TW307833B - Edge overlay measurement target for sub-0.5 micron ground rules - Google Patents

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307833 K Β* 五、發明説明（ 發明背景 1.發明範圍 本發明大致係關於需要印刷之製程’更特別地’係關於 監測用於微電子製造中印刷與蝕刻製程之偏差與重疊誤 差’其特別地適用於監測具有次0 5微米之大小的圖型特 徵》 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印$L· 2.相關技藝説明 印刷有廣泛之工業用途，包括：半導體製造，平板顯示 器，微機器，與磁頭。 石版印刷製程使罩幕或網線圖型經由間距調變光（空氣 影像）傳到基體上的光阻膜。吸收的空氣影像的各段，其 能量超過光阻材料的光活動成份（PAC)中化學鍵的門檻能 量，會在光阻中產生一潛在影像。在某些光阻系統中，直 接由PAC形成潛在影像，在其他中（所謂酸催化作用光 阻），光化學互動先產生酸，於後曝光烘烤中與其他光阻 成份反應以形成潛在影像。在這二種情況下，潛在影像記 下光阻材料的量，其於顯影製程（以正光阻爲例）中去除，或是於顯影後仍存在（以負光阻爲例），以產生光阻膜中的 三維圖型。 光阻影像的主要決定者是表面’其中曝光能量等於光阻 膜中的光阻門檻能量.曝光與聚焦是控制此表面形狀的變 數。由照、亮設定的#光與強度共同》定每單位面積氣像的 平均能#。基趙反射與地形中@變化可產生曝光的部分變

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、1T 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A·1 B7 五、發明説明（2) ~~~ *~~ 化。由光阻膜相對於影像系統的聚焦面之位置設定的聚焦 可決定調變相對於聚焦像的減少。基體膜厚度與地形的變 化會產生聚焦的部分變化 大致因爲曝光與聚焦的變化，由石版印刷製程顯影的圖 型必須要連續的監測或測量以決定可接受範圍内的圖型大 小。因爲解析度限制而使得這種監測的重要性大爲增加， 該限制通常定義爲可較析的極小特徵大小，此發生於石版 印刷製程中。半導趙技術中顯影.的圖型大致上是線形且有 矿曲’其長度等於寬度的倍數。定義上較小的寬，於目前 先進的半導體技術中爲〇. 1微米至大於1微米。因爲寬度是 圖型的極小尺寸，因此寬度會影響石版印刷製程的解析限 制3因此，因爲寬度是極小値且最重要的顯影尺寸，傳統 上都監測寬度以評估石版印刷製程的性能3用名詞偏差來 説明特敫大小與其額定値的差，此外，偏差一詞用於抗拒 作像，蝕刻，顯影等的製程中的意義都不變，並由影像偏 差，蝕刻偏差’印刷偏差等来說明。· 通常使用掃描電子顯微鏡（SEM)或光學測量系統來執行 圖型特徵的監測與其大小（度量）的測量。SEM度量具有極 高的較析力且有較析到〇. 1微米的能力。可惜SEM度量的實 施成本太问，操作太慢且不易自動化。雖然光學度量克服 了與SEM度量有關的上述缺點，光學度量系統不能足以解 析到測量小於1微米的特徵尺寸。因此光學度量系統不能 解析精製技術電路線寬大小，其通常小於1微米。 於疋，需要一種方法能監測小於丨微米大小的圖型特 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4^(T^97^i7 ---------------.玎------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 307833 一 _五、發明説明（

Ar B7 經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 微’且可以價廉的實施，操作又快，還可簡單的自動化。 除了測量圖型特徵中的臨界大，】、與偏差外，重要的是在 基體上沉積連續層時能決定圖型重疊的正確性。由層至層 影像大小偏差與重疊誤差來決定邊緣重疊，這對於裝置的 功能極爲重要》目前技術不能正確或容易的方法數連續圖 型層的邊緣的近似。已用游標來監測石版印刷製程，其未 監測極小寬度時的特徵長度，但本發明者已找到製程變化 中的最靈敏指示器。此外游標設計常違反次微米領域中的 成品基本規則。 習用光學度量工具於設計上使用傳統的箱中有箱或桿中 有桿的標靶作自動測量。因爲可接近成品基本規則因而已 使用習用箱中有箱的標靶，次0 5微米基本规則下的這種習 用桿中有样重疊測量標乾大小已超過成品基本规則而留在 光學度量工具解析度内。這使得重疊標靶附近的製程不正 常因而減低測量的正確性。習用標靶設計不包括肉眼可閲 讀的游標以實施自動化測量·，且不能在重疊標靶上測量臨 界大小，因而不能同時決定臨界大小與重疊變化，以致產 生邊緣重吞疾差。此外當使用人類可閱讀與機器可閱讀的 標靶時會大幅浪費基體中的眞實資產。 要明瞭習用的問題與缺點’因此本發明之目的是提供一 種万法與標以4定石版印刷製程冑沉積於圖$巾的偏差 與重疊誤差。 本發明之另一目的暑描供一錄* «rj疋拔供種万法與標靶以合併沉積囷 型中偏差與重眷誤差的測量。 Μ氏張尺度通财g)國家標準（CNS)A4^#(210X2_jt~ (請先閎讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁— •4

'1T » nn ml 經濟部中央標準局爲工消费合作社印袋 A7 B7五、發明説明（4) 本發明之又一目的是提供偏差與邊緣重疊標靶，其得任 何晶圓基趙上的極小空間。 本發明之另一目的是提供偏差與邊緣重疊標靶，而人類 可於基體製程中看到它。 由以下之説明可明瞭本發明之其他目標與優點3 發明之概诚 業者將了解本發明之上述與其他目標的達成，在某—方 面係關於藉由產生具有對應極小特徵與—長度的寬度與空 間心7L素陣列，於石版印刷製程中測量極小特徵的偏差的 万法。測量導因於石版印刷製程中影像縮短效應的陣列元 素的長度變化，並計算寬度大中元素的偏差。用具有陣 列凡素群的測試台來説明以方便陣列長度的自動化偏差測 量與分離’特別是允許使用非SEM度量工具，如此即不能 監測極小特徵的測量。在此説明此方法的測量及製造時用 以控制基體石版印刷製程的鈿試台，成品基體的一般監測 與極小偏差的印刷工具與製程。 另一方面，本發明提供一種於基體中決定偏差或重疊誤 差的万法，茲基體由石版印刷製程形成，此方法於開始時 在基體上產生一對元素的第—游標陣列。各第一陣列包含 複數個隔開且大致平行的元素，而元素具有長度輿宽度口 各元素末端在各第一陣列中是沿著直線對齊’該線在第一 角度互相平行至各元素的長度，而形成—陣列邊緣。第一 阵列相有間距且具有大致平行的陣列邊緣。在基體上也產 __________小 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公簸~ ""--—-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡隼局貝工消費合作.杜印製 307833 __37 i、發明説明（了) 一 ~ 生至少一第二元素的游標陣列，第二陣列包含複數個有間 距且大致平行的元素，其有宽度與長度3第二陣列的元素 末端沿著互相平行的直線對齊，該線在第二角度互相平行 至各元素的長度，而形成至少2個陣列邊緣。 本方法包含重疊第一與第二陣列以使丨）第一陣列與第二 陣列之元素大致平行；ii)第二陣列之一邊緣與第—陣列之 一邊緣相交；及iii)第二陣列之另一邊緣與另—第一陣列之 另一邊緣相交。偏差或重疊誤差由以下決定，找出第二陣 列之邊緣與第一陣列之邊緣的相交點’並測量相交點之分 離角。較佳地，相對於一陣列上固定點測量相交點之位 置。偏差與相交點位置之間之差成比例，該位置係相對於 一陣列上之固定點，而重疊誤差與相交黠位置之和成比 例，該位置係相對於一陣列上之固定點。 藉由將平行於X軸的陣列元素長度對齊以決定X方向的 偏差或重疊誤差。可以類所方式藉由分別產生對應第—與 第二陣列的第三與第四陣列，於γ方向決定偏差或重疊誤 差，以使第三與第四陣列的元素平行於γ軸，並在γ方向 重疊偏差或重巷誤差的測量。 用已經在基體之相同層上互鎖曝光來產生第—與第二游 標降列’而第一與第二游標陣列藉由步進曝光至互鎖游標 的游標陣列也可於相同基體層上產生，第一與第二陣列也 可於基體上的不同層上產生。 在另一方面’本發明係關於一標靶以決定石版印刷製程 形成的基體中的偏差或重疊誤差。標把包括—對基禮上的 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） (請先κ讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ 訂 A7 ______— B7 五、發明説明（A) 〇 第-游標元素陣列，而各第-陣列包含複數個隔開且大致 平行的元素，而元素具有長度與寬度，各元素末端在各第 —陣列中是沿著直線對齊，該線在第一角度互相平行至各 元素的長度，而形成一陣列邊緣。第—陣列互相有間距且 具有大致平行的陣列邊緣。標把也包括至少基體上的第二 游標元素陣列’而各第二陣列包含複數個隔開且大致平行 的元素，其具有長度與寬度3第二陣列的元素末端沿著直 線對齊，該線在第二角度互相平行至各元紊的長度，而形 成至少2個陣列邊緣。 第一與第二陣列互相重疊以使i)第一陣列與第二陣列之 元素大致平行；ii)第二陣列之一邊緣與第一陣列之一邊緣 相父，及iii)弟一降列之另一邊緣與另一第.一陣列之另一邊 緣相交。偏差或重整誤差係根據上述方法決定，即找出第 二陣列之邊緣與第一陣列之邊緣的相交點，並測量相交點 之分離角。 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 m- -1 1^1 HI ί 1- j 1--^ i! —1— nn m· - - —m I-·i (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 各元素的寬對應石版印刷' 製程的極小臨界大小，較佳 地，各元素的寬小於各元素的長，第一與第二陣列中元素 的宽度與間距相等，而各相隔的第一陣列的元素大致互相 對齊。可將標靶建構成使第一角度爲90度而第二角度不等 於90度，或是第二角度爲90度而第一角度不等於⑽度。 可將標靶定向以使陣列元素的長度平行於X軸以決定x 方向的偏差或重疊誤差。爲了決定γ方向的偏差或重番誤 差，標靶包括第三與第四陣列，其分別對應第一與第二陣 列以使第三與第四陣列的元素平行於γ軸， 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X29·?公釐> 307833 A7 ____ _B7____ 五、發明説明（7 ) 在另一方面，本發明係關於一方法以決定石版印刷製程 形成的基體中的偏差或重疊誤差，此方法藉由產生：—對 第一游標元素陣列，至少一第二游標元素陣列，及基體上 的至少一影像縮短陣列。各第一游標陣列包含複數個隔開 且大致平行的元素，其具有長度與寬度，各元素末端在各 第一陣列中是沿著直線對齊，該線在第一.角度互相平行至 各元素的長度’而形成一陣列邊緣 第一陣列互相有間距 且具有大致平行的陣列邊緣=> 第二游標陣列包含複數個隔 開且大致平行的元素，其具有長度與寬度，各元素末端在 各第一陣列中是沿著直線對齊，該線在第二角度互相平行 至各元素·的長度，而形成至少2個陣列邊緣。至少第—或 第二游標陣列於相鄰元素間具有元素寬度與間距，其對應 石版印刷製程中形成的極小特徵。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 影像縮短陣列包含複數個隔開且大致平行的元素，其具 有長度與寬度’而相鄰元素問具有元素寬度與間距，其對 應石版印刷製紅中形成的極，j、特徵。影像縮短陣列具有形 成陣列邊緣的元素末端’該邊緣與第一或第二游標陣列隔 開，該陣列具有對應的元素寬與元素間距s 於實施本方法時第一與第二游標陣列係重疊以使〖）第— 陣列與第二陣列之元素大致平行；u)第二陣列之一邊緣與 第一陣列之一邊緣相交；及第二陣列之另一邊緣與另— 第一陣列之另一邊緣相交。偏差或重疊誤差係由以下決 定’即〇找出第二游標陣列之邊緣與第一游操陣列之邊緣 的相父點，並測量相交點之分離角；及i L)測量影像縮短 ________* 10、 本紙依尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297么------— 經濟部中央梂準扃貝工消费合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明（8 ) 陣列的相鄰邊緣之間的分離，與具有對應元素寬度與元素 間距的第一或第二游標陣列。校佳地，相對於—陣列上固 定點測量相交點之位置=偏差與相交點位置之間之差成比 例，該位置係相對於一陣列上之固定點，而重要誤差與相 交點位置之和成比例’該位置係相對於—陣列上之固定 點= 陣列元素的長度可平行對齊於X軸以決定X方向的偏差 或重疊誤差。用元素，其長度平行於Y軸，來產生額外的 游標與影像縮短陣列以決定Y方向的偏差或重叠誤差。 用已經在基體之相同層上互鎖曝光來產生第一與第二游 標陣列，而第一與第二游標陣列藉由步進曝光至互鎖游標 的游標陣列也可於相同基體層上產生。第一與第二陣列也 可於基體上的不同層上產生」 在另一方面，本發明係關於一標把以決定石版印刷製程 形成的基體中的偏差或重眷誤差。標革巴包括：一對第—.游 標元素陣列，至少一第二游彳票元素陣列，及基體上的至少 一影像縮短陣列。各第一游標陣列包含複數個隔開且大致 平行的元素’其具有長度與寬度，各元素末端在各第一阵 列中是沿著直線對齊’該線在第一角度互相平行至各元素 的長度’而形成一啤列邊緣。第一降列互相有間距且具有 大致平行的陣列邊緣。第二游標陣列包含複數個隔開且大 致平行的元素，其具有長度與寬度，元素末端沿著直線對 齊’該線在第二角度互相平行至各元素的長度，而形成至 少2個陣列邊緣。至少第一或第二游標陣列於相鄰元素間 ~ 11 - 本紙張尺度逋用中國鬮家標準（€阳）人4«1格（210父297公釐5 n n m kn t^n I In— n -4' (請先w讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ r A7 B7 五、發明説明（9) 具有元素寬度與間距，其對應石版印刷製程中形成的極小 特徵。第一與第二游標陣列係互相重疊以使i}第一陣列與 第二陣列之元素大致平行；ii)第二陣列之一逢緣與第—阵 列之一邊緣相交；及hi)第二陣列之另一邊緣與另—第—陣 列之另一邊緣相交β 影像縮短陣列包含複數個隔開且大致平行的元素，其具 有長度與寬度，而相鄰元素間具有元素寬度與間距，其對 應石版印刷製程中形成的極小特徵s影像縮短陣列具有形 成陣列邊緣的元素末端，该邊緣與第一或第二游標陣列隔 開’該陣列具有對應的元素寬與元素間距。 偏差或重疊誤差係恨據上迷方法決定.即藉由i)找出第 二游標陣列之邊緣與第一游襟陣列之邊緣的相交舜，並測 量相交點之分離角；及ii)測量影像縮短陣列的相鄭邊緣之 間的分離，與具有對應元素寬度與元素間距的第一或第二 游標陣列。 較佳地，元素的寬對應石舨印刷製'程的極小臨界大小， 各元素的寬小於各元素的長’而陣列中元素的寬度與間距 相等’此外最好各相隔的第一陣列的元素與影像縮短陣列 大致互相對齊。 可將標靶建構成使第一游標角度爲90度而第二游標角度 不等於90度，或是第二游標角度爲90度而第一游操角度不 等於90度。 可將標靶陣列的元素長度平行對齊於X軸以決定χ方向 的偏差或重疊誤差。也可提供具有元素的額外游標阵列與 » 12 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) 格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫夂頁) -* 經濟部中央橾隼局貝工消費合作社印製

五、發明説明（10) 影像縮短陣列，該元素之長度平行於Y軸以決定γ方向的 偏差或重疊誤差。 本發明也提供一種決定偏差或重疊誤差的方法，其藉由 於石版印刷製程形成的基體中的可測量莫耶邊緣效應0本 方法包含基體上的複數個第Μ元素陣列與複數個第二元素 陣列。各第一陣列包含複數個隔開且大致平行的元素，其 具有長度與宽度，各元素末端在各第一陣列中是沿著直線 對齊，該線在第一角度互相平行至各元素的長度，而形成 第一陣列的邊緣。第一陣列互相有間距且具有大致平行的 陣列邊緣。各第二陣列包含複數個隔開且大致平行的元 素，其具有長度與寬度’各元素末端在各第二陣列中是沿 著直線對齊，該線在第二角度亙相平行至各元素的長度， 而形成第—陣列的邊緣。第二陣列互相保持且具有大致平 行的陣列邊緣^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱1»背面之注意事項再填寫本頁) 於實施本方法時第一與第二陣列係重疊以使〇第一陣列 與第二陣列之元素大致平行、l5)第二陣列之一邊緣與第一 陣列之一邊緣相交。第一與第二陣列的重疊角可產生莫耶 邊緣圖型，第一與第二陣列中各元素的長度決定莫耶邊緣 的大小，測量莫耶邊緣囷型中產生的邊緣即可決定偏差或 重疊誤差。 較佳地，各元素宽度對應石版印刷製程的極小臨界大 小’最好也能使第一與第二陣列中元素的寬度與間距相 等’而各元素的寬度小於各元素的長度。第—與第二陣列 可於基體上的相同層上產生或者於基體上的不同層上產 13 - 木紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Μ規格（2丨Ox 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ________ B?_ 五、發明说明（η) 生。 也提供一種決定石版印刷製程形成的基體中的重疊誤差 的標乾’其包含基體上的第一與第二影像縮短陣列。各影 像縮短陣列包含複數個隔開且大致平行的元素，其具有長 度與寬度，相鄰元素之間的元素寬度與數極器對應石版印 刷製程中形成的極小特徵a該元素末端該形成影像縮短陣 列邊緣。第一組影像縮短陣列位於基體層上，並包含： 第一對該陣列，其具有大致平行的陣列邊緣，且.於X方向 互相隔開，與第二對該陣列，其具有大致平行的陣列邊 緣，且於Y方向互相掩開。第二組影像縮短陣列位於基體 的另一層上，並包含：第三對該陣列，其具有大致平行的 陣列邊緣’且於X方向互相隔開，而且與第一對陣列的χ 方向間距不同，與第四對該陣列，其具有大致平行的陣列 邊緣，且於Υ方向互相隔開，而且與第二對陣列的γ方向 間距不同。第一组與第二組陣列重疊以使‘第一與第三對 陣列於X方向分離，而各第—與第四對陣列於γ方向分 離。使用各對陣列的邊緣並測量該第一與第二組影像縮短 陣列中心4間的差即可藉由決定定各組影像縮短陣列的中 心以決足重疊誤差。較佳地，各該元素的寬對應石版印刷 製程的極小臨界大小。此外，各該元素的寬度小於各元素 的長度，該元素於該陣列中的寬度與間距是相等的，而各 該影像縮短阵列的元紊係大致互相對齊。 14- 本紙張又歧财關家料( CNS>A4驗（210x297公釐） (請先閱讀背面之：:i意事項再填寫本頁)

307833 A7 B7 五、發明説明（i2) ~~~~一 附圖之簡單説 本發明之特徵係新型，而衣發明元素的特徵内容則於後 附申4專利圍中說明。圖形僅供説明目的並未按照比 例二但是本發明之本身，不僅在結構與操作方法方面，皆 可藉由以下之詳細說明並配合附圖加以了解，附圖包括： 圖1是影像縮短效應的示意圖。 圖2是線的由上而下的SEM照片以説明影像縮短效應， 而圖2B是使用圖2A的測試台的測量分離資料的圖形。 圖3疋線上的影像縮短效應的圖形，而空間則是其寬度 的函數3 圖4A與圖4B是寬度與長度上的測量效應的圖形，作爲不 同影像聚焦的曝光劑函數。 圖5是散焦時寬度與長度偏差其额定値的效應圖形。 圖6是長度-寬度對於曝光劑的靈敏的圖形Λ 圖7是長度-寬度對於散焦的靈敏的圖形。 圖8是具有長度與寬度尺寸的特徵的示意圖。 圖9是使用偏差（CD)測量來控制石版印刷製程的流程 圖。 圖10是成品晶圓上的測試圖型的實施例= 圖11是適用於監測製程的測試圖型。 圖12係SEM上測量到的陣列元素寬度，與光學度量工具 一測量到的對應陣列長度的圖形3 圖13的測試圖型包含適用於製程特徵化的變化極小特徵 的陣列。 -15- 本纸法尺度適用中國國家搮率（CNS ) A4規格（210X297公着） n 1- - - - - 1 1-1 I 1 (—i I...... -- I I s —i-i I- - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央捸隼局貝工消费合作社印製 A7 B7 五'發明説明（ iy 圖14的測試圖型併入游標記號以顯示基雜 差。 圖關測試圖型併入游標記號以顯示基鍵上的過大偏 差。 圖16的游標測試圖型具有多重交錯與直的元素陣列。 圖17的測試圖型併入游標記號以顯示基體上的過小偏差 與重疊誤差。 上的過小偏 圖18是一序列游標兄號，具有從⑷至（e)的和減 與元素間距。 圖19A，19B，19C是一序列游標記號，具有不 元素寬度 度至陣列間距關係。 圖20繪示2個標靶部分，於基體的分離層t辑度生， 併游標與影像縮短效應記號。 同元素長 生，以合 n —I.「- I - - I I- ^一 I I (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消費合作社印裝 圖21是於相鄰基體層上藉由重疊圖2丨的檁乾音 ' 分而產生 的標靶以測量偏差與/或重疊誤差》 圖22是圖21的合併標靶的妓大部分、 圖23，24，25繪示用游標觀察到的莫耶邊緣阖型型效 應，其使用影像縮短效應記號以測量偏差與/ t 、或贳®誤 差。 較佳具體實例之詳細説明 . 藉由參考附圖以説明本發明的較佳具體實例，附圖中的 相同數字表示本發明的相同功能3 16 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X29?公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印袈 A7 B7 五 '發明説明（14) 影像縮短效應 印刷時’本發明藉由廣泛的討論影像縮短現象以併入新 方法與程序以監測特徵，因此，以下要簡短説明影像縮短 概念藉以了解本發明。 參考圖1 ’對於線或空間’其額定長度（Ln)大於其額定寬 度（Wn)，由印刷工具於光阻中作像的圖型會有Lp，Wp的印 刷大小。影像縮短或前縮短在説明一種情況即長度（La_Lp) 的印刷移偏差超過寬度（wn-wp)的印刷偏差《本發明者指 出當印刷工具/製程的解析極限接近時影像縮短效應即發 生。 圖2A是由上而下的2個線陣列的SEM像片，用以突出影 像縮短效應《陣列元素寬度在25〇 _至7()〇 nm的寬廣範圍 内女化，這是圖2 A中測試圖型的一邵分3在此情況下藉由 炎化陣列的對應元素間的分離來測量影像 '综短效應爲i， 其約與線長度的變化相同。圖2B是影像縮短的實驗性測量 的圖形，作爲如圖2A所示的皞列的特·徵極小寬度的函數。 可觀察到當印刷移線寬度從相片的上至下減少時，線末端 更加從平行顯示游標中偏差。應該了解的是在任何寬度 下’都可調整製程狀況如曝光，聚焦與顯影製程以變化影 像縮短値。圖3的囷形繪示當線的寬度減少時，長度尺寸 的偏差事實上於寬度或極小特徵偏差上増加。於是，'本發 明者已顯示可有利的使用長度偏差測量，當可測量量較大 時，用以突出石版印刷製程中的極小特徵偏差因而易於測 量。 17- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

