TW283238B - NG analysis device for semiconductor chip and NG analysis method thereof - Google Patents

Description

283238 t 央 梯 準 為 工 消 費 合 作 社 印 製 C7 D7 經 五、: 剴作説明 ) 1 1 [產業上之利用領域] 1 1 I 本 發 明 有 闞 於 由 各 具 有 多 個 記 憶 器 單 元 之 多 個 小 片 (chip) 1 1 所 形 成 之 半 導 體 晶 片 之 不 良 解 析 装 置 和 不 良 解 析 方 法 0 r-V 請 先 1 閱 「習知之技術] 讀 背 rl 16 1 | 由 各 具 有 多 個 記 憶 器 舉 兀 (通常被配置成行和列之矩陣） 之 注 之 多 個 小 片 所 形 成 之 半 導 體 晶 Η 之 不 良 解 析 法 是 利 用 测 試 意 事 1 項 器 對 所 有 之 記 憶 器 單 元 進 行 電 特 性 之 測 試 將 其 測 試 結 果 再 填 1 寫 X (行 ) Υ (列） 之 座 標 空 間 顯 示 t 用 Μ 獲 得 對 應 到 不 良 原 本 頁 1 因 之 不 良 圖 型 (通常稱為不良位元圖 Μ下稱為FBM 使 用 1 1 該 F B Μ藉K推定不良原因 1 I 但 是 利 用 該 FB Μ所獲得之推定原因 對於不良之三 三次 1 訂 元 位 置 和 該 處 之 電 異 常 現 象 亦 即 在 何 處 發 生 (漏電✓ 開 路 1 /短路等） 不 良 琨 象 不 m 推 定 〇 1 1 質 際 上 為 著 進 行 不 良 之 改 菩 除 此 之 外 堪 稱 要 確 定 引 1 | 起 不 良 現 象 之 製 造 程 序 上 之 原 因 〇 1 一線 具 有 此 種 考 慮 者 被 揭 示 在 Ρ 本 專 利 案 特 開 平 6- 275688號 1 公 報 〇 1 亦 即 該 揭 示 之 實 例 之 方 法 是 利 用 缺 陷 檢 査 裝 置 用 來 獲 Ί 得 在多 個 X 程 之 製 造 線 之 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 1 I 異 物 ， 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 和 根 據 測 試 器 測 試 在 1 I 製 造 線 上 製 造 之 半 導 體 晶 Μ 之 各 個 小 η 之 記 憶 器 單 元 之 電 1 特 性 之 测 試鉍幕闲物1 得 不 良 位 元 資 料 (FBM) •經由對異物 ， 1 I 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 结 果 FBM進行校對 *用來推定不良原 1 因 是 否 為 製 造 工 程 中 發 生 異 物;缺 陷 之 原 因 〇 1 1 本紙張尺度逡用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 4 A7 92 /IV 明説 明發 、五 題 間 之 決 解 欲 所 明 發 不’ 示因 表原 之良 中不 果有 结能 試可 測亦 在， 定外 1 之 於置 限位 只 之 不良 並不 因示 原表 良在 不’ ， 置 是位 但之 良 不 之 有 所 是 不 並 陷 缺 物 異 之 生 發 中 0 程 多工 的造 當製 相在 況 ， 情外 種另 此 有 等 同 不 之 小 大 和 置 位 在 存 之 陷 缺 » 0 物 良 異不 照起 依引 ’ 會 因不 原亦 良 時 中 例 賁 示 揭 之 述 上 在 是 但 物 異 和 置 位 之 良 不 示 表 之 I 0 結 試 -測對 之旅 器 行 試進 測置 對位 未 之 並等 為陷 因缺 片 晶 體 導 半 1 〇 供 題提 間是 其的 為目 析其 解 ， 良題 不間 之之 分述 充上 行對 進針 不發 以本 所 之翮 得有 獲址 所位 器良 試 不 _ 該 在與 使在 即 ’ ’ 因 法原 方良 析不 解之 良 陷 不缺 及戌 置造 裝有 析沒 解址 良位 不良 之 不 該所獲 對因所 K 原器 可良轼 亦不測 , 之為 時得陷 況獲缺 情 所 之 之器響 在試影 存測有 因於沒 原由識 良出認 不找誤 之Μ會 陷可不 缺，和 成析， 造解陷 有行缺 置進之 位良成 之不造 (請先閱讀背面之注意事項再填耗本頁)

I

、tT 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 第 之 良叫明 不 WM 之f本 得 段 手 之 題 問 決 解 有 備 具 置 裝 析 解 良 不 之 Η 晶 體 導 半 之 樣 態 線試 造測 製性 之特 程電 Η 之 個元 多單 有器 具1i 在紀 用之 利 Η ， 小 置個 装各 定之 推 Η 域晶 區體 良専 不半 加之 追li : 製 用對表 成校片 製和晶 料.，體 資料：導 元資半 位件之 良條程 不定工 據限個 根別各 , 態之 料模線 資良造 元不製 位之有 良域含 不區包 得良受 獲不接 來加來 用追用 ， 示 ’ 果表置 结 Μ 裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 5 283238 B7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 五、發明説明（]) 1 1 1 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 所 獲 得 之 缺 陷 位 ncn 置 座 1 1 標 之 缺 陷 位 置 座 檷 資 料 和 用 以 表 示 根 據 不 良 位 元 資 料 之 1 I 不 良 位 置 之 物 理 性 位 置 座 標 資 料 及 不 良 模 態 別 限 定 條 件 請 先 Μ 1 丨 I 資 料 然 後 將 接 受 到 之 不 良 模 態 別 限 定 條 件 資 附 加 到 接 受 讀 背 到 之 物 理 性 位 置 座 標 資 料 用 VX 製 成 附 加 後 之 補 正 物 理 性 1 位 置 座 欏 資 料 賴 Μ 對 該 補 正 物 理 性 位 置 座 檷 資 料 和 接 受 1 項 1 再 1 1 到 之 缺 陷 位 置 座 欏 資 料 進 行 校 對 〇 填 1 % 本 本 發 明 之第2態樣之半専艚晶片之不良解析裝置具備有 頁 Ν_^ 1 | * 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 利 用 在 具 有 多 個 I 程 之 製 造 線 之 各 1 1 涸 工 程 之 半 導 趙 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 1 1 采 用 米 獲 得 缺 陷 位 置 座 檷 根 據 含 有 缺 陷 位 置 座 摞 之 1 訂 資 料 算 出 每 一 個 指 定 單 位 之 缺 陷 個 數 將 其 當 作 指 定 單 位 1 I 缺 陷 個 敝 資 料 進 行 輸 出 不 良 數 算 出 裝 置 利 用 在 製 造 線 1 1 1 製 造 之 半 導 體 晶 Η 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 爾 特 性 測 轼 1 1 結 果 用 來 獲 得 不 良 位 元 資 料 根 據 不 良 位 元 資 料 算 出 每 1 、線 個 指 定 單 位 不 良 敝 η 以 輸 出 指 定 單 位 不 良 數 資 料 和 1 相 關 依 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 指 定 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和 指 1 I 定 單 位 不 良 數 資 料 藉 Μ 進 行 該 兩 資 料 之 校 對 經 由 演 算 Ί 1 處 理 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 關 係 數 〇 I 1 本 發 明 之 第 3態樣之半導體晶片之不良解析装置具有 1 1 大 小 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 利 用 在 具 有 多 個 工 程 之 製 造 線 Ί 之 各 個 工 程 之 半 専 雅 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 査 1 I 結 果 0 用 來 獲 得 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 大 小 根 據 包 含 有 缺 1 1 I 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 大 小 之 資 料 用 來 算 出 每 —. 個 指 定 單 位 之 1 1 本紙张尺度適相屮HI國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標华局員工消资合作社印褽 五、發明説明（ 4 ) 1 1 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之 缺 陷 個 數 將 其 當 作 指 定 單 位 之 1 1 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 的 進 行 輸 出 不 良 數 算 出 裝 置 利 用 1 1 茌 製 造 線 製 造 之 半 専 體 晶 Μ 之 各 個 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 /—*. 請 先 閲 背 丨 等 性 測 試 結 果 用 來 獲 得 不 良 位 元 資 料 根 據 不 良 位 元 資 1 1 料 算 出 每 — 個 指 定 單 位 之 不 良 數 藉 U 輸 出 指 定 單 位 不 良 面 之 vi J 數 資 料 和 相 闞 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 指 定 單 位 大 小 別 意 華 1 1 項 缺陷個數資料和.指定單位不 良 數 資 料 藉 以 進 行 該 兩 資 料 冉 填- 之 校 對 經 由演算處理阑$算出兩資料間 之 相 RI 係 敝 〇 寫 本 頁 X 1 本 發 明 之第4態樣之半導«晶片之不良解析裝置具備有 ^ | : 類 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 根 據 在 具 有 多 個 工 程 之 製 造 線 1 之 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 撿 1 査 結 果 用 來 獲 得 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 形 狀 之 類 別 根 撺 訂 1 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 形 狀 之 類 別 之 資 料 用 來 算 出 每 1 1 —_. 個 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 類 別 之 缺 陷 涸 數 將 其 當 1 I 作 指 定 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 的 進 行 輸 出 不 良 數 算 出 裝 μ· 1 、線 置 利 用 在 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 各 個 小 片 之 記 億 器 1 1 單 元 之 電 特 性 測 試 結 釆 用 來 獲 得 不 良 位 元 責 料 根 撺 不 1 良 位元資料算出每一個指定單 位 之 不 良 數 藉 以 輸 出 指 定 單 1 位 不 良 數 資 料 和 相 關 係 数 算 出 裝 置 用 來 接 受 指 定 單 位 1 | 類別缺陷個敝資料和栉定坶位不 良 敝 資 料 藉 >Λ a 行 該 兩 資 1 I 料 之 校 對 經 由 演 算 處 理 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 關 係 數 〇 I 1 本 發 明 之 第5態樣之半導體晶片之不良解析方法所具備 1 1 之 步 m 包 含 有 根 m 在 具 有 多 個 2： 程 之 製 m m 之 各 個 工 程 1 1 之 半 導 體 晶 Η 表 面 之 異 物 » 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 參 用 1 1 本紙张尺度遍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8

A B7 \ϊ/ro /ίν 明 説 明 發 五 程電元 工之位 個元良 多單不 有器該 具憶據 在記根 據 之 .， 根 Η 料 ; 小資 料個元 資各位 之之良 棵片不 座品入 置艄取 位導來 陷半用 缺之 ， 有造果 含製結 包線試 人造測 取製性 來 之 特 不限限 據別別 根態態 棋横 料良良 資不不 標之加 座域附 性區料 理良資 物不欏 之 加座 置追置 位示位 良表性 不以理 示用物 表成在 Μ 製和 » ! 成枓料 製資資 , 元件 料位條 資良定 料料 資資 標裸 I tec 8 貝 置置 位位 性陷 物和 正料 補資 之標 後座 加置 附位 成性 製理 來物 用正 ’ 補 料該 資對 件以 條藉 定 - 備 具 所 法 方 析 解 良 不 之 片 晶 揖 AM 導 半 之 樣 態 6 第 0 之 對明 校發 行本 進 程用 Η , 個果 各結 之査 線檢 造性 製理 之物 程之 工等 個陷 多缺 有 ， 具物 在異 據之 根面 : 表 有片 含 晶 包體 驟導 步半 之 之 位得 陷獲 缺以 該藉 有’ 含數 包 個 據陷 根缺 ! 之 料位 資單 之定 標指 座個 置一 位每 陷出 缺算 有料 含資 包之 入標 取座 來置 之 ， 線果 造結 製試 之測 程性 Η 特 0 0 多之 有元 具單 在器 撺憶 根記 •I 之 料片 資小 數個 個各 陷之 缺片 位晶 單體 定導 指半 (請先閲讀背面之注意事項再填.Ϊ5本頁) .1,.

