 未攘散靥厚度為Xi,中間未擴敗靥之一部分厚度為α時， 舉例言之，使用FZ法、II型、<111>, 100多之晶圆，以相 同的掮散條件，決定所發生之饍位密度之最大因子為Xj, 並M Xj為參數，令α值變化時，未擴散暦表面之睹位密度 變化係掲示於第1園中。

玆將《念性區別xj (攘散靥深度>為「淺J 、r中閜J 、「深J之方式，改為Μ較淺（Xj<120W·)、中間（120W· -7- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X 297公釐） _. n I · I 裝— I I I I I 訂 I 人 知 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印絜 A7 B7 五、發明説明（5 ) 备JU<250tf )、較深（XjS 250« ),並分別Μ曲繚①（80 以1)、曲鎳②（170</·)、曲嬢③（300<ζβ)代表該三種情 形。 擴敗深度越大，α值越大（素材厚度變大 >,辑位密度 顯著滅少之情形可由_上看出來° 申請専利範園第2項之技術手段中，例如接近120(ζ· 之較淺攘散曆厚度Uj>係如第1 之曲嫌例所 示，由於本來繕位發生率就很少，故即使增加晶圖厚度， 所得效果也很微少。 因此，乃在申鏞專利範画第1項之離敢電路用基板之 製造方法中，於擴敗J»Uj)之值為12〇i/«^Xj；S40〇wn, 未擴散磨（Xi)之值為Χί名20jl(·時，素材晶圓厚度係Μ上 述（1)式中之α值在330备〇(彡930之範園内來決定為特 徽。 申請專利範醒第3項之技術手段係在第1項之雛散電 路用基板之製造方法中，於擴散曆（Xj)之值為幻“20«· ，未掮散層（Xi>之值為Xi蠹3〇w·時，晶圖素材厚度係K 上迷（1)式中之α值在45客ot：S780之範画内來決定為特 嫌。 再者，申_専利範麵第4項之技術手段係在第3項之 雛散«路用基板之製造方法中，未掮敝靥表面之加工方法 為平面研釅加工，其研磨加工用砂輪之番號在#1500以上 ，#3000 Μ内為特微。 此外，研磨砂輪番諕輿研靡金釀砂本身之平均粒徑d -8 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X'297公釐） —_li— ^ —訂 — — — -― (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本灵) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6) (軍位)之間係遵循下式之Μ係》 d=(25.4/表示番虢）X 0.58 因此，研磨砂輪通常所使用之金刪砂等之平均粒徑為 5 . 9 w 至 9.8 « 通0 闞於申誧専利範第1項之作用方面，於對規定厚度 之晶圓進行嬢敗時，晶園素材係梅予抛光加工，並藉此時 殘留之加工變形來抑制擴敝逢程中所產生之錯位，而此晶 園素材厚度係由申講專利範_第1項中式（1>之《值在45 忘α忘930範_内來決定，亦即，α值在45//·以上，930 W 以下來決定。若以第1 _、第2園來說明此處之〇£值 上下限時，在下限值方面，在第2 中，假定α值為0， 在除去下側之Xj靥，Μ製造»度為Xj+Xi之離散電路用基 板時，除去Xj之面即為製品之未擴散靥表面，但該表面在 成為雛敝霣路用基板前即已深受待除去之Xj層之應力影響 ，使蟮位情形刺淆。 為蠖免此種現象，乃發現α值至少要在45juiK上才 有效，因而採用該值為下限值，賴著ot值設在該下限值以 上，即得以避免待除去之另一側擴敗蹰之應力影響。 在上限值方面，一般而言，雛散轚路用基板通常所需 之擴敝靥係較深靥之形態，因此不得不豳行長時間的离灌 «理，當然若從成本面來考處，每一批次《理中，装入擴 敗爐内之片數鳍希望能夠多一貼，而裝入形態上，晶圓間 係介著級®朗（防止固著）相密接，一次多數片同時裝入爐 中〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 五、發明説明（7 ) 因此，禊數片之晶園群進出攘敗燼時，即與通常待热 Λ理晶圃保持一定間隙並排之形戆不同，由於幾乎沒有對 流方式之热傅導，故晶圖中心部分與外周部分之邋度差變 大，並產生熱應力，结果晶園素材厚度越大，直線狀相達 之另一種形戆之繕位（潸動，slip)越容易發生，大致上 晶圓素材厚度超逢1 4 0 0 m·左右時，即可看出逭種繕位急 刺壜大之情形，故藉由將α值設定在該上限值Μ下，會導 致製品特性劣化之潰動現象即可防止。 