J .I. I I »1 « I a r * < i A7 B7 \y 五、發明説明（ 影響影像縮短的因素爲： ⑴必須形成線的末端或空間的角落與線的t間或空間相 比可提供較高的空頻成份。因此’―已知作像系統不能= 末端與中間作相同的解析，而部分縮短出現在空像。 (2)光動複合物（PAC)是所有光阻中影像形成的主要化學 成份。曝光與後曝光烘烤製程中在光阻膜内發生pAc漫 射。當線的寬或空間接近漫射長度時，此漫射更會縮短。 ⑶罩幕本身因爲罩幕圖型中先天的解析/製程限制而縮 短。這些效應在IX軍幕時最嚴重，但是在角落圓形化與/ 或罩幕上前縮短時，在5X或丨0X罩幕上也很顯著3罩幕上 角落的圓形化會使出現在印刷工具空像中的縮短更嚴重。 (4)顯影時的阻應力消失也會產生縮短效應3 本發明者已廣泛測量出長度對於曝光以及聚焦變化對於 寬度的增加靈敏度。例如圖4A與4B的實驗資料顯示不同聚 焦狀況下曝光劑在線的寬度★長度上的效應，由此資料而 比較曝光上長度對於寬度的關係，其中額定線宽爲250 run 而額定線長爲2 μτη，結論是寬度偏差對於曝光（斜度）的靈 敏度約爲17 nm/mj/cm2，而長度偏差對於曝光（斜度）的靈敏 度約爲29 nm/mj/cm2。因此長度與寬相比，對於曝光變化約 顯示1 ·7Χ倍的較大靈敏度。對於一已知製程，此靈敏因素 的大小依上述影響影像縮短的因素而定。 此外如圖5所示，聚焦上長度與寬度的依賴關係的比 較，也顯示長度會從额定的散焦中作更大的偏羞3圖6的 18 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4C格（210 X 297公釐） if Α 訂 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 307833 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印製 A7 87五、發明説明（16) 實驗資料顯示變寬的隔離構，以及差分偏差（長度偏差-寬 度偏差）靈敏度如何對於曝光變化以作爲構寬的函數。資 料顯示長度偏差於曝光時比寬度偏差至少等於或束靈敏， 並顯示極小特徵大小的趨勢。圖7顯示一類所圖形，但此 時的散焦有變化。實驗資料再顯示長度偏差更靈敏，而且 可從長度偏差測量中預測寬度偏差。 因此，已發現對於曝光與聚焦，長度與寬度相比顯示較 大的靈敏度。當額定寬度減少時相對於寬度的靈敏度即減 小。因此長度相對於宽度的較高靈敏度使得長度是一更適 用的大小以監測印刷圖型製程的控制，其與傳統的思考與 實施方式成對比，其中已測量到寬度大小可作此控制。 參考圖8，長度測量於測量時又出現另一種問題。在寬 度方向’測量工具的窗10可設定成在線或空間圖型的很長 的長度上整合’因爲有許多測量像素。在此情況下得到的 新製造對於測量窗〖〇相對於圖型的定位不靈敏，特別是因 爲圖型的末端可以避免，其+發生寬-度漸減。 相等的長度測量需要將測量窗12設定成遠比圖型寬度 有。對於窄線或空間圖型而言，例如250 nm，這表示將測 量窗12設定成較少的像素寬。此外得到的測量對主測量窗 相對於圖型的定位會極靈敏，而產生測量準確與可重復性 的劣化。 使用影像縮短效應記號作偏差監測 根據本發明之觀點而提供一種改良式方法以決定並控制 --一丨 -19 - 本錄尺度通用中國國家揉率（CNS ) A4· ( 2Η)Χ297公釐1—~~ ' ^^^1 t^n a^n If n m u ^ ml nn n^i tm f - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消费合作社印裝 A 7 ___B7 五、發明説明（17) 用以半導體裝置製造時圖型的臨界大小，該方法得任何影 像縮短記號，在此方法中於測試圖型上執行的測量與裝置 大小，作像能力與測量能力4唯一相關的。 現在參考圖9，本發明的實施將於使用光學步進器的典 型石版印刷製程中説明》在石版印刷製程的開始符號2〇中 以光阻塗於晶圓上。由成品作像與蝕刻 < 求來決寒光阻的 厚度，其通常在5,000A至20,000A的範圍内》接著用罩幕或 網線曝光光阻上的圖型，由總成品圖型大小與曝光工具的 影像場大小來決定晶圓上的步進圖型。通常影像場大小大 於20,000平方微米。將適當的影像射入光阻塗的晶圓，並 顯影以產生光阻圖型。由製造裝置來控制用於本發明實施 中的晶圓本質與製程。通常成品有多重圖型層，由各層的 不同設計規則來決定不同的圖型。根據本發明，光阻圖型 必須包含一或多個測試圖型，其最好能位於成品外的影像 場區域中。測試圈型的詳情如以下所述。 現在參考圏10 ’於成品監測與控制時測試圖型邛必須配 合成品晶圓42上的期望裝置圖型以便印刷。爲了表示成 品’測試圖型40的元素應該有一寬與導程，其小於或等於 (對應）裝置圖型的最臨界特徵。根據應用，測試圖型4〇可 包含複數個陣列線’可改變陣列的極小寬與空間以涵蓋石 版印刷製程與工具的極小功能或是期望設計的極小特徵的 上下尺寸的範圍=極小時，至少一陣列線會組成測試圖 型。在圖10中測試圖型40可分佈於沒有被成品圖型44與/或 其他要求的對準與測量囷型佔據的區域。另外當光阻/蚀 及紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(---* -- --I . - - In I ί - s ....... -.- 广-- -- I I— -11 ^^1 T4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _____B7 五、發明説明（18) 刻影像特徵是目標時’可在整個影像場與晶圓中分布較小 的變化線寬與斑點的測試圖型》 圖11顯示已開發出來用於本發明實袍的測試圖型布局的 例子。測試圖型46的基本成份是由間距隔開的2個線空間 陣列，其中陣列元素長度（Lm)與2個陣列間的分離或間距 (Sm)必須在使用的光學測量系統的解析範圍内。通常光學 測量系統的解析力大於Ιμιτη且通常是Lm = Sm = 2μηι s 將測試圖型46的元素寬度與導程（寬度+空間）設計成小 於或等於成品的最臨界特徵。若成品基本規則越嚴則個別 元素的寬度與導程越小。在一特例於精製技術的半導體成 品中’在其圖型層上有0·55μπι的導程與極小的〇 25μπι寬 度，而使用2個含有15個元素的陣列作測試圖型。陣列包 含2μπι長的元素，於陣列間有2μιη的間距。依印刷的特別裝 置層圖型的層次與基本規則而改變線與空間的相對大小與 層次，及四週區域的層次。依等層而使用4種可能組合。 (1) 0.2 5 μιη寬的絡線’於明晰區域中隔開〇. 3 μηι。 (2) 0.3μιη寬的鉻線，於明晰區域中隔開〇.25μπι。 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 1^1 In 11 ·1 -1-- In —- -; - ii . i m· I: . J ^ 、" (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) (3) 0·25μηι寬的明晰線，於鉻區域中隔開〇.3μηι。 (4) 0.3μιη寬的明晰線，於鉻區域中隔開〇.25μηι。 測試圖型46定位於各位置的水平與垂直，如囷1〇的測試 圖型40所示，也如圖13的測試圖型所示。總圖型大小包含 四週區域’小於20μιη.χ20μιη。變化特徵的測試圖型如圖13 所示，可用以突出製程狀況，因爲其可於不同特徵大小中 同時提供製程資訊。 -21 本紙法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 __B7_五、發明説明（19) 隨著技術的進步以及可使用較小的線寬與空間來印刷， 因此元素寬度與間距的下限即減少了。但是與光學測责系 統的解析限制比較，元素長度必須保持較大。顯彩光阻後 即在測試圖型元素的長度上執行2個測量。因爲由光學顯 微鏡可對長度作良好的解’所以測量的特定裝置可以是光 學工具，假設測量窗設定爲許多測試圖型陣列的元素平均 値。由圖型調變彳貞測影像的整合強度，以找出圖型元素的 平均末端。找出位置的方法可以簡單的門檻技術’或是複 雜的技術例如將優先函數加在偵測影像上。 光阻影像的2個測量是〖）圖型陣列中的平均元素長度 (Lr) ’以及2) 2個陣列間的影像得分離。在已知對應的 罩幕俊（L^ ’ Sm)之下’元素長度的光阻影像偏差即可藉 由陣列的長度與空間中的平均變化而計算出。⑴ m-S,)-(Lm-SJ}/2 測量（Lr，SJ也提供監測測量精確度（Pr)的自動方法。長 度的導程與分離應該是常數且在印刷的罩幕與光阻中相 等。因此將Pr定義爲：⑵ Pr= {(Lr + Sr)-(Lm+Sm)}/2 - 以便測量與計算以檢查測量的一致性。在理想狀況下與 B#關且等於〇。爲了達到良好的測量，Pf的範圍不該超過 -- — - 22 -本紙張尺度適用中國國家標率（CNS } A4规格（210x297公f )’ ' " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页)

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 307833 A7 __ 87 五、發明説明（20) 光學度量工具的測量精確度，通常是10 20ηΙΠ。公式⑵決 疋Pr的値當成去除壞測量的標準如去除nyonm時的（Lr， Sr)。 製造時度量測量的重要的常用應用是決定晶圓是否需要 於整個石版印刷製程中再加工。若特徵超過一偏差或者未 解析，則較經濟的方法是在此點將晶圓再加工。其達成方 法如以下所示：測量決定的Br與優先標靶光阻影像偏差 比較’（Tr)定義成光阻影像偏差以確保極佳的裝置性能s 將測量到的光阻影像偏差從標起的偏差定義成： (3) Dr - Br - Tr 用此來監測與控制光阻作像製程。對於某一特別的測量晶 圓組（通常很多），Dr是決定是否要將該纽移至次—製程的 根據。 若Dr於許多成品晶圓上的平均與/或-變化超過可接受的範 圍（保證產生良好的裝置）’則光阻影像失效，而晶圓必須 根據圖9的符號38而再加工。再加工需 光阻去除，再塗上與再曝光晶圓。劑校正與= 比’若Dr在可接受的範圍内則光阻影像通過，而晶圓移動 到次一製程步驟。 處理後續晶SJ群時，於晶圓内，D的晶圓至晶圓與群至 群變化上應即光統計分析以使劑校正動態饋給至製程變化 的曝光工具與自動旗號。例如與多重晶圓上Dr的暫時平均 一· . - 23 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Μϋϋ~Πί7χ 297公"il ------- I -I--1----ί W - II---- 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 A7 _______________B7_ 五、發明説明（21) 成正比的劑校正，可饋給至曝光工具以使劑保持與製程變 化影響因素Dr同步。 在符號26中，次一製程步驟通常是蝕刻，其中光阻圖型 傳輸至下方的晶圓。蝕刻步驟通常會產生額外的偏差。因 此，去除所有剩下的光阻後，即在符號28執行另一次測量 以確保蝕刻的影像在可接受的範圍内。 根據本發明以類所於光阻影像的方式在光學工具上測量 蝕刻像（Le，Se)，而蝕刻偏差（Be)與測量精確度定義 爲： (4) Be - {(Le - SJ - (Lm . Sm)}/2 ⑸ Pe = {(Le + SJ - (k + Sm)}/2 蝕刻相對於光阻（Bx)的偏差是 ⑹ Bx = Be - Br 因此於光阻影像後的測試台的連續測量以及蝕刻製裎後， 即可決定蝕刻製程偏差。 在符號30,如光阻影像的情況，將測量的蝕刻偏差（Be) 與優先標絲刻影像偏差（Te)比較，TeM成㈣影像偏 差以確保最佳的裝置性能。因爲光阻/蝕刻製程（Β〇中本 身的相對偏差，因而此標_光阻影像不同。在理想狀況 下標靶（Te，Tr)相差Βχ。若測量到蝕刻偏差與標靶（Be_Tj C -—I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -1! .

• 11-» HI I m u I I .