•IT 線 經濟部中央標準局只工消費合作社印製 指行 個進 一 和 每 出料 算資 料敝 資良 ,元不 位位 良單 不定 據指 根得 ; 獲 料Μ 資藉 元 ’ 位数 良 良 不不 入之 取位 來單 用定 Μ 藉 對 搾 >ζ 料 資 敝 良 不 位 37 定 指。 和敝 料係 資關 數相 個之 陷間 缺料 位資 Hi S SOT 定出 指算 第有 之含 明包 發驟 本步 之 備 具 所 法 方 析 解 良 不 之 片 晶 體 導 半 之 樣 態 程 Η 個 各 之 線 造 製 之 程 Η 個 多 有 具 在 據 根 用含 , 包 果據 结根 査 ·· 檢料 性資 理之 物小 之大 等陷 陷缺 缺和 ’ 標 物座 異置 之位 面陷 表缺 片有 晶 含 體包 導入 半取 之來 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 8 A7 B7 經濟部中夾標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（|; ) 1 1 I 有 該 缺 陷 位 置 座標和缺陷大資 料 t 算 出 每 一 個 指 定 單 位 1 1 之 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之 缺 陷 個 數 9 藉 獲 得 指 定 單 位 1 1 | 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 根 據 在 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 婧 先 閲 讀 背 Ί 各 個 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 等 性 測 試 結 果 取 入 不 良 位 元 面 | η 料 : 根 m 不 良 位 元 η 料 算 出 — m 指 定 單 元 之 不 良 數 » 之 注 1 藉 Μ 獲 得 指 定 單 位 不 良 数 資 料 和 進 行 指 定 單 位 大 小 別 缺 意 事 項 1 -1 陷 個 數 資 料 和 指 定 單 位 不 良 數 資 料 之 校 對 藉 Μ 算 出 兩 資 再 填 % 本 頁 1 料 間 之 相 關 係 数 0 1 本 發 明 之 第8態樣之半導雔晶Η之不良解析方法所具備 1 1 之 步 躲 包 含 有 根 據 在 具 有 多 個 X 程 之 製 造 線 之 各 個 工 程 1 1 之 半 導 艄 晶 )ί 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 用 1 訂 來 取 入 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 形 狀 之 類 別 之 資 料 根 1 I 據 包 含 有 該 缺 陷 位 置 座 搮 和 類 別 之 資 料 算 出 每 . 個 指 定 1 1 I 單 位 之 興 物 缺 陷 η 之 類 別 之 缺 陷 個 數 賴 Η U 得 定 m 位 1 1 類 別 缺 陷 個 數 資 料 根 據 在 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 各 1 線 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 等 性 測 試 結 果 取 入 不 良 位 元 資 A 1 I 料 根 據 不 良 位 元 資 料 算 出 每 —. m 指 定 單 位 之 不 良 數 Η 1 Ί | Μ 獲 得 提 定 單 位 不 良 數 資 科 和 m 行 指 定 單 位 類 別 缺 陷 個 1 數 資 料 和 指 定 單 位 不 良 数 資 料 之 校對/藉 算 出 兩 資 料 間 之 1 1 相 關 係 數 〇 1 1 在本發明之第1態樣中 將不良模態別限定條件資料附 1 加 在 物 理 位 置 座 檷 賁 料 饼 ΑΧ 由 對 該 附 加 後 之 補 正 物 理 性 位 1 置 座 標 資 料 和 缺 陷 位 置 座 檷 進 行 校 對 > 可Μ提高相;對 之 精 1 1 I 確 度 〇 1 1 本紙张尺度適用闽家樣準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局Μ工消費合作.ΐ印狀 五、發明説明（ 7 ) 1 1 1 在 本 發 明 之 第2態樣中 Μ可作為分布校對之方式 進ϋ .. 1 1 | 個 ~* 個 指 定 單 位 之指 定 單位 缺 陷 個 數 資料 和 指 定 單 位 不 1 I 良 數 資 料 之 校 對 用來 使 具有 不 良 原 因 之領 域 之 工 程 之 推 請 先 1 Ί 閲 I 定 變 成 很 容 易 Ο 讀 背 1 面 I 在 本 發 明 之 第3態樣中 以可作為分布校對之方式 進 1 1 I 意 行 每 一 指 定 單 位 之 指定 單 位大 小 別 缺 陷 個數 資 料 和 指 定 單 事 1 j 再 i 1 位 不 良 數 資 料 之 校 對， 用 來使 具 有 不 良 原因 之 領 域 之 工 程 填 1 定 成 很 容 易 本 之 推 變 0 頁 ·>._ I 在 本 發 明 之 第4態樣中 Μ可作為分布校對之方式 m 1 1 行 每 —. 個 指 定 單 位 之指 定 單類 別 缺 陷 個 數資 料 和 指 定 單 位 1 1 數 資 料 之 校 對 用 來使 具 有不 良 原 因 之 領域 之 工 程 之 推 定 1 訂 1 I 變 成 很 容 易 0 在 本 發 明 之 第5態樣中 將不良横態別限定條件資附加 1 1 I 在 物 理 性 位 置 座 槱 資料 經由 對 該 附 加 後之 補 正 物 理 性 位 1 1 置 座 標 資 料 和 缺 陷 位置 座 標資 料 進 行 校 對， 可 以 提 高 校 對 1 «^線 之 精 確 度 〇 1 在 本 發 明 之第6態樣中 經由對每- -個指定單位之指定 1 I 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和指 定 單位 不 良 數 資 料進 行 校 對 用 Ί 算 出 兩 資 料 間 之 相 關係 數 ，以 可 作 為 分 布校 對 之 方 式 用 1 1 來 使 具 有 不 良 原 因 之領 域 之工 程 之 推 定 變成 很 容 易 〇 1 1 在本發明之第7態樣中 經由對每- -個指定單位之指定 1 I 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數資 料 和指 定 單 位 不 良數 資 料 進 行 校 對 1 I > 用 Μ 算 出 資 料 間 之關 係 數， 以 κί 作 為 分布 校 對 Λ/ 方 式 » 1 1 I 用 來 使 具 有 不 良 原 £ 領 域 2 工 程之 推 定 變 成 很 容 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^3238 經濟部中央標準局舅工消費合作社印51 A7 B7五、發明説明（8 ) 在本發明之第8態樣中，經由對每一個指定單位之指定 單位類別缺陷個敝資和指定單位不良數資料進行对：對，用 Μ算出兩資料間之相關係數，Μ可作為分布校對之方式· 用來使具有不良原因之領±说之工程之推定變成很容易。 [實施例] 實胞例1 是方塊圖，用來表示本發明之實施例1之半専體晶Η 之不良解析裝置1。在圖]中，符號2是具有工程A，工程Β 丄程C，.....之半導體裝置1 Ν ()製堦線，山在鉍一個工 程配置有半専體製造裝置之集合體所構成。另外*在該實 施例1中，利用製造線2所製造之半導體裝置是丰導體記憶 裝置，具有記憶器區域用來形成被配置成Χ/Υ之矩陴狀之 多個記憶器單元。例如，M D R A Μ為對象時，半導體晶片Κ 形成有多個該半専體記憶裝置之小片者為對象。 符號3是缺陷檢査裝置，用來檢測在上述製造線2之各個 工程A,B,C.....之半導體晶Η之表面之異物和缺陷等（Μ 下總稱為缺陷，所稱之缺陷包括只有異物之倩況，只有缺 陷之情況*和兩者均有之性況），亦即，經由物理性之外 觀檢査（光學式檢査）用來進行檢測。該缺陷檢査裝置3具 谣奋：本體4，具有用來進行缺陷檢査之檢査部，和對來 自檢査部之檢査結困進行演算處理之演算部；和資料庫 (1)/Β)5，用來信脯存（記憶）該本體4演算處理後所輸出之 缺陷位置座襴（至少包含被檢査之半導體晶片之識別資訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ η _ (請先閲讀背面之注意事項再填舄本頁)

A7 B7 經濟郎t夾標参局Μ工消费合阼社印鉍 五、發明，祝明（t 3) 1 1 (1 1)) 被 檢查 之 工 程 和 表示 半 導體品 Η之表 面之缺 陷 位 1 | 座 榴 钽含 % 瑣 Μ 者 • W- 稱 為缺阽 )缺陥人小 1 I 和 類 別 等 〇可 以 在 每 個 工程 配 置該缺 陷檢査 裝置3 另 M- 先 ufl I 外 亦 可 Μ只 配 置 1台共用之檢査裝置3 例如 可以使 用 閲 讀 背 I I 1¾ 1 1 KL A2 1 $ * ( K L A公司製） SURFSCAH 7 * * * ( T E N C 0 N 公司製 ) 冬 意 事 1 I WZ880 ( 曰 立公 司 製 )等 i 1 項 另 外 上述 之 異 物 包 括 在製 造 工程中 所發生 之裝置 異 物 再 ii 寫 1 > m 程 殘 留物 蝕 刻 殘 渣 ，來 |Ξ| 環境之 灰塵， 和人為 異 物 本 頁 等 其 大 小為 〇. 1 ju m 數 百 m c 另夕卜 上述之缺陷亦包 1 I 拈 有 由 於 照相 製 版 和 蝕 刻 ，沾 B (薄氧化膜）， 變色等 所 產 1 1 I 之 Μ m 和 接 觸 不 1 1 Α*Λ* 付 口必 m 6是測試器（ 電 性 試 驗） 用來對丄述之製造線2所 製 訂 I 造 之 半 導 體品 片 之 各 個 hi 憶器 m 元進行 遒特性 之計测 例 1 I 如 m 行 對Id 憶 器 單 元 資 料寫 入 ，確認 該寫入 正確寫 入 $ 1 1 m 出 依 照不 良 之 原 因 使該 測 試结果 在Χ/Υ之座標空間 1 1 出 琨 不 良 圖型 II Μ 獲 得 不良 位 元_ (以下箱為FBM) sM 4泉 I 測 器 6具有 :本體7 用 來ϋ 行 遒性試 驗和對 試驗結 采 進 1 行 演 算 處 埋； 和 控 制 用 電 腦工 作 站（M下稱為控制用EWS )8 1 t 具 有 用 Μ顯 示 利 用 該 本 體7所獲得之F Β Μ之_ 不部， 和 用 I 1 K U 存 (紀憶） FB Μ之資料（ 測試 分 法，不 良位址 (利用記愴 1 I 器 之 配 線 之矩 陣 來 指 定 )等）之 資 料庫（D / B )等 1 1 例 如 * 該测 試 器 6可以使用J 937(TERADYHE公 司製） 1 1 T 5 3 6 5 P (A D V A H T E S ΐ 公 «] m )等 ； 1 I .AvV 付 號 g是資料格式變換裝置 ，用來接受上述之缺陷檢査 1 1 a 3所檢査3 叫和被演算處理過之賁料（ iJi Μ 昆 每一個 I： 程 1 1 本紙张尺度適用屮國國家標準（CNS ) Α4規格（210XW公釐） 12 經濟部中央標準局員工消资合作社印製 五、發明説明（j_U) 之缺陷位置座標|缺陷大小和類別等之資料，亦可以是暫 時紀憶在資料庫5之資料|缺陷位置座標可Μ Μ物理性位 置座標來表規）闭來表示半導體晶片内之某一個小片和表 示在小片内之離開預設原點之距離X t和y t (例如M w hi為單 位），χ1表示離開原點之横方向之距離，h表示離開原點 之縱方向之距離，總稱為1個或多個物理性置座標），和利 月上述之测試器6所儲存之演處理過之資料（可以是測試方 法和不良位址等之資料，不良位址Μ半専雔晶Η之小Η埋 輯位址（)(2和丫2(無單位））來表琨。Χ2表示離開位址原點之 行方向之位址，Υ2表示離開位址原點之列方向之位址，總 稱為1個或多個理輯位址。）根據指定之格式對各個資料進 行資料變換。 符號1 0是資料庳之第1記憶裝置，依工程別鹋存（記憶） 來自上述缺陷檢査裝置3之資料之被上述資料格式變換裝 置9進行資料變換後之資料（以下之說明簡稱為缺陷位置座 標資料。），用Μ表示缺陷位置座標資料之缺陷位置之資 料可ΚΚ物理性位置座標來表琨*用來表示半導體晶Η内 之某一個小片和表示在小片内之離開預設原點之距離X i和 Υ:(例如Μ «οι為單位），總稱為1個或多個物理性位置座標 ° ) 符號11是不良圖型認識裝置•用來接受來自上述測試器 6之資料之被上述資料格式變換裝置9進行資料變換後之賁 料（Μ下之說明簡稱為FBM資料）。根據該ΡΒΜ資料進行不良 圖型認識和分類處理，將其處理結果當作不良圖型之認識 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標率局1KX消资合作社印製 五、發明説明（1 j ) 1 1 I 1 分 類 位 置 座 標 資 料 (Μ下藺稱為不良圖型認識結果貢 1 1 I 枓 Ο 外 位 置 座 檷 η 料Μ 半 専 體晶 Η 之 小丨丨之 埋輯位 址 1 1 I 表 現 0 )的進行輸出 ) 請 先 閲 請 背 1 1 1 不 良 圖 型 認 識裝置1 1具有 演 算處 理 部 1 1 a，用來進行 1 | 1¾ I 不 良 圖 型 之 認 識 和 分 類 處理 ； 和 輸出 部 11 b，將來自演算 之 注 1 \ 意 1 I m 理 部 11 a之演算處理結果當作不良圖型認識結果資料 事 項 再 1 用 來 將 該 資 料 輸 出 〇 另 外， 不 良 圖型 之 認 識和分 類處理 是 填 寫 本 頁 1 利 用 以 配 線 矩 陣 之 交 叉 點表 示 之 點資 訊 之 牵白上 述測試 器 1 6之不良位址 根據半導體晶片之小片之所有之不良位址 1 1 f 認 識 每 一 個 小 片 之 不 良， 包 括 單一 F記憶器單元不良之 1 1 點 狀 不 良 (參照圖（2 )之 a )- 排 列 在直 線 上 多個記 憶器單 元 1 訂 不 良 線 性 不 良 a I狀不良，參照_ 2之 (b)) •被配 置成矩 陣 1 1 狀 之 多 個 p2 憶 器 單 元 不 良之 塊 狀 不良 (面狀不良） ，和線 狀 1 1 不 良 時 之 具 有 某 __. 長 度 之數 根 不 良， 藉 Μ 將其分 類成點 狀 1 1 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不良 等 〇 在圖2中I 符號1 0 0是不 良 1 線 _ 型 之 FBM影像 200是 與缺 陷 位 置座 標 資 料進行 校對用 之 | | 校 對 區 域 亦 即 以離開FBM影像100之 中 之距離r (根據缺 1 I 陷 檢 査 裝 置 3之缺陷檢査時之缺陷座標精確度（鈒 精確度 ) 1 I 和 小 片 之 配 線 圖 型 尺 寸 精確 度 所 決定 之 值 )所規定之區域。 1 1 符 號 12是 位 置 座 標 變 換裝 置 用來 將 來 自該不 良圖型 認 1 1 識 裝 置 1 1之不 良 _ 型 認 識結 果 資 料之 位 置 座標資 (以半導 1 | 體 晶 Η 之 小 Η 中 之 m 輯 位址 (X 1和Y i )來 表 現，總 稱為1個 1 I 或 多 個 邏 輯 位 址 0 ) 變換或表示該半導賭晶η内之某- 1 1 1 個 小 h 和 Μ 在 小 内 之 離開 預 設 原點 之 距 離）(2和 Y2 (單位 1 1 _ 1 4 一 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） 經濟部中央標準局Μ工消費合作社印狀 A7 B7五、發明説明（12) 為《 m，X 2表示離開原點之桷方向之距離，Y 2表示離開鹿 點之縱方向足距離。）表示之物理性位置座標（總稱為1個 或多個物理性位置座標。） 符號13是資料庫之第2記憶裝置，用來儲存（記憶）來自 該位置座標變換裝置之物理性位置座標資料（總稱為1個或 多個之物理性位置座檷資料。）。 符號14是追加不良區域推定裝置·用來接受來自上述不 良圓型認識裝置11之不良圖型認識結果，根據經驗和統計 等，設定由技術者製成之條件 > 利用依照該設定條件輸入 之不良圖型認識結果資料，用來进行不良之發生工程（根 據發生不良之質之位置），不良之位置，不良之大小之推 定（推論），利用不良圖型認識結果資料，對由於不良之存 在位置（電路上之位置）所產生之不良模態，推定（推論）其 追加不良區域*將該追加不良區域當作不良横態（不良狀 態）別限定條件資料的進行輸出。該不良馍態別限定條件 資料是利用表承半導體晶片内之某-彳®小片和在小片内之離 開預設原點之距離乂3和丫3(單元為wm，以物理性位置座標 來衷琨，X 3表示離開原點之横方向之距離* Y 3表示離開原 點之縱方向之距離，總稱為1個或多個之物理性位置座檷 。），用Μ指定追加不良區域之資料。 另外*根據由測轼器6所獲得之各種測試之結果，利用 經驗和統I·)等用Μ獲得設定條件。 另外•追加不良區域是在各種不良模態•根據經驗和統 計等所獲得之在不良之存正位置（笛路上之位罝）之可能發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） _ i r _ (請先Μ讀背面之注意事項异填寫本頁) 訂 經濟部中央梂準局貞工消费合作社印51 ^83238 a7 B7五、發明説明（13 ) 生缺陷（不良）之位置。例如，當根據來自测試器6之測試 結果（配線（位元線）不良）之不良圖型認識结果資料被推定 是由於圖型短路造成之配線（位元線）不良（不良之存在裝 置）時，就當作短路之不良條件，將控制配線之電路（周邊 遒路之配線（位元線）控制電路，來自測試器6之測試結果 是周邊電路沒有不良）當作追加不良區域。簧質上，如圖3 所示，小Η内之記憶器單元區域300中之W符號300A表示 之位元線位置，當根據由測試器6所獲得之各種測試之結 采被認識和推定為不良時，軚控制位線3 0 i? A，或是Μ符 號4 0 0 Λ所示之周邊電路（設在被連接到位元線3 0 0 Α之周邊 坳路區域4 0 0之多個周邊電路的其中之·）作為追加不良區 域。 符號]5是資料庫之第3記憶裝置，用來儲存（記憶）來自 該追加不良區域推定裝置之不良横態別限定條件資料。 符號16是核對裝置，用來接受被記憶在上述第1記憶裝 置1 0之工程別之缺陷位置座標資料，被記憶在上述第2記 憶裝置1 3之物理性位置座檷賁料•和被記憶在上述第3記 憶裝置1 5之不良模態別限定條件資料。該校對裝置1 6用來 在上述物理性位置座欏資料附加上述不良模態別限定條件 資料，亦即，在表示根據來自測試器6之測試結果之不良 之存在位置之物理性位置座檷資料，加入表示依照不良横 態別限定條件賁料之追加不良Μ域之物理性位置座檷資料 •作為加入有條件之物理性位置座槱資料。另外，該校釣％ 置16在該加入有條件之物理性位置座標資料，附加根據上 本紙张尺度適用t國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） -1 6 - (請先閲讀背面之注$項再填商本頁) A7 B7 經濟部中央橾半局Μ工消t合作社印裝 五、發明説明（:1 4) 1 述 缺 陷 檢 査 裝 置 3之缺洛梅砍沁座搮精確成(趿精 確 度 )和小 1 1 I 片 配 線 圆 型 尺 寸 精 確度 之 值 Γ 用來獲得誤差在指定範 1 1 1 圍 內 之 補 正 物 理 性 位 置座 檷 資 料 。另 外|該校 對 裝 置 16用 婧 先 RH 1 1 I 來 校 正 該 補 正 物 理 性 性位 置 座 標 資料 和工程別 之 缺 陷 位置 閲 讀 | Λ I 座 標 資 料 U 獲 得 半導 體 晶 Η 別. 小別· ：1： 程 別 •不 之 注 1 1 良 圖 型 別 之 校 對 結 果 0 意 事 項 1 \ 符 號 ]7是 資 料 库 之 第4紀憶裝置，用來儲存（記 憶 )來自 再 填 1 % 該 校 對 裝 置 1 6 之 校 對 結果 依 照 希望 的將所記 憶 之枚 對結 頁 1 果 直 接 輸 出 到 顧 裝 置（圖中米顯示） 。另外， 亦 可 Μ 不直 1 1 接 甲冊 出 被 記 憶 在 該 第 4記憶装置1 7之校對结果 1 1 符 號 18是 統 計 處 理 裝置 以 半 導體 晶片別， 小 Η 別 ，工 1 訂 1 I 程 別 不 良 圖 型 別 對被 記 憶 在 該第 4記憶裝置1 7之校對 结 果 進 行 統 計 處 理 和 輸忠 > 統 計 處理 和顯示之 實 例 如_ 1 1 4所不 ，圖4表 示 毎 — 日成 每 —- 批 之莱 一屬（L a y e r A ) Bfl 1 1 憶 器 單 元 (BIT) 位元線（BL)之不良數。 1 _線 符 號 19是 解 析 裝 置 ，由電 腦 工 作 站所 形成，其 構 成 包 含有 I Ϊ 上 述 之 資 料 格 式 變 換装 置 9 第1記 憶裝置10 1 不 良 圈型 1 I 認 識 裝 置 11 位 置 座 標變 換 装 置 12， 第2記憶裝置1 3 追 1 加 不 良 區 域 推 定 裝 置 14， 憶 裝置 1 5 ·校對 裝 置 16 ，第 1 1 4記憶裝置17和統計處理装置18 < 5該解析裝置19用來接受 1 1 包 含 有 缺 陷 位 置 座 搮 之資 料 (根據具I多個工程之製造線之 1 I 各 個 X 程 之 半 導 體 晶 片之 表 面 之 異物 ，缺陷等 之 物 理 性檢 1 1 I 査 结 果 )和不良位元資料（根 據 上 述製 造線所製 造 之 半 導體 1 1 I 晶 片 之 各 個 小 片 之 記 憶器 單 元 之 電物 性之测試 結 果 ) >另 1 1 -17 - 本紙悵尺度適用屮國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） ^^^238 ^^^238 經濟部中夾櫺率局員工消費合作社印製 五、發明説明（ π}) 外|解析裝置19用來製作表本根據上述不良位元資料追加 不良區域之不良模態別限定條件資料，和用來製作在表示 根據上述不良位元資料之不良位置之物理性位置座標資料 附加有上逑不良模別限定條件資料之補正物理性位置座 槱資料。另外，解析裝置19用來校對該補正物理性位置座 標貨料和根撺包含上述缺陷位置座標之資料之缺陷位置座 搮資料，然得輸出其校對结果。 下面將根據圖5所示之流程_用來說明依此方式構成之 半導體晶片之不良解析裝置之不良解析方法。 首先，如步驟S1所不，利用缺陷檢査裝置3對製造線2之 各個工程A、B、C、........之半導體晶片之表面之缺陷 進行物理性之外觀檢査（光學式檢査）用以獲得缺陷位置座 標，暫時Μ工程別等將該缺陷位座標纪仇i賓料庫5。 然後，如步驟S2所示，利用資料格式變換裝置9對經由 缺陷檢査装置3所獲得缺陷位置座標以指定格式進行寊料 依工程別將該資料變換後之資料當作缺陷位置座檷 資料的記憶在第1記憶裝置1 0。 另外一方面，如步驟S 3所示，利用測試器6，對製造線2 所製造之半導體晶片之各個小片之所有之記憶器單元進行 磁特性之測試· Μ其测試結果作為F B Μ。然後，如步驟S 4 所示，將該FBM之資料暫時的記憶在資料庫8。 然後，如步嫌S5所示，利用測試器6所獲靖之FBM之資料， 經由資料格式變換裝置9· Μ指定之格式進行資料變換， 被資料換後之FBM資料，經由不良圖型認識裝置11進行不 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ , „ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •1Τ A7 B7 經濟部中央標準局Μ工消资合泎社印狀 五、發明説明（1丨 1 1 良 圓 之 認 識 和 分 類 處 理 9 然 後 如 步 m S6所 示 的 將 其 當 作 不 1 | 良 圖 型 認 識 结 果 資 料 的 加 Μ 記 憶 〇 1 I m 時 之 不 良 圓 型 之 認 識 和 分 類 處 理 1 利 用 K 配 線 矩 陴 之 請 t nil 1 1 交 叉 點 表 示 之 點 資 訊 之 來 白 測 試 器 6之資料之不良位址 1¾) 背 1 I 1¾ 1 I 根 據 半 導 體 晶 片 之 小 片 之 所 有 不 良 位 址 f 認 識 每 __. 個 小 片 之 1 注 1 之 點 狀 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 將 其 分 類 成 點 狀 不 良 意 事 1 項 I ) 線 狀 不 良 面 狀 不 良 等 〇 冉 填 寫 t 其 次 如 步 驟 S7所 示 利 用 位 置 座 標 變 換 裝 置 12 將 來 本 頁 1 内 不 良 Μ 型 m 識 裝 置 11 之 不 良 _ 型 m 識 結 果 資 料 之 位 置 座 -—-- 1 I 標 資 料 (Κ邏輯位址表現） 變 換 成 物 理 性 位 置 座 標 資 料 〇 該 1 1 1 變 換 後 之 物 理 性 位 置 座 標 資 料 如 步 驟 S8所 示 的 被 記 憶 在 I 1 第 2記憶裝置1 3 > 訂 1 另 外 —* 方 面 如 步 驟 S9所 示 依 照 追 加 不 良 區 域 推 定 裝 置 1 I 1 4所 預 設 之 設 定 條 件 對 不 良 圖 型 認 識 裝 置 11 之 不 良 圖 型 1 1 認 識 結 果 資 料 之 不 良 存 茌 位 置 (電路上之位置） 所 產 生 不 良 1 1 m 態 推 定 基 追 加 不 良 區 域 用 獲 得 不 良 狀 態 別 限 定 條 I η· η 料 〇 所 獲 得 之 不 良 狀 態 別 限 定 條 件 貨 料 如 步 驟 S 1 0所 1 1 >K 的 被 記 憶 在 第 3記憶裝置1 5 1 其 次 如 步 W S 1 1所示 |利用校對裝置1 6 , 在 被 記 憶 於 第 1 1 2記憶裝置1 3之物理性位置座標資料 >附加被記憶在第3記 1 I 憶 裝 置 1 5之 不 良 模 態 別 限 定 條 件 資 料 ,用以獲得附加有條件 1 i 之 物 理 性 座 標 資 料 » 利 用 所 獲 得 之 附 加 有 條 件 之 物 理 性 座 1 1 機 資 料 i 用 來 獲 得 誤 差 在 指 定 範 圍 内 之 III 正 物 理 性 位 置 座 1 1 標 資 料 f 然 後 校 對 所 獾 得 之 袖 正 物 理 性 位 置 座 機 資 料 和 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標車（CNS ) A4规格（210X297公釐） -19 - 五、發明説明（17) A7 B7 被記憶在第1記憶裝置1 0之工程別之缺陷位置座槱資料， 用米獾搿半辱«晶Η別*小片別*工程別•不良_型別之 校對結果。所獲得之校對結果資料如步驟S 1 2所示的被記 憶裝置第4記憶裝置1 7。 然後，如步驟S 1 3所示，利用統計處理裝置1 8，依半導 體晶片別，小片別，工程別，不良圖型別，對被記憶裝置 在第4記憶裝置1 7之校對結果資料進行統計谢理，然後如 步驟S14所示的輸出校對结果之_表等。 依照此種方式構成之半導體晶Η之不良解析裝置，即使 在測轼器6所獲得之不良位址沒有造成缺陷之不良原因，在 與該不良位址有鼷之位置有造成缺陷之不良原因存在之性 況時f亦可以對該不良ϋ行解析，可找出由於測試器6所 獲得之不良原因所造成之缺陷，和不會誤認識影響沒有之 缺陷為測試器6所獲得之不良。 實施例2 經濟郎t央標準局Μ工消贤合阼社印聚 ΙΜΙ6是方塊圖，用來表示本發明之簧施例2之半専體晶片 之不良解析裝置1。在圖6中，其與圖1相同之號1〜9和11 用來表示與實施例1相同或相當之部份。符號2 0搓缺陷制 數算出裝置，用來接受來自上述缺陷檢査装置3之資料被 上述資料格式變換裝置9進行資料變換後之資料（在Μ下銳 明中簡稱為缺陷位置座標資料。用Μ表示該缺陷位置資料 之缺陷位置座檷之資料可Μ物理性位置座標來表現，用表 (請先閲靖背面之注意事項再填对本頁)