第1之曲嫌④即是表示此種情形。但是在該圓中之 潸動由於局部性集中而雞以數值化，當然只能以「強J 「 弱J來顧示。 以上所述係本發明中α值設定在一定範園內之理由。 再者，藏由在此範_内調整α值之大小，即可滿足所要的 雕歎霣路用基g睹位密度。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 再者，闞於申請専利範園第2項之作用方面，當上述 擴散曆U<j)之值為120以·客Xj^40(U·,未嬢散靥Ui)之 值為Xi茗20/l(時，離散電路用基板係多作為普通霣晶M, 也在搪敗靥之厚度加大的範_内，錯位情形當然會增加， 但經由增大β值，即能充分因應所需之錯位密度；此種較 厚的晶圓，Μ從厚度方向之中間部位切Μ成2片，在成本 上較有利。此時，可藉由《值設在320«·Μ上，而得Μ遘 擇*當的切割方法，不但可使成本降低，亦可充分因應所 需之錯位密度。 Μ於申謫専利範_第3項之作用方面，在擴散蹰之值 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐〉 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 為Xj<120“·,未攘散曆之值為Xi^30；u·時，離散霣路用 基板係颺於攘敗層厚度較薄之範_内，蟮位情形雕Μ產生 ，不需要加大α值，在780ιχ·Μ下即可使原材料滅少，同 時可充分因應本來所要的鍇位密度要求。 至於申讁専利範第4項之作用方面，_然難散霣路 用基板之表面通常多在供應有研磨猜之情形下，按押在研 磨布上，Κ進行狹義之鏡面研靡加工，但在申謫專利範園 第3項所掲示之技術中，較淺之擴敗曆所擴敗之轅質係輿 未擴敗靥之鏑面供已擴敝之雄質相反之導電型，且多使用 於二極由元件特性«之，其表面不必經常施予嫌面研 磨加工，因此使用番髗在# 1 50 0 Μ上# 3 0 0 0 Μ内之研褰砂 輪廉Μ平面研磨，即可充分滿足元件特性需求，從而可Μ 平面研磨加工作為最终加工，高負載之磨光作業即得以省 略，成本亦可降低。 Μ下說明本發明離敝霣路用基板之製造方法實雎例。 I實施例1] 離敗電路元件用基板係Μ代表性口徑為100♦之晶圖 為例（參考表-1),製品規格要求係JWFZ法、Ν型、<111> 、30 〜40Ω · c·、Xj = 170tf·、Xi = 50iu·、 Γ 無滑動現象 J 、錯位密度為100個/erf〜300個/erf為例。 再者，晶圖素材（擴散前）係經面加工，使之得以具備 抑制發生錯位之加工變形度，亦即該品圓係經抛光加工， 所使用之遊離研磨砂科為FO(商品名）#1000、#1200等， 加工變形雖視操作條件而異，但軍側面僳在3〜4W 左右， -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I.------：---Γ .裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合竹社印聚 A7 _B7___ 五、發明説明（9 ) 因此用Μ除去重金屬之β刻搡作係抑_在軍ft面下 ,使加工變形得以殘留。此種令加工變形留之搡作，在Μ 下所示之實廉例（2)、（3)中係同攆具備。 闞於所需之繕位密度規格方面，在[實施例1丨中，《 值之決定係由邊去之實際數據而設定在（a=600 w·)，其 结果雖可滿足要求，但為參考起見，特將α值設在上眼值 (α= 9 30 //·),下限值（ot= 300 Wi>,其结果分別當作參考 例b與a併列於表-1中以便比較。 與參考例（a)相比，本實振例只要將晶圓素材厚度it 加2 7 0 Wi,错位情形即顧著減少，能夠充分滿足所需之鍇 位密度「100髑/ctf〜3 0 0價/crfj 。 參考例（b)則為使晶圖素材厚度大於本實施例330tf· 之情形，此時，在顧微鏡下，幾乎看不到箝位情形（睹位 密度約等於〇)，.