A7 ____ B7 五、發明説明（22) 的偏差超過可接受範園（保證產生良好的裝置），則蝕刻影 像失效，且必須去除晶圓（後蝕刻不能作再加工）。 如符號32所示，重疊的蝕刻影像失效表示 < 要調整光阻 CD (臨界尺寸）標靶，這是因爲光阻/蝕刻偏差中的位移。 若Be - Te在可接受的範圍内，則蝕刻影像通過，而晶圓 移至次一製程步驟。 經濟部中央榡準局貝工消費合作社印製 n - I -I —I I I 1 -I n --4 - - I -- 11 1-- I - d 丁 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 總之，本發明之觀點是得任何影像縮短效應以監測及控 制成品以通過極小特徵的偏差的正確測量與其在製造晶圓 塊中的分布，這是藉由在各裝置層的光阻影像與蚀刻影像 處理步驟中使用唯一測試圖型，本發明能使用度量工具以 測量及監測設計’其極小特徵在度量工具的功能之下3特 別地，可使用光學測量特徵，例如可從長度中光學測量的 變化導出極小特徵（寬度）中的變化。長度與寬度區域之間 的關係可在重要的寬度區域中表示出5圖丨2顯示圖11中測 試圖型的元素的寬度（於Opal SEM從上至下測量）與全陣列 元素的平均長度（於Biorad光學度量系統）之間的關係。在 此情況下，陣列元素在〇.55μιη導程時是0.3μιηχ2μιη的光阻開 口。在固定聚焦時藉由變化曝光劑即可改變尺寸〜在變化 的範圍一長度與寬度的關係是線性的。如上所述，長度比 寬度的變化更快。羞此情況下靈敏度約爲2 : 1，所以長度 的lOOnm變化對應寬度的50nm變化。 除了上述的成品晶圓的移位外，本發明的另一應用是用 於光阻/蝕刻作像製程的深度特徵。在此情況下在不同圖 型密度與方向中於影像場與晶圓上的測試圖型取樣，必須 " 25 - __ 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 "Z0 * 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐） A7 ____87 五、發明説明（23) 足以決定内場與整個晶圓影像變化。在成品罩幕上不可能 作到測試圖型的適當分佈，這是因爲成品裝置佔據區域之 故。因此在某些情況下需要測試圖型陣列的專屬測試罩 幕。如囷4A，4B與5所示，本發明所述使用測試圖型的長 度測量會提供相等或更高的靈敏度，在設計的極小特徵寬 度下監測與控制曝光，顯影與聚焦狀況。因此，與習用相 比石版印刷製程更能夠輕易的使用—般度量工具以監測與 調整。 本發明之另一應用是在曝光工具/製程顯影，以及其決 疋能力，廷是以工具/製程能夠延伸至的極小特徵大小或 極小偏差而言。對於此應用可使用關於預測工具/製程功 能的分佈測試圖型，其具有圖型的線寬與空間之降列。使 用如圖13所示的測試圖型，則具有曝光工具/製程的適用 測試台配合0.35μιη極小特徵使用，即可用以測試較小特徵 大小的延伸性。延伸性的研究則需要作硬體改變如具有不 同數値光圈的不同透鏡’聚焦用的不同光阻或不同軟體 等。藉由測量影像縮短與使用長度變化的偏差作特定陣列 的極小特徵函數，即可計算極小特徵的偏差並與標靶値比 較以使用，類似地可以將硬體或製程變化的優點量化。 本發明提供數項優點，第一，可得到較佳的印刷與蝕刻 製和·居中’因爲根據本發明而測量的線長對於製程（曝 光’聚焦’蚀刻）變化與根據傳統方法而測量的寬相比更 靈敏。第二，本發明可在不減少精確度下於較低度量工具 解析度下測量’因爲包含測試圖型陣列的元素長度與元素 26 ---------^ 《__ t请先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 ___ B7 五、發明説明（24) ~^ 數目可保持在工具解析力之内且與元素寬度無關。事實 上’根據本發明不能監測元素的極小寬度的測量限制。當 元素寬度減少時，可在一已知放大下平均許多圖型元素， 因而改良測量精確度。第三，衣發明使得光學度量於成品 晶圓的光阻/蝕刻影像配置中替換掃描電子（SEM)度量。光 學測量的主要優點是速度，自動與降低設備成本。與SEM 測量有關的光學測量的改良速度與自動化，得以在單位晶 圓上作更多的測量，因而產生作像製程的更實在同線特 徵。最後’該方法本身的冗餘使得因爲度量工具失效，製 程與測試圖型暇疵而產生的壞測量自動去除3 使用游標記號之偏差與重疊誤差監測 本發明之另一觀點是提供一種改良方法與標靶，其使用 人類與機器都可閱讀的游標記號以決定製造半導趙裝置時 的偏差（臨界大小）與/或重疊誤差。當製造精密半導體裝 置時的臨界大小與重疊的測I漸由自動測量系統如光學與 SEM度量工具執行時，供人類閲讀的游襟於度量工具的設 定與校正與測量結果的快速驗證上仍擔任極重要的角色。 此外，根據本發明之這一觀點而使用的游標可當成測量本 身的基礎’不論該測量是否是手動或自動。 本發明之一觀點提供數種問題的答案： ⑴習用游標設計不能決定層至層影像大小偏差與重疊誤 差，其係迻緣重疊的成份，即裝置功能的關鍵決定因素。 以目前的方法很困難或是不可能測量後續圖型層的邊緣接 _____ - 27 - ( CNS ) A4^M ( 210x297^# ) —----- ---------^------1T (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明説明（25) " 近。 ⑵習用臨界大小游標設計不能於極小寬度下監測特徵的 長度。特徵的長度是製程變化的最靈敏指標。 (3)習用游標設計常違反次微米領域的成品基本規則。 本發明的游標記號配置可提供上述問題的解答。 本發明游標記號配置的基本機制是在平行線或空間的陣 列中移動重疊（在成品基本規則寬度與導程下），此發生於 當後續線的位置在至少一個陣列中且在罩幕的極小柵大小 S的N倍中交錯’用該罩幕產生圖型以傳輸至基體上的光 阻膜3如圖14所示，分別以一對第.一直的元素丨〇g，降 列104 ’ 106產生游標1〇2 ’其上重疊著第二交錯的元素n2 的陣列110〇元素108，109有長度與寬度，其係平行且等距 隔開。各元素中的元素長度最好大於元素寬度，雖然可將 元素配置成使長度等於或小於寬度。元素的末端最好沿著 直線對齊以分別形成平行陣列邊緣丨丨4，π 6。類所地，由 平行的等距元素丨丨2的相對未端沿著直線將平行陣列邊緣 118，120形成於交錯陣列丨1〇上。游標1〇2陣列中的各元素 可有相同的長度與相同的寬度，這是在軍幕或網線圖型產 生或啓始時。此外陣列104的元素1〇8與陣列1〇6的元素1〇9 對齊。組成陣列的元素射入晶圓基體的光阻層上以曝光一 游標測試圖型或標靶’其相鄰於期望的裝置圖型_(如圖1〇 所示），其接著顯影並於稍後沿著要製造的裝置圖型蝕 刻。選擇各元素的寬度對應石版印刷製程的極小臨界大 小，例如以〇.25μιη (0.55μηι導程）基本規則成品爲例，各元 _____ -28- 本紙張尺度適用中國國家樑準)八4胁（210X297公着)"" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，va Μ Β7 307833 「 五、發明説明（26) 素的寬度爲〇.25叫，各元素的長度爲2μηι，而相鄰元素間 的間距爲0.3μπι。 C .4 — (请先閲婧背面之注意事項再填寫本ί) 在此例子中交錯陣列110可位於層8上，其置於較早層八 上的2個直陣列1〇4，106之間，反之亦然^或者藉由使軍 幕成圖型而將交錯陣列11〇與直陣列1〇4，1〇6曝光在同一 層’以使交錯陣列在裝置圖型的一曝光場的一邊，即在該 對直陣列的對面，接著當曝光場步進越過—層基體時即互 鎖陣列的曝光^交錯與直陣列也可於軍幕圖型本身互鎖， 以便於單一層上由單一曝光產生游標。但是，此最後例子 僅提供臨界大小的測量而非重綦測量，詳情如下所迷。當 交錯與直陣列於同一層產生時，爲了有更強的閲讀力最妤 陣列中元素的寬度小於陣列中相鄰元素間的間距，而交錯 陣列的元素等距的位於直陣列的元素之間，反之亦然，以 便當陣列相交時，元素本身在不同陣列中不會互相接觸。 當3C錯與直陣列於不同層產生時，或者當陣列藉由步進曝 光場而在同一層互鎖時，這些需求即不必要了。 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 雖然例子中的游標102是一對直陣列與一交錯陣列，根 據本發明之廣義敎示其他變化亦屬可能。只是要求至少一 對第一陣列’其中至少元素的―末端在各第一陣列中形成 直線’其係以相對於元素長度之第一預設角。如圖14所 不此第一角是9〇。。至少一第二元素陣列具有元素末端， 其在相對於元素長度的第二預設角。形成一直線，而第二 角與第—角不同。在圖丨4中爲了説明方便，第二角約爲80。 (或100。’依測量角的邊而定），以使陣列112具有上述的交 29- 本紙張尺度· 五、發明説明（ 1Ύ A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 錯配置。α與β也可能都不是9〇。，而二組陣列都是交錯。期 望有較高的盆敏度與正確性，以便角α與β的實際相差较 0 陣列的重疊疋義2個由陣列邊緣1】4與！ 18及夏丨6與12〇的相 交而形成的箭號。箭號端分別由122與U4所示，互相相對 移動，這是依陣列104，丨66與丨丨〇的曝光與/或蝕刻時產生 的影像偏差與/或重疊誤差而定。可加入長記號或其他距 離指示以解釋游標測量。例如在圖14中若來自陣列元素的 軍幕於產生時具有陣列1丨〇元素112等於陣列1〇4邊緣114與 陣列丨06邊緣116之間的距離，則指示的元素丨12長度的縮短 小於陣列邊緣114與116之間的距離以指示該圖型在—或者 2個層上’其中/几積的陣列104，106與陣列11〇過小。資料 端的位置如參考點0的對面上的點+丨的箭號122所示。從點 -1的箭號124指示的箭號端可使使用者能量化過小偏差的程 度。 圖15顯示一相反較大的偏差，其由'游標1〇2，測量，再假 設來自陣列元素的罩幕於產生時具有陣列元素長度等 於陣列104'邊緣114·與陣列丨〇6,邊緣1 ι6，之間的距離e指示的 元素110長度的加長至大於陣列邊緣丨丨4，與丨丨6，之間的距離 以指示該圖型在一或者2個層上，其中沉積的陣列丨〇4,， 1〇6|與陣列1〗〇'過大。資料端的位置如參考點〇的對面上的 點-2的箭號122'所示，從點+2的箭號124指示的箭號端可使 使用者能量化過小偏差的程度。 圖16顯示複數個直陣列126與複數個交錯陣列128的使 _ - 30- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） c請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 乂 ,tr 、發明説明（28) | I — (请先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 用，在圖中的例子中，所有陣列的元素都形成於罩幕上， 具有相等的長與相等的間距，但是相鄰直或交錯陣列的邊 緣之間的距離大於元素的長度。直與交錯陣列於游標的上 方互相對準（即邊緣相接合），並且當一端向上移動S互相 即發散，直到其在下方再度對準，雖然於—陣列上位移。 雖然已將交錯陣列設定爲具有額定元素長度等於i陣列 的對邊之間的距離（圖丨4與丨5)，或者大於直陣列的對邊之 間的距離（圖16)，但罩幕上的額定元素長度也可小於直陣 列的對邊之間的距離。 箭號端定義各方向的2個相交點（Pi，pa，可調整罩幕偏 差（相對於陣列元素長度），當層間的相對偏差在標靶上時 即可使末端直接互相面對。當相對圖型大小減少.時（負影 像偏差），則箭號互相遠離，反之，當相對圖型大小增加 時’箭號即互相接近’偏差B與相交點的分離程度成正 比’如以下公式所示： (1) B = (P, - P2) X N X S/2 經濟部中央搮準局員工消费合作社印裝 式中P!與P2可以自印刷圖型中讀取，S是產生的印刷圖型 设计的極小栅大小，而N是選擇的整數以射應於一步進中 位移的極小樹增量3 換言之’在不改變其之間的距離下增2個箭號相對於額 定完整重疊位置（ρ,+Ρ^Ο)移動。重疊誤差與相交點相對於 31 本紙張尺度通用中國國家棣準（CNS)A4規格（2!OX297公鐮} 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（29) 一或數個陣列的固定點的位置和成正比，因此可由以下公 式導出重壘誤差0 : (2) 0 = (P. + P2) X N X S/2 圖17顯示過小與重疊誤差的例子，其中箭號122'’與124" 表示的箭號端分別位於點-2與-5 =此圖型表示相對於陣列 104"與106”位移至陣列110"的右邊，其包含一重疊誤差以 及一過小的誤差。 將⑴與⑵計算的結果合併以決定2層上相對位置的位移 或是圖型邊緣的邊緣重眷(E) (3) E +/- = B +/- Ο 式中E=0相當於所有邊緣的相對位置與設計時相同的情 況。 例如若圖型太小則有一重疊誤差如本發明游標上的Pf 4，P2=-1，而NxS^Snni，以下公式可決定偏差與重疊： B=(-4-(-1))*12.5--37.5nm 0=(-4+(-1))* 12.5=-62.5 nm 所以在圖型邊緣位置的極小與極大位移是： -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297^ΪΠ -......II— . II - - - - I— - I1 - -- I—--- \~* J ^ 'V备 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 307833 五、發明説明（j __________ί—II n HI n^i (m s int HI .^nf K m Λ , c请先閱讀背由之注意事"鼻填寫本X)

Emin^25nm Emax^1 OOnm 在上述情況下，若層至層圖型的設計上的重疊小於 l〇Onm(Emax)，則偏差與重疊誤差合併而導致裝置失效。 本發明的簡單具體實例得任何包含A與B成份的單一圖 型’其互相於同一層上數位化以僅監測影像大小=在此情 況下Pi與p2的閱讀是冗餘的（相等且相反），因爲木可能有 重疊誤差(；〇=〇)。 游標中一陣列相對於游標中的另一陣列的較佳邊緣角是 由組成陣列與極小柵間距的元素圖型的導程決定。圖型的 導程PT等於陣列中元紊寬度與元素間距之和。一陣列邊蟓 相對於游標中另一陣列邊緣的較佳角Θ如以下公式所示： (4) e=tan''(NxS/MxPT) 經濟部中央樣準扃負工消f合作社印製 其中M=1的情況是指交錯與直陣列於不同層上產生，或是 藉由步進曝光場於相同層上互鎖陣列，而M=2的靖；；兄是指 交錯與直陣列在無步進下於同一層上產生3 組成游標的陣列可置於水平與垂直（X與Y方向）的方向 以説明X與γ重疊誤差與像散。在此情況下將—叙第一與 第二陣列定向以使元素長度乎行於X軸，以 〜A万向的 重疊誤差。提供第二組的第三與第四陣列，其中 ⑺ 、艰三陣列 對應第一陣列，而第四陣列對應第二陣列，除 、j帛三與第 __ 33- 本紙涑XJt適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐} A7 B7 五、發明説明（31) 四陣列的元素長度平行於γ軸外。另—組的第三與第四陣 列接著同時決定Y方向的重番誤差。 在所有情況下由本發明游襟記號測量的偏差都是陣列元 素的長度。因爲如上所述，已發現長度一直是比寬度更靈 敏的製程變化指示者，本發明游標的相對靈敏度增加寬度 的閉合以接近曝光工具的解析極限3 至於使用圖9方塊圖中所述的影像縮短效應記號的方法 與標乾時’則可於曝光與顯影裝置與基體上的相關游標圖 型後’以及將裝置與相關游標圖型蚀刻入基體（以決定導 因於蚀刻製程的偏差與/或重疊誤差）後，立刻作出恨據本 發明之觀點的游標測量（以決定導因於曝光製程的偏差與/ 或重疊）誤差。 圖18繪示一序列根據本發明的游標記號，其中已減少元 素寬度與間距。圖中元素寬度在各游標的左邊，範圍從圖 18(a)的400nm至圖18(e)的250nm。在各種情況下極小軍幕柵 大小S都是25nm。可沉積複政個這種漸減元素宽度的游標 測試圖型或標靶（接近極小特徵大小）以決定線縮短效應， 其藉由改變交錯與直陣列間相交點的計算位置而更明顯。 圖19A ’ 19B，19C繪示游標中陣列間的元素大小與間距 的變化，該游標根據本發明而連接數。在圖丨9 A，交錯陣 列128'的元素129’長度大於相鄰直陣列126，邊緣間的距離或 間距。在圖19B，交錯陣列128"的元素129”長度小於相鄰直 陣列126"邊緣間的距離或間距u在圖19C，元素寬度等於 元素長度’而元素長度.!、於相鄰直陣列1 26邊緣間的距離 -34- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4«l格（210X297公釐） J1 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 4° 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 ___ B7____ 五、發明説明（Μ) 或間距。元素大小中相對於陣列間的間距的這些與其他變 化可由需求的讀取性決定，這是根據測量的特別製程與基 體0 使用游標與影像縮短效應記號合併之偏差與重疊誤差監測 在本發明的另一觀點，上述得任何影像縮短效應記號與 游標記號的方法與標靶可合併以改良偏差，重疊誤差與邊 緣重疊誤差的測量。 合併影像縮短/游標記號標靶的具體實例如圖20所示， 圖中第一標靶部分130包含：陣列132，丨34，136，138，其 定向以便於X方向測量（元素長度平行於X抽）；及陣列 140，142，144，146，其定向以便於Y方向測量（元素長度 平行於Y軸）。相反的陣列與標靶中心點丨3 1的距離是相等 的。陣列對132 ’ 134與136，138具有互相隔開的平行相鄰 陣列邊緣，並包含隔開的影像縮短標把，其中陣列對的相 對邊之間的額定距離（於罩東或網“上）是一預設的選擇 値。類所地，陣列對140，142與144，146具有互相隔開的 平行相鄰陣列邊緣，且也包含以類所方式配置的隔開影像 縮短標靶。此外陣列對132，138與140，146具有相反的陣 列邊緣’其定向於陣列元紊長度的相同非直角以形成2组 交錯陣列。陣列132，138分別具有相反的平行，含有角度 的邊133，139 ;而陣列140 ’ U6分別具有相反的平行’含 有角度的邊141 ’ 147 ’其會與另一陣列對的對應邊緣相交 以測量游標，許情如下所述。 _ M 35 - ( CNS ) ( 210χ297^Γ) ~ ' (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 4 、1Τ 經濟部中央樣準局負工消费合作社印製 A7 ____B7 _ 五、發明説明（33) 第二部分150如圖20所示，其包含：陣列152，丨54，156， 158，具有平行於X軸的元素長度；及陣列160，162， 164 ’ 166具有平行於γ軸的元素長度。相反的陣列與標靶 中心點151的距離是相等的。陣列對丨52，154 ; 156，158 ; 160，162 ; 164，166具有平行的相鄰邊緣以形成隔開的影 像縮短標乾組。直陣列154，156，162，164具有各自的逢 155 ’ 157，163 ’ 165 ’其對於各陣列中的元素長度90度定 向以形成正確大’】、與位置的邊緣以便與標把部分130的交 錯邊缘（133，丨39 ’ 141，14T)相交，以便根據本發明來測 量游標3 爲了決定邊緣重疊’標靶部分Π0的影像要曝光並蝕刻 於基體的一層上，而標靶部分丨5〇的影像要曝光並蝕刻於 基體的不同層上，以便標靶部分的中心點丨3 1，151相交並 保留各元素長度的X與γ方向（圖21)。在作這種重疊時， 交錯陣列132，138的外部相對邊重疊並分別與交錯陣列 154 ’ 156的内部相對邊重疊：而交錯陣列14〇，.丨46的相對 邊重疊並分別與陣列162，164的内部相對邊重疊.。詳情如 圖22所示’用肉眼可觀察到交錯陣列邊緣139與直陣列邊 緣157的相交位置P!的測量。同理，也可用肉眼觀察到交錯 陣列邊緣133與直陣列邊緣155的相交位置p2的相反交錯陣 列邊緣。有了 ？,與P2的値，即可如上所述計算X方向的偏 差B與重疊Ο。同理，藉由測量陣列邊緣與ι63，147與 165的相交，即可計算γ方向的偏差B與重疊〇。在圖22中 觀察到可決定任何二層的影像縮短效應，此係藉由測量陣 __ 36 -_ 本紙張尺度適用中國國家揲準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐] —-— - (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) •4 、-° Λ7 B7 五、發明説明（34) 列136與138的相鄰邊緣之間的距離a，以及陣列156與158的 相鄰邊緣之間的距離b，並將這些値與革幕或網線上建立 的额定値相比。 因此，本發明以提供人類可閱讀的游標與影像縮短記號 而達成上述的目的，其也可用以決定重疊的正確性，此發 生於當使用石版印刷製程於基體上沉積圖型時。此外，本 文所述的方法與標把可用於次0.5微米成品基本規則以決定 臨界大小，偏差與高測量正確性的重疊誤差。於處理時可 測量以檢查期望的裝置圖型的曝光與顯影，以及將圖型連 續蝕刻在晶圓基體内。 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 ---------------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本) 圖20-22所示的標靶也可當成傳統箱中有箱的標靶的直接 替換3在習用標乾配置中，4個實心未連接的桿的第一標 靶，其形成箱的邊（沒有角落），由基體的層上的石版印刷 製程產生。在後續層上，產生一個類似但較大（或較小）的 4個實心未連接桿的標把箱。第一標乾箱的中心藉由測量 相對样之間的中心點（在X與'Y方向）而決定.：> 第二標把箱 的中心也以類似方式決定，並比較中心的位置以決定是否 於第一基體層與第二基體層之間的石版印刷製程中有重要 誤差。但是因爲處理時’大的實心特徵如習用桿者可能會 扭曲而影響了箱測量的中心。 根據本發明由陣列丨34 ’ 136，142 ’ 144 (圖20與圖21)组 成的第一標靶箱，如上所述可以於基體的第—層上產生或 沉積。由陣列152，1S8，16〇，！66組成的第二標把箱如上 所述於第二層上臨界或沉積。使用各標靶箱相對陣列的邊 ________ ** 37 - 本紙掁尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） *~~ -~~-- 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 一一----- B7五、發明説明（35) 緣，即可決定各標靶箱的中心，並比較以決定重疊誤差。 因爲組成各陣列的元素的線縮短效應於各層或等級上會較 小（在此元素寬度等於或接近臨界特徵大小），而各箱的中 〜會一致，並且於X與γ方向中正確地比較。影響習用實 淳目的扭曲不影響由各元素陣列組成的標靶箱的測量。 使用影像縮短游標記號來測量莫耶邊緣圖型 P.于' 了於游標記號上直接測责重..眷外，於衣發明的另—觀 點可將影像縮短效應與游標記號配合使用以產生可測量的 莫耶邊緣圖型。由具有臨界大小的元素寬度之游標記號產 生基體表面上的陣列寬是由劑與聚焦情況與使用的觀察系 統的特性等決定。如上所述藉由觀察重疊游標記號而產生 莫耶邊緣型圖型，該記號包含複數個第一與第二陣列其由 具有長與寬的不同元素組成。第一與第二陣列在不同的 角，即所有的第一陣列在相對於組成卩車列的平行元素的— 角’而第二陣列在相對於組▲陣列的平行元素的另一不同 角上。藉由使用寬度對應極小臨界大小的元素，或使用由 石版印刷製程產生的基體的基本规則，影像縮短效應會使 得各陣列的寬（即各元素的長）由製程的偏差（曝光，蝕刻 或二者）決定。藉由觀察較低放大倍數的游標記號以看到 陣列誤差’但是各元素的解析度不佳，並顯影出對應陣列 重疊的莫耶邊緣圖型。重疊程度，莫耶邊緣圖型中產生的 最後邊緣F接著會決定並測量製程中的偏差角。 圖23-25説明不同的莫耶邊緣圖型，圖23中，第—陣列序 -38 - 本紙法尺度適用中國國家揉準（CNS )M規格（210X297公釐） (請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) ，?τ

.--I - - --- ·=-1 I I - - I 1 A? 87 3〇7833 五、發明説明（36) 列180相對於垂直方向以第„角+1。定向，而第一陣列序列 182相對於垂直方向以第二角·:丨。定向，且第一陣列重|於 第二陣列上。雖然陣列180與182的各元袭沒解析，仍可觀 察到陣列的誤差，並指示各元素長度的末端3圖中顯示重 疊或最後的邊緣長度’圖24中的重疊陣列180，182具有 較大的陣列寬（較長的元素長度）。因爲較大的元素長度與 陣列寬度，所以圖24中的F2較長。最後，圖25中的陣列 180 ’ 182具有最大的陣列寬度與无素長度，及最短的邊緣 測量。由於包含陣列的各元素的線縮短效應，使得偏差 的差導致陣列寬與邊緣長依曝光的程度及各陣列元素的蚀 刻而變化。因此藉由比較散焦游標記號的各序列的邊緣測 量F，其係根據本發明而於基體層上作成，與上述決定的 額定邊緣測量，即可決定偏差。偏差程度與逢緣測量F的 長度成正比’在圖23-25中，有效的低曝光從圖23至24及從 圖24至25減低。 也可決定重疊誤差’若不Ϊ司的重‘降列，！g2於不同 層上產生，則重疊誤差會導致邊緣中心相對於圖型末端的 移動。因此重疊誤差與邊緣測量F相對於—或多個陣列上 的固定點的中心位置成正比。 上述於陣列中游標記號的使用增強曝光效應的靈敏度與 觀察度，以使觀察者可於邊緣測量時決定偏差與./或重整 誤差。放大因素A由以下公式定義： (5) A=PT/(NxS) ^39- 本紙張尺度適用中國國家櫺準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局員工消費合作杜印製 ----- B7 五、發明説明（3?) 例如若游標陣列中元素的導程是500nm，則極小柵大小是 25nm，而N=1則放大因素由以下公式定義： A=500/25=20 因此當組成游標陣列的元素長度減少25nrn時，陣列間的 重疊的交又點即移動500mn。圖23-25中的陣列由〇.3μπι寬 (臨界特徵大小）與1.5μπι長的元素组成，其可於3〇χ放大下 於藍光中看到，以便在沒有解析各陣列元素下清晰看到陣 列邊緣，人類與機器都可閱讀偏差與重疊誤差的邊緣測 量。 雖然本發明已配合特定的較佳具體實例作特別説明，由 上述内容明顯得知業者可對本發明作許多替換、修正及變 化。因此於附屬申請專利範園内的這種替換、修正及變化 皆在本發明之精神與範圍内： " 因此於説明本發明後，提出的申請專利範圍是： {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁)

J 訂 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製

Claims (1)

1. Λ8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ι·—種用以於一由_ r Λ 由石版印刷製程形成， 或重疊誤差之標靶，包含： 战<基體中決定偏差 I n n n n n n n M ^ n i I I I (n T ·*4 .¾ (請先《讀背面之注意事項存填寫本育) 於一基體上之—對第—元棄陣列 數個隔開且大致平行之元素，其第—睁列包含複 於各第一陳_ 、'有長度與」寬度， 於各弟陣列中义各4末端係 第一 &、，凡對於各兀素長度心 m —陆⑴β 而和成—陣列邊緣，該 弟一陣列係互相隔開且具有大 玟十行夂陣列邊緣：及 万；一基趙上之至少一第二开去丨法r, 〜7 一素丨車列，該第二陣列包含 復數個隔開且大致平行之元素'其具有—長度血一宽 度，該等元素末端㈣相對於各元素長度之第二角沿著 互相平行之直線對齊而形成至少二個陣列邊緣： 該第-與第二陣列互相重疊以致：丨)該第一與第二陣 列之該等元素大致平行；11}該第二陣列之一邊緣與一該 第一陣列之一邊緣相交；及出)該第二陣列之另.—邊緣 與另一該第一陣列之一邊緣相交； 因此藉由找出該第二陣列邊緣與第一陣列邊緣之相交 點’並測量相交點之分離角即可決定該偏差或重疊誤 差。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印装 2. 根據申請專利範圍第1項之標耙，其中該各元素之寬度 對應石版印刷製程之極小臨界大小。 3. 根據申請專利範圍第1項之標靶，其中該第一與第二陣 列中該等元素之寬度與間距皆相等。 4. 根據申請專利範圍第1項之標靶，其中該各隔開之第一 陣列中之諸元素係大致互相對齊3 ~ 41 ~ 本纸張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）

   '申請專利範圍 經濟部令央櫺準局貝工消费合作社印装 b·根據申請專利範圍第i項之標*，其中該第 '角係9〇度 而孩第二角大於或小於90度。 6, 根據中請專利範圍第Μ之標把，其中該第二角係度 而該第一角大於或小於9〇度。 7. 根據申請專利範圍第β之標靶，其中偽差與該等相交 ^ ’十於，玄陣列上一固疋點之位置間之差成正比。 S.根據申請專利範圍第i項之標把，其中該等降列元素之 長度平仃於X軸，以決定X方向之該偏差或重疊誤差。 •乂根據申請專利範園第8項之標耗，更包括： 於一基體上之一對第三元素陣列，各第—陣列包含複 數個隔開且大致平行之元素，其具有—長度與一寬度， 於各第三陣列中之各元素末端係以相對於各元素長度之 第三角沿著互相平行之直線對齊而形成—陣列邊緣，該 第三陣列係互相隔開且具有大致平行之陣列邊緣；及 於基上之至少一第四元素陣列，該第四陣列包含 複數個隔開且大致平行之元素，其具有—長度與一寬 度’该等元素末端係以相對於各元素長度之第四角沿著 互相平行之直線對齊而形成至少二個陣列邊緣；該等陣 ‘列元素之長度係沿著一 Y軸對齊； 該第三與第四陣列互相重疊以致：丨）該第三與第四陣 列之該等元素大致平行；ii)該第四陣列之一邊緣與一該 第三陣列之一邊緣相交；及iii)該第四陣列之另—邊緣 與另一該第三陣列之一邊緣相交； 因此藉由找出該第二陣列邊緣與第一陣列邊緣之相交 -42· 本紙张尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注項存填寫本頁) 訂 •I A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 申請專利範圍 •點’並測量相交點之分離角即可決定該偏差或重疊誤 差3 1〇·根據申請專利範圍第1項之標靶，其中該各元素之寬度 小於各元素之長度.3 U.根據申請專利範圍第1項之標靶，其中該第一與第二陣 列心·於 '遠基體之相同層上。 12·根據申請專利範圍第1項之標靶，其中該第一與第二陣 列位於該基體之不同層上a 13·根據申請專利範圍第9項之標靶，其中該第二與第四角 係9 0度，而該第一與第三角大於或小於9〇度。 14.根據申請專利範園第9項之標靶，其中偏差與該等相交 點相對於—該陣列上一固定點之位置間之差成正比。 b.根據申請專利範圍第9項之標靶，其中重疊誤差與該等 相交點相對於一該陣列上一固定點之位置間之和成正 比。 16. —種用以於—由一石版印刷製程形成之基體中決定偏差 或重疊誤差之標靶，包含： 於该基體上之一對第一游標元素陣列，各第一陣列包 含複數個隔開且大致平行之元素，其具有—長摩與—寬 度，於各第一陣列中之各元素末端係以相對於各元素長 度足第一角沿著互相平行之直線對齊而形成一陣列邊 緣，該第一陣列係互相隔開且具有大致平行之陣列邊 緣； 於該基體上之至少一第二游標元素陣列，該第二陣列 •43 - 本紙张尺度逍用中國躏家標準（CNS } A4規格（210X297公簸 Λ认 訂 ί請先閑讀背面之注意事¾再填寫本頁}

   申請專利範圍 經濟部中央標隼局負工消費合作社印裝 包含複數個關且大致平行之元素，其具t_長度與— :度，該等元紊末端係以相對於各元素長度之第二角沿 著互相平行之直線對齊而形成至少二個陣列邊緣； 至V 4第一或第二游標陣列具有S素寬度與相鄰元 素間之間距，其對應形成於該石版印刷製程中之極小特 徵； 4第一與第二游標陣列互相重疊以致：i)該第一與第 —陣列H«等TL素大致平行；ti)該第二陣列之一邊緣與 一该第一陣列之一邊緣相交；~及出)該第二陣列之另一 邊緣與另一該第一陣列之一邊緣相交；以及 於孩基體上之至少一影像縮短陣列，該影像縮短陣列 包含複數個隔開且大致平行之元素，其具有—長度與一 寬度’元素寬度與相鄰元素間之間距對應形成於該石版 印刷製程中之極小特徵，該影像縮短陣列具有形成一陣 列邊緣之該等元素末端，該邊緣與該第-或第二游標陣 列之邊緣隔開，該陣列具有對應之元素寬度與元素間 距； 因此藉由i)找出該第二游標陣列邊緣與第一陣列邊緣 之相交點，並測量相交點之分離角，及it)測量影像縮短 陣列與第一或第二游標陣列之間相鄰邊緣之分離，該游 標陣列具有對應之元素寬度與元素間距，即可決定該偏 差或重疊誤差。 17.根據申請專利範圍第丨6項之標耙，其中該各元素之寬度 對應石版印刷製程之極小臨界大小。 -44 - 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS >从規篇（210x297公釐） n^— m^i ml ilfli nn m I ^f —tn n (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂. A8 B8 C8 D8 經濟部中央梂隼局貝工消費合作社印装 申請專利範囷 1根據申請專利範圍第丨6項之棟免，甘士 貝（標靶其中該等陣列中該等素之宽度與間距皆相等。 Η根據申請專利範園第16項之標乾’其中各該等隅開之第 齊存橾陣列與該影像縮短陣列中之元素係大致互相對 -〇根據申請專利範圍第16項之標靶 &而-袁第—角大於或小於9〇度。 -)L根據申請專利範圍第丨6項之標乾 度而破第一角大於或小於9〇度。- 22.^據申請專利範圍第16項之標把，其中偏差與該等相交 目對於一該陣列上-固定點之位置間之差成正比。 艮據申請專利範圍第16項之標靶’其中㈣誤差與該等 相叉點相對於一該陣列1 —固定點之位置間之和成正 比。 24根據申請專利範圍第16項之標把，其中該等陣列元素之 9長度平行於X軸，以決定X方向之語偏差或重疊誤差、。 •根據申請專利範圍第24項之標靶，更包括具有諸元素之 額外游標與影像縮短陣列，該元素長度與一 ¥軸平行以 决方向之該偏差或重眷誤差。26·根據申請專利範圍第16項之標靶 小於各元素之長度。 2/_ ^艮據申請專利範園第16項之標靶 標陣列位於該基碰之相同層上。2&根據申請專利範圍第16項之標靶 其中該第一角係9 Ο 其中該第二角係9 Ο (請先《讀背面之注f項再填窝本筲) I I— I 1 I- _ Λ 訂 其中該各元素之寬禮 其中該第一與第 其中該第一與第 -45 - 本紙張適用中酾國家揉準（CNS ) ( 21GX297公瘦>

   Λ8 B8 C8 D8 307833 ----— 六、申請專利範圍 標陣列位於該基體之不同層上。 改一種用以於一由一石版印刷製程形成之基體中決定重疊 誤差之標靶，包含： 於該基體上之第一與第二组影像縮短陣列，各影像縮 短陣列包含複數個隔開且大致平行之元素，其具有一長 度與一寬度，元素寬度與相鄰元素間之間距對應形成於 涊石版印刷製程中之極小特徵，該影像縮短陣列具有形 成一陣列邊緣之該等元素末端； 位於該基體之一層上之該第二组影像縮短陣列’並包 含一第一對該陣列，其具有大致平行之陣列邊緣並且於 一 X方向互相隔開，與一第二對該陣列，其具有大致平 行之陣列邊緣並JL於一 Y方向互相隔開：及 位於該基體之另一層上之該第二組影像縮短陣列，並 包含一第三對該陣列，其具有大致平行之陣列邊緣並且 於一 X方向互相隔開，其與該第一對陣列之X方向間距 不同，與一第四對該陣列，·其具有大致平行之陣列邊緣 並且於一 Y方向互相隔開；其與該第二對陣列之γ方向 間距不同： ‘該第一與第二組陣列重疊，以致各該第—與第三對陣 列於X方向分離，而各該第二與第四對陣列於γ方向分 離，因此藉由使用各對陣列之邊緣而決定各組影像縮短 陣列之中心’並測量該第—與第二组影像縮短陣列中心 間之任何差異以決定重疊誤差3 30.根據申請專利範圍第29項之標把，其中該各元素之寬度 -46 本紙張尺度適用中國國家糅準（CNS } Α4规格（210X297公* ) (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) J *1T 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 A 8 Bg C8 D8 々、申請專利範圍 對應石版印刷製程之極小臨界大小。 31. 根據申請專利範圍第29項之標把，其中該等陣列中該等 元素之寬度與間距皆相等。 32. 根據申請專利範圍第29項之標乾，其中該各影像縮短p車 列中之諸元素係大致互相對齊。 33·根據申請專利範圍第29項之標靶，其中該各元素之寬度 小於各元素之長度。 — 1 -ί —.1— ....... I--in 1--- In —ml I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -47 - 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐）