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TW320742B - - Google Patents

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TW320742B
TW320742B TW082105539A01A TW082105539A01A TW320742B TW 320742 B TW320742 B TW 320742B TW 082105539A01 A TW082105539A01 A TW 082105539A01A TW 082105539A01 A TW082105539A01 A TW 082105539A01A TW 320742 B TW320742 B TW 320742B
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TW
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chemical
control
heat
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TW082105539A01A
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English (en)
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Du Pont
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Publication date
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First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26710316&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW320742(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US08/161,379 external-priority patent/US5534328A/en
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
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Description

經濟部中央橾準局貝工消費合作社印u A7 ____B7 五、發明説明（1 ) 發昍筋蘭 本發明關於小型化之化學加工裝置•其將化學加工單元 整合成蝥趙结構及製造程序。更特定言之，本發明鬭於化 學加工装置，其特激為可改良控制通經該装置化學品之加 工參数之精確度•增進操作安全度Μ及降低投資資金。 琎明背醫 為達成有效率之化學加工及製造，精確地控制多種加工 參數是重要的•諸如溫度、壓力、混合條件、反應物曝》 於催化物質、反應物曝》於光化輻射以及渔成反應產物分 離之條件。 習用之加工装置為許多缺點所困援，長期Μ來，化學工 業界認為其為由實驗室規棋放大或商業生產規棋之困難。 實驗室獲得之成果往往释以在生產裝置Μ生產速率複製。 習稱"經濟規棋”即基於生產率（每單位時間之產物Μ)對 投資資金之经濟考量。但此習知想法並不能逹到化學加工 控制之最遒精確度。 習用之化學加工装置一般容纳較大量之_物質•因此具有 較大之體積對表面積比率•结果使加工裝置不同部位所容 纳之反應物在反應通程中遭遇到不同之條件。以習用榷罐 反應器為例，即使反應器壁之溫度條件控制良好·非緊鄰 於反應器壁部份之反-應物在反應過程中所瑾遇之溫度條件 並不相同•當化學反應為強放热反懕而存顯著之溫度梯度 時尤然。反應物之快速搅拌可降低此溫度通程不同之規象 ，但並不能完全消除。由於不勻性之溫度进程•不同部位 --------，裝------訂----；線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 320742 A7 B7__ 五、發明説明（2 ) « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之反應物可能產生不同之化學反應。部份曝露於髙於所欲 溫度過程之反應物可能發生非所希望得到之產物，因而產 生不希望之廢棄物•其可能為斉害性廢棄物，須要作妥菩 之處理及處置。在極端之情況下，反應率可能加速至無法 控制之程度，引起安全性之問s·諸如可能發生爆炸。 若加工装置之體稹對表面積比率降低，則反應物溫度邊 程均一性之精確控制度可大為提高。 已知高度流動擾流可使二或多種反應物铐速混合，快速 混合對快速化學反應是重要的。高度援流亦知可促進热交 換。因此，具有低體積對表面積比率和高度擾滾之结構在 化學加工之精確控制上是特別有利的。 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 個別單元（諸如小型化之化學反應器）業經多满榷金屬板 製成*諸如DE 3,926,46 6所示。亦知由多溝槽金属箔或板 *或由粘结至玻璃板之多潇槽的矽晶片製成熱交換器。在 结構中製造小而精確之内部满槽遇去是困雞的*但規已使 用鑽石頭之金屬加工櫬件解決。由於加工技術之限制，其 主要限於直線溝槽之製作。此類结構一般具有多條接近但 分開之平行直線溝槽，而在满榷之每一蟠部具有歧管。然 而，此種直線溝槽结構並不能逹成播快化學反應所需之混 合李和擾流度。 具有高擾流性之混合物組件業經下法製成：使用習用加 工技術將金屬板作襪械加工•形成所欲之通道和室•《後 將金屬板姐裝，再夾合在一起，或》熔接或焊接作永久性 之接合•例如美國專利第3,701,619號所掲示者。由於習 -5 - 太铋路I?瘠诂田由晡朗倉祕擻/ r^TC \ / 320742
A7 B7 五、發明説明（ 用機械工具 類结構並不 ®別之單元 製造習用 )亦易於腐 令觸媒中毒 料選自能與 特殊技術視 "本發明提 之能力，棱 其可經濟地 作單元*決 操作參數， 可處理多相 *降低洩漏 之目的、特 82105539號 並不適於经濟性地形成複 能達成特別低之趙積對表 •非化學加工和製造之整 化學加工裝置之材料（諸 蝕和磨損，其對催化活性 。本發明装置可由廣泛範 化.學程序共容之材料。一 所遵擇之材料而定。 供Μ偵測器和控制元件整 符合抟殊化學反應之補求 用於實驗室中，製成精密 定整合化學加工單元之商 以進行基本化學反應。本 物質。本發明之優點包括 之機會。參閲後文之本發 徴及優點將更易瞭解。同 申請案之追加業 發明班疣 供化學加工和製'造 雑之小型化结構•此 面積比。此類装置為 超性结構。 如鋼*特別是鐵合金 具負面影響*或可能 圍之材料製造，該材 些用以製造該装置之 合一或多個搡作單元 。本發明之一特激為 尺寸之給定元件或操 業化製造裝置之最逋 發明之另一特激為其 減少許多連接及接頭 明描述，上述及其他 時本案係針對第 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印袈 本文揭示及申請 該结構包括多片瞄结在一起之層叠片 個出口 條三次 至入口 該等面 口和至少一 具有至少一 該溝榷連接 5000微米。 1以接受及排放化 元之弩曲满楢Μ容 和出口 •具横截面 叠片由埋自能與特 之整體结構之專利， •其包括至少一個入 學品。該等層*片中 納欲加工之化學品。 尺寸較佳為约10至约 定化學程序共容之物 —6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 32G742 A7 _'_ B7____ 五、發明説明（4 ) 質所姐成。安裝可進行至少一個單元操作之裝置以形成所 欲之控制*因此能對化學品作加工處理。 適於髙溫氧化反應之材料之實例為來自遇期表第III 、 IV和V族之物質（諸如矽），而高溫氧化反應之實例有諸如 鹽酸（HCU氧化產生氛氣和水。諸如CF3CH2C1氟化成 -CF3CH2F.之氟化反應之適當材料之實例包括陶瓷，諸如碳 化矽、碳化銪、氧化鋁和藍寶石。逋於諸如二氛二甲基矽 烷光氣化反應之光反應所用材料之實例有.玻璃材料•諸如 熔凝石英、純氧化矽玻璃K及硼矽酸玻瑰。經發現瘌於諸 如將蛋白質解脫酶催轉化成其他物質之生化反應所用材質 之實例有聚合物，諸如聚苯乙烯、聚酯、聚皤胺以及聚四 氟乙烯。適用於高壓程序條件之物質之實例有複合材料， 諸如纖維補強聚合物和陶瓷。遽於要求較低之程序條件之 材料之實例為金屬。 在一整體结構之一較佳具«實施例中，將層叠片安置Μ 提供多軍元操作。此外，溝槽係精確地在鄰接之層叠片間 定位。該等溝榷可沿著該層叠片成連饋栓或非速績性。不 連缜性之溝槽在鄰接層*片間充分對準，在其間形成連鑛 性之通道。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明整»结構可依Μ卞程序製備，包括： ⑻先加工多片層*片•使每一片層叠片具有一頂部、一 底部Μ及所欲厚度，Μ在其中或其間形成所欲通道； (b)將曆叠片叠合及連结在一起•精確地對準•該等贋叠 片涵蓋至少一涠出口和至少一個入口·K接受和排放化學 -7 - 經濟部中央樣隼局員工消费合作社印装 五、發明说明（5 ) 品；該等通道形成至少一條三次元彎曲溝榷Μ容納欲加工 之化學品。該溝槽之截面較佳為約10至约5000撤米*其連 接至入口及出口。該等層*片由能與特定化學程序共容之 物質姐成； ⑵最後將一或多個進行至少一軍元換作之器具設妥Κ實 施所欲之控制*使該等化學品進行加工。 層叠片加工成通道可依選自下列之方法進行：減積程序 ，包括化學牲刻（諸如用Κ處理半導體材料晶片者）、霣 化學切削（ECM)，霣荷切削（EDM)、雷射削磨、鑌轚和切割 、擦磨Μ及單鑌石頭切割（諸如用Μ加工陶瓷零件者）； 添加程序，包括沉樓程序，諸如電積成形、選擇性霣鍍、 化學蒸氣澱積、立體石印光形成和熔接；以及形成程序， 諸如棋製、鑄造和鍛製。薄膜形式之耐磨耗塗料可梘需要 在欲加工之雇叠片連结之前塗覆於其上。 在製備整體结構之方法中，鄰接曆叠片之相對表面上之 通道形成在磨叠片平面上通過該结構之通路，逭些通路具 有所欲之截面積•且彼此相通，而垂直於層叠片平面之通 路通過一或多片層*片，形成具有所欲總體三次元彎曲形 狀之通路。本文所用”三次元彎曲"一辭意指該通路可分叉 、枝化、交錯和凹入，且截面形狀和大小可相同或不同， Μ達成通過該管路之化學品之所欲流動待戡。 上述裝置可用於化學加工和製逭之方法中，該方法包括 ⑻將一或多種欲加工之化學品導入上述结構之入口； -8 - ____________Ai,------，訂 1 (请先閲讀背面之注$項再填寫本頁)__— ----線---
.I - 1 —I • - -1 III . 太紙_決疋麿逋珀中逋珀犮振堆1 f PKS \ Adtf ( TiaV7〇7/X*· 320742 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 <b)將該一或多種化學品引經至少一條«曲溝槽’該溝槽 係特別遒合於接受該一或多種化學品； (〇Κ對該一或多種化學品進行至少一種下列單元搡作之 装置配合該一或多種化學品之通經該彎曲溝榷操作： Γ -混合， B -熱耷換， C -分離， D -催化反應， E -非催化反應， F -光化學反應，以及 G -電化學反應； (d)由出口抽出一或多種经加工之化學品。此方法之特激 為Μ單元操作配合彎曲满槽之設計，K對一或多種化學品 作加工。 每一種該等單元搡作均可在相同或不同之裝置中單獨進 行*或與其他單元搡作賺合進行。本發明结構特別逋用於 連鑛性或半連缜性之操作。 由Μ下更詳细之描述及附圔可對本發明有更充分之瞭解 〇 圃夕篛诚 豳1為本發明裝置之透視圓。 圓2為上述装置之拆解透視圖，其由上往下顯示用以形 成該结構之層叠片之上表面。 圈3為上述裝置之拆解透視_ •其由下往上顯示用Μ形 -9- 太紙故尺；ί ii ffl Φ圃K定嫌at i r.Ms ) A/Uf技_ f ή n y川7/\鮝、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11Τ 經濟部中央橾隼局貞工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7) 成該结構之靥叠片之下表面。 圖4為放大之第一截面圔，其沿圈1之4-4嬢截取。 圈5為放大之第二截面釀，其沿圏1之5-5嬝截取。 圈δ為一部份裝置之拆解透視國，其顯示第一靥叠Η之 下表面•从及第二層叠片之上表面·並顧示一般满槽間隙 之安排Μ及形成霣热器之金羼花樣。 圓7為該裝置之第二暦叠片底部Μ及第三曆疊片Μ部之 拆解逋視圓•其顯示形成混合元件»列和分佈歧管之通道 排列。 圖7 Α為圓7 -部份之放大透視園，其顧示形成軍Τ-混合 器和單捲曲混合元件姐合之管道排列。 圓8為該裝置之第三靥叠片底部和第四靥叠片頂部之拆 解逋視圔，其顯示形成收集歧管之通道排列。 黼9為該裝置之第四雇叠片底部和第五雇叠片頂部之拆 解透視圓•其顯示形成第一热阻壩之通道排列。 _1〇為該裝置之第五靥叠片底部和第六曆叠片頂部之拆 解透視圓*其顯示形成第一热交換姐拥之通道排列。 _11為該裝置之第六暦叠片底部和第七靥叠片頂部之拆 解透視鼷•其顯示形成蟆旋分離櫬姐之通道排列。 鼷12為該裝置之第七層-片底部和第八曆叠片頂部之拆 解透視國，其顯示形成第二热阻壩之通道排列。 鼷13為該裝置之第八層叠片底部和第九雇叠片頂部之拆 解透視圃*其顯示形成第二热交換機姐第一部份之通道排 列〇 -10- 士 AtZJlP 由：iff! 士田明含择换 / PXTC、A>4：Wi* / 八政、 ---------裝------訂-----「線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 320742 A7 B7五、發明説明（8 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 圖14為該裝置之第九靥叠片底部和第十雇蠱片頂部之拆 解透視圔*其顧示形成第二热交換機組第二部份之通道排 列。 _15為該裝置之第十曆疊片底部和第十一曆叠片頂部之 拆解透視圈，其顧示形成嫌旋路徑光反應機姐之通道排列 〇 圈16為第十層叠片底部和第十一曆叠片頂部之第一種替 代排列，其顯示形成催化反應室之通道排列。 國17為第十層叠片底部和第十一雇叠片頂部之第二種替 代排列，其顯示形成光化學反應室之通道排列。 太發明跬Μ椹诚 本發明裝置之特激為其遒用於所用或幾乎所有想《的到 之化學反應。視所欲處理之個別化學品或所欲反應之二成 多種化學品之物理和化學性質•熟知此技藝者可設計出具 有所需大小、形狀和數量彎曲管道以及各種數目和幾何形 狀曆叠片之裝置。單元搡作器具之類型和位置可用ΚΚ合 該設計完成之裝置*使其整合成一β。此外，若有必要， 可將一序列之裝置Μ串職和/或并職搡作方式姐合。由於 本發明整《结構之建造材料、當癯尺寸以及_應性，可使 用較從前為快、更具®性、更滅少開車困難以及較少投資 之方式進行試驗工廠或商業搡作。因為該结構和設計參數 對進行幾乎所有化學程序具有特殊之順應性，因此上述之 優點均颺可能。 本發明之特激為複雜三次元形狀之小溝榷，其（1)可產 -11- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本") 、1Τ Γ 線 320742 A7 B7 五、發明説明（9 ) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 生促進混合和热傳送之高度擾流；（2)具有可將溫度梯度 降至最低並促進热傅送之極低«積對表面積比；和（3)控 制其中物質之滯留時間K逹成更精確之溫度控制Μ及更均 一之受溫通程•且對所處理反應物之整體«積之毎一部份 均可均勻控制。由於該等满槽甚小•使易生之火焰不致擴 展，因此可用Κ安全地搡作具爆炸危除性化學反應物之反 應。 本發明之结構可«多步嫌加工方法達成。首先將一序列 之平面層叠片或片盤加工，在毎一叠片之一或二主要表面 或整涸叠片之厚度形成所欲之通道花樣，層叠片之遘用視 與化學程序之共容性而定。本文所與化學程序之共容 性”包括：對化學降解具抗性；對諸如溫度和壓力之搡作 條件具抗性；符合熱傳導需求；在層叠片上形成所欲之形 態，包括大小、幾何形狀和精確度；層叠片材料之密封性 Κ及經濟考量等。例如可使用製造半導««子姐件之片盤 (諸如軍晶矽晶片）。對諸如矽之物質而言，可使用多種 技術姐合，包括化學蝕刻（諸如用Μ加工半導體材料晶片 )Κ及雷射鑽切（諸如用於陶瓷零件者）· Μ形成該等通道 〇 該等餍叠片嫌後«L確對準地堆合在一起（Μ例如热熔粘 合、陽掻處理粘合、接著繭粘合、合金粘合Μ及夾合之方 式為之），形成整髗结構。本文所稱多蹰叠片一辭意指該 整體结構可由低至二片曆叠片或更多之層叠片適當地接合 。如實例1所示，十一片曆叠片结合成一個裝置，而第一 -12- (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) •裝· 訂 Γ 線 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（i〇) 和最後之靥叠片形成外部组合•其餘之曆叠片形成内部姐 合。外部姐合可為矽或諸如金羼、》1¾、複合材料或玻璃 之保護性材料*而内部姐合可為矽。若内部組合由矽製成 ，則接合層叠片之較佳方法為热熔粘合，因所達成之粘合 強度接近於靥叠片本身之強度。 本發明較佳使用s自能與特定化學程序共容之材料。巳 發現通期表第III 、IV和V族材料能與許多化學程序共容 ，其中以第IVA族材料最佳•尤以矽和緒為佳。對特定之 化學程序而言，矽和類似之材料較諸習用之反應器材料（ 諸如網和特殊金屬合金）具有多種優點•特別是對腐触和 磨損具有抗力。若有必要，可在雇叠片上形成諸如二氧化 矽、氮化矽、碳化矽或人工讚石之表面餍· K增加對磨損 和腐蝕之抗性。 矽及其相近物質具有高熱傳導度，可促進热分敗與均勻 溫度·矽之热朦脹係數較低•可忍受較大之滬度梯度Μ及 溫度快速變化。該高热傅導度和對大溫度梯度之附受力可 箱在结構中形成抽空室以形成热阻場*使整»單元之不同 零件維持於不同之溫度下。因此，進入之化學反應物可例 如在低溫下混合，快速地加热及完全反應，随後快速地冷 卻，Μ防止不想要化合物之形成•或檷的產物發生热降解 0 高品霣材料之充裕供應以及良好發展之悠久加工技術歷 史是可資利用的，如半専腰霣子工業所使用者。由多俚軍 一晶片將矽和其他III 、IV和V族材料熱熔粘合形成多曆 -13- 裝 ^ 訂 4, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 太紙诀圮疳掄ffl中困团宏进准^ ?ιην·7〇7八鍪、 320742 A7 B7 . — _____五、發明説明（11 ) 經濟部中央標準局男工消費合作社印装 堅固防漏單石结構之獮特能力促成了複雜化學加.工裝置之 經濟性產製，且其省空間，又十分安全。 如本文所使用者，進行"單元搡作”之裝置包括混合器、 流體分散溝槽、熱交換器、分離器K及反應室，且包括催 化性和非催化性、光化學、電化學等類型。 控制單元操作之器具可經由程序偵澍器和控制裝置與本 發明整體结構结合；偵測器有諸如壓力計、瀟度偵ί»器、 流鸶偵測器和化學姐成偵測器，而控制裝置有諸如Μ、泵 和加熱器/冷卻器· Κ便有效地控制加工參數。此類器具 行使化學品所欲之特定功能（單獨或與其他器具合用）。 一届此類實例為整體溫度之分糠控制。整合所有搡作成軍 一之化學加工單元提供多種額外優點，諸如搡作#數之更 精確控制（與先前糸统相比較）、降低化學品降解之檐宰、 Κ及使用反應热預熱進料而降低能源需求。此外*進行單 元操作之器具並非一定是固裝於整髏结構上，此類器具可 Μ是例如在结構之外，諸如使用水浴作為溫度控制器具。 材料可由對所欲化學程序不具催化活性和相對惰性之物 質中選出。具有所欲活性之觸媒_後可很容易地併入整艚 化學程序單元中。 將催化活性併入整體结構之一般器具為用催化珠粒填入 一段溝榷中*或將催化物質沉積於溝檷之表面。對熟知此 技藝者而言，有多種技術可達成上述之單元操作。 本發明實例中所述製造方法容許軍純、精確質量產製、 蝮複雜形狀满權或其他结構，其使用特別癯合某種化學加 -14- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
，tT Γ 線 A7 B7五、發明説明（i2) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 工裝置之材料。製造方法促進主要特徵之精確簠現性•使 能以合意之次數單純地複製該等特激而處理大董化學品， 並逹到所欲之產率。將一特定程序所需之掸作置於緊濟整 «之结構中，再增加給定化學品之»積產量，使整《化學 加工單元禊製或放大變得單纯*且Μ平行之複製單元搡作 。與習用化學加工所用大型塔播放大不同者為：本發明Κ 複製方式放大，對.資金及小型分敗加工廠提供較大之彌性 。在消费處製造需求之化學品可減少與主要生產有鼸之危 險品之輪送與處理Μ及減少該等有害化學品之分佈。 當僅有少量物質在小反應器元件中處理時，有數種方法 可坩加安全性。小尺寸之满榷可防止火焰之擴張•因而降 低或免除爆炸之危險•而且裝置中化學物質之總體積小* 可降低洩漏或爆炸之櫬會。以上情形使商業規横之特定化 學品產製安全地進行，而習用之加工方法則無法逹到該安 全性。使用小而精確之反應器Μ更精確地控制化學反應之 能力亦降低了不欲副反應之檐會，該等副反應會產生之廢 索物，並使化學程序單元结垢。因此本發明可壜加產率及 降低危除性。 以下整個詳细描述中，相同之參考數字係相對於圄中所 有數值所示之相同jl件。1至99間之參考數字指示本發明 之整體形狀.。層叠片為100、200、300、400、500、600、 700、800、900、1000和1100之歟值，而每一相對雇叠Η 之特定外彤Μ 101至199 、201至299等之方式表示，最 後二位數相當於本發明之整體特激。”V”字尾用以表示通 -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- ,11 線 «> A7 B7 .五、發明説明（13) 經濟部中央梯準局貝工消费合作衽印裝 通结構之通路或層叠片間之垂直通道。宇尾包括破折虢及 數值（-1，-2等），用Μ表示特定元件之零件•諸如歧管之 俚別分枝管。大括«内之數值表示结晶物質之结晶面。 參考圓1 ，其顯示本發明實例之装置10·其由多個曆叠 片姐成，包括二組，即外部姐12和内部组14,經熔合而形 成整髓结構。一或多俪入口 20和24使反應物可流入装置· 而一或多個出口 30和34可使所得反應產物潦出該裝置。請 瞭解入口 20和24Μ及出口 30和34並不必然位於外部組上· 例如該等元件可經設計位於層叠片之《方Μ逹成整《性结 構。外部姐12和内部組14之層叠片可包括相同或不同之材 料。包括第一靥叠片100和第十一曆叠片1100之外部姐 12可由下述物質組成：金颺、陶瓷或諸如》矽酸鹽玻璃之 玻璃材料或者週期表III 、IV或V»物質。對下述之特定 化學程序實例而言，硼矽酸玻璃為較佳之材料。示範裝置 之内部姐14由靥叠片姐成*亦稱晶片200、300、400、 500、600、700、800、900和1000。内部姐較佳由選自旌 與特定化學程序共容之物質選出。後文所引用實例之特定 化學程序中，内部姐之雇叠片較佳選自遇期表之III 、 IV或V族物質，由IVA族選出更佳•且Μ矽為最佳。剖線 4_4及5-5為後面二個圈中之截面圔位置。 該裝置之示範性搡作特激如圔2和園3所示：一個«子 加热器在晶片100底部和晶片200頂部嫌金羼花樣之相對 空間通道中形成；二支入口分佈歧管40、44在晶片2 00底 部和晶片300頂部中之通道形成；一列混合器/反應室 請先閱讀背面之注意ί項填寫本頁) -裝. 訂 線 -16- A7 B7五、發明説明（l4 ) 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印装 60在晶片200底部和晶片300頂部中之相對通道形成；一 支叉形出口收集歧管50在晶片300之底部和晶片400之頂 部中之相對通道形成；由抽空室72 (·9 )形成之第一热阻 壩70位於層叠片400之底部及靥叠片500之頂部；第一热 交換器74#晶片500底部與晶片600頂部之通道形成；一 個螺旋狀分離器78在晶片600底部和晶片700頂部中之通 道形成；第二热埔82烴由抽空室84 (豳12)在靥叠Η 700底 部和曆叠片800頂部中形成；第二热交換器86在晶片800 底部和晶片900頂部Κ及在晶Η 900底部和晶片1000頂部 中之通道形成；Μ及一個嫘旋光反應器室90在晶片1000底 部和晶片1100頂部表面中之通道形成。 在圖4和圔5中*為淸楚地說明•將垂直之尺寸放大。 雖然裝置中之曆叠片完全加工後已熔合成整體结構，但為 淸楚地說明，層叠Η間之介面在·4和5中鼷現出來。 在說明结構內部典型流髑通道之鼸4和_5中，垂直通 道或通路20V、24V、30V、34V分別與外層叠片100中之入 口 20、24和出口 30、34相連，且一般藉鑽磨通經晶片頂部 俩方而形成。電子加熱器36_暦叠片100下表面和靥叠片 200上表面金羼花樣236 (圓6 )中之縯像空間通道136 ( 画6 )形成。在示範裝置中之空間通道136係使用触刻技 術形成。雇叠片200上表面上之金屬花樣236係使用六氟 化鎢和氫氣藉檷準鎢化學蒸氣沉積技術形成。 在圓4中，三條通道40-1、40-2和40-3為分佈歧管40之 分枝，另三條通道44-1、44-2和44-3為分佈歧管44之分枝 (請先閱讀背面之注 - -m --- I 輋項η填寫本頁) ,ιτ .線 -17- 320742 A7 B7五、發明説明（15 ) 經濟部中央椹準局員工消费合作社印装 ，其於磨叠管300之上表面上形成。五條通道50-1、 50-2、50-3、50-4、50-5為收集歧管50之分枝，其分別藉 在層#片300下表面對應之鏑像通道350-1 、350-2、 350-3 、350-4 、350-5 (鼷8> Μ 及層# 片 400 上表面中 之通道 450-1、450-2、450-3、450-4、450-5 (画 8)形成。 在圓5中，第三水平通道50-3 (醒8)包括位於截面平 面上之5分枝收集歧管50之中央支管。水平通道50-3藉對 應之鏡像通道形成，其分別為《叠片300下表面中之通道 350-3 ΠΒ8 )和層叠片400上表面中之通道450-3 (_8 )。 示範裝置中包括5分枝收集歧管50之通道使用《刻技術形 成。 圈5中，通道260A、260B、260C、260D分別與分佈歧管 40、44 之支管 40-1、44-1、40-2、44-2 W 及 40-3、44-3 ( 圈4及7 )連結，形成T型混合器結構62,其搡作釀後與 圈7和7A—併說明。曆叠片200底部中之通道284和靥叠 片300頂部中之通道364 —起形成混合室64。 躕5之左側顯示垂直通道20V ·其通經曆叠片100 、 200 Μ連接人口 20和歧管40之共同室40C ，藉曆叠片100 、20 0之相對位置通道120V、220V形成。 圓5之右供顯示垂Jt通道24V ，其通烴靥叠片100 、 200 Μ連接人口 24和歧管44之共同室44C ，藉靥叠片100 、200之相對位置通道124V、224V形成。5分枝歧管50之 中間水平通道50-3_曆叠片300下表面和靥叠片400上表 面之對應嫌像通路350-3和450-3 (·8 )形成。 (請先聞讀背 面之注意Ϋ項Θ填寫本頁 -裝_
、tT .線 -18- A7 B7五、發明説明（l6 ) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 圖5之左側顯示垂直通道50V ，其通經靥叠片400 、 500 、600 、700 、800 ，其與歧管50連接第二热交換器 86。垂直通道50 V藉對應之通道450 V、550 V、650 V和 750V、850V形成*該等通道分別位於曆叠片400 、500 、 600 、70(Γ 和 800 中。 圓6顯示空間满槽和鍍金屬花搛共同形成電热器之典型 安排。所示«热器36包括曆叠片100下表面上空間通道 136和沉積於曆叠片上表面上之鍍金羼花樣236 。當姐合 時，空間通道令二片曆叠片之平面表面得以粘结在一起。 另一種安排為在層叠片100之下表面或曆叠片200之上表 面之蝕刻通道中形成鍍金屬花樣，而鍍金籣花樣之頂部與 層叠片之表面等高。 圈7顯示共同形成混合器室序列和分佈歧管之通道裝置 。第一分佈歧管40包括共同室40C Μ及支邋道40-1、 40-2和40-3。第二層叠片200之下表面上之室240C與晶片 300頂部之室340C—起形成室40C 。晶片300頂部上之通 道340-1 、340-2和340-3相對地形成分佈歧管40之支管 40-1、40-2以及40-3;亦顬示連接入口 20和共間室40C之 垂直通道20V之開口。 第二分佈歧管44包括共同室44C Μ及支通道44-1、 44-2、44-3。第二層叠片200上表面上之室2 44C與晶片 300頂部上之室344C—起形成室44C 。晶片300頂部上之 通道344-1、344-2、344-3分別形成歧管44之支管44-1、 44-2和44-3;亦顯示連接共同室44C和入口 24之垂直通道 (請先閱讀背面之注意事項奔填寫本頁) ^ 裝· 、1Τ ..線_ -19- A7 _B7五、發明説明（17 ) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印装 24V之開口。 一序列之分段通道264在第二層蠱片200下表面上形成 ，其輿雇叠片300之相對分段通道36 4共同形成混合器拥 姐60之混合元件64。混合器機姐60包括多俪平形混合器 64之機组60A、60B、60C、60D。在所示之特定實例中•毎 一姐有五届反應器，其經由64D-1 、64D-2 、64D-3 、 64D-4 K 及 64D-5 對應稱為 64A-1 、64A-2 、64A-3 、 64A-4 K及64A-5 。鬮7亦顯示先前所示之室240C和 2440 每一個混合器64由二條通道姐成，第一通道264在第二 曆叠片2 00底部上形成•而第二通道364在第三靥叠片 300頂部形成。第一和第二通道均由一序列之直線段路組 成，其彼此支錯但相通以形成連線之管道。第一和第二通 道位於縱向分支段路之鄰接表面上•與段路發生交錯。鑲 «之混合器64可稱為一種婉蜓之路徑（詳見圓5 )。 260A、260B、260C和260D分別與歧管40之支管40-1、 40-2、40-3和歧管44之支管44-1、44-2、44-3K及每一分 段通道364 —起形成一序列之T-混合器62。因此·每一第 一段道364將每一 T-混合器62與混合器檐組60之每一蜿蜓 混合器64連接起來。如圈7A所詳示•每一通埴260輿歧管 40和44M及每一分段通路364之第一段路職合形成T-混合 器62，該T-混合器由多段道264和364姐成•其與蜿蜓混 合器64相連。亦如_7中所示者•介於歧管40和段道364 K及介於歧管40和段道44之通道260之毎一部份可具有不 (請先閱讀背面之注意Ϋ項W填寫本頁 -裝1 訂 •線 -20- A7 B7五、發明説明（is ) 經濟部中央橾準局工消费合作社印製 同之截面大小，提供每一種欲混合化學品之所欲滾率。可 依據欲處理化學品之混合需求和潦性特擞選擇段道264和 364之數目Μ及每一段道264和364之截面大小。 圓10顯示形成第一热交換器機组74之通道安排》熟交換 器室574在晶Η 500之下表面上形成。一序列之满槽74C 和平面74Μ在晶片600上表面上形成•以增加可促進热交 換之有效表面稹。入口 75(圈1 )賴對應之通道5 75和675 形成，而出口 76藉對應之通道576和676形成。由對應通 道574Τ和674Τ形成之热電偶井74Τ用Μ澜定热交換器之溫 度。外部之流董控制裝置（未顧示）可用以控制热交換器之 溫度。操作時，热交換流《流烴入口 75*通過满榷74C及 周園平®7 4Μ ，再經由出口 76排出。77-1和77-2二條通道 令垂直通道78V-1和78V-2(後文將作描述）分別輿垂直通道 30V和34V連接。 11顯示晶片600底部和晶片700頂部通道之安排•其 一起形成蠼麁分離器機组78。使用均勻蝕刻技術在晶片 600下表面上蝕刻短出口徑678 ，而在晶片700之上表面 上蝕刻長螺旋徑778 。垂直通道88V通經晶片7Ό0 ;達接 嫘旋分離器78之入口 K及第二热交換器之出口。垂直通道 78V-1和78V-2通經晶片600 ，分別連接分雛器之出口以及 通道 77-1 和 77-2 (圔 10)。 如類似於圓9所述者•圈12顯示形成第二热阻壤82之室 84之安排。蝕人晶片700底部中之室784與室884對準， 一起形成室84(室884係蝕入晶片800之頂部）。在接合邊 (請先聞讀背面之注 ^--裝-- 1^1^填寫本頁) 訂 .線 -21- 320742 A7 B7 五、發明説明（) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 程中，將該二晶片置於真 。由於真空不易導热，且 之頂部極少接觸·因此形 序軍元之热董垂直浪動· 旋分離器7'8與其餘化學加 Η 13和14顯示形成第二 道安排。热交換器86包括 混合但未反應之反應物流 由該通道流過之物質發生 該热交換器將光反應器流 機姐60(圔7 )流入熱交換 圈13所示者，一序列满權 987Μ形成）位於晶片900 有效表面積。 如騮14所示，一序列溝 下表面中形成，而室89在 900底部之溝槽88C和平 87C和平面87Μ (圖13)用 片900促進热傅送。在搡 90流經垂直通道90V ·進 88C ，沿平面88Μ進入垂 画15顯示形成光反應器 作時，已混合之物質經由 針方向婉蜓地流向晶片之 空室中，使每一室84均形成真空 又因晶片700之底部與晶片800 成热阻場·大大地降低了化學程 並有效地將第一热交換器74及螵 工軍元作热隔《。 热交換器機組86(_2和3 )之通 園13之通道87·烴由該通道令已 過，以及包括蹰14之通道88*經 化學反應。經由垂直通道50V · 出之經化學反應物質與由棍合器 器之經混合反應物作热交換。如 87C (由987C形成）和平面871((由 之上表面，Μ增加促進热交捵之 槽88C和平面 晶片1000之上 面88Μ Μ及晶 以增加有效表 作時，已反應 入通道88 ·隨 直通道88V 。 90之曲折鏍旋 垂直通道87V 中心，再Μ反 88Μ在晶片900之 表面上形成。晶片 片900頂部之溝權 面積，從而經由晶 之物質由光反懕器 後該物質流經满檐 通道之安排。在搡 進入鏢旋通道逆時 方向蜿蜓地以顚時
tT 22 A7 B7五、發明説明（2〇 ) 經濟部中央橾準局属工消费合作社印製 針方向流出*並經由垂直通道90 V排出。外部來源之光化 輻射源99 (圈1 ，一般為紫外光）射經透明之外曆叠片 1100·將鏢旋形光反應器90中物質照射，激起所欲之化學 反應。 _1 6顯示催化反應器90’之第一種替代安排，該反應器 可用Μ取代光反應器90。反應器溝槽90-1'、90-2·、 90-3，、90-4’、90-5，、90-6，、90-7’和 90-8,眭用觸媒珠 (未顬示）裝填·或者可將一或多餍催化物質沉積於該等溝 權之表面上。在搡作時，已混合之物質經由垂直通道87V 進入反應器90’ ·流入室90C1·中·並經由90-8’分佈於 反應器溝檐90-1·。經反應之物質雄後涑入室90C2·，並 經垂直管道90V排出。 國17顯示電化學反懕器90”之第二種替代安排*該反應 器係用以替代光反應器90或催化反應器90’ 。在搡作時* 經混合之物質經由垂直通道87 V進入《化學反應器中，浪 入室90” ，並分佈人反應器溝樓90-1”、90-2”、90-3” 、 90-4"、90-5"、90-6"、90-7”和 90-8” 中。《極（諸如所 示之二俚中間數位«極90Ε1”和90Ε2”）經由嬙子90Τ1”和 90Τ2”連接至外部霄源，使霜流潦經已混合之物質•並促 進化學反應。釀後反Ji過之物質流入室90C2 ’ ，並由垂直 通道90V排出。如热知電化學技苞所知者，《化學反應器 可視需要遵用其他之替代形狀。 整體化學加工裝置之多個軍元可串W或並W使用。每一 種多軍元姐合方法均可嫌得更多之利益。例如串職使用時 -23- (請先閲讀背面之注意事項界填寫本頁) .裝·
、1T -線
rblSI A7 _B7五、發明説明（21 ) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印策 可令一個單元進行混合，混合後之物質送入次一軍元進行 加热等；而例如並聪使用時，所有單元进行相同之功能。 上述觀念可整合成例如數個並聪單元的將所有之並聯卸料 送入另一個串聯方式之單元（可能為較大之單元）中。將諸 單元之任何數董之串聪或並聯方式併入係熟知此蕕者依所 欲化學加工结果所作之設計遵擇。 格«仆璺加丁奘譬夕坳作 令欲反應之二種物質經由入口 20、24，通過垂直通道 20V、24V，流入分佈歧管40、44中，並進入混合器機組 60。加热器36將混合器櫬組60預热至所欲溫度，而經混合 之物質由收集歧管50收集，通經垂直通道50V *進入第二 热交換器86中。賴热交換將溫度調整至所欲溢度後，將經 混合之物質送經垂直通道87V而至光反應器90中·由來自 外部來源99之光化輻射激發所欲之反應。經反應之物質由 光反應器經由垂直管道90 V而至第二熱交換器86中•在與 進入之經混合物質作热交換後，將經反應之物霣經由垂直 管路88 V送入嫘旋分雕器78中。作用於經反應物質之離心 力使較密實之部份移至嫘旋之外側，進入蠼旋678 ，送往 垂直通道78V-2 ;而較稀疏之部份進入垂直通道78V-1中 。第一热交換器74將嫘旋反應器維持於所欲之溫度下。進 入入口 75而由出口 76排出之分開热交換潦黷用K控制《旋 分離器78之溫度。流經78V-1之物»烴由通道77-1，再經 由垂直通道30V進入出口 30。潦經78V-2之物質通經通道 77-2，再烴由通道3 4V進入出口 30。 (請先閲讀背面之注 -裝-- 填寫本頁)
，1T 線 -24- 320742 A7 B7五、發明説明（22) 經濟部中央梂率局只工消費合作社印装 本發明结構亦可併入其他之微製造程序控制元件，諸如 比例控制W以及壓力、湛度和流量檢測器等。逭些元件Μ 外部控制之方式使用時，可調整热交捵器中之流量或反應 物在整體化學加工單元中之滯留時間。本發明之整«结構 亦可用於¥他之化學程序*諸如水解、硝化、聚合Μ及氣 化反應。 邾诰方法 示範性化學程序裝置之製造方法之大部份步《通常與已 知製造矽晶片之半導體加工技術相當。每一晶Η每一供花 樣所用之光學器具係使用習知之霣臞輔肋設計技術。經拋 光之矽晶片（其在主要表面上具有{100}晶體平面以及其 他所欲性質）可在商場上購得*該經拋光之晶片先Κ一般 習知之淸洙技術（諸如RCA法）淸洗。可用習知之檷準技術 在晶片上形成一曆氧化物膜，亦可使用已知之化學蒸氣沉 積法在氧化物靥上沉積一靥氮化物餍。氮化物層可保嫌氣 化物層，Κ免為用Μ蝕刻矽之蝕刻劑所侵蝕。依光阻製造 商之說明，可使用習知之坊塗技術將光阻劑life用於晶片上 〇 首先使用具有所欲花樣影像之照相器具缠覆晶片以形成 所欲花樣，該花樣舆晶片晶«平面精確地對準。花樣之直 線部份與{110}晶艚平面對準。在光阻曝光及顏影之後· 剝脫未顯影之光阻Μ露出氮化物/氧化物臢靥部份。露出 之氮化物/氧化物膜最後蝕刻成所欲花樣負像之氮化物/ 氧化物膜。 (請先聞讀背面之注意事項界填寫本頁) r> •裝. 訂 丨線· -25- A7 B7 五、發明説明（23 ) 經濟部中央揉率肩萸工消费合作社印装 視所欲通道形狀，選擇各向同性或各向異性触刻嫌*藉 蝕去矽而在晶片之表面上形成通道。使用各向同性触刻01 触獲彎曲形狀，直鑲形狀則可視所欲截面形狀通道•遘用 任一種蝕刻劑。若欲獲得梯形截面，則使用各向異性触刻 劑。 若使用相同之触刻劑蝕刻給定晶片之二主要表面，則晶 片之二面可用光阻遮覆*將光阻K在每一表面上所欲花樣 曝光，同時於二表面進行顯影、洗滌，並進行氮化物/氧 化物蝕刻、若欲在晶片之每一面上使用不同類型之蝕刻麵 ，則在第一蝕刻劑之所有步《完成後，再為第二種触刻劑 重覆前用之步《。待所有蝕刻步》完成後，藉晶片霤射切 剌所形成之晶片製成垂直通道或通路，其一般使用脈衡式 钕-YAG雷射切割糸铳。S射切期I後•再洗滌晶片，除去切 割之殘屑。使用諸如沸鼸璘酸之《當溶劑*由晶片上除去 負像之殘餘氮化物曆•露出未受損之氧化物蘑。視》要將 剰餘氧化物層負像K癰當之溶莆（諸如嫌衡之氟化氬）由 晶片上除去•再使用上述之技術淸洗該晶片。 視層叠Η之性質使用適當之技術製成曆叠片外部姐之晶 片或板。由III 、IV或V族材料組成之外部曆叠片使用類 似於內部層叠片之触.刻、嫌磨Μ及拋光技術予K加工，而 由®矽酸鹽玻»或烺製氧化矽玻璃组成之外部曆叠片則使 用習知之玻璃切割、嫌酹以及拋光技術製造。 當所有之晶片作完個別之加工後，將内部组晶片精確對 準叠合，並以热熔法連结，為達成良好之連结，該等表面 (請先聞讀背面之注 ^--裝-- 項W填寫本頁) 訂 線 -26 - 320742 A7 B7 五、發明説明（24 ) 必須高度平滑，而且每一表面上之《化钧靥均不可受到損 害。由於矽在紅外光中有些透明*因此可使用紅外光攝影 顯微鏡，每一晶片上對準摞記，使得晶片在熔合之前能精 確地對準。若外部组》叠片由玻瑱姐成•則該層叠片可逐 一輿內層β片之熔合雇疊片姐作陽極接合。 以下實例說明DCDHS氣相光氯化成二氛（«甲基）甲基矽 烷（DCCMMS)之實驗裝置之評量。該DCDMS光反應係依热知 該技藝者常用之化學方法進行。該DCDMS光反應作用在商 乘上係於液相反應中進行。該反應之搡作可獲得炸蕖混合 物。因此安全考最為該反應之首要考量。 訂 線 該裝置由三片晶片姐成，具有10個高速混合器Κ及一條 螺旋形光反應器溝播（類似於》15之满權），該溝槽係触入 矽基質中，形成250撤米深、3奄米寬以及1900«米長之 螺旋溝槽（經由形成光室溝槽之各向同性蝕刻技術為之） 。通過實驗裝置之鼉降為5Psi 。使用精確之笛射鐶鑿Κ 在矽晶Η層間形成通路，醣後將各餍熱熔粘合•而鱺矽酸 鹽玻璃係烴陰極粘合連结至矽上，以形成光室之視窗。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 將實驗裝置夾於加熱板上，該板將裝置維持於100 0。 從入口處將每分鐘2.7克DCDHS和氛氣Ml:10其耳比導入 ，該裝置在DCD MS產..率98.6%下轉化氯氣7.6 %。檢視暘 露於反應物質之矽質表面，未發現受明顯之化學侵襄。 上述结果證明與習用方法比較下（相同之轉化百分比* 而在光反應器上之停留時間逭較習用方法為低）*具有危 險性之反應可安全地進行，且獲得相同之產率。 -27- 320742 A7 B7 五、發明説明（2 ) 改神內 修精之 種之圃 各圃範 作範利 點明專 優發請 之本申 示離明 教脫發 述未本 上並附 明改所 發修於 本類盖 將此涵 可知係 者察改 藝可修 技地類 此易此 知容 ， 熟很此 但因 -----------參------tr------0C 「 (請先閱讀背面之注意事項^填寫本頁) 經濟部中央揉準局男工消费合作社印褽

Claims (1)

  1. 第82105539Α01號專利申請案 中力·由諳惠刦筘圈钹TF太（85年8月） Α8 Β8 C8 D8 A 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印策 六、申請專利範圍 1. 一種化學品處理及製造用之積體结構，包括多片聯結在 一起之層疊片，該等層曼片中形成至少一個入口和至少 一個出口以接受和排放化學品，以及至少一條通經該等 層叠片而形成之三次元蜿蜒溝槽，其中該溝槽連接該入 口和出口，該溝槽的方位精確地定在相郧的層叠片之間 ，該溝槽沿著至少一層片係連續的，而且沿著該等叠片 之至少一β片係斷績的，再者該斷績的溝槽在相鄰的層 疊片間係連績對齊的，以便形成連續的通路，並姐態成 與一装置協同運作，以便執行至少一單元操作，該裝置 定位或產生所欲控制而對化學品加工。 2. 如申請專利範圍第1項之積體结構，其中該等層蠱片尚 包含選自週期表III 、IV和V族元素組成之非金靥物質 、陶瓷、玻璃、聚合物、複合物材料以及金臛。 3. 如申請專利範圍第2項之積體結構*其中該等層疊片尚 包含選自遇期表III 、IV和V族元素組成之物質。 4. 如申請專利範圍第3項之積體结構，其中該等層疊片尚 包含選自週期表IVA族之物質。 5. 如申請專利範圍第4項之積體结構，其中該等層叠片尚 包含選自矽和鍺之物質。 6. 如申請專利範圍第2項之積體结構，其中該等層疊片尚 包含選自包括碳化矽、藍寶石和氧化鋁之陶瓷。 7. 如申請專利範圍第1項之積體结構，其中該溝槽之截面 介於約10至約5 0 0 0毫米之間Α- 8. 如申請專利範圍第1項之積體结構，其中該施行至少一 請 先 W $1 之 注 意 事 項 再 奮 訂 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 六、申請專利範圍 器 制 控 度 溫 括 包 自 選 具 器 之 作 器 緣。 絕器 熱應 、 反 器化 合催 混及 、器 器應 制反 控學 間化 時電 留、 揲滯器 元品懕 單學反 涸化光 控 力 壓 分 器器 制離 器使 制合 控聯 度器 溫制 該控 中流 其熱 -個 構多 结或 體一 積及 之Μ 項器 8測 第偵 圍度 範溫 利個 專多 請或 申 一 。 如與用 9 器 制 控 流 熱 該 中 其 結 賴 積 之 項 9 第 圍 0 利 專 請 申 如 交 熱 之 觸 接 構 結 體 整 與 r 器。 熱具 電器 之之 s uub 接射 構輻 結送 體傳 整及 與以 括器 包換 器疊 制層 控該 流中 熱其 該， 中槽 其溝 , 曲 構彎 結元 II次 積三 之之 項中 9 片 第叠 圍層 範片 利多 專或 請 一 申於 如係 少 至。 與合 槽偶 溝熱 該作 而槽 , 溝 口曲 出彎 個元 一 次 少三 至之 和 口0Π 口學 入化 個工 1 加 少欲 至納 有容 具條 片一 器 制 控 力 壓 該 中 其 * ο 構置 结裝 體送 積泵 之及 項Μ 8 器 第節 圍調 範力 利壓 專括 請包 申自 如選 為 器 合 混 該 中 其 構 结 體 積 之 項 8 第 圍 範 利。 專器 請合 申混 如Τ- 蜿 為 器 合 混 該 中 其 構 结 積 之 項 8 第 圍。 範器 利合 専混 請徑 申路 如蜒 (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 為 器 合 混 該 中 其 構。 结用 賴併 積器 之合 項混 8 徑 第路 圍蜓 範蜿 利和 專器 請合 申混 如 Τ 將 器 緣 絕 ， 熱 法 該 方 中 之 其 構 ’ 結 構 體 结 積 賴一之 積 用 之 造 項 製 8 和 第 理 圍。處 範離學 利隔化 專片備 請叠製 申層種 如多 I 括 包 2 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 七、申請專利範圍 ⑶先將多片雇β片加工，使每一層fi片具有一頂部、 一底部Μ及所欲厚度，Μ在其中或其間形成所欲通道； 將層叠片叠合及連结在一起，精確地對準，該等層 叠片形成至少一個入口Μ及至少一個出口以接受和排放 化學品；而其中該等通道形成至少一條可容納欲加工化 學品之三次元彎曲溝槽，該溝槽連接至入口和出口 |且 之截面較佳為約10至約5000微米，其連接至人口及出口 且該等内部層叠片由選自能與該化學程序共容之物質姐 成；以及 ⑵將施行至少一個單元操作之一或多0器具装妥，進 行所欲之控制，以便將化學品加工。 4 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該等層叠片尚包含 選自包括週期表III 、IV和V族元素之物質、陶瓷、玻 璃、聚合物、複合物Κ及金屬。 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該等層fi片尚包含 選自包括碳化矽、藍寶石和氣化鋁之陶瓷。 2 0 .如申請專利範圍第17項之方法，其中該⑻加工步驟藉選 自包括減潰加工、添加加工K及形成加工之方法進行。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 21.如申請專利範圍第20項之方法*其中該減積加工選自包 括化學蝕刻、電化學裁削、放.電切削、雷射削磨、鑽割 、磨蝕K及單鍥石頭切割。- -3 - 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS) A4規格（210Χ：297公釐） 320742 Αδ Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 包形 包 在出片出溝少間装， 合 道合合合 _ 自光 自 结個*和該至片一品 聯 多混混缌 .，第 選印 選 聯 一層口 ，之叠與學 器 成T-徑流 具之 工石 法 片和等入間3C層成化 制 分{路物 器器 加體 方 多口該該之®的態理 控 品流蜒等 緣換 加立 成 括入經接片等鄰姐處 度 學物蜿該 絕交 添、 形 包個通連疊該相並來 溫；化對藉將 熱熱 該積 該 ，一條槽層著在，作 及度將成-再 |一 中澱 中 構少一 溝的沿槽路搡M溫次應}, 第第 其氣 其 结至少該鄰且溝通元 器之順對流合 經經 ，蒸 _ 體成至中相而的的單 熱制：之物混 通通 法學 法 積形及其在，鑛續列 電控合合合流 II 方化 方 之片 K, 定的斷連序 之欲混混匯物 物物 之、 之 用叠-槽地續該成一 觸所品欲成合 品品 項鍍 項。造層品溝確連者形由 接至學成集匯 學學 20電20製製等學蜒精係再便藉 構熱化形匯之.化化 第性 第锻及該化蜿位片，K便 結加將器流合 之之 圍擇 圍及理，放元方層的-以 體品驟合物混 合合 範選。範造處片排次的一 缜的， 整學步混對欲·，混混 利、接利薄品叠和三槽少斷齊作 與化下T-成該流經經 專成焊專、學層受之溝至係對運 由將以以該一物該該 請形及請製化之接成該著片績同：經，藉-將每一令令 申電K申模種起以形，沿叠連協括 s 用(b)流可將單 s(d) 如括成如括一 一口而 口槽一 係置包 使 物器器成 ---------^衣------訂------ (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 申請專利範圍 側，Μ (¾令 混合化 汁）將 二側， (Sj將 含一個 增加該 該物流 學品物 該經反 以降低 該冷卻 螺旋分 熱接觸 換流體 經混合化 通經具有 流K放熱 應後之化 該反應後 後之反應 離器之分 )，該分 流量控制 換器有 及熱交 度； 的將反應後之化學品 山將至少一道欲排出 Αδ Β8 C8 D8 學品物流之溫度； 光化輻射源之光反應器，使該經 反應之方式行光化學反應； 學品物流送經第一熱交換器之第 物流之溫度； 後物流送經第二熱絕緣器而至包 離機組中（該分離器與第二熱交 離器藉包含溫度偵測器、控制器 器等控制器具維持於欲控制之溫 物流分離成至少二道物流；以及 之物流經由至少一個出口排出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i Γ 經濟部中央梯準局男工消費合作社印褽 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4洗格（210X297公釐）
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