此為Xi曆要求近於完全结晶時所採用者。 再者，闞於α值之設定方面，對於不能Μ過去之實際 成績來推定之特別規格，可Μ確認到除了 Xj (擴散深度）之 外，亦受晶圓錠之製法（FZ法或CZ法）、口徑、霣阻率及導 霣型（N型或P型）等之微妙影響，故事先妥為確認乃是最 實際的方法。 [實腌例2] 本實雎例中，作為雛散電路用基板者為口徑125炎之 晶圓實施例（參考表-1)，製品規格例為FZ法、N型、50 〜65Ω . c·、Xj = 180«·、Xi = 70//·， 「無滑動現象 j ， 錯位密度要求在lfl〇〇钃/(^±203!之範圃。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） I.—---.---ί 裝------訂----.—Γ ,1 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（10 ) 此外，和上述實腌例同樣地，晶圓素材（擴敗前）係經 面加工，使其具有可抑制產生饍位之加工變形，亦即經通 抛光加工，且經蝕刻（兩面相加在2tf·以下）後，其加工變 形仍不至消失。 而且，和【實豳例1】相同地，特意將本發明之《值設 定在其上限值U =93fltf )、下限值（a =330// )作為參考 例b及參考例a,其錯位密度之锫果和本發明之比較則一 併列入表-1中。 實施例中，與參考例（a>相比，只要將晶圓素材厚度 埔加250/u·,錯位即顧著減少，充分滿足蟮位宓度「1〇〇〇 緬/ctf ± 20」之要求。又，參考例（b)之晶圓素衬則較本 實施例厚，在埔加3 5 0 “·時，於顯微鏑下，幾乎看不到繕 位情形（錯位密度大致為〇),係鼷於Xi蹰要求近於完全结 晶時所採用者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T k 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

A B7 五、發明説明（11 ) 表-1 實豳例1 饍位密度要求10卜300個/erf 4 實豳例2 睹位密度要求1000價/co* 士 20X α 值(/κ·) 晶圓素材厚度 330 (720) 600 (990) 930 (1320) 330 (760) 580 (1010) 930 (1360) 錯_度測定值 (fl/cm*) 外周4酤(5m)與 中心1點之平均值 3814 192 (看不出來} 10027 1023 (看不出來） 簧施例或參考例 (參考例a) 實嫌例 (參考例扮 (參考例a> mm (參考例b) 製品規格 •结晶 •口徑(M) .挪且率(Ω . CB) • Xj(tfi) • Xi(wi) ，鄉 .擴敗條件 .檐械加工條件 FZ . N 型· <111> 100 30~40 170 50 m 預定 預定 FZ · N 型.<111〉 125 50 〜65 180 70 磷 職 預定 ---------^裝—--. C (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 ※錯位密位...將xi靥表面》行触刻，計算其在顏微鏑下 之三角形窪部（錯位）數量，計算每1 erf之 鍇位數最。 -14- 本紙張尺度適财關家襟準（CNS) Α4^_ (2ωχ297公麓） 393687 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 由[實施例U、[資廉例2】亦可知，晶圆素材厚度係由 製成離散霣路用基板時之未鑛散靥表面檢拥所得之睹位密 度預先決定，在擴散工程完了時，可獲得極具效果之蹐位 控制，而此時之加工方法係沿晶圓素材厚度之中閹鐮進行 切割，而獲得兩片離敗霣路用'基板，是一種合於成本觀點 之方法。 [實施例3】 本資腌例係離散霣路用基板為口徑1004晶圓之實嫌 例·製品規格則為FZ法、N型、<111>、29〜41Ω . c·、 Xj = 55 W n、Xi=185/i 「無潸動現象J 、錯位密度要求在 2 0 0 個 /cm2 土 30X 範國。 再者，和上述同樣地，晶圓素材（擴敗前）係經面加工 ，使其具儋得Μ抑制繒位發生之加工變形，亦即為播光加 工，然後在不使加工變形消失之前提下遑行触刻（甬面相 加》刻深度在2«·以下>。 於形成此種較淺之擴散靥時，α值若在45“·Κ上， 則不鎗α值多少，錯位密度均可確認在1〇〇個/erf Μ下， 故α值壜大時，在品«提升上以及掮敗宪了後由晶圃厚度 方向中闥部位切剌所獾致之成本降低上，不會有利益可言 ，所Μ均不予採用。 因此，晶圖素材厚度在α =45 之最小值時，晶圃素 材厚度設在340 «·，鱭敗完了後，從晶園軍側將l〇〇wi( 攘散層厚度+ 45«·)實雎1次、2次平面研磨加工，2次 平面研釀加工係使用#20〇()番號之研磨砂翰，產製得厚度 -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝 .I訂 I----— 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 393687 a? B7五、發明説明（I3 ) 24 0 <i 之離敗霣路用基板。 Μ上之【實嫌例1】、[資豳例2】、[實施例3] 结晶轤之晶圖為對象，结晶_<1〇〇>之晶國在本 相同。但是在驀園表面嫌Ktt刻Κ計算錯位密度 结晶轴之晶圓烴触刻處理可Μ產生明晰的三角形 計數，<1〇〇>结晶Μ之晶圓則難以里規明晰的灌 刻液之姐成本身必須設法研發。 本發明離敗電路用基板之製造方法，根據申 園第1、2、3項所述之構成，係Μ繕位密度要求 (平均50 0 0個/crfM下）之離敗«路用基板為對 由將與目禰錯位程度相對靡之攘散前晶圖素材厚 整，即可雔達成習知技術未能達成之嫌近無缺陷 ，可K充分發揮製成最终元件時所需之特性。 均 Μ <111> 資上也是 時，<111> 窪部以供 部，故触 請専利箱 位準較低 象，而鶫 度施Κ讕 结晶位準 圈面之籣單 第1 為攘散前晶圓素材厚度興此時所發生 度之酗係示意_ ; 第2為縯敗宪了後之晶圓剖面_。 符號說明 Xj----纊敗曆厚度 Xi----未擴敝蹰 α .....調鏊裕度 Τ.....晶圓素材 之箱位密 厚度 厚度 -16- 本紙張^度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8393687_^__七、申請專利範圍 1. 一種離散霣路用基板之製埴方法，該基板用矽半 導靄晶圖之一側為掮散曆（Xj)而另一側為未擴散層（XU之 兩靥構造式，其未擴敝曆表面之繕位密度平均在5000僩 cm8 Μ 下， 其特微在：該矽半導tt晶圓係經拋光加工，而殘留有 此時之加工變形之擴散前晶圃素材厚度（TH覃位：#) K 下式（1)表示時， T = 2Xj = + Xi+ α.....(1) 該掮敗前晶圓素材厚度係預先設定在（1)式中之《值 為45έαέ9 30之範晒内，K該晶圓素材厚度完成攘敗而 製得所需厚度之兩靥構埴式離散霣路用基板，俾在製成雛 敗轚路用基板時能夠滿足所要求之繕位密度。 2. 如申請専利範麵第1項之離散霣路用基板之製埴 方法，其中，上述擴散之值為4 0 ，未擴散曆“1)之值為Xi2 20//B時，晶圓素材厚度係以 上述（1)式中之α值在330忘aS930範國內來決定者。 3. 如申請«利範画第1項之離敗霣路用基板之製造 方法，其中，上述擴敗JB(Xj)之值為Xj<12(U·,未擴敗 層（Xi)之值為Xi^3〇i>z·時，晶圃素材厚度係K上述（1) 式中之α值在45备α忘780 «_内來決定者。 4. 如申請専利範_第3項之雒散霣路用基板之製造 -17- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠） 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 393687 六、申請專利範圍 方法，其中，未擴敗曆表面之加工方法為平面研膺加工， 而此時之研磨砂輪之番號在# 1500 Μ上，#3000 Μ內者。 -18- ^^^^1 ϋΒ—^a —m· ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ml t— . * - V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）