本紙张尺度過用中國國家標率（CNS ) Α4规格（2丨0X2W公煃） 20 A7 B7 經濟部中央標準局K工消費合作社印装 五、發明説明(is) 1 不 半 導 體 晶 Η 内 之 某 一 個 小 Η 和 表 示 在 小 Η 内 之 離 開 預 設 1 1 I 原 點 之 距 離 Xl 和 Yl (例如以w m 為 單 位 ) 總稱為1 個 或 多 個 1 1 物 理 性 位 置 座 標 〇 ) 根據該資料以工程別小片別 算出 請 1 I 閲 1 每 個 小 Η 單 位 之 缺 陷 個 數 將 其 當 作 X 程 別 之 小 Η 單 位 缺 背 1 1 陷 個 數 資 料 的 進 行 輸 出 0 之 1 I 符 號 21 是 資 料 庫 之 第 5記憶裝置 依工程別用來儲存（記 % 1 項 1 憶 )來自該缺陷涸數算出裝置之工程別之小Η單位缺陷個 再 1 寫 數 資 料 〇 本 頁 1 符 號 22 是 不 良 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 來 白 上 述 不 良 圖 型 'W 1 1 認 1助 裝 置 11 之 不 良 _ 型 認 m 结 果 資 料 依 不 麵 型 別 % 出 1 I 小 片 單 位 之 不 良 數 藉 以 輸 出 不 良 圖 型 別 之 小 片 單 位 不 良 1 訂 数 資 料 〇 例 如 該 不 良 數 算 出 裝 置 22 利 用 由 不 良 圖 型 認 1 I 識 裝 置 11 所 認 識 分 類 之 點 狀 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 1 1 等 之 不 良 圖 型 認 識 结 果 資 料 用 來 算 出 每 一 個 小 Η 單 位 1 1 之 點 狀 不 良 數 每 一 個 小 片 單 位 之 線 狀 不 良 數 每 — 個 小 1 線 片 單 位 之 面 狀 不 良 数 0 I 符 號 23是 資 料 庫 之 第 6記憶裝置 用來儲存（記 憶 )來自 1 該 不 良 數 算 出 裝 置 之 不 良 圓 型 別 之 小 Η 單 位 不 良 数 資 料 〇 1 符 號 24是 相 關 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 被 記 憶 在 上 述 第 1 1 5記憶裝置2 1之工程別之小片單位缺陷個數資料和被記憶 1 I 在 上 述 第 6記憶裝置2 3之不良_型別之小Μ單位不良數資 1 I 料 U Μ 進 行 該 兩 資 料 之 校 對 然 後 進 行 演 算 處 理 用 來 算 1 1 出 工 程 別 » 不 良 圖 型 別 之 該 兩 資 料 間 之 相 關 係 敝 ΰ 1 1 另 外 m 資 料 之 校 對 指 同 半 導 體 晶 片 之 毎 . 個 小 片 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 1 - A7 B7 經濟部中央標準局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（]ij) 1 之 小 Η 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和 小 片 單 位 不 良 數 資 料 之 校 對 > 1 1 或 是 Μ 小 h 面 積 除 小 片 單 位 缺 陷 個 数 資 料 後 之 小 Η 單 位 缺 1 1 陷 密 度 資 料 和 Μ 小 片 面 積 除 小 片 單 位 不 良 數 資 料 後 之 小 片 請 先 1 1 單 位 不 良 密度1妒技對 或 是 利 用 小 Η 單 位 缺 陷 個 數 資 料 或 閱 讀 背 1 1 小 Η 單 位 缺 陷 密 度 資 料 所 製 成 之 缺 陷 分 _ 和 利 用 小 片 單 面 之 注 1 1 位 不 良 數 資 料 或 小 片 單 位 不 良 密 度 資 料 所 製 成 之 不 良 分 布 1 項 1 1 圖 之 校 對‘ ，在 使 用 小 Η 單 位 缺 陷 密 度 資 料 和 小 片 單 位 不 良 密 再 填 % t 1 度 資 料 之 情 況 時 對 於 小 片 大 不 同 之 其 他 品 種 元 件 亦 可 本 頁 1 進 行 正 常 化 可 Μ 娘容 易 的 進 行 比 較 〇 1 1 另 外 利 用 相 關 係 數 算 出 裝 置 24算 出 之 相 關 係 數 Μ 下 述 1 1 方 A 算 出 υ 亦 即 假 定 在 半 導 體 晶 厂{ 肜 成 3 X 3之 9個小Η 1 訂 t 在 某 一 個 工 程 Ν 利用缺陷檢査裝置3 測 試 出 之 缺 陷 分 布 1 I 如 圖 7之U)所 示 根 據 測 試 器 6所獲得之測試結果之字線 1 1 之 不 良 圓 型 之 分 布 (物埋性位置被變更） 如 _ 7(b) 所 示 〇 圖 1 1 7 ( a ) 所 示 之 大 與 之 字 母 Α〜I和 圖 7(b) 所 示 之 小 愈 之 字 母 a 1 、線 1 I i 以Α對 a Β對 b之方式表示在相同之小Η 、 如 此 — 來 被 記 憶 在 第 5記憶裝置2 1之工程別之小片單 1 1 位 缺 陷 個 數 資 料 表 示 在 工 程 H之小Η A之 缺 陷 個 數 為 3 小 1 Ί Η B之缺陷個數為1 〇 另 外 被 記 憶 在 第 6記憶裝 1 1 置 23之 不 良 _ 型 別 之 小 片 單 位 不 良 數 資 料 表 本在 字 線 之 不 1 I 良 圖 型 中 之 小 片 a (相 當 於 小 片 A)之 字 線 不 良 數 為 4 小片b 1 I 之 字 線 不 良 敝 為 0 〇 1 1 1 相 關 係 數 算 出 装 置 24將 該 等 資 料 製 作 成 如 圖 7 ( C) 所 示 之 1 1 缺 陷 數 和 不 良 數 之 敗 布 圓 利 用 該 敗 布 圖 求 得 缺 陷 數 和 不 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 2 - 經濟部中央悌率而Η工消论合阼社印狀 A7 B7 五、發明説明（2U) 良數之相關函數。 符號2 5是資料庳之第7記憶裝置，依照工程別，不良圓 型別，用來儲存（記憶）由該相關數算出裝置2 4所算出之相 關係數，依照希望將所記憶之校對結果直接輸出到顯示裝 置（圖中未顯示）。另外*亦可似不直接輸出被記憶在該等 7記憶裝置2 5之校對結果。 符號26是統計處理裝置，依照半導體晶片別，小片別， 工程別，不良圖型別，對被記憶在第7記憶裝置2 5之相闞 愫數進行統計處理和輸出•該統計處理之-·實胞例如圆8 所示。圖8用來表示缺陷大小（或缺缺陷類別）和每一個層 (Layer A, Layer B, Layer C,Μ工程別表示）之相關係數 之關係，由_中可以瞭解*相關係敝接近1峙之相關成為 缺陷不良之原因。另外，依照是否有超過任意設定之管理 Μ |可Μ用來判斷是否為缺陷不良之原因。 符號27是由電腦工作站形成之解析裝置，其構成包含有 上述之資料格式變換裝置9 ,不良圖型認識裝置1 1，缺陷涸 數算出裝置20，第5記憶裝置21，不良數算出装22，第6記 憶裝置23，相關係數算出裝24，等7記憶装置25和統計處 理裝置2 6，該解析装置2 7用來接受包含有缺缺陷位置座標 之資料（根撺具有多個工程之製造線之各個工程之半導體 晶）丨农而之異物，缺陷等之物理檢査結果），和不良位元資 料（根據上述製造線所製造之半導體晶片之各個小片之記憶 器氓元之電特性之測試結果），根據包含有上述缺陷位置座 標之資料製作每一個小片翬位缺陷個數資料和根據上述之 不良位元資料製作每一個小片單位不良數資料，經由校對 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -23 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

^^3238 A7 B7 經濟部中央lf-爷局員工消費合作社印聚 五、發明説明（2丄） 該 小 片 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和 小 Η 單 位 不 良數資 料 用以獲 得 相 關 數 然 後 加 Μ 輪 出 〇 下 面 將 根 據 圖 9所示之流程圈用來說明依此方式構成之半 導 體 晶 之 不 良 解 析 裝 置 之 解 析 分 法 〇 苜 先 如 步 m S 1 0 1 所 示 利 用 缺 陷 檢 査裝置 3對製造線2 之 各 個 工 程 A B C . 之 半 導 體 晶 片 之表面无缺 陷 進行物 理 性 外 觀 檢 査 (光學式檢査） 用 以 獲 得 缺 陷位置 座 檷 ，然後 如 步 驟 S 1 0 2 所 示 Μ 暫 時 X 程 別 等 將 該 缺陷位 置 座 檷記憶 裝 置 在 資 料 庳 5 ) 然 後 由 缺 陷 檢 査 裝 置 3所獲得之缺陷位置座檷 根據 指 定 之 格 式 被 資 料 格 式 變 換 裝 置 9進行資料變換缺陷個數 算 出 裝 置 20用 來 接 受 被 資 料 變 換 後 之 缺 陷位置 座 禰 資料， 如 步 m S 1 03所 示 根 據 缺 陷 位 置 座 標 資 料，K 工 程 別和小 Η 別 用 來 算 出 每 一 個 小 Η 單 位 之 缺 陷 個 數，藉 以 製 作工程 別 之 小 片 單 位 缺 陷 個 數 資 料 〇 利 用 該 缺 陷 個 算 出 裝 置 20所 算 出 之 小 片單位 缺 陷 個數資 料 如 步 驟 S 1 0 4 所 示 被 記 憶 在 第 5記憶装|习。 另 外 一 方 面 如 步 m S 1 05所 示 t 利 用 測試器 6對在製線2 上 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 各 個 小 Η 之 所 有 之記憶 器 單 元進行 特 性 測 Η 將 其 測 試 結 果作 為 FBM 如步驟S 1 0 6所示· 將 該 FBM之資料暫時的記憶在資料庫8 〇 然 後 9 如 步 m S 1 0 1 所 示 > 經 由 测 轼 器 6所獾得之PBM之資 料 9 根 據 指 定 之 格 式 被 資 料 格 式 m 換 裝 置9進行資料變換 > 被 資 料 變 換 後 之 FB Μ資料經由不良圖型認識裝置 1丨進行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨OX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ η < ·!) 不 良 圖 型 之 認 識 和 分 類 處 理 然 後 如 步 驟 S 1 08所禾幻铖記 憶 » 作 為 不 良 圖 型 認 識 結 果 資 料 〇 m 時 之 不 良 圖 型 之 認 識 和 分 類 處 理 是 依 照 用 Μ 表 示 配 線 矩 陴 之 交 叉 點 之 資 訊 之料 測 試 器 6之資料不良位址 根 m 半 導 體 晶 片 之 各 個 小 片 中 之 所 有 之 不 良 位 址 i 認 識 每 __- 每 — 個 小 片 之 點 狀 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 II Μ 分 類 成 點 狀 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 等 0 μ 次 如 步 驟 S 1 0 9所 示 根 據 來 不 良 圓 型 認 識 裝 置 1 1 之 不 良 _ 型 認 識 結 果 資 料 利 用 不 良 敝 算 出 裝 置 22算 出 依 照 不 良 圖 型 別 之 小 片 單 位 不 良 數 例 如 利 用 不 良 m 型 認 si 裝 置 11 所 m m 分 類 之 點 狀 不 良 線 狀 不 良 狀 不 良 等 之 不 良 圖 型 認 識 結 果 資 料 算 出 每 . 個 小 片 單 位 之 點 狀 不 良 數 每 一 個 小 Η 單 位 之 線 狀 不 良 數 每 圓—·- 個 小 Η 單 位 之 面 狀 不 良 敝 賴 Μ 製 成 不 良 圖 型 別 之 小 Μ 單 位 不 數 資 料 〇 利 用 該 不 良 數 算 出 裝 置 22所 算 出 之 小 Η 單 位 不 良 數 資 料 如 步 驟 S 1 1 >所二的被記憶在第6記 憶 裝 置 23 0 其 次 如 步 躲 S 1 11 所 示 利 用 相 關 係 數 算 出 装 置 24進 行 被 記 憶 在 第 5記憶裝置2 1之工程別之小片單位缺陷個數資 料 和 被 記 憶 在 第 6記憶裝置2 3之不良圖型別之小片單位不 良 數 資 料 之 校 對 對 由 演 算 處 理 用 來 算 出 不 良 別 之 該 兩 資 料 間 之 相 關 係 數 0 例 如 > 相 關 係 敝 算 出 裝 置 24使 用 被 記 憶 在 第 5 g己憶裝置 21 之 工 程 別 之 小 Η 單 位 缺 陷 個 數 資 料 9 用 Μ 獲 得 如 圖 1 0 之 (t ) (d) (f )所示之工程/1 工 程 Β 、工程C之 缺 陷 分 布 0 η 先 閲 讀 背 ιέ 之 注 項 再 填 % 本 頁 本紙张尺度逍用屮國國家楳準（CNS )八4規格（2丨0X297公釐） 25 訂 經濟部t夾標準局，負工消费合作社印51 A7 B7五、發明説明（23) 另外，在圖10之（b)、（d)、（f)中之A1、B1、C1表示根據 各個小片單位缺陷個數資料所獲得之每一個工程A、B、C 之缺陷_，A 2、B 2、C 2表示出琨在各個缺陷圖上之每一個 工程A、B、C之缺陷分布區域。另外，圖1 0之（b )、（ d )、(f )與圖7之（a )所示者相當。 另外一方面，相關係算出裝置2 4使用被記憶在第6記憶 裝置2 3之不良圖型別之小片單位不良數資料，用來獲得根 據_ 1 0之（a )所示之不良國型之不良分布。 另外 > 在圖10之（a)中，F1表示不良圖型中之不良位元 F2表示出琨在不良位元圖上之不良_型之不良分布區 域。另外，圖10之U)與圖7之（b)所示者相當。 «外，相關係數算出裝置2 4用來校對苺個工程A、B、 C之缺陷_ A 1、B 1、C 1和不良位元_卜’ 1，亦即，求得每一 個Ί:程A、B、C之缺陷分布區域A 2、B 2、（: 2和不良分布區 域丨? 2之關係*用以獲得如圖1 0之（c )、（ e )、（ g )所示之工 程A、工程B、工程C之散布圖。 另外*在_ 1 0之（c )、（ e )、（ g )中，Μ横軸表示缺陷密 度，以縱軸表示不良密度，A 3、Β 3、C 3表示散布狀態，A 4 、B 4、C 4表示利用該散布狀態A 3、B 3、C 3所獲得之作為相 關队敝之基之I線。另外，Μ 1 〇之（c )、U )、U )與圖7之 (b )所示者相當。 使用依此方式獲得之每一個工程A、工程B、工程C之敗 布yi之敗布狀態A 3、B 3、C 3 I以相關像數算出裝置2 4求得 相關係敝。例如，求得_ 1 〇之U )、（ e )、（ g )所示之直線 A 4、B 4、C 4，根據該直線A 4、B 4、C 4之斜率求得相關係數。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-,1T A7 B7 經濟部屮央樣準局只工消f合作社印製 五、發明説明（21) 1 1 在 _ 10之 (C )、 ( e ) 、 (g )所示之實例中 ( C )表示相 關 係 1 1 | 數 為 0 . 8 λ -0 .9 (e ) (g )表不 大 致 為0，所Μ工程A之缺陷 1 I 成 為 不 良 原 因 工程B和C不是 不 原因。 —ν 請 1 1 亦 即 對 於 測 試 器 6之測試結果之不良圖型 與利用缺 閱 1 m 檢 査 裝置3所檢測出之毎- -個工程之缺陷進行校對 經 背 面 之 1 1 山 比 較 每 — 個 X 程 之 校 對 結 果 之 相 關係數 可 Η 很 容易 判 斷 | 1 I 某 一 個 不 良 圖 型 之 引 起 不 良 原 因 之 工程。 項 再 1 另 外 也 可 Μ 不 經 由 比 較 各 個 X 程之相 關 係 敝 用Μ 找 出 % 本 1 引 不 原 因 之 工 程 而 是 對 先 刖 之不良 圆 型 設 定相 關 % 頁 、· 1 1 數 之 管 理 值 9 經 由 使 每 個 工 程 之 相 關係數 和 管 理 值進 行 比 1 I 較 用 來 判 斷 是 否 為 引 起 不 良 原 因 之工程 〇 1 1 所 獲 得 之 相 關 係 敝 資 料 如 步驟S Η 2所示 的 被 記 憶在 第 7 1 訂 B 憶 裝 置 25 〇 1 1 然 後 如步驟S 11 3所示 利 用 統 計處理 裝 罾 26 ，依 半 専 1 1 體 171 即 片 別 二 I: 程 別 不 1¾ 圓 型 別 對被紀 憶 在 第7記憶裝 1 1 置25之 相 關 係 數 資 料 進 行 統 計 處 理 *如步驟S 11 4所示 將 1 良 其 結 果 以 圖 表 等 之 形 式 輸 出 0 1 依 照 此 棰 方 式 構 成 之 半 専 體 晶 fl 之不良 解 析 裝 置， 對 於 1 由 測 試 器6所獲得之不良圖型 |可Μ根據那- -個工程之缺 I 陷 很 容 易 的 解 析 缺 m 之 不 良 原 因 > 可Μ很 容 易 的 找出 由 於 1 1 测試器6所獲得之不良圖型之原因所造成之缺陷 和不會 1 1 誤 認 識 對 測 試器6所獲得之不良圖型沒有影響之工程之缺 1 I 陷 〇 1 1 另 外 在 上 述 之 實 胞 例 2中是Μ小片單位缺陷個數資料 1 1 和 小 Η 單 位 不 良 敝 資 料 作 為 每 — 每 小片單 位 之 資 料， 但 是 1 I 並 不 E：J 限 於 毎 一 個 小 Η 單 位 » 也 可 Μ Μ小 片 内 之 每一 個 指 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 2们公釐）-27 ^^3238 經濟郎中失標準局Μ工消費合作社印^ A7 B7五、發明説明（A) 定區域單位之缺陷個數，不良數作為資料。 另外|在上述之實施例2中是在利用相關彳|數算出狀置 24進行相關數之算出時獲得散布_ >根據該敗布_用來 獲得相關係數，但是並不只限於此實例之方式，也可以使 用其他之統計方法，進行兩資料之核對，用來；K得相關係 數。 實施例3 圖11表示本發明之實施例3，基本上與賞施例2相間，惟 -之不同之處是在施例2中依工程SU和小片SII算出每一猫 小片單位之缺陷個數，根據工程別之小片單位缺陷個敝資 枓和小丨i谢位不良敝資料求得相關樣數，然後迆行不良解 析*而本實施例3是依工程別和小Η別算出每一個小片單 位之缺陷之大小別（亦即粒徑別）之缺陷個數，根據工程別 之小Η單位大小別缺陷個敝資料和小Η單位不良敝資枓求 得相關係數*然後進行不良解析。 圆1 1中之與用以表示實施例2之圓fi相同之符號之1〜9， 1 1和2 1〜2 6用來表不與實施例2相間或相當之部份。符別 2 8 Μ大小別缺陷個數算出裝置，用來接受來自上述缺陷檢 查裝置3之資料之被上述資料格式變換裝置9進行資料變換 後之資料（在以下之說明中是指包含有被簡稱為缺陷位置 座搮資料之缺陷大小（粒徑）資訊者。；？外，用Μ表示缺陷 位置座標資料之缺陷位置座撺之資料可Μ Μ物理性位置座 標來表琨，用來表示半導體晶片内之姑一個小片和表示往 小丨丨内之離_預設原點之距離X t和Υ ,(例如M u m為舉位） 本紙依反度遍州，I，國闽家#-芈（CNS ) Λ4规格（210X297公毡） _ 28 - (靖先閱讀背而之注.項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標率局Μ工消费合作社印製 五、發明説明 1 I 總 稱 為 1個或多個物理性位置座標 ，：)根 據 該 資 料 依 X 程 1 I 別 和 小 別 算 出 缺 陷 大 小 (粒徑）別 之 每 一 個 小 片 單 位 之 1 1 I 缺 陷 大 小 別 之 缺 陷 個 數 > 藉 以 輸 出 工 程 別 之 小 片 單 位 大 小 請 先 1 1 別 缺 陷 個 數 資 料 〇 例 如 該 大 小 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置28用 讀 背 1 | 面 I 來 算 出 工 程A中之小片之粒徑X 1 U m n -X 2 U m ( Μ 下 稱 為 大 ! I 小 I ) 粒徑X 2 m〜X 3 JU m ( K 下 稱 為 大 小 I ) 粒徑X 意 事 項 再 填 % 本 頁 1 1 j 3 a t B X 4 w m (Κ下稱為大小m ) 之 各 棰 之 缺 陷 個 1 數 〇 太 1 1 符號2 9是資料庫 之 第8記憶裝置 依照工程別 大小別 I 1 > HJ 來 存 (記憶）來 算 m 大 小 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 之 工 程 1 1 別 之 小 片 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 0 1 訂 1 I 符別2 4是 相關馀數算出裝置 ) 用 來 接 受 被 記 憶 器 在 上 述 第8記憶裝置2 9之工程別之小片犟位大小別缺陷個敝資料 1 1 和 被 記 憶 在 上 述 第 6記憶裝置2 3之不良圖型別之小Η單位 1 1 不 良 數 資 料 對 該 兩 資 料 m 行 校 對 經 由 演 算 處 理 藉 以 算 1 出 X 程 別 大 小 Mj 不 良 圖 型 別 之 兩 資 料 間 之 相 闞 係 數 〇 1 另 外 該 兩 資 料 校 對 是 指 同 一 半 導 體 晶 片 之 小 Η 單 位 之 1 I 大 小 別 之 小 片 單 位 大 小 別 缺 陷 個 数 資 料 和 小 Η 單 位 不 良 数 1 1 資枓乏校對 或 是 小 片 面 積 除 小 片 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 1 1 料 後 之 小 Η 單 位 大 小 別 缺 陷 密 度 資 枓 和 VX 小 Η 面 楨 除 小 片 1 1 位 不 良 數 資 料 後 之 小 Μ 單 位 不 良 密 度 資 料 之 校 對/ ，或 是 利 1 I 用 小 片 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 或 小 Η 單 位 大 小 別 缺 陷 密 1 I 度 資 料 所 製 成 之 大 小 別 缺 陷 分 布 m 和 利用小 片 單 位 不 良 數 1 1 1 資 料 或 小 片 頭 位 不 良 密 度 資 料 所 製 成 之 不 良 分 布 _ 之 校 對 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央栊準杓只工消費合作社印製 五、發明説明（27) 。在使用小Η單位大小別缺陷密度資枓和小Η單不良密度 資料之Λ況時，對於小Η大小不同之其他品種•元件亦可 進行正常化，可Μ很容易的進行比較。 符別3 0是由電腦工作站形成之解析裝置·其構成包含宵 上述之資科格式變換裝置9，不良圖型認識裝置11，大小 別缺陷涸數算出裝置2 8，第8記憶裝置2 9，不良數算出裝 置22，第6記憶裝置23，相關係數算出裝置24，第7記憶裝 置25和統計處理裝置26。 該解析裝置30用來接受包含有缺陷位置座標和缺陷大小之 資料（根據具有多個工程之製造線之各個工程之半導體晶 IU表面之異物;缺陷等之物理性檢査結果），和接受不良位 h賓料（根據上述製造線所製造之半導體晶Η之各個小片 之紀憶器單元之電等性之測試結果），根據包含有上述缺 陷位置座標和缺陷大小之資料製作每一個小Η之小；單位 不良敝資料和根據上述不良位元資料製作毎一個小Η之小 片單位不良數資料，經由校對小片單位大小別缺陷個數資 料和小Η單位不良數資料，用以獲得相關係敝*然後加以 輸出。 下面_根據圖12所示之流程圖用來說明依此方式構成之 半導體晶片之不良解析裝置之不良解析方法。 首先·如步驟S201所示，利用缺陷撿査裝置3對製造嫌2 之各個工程A、B、C.....之半導體晶片之表面之缺陷進行 物理性外觀檢査（光學式檢査）用W獲得缺陷位置座檷和缺 陷大小，然後如步驟S202所示，以暫時工程別等將該缺陷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公t ) _ _ (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁)

A7 B7 經濟郎t央橾华跔員工消费合作社印^ 五、發明説明（ b') 1 位 置 座 標 和 缺 陷 大 小 記 憶 在 資料庫5。 1 _ 1 然 後 由缺陷檢査裝置獲得之缺陷位置座檷和缺陷大 1 1 I 小 根 據 指 定 之 格 式 被 資 料 格式變換裝置9進行資料變換 請 先 1 I 閲 I I 大 小 別 缺 陷 個 数 算 出 装 置 28用來接受包含有被資料變換 ik 背 而 1 1 I 後 之 缺 陷 大 小 之 資 訊 之 缺 陷 位置座標資料，如步驟S203所 之 1 意 事 1 示 根 據 包 含 有 缺 陷 大 小 資 訊之缺陷位置座標資料，Μ工 1 項 1 程 別 和 小 Η 別 算 出 大 小 別 之毎一個小丨彳單位之大小別之 再 填 % 1 Γ 缺 陷 個 敝 m 以 製 作 程 別 之大小別之、彳1丨彳單位大小別缺 本 I 陷 個 數 資 料 〇 1 1 利 用 該 大 小 別 缺 陷 個 數 算 出裝置28所算出之小片單位大 1 I 小 別 缺 陷 個 數 資 料 如 步驟S 2 0 4所示的被記憶在第8記憶 1 訂 裝 置 29 〇 1 | 另 外 方 Μ 如 步 驟S 2 0 5所豕，利用測試器6對在製造 1 1 線 2製造之半導體晶片之各個小Η之所有之記憶器單元進 1 1 行 電 特 性 測 試 將 其 測 試 结 果作為FBM，如步驟S206所示 1 泉 > 將 該 FBM資料暫時的記憶在資料庫8。 1 然 後 如步驟S 2 0 7所示 經由测轼器6所獾得之F Β Μ之寅 1 I 料 根 據 指 定 之 格 式 被 資 料 格式變換裝置9進行資料變換 1 Ί t 被 資 料 變 換 後 之 P B Μ資料經由不良蹦型認識裝置1 1進行 1 1 不 良 圖 型 之 認 識 和 分 類 處 理 ，然後如步驟S208所示的被記 1 I 憶 t 作 為 不 良 圖 型 m 識 結 果 資料。 1 I 這 時 之 不 良 圖 型 之 m 識 和 分類處理是照用Μ表示配線 1 1 1 矩 m 之 交 叉 點 之 資 訊 之 來 自 測試器6之資料中之不良位址 1 1 ) 根 據 半 導 體 晶 之 各 個 小 Η中之不良位址，認識每一個 1 1 本紙乐尺度遙州、丨，阁阐家榡牟（CNS )八4規格（21()Χ2ί)7公t ) -31- A7 B7 經濟部中央標苹局舅工消費合作杜印裝 五、發明説明（2 ij) 1 '小 Η 之 點 狀 不良 » 線 狀 不 良 > 面 狀 不 良 9 藉 VX 分 類成 點 狀 1 不 良 > 線 狀 不良 1 面 狀 不 良 等 〇 1 1 其 次 ， 如步驟S209所 示 t 根 據 來 i 不 良 圖 型 識裝 置 11 /-V 請 1 先 1 之 不 良 圖 型 認識 结 果 資 料 $ 利 用 不 良 數 算 出 裝置22算 出 依 閱 讀 1 背 照 不 良 圖 型 別之 小 片 單 位 之 不 良 數 9 例 如 » 利 用 不良 圓 型 之 1 m 識 裝 置 1 1所認 識 t 分 類 之 點 狀 不 良 9 線 狀 不 良 ，面 狀 不 注 意 事 \ 1 良 等 之 不 良 圖型 m 識 結 果 資 料 算 出 每 -· 每 小 Η 單位 之 點 項 再 1 1 狀 不 良 數 每一* 個 小 Η 單 位 之 線 狀 不 良 數 每 ___. 個小 Η 單 本 | 位 之 面 狀 不 良數 > 鍚 Μ 製 成 不 圖 型 別 之 小 Η 單 位不 良 敝 頁 '— 1 1 資 料 〇 利 用 不良數算出裝置2 2所算出 之 小 片 單 位 不良 數 資 1 1 料 如步驟S 2 1 0所示的 被記憶在第6記憶裝置2 3 < 5 1 I 其 次 如 步驟 S 2 U所 示 利 用 相 關 依 數 算 出 裝 置24進行 1 訂 1 被記憶在第8記憶裝置2 9之工程別之小片單位缺陷個数資 1 1 料 和被記憶在第6記憶裝置2 3之不良_型別之小片單位不 1 I 良 數 資 料 之 校對 經 由 演 自 處 埋 用 來 算 出 不 良別之該 兩 資 1 I 料 間 之 相 關 係數 0 1 線 例 如 $ 相關依算裝置2 4使用 被 記 憶在第8記億裝置2 1之 1 丁‘ 程 別 之 大 小別 之 小 片 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 ，用Μ獲 1 1 得 如 11 1 3之 (b) (d) (f )所示之工程（例 如 工 程 Α)之 大 小 1 I 1 ， 大 小 I 、大 小 I 缺 陷 分 布 〇 1 1 別 外 » 在 _ 13之 (b ) 、⑷ (f) f μ之 [! 11 1 、I 1 表 示 1 I 根 據 各 個 小 片單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 所 獲 得 之 各個 大 小 1 I I 11 I 之缺 陷 圖 » I 2 、11 2 、 a 2 、表示出琨在各個 1 1 缺 陪 m 上 之 火小 I 、 11 、 I 之 缺 陷 分 布 區 域 0 1 1 另 外 一 方 面， 相 關 依 數 算 出 裝 置24使 用 被 記憶在第6記 1 1 本紙张尺度適川屮國國家橾举（CNS ) A4規格（210X297公f ) - 32 - A7 B7 五、發明説明（：川） 憶裝置23之不良圖型之小片單位不良數資料*用來獲得根 據Wl 1 3之（a )所示之不良圖型之不良分布。 另外，在_13之U)中，F1表示不良_型中之不良位元 _ ，F 2表示出琨在不良位元_上之不良lil型之不良分布區 域。 另外，相關係數算出裝置24用來校對每一個大小I 、II 、m之缺陷_ I i、I i、m i和不良位元圖f 1，亦即，求 得每一個大小I 、H 、m之缺陷分布區域I 2、E 2、I 2 和不良分布區域F 2之闞係，用Μ獲得如圖1 3之（c )、（ e )、 U )所示之大小I 、大小I 、大小11丨之散布圓。 另外，在圖13之（c)、（e)、U)中，Μ横袖表示缺陷密 度，Μ縱軸表示不良密度，I 3、13、m3表示散布狀態， 1 4、I 4、n 4表示利用該散布狀態I 3、K 3、m 3所獲得 之作為相關係數之基之直線。 使用依此分式獲得之每一個大小I 、大小Π 、大小II之 敗布圖之敗布狀態I 3、n 3、Jl 3，Μ相關係數算出裝置 2 4求得相關係敝。例如，求得圖1 3之（c )、（ e )、（ g )所示 之直線14、 H*、ΪΙ4，根據該直線1<、 H4、11«之斜率 求得相關係數。 在_ 1 3之（c )、（ e )、U )所示之實例中，（g )表示相關係 數為0.8〜0.9，（c)、（e)表示大致為0，所Μ大小Μ之缺 陷成為不良原因，大小I和Μ不是不良原因。 經濟部屮央俅率局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填将本頁) 亦即，對於測試器6之測試結果中之不良圖型，與利用 缺陷檢査裝置3所檢測出之每一個工程之大小別之缺陷進 行校對•經山比較每一個工程之大小別之校對結果之相關 係數，可Μ很容易的判斷某一個不良國型之引起不良原因 之大小。其結果是可以大抽出缺陷大小對不良圖型之影響 ，因為所欲管理之缺陷大小和所欲進行不良對策之缺陷大 小變為明確，所Μ管理和對策之進行變成非常容易° 另外，也可Μ不經由比較各個大小之相關係數用Μ找出 本紙張尺度適用十國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-33 - 283238 A7 B7 經濟郎中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（3 i) 引起不良原因之大小，而是對先前之不良圖型設定相RS數 之管理值•經由對每一個大小之相關係數和管理值進行比 較，用來判斷是否為引起不良之大小。 所獲得之相關係數資料如步驟S 2 1 2所示的被記憶在第7 記憶裝置25。 然後，如步驟S 2 1 3所示•利用統計處理裝置2 6，依半導 體晶片別*工程別，大小別，不良圖型別，對被記憶在第 7紀憶裝置2 5之相關係敝資料進行統計處理•如步驟S 2 1 4 所示*將其結果K圖表等之形式#出。 依此種於式構成之半導體晶Η之不良解析裝置·對於由 測試器6所獲得之不良圖型，可以根據那一個大小之缺陷 ，很容易的解析缺陷之不良原因，可以得容易的找出由於 測試器6所獲得之不良圖型之原因所造成之缺陷，和不會 誤認識對測試器6所獾得之不良圓型沒有影響之大小之缺 陷。 另外，在上述之實施例3中是Μ小片單位大小別缺陷個 數資料和小片單位不良數資料作為毎一贴I小片之資料•但 是並不只限於每一個小片單位，也可Μ以小片内之每一個 小片内之指定區域單位之大小別之缺陷個數，不良數作為 資料。 另外，在上述之實施例3中是在利用相WU务數算出裝置 2 4進行相關係數之算出時獲得散布圖，根據該敗布圖用來 獲得相闞係敝，但是並不只限於此實例之方式，也可以使 用其他之統計各法，進行兩資料之校對，用來求得相關〇 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ 3 4 - (請先閱讀背面之注$項再填寫本瓦)

A7 B7 經濟部中央標伞局·Μ工消费合作社印製 五、發明説明（32 ) 數。 實施例4 圖14表示本發明之實施例4，基本上與實施例2相同•惟 一之不同之處是在實施例2中依工程別和小片別算出每一 個小片單位之缺陷個數，根據工程別之小片單位缺陷個數 資料和小片單位元良數資料求得相關係敝•然後進行不良 解析*而本實施例4是工程別和小片別迆行每一個小片 單位之缺陷形狀別之類別分類，例如分類成圖型缺陷為異 物，或凹或凸，表面為平面或粗面等*然後算出依照類別 分類之缺陷個数，根據工程別之小片單位類別缺陷個數資 料和小片單位不良數資料求得相關係，然後進行不良解 析ΰ 在圖14中之與用Κ表示實施例2之圖6相间之符號之1〜9 • 1 1和2 1〜2 6用來表示與霣胞例2相同或相當之部份。符 號31是類別缺陷個敝算出装置，用來接受來自上述缺陷檢 査裝置3(包含有光學顯微鏡或SEM之觀察裝置）之資料被上 述資料格式變換裝置9進行資料變換後之資料（在Μ下之說 明中是指包含有披簡稱為缺陷位置座標資料之上述類別大 小資訊者。另外，用以表示缺陷位置座標資料之缺陷座標 之資料可以物理性位置座欏來表琨，用來表示半導賭晶Η 内之某一個小片和表示茌小片内之離開預設原點之距雔X t 和Y ,(例如M W m為單位），總稱為1個或多個物理性位|座 檷。），根據該資料依工程別和小片k，算出類別之每一 個小片單位之類別之缺陷涸數，藉以輸出工程別之小Η單 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210 Χ 297公釐） _ 3 5 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ A7 B7 經濟部中央標苹局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（3 :υ 1 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 〇 例 如 該 類 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 31 1 J 用 來 算 出 工 程 Α中之凹之缺陷個數 凸之缺陷個數 粗面 1 1 I 之 缺 陷 個 數 Ο 請 先 1 1 符號32是資料庫之第9記憶裝置 依工程別 類別 用 閱 讀 背 I ι6 1 I 來 儲 存 (記憶）來 白 該 類 別 缺 陷 圆 算 出 裝 置 之 工 程 別 之 小 Η 之 1 注 意 事 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 0 1 項 1 符 號 24是 相 關 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 被 記 憶 在 上 述 第 再 填 寫 9記憶裝置3 2之工程別之小片單位類別缺陷數資料和被記 本 頁 Γ 憶 在 上 述第6記憶裝置23之不良圖型別之小Η單位不良數 1 1 資 料 對 該 兩 資 料 進 行 校 對 經 由 演 算 處 理 算 工 程 別 類 1 | 別 不 良 圖 型 別 之 兩 資 料 間 之 相 闞 係 數 〇 1 訂 另 外 該 兩 資 料 之 校 對 是 指 同 __. 半 導 體 晶 片 之 小 片 單 位 1 之 類 別 之 小 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 和 小 片 單 位 不 良 數 資 1 1 料 校 對 或 是 Μ 小 片 面 積 除 小 Η 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 後 1 1 之 小 Η 單 位 類 別 缺 陷 密 度 資 料 和 小 片 面 稹 除 山片 單 位 不 1 1 良 数 資 料 後 之 小 片 單 位 不 良 密 度 資 料 之 校 對 或 是 利 用 小 Η 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 或 小 片 單 位 類 別 缺 陷 密 度 資 料 所 <1 1 | 製 成 之 類 別 缺 陷 分 布 圖 和 小 片 單 位 不 良 數 資 料 或 山片 單 位 1 不 良 密 度 資 料 所 製 成 之 不 良 分 布 圖 之 校 對 〇 在 使 用 小 Η 單 1 1 位 類 別 缺 陷 密 度 資 料 和 小 片 單 位 不 良 密 度 資 料 之 惰 況 時 » 1 | 對 於 小 片 類 別 不 同 之 其 他 品 種 > 元 件 亦 可 Μ 進 行 正 常 化 » 1 I 可 很 容 易 的 進 行 比 較 0 1 1 1 符 號 33是 由 電 腦 X 作 站 形 成 之 解 析 裝 置 t 其 構 成 包 含 有 1 1 上 述 之 資 料 格 式 變 換 装 置 9 •不良圖型認識装置1 1 ，㈣ 1 1 本紙张尺度適用中國囤家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公t ) - 36 - A7 B7 經濟邶中央標準局負工消费合作社印鉍 五、發明説明（34) 1 1 I 缺 陷 個 數 算 出 裝 置31 第 9記憶装置32 不良數算出裝置 1 | 22 第 6記憶裝置23 · 相關係數算出裝置24 第7記 憶 裝 置 1 I 25和 統 計 處 理 裝 置26 0 該 解 析 装 置 3 3丨时接 受 包 含 有 缺 陷 位 請 先 1 1 | 置 座 搮 和 類 別 之 賁料 (根撺具有多工程之製造線之各個 讀 背 1 1 工 程 之 半 導 體 晶 片之 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 之 注 1 意 1 I 果 ) >和接受不良位元資料（根 據 在 上 製 造 線 製 造 之 半 導 事 項 1 1 再 1 I 體 晶 片 之 各 小 片 之記 憶 器 單 元 之 電 特 性 之 測 試 結 果 ) 根 填 % Η 撺 包 含 有 上 述 缺 陷位 置 座 檷 和 類 刖 之 資 料 製 作 每 一 個 小 Η 本 頁 Γ I 之 小 Η 單 位 別 缺陷 個 數 資 料 和 根 據与£不 良 位 元 資 料 製 作 1 1 每 一 個 小 片 之 小 片單 位 不 良 數 資 料 經 由 校 對 小 單 位 類 別 1 1 缺 陷 資 料 和 小 片 單位 不 良 數 資 料 用 Μ 獲 得 相 闞 侏數 然 1 訂 後 加 以 輸 出 〇 1 I 下 面 將 根 據 圓 (5所 示 之 流 程 圖 用 來 說 明 依 此 方 式 構 成 之 1 I I 半 導 體 晶 片 之 不 良解 析 裝 置 之 不 良 解 析 方 法 〇 1 1 首 先 如 步 m S301 所 示 利 用 缺 陷 檢 査 裝 置 3對製造線2 1 厚 之 各 個 X 程 A B ' C. • · 之 半 導 體 晶 片 之 表 面 之 缺 陷 進 行 物 1 理 性 外 觀 檢 査 (光學式檢査） 用 Μ 獲 得 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 1 1 肜 狀 之 類 別 然 後如 步 驟 S 3 0 2 所 示 以 暫 時 ：1： 程 別 等 將 該 1 1 缺 陷 位 置 座 標 和 類別 記 憶 在 資 料 庫 5 5 1 1 然 後 • 由 缺 陷 檢査 裝 置 3所獲得之缺陷位置座標和類別 1 1 9 根 據 指 定 之 格 式被 資 料 格 式 變 換 裝 置 9進行資料變換 1 1 類 別 個 數 算 出 裝 置31 用 來 接 受 包 含 有 被 資 料 變 換 後 之 缺 陷 1 I 形 狀 之 類 別 之 資 訊， 如 步 驟 S 3 0 3 所 示 根 m 包 含 W 類 別 之 1 1 I 賁 stl 之 缺 陷 位 置 座禰 資 料 » Μ X 程 別 和 小 Η 别 参 算 出 類 別 1 1 本紙張尺度適用屮國囤家梯準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 37 ^^3238 A7 B7 經濟部中央標苹M工消費合作社印製 五、發明説明d 1 ) 1 1 之 每 一 個 小 片 單 位 之 大 小 別 之 缺 陷 個 数 藉 Μ 製作 工 程 別 1 I 之 m 別 之 小 Μ 單 位 類 別 缺 陷 個 敝 資 料 〇 1 1 I 利 用 該 類 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 置 3 1 所 算 出 之 小 Η單 位 類 別 請 先 1 1 閲 I 缺 陷 個 數 資 如 步 驟 S304 所 示 的 被 記 憶 在 第 9記記憶裝置 讀 背 1 1 ιέ 32 〇 之 注 1 另 外 一 方 面 如 步 m S 3 0 5 所 示 利 用 测 試 器 6對製造線2 息 事 1 項 所 製 造 之 半 導 體 晶 Η 之 各 個 小 片 之 全 部 之 記 憶 器單 元 進 行 再 填 」 馑 特 性 測 試 將 其 測 試 結 果 作 為 PBM 如步驟S 306所示 t 寫 本 頁 1 將 該 FBM之資料暫時的記憶在資料庫8 0 1 1 然 後 如 步 驟 S 3 0 7 所 示 經 由 測 試 器 6所獲得之FBM之 資 1 1 料 根 據 指 定 之 格 式 被 資 料 格 式 變 換 裝 置 9進行資料變換 1 訂 » 被 資 料 變 換 後 之 F Β Μ資料經由不良圖型認識裝置1 1進行 1 1 不 良 圖 型 之 認 識 和 分 類 處 理 然 後 如 步 驟 S 30 8所示 的 被16 1 1 憶 作 為 不 良 m 型 認 識 結 果 η 料 U 1 1 這 時 之 不 良 圖 型 之 m m 和 分 類 處 理 是 利 用 用 以表 示 配 線 1 矩 陣 之 交 叉 點 之 資 訊 之 來 i 測 器 6之資料中之豕良位址 1 \ > 根 據 半 導 體 晶 片 之 各 Μ 小 Η 中 之 不 良 位 址 認識 每 —-. 個 1 1 | 小 Η 之 點 狀 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 m 以 分類 或 點 狀 1 不 良 線 狀 不 良 面 狀 不 良 等 0 1 1 Κ 次 如 0 驟 S 3 0 i)所 m 據 來 不 IU IM) 型 認識 裝 置 11 1 I 之 不 良 圖 型 認 識 結 果 資 料 利 用 不 良 數 算 出 裝 置22算 出 依 1 I 照 不 良 _ 型 別 之 小 片 單 位 之 不 良 數 例 如 利 用不 良 圖 型 1 1 認 _ 裝 置 11 所 認 瓣 分 類 之 點 狀 不 良 m 狀 不 良， 面 狀 不 1 1 良 等 之 不 良 圖 型 認 識 結 果 資 料 > 算 出 每 ™. 個 小 Η單 位 之 點 1 1 本紙张尺/ίϊ適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公1 ) - 38 - A7 Β7五、發明説明（3(;) 不型 狀圖 線良 之不 位成 單製 片以 小藉 個 » 一 數 每良 ’ 不 數狀 良面 不之 狀 位 單 片 小 個 一 每 數 良 別 出 算 所 2 2 置 裝 出 算 數 良 不 該 用 利 資資 數數 良良 不不 位位 fi. B. 小 片 之 小 之 被所 勺 1 0. 1 示S3 所驟 10步 S3如第 0 , 茌 步次憶 如其記 料 被 置 裝 憶 記 置 TJ 相 1 8 6 用 程 M利EP憶，丁 之 記示 2 置 裝 出 算 數 類 位 單 片 小 之 別 第對 在校 憶 之 記料 被資 和數 料良 資不 數位 個 單 陷片 缺小 別 型 圖 良 不 之 3 2 置 裝 憶 記 出 算 來 用 理 處 算 演 由 經 行別之程 進 Η iA ύί -一 置 裝 憶 ^記 數 9 係 第 關在 相 憶 之 記 間被 料用 資使 兩24 該置 之裝 別 出 型算 圖数 良 係 不翮 , 相 別’ 類如 , 例 別 經濟郎中央榡準杓Μ工消费合作社印製 32之工程別之類別之小片單位類別缺陷個數資料，用K獲 得葆一個工程之^陷分布。 另外一方面*相關係數算出裝置24使用被記憶在第6記 憶裝置2 3之不良圖型別之小片單位不良敝資料用來獲得根 據不良圖型之不良分布。 另外•相關係敝算出裝置24對類別之缺陷分布和不良分 布進行校對，用以獲得類別之散布圖。 使用侬此方式獾得之類別之敗布1«之敗布狀態，Μ相Μ 係數算出裝置24求嗎裀關係數。 亦即，對於測試器6之測試結果中之不良圖型，與利用 缺陷檢査裝置3所檢測出之每一個工程之缺陷形狀之類別 之缺陷進行校對，經由比較有一個工程之頬別之校對結來 之相闞係數*可Μ很容易的判斯某一個一良圖型之引起不 良原因之類別。其结果是可Μ油出每一個類別對不良圖型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） _ 〇〇 _ (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁)

經濟郎中央標準跔貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（37) 之影響度，因為所欲管理之類別和所欲進行不良對策之類 別變為明確，所μ管理和對策之进行變成非常容易。 另外，也可以不經由比較各個類別之相關係數用Μ找出 引起不良原因之頬刖，而是對先前之不良_型設定相RIM f 敝之管理值•經由對每一個類別之相關係數和管理值進行 比較，用來判斷是否為引起不良之類別。 所獲得之相關係數資料如步驟S 3 1 2所示的被記憶在第7 記憶裝置25。 然後，如步驟S3 13所示，利用統計處理裝置26，依半導 體晶片別，工程別，類別，不良圖型別，對被記憶在第7 記憶裝置25之相關你數資料進行統ft處理，如步驟S314所 示，將其結果Μ _表等之形式輸出。 依此種方式構成之半導體晶片之不良解析裝置，對於由 測試器6所獲得之不良圖型，可以根據那一個大小之缺陷 ，很容易的解析缺陷之不良原因，可Κ很容易的找由於測 試器6所獲得之不良圖型之原因所造成之缺陷•和不會誤 認識對測試器6所獲得之不良圖型沒有影響之類別之缺陷。 另外•在上述之實施例4中是以小Η單位類別缺陷個數 資料和小片單位不良數資料作為每一個小片單位之資料* 但是洫孓只限於每一個小Η單位，也可以Μ小Η内之每一個 指定區域單位之類別之缺陷個敝，不良數作為資料。 另外，在上述實施例4中是在利用相關係敝算出裝置24 進行相關係敝之算出時獲得散布圖，根據該敗布圓用來獲 得相關係數，但是並不只限於此實例之方式，也可Μ使用 本紙恨尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) -4 0 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局W工消费合作社印取 五、發明説明 (38) 1 其 他 之 統 計 方 法 進 行 兩 資 料 之 校 對 用 來 求 得 相 關 係 數。 1 另 外 在 上 述 實 施 例 1至4中 表 示 各 種 不 良 解 析 裝 置 但 1 1 是 也 可 使 實 施 例 ]至4 之 功 能 進 行 變 換 〇 f-V 請 先 1 亦 即 形 解 析 裝 置 之 锺 腦 X 作 站 兼 具 各 個 實 施 例 之 解 析 閱 讀 1 裝 置 19 Λ 27 .、 30 、 33之 功 能 依 照 不 良 解 析 變 換 功 能 來 背 夕 1 I 白 缺 陷 檢 査 裝 置 3 測試器6之 資 料 全 部 被 取 入 記 憶 用 來 進 注 意 1 I 行 各 m 實 施 例 之 功 能 〇 举 項 1 另 外 兼 具 有 全 部 功 能 之 解 析 裝 置 可 以 是 各 個 實 施 例 共 再 填 Λ 本 同 使 用 之 1個 亦可以是同等功能者 例如將記憶装置1 0 頁 1 I Λ 2 1 、 29 32構 成 一 體 0 1 1 [發明之效果] 1 I 本 發 明 之 第 1態樣因為設有解析裝置 用來接受包含缺 1 1 訂 1 陷 位 置 座 標 之 資 料 (根據在具有多個工個程之製造線之各 個 工 程 之 半 導 艘 晶 Η 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 埋 性 檢 査 結 1 | 果 ) 和用來接受不良位元資料（根 據 在 製 造 線 製 造 之 半 導 1 1 體 晶 片 之 各 個 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 之 測 試 结 果 ), U 1 | Μ 根 據 不 良 位 元 資 料 製 成 用 K 表 示 追 加 不 良 區 域 之 不 良 揹 i 態 別 限 定 條 件 資 料 和 根 據 不 良 位 元 資 料 將 不 良 模 態 別 限 1 1 定 條 件 資 料 附 加 到 用 Μ 表 示 不 良 位 置 之 物 理 性 位 置 座 標 資 1 料 川 以 製 成响 加 後 之 m £ 物 11 性 位 置 座 搮 資 料, 對 該 補 £ 1 物 理 性 位 置 座 標 資 料 和 缺 陷 位 置 座 標 資 料 (包含有缺陷位置 1 1 座 標 )進行校對 藉以輸出其校對結果 所Μ可K提高校對 1 I 之 継 度 即 使 在 利 用 不 良 位 元 資 料 獲 得 之 不 位 址 沒 有 1 1 造 成 缺 陷 之 不 良 原 因 » 而 且 與 該 不 良 位 址 有 關 之 位 置 有 造 1 I 成 缺 陷 之 不 良 原 因 存 在 之 情 況 時 亦 可 以 對 該 不 良 進 行 解 1 析 I 因 此 具 可 Μ 提 高 推 定 精 確 度 之 效 果 〇 1 1 丰 明 之 第 2態樣因為設有解析裝置， 用 來 接 受 包 含 有 缺 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-41 - ^83238 A7 B7 經濟部中火掠冬局貝工消费合作社印裝 五、發明説明（3⑴ 1 陷 位 置 座 標 之 資 料 (播據在具有多個工程之製造線之各個 1 I X 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物少缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果） 1 1 I * 和 用 來 接 受 不 良 位 元 資 料 (根據在製造線製造之半導體 請' 先 1 1 晶 片 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 之 測 試 結 果 ) 賴 閱 讀 背 1 I v6 1 I Μ 根 據 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 之 資 料 用 來 製 成 每 _- 個 指 定單 之 注 1 1 位 之 指 定 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和 根 據 不 良 位 元 資 料 用 來 製成 意 事 項 1 每 —. 個 指 定 單 位 之 指 定 單 位 不 良 敝 資 料 用 Μ 對 指 定 單位 再 填 1 缺 陪 個 敝 資 料 和 指 定 單 位 不 良 敝 貨 料 追 行 校 對 所 可Μ % 本 ΪΓ Λ 1 作 為 分 布 的 校 對 具 有 使 不 良 原 因 之 領 域 之 工 程 之 推 定變 1 1 成 得 容 易 之 效 果 〇 1 I 本 發 m 之 第 3態樣因為設有解析裝置 用來接受包含有： 1 訂 位 置 座 標 和 缺 陷 大 小 之 資 料 (根據在具有多個工程之 1 I 製 造 線 之 各 個 工 程 之 半 導 髄 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之物 1 1 理 性 檢 査 结 采 ) 和用來後受不良位元賁料（根 據 在 製 璇嫜 1 1 製 造 之 半 導 體 晶 Η 之 各 個 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 之測 試 結 果 ) 藉Μ根據包含有缺陷位置座標和缺陷大小之資 i \ 料 用 來 製 成 每 —_. 個 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之指 1 1 I 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 和 根 據 不 良 位 元 資 料 用 來 製成 1 毎 — m 指 定 犁 位 之 指 定 單 位 不 良 數 資 料 用 以 對 指 定 單位 1 1 大 小 別 缺 陷 個 數 資 _和指 定 單 位 不 良 數 資 料 進 行 校 對 所Μ 1 | 可 以 作 為 分 布 的 校 對 具 有 使 不 良 原 因 之 領 域 工 程 之 推定 1 I 變 成 得 容 易 之 效 果 0 1 1 1 本 發 明 之 第 4態樣因為設有解析裝置 •用來接受包含有 1 1 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 形 狀 別 之 類 別 之 資 料 (根據在具有多 1 1 本紙张尺度適用屮國國家榡準（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） -42 - A7 B7 經濟部中央榡华局員工消費合作杜印製 五、發明説明（‘丨⑴ 1 I 個 工 程 之 製 造 線 之 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 缺 1 | 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 ) 和用來接受不良位元資料（根據 /--S 1 I 在 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 請 先 閱 讀 背 1¾ 之 注 1 1 特 性 之 測試結f) 藉Μ根據包含有缺陷位置座欏和類別 1 1 之 資 料 用 來 製 成 每 —* 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 類 別 之 指 1 1 位 類 训 缺 陷 個 數 資 料 和 根 據 不 良 位 元 資 料 用 來 製 成 每 患 事 項 1 [ 一 個 指 定 單 位 之 指 定 單 位 不 良 數 資 料 用 Μ 對 指 定 單 位 類 # 填 寫 本 1 Η 別 缺 陷 個 數 資 料 和 指 定 單 位 不 良 數 資 料 進 行 校 對 所 Μ 可 頁 '— 1 I K 作 為 分 布 的 校 對 具 有 使 不 良 原 因 之 領 域 之 工 程 之 推 定 1 1 變 成 很 容 易 之 效 果 〇 1 1 本 發 明 之第5態樣因為所具備之步驟包含有 根據在具 1 訂 有 多 涸 工 程 之 製 造 線 之 各 個 工 程 之 半 専 賭 晶 Η 表 面 之 異 物 1 I ， 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 用 來 取 入 包 含 有 缺 陷 位 置 座 1 1 | 標 之 資 料 根 據 在 具 有 多 涸 工 程 之 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 1 1 片 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 試 結 1 用 來 取 入 1 不1也元資料 根 撺 不 良 位 元 資 料 製 成 用 以 表 示 不 良 位 置 1 之 物 m 性 位 置 座 搮 資 料 根 據 不 良 位 元 資 料 製 成 用 以 表 1 I 示 追 加 不 良 區 域 之 不 良 棋 態 別 限定條件資咏和用來製成附 丨 I 加 後 之 補 正 物 理 性 位 置 座 搮 資 料 藉 Μ 對 該 補 正 物 理 性 位 1 1 置 座 欏 資 料 和 缺 陷 位 置 座 槱 進 行 校 對 所 Κ 可 提 高 校 對 1 1 之 精 確 度 1 即 使 在 利 用 不 良 位 元 資 料 獲 得 之 不 良 位 址 沒 有 I 造 成 缺 陷 之 不 良 原 因 而 且 與 該 不 良 位 址 有 關 之 位 置 有 造 1 1 成 之 不 良 原 因 存 在 之 情 況 時 » 亦 可 Μ 對 該 不 良 進 行 解 析 » 1 1 I 因 此 具 有 可 以 提 高 精 確 度 之 效 果 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（2丨OX29<7公釐〉 A7 B7 經濟部中央標率局妇工消費合作社印" 五、發明説明（4 1」 1 I 本 發 明 之第6態樣因為所具備之步驟包含有 根據在具 1 1 I 有 多 個 工 程 之 製 造 線 之 各 涸 工 程 之 半 専 體 晶 片 表 面 之 異 物 1 1 I y 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 用 來 取 入 包 含 有 缺 陷 位 置 座 請 先 閱 ik 背 1 1 標 之 資 料 根 據 包 含 有 該 缺 陷 位 置 座 標 之 資 料 算 出 每 ~~* 個 1 1 指 定 單 位 之 缺 陷 個 數 藉 Μ 獲 得 指 定 缺 陷 個 數 資 料 根 據 面 在 具 有 多 個 工 程 之 製 造 線 製 造 之 半 専 體 晶 片 之 各 個 小 Η 之 意 事 項 1 \ 紀 憶 器 單 元 之 Μ 特 性 测 試 结 果 用 來 取 入 不 良 位 元 資 料 » 再 填 寫 1 根 據 不 良 位 元 資 料 算 出 每 一 個 指 定 單 位 之 不 良 數 藉 Μ 獲 未 頁 1 得 指 定 單 位 不 良 數 資 料 和 進 行 指 定 單 位 缺 陷 個 數 資 料 和 1 1 指 定 m 位 不 良 敝 資 料 之 校 對 紹以算出阐資料間之相關| 1 1 數 所 Μ 可 以 作 為 分 布 的 校 對 具有使不 良 原 因 之 領 域 之 1 訂 工 程 之 推 定 變 成 得 容 易 之 效 果 〇 1 I 本 發 之 第7態樣因為所具備之步驟包含有 根據在具有 1 1 1 多 個 工 程 之 製 造 線 之 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 t 1 1 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 結 果 用 來 取 入 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 1 和 缺 陷 大 小 之 資 料 根 據 包 含 有 該 缺 陷 位 置 座 檷 和 缺 陷 大 1 1 I 小 之 資 料 算 出 每 一 個 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之 m 陷 個 數 賴 Μ 獲 得 指 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 根 1 據 在 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 片 之 各 個 小 片 之 記 憶 1 器 單 元 之 1 1 電特1¾¾試結果 取 入 不 良 位 元 資 料 根 撺 不 良 位 元 資 料 算 1 1 出 m 個 指 定 單 位 之 不 良 敝 絡 獲 得 指 定 單 位 不 良 數 資 1 I 料 和 m 行 指 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 和 指 定 單 位 不 良 1 1 | 敝 資 料 校 對 U W 算 出 兩賁料間之相關彳知數 所 Μ 可 Μ 作 1 1 為 分 布 的 校 對 » 具 有 使 不 良 原 因 之領域无:拍走變成得容易 1 1 本紙张尺度適闲中國國家梯準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐〉 -44 - A7 B7 經濟郎中火標举钓W工消f合作社印狀 五、發明説明（42) 1 之 效 果。 1 1 1 本 發明 之第8態樣因為 所具備之步驟包含有 根據在具 1 I 有 多 個工 程之製 造線之各 個工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 請 1 閱 I > 缺 陷等 之物理 性檢査結 果， 用 來 取 人 含 有 缺 陷 位 置 座 讀 背 1 面 I 標 和 缺陷 形狀之 類別之資 料； 根 據 包 含 有 該 缺 陷 位 置 座 標 之 注 1 J- 意 1 I 和 類 別之 資料· 算出每一 個指 定 單似異 物 缺 陷 等 之 類 別 事 項 1 I 再 Γ 1 之 缺 陷個 數*藉 K «得指 定單 位 類 別 缺 陷 個 數 根 據 在 製 填 1 ▲ 造 m 製造 之半導 體片之各 個小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 頁 1 I 結 果， 取入不 良位元資 料； 根 據 不 良 位 元 資 料 算 出 每 —· 1 1 1 個 指 定單 位之不 良敝•賴 Μ獲 得 指 定 單 位 不 良 數 資 料 和 1 1 進 行 指定 單位類 別缺陷個 數資 料 和 指 定 單 位 不 良 敝 資 ’料 之 1 訂 校 對 ，藉 K算出 兩資料間 之相 關 係 數 所 >λ 可 以 作 為 分 布 1 | 的 校 對， 具有使 不良原因 之領 域 之 工 程 之 推 定 變 成锻 容 易 1 I 之 效 采。 1 1 1 [附圖之簡單說明] 1 d泉 _ 1是方塊_ 用來表 示本發明之實施例1 〇 1 圖 2表示本發明之實施 例1之 FBM資料和缺陷位置座標資 1 I 料 之 校對 區域。 1 I _ 3用來說明本發明之 S胞例1 之 追 加 不 良 區 域 〇 1 1 1 圖 4表示從本發明之實 _例1 統 計 處 理 裝 置 1 8輸 出 之 一 實 1 1 例 〇 1 1 圖 5是流程圖 •用來表 示本發明之霣腌例1 之 解 析 裝 置 19 1 | 之 處 理步 驟。 1 I 圆 6是流程圖 *用來表 示本伋明之實施例2 ϋ 1 1 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4规格（210Χ297公釐） Λ c -4 5 - 283238 A7 經濟部中央橾率局員工消f合作社印製 B7五、發明説明（4 3) 圖7是概略圖，用來說明利用本發明之實施例2之相關依 數算出裝置24之相闞/Γ永數之算出方法。 _8表示從本發明胞例2之統計處理裝置26輸出之一 實例。 M9是流程圓，用來表示本發明之實胞例2之解析裝置27 之處理步驟。 _ 1 0是模式_，用來說明利用本發明之簧施例2之相關 係數算出裝置24之相關係數之算出方法。 _11是方塊圖•用來表示本發明之實施例3。 圖12是流程圖，用來表示本發明之實施例3之解析裝置 .30之處理步驟。 _13是模式圖，用來說明利用本發明之實施例3之相關 係數算出裝置24之相關|數之算出方法。 IMI14是方塊_ ·用來表示本發明之寊施例4。 圖15是流程圖，用來表示本發明之簧施例4之解析装置 3 3之處理步驟。 [符號之說明] 1.....不良解析裝置， 2.......製造線， 3·...缺 陷檢査裝置， 6...·測試器， 10.....第1記憶裝置， Π........不良圃型認識装置， 12.....位置座禰變換裝 置， 13....第2記憶裝置， 14......追加不良區域推 定裝置， 15......第3記憶裝置， 16——校對裝置* 17....第4記憶裝置， 19、27、30、33·...解析裝置 , 20.....缺陷個數Ί迟裝置， 21---- 第5記憶裝置， 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4规格（2丨0'〆297公t ) _ . R _ (請先間讀背面之注$項再填寫本頁)

五、發明説明（44) A7 B7 :2f置， 23裝置 ， , 出裝 置置算出 裝裝 數算 出出個數 算 算陷個 數数 缺陷 良係別缺 不關小別 一 相大類 置 裝 憶 記 6 第 置 裝 憶 記 7 第 置 裝 憶 記 8 第 置 裝 憶 記 9 第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 -a Μ濟部中央標準局®:工消費合作杜印裝 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Λ4規格（2!ΟΧ297公釐）

Claims (1)

1. 283238 D8 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印聚 六、申請專利範圍 1 . 一褪半専體晶片之不良解析裝置，具備有： 追加不良區域推定装置*利用茌具有多個工程之製造線 製造之半導體晶片之各個小片之記憶器單元之電特性测試 結果，用來獲得不良位元資料•根撺不良位元資料製成用 Μ表示追加不良區域之不良悮態別限定條件資料；和 校對裝置，用來接受包含有上述製造線之各個工程之半 導體晶片丧面之異物•缺陷等之物理性檢査結果所獲得之 缺陷位置座標之缺陷位置座標資料，和用Κ表示根據上述 不良位元資之不良位置之物理位置座標資料，及上述之不 良模態別限定條件資料*然後將上述接受到之不良横態別 限定條件資料附加到上述接受到之物理性位置座標資料， 用Μ製成附加後之補正物理性位置座標資料•藉Μ對該補 正物理性位置座標資料和上述接受到之缺陷位置座標資料 進行校對。 2.—種半導體晶Η之不良解析裝置，具備有： 第〗記憶裝置，根據在具有多個工程之製造線之各個工 程之半導體晶Η表面之異物，缺陷等之物理性檢査结果， Hj來接受包含有缺陷位置座標之資料，將該資料當作缺陷 位置座標資料的進行記憶； 第2記憶裝置，根據在上述製造線製造之半導體晶片之 各龆小Η之記憶器單元之甯特性測轼结果*用來接受不良 位元資料，藉以記憶表示用Μ表示根據該不良位元資料之 不良位置之物理性位置座檷資料； 追加不良區域推定裝置，根據上述接受到之不良位元資 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS > Α4規格（2丨0父2们公釐） 1 圍範利 專 請 f' 、六 料 8 888 ABCD 資 件 條 定 限 別 態 模 良 不 之 域 區 良 不 加 追 示 表 成 料 ten 5- 來 用 置 裝 定 推 域 區 良 不 加 追 該 自 來 憶 記 來 用 置 裝 憶 記 3 第 逑 上 之 置 裝 憶 記 11 第 述 上 和在 ; 億 料記 資被 件受 條接 定來 限用 別 ’ 態置 模裝 良對 不校 之 物不 述述 上h 之 之 置置 裝裝 憶1f 記記 2 3 第第 述述 上 上 在在 II0 記sti 被破 和及 料料 資資 標襴 座座 置罝 位位 陷性 缺埋 別 ’ 態料 模資 良 標 不座 之 置 到位 受性 接理 述物 上 之 將到 後受 然接 ， 述 料上 資到 件加 條附 定料 限資 別件 態條 模定 良 限 補料 該資 對標 以座 藉置 * 位 料陷 資缺 標之 座到 置受 位接 性述 理 IX 物和 正料 補資 之標 後座 加置 附位 成性 製理 以物 用正 各 之 線 造 : 製 有 之 備程 具工 , 個 置多 裝有 析具 解在 良用 不利 之 ， Η 置 晶 裝 體出 専算 。 半數 對植涸 校一陷 行 3 缺 果資陷 結之缺 査檷位 檢座單 理置定 物位指 之陷作 .等缺當 陷有其 缺含將 , 包 ， 物據數 異根涸 之，陷 面標缺 表座之 片置位 晶位單 體陷定 導缺指 半得個 之獲一 程來每 Η 用出 . 算 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A 線「 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 片 晶 體 導 半 之 造 製 線 造 製 述 上 在 用 ; 利 出 , _ 置 行裝 進出 的算 料數 資¾ 敝不 0 不良 得不 獲之 來位 用坩 ’ 一疋 I 驽 I 結一 試ία 測出 性W 枵枓 電資 之元 元位 單良 器不 憶诚 記根 之 ， 片料 小βί 個 儿 各位 之 ,u 數校 個之 陷料 缺資 位兩 單該 定行 fl 和之 Μ 料上料 資受資 數接數 良來良 不用不 位 ， 位 單置單 定裝定 指出指 出算之 輸數述 以係上 紹關和 , 相料 數 資 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 2 ：rc、申請專利把圍 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 各結該· ± 片不單 gii校 造性含單 之査^數 . 晶受定 之 製理包定 線檢含 ω ^ 體接指 /eti6 料 之物據指 ο 造性包陷 ^ 導來個 P58第資。 程之根個 數：製理據缺 ^ 半用一 Μ 第述兩敝 ：η 等 ，一 係有之物根之 ；fa之，每 述上該係有個陷小每 βJJ 關備程之-位出fcl造果出料I-'·. 上在行關谰多缺大出 数i- 相具 Η 等料犁輸卩 製結算資 k 在tiii相具有，陷算 0 敗 之 · 陷資定.行511線試料數 U 憶記以之-具物缺來 間置多缺之掬進 Μ 造測資良卩 記被藉間置在異和用 料裝每 ，m 制的 π 製性元不丨 被和，料裝用之攔料 資析风物座一料纟 述特位位 i 受料料資析利面座資 自 自 兩解在 異置 每資 上 電良單 接資資 兩解，表置之 出良據 之 位出數 在之不定 f 來數數出良置片位小 意 意 算不根面陷算個Bt料據元之指ei和用個良算不裝晶陷大 來之，表缺，陷 Μ 資根單述出 , 陷不來之出髑缺陷 用片 1Η 有料缺 W 數，器上蝓 U 料置缺位用片算導得缺 理晶裝晶 含資位ffl個置憶據 Mffl資裝位單理晶數半獾和 處體出體包之單ϊ>陷裝記根賴？ 數出單定處體涸之來標 算導算導受檷定11缺出之 ，，Is良算定指算導陷程用座 演半數半 接座指M位算片料敝 U 不數指述演半缺 Η -置 山種 S 之 來置作 u 單數小資良dtl位係述上由Μ別個果位 經一陪程用位當53定良個元不6S單關上之經一小各结陷 , 4 缺 Η ，陷其第指不 各位之 第定相之置 ，5 大 之査缺 對0果缺將 述 之庚位 指 1 裝對 線檢有 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 本紙张尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規;( 210Χ297公釐） 3 ABCD 283238 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 ί 1 位 之 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之 缺 陷 個 數 將 其 當 作 指 定 單 1 1 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 的 m 行 _ 出 1 1 I 不 良 数 算 裝 置 利 用 在 上 述 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 Η 之 請 先 1 1 閲 I 各 m 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 試 結 果 用 來 獲 得 不 良 讀 背 I ι6 I 位 元 料 根 據 不 良 位 元 資 料 η 出 個 指 定 單 位 之 不 良 之 注 1 L t Μ 輸 出 指 定 單 不 良 數 資 料 和 1 項 1 1 缺 再 % 相 關 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 上 述 之 指 定 單 位 大 小 別 填 寫 本 頁 1 陷 m 數 資 料 和 上 述 之 指 定 單 位 不 良 數 m 料 Μ 以 進 行 該 1 資 料 之 校 對 經 由 演 算 處 理 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 關 係 數。 1 1 6 . — 植 半 導 體 晶 片 之 不 良 解 析 裝 置 具 備 有 1 1 大 小 別 缺 陷 m 數 算 出 裝 置 根 據 在 具 η 多 個 X 程 之 製 造 1 訂 m 之 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 1 I 檢 査 結 果 用 來 接 受 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 大 小 之 資 1 1 料 根 據 包 含 有 該 缺 陷 位 置 座 撺 和 缺 m 大 小 之 資 料 算 出 1 1 每 . 個 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 大 小 別 之 缺 陷 個 數 將 1 線 其 當 作 指 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 的 進 行 輸 出 I I 第 8記憶裝置 用來記憶來自該大小別缺陷個敝算出裝 1 丨 I 置 之 上 述 指 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 1 不 1¾ 數 算 出 裝 置 > 根 據 在 上 述 製 堦 線 製 造 之 半 導 體 晶 Η 1 1 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 U 結 果 用 來 接 受 不 1 I 良 位 元 資 料 * 根 據 上 述 之 不 良 位 元 資 料 用 來 算 出 每 一 個 指 1 | 定 單 位 定 單 位 之 不 良 數 * 藉 以 輸 出 指 定 單 位 不 良 數 資 料 » > 1 1 I 第 6記憶裝置 ，用來紀憶來算該不良數算出裝置之上述 1 1 指 定 單 位 不 良 數 資 料 » 和 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉-厶- Λ8 B8 C8 D8 經濟部中央梯準局貞工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 1 1 1 相 m 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 破 sd 憶 在 上 述 第8記憶裝 1 1 置 之 上 述 指 定 單 位 大 小 別 缺 陷 個 數 資 料 和 被 記 憶 在 上 述 第 1 1 I 6記憶裝置之 二逑指定單位不良數資料 藉K進行該兩資 請 1 1 閱 I 料 之 校 對 經 由 演 算 處 m 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 關 係 數 〇 ik 背 1 I 7 . 植 半 導 體 晶 Η 之 不 良 解 析 裝 置 具 偁 有 之 注 1 1 類 別 缺 陷 ii 數 算 出 裝 置 根 據 在 有 多 個 X 程 之 製 造 線 之 意 事 項 再 填 1 ! 各 個 工 程 之 半 導 體 晶 片 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 1 寫 本 頁 結 果 用 來 獲 得 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 陷 形 狀 之 類 別 根 據 包 1 /] 缺 位 B 座 標 和 缺 陷 形 狀 之 類 別 之 m 料 用 來 算 出 -- 1 1 指 定 單 位 之 異 物 缺 陷 等 之 類 別 之 缺 陷 個 數 將 其 當 作 1 1 指 定 單 位 類 別 缺 陪 個 數 η 料 的 f ΐ _ 出 ; 1 訂 不 良 數 算 裝 置 利 用 在 上 m 製 堦 線 製 造 之 半 導 體 晶 Η 之 1 I 個 小 之 記 憶 器 單 元 電 特 性 测 試 結 采 用 來 獲 得 不 良 位 1 1 資 料 根 據 不 良 位 元 寅 料 算 出 每 一 個 指 定 擊 位 之 不 良 數 1 1 » K 輸 出 指 定 m 位 不 數 Μ η 和 1 線 相 關 係 數 算 出 裝 置 用 來 接 受 上 述 之 指 定 單 位 類 別 缺 陷 11 I 個 數 η 料 和 上 述 之 指 定 單 位 不 良 數 資 料 m 以 進 行 該 兩 資 1 Ί I 料 之 校 對 > 經 由 m 算 處 理 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 關 係 數 〇 1 8 . — 種 半 導 體 晶 片 之 不 良 解 析 裝 置 具 備 有 1 1 類 別 缺 陷 個 數 算 出 裝 1： 根 诚 在 具 有 多 個 .1： 程 之 製 造 線 1 I 之 各 m 1： 程 之 半 導 體 m W 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 m 1 I 采 > 用 來 接 受 包 含 有 缺 陷 位 置 座 標 和 缺 m 形 狀 之 類 別 1 1 1 > a 料 » 根 lii fi ίί 該 缺 位 η 座 和 糾 別 之 η ， η 出 1 1 每 一 個 一 個 指 定 單 位 之 異 物 » 缺 陷 等 之 類 別 之 缺 陷 個 數 » 1 I 本紙张尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐〉-5 - ) 8 8 8 8 ABCD 283238 經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 六、 中請專利範圍 1 1 將 其 當 作 指 定 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 的 進 行 輸 出 1 1 第9記憶裝置 用來記憶來自 該類別缺陷敝算出裝置之 1 I 上 述 指 定 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 請 先 1 1 閲 | 不 1¾ m 算 出 裝 置 根 m 在 上 述 製 造 腺 製 造 之 半 導 體 晶 Η 讀 背 | ιέ I 之 各 個 小 片 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 試 结 果 用 來 接 受 不 之 注 1 良 位 元 資 料 根 據 上 述 之 不 良 位 元 資 料 用 來 算 出 每 一 個 指 | 項 1 定 單 位 之 不 良 數 藉 輸 出 指 定 單 位 不 良 數 資 料 再 填 寫 Λ 第6記憶裝置 用來記憶來自該不良數算出裝置之上述 I V--^ I 指 定 單 位 不 良 數 貨 料 和 1 1 IIJ 關 敝 U 出 裝 置 IIJ 來 接 受 破 ati 憶 在 上 述 第ί)紀憶裝 1 1 置 之 上 述 指 定 單 位 類 別 缺 陷 個 數 資 料 和 被 記 憶 在 上 述 第 6 1 訂 1 | 記 憶 装 置 之 上 述 指 定 單 位 不 良 數 資 料 藉 Μ 進 行 兩 資 料 之 校 對 經 由 演 算 處 理 用 來 算 出 兩 資 料 間 之 相 闞 偽 數 ΰ 1 1 I 9 . —_· 褪 半 導 體 晶 Μ 之 不 良 解 析 方 法 所 具 備 之 步 m 包 含 1 1 有 1 線 根 據 在 具 有 多 個 工 程 之 製 造 線 之 各 個 X 程 之 半 m 賊 晶 片 | 表 面 之 異 物 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 査 结 果 用 來 取 入 包 含 有 ] | 缺 位 置 座 標 之 資 料 - 1 根 據 在 具 有 多 個 X 程 之 製 造 線 製 造 之 半 導 艚 晶 片 之 各 個 1 1 小 Η 之 記 憶 器 單 元 單 元 之 電 特 性 測 試 結 果 用 來 取 入 不 良 1 1 位 元 資 料 1 1 I 根 不 良 位 元 資 料 » 製 成 用 以 表 示 不 良 位 置 之 物 理 性 1 1 I 座 榴 資 料 > 1 1 4U 據 上 之 不 位 元 資 料 « m 成 用 以 示 追 加 不 良 區 域 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印$* 六、 申請專利範圍 1 1 1 之 不 良 模 態 別 限 定 條 件 資 料 1 和 1 | 在 上 述 之 物 理 性 位 置 座 搮 資 料 附 加 上 逑 之 不 良丨 模 態 別 限 1 I 條 件 η 料 > 用 來 製 成 附 加 後 之 補 ΪΕ 物 理 性 位 置 座 檷 資 料 請 先 1 1 閱 | I 以 對 袖 ιΕ 物 理 性 位 置 座 標 資 料 和 上 m 之 缺 陷 位 置 座 搮 讀 背 | ιέ I 資 料 進 行 校 對 〇 之 注 1 含 10 有 根 據 -播半導體晶Η之不良解析方法 在具有多個工程之製造線之各個 所具偏之步驟包 工程之半導體晶片 % 項 再 填 寫 本 頁 1 Γ I 面 之 異 物 > 缺 陷 等 之 物 理 性 檢 Μ 結 果 用 來 取 入 包 含 有 1 1 缺 陷 位 置 座 標 之 資 料 1 1 Ik! 據 包 該 缺 陷 位 置 座 搮 之 m 料 11' 出 毎 —_. 個 指 定 單 位 1 訂 1 I 之 缺 陷 個 數 i 賴 以 獲 得 指 定 單 位 缺 陷 個 數 資 料 根 據 在 具 有 多 個 工 程 之 製 造 線 製 造 之 半 導 體 晶 h 之 各 個 1 1 I 小 Η 之 記 憶 器 單 元 之 電 特 性 測 試 結 采 用 來 取 入 不 良 位 元 1 1 資 料 1 讪 上 述 之 不 良 位 元 資 料 算 出 每 —- 個 指 定 單 位 之 不 良 數 i J > U Μ 獲 U 指 定 單 位 不 良 數 資 料 和 1 I 道 行 上 述 之 指 定 單 位 缺 陷 數 資 料 和 上 述 之 指 定 單 位 不 1 1 良 敝 資 料 之 校 對 m Μ 算 出 兩 資 料 料 間 之 相 關 數 〇 1 1 11 -槌半導體晶片之不良解析方法 ，所具備之步驟包 1 1 含 有 1 I Μ U 多 個 X Μ 之 m m 之 各 J； 程 之 半 導 艚 )\ 1 | lilt 之 m 物 1 缺 陷 等 之 物 m 性 檢 査 結 采 )1] 來 収 人 lii 含 有 缺 1 1 陷 位 置 座 搮 和 缺 陷 大 小 之 資 料 9 1 1 本紙張尺度適用中國囷家標率（CNS > A4規格（2i〇X297公釐） -· 7 - A8 • B8283238 SI穴、申請專利範圍 經濟部中央標準局貞工消費合作社印衆 一獲 器 敝 單 片 缺 個指 憶 ， 單 每 Μ 憶 良 定。U 晶含 一得 記 數 定。 出賴 記 不 指數^ 體包 每獲 之 良 指數 算， 之 之 之偽 6 導入 出以 片 不 之係 , 敝 片1 位 述 wu 半取 算賴 小；之 述關 料個 小.，單 上相 I 之來 ，， 個料單 上相 _ IB〔 資陷 個料定 和之 Λ 程用 料敝 各資定 和之 小缺 各資指 料間>ρ丁：， 貢個 之元指 料間 大之 片元個 資 枓t,< 個果·.之陷 片位個 資料 陷別 晶位一和數資 W 各結料別缺 晶良一 敝資 缺小；體良每 .，1111兩 U 之査資類之 體不每和個兩 和大料導不出料陷出 ^ 線檢之和別 導入出；陷出 標之資半入算資缺算 1 造性別標類 半取算料缺算 良 座等數 之 取料數別以 製理類座之.，之，料資別以 置陷個 造-資 良 小 _ > 之 物之置等料造罘資數類躲 位缺陷製果元不大 程之狀倥陷賣製結元良位， 陷-缺線結位位位對 3 Η 等形陷缺數線試位不單對 缺物別造試良單單校i0B個陷陷缺，個造測良位定校 該異小製測不定定之M多缺缺該物陷製性不單指之 導 有 之大述 性之指 指料' 有 ，和有異 缺述特 之 定之料 含位位上特述得述資1¥具物榴含之別上電述指述資 包單 單在 電上 獲上敝 ί 在異座包位類在之上 得上敝 據定 定據 之據以 行良: 據之迓據單位據元據獲行良 根指指根元根lili不12有根面位根定單根單根以進不 個得 單 ， 位 含 表陷 指定 器M位 (請先M讀背面之注$項再填寫本百) 本紙張尺度適用令國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 8