TW320585B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW320585B TW320585B TW085111784A TW85111784A TW320585B TW 320585 B TW320585 B TW 320585B TW 085111784 A TW085111784 A TW 085111784A TW 85111784 A TW85111784 A TW 85111784A TW 320585 B TW320585 B TW 320585B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- image
- optical system
- aforementioned
- processing
- light
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
- B23K26/0673—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into independently operating sub-beams, e.g. beam multiplexing to provide laser beams for several stations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
- B23K26/389—Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
- B23K2103/12—Copper or alloys thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 320585 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) »明所鼷夕抟術翎_ 本發明為有鼷利用配線基板等加工之雷射加工裝置者 〇 以注之雷射加工裝置僅有使用《擇將雷射光束聚光後 在光束的焦點位置上進行加工•或在雷射光束傅送路徑上 插入屏蔽(lask)並使該屏蔽的像鑲小成像於加工面上而以 預定的光束直徑進行加工之任一方式之加工機。 _27表示為多曆印刷基板之剖視。多饜印刷基板是 Μ樹脂使印刷基板絕緣而Μ多層簠叠所構成。要將某一層 與其他1的配媒部份(銅萡)¾接時·於基板上開設作為停 止孔之盲孔(blind viahole)lS)t穿孔的通孔(through Λ hole)而將孔的_面啤加金鼷霣鑲 > 鞴此連接臛間的配鑲 部份。盲孔及通孔的孔徑是由於霣子零件插装密度的高密 度化而形成更小之孔徑•在最近則必須形成直徑大約數百 W·的孔徑•且必須在一 Η基板中同時進行不同孔徑的加 工。而形成大約如上述之孔徑時•傅统的讚孔加工困雞而 必須使用S射加工。此外•«著印刷基板的多靨化而形成 必須在一 Η基板中闻時進行不同孔深的甯孔加工。 又,由於多曆印刷基板配繚之高密度化而同樣必須以 雷射光學進行切斷加工。 在Μ雷射光束准行微小孔加工時,必須將笛射光束聚 焦於該加工孔徑的大小•而其方法有以下之2種方法。H a»使S射光束聚黑之方法(Μ下稱聚光光學糸統)·及在 --------c裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
I 本紙浪尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210Χ 297公釐) 3 3 8 437 32G5S5 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 B7五、發明説明(4 ) 、 雷射光光程中(傅送路徑)設置屏蔽(lask)而拜透鏑使屏蔽 的像》小成像於加工面的方法(以下稱像轉射光學系铳)。 其次,說明聚光光學糸統及像轉射光學糸絞如下。 28表示習知之聚光光學系铳圓。聚光光學糸统是利 用透鏡將笛射光束聚焦後在雷射光束焦黏位置的附近加工 。此時,為了提高雷射光束的聚光性,有使用除去_29所 示笛射光束像差成份之空間濾波器(spacial filter)之情 形。 _28中* 1為笛射振邇器、2為雷射光束、5為聚光光 學糸統、6為XY工作台、7為被加工物、8為反射鏑、9為HC 裝置。將5之聚光光學系统表示於匪29。II中,51為《鏡 、52為特空間波器、53為聚光透鏞。空間濾波器52係將透 鏡51的聚焦位置•即光束放置於傅里Μ變換(Fourier transfor·)的位置上。特殊濾波器52係可除去光束之像差 成份而提高光束的聚光性能•例如詳佃說明於Walter Koechner, "Sol id- State Laser Engineering" .Springer-Verlag,1992,pp.174-180之中。 其次•說明其動作如下。 從雷射振»器1發出的雷射光束是利用逋鑪51傅里葉 變捵於空間濾波器52上•空間濾波器52僅雷射光束之空間 頻率的低頻率成份可穿透。而藉著空間濾波器52除去像差 成份的光束是利用聚光鳙53聚光於被加工物7的面上。 在HC装置9的記憧裝置上記馕有複數龌加工條件•即 笛射输出等的條件•而可選揮對應被加工物7的材«、板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 裝·
、1T h 本紙张尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4规格(210X 297公釐) 4 3 8 4 3 7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印袈 A7 ΒΊ 五、發明説明(5 ) 厚、加工形狀等最遍當條件*並據Μ控制振搬器1 、ΧΥ工 作台6等。 _30是表示習知像轉射光學糸統圈。在雷射光束的傅 送路徑上設置屏蔽Uask),以透_將屏蔽的銷孔(pin hole)像缩小成像於加工面上*鞴屏蔽在加工面上獲得規 定直徑的雷射光束。 圈30中· 1為笛射振》器、2為雷射光束、3為像縛射 光學糸統、6為XY工作台、7為被加工物、8為反射鏡、9為 NC装置。將3之像轉射光學糸统表示於圈31中。31為透嫌 、32為屏蔽、33為透嫌。屏蔽32輿透鏡33與被加工物7的 位置闞係是以某一倍率使屏蔽的像成像被加工物7上的位 置闢偽是以某一倍率使屏蔽的像成像被加工物7上的位置 Μ係。針對上述之成像為例如在K.Iizuka,” Engineering Optics ".Springer-Verlag,1985,pp.145-164 中有詳细的 說明。 其次,說明’其動作如下。 從雷射振盪器1發出的雷射光束是藉著入射於像轉射 光學系统3之透《31聚光而照射在屏蔽32上。該聚光偽照 射於小直徑之屏蔽而可降低其能量損失者。透遴屏蔽32的 光束是從«鏡33以某一鏞小倍率使_蔽的像成像於被加工 物7面上。 在NC装置9之記憶裝置上記愐有複数加工條件•即 雷射_出等的條件·可理擇對應被加工物7的材質、板厚 、加工形成之最應當條件而據以控W振撤器1、XY工作台 本紙悵尺度適用f國國家梯準(CNS ) A4规格(210X 297公釐) 5 38437 --------------------IT------^.i- (請先閲讀背面之注意事項再填窍本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6 ) :: 6等。 又在像_射光學系絞中準備複數個不間的屏蘐賴此使 被加工物7上光束直徑發生變化*而要使被加工物7上之光 束直徑變化時則交換屏蔽。 Μ雷射光束進行»小加工時之里要#數為最小臨界孔 徑R及最大歯界孔深DOF 。最小臨界孔徑R與最大臨界孔深 DO Ρ偽形成如下式。
R = k 1 X λ x F D0F = k2 x λ x (ΡΛ2) 在此.F = D/f。 D為透鏡有效直涇、f為透縝之焦點距離、λ為雷射光的波 長、Icl、k2為被加工物7的材質及笛射光束的狀戆•即可 «像差的量或撗式Uode)等決定其值等。以聚光光畢系统 及像轉射光學系統比較kl、k2之值時形成如下。但是設定 該等為相同之被加工物7的材霣•且具有枏同之光束狀態 者。 kl(聚光光學系統)> kl (像轉射光學系统) k2(聚光光學系統)> k2(像轉射光學糸統) 亦即, R(聚光光學系统)>R(像轉射光學系统) D0M聚光光學系統)>D0F(像轉射光畢系统) 在加工中·像轉射光學系統比聚光光學系統可進行較 小的孔徑加工,而可加工之孔的深度則像轉射光學系铳較 聚光光學糸統淺。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
,1T 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) A4現格(210 X 297公釐) 6 3 8 4 3 7 經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印製 3dG585 A7 B7 五、發明説明(7 ) _32是表示針對具有孔加工材質之聚光光學糸統及像 轉射光學系統的可加工領域。 因此,孔《小的加工是Μ具儋像轉射光學系統之霤射 加工機來進行,而孔深之深切加工則是利用具備聚光光學 系統的雷射加工機加以進行。又,多《印_基板的切斷加 工是由於對焦黏深度較深之光束的的需求度較重於加工面 之小光束直徑的需要度,因此在切*加工係Μ具》聚光光 學糸统之雷射加工«加Κ進行。 由上述•為有效利用一多雇印刷基板的加工埋績進行 切斷加工*及不同孔徑或孔深之貫穿孔加工或盲孔加工時 * 一台可切換聚光光學糸統及像轉射糸絞的笛射加工櫬是 不可或缺者。 利用多曆印刷基板之笛射光束的加工中•為了提高產 量不僅必須移動ΧΥ工作台*並利用驗«反射鏑( galvano*i「ro「)同時移勦光束而達到加工的高速化。鼸33 偽表示使用驗《反射鏑之霤射加工裝置。 _33中》1為笛射振1器、2為酋射光束、19為像轉射 光學糸統、6為XY工作台、7為被加工物、8為反射鏑、9為 NC裝置。將19之像縛射光學系統表示於圈34。31為通嫌 、32為屏蔽、3β為fefi嫌、37為驗《反射鏑。屏蔽32及 «鳙36及被加工物7間的位置闢係為將光束從驗霣反射鏡 37相對於「0透鏡36朝正下方降下時,以某一倍率使屏蔽 像願像於被加工物7上的位置Μ係。 其次,說明其動作如下。 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 7 38437 (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明(8 ) 從雷射振通器1發出的雷射光束入射至像轉射光學糸 铳19中。入射於像轉射光學糸統19的光束為了照射屏蔽 32而輅透鏑31聚光。該聚光由於是照射小直徑的屏蔽因 此能源的損失較少。透過屏蔽32的光束是利用驗電反射鏡 37引導至轉射用之fS透鏞36上· »f0透鏡36K某一倍率 使編小的屏蔽像顯像於被加工物7面上。驗霣反射縯37可 將光束誘導至f Θ «鏡的任意位置·其结果,在被加工物 7上可«驗霣反射鏡37M光束挿描僅f0透》36的大小領域 悬。 在NC装置9上記憶装置中記憶有複歟髑加工條件•即 雷射_出等的條件,可對應被加工物7的材質、板厚、加 工形狀選擇最«當的條件,並據以控制振盪器1、XY工作 台6、驗霣反射饞37等。 雷射振邋器之輪出在額定輪出附近是圼安定吠態•但 是低输出時舍使變動暢度增大而形成不安定狀戆。孔加工 中*在一孔加工上1使用歟饀脈銜因此笛射輪出之差異值 對於加工結果的差異會造成S大的影響。 «明所欲_決夕制》 由於習知笛射加工裝置構成如上述而會存在有Μ下之 諸問颺。 --------- 僅具備聚光光學系统之雷射加工裝置與僅具有像轉射 光學糸絞之笛射加工裝置比較時具有較大之最小臨界加工 孔S ·因此不能進行小孔徑之加工。另一方面•僅具谢》 轉射光學系統的雷射加工裝置與僅具備聚光光學系妹之雷 本紙沬尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 3 8 4 3 7 C -裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作杜印裝 A7 B7五、發明説明(9 ) 射加工裝置比較時只具較淺的孔徑加工深度*因此不能進 行如深孔之通孔或盲孔等的加工。且於切斷加工時,一旦 形成較厚之印刷基板板厚時•在加工面上必須Μ具有焦點 深度較深之光束,因此僅具備像轉射光學糸絞的雷射加工 裝置則無法進行加工。 又,像轉射光學系统在變化被加工物7上的光束直徑 時必須使屏蔽31變化。因此•舍降低因交換屏蔽時間時的 生產性。並且即使準備數種不同孔徑的屏蔽•仍不能對應 連缅變化之孔徑加工。 從驗«反射鏡37使光束相對於透鏡36正下方下降 時,與斜向下方比較時•如鼷35所示之屏蔽32與ίθ透鏡 36之間的距雛有著L1-L0的不同。其结果•從驗霣反射嫌 37使光束相對於f0透銕36斜向下方下降時,會使加工均 7上的屏蔽32的像棋期而不能進行良好的加工。 在變動幅度大之低鑰出領域中會造成加工结果差異的 加大。 本發明是為解決上述問路所研創者,其目的為獲得可 進行具有多種多樣的通孔或盲孔之配鑲基板的加工輿切断 加工之笛射加工裝置者。 解決册鼷夕方浃 本發明之笛射加工裝置係具備:具有插入於霤射振慂 器與被加工物間的光程中之屏蔽及使該屏蔽的像縮小成像 於加工面之S期的像_射光學糸統;聚光光學系統:選擇 前述像轉射光學糸铳及前述聚光光學糸統中任一糸铳之選 (請先閲讀背面之注意事項再填荈本頁)
A 丨裝· 訂 本紙悵尺度迻用中國國家揲準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 9 3 8 4 37 A7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印^ B7五、發明説明(1〇) ^ 擇裝置;控制前述讎轉射光學糸統及前述聚光光學糸絞及 前述選擇裝置之HC裝置;而對應於加工孔徑輿孔深選擇前 述像轉射系铳與聚光光學糸統中之任一系統者。 又·本發明係具備:具有插入於笛射振邇器與被加工 物間之光程中的屏敲及使该屏蔽的像缩小成像於加工面之 透鏑的像轉射光學系统;聚光光學糸眩:選擇前述像轉射 光學系统及前述聚光光學系械中任一系统之S擇裝置;控 制前逑像轉射光學系铳及前述聚光光學糸統及前述選揮装 置之NC裝置;而對«於纘孔成楢加工及外形切割加工等加 工内容薄擇前述像轉射糸統與聚光光學系統中之任一糸統 者0 又·本發明係具備:具有插入於酋射振鹽器輿被加工 物間光程中之可改變位置之屏蔽及具有使該屏蔽的像縮小 成»於加工面之可改變曲率之鏡的像縛射光學系統•及控 制該像轉射光學系絞之NC装置•而對應於孔徑而控制前述 曲率可變之鏡及前述屏蔽的位置。 又,本發明係具備:具有插入笛射振盪器與被加工物 間光程中之位置可變之屏蔽及具有使該屏蔽的像缩小成像 於加工面之曲率可變之鏑的像轉射光學系統、聚光光學系 統、選揮前迷儺轉射光學系統與荊述聚光光學系統中任一 糸統之«擇装置、控制前述像轉射光學糸統與前述聚光光 學糸统及前述《揮装置之NC裝置•而對應於孔徑而控制前 述曲率可變績及前迷屏蔽的位置。 又*本發明係具具有插入笛射振»器與被加工物 本紙浪尺度遑用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------C"* I 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Γ 線 A7 經濟部中夬標準局員工消费合作杜印裝 B7五、發明説明(η) 1 間光程中之屏蔽及使該屏蔽的像縮小成像於加工面之曲率 可變之嫡及加工面與前述曲率可變之績之間距離變化之可 變裝置的像轉射光學糸统*及控制該像轉射光學系铳之HC 装置•而對懕其孔徑控制前述曲率可變鏡的曲率·及前述 加工面與前述曲率可變嫌之間的距離。 又·本發明係具備:具有插入雷射振盪器與被加工物 間光程中之屏蔽及使該賻蔽的像鑌小成像於加工面之曲率 可變鏡的像轉射光學系統、聚光光學系统、選擇前述像轉 射光學系妹與前述聚光光學糸统中任一糸统之選擇裝置、 控制前述像轉射光學糸統與前述聚光光學糸铳及前述選擇 裝置之NC裝置,在港揮前述像轉射光學系铳時,可對應孔 徑而控制前述曲率可變鎮的曲率,及前述加工面與前述曲 率可變鏡之間的距離。 又*本發明係具谢:具有插入雷射振盪器與被加工物 間光程中之位置可變之屏蔽及使該屏敲的像縮小成像於加 工面之曲宰可變之鑲的«縛射光學系统•及控制前述像轉 射光學系統之HC裝置•使笛射光束Μ —斜角入射至透鏑時 •可對應於入射角控制前述屏蔽的位置而修正孔徑。 本發明係具備:具有插入雪射振還器輿被加工物間光 程中之位置可變屏蔽及使該屏蔽的像繡小成像於加工面之 通鐃的像轉射光學糸铳、聚光光學糸铳、選擇前迷像轉射 光學系統與前述聚光光學系統中任一系統之龌揮裝置、控 制前述像轉射光學系統與前述聚光光學系铳及前迷《攆裝 置之HC裝置*當缠擇前迷儺轉射光學系统時,使雷射光束 本紙悵尺度適用中國國家橾隼(〇^)/\4規格(210>< 297公釐) (请先閱讀背面之注意事項再填荈本1) —裝_ 訂 320585 A7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 B7五、發明説明(12) 以一斜角入射至前述透鏡時NC裝置,使笛射光束κ 一斜角 入射於透鏞時•對應入射角控制前述屏蔽的位置而可播此 修正孔徑者。 本發明偽具備:具有插入雷射振盪器輿被加工物間光 程中之屏蔽及使該屏蔽的像缩小成像於加工面的透鏡之像 轉射光學糸統•及控制該像轉射光學系統之HC裝置,使前 述屏蔽的雷射光束入射側之雷射光束直搜變化拜Μ調節通 過前述屏蔽的能量,而可調節加工面上的能量。 本發明係具備:具有插入雷射振通器與被加工物間光 程中之屏蔽及使該屏蔽的像縮小成像於加工面的透《之像 轉射光學糸铳、聚光光學系统、選擇前述像轉射光學系統 輿前述聚光光學糸統中任一糸统之堪擇裝置、控制前述像 轉射光學糸統與前述聚光光學系統及前述選揮裝置之NC裝 置,當薄擇前述像轉射光學糸統時,使前述屏蔽之雷射光 束入射側的笛射光束直徑變化》以調節通過前述屏蔽的眭 量,而可調節加工面上之能量者。 餌明夕奮啪形16 鸾觖形魄1 以下說明本發明之第1實豳肜戆。裝置構成為如_1所 示。1為笛射振盪器、2為雷射光束、3為像轉射光學糸統 、5為聚光光學系統、6為)(Υ工作台、7為被加工物、8為反 射鏑、9為NC装置、10為附有可將笛射光束分射像轉射光 學系統3戎聚光光學系統5任一方而可作為選擇装置之》勛 装置1 1之鏑面。 1 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1Τ " 本紙张尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ4規格(210 X 297公釐) 3 8 4 3 7 A7 B7 五、發明説明(i 3) 3之像轉射光學糸統與臞31相同。5之聚光光學系統則 與圈2 9相同。 其次說明其動作如下。NC裝置9之記懂裝置中記憶有 複數個加工條件,即笛射_出等的條件•可依據對應被加 工物7的材質,及孔徑戎孔的深度而«擇最遘當之加工條 件。並對應孔徑及孔深選擇像轉射光學糸统或聚光光學糸 统中癰於加工之一方而預先記憶於MC裝置9的記憶裝置中 ,操作貝將材質*及孔徑或孔深鑰入NC裝置9中時•可藉 NC装置9使反射鏞10動作而自動將光束分射於像轉射光學 (請先閲讀背面之注意事項再填荈本頁) 裝. 又 ο 示 所 2 B 如 為 程 流 之 時 。 此 行 。 進 上換 統切 条動 學手 光 Μ 光可 聚亦 或貝 統作 糸 搡 糸 學 光 射 轉 像 對 針 圓 於 示 表 例 之 域 領 用 及其 絞 。 使 其 料 材 之 別 分 铳 糸 學 光 光 聚 同 不 所 有 而 料 材 因 會 结 •1Τ 0 奮 射 1 射 分態轉 束形儺 光豳使 射實可 笛之間 使铳之 於系物 對一工 相任加 统被 系與 學器 光邋 光振 聚射 戎笛 統在 糸為 學態 光肜 射豳 轉實 像本 於 丨 任 中 統 糸 學 光 光 聚 或 統 系 學 光 S4 經濟部中央標準局負工消資合作杜印裝 者 卸 装 由 白 上 程 光 從 統 系 示 、 所统 3 i _ .糸 學 為射 成轉 構像 置為 裝 3 其 、 束 光 物 Η 加 被 為 7 5 器統0 糸 振學 射光 笛光 為聚 1為 射 雷 為 2 Η Υ X 為 6 為 9 置 裝 對學 相 光 為射 3 轉 1像 、使 由 白 可 而 、 程 鳞光 射 W 反間 為物 8 Η 、 加 被 與 器 0 振 、 射 台雷 作於 裝 勛 _ 的 置 裝 擇 龌 之 雌 脫 統 系1 任 5 統 系 學 光 光 聚 戎 3 統 本紙伕尺度適用中國國家標準(CMS )八4規格(210X 297公釐) 13 3 8 4 3 7 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 3 8 4 3 7 A7 B7 五、發明説明(ι〇 ; 3之像轉射光學系统是與圈31相同。5的聚光光學糸統 則與鼸2 9相同。 其次說明其動作如下。NC裝置9之記憧装置中記憶有 複數個加工條件·即霤射輪出等的條件•可根據對應被加 工物7的材質•及孔徑或孔的深度而選擇最砉當加工條件 。並對應孔徑及孔深選擇像轉射光學糸统或聚光光學糸統 中適於加工之一方而預先記憶於HC裝置9之記慊裝置中* 操作貝將材質•及孔徑或孔深_入《(:装置9中時•可藉NC 裝置9使驅觔裝置13動作而自動將像轉射光學系统3或聚光 光學糸統5的任一系統裝著於雷射振盪器與被加工物之間 。此時之滾程係如圔4所示。又*操作貝亦可藉手動進行 上述之裝卸者。 奮觖形贿3 装置構成係輿_1相同。 其次說明其》作如下。NC裝置9之記憧裝置中記憶有 複數個加工條件,其可根據對應被加工物7的材霣*反孔 徑或孔深及孔加工或切断加工之加工内容而遘揮最適當的 條件。並對應該加工内容選擇像轉射光學系统或聚光光學 糸統中適於之加工條件而預先記憶於HC裝置9之記憶装置 中 > 搡作貝將加工方法輸入NC装置9中時,可《NC装置9使 反射鑌10動作自動將光束分射於像轉射光學系統或聚光光 畢糸統。此時之流程為黼5所示。又•搡作8亦可以手動 切捵進行。 奮豳形豔4 1 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- -9
S.V 經濟部中央標準局员工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(15) 相對於使笛射光束分射為像轉射光學糸統或聚光光學 糸統任一系統之實豳形態3 *本實腌肜態為在霤射振盪器 與被加工物之間可使像轉射光學糸铳或聚光光學糸铳中任 一系統從光程上自由装卸者。 裝置構成係與圈3相間。 其次說明其動作如下。NC裝置9之記憶裝置中記惕有 複數個加工條件·即留射鑰出等的條件•可根據對應之被 加工物7的材質•及孔徑或孔深及孔加工或切跚加工選擇 最遘當加工條件。並對應該加工闪容選擇像轉射光畢糸» 戎聚光光學糸铳中適於加工的一系絞而預先記憶在HC裝置 9的記憶裝置中•當搡作員將材霣,及孔徑或孔深輸入NC 裝置9中時,可藉HC裝置9使_動裝置13動作而自動將像轉 射光學系統3或聚光光學系統5任一糸统裝著於®射振盪器 與被加工物之間。此時之流程為如_6所示。又·搡作貝 亦可«手動進行上述之裝卸。 啻觖形糖5 在習知例之像轉射光學系統中•籣單表示使屏蔽32與 轉射《鏡33間的距離dl、轉射进鏡33與被加工物7之間的 距離d2、轉射«鏡焦距f、屏蔽32的像成像時之倍率Μ的關 係如下。 [1 / d 1 ] > [ 1 / d 2 ] = 1 / f , Μ = [ d 2 ] / [ d 1 ] 於此•如M曲率可變之反射鏡替代轉射透鏡時可變化 其焦距•其结果可使倍率(4變化。曲率可變之反射鏑係如
Special issue of the J.0pt..Soc.Ai.63[March 1977]¾¾ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)~~ 15 38437 (請先閲讀背面之注意事項再填葙本頁) -裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) /V»規格(210X297公釐) 3 8 437 A7 B7 五、發明説明(ΐβ) J.W.Hardy, "Active Optics : A Hew technology for the control of light, ”Proc.IEEE66,6 5 1 -697[June 1978]中 所詳述。 装置構成係如團7所示。1為雷射振盪器、2為雷射光 束、16為像轉射光學系統、6為XY工作台、7為被加工物、 8為反射鏑、9為HC裝置。16之像轉射光學糸統係表示於圔 8之中。31為透鏡、34是利用匾動裝置14可改變位置之屏 蔽、35為可變曲率之反射鏡。位置可變屏蔽34與曲率可變 反射鏡35與被加工物7的位置闞係是Μ某一倍率使屏蔽的 像成像於被加工物7上的位置Μ係。 其次*說明其動作如下。由[2]式可獲得· f = d2/ [M>1] , M = d2/dl [3] 以小的倍車M,即為了使被加工物7上的光束直徑較小 時,由於d2[曲率可變反射鏡35與被加工物7之間的距鑲 ]為一定值|因此設dl為[位置可變屏蔽3 4與曲率可變反射 鏑35之間的距雕]較大值並設定小倍率Μ,調節曲率可變反 射嫌35的曲率使其形成相當於其倍車Μ之焦距f。因此•操 作貝一旦將孔搜輸入HC装置時,決定曲率可變反射》35之 焦距及屏蔽34的位置而動作形成可對應孔棰之倍率。此時 的流程係如 9所示。 _形戆6 裝置構成為如圔1〇所示。丨為笛射振«器、2為雷射光 束、16為像轉射光學糸铳、5為聚光光學糸統、6為XY工作 台、7為被加工物、8為反射縝、9為NC裝置、13為可將像 16 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、-· A7 320585 B7 五、發明説明(17) 轉射光學糸統3或聚光光學糸统5任一糸統相對於笛射振盪 器與被加工物間的光程而可自由裝卸之驅動裝置。 16之像轉射光學系铳與團8相同。5之聚光光學糸铳則 輿圔2 9相同。 其次說明其動作如下。NC裝置9之記憶装置中記憧有 複數個加工條件·即雷射輸出等的條件,可根據對應被加 工物7的材霣、孔徑戎孔深及孔加工戎切《加工内容而遘 擇最遘當之加工條件。並對應該加工内容及孔徑或孔深等 選擇像轉射光學系统戎聚光光學糸統中適於加工之一系铳 而預先記憶於H C装置9之記憶装置中•當操作貝將加工方 法及孔徑戎孔深等_入1<(:裝置9中時•可》NC装置9使_動 裝置13動作而自動將像轉射光學糸統16或聚光光學糸統 5之任一系统裝著在笛射振»器與被加工物之間。並且在 使光束分射於像轉射光學糸统16時·可決定形成對應孔徑 倍率之曲率可變反射鏡35的焦距及屏蔽34的位置而動作。 此時之流程係表現於画11。 奮_形觴7 装置構成為如圈12所示。1為雷射振盪器、2為雷射光 束、17為像轉射光學系统、6為XY工作台、7為被加工物、 8為反射鏡、9為NC裝置。像轉射光學系铳17可藉W勘裝置 15使位置改變•且像轉射光學系統17與被加工物7之間的 距離亦為可變者。 17之像轉射光學糸统係丧示於圈U。31為透鏡、32為 屏蔽、35為曲率可變之反射縯。屏蔽32與曲率可變反射鏡 17 --------Γ -裝------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 3 8 4 3 7 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 3 8 437 Α7 Β7 五、發明説明(18) 35與被加工物7的位置闞係是以某一倍率使屏蔽的像成像 於被加工物7上的位置W係。 其次,說明其動作如下。由式[2]可獾得, f = dl X Μ/ [1, M = d2/dl 設小倍率M*即設定小的被加工物7上之光束直徑時* 由於dl (屏蔽32與曲率可變反射鏡之間的距離)為一定值· 因此可使d2(曲率可變反射嫌35與被加工物7之間的距離 )為一小值而獲得小的倍率Μ *賴此可調節曲率可變反射鏡 35的曲率而形成相當於其倍率Μ之焦距f。 因此·當搡作員將孔徑輪入NC装置中時•可決定形成 對應孔徑倍率之曲率可變反射鏑35的焦钜及像轉射光學糸 絞17與被加工物7之間的距難而動作。此時之潦程係表現 於 _ 14。 奮麻形豔8 装置構成為如鼷15所示。1為笛射振盪器、2為笛射光 束、17為像轉射光學糸統、5為聚光光學系統、6為XY工作 台、7為被加工物、8為反射鏑、9為NC裝置、13為可將像 轉射光學系統3或聚光光學糸統5任一系統相對於雷射振盪 器與被加工物間的光程而可自由裝卸之驅動裝置。像轉射 光學系統17係可藉驅動裝置15形成位置可變者•而嫌轉射 光學系统17與被加工物7之間的距雛亦為可變者。 17之像轉射光學糸統輿圈〗3相同。5之聚光光學糸統 則與_ ‘2 9相同。 其次說明其動作如下。NC装置9之紀慊裝置中K懂有 18 --------裝------訂------^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(19) 複數《加工晓件,即笛射輸出等的條件,可根據對應被加 工物7的材質、孔徑或孔深及孔加工或切蹰加工内容而S 揮最遘當之加工條件。並對應該加工内容及孔徑或孔深等 選擇像轉射光學系統或聚光光學系統中遘於加工之一糸統 而預先記憶於NC裝置9之記憶裝置中,畨操作員將加工方 法及孔徑或孔深等輸入HC装置9時•可箱HC装置9使謳動裝 置U動作而自動將像轉射光學糸統17戎聚光光學糸统5之 任一糸統裝著於雷射振盪器與被加工物之間。並且在裝著 像轉射光學系统17時 > 可決定形成對應孔徑倍率之曲率可 變反射鏑35的焦距及像轉射光學糸統17及被加工物7之間 的距雛而動作。此時之流程偽表現於圖16。 啻淪形噍fl 裝置構成係如_丨7所示。1為笛射振«器、2為笛射光 束、18為像轉射光學糸铳、6為XY工作台、7為被加工物、 8為反射鏡、9為HC裝置、18之像轉射光學系统係表示於Μ 18中。31為透鏑、34為利用腿動装置14使位置為可變之屏 蔽、36為轉射用遇嫌、37為酴霣反射_。位置可變屏 蔽34輿通鏑34與被加工物7的位置Μ係是將光束從期霣反 射鏡3 7降下至fe透鏡之正下方時,以某一倍率使屏蔽的 像成像於被加工物7上的位置鼷偽。 其次說明其勒作如F。將光束從驗霣反射鑌3 7 F降至 f Θ通鏡3 6的正下方輿斜向下方時•可藉N C裝置9自動控制 形成一定之屏喊34與卩Θ 8S鏑36間光程的畏度。此時之流 埕是表琨於IM6。 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ~ ~~~ 19 3 〇 4 〇 7 ^ ,裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填荈本f )
*1T ί 级 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 本紙張尺度逡用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 3 8 4 3 7 A7 B7 五、發明説明(20 ) 謇_形«Μ 0 裝置構成為如鼸20所示。1為雷射振邇器、2為笛射光 束、18為像轉射光學糸絞、5為聚光光學糸统、6為XY工作 台、7為被加工物、8為反射鏑、9為M C裝置、13為可將像 轉射光學糸統18或聚光光學系統5任一糸统相對於笛射振 1器與被加工物間的光程而可自由裝卸之驅動裝置。 18之像轉射光學系铳與_18相同。5之聚光光學系统 則輿國2 9相同。 其次說明其動作如下。NC裝置9之記憶裝置中記憧有 複败個加工條件,即笛射_出等的條件,可根據對應被加 工物7的材質、孔徑戎孔深及孔加工成切斷加工之加工内 容而堪擇最壤當的加工條件。並對應該加工内容及孔徑或 孔深等選揮像轉射光學条铳戎聚光光學系統中適於加工之 一糸統而預先記憶於NC裝置9之記憶装置中•凿播作貝將 加工方法及孔徑戎孔深等_入NC裝置9時,可賴NC裝置9使 釀動装置13動作而自動將像轉射光學系統18或聚光光學 糸铳5之任一糸統裝著於笛射振徽器與被加工物之間。並 且在裝者像轉射光學糸統18時•使光束從驗霣反射鏑37下 降至ίθ透鑲36之正下方與斜向下方時,可ISNC裝置9自動 控制屏蔽34的位置而使屏蔽34及卩0进鏑36間形成一定之 距離•即使以驗霣反射«37掃描光束時亦不致在被加工物 7上肜成横襴之屏蔽34的像,即可形成一足的孔徑。此時 之流程係表示於_ 21。 富_形雔1 1 2 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、1Τ 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五 '發明説明(21) 装置構成為如_22所示。1為雷射振邐器、2為笛射光 束、19為像轉射光學系統、6為XY工作台、7為被加工物、 8為反射鏑、9為NC裝置。 19之像轉射光學系铳表示於圖23 。38是藉_動装置 12而可變位置之透鏡、32為屏敲、33為透鏑。屏蔽32與透 鏡33與被加工物7的位置Μ係是某一倍率使屏蔽的像成像 於被加工物7上的位置鼷儀。 其次*說明其動作如下。可使位置可變透鐃沿著光袖 移動及變化屏蔽之光束人射俩之光束直徑而改變通過屏蔽 之光束的能量。例如在屏蔽上開設一直徑為的銷孔( pin hole)而Μ直徑2·*的光束照射屏蔽的銷孔時·能源之 穿透率為25¾ 。光束直徑為3··時能董之穿透率為11* 。 如上述•當位置可變«鏡38沿著光紬移勛時可調節加工面 上笛射的輸出。 HC裝置9之記憶裝置中記憶有*数個加工條件•即雷 射_出等的條件,可根據對應被加工物7的材«、孔徑或 孔深遘擇最適當之加工條件。並對«該笛射輸出《NC裝置 9使位置可變«鏡38沿著光蛐移動。旦位置可變透鏑38的 移動是Μ手勦進行。此時之一實豳例之流程是表示於鬮24 〇 譬胞形魄1 2 裝置構成為如_25所示。丨為笛射振«器、2為笛射光 束、19為像轉射光學系統、5為聚光光學糸統、6為ΧΥ工作 台、7為被加工物、8為反射鏡、9為N C裝董、13為可將像 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210X297公釐) ~ 7777^ I 1 3 〇 4 7 -------—裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填荈本頁) 、1Τ 線 五、發明説明(22) A7 B7 0 振 射 -ΜΘ 於 對 相 方 - 任 5 統 糸 學 光 光 聚 或 9 11 統 學 光 射 轉 置 装 動 18 之 卸 裝 由 白 可 而 程 光 的 間 物Η 加 被 輿 器 像 之 同 相 3 2 _ 與 統 糸 學 光 射 轉 相 9 2 圈 與 則 統 糸 學 光 光 聚 之 同 下 如 作 動 其 明 說 次 其 有 憶 記 中 置 装 憶 記 之 9 置 裝 加内 或之將 被 工徑工 Μ 應加孔加作 對之 及於搡 據工容壤當 根加 内中, 可斷 工統中 . 切加系 置 件戒該學裝 條工 應光愤 的加對光記 等孔 並聚之 出及。或 9 輸 深件统 置 射孔條 系装 笛或 工學NC 即徑加 光於 , 孔的射憶 件、當 轉記 條質適 像先 工材最擇預 加的擇 遵而 個 7 選等统 數 物而深 系 複工 容孔一 使 9 置 装 C Ν0 可 時 9 置 裝 C Ν 入 输 等 深 孔 戎 徑 孔 及 法 方Η 加 系 學 光 光 聚 或 9 H 统 糸 學 光 射 轉 像 將 動 § 而 作 動 3 置 装 動 鼷 且 並 ο 間 之 物Η 加 被 與 器 盪 振 射 笛 於 著 裝 統 系1 任 之 5 统 裝 C Η 藉 而 出 輸 之 射 笛 應 對 可 時 9 il 統 糸 學 光 射 轉 像 著 裝 在 銳 透 變 可 置 位 且 Ο 動 移 袖 光 著 沿 8 3 鏡 通 變 可 置 位 使 9 置 6 2 圔 如 偽 程 流 之 時 此 ο 之 行 進 動 手Μ 可 亦 貝 作 搡 為 動 移 的 示 所 ^ I -- (請先閱讀背面之注意事項再填荈本頁) -59 f 經濟部中央橾準局貝工消资合作社印袈 粜 效 明0 0 效 之 載 記 所 F Μ 成 達 可 而 成 構 之 述 上 於 由 明 發 本 微 更 行 進 可 統 糸 學 光 光 聚 較 統 系 學 光 射 轉 像 於 由 據 根 進 眭 更 統 學 光 射 轉0 較 則 統 糸 學 光 光 « 而Η 加 的 孔 光 光 聚 及 統 系 學 光 射 轉 像 用 兼 明 發 本 此 因Η 加 之 孔 深 行 束 光 的 度 深 。 黏 域 焦 領之 工 切 加深 之可 深要 孔須 S: 時 徑 _ 孔 切 大板 擴基 此線 輔配 可在 而 , 統又 系 學 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 3 8 4 3 7 A7 B7 五、發明説明(23) -,因此從聚光光學系铳較像_射光學系統可獲得較深焦點 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 學 鱗上 面形像徑間 及變止所光 更的被被元被 光 連面 物工成直時 雛纜防時上 統狀與變單因 光 可物 工加與束的 距連可化面 糸形統改每止 聚 而工 加等置光須 的徑此變物 學工系缅以防 與 化加 被徑位的所 間直因束工 光加學連是可 铳。赛被 在孔蔽上時 物束,光加 光等光而統而 糸 Η 的短 統 Η 屏面化 工光用上被 聚搜射化¾位 學加距鎺 系加ii物變 加上作面化 較孔轉變學傾 光孔焦以 學可可工徑 被面元物變 統 Η 像的光的 射與之可 光大 ,加直 輿物單工短 糸加鳝距射 W 轉工縝且 光擴中被束 統工每加縮 學可可焦轉光 像加射 , 聚可統變光 糸加以被此 光大 ,鏡it之 用斷 反徑。較 而系 改之 學被 是因轉 射擴 中射 a 蔽 兼切像直間統 ·學續上 光使統止可 _ 可統 反並屏 知之成束時系 徑光連 面 射可 系防並 像而系 像 ,止 獲度與光的學直射可物 轉 ,學 可。 。上 ,學成«防 可密置的要光束轉而工 像時光而化間面徑光與直可 , 精位上 須射光 像化加 變 距射位 劣時物 直射 離束此 點高蔽面所轉的在變被 改焦轉偏的的 工束轉距光因 乙行屏物化像小並的使 當的像的度須加光is的的 , 束進使工變.更。距短 ,鏡於輸精所在的在間上用 光可,加徑外得圍焦缩 者射由光工時,小並之面作 之時又被直此獲範鏑可 再反且之加徑又得。物物位 度統 化束 能的射並 像 ,蔽成直 獲_ 工工單 深糸 變光 上吠反 ,。 成化屏造束 能範加加為 --------C -裝------訂------^级 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 23 3 8 4 3 7 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(24) 加工物面上光束變化時所造成加工精度的劣化。並可賴此 鏞短變化被加工物面上光束直徑時所領的時間。 又,在像轉射光學糸统中,由於可變之屏蔽位置而可 防止使用驗轚反射鏡及ίθ透鏡時加工精度的劣化。 又,像轉射光學糸統較聚光光學系铳更能在被加工面 上獲得小的光束直徑,因此可擴大可加工之孔徑等加工形 吠的範圍。且於像轉射光學糸統中,由於可變之屏蔽位置 而可藉此防止使用驗電反射箱及透鏑時加工精度之劣 化。 此外,像轉射光學糸統中.笛射振盪器的動作在播定 之額定_出附近的狀慇下,於加工面上獲得播定之低输出 而形成可高精度加工者。 再者,由於兼用像轉射光學系統及聚光光學系統而擴 大可加工之孔徑及孔深的領域,且於像轉射光學系絞中, 笛射振徽器的動作在穩定之額定輸出附近的狀態下,可於 加工面上獲得穩定之低输出而形成高精度之加工者。 謹忒夕CT ffl說明 H1為本發明第1及第2實豳肜態之笛射加工櫬之構 成_。 _2為本發明第1實拖肜戆之控制方法之流程_。 繭3為本發明第2實胞肜戆之雷射加工機之構成Η。 Η4為本發明第2實豳形戆之控制方法之浼程 _5為本發明第3實胞形戆之控制方法之流程1Β。 _6 4本發明第4實豳肜戆之倥糾方法之潦程圏。 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210ΧΜ7公釐) ~ ΓΤΤΤ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 '1Τ 320585 A7 B7 經濟部中央橾隼局貝工消費合作社印策 五、發明説明( 25 ) 圈 7為 本 發 明 第 5 實 m 形 態 之 雷 射 加 工 櫬 之 m 成 圔 〇 圖 8為 本 發 明 第 5 及 第 6 實 胞 形 m 之 像 轉 射 光 學 % 统 之 構 成 圔° 圏 9為 本 發 明 第 5 竇 形 態 之 控 制 方 法 之 流 程 画 〇 讕 10為 本 發 明 第 6 霣 陁 形 態 之 雷 射 加 工 櫬 之 構 成 圈 0 圈 1 1為 本 發 明 第 6 實 施 形 m 之 控 制 方 法 之 滾 程 H 0 _ 1 2為 本 發 明 第 7 實 拖 形 態 之 笛 射 加 工 懺 之 構 成 豳 0 圏 1 3為本發明第7及第8 實拖形態之像轉射光學糸統 之 構 成 钃° Η 1 4為 本 發 明 第 7 實 胞 形 態 之 控 制 方 法 之 潦 程 鬮 〇 ia 1 5為 本 發 明 第 8 實 施 形 m 之 雷 射 加 工 櫬 之 構 成 _ 〇 画 16為 本 發 明 第 8 霣 m 形 戆 之 控 制 方 法 之 流 程 鬮 0 圖 1 7為 本 發 明 第 9 實 胞 形 態 之 雷 射 加 工 機 之 構 成 圔 0 m 18為 本 發 明 第 9 及 第 1 0 實 胞 形 態 之 像 轉 射 光 學 糸 統 之 構 成 圔。 圖 19為 本 發 明 第 9 實 胞 形 態 之 控 制 方 法 之 m 程 圖 0 圖 20為 本 發 明 第 1 0實 施 形 態 之 雷 射 加 工 機 之 構 成 m 0 m 2 1為 本 發 明 第 10實 胞 形 戆 之 控 制 方 法 之 敬 程 園 0 圈 22為 本 發 明 第 1 I實 拖 形 m 之 笛 射 加 工 機 之 構 成 黼 0 m 23為 本 發 明 第 1 1及 第 12 實 豳 肜 態 之 慊 轉 射 光 學 糸 統 之 構 成 讕。 m 24為 本 發 明 第 1 1實 胞 肜 態 之 控 制 Η 法 之 程 _ 0 m 2 5為 本 發 明 第 1 2實 豳 形 態 之 雷 射 加 工 櫬 之 構 成 _ 0 钃 2 6為 本 發 明 第 1 2實 豳 肜 態 之 倥 制 Η 法 之 流 程 _ 〇 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) Λ4規格(21 OX 297公釐) A7 B7 五、發明説明(μ) H27為多曆印刷基板之剖視曬。 鼸28為習知笛射加工櫬之構成圏。 圖29為習知聚光光學糸統之構成函。 圈30為習知雷射加工機之構成。 國31為習知像轉射光學系統之構成圖。 鼷32為某材質之聚光光學糸铳反像轉射光學糸統之可 加工領域。 _33為習知笛射加工橢之構成鬮。 圔34為使用習知霣流縝之像轉射光學系統之構成鼷。 圔3 5為表示使用習知霣流嫌與透銳時光程畏度之 僱位圃。 ---------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 符賊說明 1 雷射振1器 3 像轉射光學系铳 6 XY工作台 8 反射鏑 7 9 雷射光束 聚光光學系統 被加工物 *11 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 0246813 5 11111333 * 5 射 _ 動像轉縝射率霣鏑光 反驅 _ 影像透轉曲驗通« 統 系統 學条 光學 置置射光 鏞装裝轉射 鏡 射 嫌反鏞 射變射 篇 反可反 δ 統統 系系 蔽 學學 屏 置置置光光 變 装装装射射 可 動動動轉轉蔽置 Hillli像像屏位 1 3 5 7 9 2 4 1 1 1 n 1 3 3 鏡 透 鏡 进器 變波 可 Λ 童間 位空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公t ) 26 3 8 4 3 7
Claims (1)
- 8 8 8 8 abcd 320585 經濟部中央榡準局属工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 | 1 . 一 種 雷 射 加 工 裝 置 係 具 谢 : 具 有 插 入 笛 射 振 盥 器 與 1 I 被 加 X 物 間 之 光 程 中 的 屏 蔽 及 使 該 屏 蔽 的 像 縮 小 成 像 1 1 於 加 工 面 的 m 縯 之 像 轉 射 光 學 % 铳 ; 聚 光 光 學 % 統 > ^—> 1 1 請 1 1 可 m 擇 前 述 像 轉 射 光 學 糸 統 與 前 述 聚 光 光 學 系 統 任 一 先 閲 1 I 1 I 系 統 之 選 擇 裝 置 ; 及 控 制 前 述 像 轉 射 光 學 系 統 與 ^ j. 刖 背 fj 1 | 之 1 述 聚 光 光 學 系 铳 與 前 述 m 擇 % 统 之 NC裝 置 : 而 對 應 於 意 1 事 1 加 工 孔 徑 與 孔 深 選 擇 前 述 像 轉 射 光 學 系 統 及 前 述 聚 光 項 再 1 一 填 光 學 系 铳 之 任 一 糸 统 為 特 徽 者 0 % 裝 頁 1 2 ·— 棰 m 射 加 工 裝 置 係 具 備 具 有 插 入 茵 射 振 灌 器 與 1 被 加 X 物 間 之 光 程 屮 的 屏 蔽 及 使 該 屏 蔽 的 像 縮 小 成 像 1 1 於 加 工 面 的 透 鏡 之 像 轉 射 光 學 系 統 聚 光 光 學 .系 统 1 I 1 可 選 擇 前 述 像 轉 射 光 學 % 統 與 前 述 聚 光 光 學 系 統 任 一 訂 I 糸 統 之 m 擇 裝 置 及 控 制 刖 述 像 轉 射 光 學 糸 統 與 前 1 1 述 聚 光 光 學 系 統 與 前 述 選 擇 糸 统 之 NC 装 置 而 對 應 1 1 1 鑽 孔 與 槽 加 工 及 外 形 切 m 加 I 等 的 加 工 内 容 而 m 擇 前 1 I, 線 述 像 轉 射 光 學 系 統 及 前 述 聚 光 光 學 糸 統 之 任 —— % 统 Ά 1 特 激 者 0 1 1 3 ,— 種 雷 射 加 工 裝 t 係 具 備 ; 具 有 插 入 笛 射 振 激 器 與 1 1 被 加 工 物 間 之 光 程 屮 的 位 Μ 可 變 屏 蔽 及 使 該 屏 蔽 的 像 1 I 縮 小 成 像 於 加 工 面 的 曲 率 6J m 反 射 鏑 之 像 轉 射 光 學 系. I 1 | 铳 及 控 制 該 像 轉 射 光 學 % 統 之 NC装 置 而 對 應 於 孔 1 1 徑 控 制 前 述 曲 率 可 變 射 銕 之 曲 率 a 前 述 m m 位 置 1 1 特 微 者 〇 1 1 4 * 一 禰 笛 射 加 I 裝 置 係 具 備 » 具 有 插 入 雷 射 抿 通 器 與 1 1 本紙張尺度適用中國國家#準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 27 3 8 4 3 7 A8 B8 C8 D8 經濟部t央揉率局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 I 被 加 工 物 間 之 光 程 中 的 位 置 可 變 屏 蔽 及 使 該 屏 m 的 像 1 1 m 小 成 像 於 加 工 面 的 曲 率 可 變 反 射 鏡 之 像 轉 射 光 學 % 1 1 統 • • 聚 光 光 學 % 絞 • m 擇 前 述 像 轉 射 光 學 % 统 與 前 述 1 | 聚 光 光 學 糸 铳 任 一 % 統 之 m 擇 裝 置 ; 及 » 控 制 前 述 像 請 閲 背 1 1 m 射 光 學 系 统 與 前 述 聚 光 光 學 糸 統 與 前 述 選 揮 系 统 之 1 1 NC裝置 當 凿 擇 前 述 像 光 學 糸 统 時 對 麽 於 孔 徑 控 m ί 事 項 再 填 寫 本 1 1 I 前 〇 述 曲 率 可 變 反 射 鏡 的 曲 率 及 前 述 屏 蔽 位 置 為 特 激 者 1, 裝 I 5 * 一 種 雷 射 加 工 装 置 係 具 拥 : 具 有 插 入 笛 射 振 盪 器 與 頁 '—^ 1 1 被 加 工 物 間 之 光 程 中 的 屏 蔽 及 使 該 U 蔽 的 像 縮 小 成 像 1 I 於 加 工 面 的 曲 率 可 變 反 射 鏡 及 可 使 加 工 面 與 刖 述 曲 率 1 I 可 變 反 射 m 間 距 離 變 化 的 可 變 裝 置 所 構 成 之 像 轉 射 光 1 訂 1 學 系 統 孔 徑 控 制 前 述 曲 率 可 變 反 射 鏑 及 刖 述 加 工 1 1 t 面 與 荊 述 曲 率 及 控 制 該 像 轉 射 光 學 系 统 之 NC装 置 : 而 1 1 對 應 於 孔 徑 控 m 可 變 反 射 鏑 之 曲 率 及 前 迷 加 工 面 與 1 卜 前 述 曲 率 可 變 反 射 鏑 間 之 距 離 為 持 激 者 〇 線 1 6 . 一 種 霤 射 加 I 裝 置 係 具 谢 • 具 有 插 入 雷 射 振 盪 器 與 1 I 被 加 工 物 間 之 光 程 中 的 屏 蔽 及 使 該 m 蔽 的 像 縮 小 成 像 1 1 I 於 加 工 面 的 曲 率 可 變 反 射 鏡 之 像 轉 射 光 學 系 統 聚 光 I 1 光 學 統 * 可 m 擇 前 述 m 像 轉 射 光 學 % 铳 與 前 述 聚 光 1 1 光 學 統 任 一 系 統 之 m 揮 裝 置 > 控 m -mJL, 刖 述 倣 轉 射 1 1 光 學 系 統 與 前 述 聚 光 光 學 % 統 輿 前 迷 擇 糸 統 之 HC裝 1 1 置 : 當 發 揮 前 述 m 光 學 % 統 時 , 對 應 於 孔 徑 控 制 前 迷 1 1 曲 率 可 變 反 射 m 的 曲 率 » 及 前 述 加 工 面 與 前 述 曲 率 "I 1 1 1 28 本紙伕尺度逋用中困國家橾準(CNS ) A4洗格(210 X 297公釐) TWTTT A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 … 變反射鏡之間的距離為特激者。 7. —棰雷射加工装置,係具備:具有插入雷射振置器與 像 的 蔽 屏 該 使 及 蔽 屏 變 可 置 位 的 中 程 光 之 間 物Η 加 被 糸 學 光 射 轉 像 之 鑌 射 反 變 可 率 曲 的 面Η 加 於 像 成 小0 鏡 透 於 對 相 當 置 装 C Ν 之 統 糸 學 光 射 轉 像 該 制 控 及 統 制 控 藉 而 角 射 入 於 應 對 時 射 入 束 光 射 雷 使 角 斜1Μ 修置 而裝 置工 位加 蔽射 屛笛 迷種 前 一 8 者 微 特 為 播 孔 其 正 與 器 锻 振 射 笛 入 插 有 具 備 具 係 像 的» 該 使 及00 變 可 置 位 的 中 程 光 之 間 物Η 加 被 光 光 聚 統 糸 學 光 射 轉 像 之 鏡m 的 面Η 加 於 像 成 小 鑲 統 糸 學 任 統 糸 學學 光光 光射 聚轉 述像 前述 與 前 統制 系控 學 , 光及 射 ., 轉置 像裝 述擇 前 選 擇之 選統 可糸 : 而 置角 裝射 HC人 之 於 統磨 糸 對 擇 ’ 選時 述統 前 糸 與學 统光 糸 射 學轉 光學 光光 聚像 述述 前 前 與擇 統選 糸 雷 者 徹 特 為 徑 孔 其 £ 修 置 位 蔽 屏 述r 制 控 輻 與 器 盪 振 射 笛 入 插 有 具0 具 係 置 裝Η 加 射 笛 種1 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -f -裝· -1T 經濟部十央櫺準局男工消費合作社印«- 像 成、 編 像 的Μ 0 . 該統 使糸 及學 蔽光 屏射 的轉 屮像 程之 光銳 之透 間的 物面 工 Η 加 加 被於 射 轉 像 該 制 控 及 Nf徑之 之直上 統束面 糸光工 學射加 光雷節 侧 調 射並 入 · 束 Μ 光能 射的 笛蔽 之 屏 蔽述 屏 前 述過 前通 賴節 可 調 : 化 置變 装的 者 激 特 為 t 胩 統 糸 學 光 光 聚 統 糸 學 光 具屏射 偽的轉 , 中 像 Μ 程之 裝光縝 工之 通 加間的 射物面 笛 工工 械加加 一 被於 與像 器成 醴小 振編 射像 留的 入蔽 插W 有該 具使 : 及 備M 本紙張尺度逍用十國國家揉準(CNS ) A4洗格(210 X 297公釐) 29 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 可堪擇前述像轉射光學系統與前述聚光光學系铳任一 前前光陡 輿擇射的 統遴雷蔽 糸當之屏 學:蔽述 光置«前 射裝述過。 IIHC前通者 像之 縈節微 述铳 可調特 前系 其化為 制擇,變 S 控選 時的能 , 述 統徑之 及前 系 直上 .,與 學束面 置統光光工 裝系 射射加 擇學轉笛節 S 光學側調 之光 光射並 統聚像 入, 糸述 述束量 -------^ ' 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 本紙張尺度逍用中國國家棵準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 3 8 4 3 7
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10269096A JP3473268B2 (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW320585B true TW320585B (zh) | 1997-11-21 |
Family
ID=14334255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085111784A TW320585B (zh) | 1996-04-24 | 1996-09-26 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5933218A (zh) |
JP (1) | JP3473268B2 (zh) |
KR (1) | KR100231716B1 (zh) |
CN (2) | CN1195603C (zh) |
HK (1) | HK1056522A1 (zh) |
TW (1) | TW320585B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9415461B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Aberration-correcting method, laser processing method using said aberration-correcting method, laser irradiation method using said aberration-correction method, aberration-correction device and aberration-correcting program |
TWI606880B (zh) * | 2012-09-13 | 2017-12-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Optical modulation control method, control program, control device, and laser light irradiation device |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11207477A (ja) | 1998-01-26 | 1999-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | きさげ加工装置およびきさげ加工方法 |
DE10045973A1 (de) * | 2000-09-16 | 2002-04-04 | Bosch Gmbh Robert | Optische Vorrichtung zum Bohren mittels Laserstrahl |
JP4134503B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2008-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 回路形成基板の製造方法 |
US20040173942A1 (en) * | 2001-05-11 | 2004-09-09 | Nobutaka Kobayashi | Method and device for laser beam machining of laminated material |
US6951627B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of drilling holes with precision laser micromachining |
TWI221102B (en) * | 2002-08-30 | 2004-09-21 | Sumitomo Heavy Industries | Laser material processing method and processing device |
US20050155956A1 (en) | 2002-08-30 | 2005-07-21 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Laser processing method and processing device |
US7880117B2 (en) | 2002-12-24 | 2011-02-01 | Panasonic Corporation | Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams |
DE102004013886A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
US7633034B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
US7687740B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
US7923306B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-04-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
US7629234B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
US8148211B2 (en) * | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
US8383982B2 (en) * | 2004-06-18 | 2013-02-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
US7935941B2 (en) * | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
US7435927B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
KR100598521B1 (ko) | 2005-04-07 | 2006-07-10 | 현대자동차주식회사 | 레이저빔을 이용한 용접장치 |
JP2006344697A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Sharp Corp | 多層配線板及びその製造方法 |
US7970487B2 (en) * | 2006-11-30 | 2011-06-28 | National Optronics, Inc. | Method of calibrating an ophthalmic processing device, machine programmed therefor, and computer program |
KR101010770B1 (ko) * | 2008-10-06 | 2011-01-25 | 배응준 | 패터닝 및 마킹 기능 복합 레이저 장치 및 이를 구비한 복합 레이저 장비 |
EP2204468B1 (en) * | 2009-01-06 | 2012-10-17 | Solmates B.V. | Device for projecting an image on a surface and device for moving said image |
DE102011000768B4 (de) * | 2011-02-16 | 2016-08-18 | Ewag Ag | Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung |
CN103477512B (zh) * | 2011-04-08 | 2015-07-01 | 三菱电机株式会社 | 固体激光装置 |
CN103381522A (zh) * | 2012-05-02 | 2013-11-06 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 激光网点加工的光学系统 |
CN105033457B (zh) * | 2015-08-03 | 2017-07-21 | 东莞市德瑞精密设备有限公司 | 电池模组激光分时焊接机 |
CN105278553B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-09-21 | 华中科技大学 | 一种双控制器同步轮廓控制方法 |
JP7152426B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2022-10-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工システム |
CN113210856B (zh) * | 2021-04-22 | 2022-07-19 | 广东工业大学 | Pcb短波长脉冲激光钻孔方法及相关钻孔装置 |
CN114185121A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-15 | 四川橙科通信技术研究院有限责任公司 | 一种高效率制作光栅的双工位飞秒激光系统 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
JPS643664A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Laser beam marking device |
US5105075A (en) * | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JP3336649B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びその露光方法を含むデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス |
JP2720744B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機 |
JPH06218565A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JP3235078B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP3395280B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2003-04-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5486895A (en) * | 1994-04-22 | 1996-01-23 | Eastman Kodak Company | Optical system for printing normal and panoramic images |
JP3162254B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2001-04-25 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工装置 |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP10269096A patent/JP3473268B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-26 TW TW085111784A patent/TW320585B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-11-05 US US08/740,956 patent/US5933218A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-12 KR KR1019960053389A patent/KR100231716B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-13 CN CNB021268843A patent/CN1195603C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-13 CN CN96121009A patent/CN1104302C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-05 HK HK03108879A patent/HK1056522A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9415461B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Aberration-correcting method, laser processing method using said aberration-correcting method, laser irradiation method using said aberration-correction method, aberration-correction device and aberration-correcting program |
US9488831B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-11-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Aberration-correcting method, laser processing method using said aberration-correcting method, laser irradiation method using said aberration-correcting method, aberration-correcting device and aberration-correcting program |
US10324285B2 (en) | 2008-09-01 | 2019-06-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Aberration-correction method, laser processing method using said aberration-correcting method, laser irradiation method using said aberration-correcting method, aberration-correcting device and aberration-correcting program |
TWI606880B (zh) * | 2012-09-13 | 2017-12-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Optical modulation control method, control program, control device, and laser light irradiation device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1163177A (zh) | 1997-10-29 |
CN1104302C (zh) | 2003-04-02 |
US5933218A (en) | 1999-08-03 |
CN1195603C (zh) | 2005-04-06 |
JPH09293946A (ja) | 1997-11-11 |
CN1425531A (zh) | 2003-06-25 |
JP3473268B2 (ja) | 2003-12-02 |
KR100231716B1 (ko) | 1999-11-15 |
KR970069226A (ko) | 1997-11-07 |
HK1056522A1 (en) | 2004-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW320585B (zh) | ||
DE3752388T2 (de) | Verkleinerndes Projektionsbelichtungssystem des Reflexionstyps für Röntgenstrahlung | |
KR100439126B1 (ko) | 세라믹 그린 시트의 처리 방법 및 그에 이용되는 레이저빔 장치 | |
CN101278375B (zh) | 基板处理方法、光掩膜的制造方法及光掩膜、以及元件制造方法 | |
JP4174267B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JPS63185023A (ja) | 露光装置 | |
KR100269244B1 (ko) | 복굴절 물질로 만들어진 투과형 광학부품을 사용한 리소그래피장비용 광학계의 초점심도 확장 방법 및 장치 | |
JP2005177788A (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH11254171A (ja) | 配線基板加工用レーザ加工装置 | |
JP5241129B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
EP1451629B1 (en) | Homogenizer | |
JP2003181673A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP3057110B2 (ja) | レーザー加工用マスク照射装置 | |
JP2004066322A (ja) | レーザ加工方法とその加工装置および生産設備 | |
CN203076787U (zh) | 激光直接成像加工装置 | |
JPH07147218A (ja) | 3次元結像システムおよび方法 | |
JP3175005B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2020037131A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
US5163005A (en) | Method of cloning printed wiring boards | |
JP2020062657A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JPH03210410A (ja) | ピングリッドアレイ検査装置 | |
JP2005118814A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP4177730B2 (ja) | レーザ加工方法及び装置 | |
JP2002001566A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP3180806B2 (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |