經濟'郅中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於半導體裝置之製造技術，尤其有關在半 導體裝置之製造過程中，在所謂前過程所被使用之半導體 晶圓（以下簡稱爲晶圓），例如在利用於半導體積體電路 裝置（以下將稱爲I C )之製造上極具有效之技術有關。 請 先· 閱背. 意 〔以往之技術〕 一般I C係在晶圓之一主面側 積體電路（以下簡稱爲積體電路） 多數個片狀體（Pellet)之後，分 配來製造者。在以如此之I C製造 路側之主面，有需要製鏡面拋光》 一面製成鏡面拋光之時，要施行晶 地實施。惟在晶圓兩面形成有鏡面 表背面就成爲困難。爲此，提案有 定向平坦面（orientation flat) 之技術，或予以形成判別晶圓之表 面之技術。 又做爲記載有可維持圓形狀之 之實例，具有日本國特許廳公開實 1 0 6 8 2 1號案。亦即，該公報 表面或背面和側面所形成之角部， 去角）部，並以雙方之尺寸差異來 術。 .，將包 予以形 割成各 方法中 倘若一 圓表背 拋光之 ，令顯 朝周方 背面用 括半導 成於每 片狀體 ，將裝 對主面 面之判 時，判 示晶軸 向形成 之第2 體元件之 一劃分成 並予以裝 入集體電 中之僅有 別可簡單 別晶圓之 方向用之 非對稱形 定向平坦 下來判別表背面之晶圓 用新案公報之平2 — 中，揭示有在於晶圓之 個別地予以形成斜切（ 判別晶圓之表背面之技 項 再為 j裝 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 __ B7 五、發明説明（2 ) 至於做爲可抑制旋轉對稱性之降低，並可增加半導體 片狀體（以下簡稱爲片狀體）之獲取數之晶圓，係形成有 缺口於圓周部之晶圓（以下簡稱爲具缺口晶圓）爲所周知 〇 記載有具缺口晶圓之例，有如日本國公開實用新案公 報昭64-48020號案。亦即，在該公報，揭示著構 成缺口之稜線上下之邊緣被斜切著之晶圓。依據該具缺口 晶圓，因在缺口亦形成有斜切部，致使在I C之製造過程 中，可防止抵接定位銷於缺口時之缺口所產生之損傷，其 結果，可增進製造良率（提高生產量）。 又在日本國公開特許公報平2 — 2 4 0 9 1 2號案， 揭示有形成有伴隨著被形成於圓周部之缺口朝中心方向之 位置變化會形成非連續性變化之形狀之同時，使缺口之平 面形狀在周方向被形成左右非對稱形之具缺口晶圓。依據 該具缺口晶圓，因缺口在圓周方向被形成爲左右非對稱形 ，以致可判別晶圓之表背側主面和背面側主面。 〔發明擬解決之問題〕 即使在具缺口晶圓中，因需在一主面側予以製成積體 電路，爲此，有必要實施表背面之判別。惟對於兩面形成 有鏡面拋光之具缺口晶圓之表背面判別，將成極困難。例 如在進入於製造I C之前過程之時，倘若產生具缺口晶圓 之表背面判別之錯誤時，就在進入前過程之前，因在具缺 口晶圓之處理等時所使用，而會產生積體電路被形成於被 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐Ί (請先閱讀背面之注意事項#>填寫本頁) 裝丨 訂 -5 - ί ί Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 3 ) 污 染 一 側 之 主 面 ( 背 面 側 ) 之 危 險 0 因 此 » 本 發 明 之 巨 的 > 係 擬 提 供 — 種 可 判 別 表 背 面 之 具 缺 □ 晶 圓 之 同 時 9 擬 提 供 — 種 可 判 別 具 缺 □ 晶 圓 之 表 背 面 來 恰 當 地 製 造 半 導 體 裝 置 之 半 導 體 裝 置 之 製 造 方 法 0 然 而 > 依 據 如 揭 示 於 刖 述 曰 本 國 公 開 特 許 公 報 平 2 — 2 4 0 9 1 2 號 之 使 缺 □ 之 平 面 形 狀 在 圓 周 方 向 形 成 左 右 非 對 稱 形 之 具 缺 □ 晶 圓 > 雖 可 判 別 晶 圓 之 表 面 側 主 面 和 背 面 側 主 面 » 惟 缺 □ 之 平 面 形 狀 若 成 非 對 稱 形 之 時 可 大 大 地 損 害 晶 圓 之 旋 轉 對 稱 性 之 同 時 不 僅 可 使 片 狀 體 之 取 得 數 量 降 低 且 因 缺 □ 會 形 成 規 格 外 之 特 殊 形 狀 以 致 會 產 生 所 謂 必 需 實 施 使 用 於 I C 之 製 造 方 法 之 製 造 裝 置 中 之 以 缺 □ 來 定 位 之 機 構 等 之 大 幅 度 的 改 造 之 問 題 處 〇 爲 此 本 發 明 之 巨 的 係 擬 提 供 — 種 維 持 缺 □ 之 平 面 形 狀 之 對 稱 形 狀 之 下 可 判 別 表 背 面 之 具 缺 P 晶 圓 者 〇 本 發 明 之 另 一 巨 的 係 擬 提 供 •~~* 種 可 合 理 性 地 來 製 造 前 述 之 具 缺 □ 晶 圓 之 半 導 體 晶 圓 之 製 造 方 法 者 〇 有 關 本 發 明 之 I. 刖 述 以 及 其 他 巨 的 和 新 穎 之 特 徵 ， 將 可 由 本 專 利 說 明 書 之 記 載 及 所 附 上 之 圖 示 而 予 以 察 明 〇 ( 解 決 問 題 用 之 手 段 ] 在 本 案 所 揭 示 之 發 明 中 > 若 予 以 說 明 代 表 性 者 之 概 要 之 時 係 如 下 所 述 〇 亦 即 ， 半 導 體 晶 圓 係 使 在 形 成 於 圓 周 部 之 缺 P 之 一 方 主 面 之 內 周 邊 部 所 形 成 之 斜 切 部 * 和 形 成 於 另 一 方 主 面 之 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 請 先* 閱 ik 背 面· ί 事 項 再 填 · |裝 頁 Μ ^^Sl4s __ B7 五、發明説明（4 ) 內周邊部之斜切部，使之互成相異爲其特徵者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔作用〕 依據前述之手段，可由辨識兩方之斜切部之相異，而 判別半導體晶圓之表背面。由於予以判別半導體晶圓之表 背面而使形成半導體裝置一側主面，可經常使之識別，致 使可由半導體晶圓而適當合適地製造出半導體裝置。 又形成相異之處係在於斜切部，以致缺口之平面形狀 可維持圓周方向之對稱形態，因此，不僅可防止半導體晶 圓之對稱性及半導體裝置之取得數量之大幅度的降低，並 由於可維持缺口之規格，致使可避免使用於半導體裝置之 製造方法之既有製造裝置的依據缺口而定位之機構等之改 造。 .〔實施例〕 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖1係係顯示本發明之一實施例之具缺口晶圓，（a )爲缺口部分之平面圖，（b)爲其底面圖，（c)爲沿 著（a )之c — c線之放大側面剖面圖，（d )爲沿著（ a )之d — d線之放大側面剖面圖。圖2係顯示具缺口晶 圓之表背面判別方法之一實施例的各模式圖。圖3係顯示 本發明之一實施例之具缺口晶圓之製造方法的過程圖，圖 4係個別顯示其主要過程之各模式圖。圖5係顯示使用本 發明之一實施例之具缺口晶圓的I C製造方法中之表背面 判別方法的模式圖。圖6係顯示在熱處過程中之移轉更換 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐) ~~ 五、發明説明（5 ) A7 B7 作業之各正面剖面圖，圖7係顯示在曝光過程中之缺口位 置識別方法的各模式圖。 在本實施例中，有關本發明之半導體晶圓，係做爲使 用於製造成爲半導體裝置之IC之具缺口晶圓所構成者， 具有從矽單結晶予以形成圓形之薄板形狀之substrate ( 以下簡稱爲基板）2。在本實施例，基板2被形成直徑爲 200mm，厚度t爲725vm之圓形薄板形狀。基板 2之矽單結晶（單晶體）之面方位，係設定成（1 〇 〇 ) ±1 之定向上（on-orientation)。圓形薄板之一對端 面之基板2之一對主面3，4，係個別實施有鏡面拋光之 加工。以下之說明，若有必要區別一對主面3，4之時， 請 先· 閱 讀 背 面* 之 注 意 事 項 I 再 填 寫 本 頁 裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將第1主面做爲3，第2主面做爲4。 基板2之第1主面3外周邊部形成 5 ，而該第圓周斜切部5係構成做爲具 謂C斜切部。又基板2之第2主面4外 圓周斜切部6 ，而該第2圓周斜切部6 斜角θβ之所謂C斜切部。本實施例中 5和第2圓周斜切部6係被形成爲對於 之中心面成爲面對稱形。亦即，如圖1 對於包括厚度方向之中心線CL t ，且 貫穿基板2中心點之中心線（平行於主 ，第1圓周斜切部5和第2圓周斜切部 稱形。換言之，第1圓周斜切部5之傾 周斜切部6之傾斜角θβ係被設定成相 有第1圓周 有傾斜角0 周邊部形成 係構成做爲 ，第1圓周 基板2之厚 (d )所示 正交於朝厚 面3 ，4之 6係被形成 斜角0 5和 等，且又設 斜切部 5之所 有第2 具有傾 斜切部 度方向 ，有關 度方向 )平面 爲面對 第2圓 定從第 訂 本紙張又度逋用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐〉 8 A7 B7 89sl43 五、發明説明（6 ) 1圓周斜切部5之基板外周端7直至斜切開始位置5 a之 距離L5 ，和從第2圓周斜切部6之基板外周端7直至斜 切開始位置6 a之距離Le成爲相等者。 構成如上之基板2，在外觀上形成無法予以判別第1 主面3和第2主面4之狀態。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在基板2之圓周部切開配設有平面視之形狀爲概略爲 V字形之缺口 1 0朝<0 1 1 >之方向之位置，而缺口 1 0之周方向之形狀係被形成爲，對於通過基板2之中心 點和V字尖端之中心線（以下簡稱爲基準線）CL形成左 右對稱形。缺口 1 0之V字兩方斜邊之打開角度α係設定 成約9 0度，內接於兩斜邊之圓形直徑D係設定爲3mm 。缺口 1 0之V字底處形成有最小調和（blend)半徑r 爲0 . 9mm之凹狀彎曲面。缺口之深度（從基板2之外 周端7至底之距離）S係設定成約爲1mm»如上所述， 缺口 1 0之平面視之形狀，因形成左右對稱形，由而僅觀 看缺口 1 0之平面形狀之時，係形成無法判別具缺口晶圓 1之表背面之狀態。再者<0 1 1 >係當作包括所有與〔 011〕等值之方向者。 在缺口 1 0之第1主面3之內周邊部形成有第1缺口 斜切部1 1 ，而該第1缺口斜切部1 1係構成爲做爲具有 傾斜角（以下簡稱爲第1缺口斜切角）之所謂C斜切 部。又在缺口 1 0之第2主面4之內周邊部形成有第2缺 口斜切部12，該第2缺口斜切部係構成爲做爲具有傾斜 角（以下簡稱爲第2缺口斜切角）012之所謂C斜切部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210Χ297公釐） -9 - A/ B7 五、發明説明（7 ) 請 先- 閱 ik 背 面~ 意 事 項 填 . J裝 頁 訂 在本實施例中’第1缺口斜切部11和第2缺口斜切部 1 2 ’係形成爲有關對於缺口 1 0厚度方向之中心面成爲 非面對稱形，亦即，如圖1(b)所示，有關對於包括厚 度方向之中心線C L t ，且正交於基板2中心線之平面， 第1缺口斜切部11和第2缺口斜切部12係形成爲非面 對稱形。換言之，第1缺口斜切部1 1之第1缺口斜切角 係設定成較第2缺口斜切部12之第2缺口斜切角 Θ1Ζ更小’且又設定從第1圓周斜切部1 1之缺口內周端 1 3直至斜切開始位置1 1 a之距離（以下簡稱爲第1缺 口斜切寬）Lai形成較從第2缺口斜切部1 2之缺口內周 端1 3直至斜切開始位置1 2 a之距離（以下簡稱爲第2 缺口斜切寬）L12更爲長。 本實施例中’個別設定第1缺口斜切角^^爲} 5度 ’第2缺口斜切角012爲2 5度，而個別設定第1缺口斜 切寬爲5 0 0 /zm，第2缺口斜切寬L12爲3 0 0 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 。又將第1圓周斜切角05及第2圓周斜切角θβ均 設定爲3 0度，而第1圓周斜切寬L5及第2圓周斜切寬 L6均設定爲3 0 0 。亦即，第1缺口斜切寬係 設定成與第1圓周斜切寬L5及第2圓周斜切寬Le相等 ’而第2缺口斜切寬L12係設定成與第1圓周斜切寬L5 及第2圓周斜切寬Le相等。因此，缺口斜切寬爲較 圓周斜切寬Le更長時，就可判別爲第1缺口斜切部1 1 側之主面，亦即第1主面3，又在缺口斜切寬L12與圓周 斜切寬Le爲相等之時，就可判別爲第2缺口斜切部1 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（.210 X 297公釐） 10 - A7 ____ B7五、發明説明（8 ) 側之主面，亦即第2主面4。 如上述，在本實施例，因使第1 2缺口斜切部1 2，在有關對於缺口 心面，予以形成非面對稱形，爲此， 斜切部1 1和第2缺口斜切部1 2， 1之表背面’亦就是第1主面3和第 識別出第1缺口斜切部1 1之時，就 缺口斜切部1 1和第 1 0之厚度方向之中 以進行判別第1缺口 就可判別具缺口晶圓 2主面4。亦即，當 可判別位於第1缺口 請 先· 閱 ik 背_ 面 冬 意 事 斜切部1 1 主面4側。 接著， 1 2之判別 人以目 圓1之第1 比較來判別 和第2缺口 定較第1圓 鄰接之第1 其長短，就 看鄰接之缺 其長短之時 1 1之一側 人們若 來實施判別 第1缺口斜 側爲第1主面3側，未位於該一側者爲第2 f 裝 iJ. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將對於 方法加 視來實 缺口斜 其長短 斜切部 周斜切 缺口斜 可判別 口斜切 ，就可 第1缺 以說明 施判別 切寬L ，就可 12。 寬L 5 切寬L 出第1 寬和圓 判斷爲 口斜切部11和第2缺口斜切部 之時，則以 i i和第2缺 簡單地判別 該時，第1 更大，故僅 η和第1圓 缺口斜切部 周斜切寬並 有可能並非 以使用電視攝像機之畫像 時，將以觀看比較具缺口 切寬Lu和第2缺口斜切 觀看實際之具缺口晶 口斜切寬L 12而加以 第1缺口斜切部1 1 缺口斜切寬L u因設 要觀看加以比較成相 周斜切寬L 5而判別 1 1側。此時，若觀 加以比較而難以判定 爲第1缺口斜切部 (影像）並以其判斷 晶圓1在電視影像之 寬L 12而判別其長短 本紙张尺度通用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210 X 297公t ) -11 B7 五、發明説明（9 ) 請 先- 閱 ik 背 ιέ 意 事 項 填 寫 本 頁 ’就可簡單地判別第1缺口斜切部1 i和第2缺口斜切部 1 2。由於斜切部對於主面形成傾斜著，由而具缺口晶圓 1之斜切部之在電視攝像機之影像，將被放映爲較主面爲 更暗之狀態，爲此，在具缺口晶圓1之電視影像中，工作 者可識別第1缺口斜切寬.L 及第2缺口斜切寬L 12。又 以觀看比較相鄰接之第1缺口斜切寬L η和第1圓周斜切 寬L5 ，亦可識別第1缺口斜切寬Lu» 再者’具缺口晶圓之在電視攝像機之影像中的斜切部 ’因會被放映成較主面更爲暗之狀態，爲此，在電視攝像 機之影像中’以臨限值設定成最適當之值時，亦可由電視 攝像機之影像而自動地予以識別第1缺口斜切寬L u及第 2缺口斜切寬Li2。因可自動地識別第1缺口斜切寬Lll 及第2缺口斜切寬L12，故可形成能自動地判別第1缺口 斜切部1 1和第2缺口斜切部1 2。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 至於第1缺口斜切部1 1之第1斜切角011，因設定 成較第2缺口斜切部1 2之第2缺口斜切角012更小，因 此，亦可由斜切角來判別第1缺口斜切部1 1和第2缺口 斜切部1 2。圖2係顯示以斜切角來判別第1缺口斜切部 1 1和第2缺口斜切部1 2之方法，亦即，顯示判別具缺 口晶圓之表背面用之方法之一實施例的模式圖。 使用於圖2所示之晶圓之表背面判別方法之斜切角判 別裝置2 0，係具備平行度測量器及斜切角測量器。平行 度測量器2 1係配設成對於測量台能經常維持於水平狀態 者’而具備有面光敏器（面光傳感器area photosensor) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7______ 五、發明説明（l〇 ) 2 2和投影器2 3。投影器2 3係配置於面光敏器2 2之 中心，以構成對於測量台能經常投影成垂直。面光敏器 2 2係構成接受來自測量台側之反射光，並將顯示接收光 之位置之信號傳送至控制器2 4。斜切角測量器2 5係在 測量台配置於平行度測量器2 1之缺口 1 0側之位置，並 對於平行度測量器2 1 ，以形成具有預置之所定角度（在 此，將做爲第1斜切角0131)加以傾斜之狀態被裝設著。 斜切角測量器2 5亦具備面光敏器2 6和投影器2 7，投 影器2 7乃配置於面光敏器2 6之中心，並構成對於傾斜 裝設面，經常成垂直（直角）來射光，面光敏器2 6係構 成接收來自測量台側之反射光，並將該顯示接收光之位置 之電信號傳送給予控制器2 4。 由構成如上述之斜切角判別裝置2 0來判別第1缺口 斜切角之時，首先，將由平行度測量器2 1之投影器 2 3來使平行度測量（用）光2 8 a照射於裝配於測量台 之具缺口晶圓1之第1主面3之缺口附近，並在第1主面 全反射之反射光2 8 b ，將由平行度測量器2 1之面光敏 器2 2所接收。面光敏器2 2將傳送顯示其接受光之位置 之座標信號至控制器2 4。 接著，由斜切角測量器2 5之投影器2 7來使斜切角 測量（用）光（線）29a照射至缺口 10之第1缺口斜 切部1 1之傾斜面，並由斜切角測量器2 5之面光敏器 2 6來接收在其傾斜面全反射之反射光2 9 b »面光敏器 2 6將傳送顯示其接收光之位置之座標信號至控制器2 4 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~~ (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί 装· -13 - 2dsl43 A7 ____B7 __ 五、發明説明（11 ) ο 當如圖2 (a)所示，具缺口晶圓1安裝成水平狀之 時’將從斜切角測量器2 5之面光敏器2 6傳送顯示接受 光之位置爲中心之座標信號至控制器2 4。而控制器2 4 將該座標值和預置（Preset)之基準值（參考值）加以比 較，倘若其差爲在於預置之公差範圍內之時，所測量之斜 切角就判定爲第1缺口斜切部11之傾斜角θ^。 另一方面，如圖2 (b)所示，倘若具缺口晶圓1形 成傾斜狀被裝設之時，將從平行度測量器2 1之面光敏器 2 2傳送顯示接收光之位置在於離開中心之位置之座標信 號給予控制器2 4。該座標值將顯示具缺口晶圓1之傾斜 角△ 0。 另一方面，從斜切角測量器2 5之面光敏器2 6，將 傳送顯示接收光之位置爲從中心離開之位置的座標信號給 予控制器2 4.。該座標位置係顯示斜切角測量器2 5之測 量（用）光2 9 a所照射之傾斜面，有傾斜多餘之傾斜角 △ 0之狀態。爲此，控制器2 4乃使由斜切角測量器2 5 之面光敏器2 6所離開之位置的座標值，以由平行度測量 器2 1之面光敏器2 2所離開之位置的座標值來加以校正 ，而求出與圖2 ( a )等值之座標值，並將該座標值與預 置之參考值加以比較，倘若其差爲在於預置之公差範圍內 之時，就判定所測量之斜切角爲第1缺口斜切部1 1之傾 斜角0 i i。 接著，將以顯示於圚3之過程圖及圖4所示之主要過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14 - A7 B7 五、發明説明（12 ) 程之模式圖來說明有關上述結構之具缺口晶圓之製造方法 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
首先， 長過程中， 而製造單晶 在方塊 阻率範圍之 在方塊 形，且直徑 在缺口 形狀之方塊 以鑽石磨石 線檢查來測 3 0正確地 置。該縱溝 之前述之平 在切片 乃以在圓形 以切斷。以 ，將在以後 以切斷縱溝 研光加工材 成較在具缺 。同樣，V 在以丘克拉斯基（ 從熔解多晶體矽之 體晶錠（未圖示） 切斷過程中，單晶 方塊，加以個別地 外周磨光過程中， 爲均匀之圓柱形狀 衝口過程中，以如 3 1之外周，以後 (未圖示）來切入 量單晶體方塊3 1 配置於單晶體方塊 3 0之橫向剖面形 面視爲v字形狀者 過程中，係如圖4 之薄板形狀而在內 該切斷所切出之薄 由加工斜切部而使 3 0而被形成。薄 料（量）或蝕刻加 口晶圓1之基板2 形溝4 0亦被形成
Czochraiski)法之單晶生 溶液中令單晶體使之生長， 〇 體晶錠係對於每具備一定電 切斷。 方塊將磨光成完整之真正圓 0 圖4 (a)所示，將在圓柱 將成爲缺口 1 0之縱溝3 0 而予以形成。此時，以X光 之結晶面之方位，並使縱溝 31之<011〉方向之位 狀乃被形成對應於缺口10 〇 (b)所示，具縱溝之方塊 周具有刀刃之鑽石刀片來加 板（以下簡稱爲薄板）32 形成缺口 1 0之V溝4 0係 板3 2係以預估著將後述之 工量及拋光ira工量等’而形 之完工尺寸有若干大之狀態 爲較缺口10之完工尺寸有 請 先-閲 讀 背· 1¾ 意 事 ▲ ί裝 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 15 ^^Sl4S A7 B7 五、發明説明（13 ) 若干小之狀態。薄板3 2在令V形溝4 0之位置使之整齊 之狀態下，排成一列縱隊於搬運模具（未圖示）並予以保 管。 在斜切加工過程（bevel ing過程）中，係如圖4 ( c )及（d )所示，將在薄板3 2圓周部予以個別形成第1 圓周斜切部3 5 (爲了與實施研光加工，蝕刻加工及拋光 加工等後之完成品者加以區別，將使用「3 5」。以下， 對於斜切部及主面亦採同樣之構思）及第2圓周斜切部 3 6。又在薄板3 2之V形溝4 0之兩方內周邊綠，予以 個別形成第1缺口斜切部4 1及第2缺口斜切部4 2 »而 該等斜切部之構造係在預估著將後述之研光加工量或蝕刻 加工量及拋光加工量等，而與完工品之前述具缺口晶圓1 之斜切部形成個別有相對應。以如此而在V形溝4 0予以 形成第1缺口斜切部4 1及第2缺口斜切部4 2之時，薄 板3 2就形成可判別表背面之狀態。亦即，在V形溝4 0 之形成第1缺口斜切部4 1之位於內（圓）周（邊）緣一 側之主面爲形成第1主面3 3，而形成第2缺口斜切部 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 4 2之位於內周緣一側之主面爲形成第2主面3 4。 將對於V形溝4 0之第1缺口斜切部4 1及第2缺口 斜切部4 2之斜切加工法的實施例，以使用圖4 ( e )及 (f )所示之磨光器具5 0之情況加以說明如下。 圖4 (e)及（f)所示之磨光器具50 ，係形成具 有凹狀之彎曲面於外周面之大略之圓柱形狀，並在其外周 面予以形成鑽石之磨粒層，而個別構成第1磨光面5 1 ’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐〉 -16 - 經濟部中央橾準局一貝工消費合作社印製 A7 ___B7 ___ 五、發明説明（14 ) 第2磨光面5 2，及第3磨光面5 3。第1磨光面5 1和 第2磨光面5 2係互相成相對向並個別予以形成配設於同 軸之各各圓錐面，第1磨光面5 1之底角051係設定成與 第1缺口斜切角0^相等，又第2磨光面5 2之底角 係設定成與第2缺U斜切角θ12相等。第3磨光面5 3則 形成與旋轉中心爲同心圓之圓柱面，而第3磨光面5 3之 半徑，係設定成可與缺口 1 0之內周端1 3之凹狀彎曲面 之曲率半徑r相對應。 當以該磨光器具5 0來對於V形溝4 0之第1缺口斜 切部4 1及第2缺口斜切部4 2實施斜切加工之時，將旋 轉中心以配設成與薄板3 2之中心線成平行之狀態，予以 轉動磨光器具5 0之同時，以倣照V形溝4 0之內周邊部 面慢慢地進給。由於該磨光動作，可在V形溝4 0之兩端 ，個別地予以形成具有第1缺口斜切角之第1缺口斜 切部，及具有第2缺口斜切角012之第2缺口斜切部4 2 〇 以如上述，對於V形溝4 0實施斜切加工以後，薄板 3 2以判別第1缺口斜切部4 1和第2缺口斜切部4 2 ， 就可判別表背面，亦即，可判別是否爲第1主面3 3或第 2主面3 4。換言之，在以後之處理過程中，而在實施例 薄板3 2之處理時，可統一表背面之處理，又亦意味著由 於統一而成爲可享受有利不利之狀況。爲此，在本實施例 ’爲了對於V形溝4 0之斜切加工以後之表背面之處理予 以統一，斜切加工作業後之薄板3 2，將配置第1缺口斜 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -β 17 - 五、發明説明（15 ) 切部4 1之朝向成一定方向之整齊狀，而被保管於搬運模 具（參照圖5及圖6)。 在研光過程中，薄板3 2將由氧化矽磨粒和甘由之拋 光材料來實施研光。由該研光加工，將使薄板3 2之厚度 之參差不齊（不均勻）減低至例如0.2ym以下。 在蝕刻過程中，薄板3 2將使其表背面實施整體性之 蝕刻加工。因由於直至現在之形狀上之加工，在薄板3 2 之表面上及周邊有產生破碎層及污染層，而以蝕刻加工來 去除該破碎層及污染層》該破碎層及污染層，通常爲1 0 //m左右，可由化學性之蝕刻處理來充分地加以去除。然 而，爲了完全去除破碎層，通常對於一側實施2 0 左 右之過蝕刻處理。作爲蝕刻液係使用氫氟酸，硝酸，酢酸 之混合液體。又使用氫氧化鈉，氫氧化鉀之鹼性蝕刻處理 亦可行。 拋光（鏡面完成）過程中，薄板3 2將實施拋光加工 於表背兩面。由於該拋光加工而薄板3 2之表背兩面將形 成鏡面完成之狀態，以致可確保高精密度之表面平坦性， 又形成解除了局部性之變動的狀態》依據本實施例，在缺 口斜切加工過程以下之過程中，表背面將以形成統一性之 處理，爲此，將如後述，可經常予以實施平版印刷術（1-ithography)處理於第1主面一側。因此，亦可謂拋光加 工僅在第1主面一側實施則可。惟對於第2主面側亦實施 例拋光加工時時，更上一層地可增進高精密度之表面平坦 性，並同時對於兩面可使之形成解除局部性之變動的狀態 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 請 先 閱 讀 背 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（16 ) ，因此，在實施平板版刷術處理時之具缺口晶圓1之平坦 度，更能上一層地予以增進。附帶說明時，拋光加工將使 用機械性•化學性拋光法。 以如上述，就成爲製造完成有關前述構造之具缺口晶 圓1 。該具缺口晶圓1在最終之洗滌過程中，予以洗滌之 後被包裝於輸送模具，並從晶圓製造工場運送至I C製造 工場。當進行該包裝時，具缺口晶圓1將使缺口1〇之配 置及第缺口斜切部11之朝向使之成爲統一狀態來包裝於 輸送模具。 接著，將以如上述所製造，且以所構成之具缺口晶圓 來實施I C之製造方法之一實施例，以對於前過程（預處 理）加以說明。 在有關前述結構（構造）之具缺口晶圓投入於預處理 之時，可由缺口之斜切部而確實地予以判別具缺口晶圓之 表背面。如圖5所示，該判別作業可使用前述之斜切角判 別裝置2 0。亦即，在配置具缺口晶圓用之輸送模具6 1 成水平來加以保持之機台6 2上方，設置有斜切角判別裝 置2 0成橫向。又在機台下方一側，配設有朝垂方向提高 晶圓用之升降機6 3成垂直方向而朝上。具缺口晶圓1 ， 在輸送模具6 1被保持成水平於機台6 2之狀態下’係形 成垂直豎立之狀態，而升降機6 3乃構成將具缺口晶圓1 以一次一片地朝垂直提上。 在判別表背面時，而具缺口晶圓1 2中升降機6 3從 輸送模具被提高時，將使所提升之晶圓1之缺口 1 0形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " '~ -19 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -ΪΤ- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7__ 五、發明説明（17 ) 相對向於斜切角判別裝置2 0。接著，依據前對於圖2所 述之作用’由斜切角判別裝置2 0，而進行是否爲第1缺 口斜切角0 i i之判別，以確認在斜切角判別裝置2 0 —側 已適宜地配置有第1主面3。當確認終了時，升降機就被 下降而晶圓1會回至搬運模具6 1之原位。接著，機台 6 2推進1個節距.，而令其次之晶圓1相對向於升降機 6 3 。 以下’就重複前述動作而對於收容於搬運模具6 1之 所有晶圓1實施表背面之判別。萬一，由斜切角判別裝置 2 0未判別爲第1缺口斜切角之時，將由控制器2 4 而發出警報。而作業（操作）者，將判斷該具缺口晶圓1 係收容成表背面成相反於搬運模具6 1 ，並從搬運模具 6 1抽出該具缺口晶圓1而送至洗滌過程等。以如此地特 別對於配置成表背面相反之具缺口晶圓1進行處理之理由 ’係由於第1主面3側當做處理面所使用而具有被污染之 威脅性，爲此’慎重起見予以迴避該危險性而實施之。 以如上述來判別表背面之具缺口晶圓，將在預處理中 ’裝配包括半導體元件之積體電路至表面側主面之第1主 面側’而做爲背側主面之第2主面側，將被使用爲其本身 之操作（處理）用。因此’被判別表背面之具缺口晶圓， 能在預處理中，將缺口位置及表背面之朝向（第1主面及 '第2主面之朝向）使成爲一致而經常供爲處理用。 例如在CMOS之井型圖型（well patterning)形 成過裎中，而爲了生長氧化矽膜所實施之熱處理作業時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -20 - 經濟部中央標準局’負工消費合作社印製 A7 B7 _ _ 五、發明説明（18 ) 具缺口晶圓係以複數片同時實施所謂成批處理。由於具缺 口晶圓群已預先使缺口之配置及表背面成爲一致來收容於 搬運模具，由而在實施如此之成批處理之時，僅將搬運模 具上之具缺口晶圓群，以成批轉移至處理用模具就可。例 如圖6 ( a )所示，令缺口及表背面成一致而收容於搬運 模具6 1之複數片具缺口晶圓1群，係首先形成成批移轉 至移轉（用）模具64。接著，如圖6 (b)所示’移轉 用模具6 4之具缺口晶圓1群乃維持該狀態以成批移轉至 做爲熱處理（用）模具之舟皿6 5。而該舟皿6 5係維持 該狀態放入於熱處理裝置（未圖示）之處理管而以成批來 實施熱處理。 以如此，當對於舟皿6 5之具缺口晶圓1群之缺口 1 0之配置及表背面之朝向以經常形成一定之關係來加以 處理時，因具缺口晶圓1內之對於處理管之位置關係會經 常形成一定，由而可由分析氧化矽膜之膜厚或膜質，電性 特性之分布來查明熱處理裝置固有之特性》又在實施不良 分析之時，以特定具缺口晶圓1內之對於處理管的位置關 係，就可增進解析不良狀況之精密度或可靠性。 再者，此時若以所謂圓形晶圓（包括單面鏡面晶圓） 來執行處理時，而在如上述之氧化或C VD等之成批處理 或蝕刻等之單片處理中，應使晶圓之特定之在結晶學上成 等值之結晶方位中之特定方位，朝著個別之處理裝置之特 定方向使之成一致，尤其爲重要。爲此，在最初之處理， 有必要以X光線等來判定結晶方位。而在以後之處理過程 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 一 -21 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί 裝 1T- A7 293143 B7 五、發明説明（19 ) 時，以晶圓上之平板印刷圖型等來判定結晶方位亦可。以 如此，將圓型晶圓之特定方位使之成一致來處理，並依據 該處理來實施全部數量之檢查或抽檢及反饋該資料（數據 )'至晶Ή處理中，以令處理之解析，由監視而反蝕至處理 過程之控制使之成爲極容易。再者’在各裝置中，並不需 要經常朝同一方向成一致’又在成批處理中，在一批內之 方向之統一，並非一定需要，只要在以後，至少在與裝置 之關係上能瞭解特定之晶圓取向就可。 接著，例CMO S之井型圖型形成過程中，而在以旋 塗器（spinner)來塗敷光阻材料（photoresist)膜於氧 化矽膜上之時，具缺口晶圓，係以每一片之所謂單片來加 以處理。在實施如此之單片處理時，具缺口晶圓因從搬運 模具以一片一片地取出來而加以處理，以致有必要使缺口 位置及表背面使之成一致放回搬運模具。而旋塗器夾頭之 停止旋轉位置由於不確定，由而以旋塗器塗敷後之具缺口 晶圓上之缺口的位置就成爲無法確定。爲此，將旋塗器所 塗敷之具缺口晶設定於曝光裝置時，有需要預先檢測缺口 之位置。將參照圖7來說明有關如此狀況時之缺口位置檢 測方法之一實施例。 以旋塗器所塗敷之具缺口晶圓1 ，係如（a )所示由 搬入（用）手（未圖示）被搬入於位置檢測機台7 1 » — 對4頻道測感器（察覺器）（以下簡稱爲左右察覺器） 7 2 ’ 7 3 ’在被具缺口晶圓1遮光之時刻，搬入（插入 )用手將會停止插入。如（b )所示，將左右察覺器7 2 本紙^尺度適用中ΐ國家標隼（CNS ) A4規格（2丨0 X297公釐） " ~ 22 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 、τ 經濟部中央標準局員工消費合作.杜印製 A7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明( 2 3 ) » 7 3 所 被 遮 光 之 時 間 差 > 予 以 換 算 成 X 方 向 之 偏 心 度 ( 量 ) ， 而 移 動 機 台 7 1 使 具 缺 □ 晶 圓 1 由 真 吸 著 夾 頭 7 4 來 加 以 保 持 〇 接 著 ϊ 如 ( C ) 所 示 1 具 缺 □ 晶 圓 1 乃 由 真 空 吸 著 夾 頭 7 4 來 予 以 旋 轉 » 而 如 ( d ) 所 示 » 由 缺 □ 粗 檢 測 察 覺 器 7 5 檢 測 缺 P 1 0 〇 接 著 » 如 ( e ) 所 示 > 缺 □ 1 0 乃 從 缺 □ 粗 檢 測 察 覺 器 7 5 之 位 置 朝 反 時 針 方 向 予 以 旋 轉 4 5 〇 > 而 使 之 移 動 至 以 C C D 所 構 成 之 攝 像 裝 置 7 6 之 攝 像 範 圍 〇 接 著 » 如 ( f ) 所 示 > 以 缺 □ 1 0 維 持 放 攝 像 裝 置 7 6 之 中 心 之 狀 態 下 具 缺 P 晶 圓 1 係 如 外 周 懸 掛 於 兩 察 覺 器 7 2 7 3 般 來 修 正 X Y θ 之 方 向 〇 如 ( g ) 所 示 在 予 以 微 量 S田 5/¾ 節 X Y Θ 之 方 向 後 將 如 ( h ) 所 示 具 缺 □ 晶 圓 1 以 維 持 該 狀 態 下 由 搬 進 ( 用 ) 手 7 7 來 送 進 曝 光 裝 置 ( 未 圖 示 ) 0 在 此 而 在 送 至 曝 光 裝 置 之 刖 對 於 被 微 量 =田 m 節 X Y θ 方 向 後 之 具 缺 P 晶 圓 1 可 由 刖 述 之 斜 切 角 判 別 裝 置 2 0 來 實 施 表 背 面 判 別 作 業 而 使 光 阻 材 料 膜 實 際 地 已 由 旋 塗 器 塗 敷 於 具 缺 □ 晶 圓 1 之 第 1 主 面 3 側 之 情 事 » 可 簡 單 地 加 以 確 認 〇 再 者 » 刖 述 實 施 例 中 ♦ 將 有 關 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 製 造 方 法 之 — 頁 施 例 之 I C 製 造 方 法 > 在 其 預 處 理 之 一 部 分 的 C Μ 〇 S 之 井 型 rm 圖 型 形 成 過 程 中 雖 對 於 生 長 氧 化 矽 膜 用 之 熱 處 理 作 業 及 其 氧 化 矽 膜 上 以 旋 塗 器 塗 敷 光 阻 材 料 膜 之 作 業 來 加 以 說 明 ， 惟 被 判 別 表 背 面 之 具 缺 □ 晶 圓 乃 在 預 處 理 之 全 盤 j 經 常 操 作 成 缺 □ 之 位 置 及 表 背 面 之 朝 向 ( 訂 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉A4規格（210X297公釐） 請 先-閱 讀 背 面· 之 注 意 事 項 再一 豪裝 頁 乂 -23 - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明（ 21 ) 第 1 主 面 及 第 2 主 面 之 朝 向 ) 使 之 成 一 致 〇 而 被 判 別 表 背 面 之 具 缺 □ 晶 圓 9 乃 在 預 處 理 中 > 將 裝 配 包 括 半 導 體 元 件 之 積 體 電 路 於 表 面 一 側 之 主 面 的 第 1 主 面 側 > 而 將 做 爲 背 面 一 側 之 主 面 的 第 2 主 面 側 則 使 用 爲 其 本 身 之 操 作 用 〇 爲 此 9 將 裝 配 半 導 體 元 件 之 第 1 主 面 側 9 並 不 會 由 於 操 作 而 被 污 染 之 情 事 產 生 ο 其 結 果 不 僅 可 增 進 半 導 體 裝 置 之 製 造 良 率 > 並 可 增 進 半 導 體 裝 置 之 品 質 及 可 靠 性 〇 依 據 ·>八 刖 述 之 實 施 例 將 可 獲 得 如 下 之 功 效 〇 ( 1 ) 由 於 將 具 缺 □ 晶 圓 之 缺 P 部 分 之 — 邊 主 面 之 內 周 ( 邊 ) 緣 部 所 形 成 之 斜 切 部 和 另 —· 邊 主 面 之 內 周 ( 邊 ) 緣 部 所 形 成 之 斜 切 部 使 之 互 形 成 相 異 以 致 以 辨 識 雙 方 之 斜 切 部 之 相 異 處 就 可 判 別 具 缺 □ 晶 圓 之 表 背 面 因 此 可 經 常 識 別 要 裝 配 半 導 體 裝 置 一 側 之 主 面 〇 ( 2 ) 由 於 刖 述 ( 1 ) 之 情 事 由 而 在 預 處 理 中 可 裝 配 包 括 半 導 體 ns. 元 件 之 積 體 電 路 於 表 面 側 主 面 之 第 1 主 面 側 並 將 rrrr 做 爲 背 面 側 主 面 之 第 2 主 面 側 可 經 常 使 用 於 其 本 身 之 操 作 用 ) 以 致 可 防 止 要 裝 配 半 導 體 元 件 之 第 1 主 面 側 由 於 操 作 而 被 污 染 之 情 事 其 結 果 不 僅 可 增 進 半 導 體 裝 置 之 製 造 良 率 並 可 增 進 半 導 體 裝 置 之 品 質 及 可 靠 性 ( 3 ) 形 成 相 異 者 爲 斜 切 部 > 而 缺 □ 之 平 面 形 狀 乃 能 維 持 圓 周 方 向 之 對 稱 形 » 因 此 不 僅 可 防 止 具 缺 □ 晶 圓 之 旋 轉 對 稱 形 及 半 導 體 裝 置 之 取 得 數 量 的 大 幅 度 下 降 » 並 以 維 持 缺 P 之 規 格 > 而 可 避 免 在 使 用 於 半 導 體 裝 置 之 製 造 方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 2ί 1) 法 之 既 有 製 造 裝 置 中 之 以 缺 □ 來 定 位 之 機 構 之 改 造 〇 ( 4 ) 因 以 缺 □ 之 表 背 面 之 斜 切 角 使 之 形 成 相 差 異 > 就 可 利 用 反 射 光 以 光 學 性 地 來 判 別 表 背 面 致 使 能 以 非 接 trim 觸 之 狀 態 下 執 行 具 缺 □ 晶 圓 之 表 背 面 判 別 因 此 > 可 避 免 因 接 觸 而 產 蔽 害 於 未 然 0 ( 5 ) 以 設 定 第 1 缺 口 斜 切 部 1 1 之 第 1 缺 □ 斜 切 角 Θ 1 1 成 爲 小 > 就 可 防 止 在 晶 膜 生 長 ( ep it ax i a 1 gr 0 W th ) 中 之 外 延 頭 頂 ( ep i t ax i a 1 cr 〇wn ) 之產生 因此 可避 免 由 於 該 產 生 而 形 成 取 ( 獲 ) 得 數 量 之 下 降 於 未 然 〇 ( 6 ) 因 以 具 備 非 對 稱 形 之 第 1 磨 光 面 及 第 2 磨 光 面 之 磨 光 器 具 來 個 別 地 形 成 缺 □ 之 第 1 缺 □ 斜 切 部 及 第 2 缺 □ 斜 切 部 由 而 能 將 互 相 形 成 非 對 稱 形 之 第 1 缺 □ 斜 切 部 及 第 2 缺 □ 斜 切 部 予 以 極 簡 單 地 來 形 成 故 可 抑 制 具 缺 □ 晶 圓 之 製 造 成 本 之 增 加 等 〇 圖 8 係 顯 示 本 發 明 之 實 施 例 2 之 具 缺 P 晶 圓 ( a ) 係 缺 □ 部 分 之 平 面 圖 ( b ) 係 其 底 面 1 〇-1 圖 ( C ) 係 沿 ( a ) 之 C — C 線 之 放 大 側 面 剖 面 Γ^Ι 圖 J ( d ) 係 沿 ( a ) 之 d — d 線 之 放 大 側 面 剖 面 1 C3 1 圖 〇 本 實 施 例 2 與 V/·. 刖 述 實 施 例 1 具 有 相 差 異 之 處 係 在 具 缺 □ 晶 圓 1 之 基 板 2 的 基 板 外 周 端 7 形 成 有 R 斜 切 部 8 之 同 時 在 缺 □ 1 0 之 缺 □ 內 周 端 1 3 亦 予 以 形 成 有 R 斜 切 部 1 4 之 乙 點 〇 而 缺 □ 內 周 端 之 R 斜 切 部 1 4 係 被 形 成 內 接 ( 內 切 ) 於 第 1 缺 □ 斜 切 部 1 1 和 第 2 缺 P 斜 切 部 1 2 之 同 時 > 至 少 在 第 1 缺 Π 斜 切 部 1 1 及 第 2 缺 □ 斜 切 部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} -25 — ^3143 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、‘ 皆明説明（ 2： Ο I 1 2 形 成 有 所 定 寬 度 之 平 坦 傾 斜 面 0 當 在 該 第 1 缺 □ 斜 切 1 1 部 1 1 及 第 2 缺 P 斜 切 部 1 2 之 平 坦 傾 斜 面 予 以 射 入 V- 刖 1 1 述 之 斜 切 角 判 別 裝 置 2 0 之 斜 切 角 測 量 ( 用 ) 光 ( 線 ) 1 I 請 1 I 2 9 a 之 時 > 因 其 反 射 光 2 9 b 之 反 射 角 會 形 成 爲 — 定 之 先 閱 I 讀 1 間 係 > 致 使 可 確 前 述 之 斜 切 角 之 判 別 〇 背 1 * 之 1 本 實 施 例 2 之 作 用 乃 與 刖 述 實 施 例 1 相 同 除 了 具 備 注 意 1 事 1 刖 述 實 施 例 1 之 功 效 之 外 更 加 上 可 達 成 由 於 R 斜 切 部 8 項 再一 及 1 4 而 可 防 止 所 謂 在 基 板 2 之 外 周 緣 及 缺 P 內 周 緣 之 畸 填 本 裝 I 變 或 損 傷 之 功 效 0 頁 'w· 1 1 圖 9 係 顯 示 本 發 明 之 實 施 例 3 的 具 缺 □ 晶 圓 ( a ) 1 係 缺 □ 部 分 之 平 面 圖 ( b ) 係 其 底 面 圖 ( C ) 係 沿 ( a ) 之 C — C 線 之 放 大 側 面 剖 面 圖 ( d ) 係 沿 ( a ) 之 訂. d — d 線 之 放 大 側 面 剖 面 圖 〇 1 | 本 實 施 例 3 CfeT 與 Λ /. 刖 述 實 施 例 1 具 有 相 差 異 之 處 係 在 具 1 I 缺 □ 晶 圓 1 之 基 板 2 之 第 1 主 面 予 以 加 工 成 鏡 面 ( 鏡 面 拋 1 ^丄 光 ) 而 第 2 主 面 4 並 未 加 工 成 鏡 面 拋 光 之 乙 點 0 而 鏡 面 1 拋 光 加 工 因 在 缺 P 之 斜 切 加 工 之 後 方 加 以 實 施 由 而 在 實 1 1 施 鏡 面 拋 光 之 加 工 時 因 第 1 缺 P 斜 切 部 1 1 已 由 第 1 缺 « I 1 P 斜 切 角 θ 11 之 測 量 而 被 判 別 因 此 形 成 預 先 加 以 選 定 1 I 第 1 缺 □ 斜 切 部 1 1 所 在 之 位 置 之 第 1 主 面 3 之 後 方 實 1 1 施 鏡 面 拋 光 之 加 工 〇 1 1 I 依 據 本 實 施 例 3 因 第 1 主 面 3 有 實 施 /〇ν 鏡 面 拋 光 而 1 1 第 2 主 面 4 未 加 以 實 施 鏡 面 拋 光 因 此 具 缺 □ 晶 圓 1 之 1 1 表 背 面 判 別 亦 可 由 第 1 主 面 3 和 第 2 主 面 4 之 觀 看 來 相 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26 - A7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 B7 五、 發明説明（ 24 ) f 比 較 而 實 施 之 0 1 1 ran 圖 1 0 係 顯 示 本 發 明 之 實 施 例 4 之 具 缺 □ 晶 圓 > ( a 1 1 ) 係 形 成 模 式 性 地 顯 示 結 晶 之 面 方 位 的 平 面 圖 > ( b ) 係 1 1 說 明 其 作 用 之 平 面 圖 〇 請 先 閱 I 本 實 施 例 4 與 > r- 刖 述 實 施 例 1 具 有 相 差 異 之 處 係 對 於 讀 背 1¾ 1 1 m i 矽 單 結 晶 ( 單 晶 ) 之 面 方 位 ( 1 0 0 ) 之 基 板 2 令 缺 □ 1 1 1 1 1 0 配 置 於 < 0 1 1 > 之 同 時 > 將 晶 圓 1 朝 < 0 1 0 > 或 事 項 再— 1 < 0 0 1 > 之 方 向 予 以 傾 斜 來 實 施 切 片 之 乙 點 〇 在 圖 1 0 填 % 本 裝 ( a ) 所 示 之 實 例 係 晶 圓 1 之 基 板 2 之 面 方 位 爲 ( 頁 1 1 1 0 0 ) > 配 置 有 缺 □ 1 0 之 方 向 爲 C 0 1 1 ] 而 朝 C 1 0 1 0 之 方 向 予 以 傾 斜 來 切 片 並 在 第 1 主 面 3 側 之 缺 □ 1 0 邊 緣 部 形 成 第 1 缺 □ 斜 切 部 1 1 以 令 rai 圖 1 0 ( a 訂 ) 所 示 之 第 1 主 面 3 側 能 成 爲 表 面 側 之 面 〇 然 而 萬 — 在 1 I 第 2 主 面 4 側 之 缺 P 1 0 邊 緣 部 錯 誤 地 形 成 第 1 缺 □ 斜 切 1 1 1 部 1 1 之 時 就 會 使 C 0 1 0 之 方 向 形 成 如 圖 1 0 ( b 1 ) 所 示 之 C 0 0 1 ] 方 向 〇 因 此 當 晶 圓 1 朝 著 < 0 1 0 Γ > 或 < 0 0 1 > 之 方 向 傾 斜 來 切 片 之 時 有 必 要 在 從 方 塊 1 切 出 基 板 2 之 時 予 以 正 確 地 管 理 表 背 面 之 同 時 在 缺 □ « I 1 1 0 之 第 1 缺 □ 斜 切 部 1 1 及 第 2 缺 □ 斜 切 部 1 2 乃 依 照 1 I 由 其 結 晶 方 向 所 決 定 之 基 板 2 之 表 背 面 來 正 確 地 予 以 形 成 1 I 之 必 要 〇 1 1 I 爲 此 在 如 本 實 施 例 4 之 對 於 結 晶 方 向 予 以 傾 斜 而 加 1 1 以 切 片 之 具 缺 P 晶 圓 之 製 造 方 法 最 好 在 對 於 缺 P 1 0 之 1 1 斜 切 I® 程 ( 參 照 1 〇 1 圖 3 ) 時 以 X 光 線 來 實 施 表 背 面 判 別 檢 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -27 - 經溱部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _B7______ 五、發明説明（25 ) 査爲其理想》 以上，雖由本發明人所完成之發明，以依據實施例來 具體的加以說明，惟本發明並非僅限定於前述實施例，當 然未脫離其要旨之範圍內可做種種之變更》 例如，在缺口之第1缺口斜切部及第2缺口斜切部， 並非僅限於在圓周方向予以形成對稱形，亦可形成非對稱 形。惟即使在該狀況下，應予以維持缺口之平面視形狀之 圓周方向之對稱形。 又並非僅限定於將形成於缺口之第1主面內周邊緣部 之第1缺口斜切部的第1缺口斜切角設定成1 5度， 又將形成於缺口之第2主面內周邊緣部之第2缺口斜切部 的第2缺口斜切角0 12爲2 5度。而在第1缺口斜切角 之加工公差（角度）做爲Κια，第2缺口斜切卑、012 之加工公差做爲Κ12之時，最好使第1缺口斜切角0 ^及 第2斜切角θ12予以.設定成可滿足下面之式子（1 )爲其 理想。 ^ 12 — 〇 ΐ!> Κ 11+ Κ 12 (1) 又並非僅限定於將形成於缺口之第1主面內周邊緣部 之第1缺口斜切部之第1缺口斜切寬度Ln設定成5 0 0 ，又將形成於第2主面內周邊緣部之第2缺口斜切部 之第2缺口斜切寬度L12設定成3 0 0 ，亦可設定爲 200至600//m»以判別之觀點言，第1缺口斜切廣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------装-- (請先閱讀背面之注意事項一^:填寫本頁) 訂 -28 - A7 B7 五、發明説明（26 ) 度和第2缺口斜切寬度之差異越大爲理想。又斜切寬度之 最大值，亦應思及產生取得數量之減少等之情事而加以決 定》 爲個別 來形成 在 明，惟 側面使 1主面 一側爲 背面側 以 適用於 之場合 適用於 相異之 亦可。 前述實 表背面 用亦可 側使用 表面側 面而做 上之說 成爲其 加以說 雙極性 請 閱 讀 背 面， 之 注 意 事 項 再一 ' 填 |裝 頁 第1缺口斜切部及第2缺口斜切部，並非僅限定於由 成一體之磨光器具來實施例切加工，即使以磨光面之角度 其他體之磨光器具來個別予以實施斜切加工
施例，雖以第1主面側爲表面側面來加以說 僅形成相對關係而已，故第2主面做爲表面 。亦即，在第2主面側予以裝配I C，而第 爲操作面用亦可。又亦可思爲，將裝配I C 盯· 面而做爲第1主面，被使用爲操作用一側爲 爲第2主面。 明，雖主要將由本發明人所完成之發明對於 背景之利用領域之MOS·IC之製造方法 明，惟並非僅限定於該場合，亦可全般性地 I C，或電晶體，光敏半導體裝置等之其他 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 法 方 造 製 之 置 裝 體 導 半 之 發 加 效 功 之 得 獲 匕匕 ABM 所 者 性 表 代 具 由 ： ’ 下 中如 明係 發， 之時 示明 1揭說 果所地 效案單 之本簡 明於以 邊邊 周周 內內 之之 面面 主主 方方 1 _ 的另 口於 缺成 之形 圓與 晶之 體使 導’ 半部 之切 口斜 缺之 具成 在形 將所 部 緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^03143 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（27 ) 緣部之斜切部互相形成相異，而以辨識兩方之斜切部之相 差異就可判別半導體晶圓之表背面，因此，以判別半導體 晶圓之表背面，就可經常識別將裝配半導體裝置一側之主 面，致使可由半導體晶圓來適當地製造半導體裝置。 又形成相異者，係在斜切部且缺口之平面形狀可維持 周周方向之對稱形，以致不僅可防止半導體晶圓之旋轉對 稱形及半導體裝置之取得數量之大幅度下降，並由於維持 缺口之規格，而可迴避使用於半導體裝置之製造方法之既 有製造裝置的由缺口來定位之機構等之改造》 〔圖式之簡單說明〕 圖1係顯示本發明之一實施例之具缺口晶圓，（a) 爲缺口部分之平面圖，（b)爲其底面圖，（c)爲（a )之沿c — c線之放大側面剖面圖，（d)爲（a)之沿 d — d線之放大側面剖面圖。 圖2之（a) ，（b)係顯示具缺口晶圓之表背面判 別方法之一實施例之各模式圖。 圖3係顯示本發明一實施例之具缺口晶圓之製造方法 的過程圖。 圖4係其主要過程之各模式圖，（a)爲缺口切入（ 開槽）過程後之斜視圖，（b)爲切片過程之斜視圖，（ c)爲實施斜切加工過程後之平面圖，（d)爲側面剖面 圖，（e)爲斜切加工過程之一部分切斷之部分平面圖， (f )爲其側面剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ -一° -30 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _______B7___ 五、發明説明（28 ) 圖5係顯示本發明之一實施例之使用具缺口晶圓之 1C製造方法中之表背面判別過程的模式圖。 圖6之（a) ，（b)係顯示熱處理過程中之轉移作 業的各正面剖面圖。 圖 7 之（a) ， ( b ) ， ( c ) ， ( d ) ， ( e )， (f) ， （g)係顯示曝光過程中之缺口位置辨認方法之 模式圖。 圖8係顯示著本發明之實施例2之具缺口晶圓，（a )爲缺口部之平面圖，（b)爲其底面圖，（c)爲（a )之沿c — c線之剖面圖，（d )爲（a )之沿d — d線 之剖面圖。 圖9係顯示著本發明之實施例3之具缺口晶圓，（a )爲缺口部之平面圖，（b)爲其底面圖，（c)爲（a )之沿c — c線之剖面圖，（d)爲（a)之沿d_d線 之剖面圖。 圖10係顯示著本發明之實施例4之具缺口晶圓，（ a)爲以模式形地來顯示結晶之面方位之平面圖，（b) 爲說明其作用用之平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項系填寫本頁) 装· L—訂- -31 -