TW307921B - - Google Patents

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經濟部中央樣準局員工消費合作社印11 307921五、發明説明（1 ) [發明背景] [發明所屬之技術領域] 本發明係有關半導禮裝置及其製造方法，具髄而言，即 具有半導鱧基板表面上所形成的擴散層與柵電極所直接連 接的里#點（buried contact)的半導體镟,g方+今 法0 [先前技術] 一般靜態RAM(以下簡稱SRAM)的等償電路如圈14所示 ’其以一對驅動M0S電晶髄Τι、T2，其中各以一端的源/ 漏極各與另一方的柵極交又相連點»並將另一對 M0S電晶雜T3、T4的源/漏極與此兩連接點^^及（：2相連 〇 上述SRAM的構造則如圖15所示，在圈15中，其在活性 區域40a的連接點C^fMOS電晶醺T3 —端的源/漏極區域 ，係由構成驅動MOS電晶體Τ2的閘電極47b、及構成直接 連接的水泥結晶接點。 關於這種結構的半導鳢裝置之製造方法，將如圖16〜圈 20之説明，又圖16〜圖20圖係以圖15中所示的A〜線截 面圈》 首先，如圈16所示之：在矽基板41上形成LOCOS氧化 率42而規定爲活性區域40a、4 0b，然後在矽基板41上全 面形成閘絕緣膜43，再在此矽基板41上全面形成膜厚約 500A的多矽晶膜44，此多矽晶膜44稱爲遮軍多晶矽，它 將爲後工程除去連接部開口所使用之保護膜時，因蘭絕緣 -4 - A7 ΒΊ (請先閲讀背面之·ϊί意事項再填寫本頁) Γ 裝· 訂 練 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉Α4規格（210X297公釐〉 307921 A7 B7 五、發明説明（2 ) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印家 膜受污染而導致閘絕緣膜的可靠性及耐壓能力低劣的防止 效果。 接著’如圖17所示之在多矽晶朧44上全面以保護膜塗層 ’此保護膜係以光蝕工程所要形狀而形成之抗蝕圖樣46， 再以此抗蚀爲遮軍對多矽晶膜44加以鈾刻，然後將 保護膜多矽晶膜44爲遮軍對閘絕緣膜43蝕刻， 以形區域45 ’以在梦基板4〖的表面露 出。 又如圖18所示：在露出的矽基板41上爲除去自然氧化膜 (圈中無顯示）而實行溼蝕刻（Wet Etching) 3接著在形成 多梦晶膜44及水泥結晶接點c丨區域45的矽基板41上以閘 電極材料而形成多矽晶膜47，此多矽晶膜47係經通常的擴 散爐以POCI3與〇2作磷的不純物的擴散β此多梦晶旗44及 多梦晶旗4 催化後，將使不純物透過多矽晶 膜47擴散^部，而形成N +擴散層48。 然後如圈:在多矽晶膜47上全面塗伟抗飪膜，此 抗蝕膜係以光备法·工程依所要形狀而濺射形成抗蝕圖樣49。 接著如圖20所示：以此抗蝕圖樣49爲遮軍對多矽晶膜47 及多矽晶旗44依所要的形狀而形成閉電極47a、47b。另 外在水泥結晶接點C !部爲使多矽晶膜47直接與矽基板4 1 锋觸，使多矽晶膜47在圖樣成形時，將，使矽基板41部份有 過蝕刻，而使在N +擴散層48内部份形成溝50。其後再以 閘電極47a、47b爲遮軍而形成源/ 域(.圆中無麵示）， 以上述的工程中，在

爲使連接阻 本.紙乐尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央捸準局貝工消費合作社印製 A7 ____ B7 五、發明説明（3 ) 抗盡量減小，故在佈線時盡量加大基板輿閘電極的接觸面 積。也即如圖21所示：加大水泥結晶接點(^使閘電極47b 的端部可以在該區域内配置。如此對沒有覆蓋LOCOS氧 化膜的活性區域40a，將如顯示圖21中的B-B，線截面圖的 圖22及顯示圖21中的C-C'線截面明的圖23，其爲形成閘 電極47b的多晶梦膜的圈型（paternjng)時，以過鞋刻 (Over Etching)而形成溝50，此溝50的深度，基本上因 與遮軍矽的多晶矽膜44的厚度同一程度以上的深度，而無 法防止β 而爲防止這樣的溝的形成，如特開平4-219975號公報及 特開平4-313239號公報都有記載新刺作的方法。 其中特開平4-313239號公報中提出：因溝部的折線，爲 防止連接阻抗的加大，而對溝的底部注入不純的物質之控 制不純物的注入角度的方法》 又特開平4-219975號公報對上述之遮軍梦的多晶矽膜以 比多晶矽更細密的非晶質矽所形成，因增加遮軍矽多晶矽 的蚀刻耐性’而可發揮更佳的遮軍效過果，因遮軍矽晶矽 的薄膜化使得此溝可止於最小的限値。 然像特開平4-313239號公報從溝的底部注入不純物的方 法需以複雜的工程’同時在溝内的蚀刻容易發生損傷，一 蟑爲形成LDD型構造的電晶髏因擴散層，的離子濃度採以低 濃度’因此無法獲得相當的阻抗，另一方面，當形成高濃 度擴散層的場合，因閘電極形侧壁襯整，使溝埋入侧.壁襯 墊’因此無法很輕易的從溝的底部注入不純物質。 -6 - 本紙伕尺度適用中國國家標孪（CNS ) Α4規格（210X2^^1 -- (請先聞請背面之注意事項再填窍本頁) Τ -裝 丁 --4 線 SQ7921 at B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（4) 上述的溝50，若其深度比擴散層還深的話，將使源/漏 極分解，同時，即使沒有斷裂，但因在閘電極圈型分界處 將使擴散層受損’或是因擴散層變薄使擴散層含有水泥結 晶接點C〗部的阻抗增大。例如高阻抗型SRAM的場合中， 當其阻抗達Κ Ω時，即將產生不良的動作，而等開平4 -2199*75號公報所揭示之遮軍矽的薄膜化雖可減短此溝的 深度，但實際上已形成〇.〇5〜Ο.Ι/um程度深的溝，因此不 可能完全防止溝的發生。 具體的説明將如下所述；LOCOS氧化膜肩部的平坦部 約爲閘電極實際膜厚的20%，也即若瀾電極朧厚爲3500 A 時，則LOCOS氧化膜肩部約爲7〇〇A。又以此膜厚作爲遮 軍梦晶的膜厚，例如加上4 0 0 A，則0 · 11 # m。因此當以 閘電極材料作途型而爲閘電極加工時，其在平坦部需作 0·11 A m以上的過蝕刻，而爲於擴散層的接舍深度若爲 0.2~0.3"m時，則僅挖者，其阻抗即爲6倍。 另一方面，爲因應電晶體高速化的要求，擴散層的接合 深度就得盡量減短，具體來説，對於0.6只m製程技術的 LSI ’其擴散層的接合深度約爲0^2# m的程度；0.35# m製程者，其擴散層的接合深度在〇.ι〇μΠ1以下。因此光 以遮軍矽晶的薄膜化對此是不足夠的β •同時爲使不致有溝的產生，而以掩埋接點Ci的開口比閘 電極更小的作法’但是對於接點c !的開口比閘電極更小的 場合中，如圈24、及以D-D'線截面的圈25所示之：在水 泥結晶接點C !部若自多矽晶膜4 7到矽基板4 1所注入之不 -7 - (請先W讀背面之注意事項再填寫本I)

T -裝 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X2911公藶） 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝

AT _一____B7 _ 五、發明説明（5 ) 純物將無法很平順的擴散，且形成多矽晶艉471>後所注入 的離子而形成源/漏區域5 1及48無法連結，以致產生偏移 區域R的問題。 [圖式之簡單説明] 圖1爲本發明中半導禮裝置的掩埋接黠部構成概略平面 圖。. 圖2爲囷1中Χ·Χ·線概略截面圈。 圖3〜圖6爲説明圖1半導踫.裝置之製造工程之概略平面圈 〇 圖7〜圖10爲説明本發明中半導髗裝置之另一製造工程之 概略截面圖》 囷11本發明中半導髖裝置之另一實施例之重要部位概略 平面圈。 圖12本發明中半導體裝置之另二實施例之重要部位概略 平面圖。 圓13本發明中半導鳢裝置之另三實施例之重要部位概略 平面圖。 圈14 一般SRAM之等價電路画β 圈15爲圈14之SRAM重要部位概略平面國。 圖16〜圖20爲說明圈15之半導體裝藏的製造工程對a_a， 槔之概略截面圖。 圈2 1爲前半導體裝置之另一實施例之之重要部位概略截 面圖。 圈22爲圈21中B-B·線之概略截面圖。 -8 · 本紙浪尺度適用中國國家標準（CN’S ) A4規格（2丨0 X 公慶〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- ·νβ 經濟部中央橾準扃員工消费合作社印製 SC7021 at _______B7 "" ^............. 五、發明説明（6 ) 圖23爲鬮21中C-CV線之概略截面躏。 圖24爲先前半導髓裝置之另二實施例之之重要部位概略 截面圖》 圈25爲圖24中D-D'線之概略截面圖。 [適切之具體説明] 本發明之半導體裝置’需至少具有一對電.晶雅，該乘晶 禮各在其活性區域内至少形成閘絕.緣膜、閘電極及擴散層 。在本發明之半導饉裝置中，所使用的半導鱧基板雖沒有 作特別的限定，然以矽基板較爲適當。其活性區域則规定 以LOCOS氧化膜爲元件分離區域所形成者a而在活性區 域（擴教層）上所形成的閘絕綠膜雖也沒有作特別的限定， 然以膜厚70〜15 0A程度的SiO較爲適當；至於閘電極則以 多矽晶等單層膜、及多矽晶與作爲電極材料所使用的矽化 物、及這些與梦化物與多梦晶组合的聚梦化物所形成的積 層膜。此時的膜厚可針對板導嫌的裝置加以調節β又擴散 層任意爲Ν型或Ρ型的導電型，此Ν型或Ρ型可注入濃度lx 1〇19~1 X 1021 i〇ns/cm3程度的不純度離予，或是與高濃 度的多梦晶接觸的熱處理所擴散形成，於此並沒有特別限 定的方法。 其中一個電晶礅的活性區域上之閘絕緣膜形成開口部。 此開？部與相鄰的電晶體的閘電極直接，接觸而形成水泥結 晶接點’其開口部的形狀並無特別限定，其以正方形或長 方形等之四角形等，其四角形中至少有一個角、或至少有 一個邊加以凸出或陷入或予缺角而形成一個多角形，或是 -9 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦)

T 裝 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 形成各種不同的形狀。又此開口部的大小應以可夜蓋活性 區域（擴散層）的程度較佳，但爲考慮與獷散層及閘電極的 接觸面積之接觸阻抗，則需作適當的調整。 在本發明之半導體裝置，係在一個電晶髏的擴散層上， 經由所形成的開口部，而可與另一個電晶體的閘電極的端 物連接的構造，此時閘電極的端部在擴散層上至少一個地 方使與開口部的外週緣部交又。只要滿足g條件，其交 叉的個數及位置並沒有作特別的限定》 在本發明的閘電極，在上述開口部以外 的區域備有作爲其下層的閘絕緣膜形之用 的遮軍矽晶膜》 根據本發明之製造方法的工租（i)中的活性羅域、閘絕緣 膜及碎膜可依一般習知的方法來形成，其中珍膜可利用多 梦晶膜或非晶質梦以—般習知的方法，如CVD法等形成膜 厚約200〜500A的程度’如此所形成的梦膜，可依—般習 知的方法，如光蝕法及蝕刻工程，在所要的匯域形成有開 口部的遮軍矽晶膜的佈線圖樣。 在工程（ii)則以該遮軍矽晶膜爲遮軍，以一般習知的蝕 刻方法；如氟酸等的溼飪刻或CH4、CHF3等乾蝕刻，使 閉絕緣膜自半導體基板上露出以形成開口部； •在工程（iii)中的第1擴散層的形成及多矽晶膜的積層， 可以同時進行，也可依序完成，亦即（1)從該開口部以所 要的濃度’如注入1〜3 X l〇l5cm-2程度的不純物離子使之 擴散以形成第1擴散層，並在包括上述開口部的遮罩矽晶 10 - 本紙ft尺度適财國@家觯（CNS) Α4·_ (21();< 297公4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 S07921 A7 B? 五、發明説明（8 ) ^ 膜上依一般習知的方法形成多矽晶膜之後，（2)或是在形 成之中，也可使不純物依所要的濃度擴散在多矽晶膜中， 且在對此多矽晶膜擴散的同時，將不純物自多矽晶膜經過 開口部到半導體基板而形成第1擴散層，（3)在包括開口部 的遮軍梦晶膜上以一般習知的方法形成多矽晶膜之後，或 是在形成之中，也可使不純物依所要的濃度擴散在多矽晶 膜；在此多梦晶膜的形成之後，也可如以8〇〇〜900 °C，經 10〜120分鐘的熱處理’使自多矽晶膜經開口部到半導體 基板而形成第1擴教層。 在工程（iv)中將如上述；其形成的閘電極的端部在擴散 層上至少一個地方使與開口部的外周緣部交叉，以一般習 知的方法作遮罩矽晶膜及多矽晶膜的佈線圖樣以形成閘電 極。如此可形成與第1擴散層直接接觸的閘電極β 在工程（V)中再以閘電極作遮罩並注入如濃度ι~9 X 1013 cm·2的離子，使在上述活性區域内形成與第i擴散層接觸 的第2擴散層，此時所注入的離子可以一般習知的方法爲 之。又第2擴散層的形成之後，更可在閘電極形成閘絕緣 膜’並以一般習知的方法，如RIE法作蝕刻以形成側壁概 墊，此侧壁襯墊係以所形成之閘電極作遮軍，再度注入離 子，而具有LDD構造的擴散層8。 [.具-體説明] ， 以下即佐以圈式説明本發明之半導髖裝置，及製造方法 (實施例1)(半導體裝置） 圖1、圖2係本發明之半導髏裝置之一實施例，其在半導 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNTS ) Μ規格（2丨0 X 2们公釐） | ^—裝------訂-----^線' (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9) 鱧基板1表面所形成之活性區域13上再形成擴散層8、12 ’並在此換散層8上形成閘絕緣獏3，此閘絕綠膜3中的活 性區域13上部份具有開口部5,從元件分離區域到開口部5 上以多矽膜7及WSix膜9所形成之閘電極丨丨3且在開口部 5有形成與擴散層12、閘電極U直接連接的掩埋接點。又 在此開口部5外的部.份其閘電極u下層備有遮翠矽晶（圈中 無顯示）。同時如點A1所示即爲以擴散層g、12所形成之 活性區域1 3上，由開口部5外周緣部及閘電極i丨端部所交 又者。部位爲部份，及製造方法。 又在囷1中’單次匹配設計邊界定爲0.2. :雙次匹配 設計邊界定爲0.3^ m。如圈1中所示：爲設計邊界的考慮 ’在活性區域13上的開口部5的外週緣部與閘電極η的端 部交叉之佈局時，即使因閘觉極11、活性區域;I3及開口部 5所產生之些微偏移，在點Α1所示之交叉點對半導雄基板 1並沒有被挖（沒有溝的產生），且如圈2所示之擴散層8與 擴散層12確可連接，使閘電極1 1所外加的電流可流入擴散 層（圖1及圖2中之箭頭i)»因此在該區域中其接觸阻抗將 不致明顯的增加或斷路》 (實施例2)(半導餿裝置之製造方法） 針對實施例1之半導《I裝置之製造方法將依圈4〜6來説明 。又圖4〜6係以圖3的平面圈中P - Q.- S'的，截面圖式。 首先，圖4所示者爲在半導髏基板1上所要的區域形成元 作分離用場氧化膜2而规定的活性區域13，並在此活性區 域13上再形成閘絕緣膜3。其後在此元件分離用場氧化膜2 -12 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（(：\5)八4規格（210:<29?公釐） 裝 訂 美、線. (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印製 A 7 _____ B7 五、發明説明（) 及閘絕緣膜3上全面以C V D法（化學氣相沉積法）經6 2 51 形成膜厚約500A的遮軍矽晶作爲第1之多砂晶膜4，在此 第1之多矽晶膜4上全面作保護膜塗層，並以通常的光蝕法 工程在所要的區域形成具有開口部的抗蝕圈樣6 ^其次， 以此抗蝕圈樣6爲遮軍使第1之多矽晶膜4形成開口部5，此 時所形成開口部5，係以一般的乾蝕刻技術爲之；具體而 言，Cl2/〇2 = 75sccm/5ccm，以8O.w的電源、而第1之多 矽晶膜4與閘絕緣膜3的選擇比可確保癯續保持30的程度下 ’僅對第1之多矽晶膜4作蝕刻，然後再將抗蝕圖樣6除去 〇 接著如圖5所示之：以第1之多矽晶膜4爲遴革，使閘絕 緣膜3可以如1%的氟，經5〜10分饞的化學處理的蝕刻，使 在半導雖基板1上露出》 接著，包括開口部5的第1之多矽晶膜4上經在數小時内 全面以CVD法、在850eC下僅以十分鑪摻雜以外，同第1 之多矽晶膜4而形成膜厚約1000A的第2之多矽晶膜7。然 後再將此半導體基板1爭入一般的擴散壚，經P〇Cl3及02 ’使對第2之多矽晶膜7及第1之多矽晶膜4作不純物的擴散 ’並在充滿氮氣的環境中，加注？ 5分鐘的退火，於是随著 對第2之多矽晶膜7及第1之多矽晶膜4有不純物離子的擴散 ，.使不純物離子從第2之多矽晶膜7揍散到與第2之多矽晶 膜7直接接觸的半導體基板1内，並使開口部5附近形成n + 擴散層8，甚至在第2之多矽晶膜7上全面形成膜厚約 2000A的WSix膜9(鎢矽）積層。並在此WSix膜9上作阻抗 -13- 本纸尜尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） « -- I 1 - -- m i I - —ϋ If ..-.-in*i—-I I _ 一. (请先閱该背面之Vi意事項再填寫本I) 訂 .4線- 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 本紙张尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（21〇 307921 A7 -------------- B7 _ 五、發明説明（11 ) 塗層’以一般的光蝕法工程形成具有所要的國型的抗蝕團 樣10 » 其次’又如圖6所示之：以抗蝕圖樣10爲遮軍對wsix膜 9、第2之多矽晶膜7、第丨之多矽晶膜4及閘絕緣膜3作乾 姓刻加以除去，而形成閘電極Π。此時蝕刻的條件將如對 第1之多矽晶膜4蝕刻的條件相同〇同時在點A1的閘電極 11的端部爲使與開口部5的外週緣部相疊，故不對半導禮 基板1表面加以姓刻。 又再以閘電極1 1爲遮軍，如注入2 X l〇13 i〇ns/ein2的 嘴，而形成LDD用η-擴散層12。 (實施例3 )(半導體裝置之製造方法） 以下再就另一半導髋裝置之製造方法的實施例如以説明 〇 如圖7’其與實施例2同樣在半導醴基板21表面所要的區 域形成元件分離用場氧化膜22而規定的活性區域21a，並 在再形成閘絕緣膜23。其後如同實施例2形成第it多矽晶 膜24 ’且以所要的區域形成具有開口部的抗蝕圖樣26爲遮 軍在第1之多矽晶膜24形成開口部。 其次’如圈8所示之：以第1之多矽晶膜24爲遮軍對閘絕 緣23蝕刻，使從半導體基板21表面露出而形成開口部。 -接著’再以實施例2同樣旳方法在包括開口部的第1之多 矽晶膜24上全面形成第2之多矽晶膜27、以不純物的滲雜 及退火處理使對半導髄基板21形成擴散層29。 接著如圖9’以31爲遮軍，對Si〇2膜3〇、wSix膜28、 -14 - xl975in ---^-----*,!丨裝------訂-----^線 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A 7 __B7 五、發明説明（12 ) 第2之多矽晶膜27、第1之多矽晶膜24及閘絕緣膜23以 RIE法相繼加以蝕刻而形成閘電極32a、32b。此時、在點 A2的因閘電極32b的端郜與開口部的外周緣部相疊，故半 導雄基板21的表面_就不_致於被勉刻。 接著如圖10，以閘電極32a、32b爲遮軍，再注入LDN ’使對閘電極32a、32b可自我整合而形成LDN用η*擴散 層33 ^並再對包括閘電極32a、3 2b的半導禮基板2 1上全 面形成Si02膜，其後可再以RIE法從半導鳢基板21的表面 以垂直方向作蝕刻，使閘電極3 2 a、3 2 b分別形成側壁襯 墊34 ^再以此閉電極32a、32b及側壁襯墊34作遮軍，經 注入As離子而形成n +擴散層33 » (實施例4〜6)(半導鱧裝置） 在實施例1中的構造，因比先前掩埋接點部的接觸面積 小，但如圖1 1 ’因以開口部5 A缺角的形狀，使能繼續確 保其接觸面積，並在活性區域13a上使開口部5a的外遇緣 部與閘電極11的端部交叉，如此的交叉點B，因不致使丰 導禮基板被挖，使得閘電極111也可與其下的擴散層接觸 ’而閘電極11a所外加的電流也可流入擴散層，且接觸阻 技不致於顯著的增加。 同時’爲使半導體裝置所佔的面積更爲縮小，則如® 12 、1 3 ;可在活性區域1 3 b、1 3 c上，限定開口部5 b、5 c的 外週緣部與閘電極Ub、11c端部的交又僅在（點C、D)等 種種佈局。 根據本發明之半導髏裝置，其在活性區域内的擴散層所 -15- 本紙法尺度適用中賴家橾辛（CNs丨从規格⑺公廣） —^J—裝------訂-----《線 (許先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B? 五、發明説明（13 形成的閘電極的端部，因爲在擴散層上至少有—處可與開 口部的外遇緣部交又，使得交又的部份附近的半導髏基板 可防止溝的形成。如此對於其它部份的丰導礅基板即使有 溝的形成’其擴層也不致於有偏移形成，而可防止短路。 又根據本發明之半導體裝置之製造方法，其在活性區域 内的擴散層所形成的閘電極的端部，因爲在擴散層上至少 有一處可與開口部的外週緣部交叉而作閘電極的佈線圖型 ’以調節開口部的配置及形狀的簡單方法，可以防止在該 交叉部份附近半導體基板的過蝕刻，而可抑制短路及半導 殖基板與閘電極的接觸阻抗的增加《使有高速、以低耗電 而有高動作的範圍，且高可信度的半導體裝置。 I. ^----1 —裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填芎本頁) 經濟部中央棟準局員工消费合作社印製 > n^n m tuMa— 本紙伕尺度適用中國國家標準（CN’S ) A4規格（：!丨Ox 291公釐）

Claims (1)

1. 3Q7Q21 I ________ D8 六、申請專利範圍 1. 一種半導《裝置，係具有： 在丰導饉基板上所形成的活性區域、及 在該活性區域上所形成的閘絕緣膜、及 在該閘絕緣膜上所形成的閘電極、及 以上述活性區域内所形成之擴散層等所形成的—對 •電晶體；其特徵爲： 其中的一個電晶體係以除去該活性匾域上的部份 所形成的開口部，其擴敢I介於上述開口部，而與另 一個電晶《I的直接連接，其閘電極的端部至少與上述 擴散層上一個開口部的外遇緣部交又。 2. 根據申請專利範面第1項之半導體裝置，其中上述在開 口部底下所形成的擴散層，係以濃度1 X 1 〇 1 9〜1 X 1〇21 ions/cm3的不純物離子爲之。 3. 根據申請專利範圍第1项之半導髄裝置，其中上述在開 口部底下所形成的擴散層，係以注入離子及因與該擴 散層直接接觸的閘電極作熱擴散而形成者》 4. 一種半導體裝置的製造方法，其特歡應爲： 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 (i)在半導體基板表面上的活性區域、閘絕緣膜、矽 晶膜等依次加以積層，且使該矽晶膜在上述活性 區域内具有遮軍矽晶膜的佈線圖型，及 .(ii)以該遮軍矽晶膜爲遮革使閘絕绛膜自半導髏基板 上露出以形成開口部； (iii)從該開口部對上述活性區域内注入不純物使之擴 散以形成第1擴散層，並以包括上迷開口部的遮罩 -17 - 本紙張尺度逋用中國國家橾牟（CNS ) A4規格（；Μ0Χ297公釐〉

   申請專利範圍 A8 B8 C8 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 梦晶膜上形成多麥晶膜； (iv) 對該多矽晶膜及遮軍妙晶膜作佈線_型，使上述 活性區域上以至少一處的端部與開口部的外遇緣 部交又，使在上述開口部直接與半導髓基板接觸 ’以形成相鄰的電晶體的閘電極； (v) 再以該閘電極作遮軍並注入離予使形成與上述第1 擴散層連接的第2擴散層》 5.根據申請專利範園第4¾之製造方法，其中上述工程 (iii)之第1擴散層的不純物濃度以在包括開口部在内 的上述遮罩碎晶膜形成多破晶膜後，以不純物注入上 述多碎晶媒中使之加以擴散，其自該多梦晶膜通到上 述開口部的上述活性區域内因不純物的擴散以形成第i 擴散層。 6·根據申請專利範園第4項之半導體裝置之製造方法，其 中上述工程（iii)第1擴散層的不純物濃度以1 X iOB—i X 1021 i〇ns/cm3的程度爲.之。 7·根據申請專利範園第4項之製造方法，其中上述工程 (v)在第2擴散層形成之後，再在該半導鳢基板上全面 堆積絕緣腹，再予以蚀刻，使上述閘電極形成侧壁襯 墊，甚至再以上述閘電極及侧壁襯墊爲遮軍而注入離 〇 -18 - 本紙浪尺度適用中國國家橾準(CNS )八4現格（2!0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