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TW202445725A - 半導體製造應用中的摩擦攪拌銲接 - Google Patents

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TW202445725A
TW202445725A TW113112652A TW113112652A TW202445725A TW 202445725 A TW202445725 A TW 202445725A TW 113112652 A TW113112652 A TW 113112652A TW 113112652 A TW113112652 A TW 113112652A TW 202445725 A TW202445725 A TW 202445725A
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TW
Taiwan
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base assembly
processing chamber
substrate processing
showerhead base
trajectory
Prior art date
Application number
TW113112652A
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English (en)
Inventor
尼可 雷 小萊恩巴格
普拉哈拉德 那拉辛達斯 阿加瓦爾
拉維庫瑪 薩達希夫 帕蒂爾
達莫達爾 拉夾拉姆 桑巴格
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
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Publication date
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Abstract

在一示例中,係提供基板處理腔室用的噴淋頭基座組件。該噴淋頭基座組件包括面板。平台係設置在該面板內,並包括延伸通過該面板內至少一溝槽的加熱器元件。該至少一溝槽所呈現的輪廓係以接受該加熱器元件的至少一部分。係透過摩擦攪拌銲接以將平台的周緣接合至面板的內表面。

Description

半導體製造應用中的摩擦攪拌銲接
本揭露總體上係關於半導體製造應用中的摩擦攪拌銲接,且更具體而言係關於摩擦攪拌銲接式構件的形成,所述摩擦攪拌銲接式構件能夠在半導體裝置的製造期間有效率地傳遞熱。在示例性的特定態樣中,本揭露係關於使用摩擦攪拌銲接以將基座(更具體地,係處理腔室所用的噴淋頭基座)中之構件接合在一起。
在此所提供的先前技術係為了大致上呈現本揭露的背景。目前列名發明人的工作成果、至此先前技術中所描述的範圍、以及申請時可能不適格作為先前技術的實施態樣,均不明示或暗示地被承認為對抗本揭露的先前技術。
在一些習知的半導體製造應用中,係將加熱器線圈嵌入基座的平台通道中,並利用由電子束(e-beam)銲接或真空銅銲至定位的金屬插塞進行填充。在這種情況下,在加熱器線圈與基座部件之間的介面接合強度已被證實係不一致且薄弱的,導致在加熱器線圈與基座板之間無效率的熱傳遞,並且有時會造成基座翹曲以及基座的過早損壞。
在一些實施例中,係使用加熱器線圈的摩擦攪拌銲接以解決習知銲接技術的限制,並試圖避免其基座翹曲與過早損壞。在一些實施例中亦試圖透過使用熱桿柱或管柱、以及疊接式的圓形擋板來提供基座的改善熱性能。
在一些示例中,係提供基板處理腔室用的噴淋頭基座組件。示例性的噴淋頭基座組件包括面板;設置在面板內的平台,該平台包括延伸通過位於該面板內至少一溝槽的加熱器元件,該至少一溝槽所呈現的輪廓係以接受該加熱器元件(延伸將其穿過)的至少一部分;用於加熱器元件的電源;其中係透過摩擦攪拌銲接以將平台的周緣接合至面板的內表面。
在一些示例中,該面板包括複數孔口,以允許氣體通過該噴淋頭基座組件至一基板的下側,該基板係由該噴淋頭基座組件所支撐。
在一些示例中,該噴淋頭基座組件更包括在該面板與該平台的相對表面之間延伸的複數熱傳遞桿柱,該複數熱傳遞桿柱包括一摩擦攪拌銲接材料。
在一些示例中,該摩擦攪拌銲接材料係相異於該面板或該平台的材料,並且能夠在該面板與該平台之間形成摩擦攪拌銲接的接合部。
在一些示例中,係將該複數熱傳遞桿柱的材料選擇以增進或延緩該面板與該平台之間的熱傳遞。
在一些示例中,該複數熱傳遞桿柱的材料係相同於該加熱器元件的材料。
在一些示例中,該噴淋頭基座組件更包括一填充蓋,該填充蓋係包括至少一擋板,該至少一擋板係尺寸設計成且配置以位於該面板內的該至少一溝槽之中。
在一些示例中,該填充蓋的該至少一擋板係將該加熱器元件的該至少一部分緊固在該面板中的各自溝槽內。
在一些示例中,該至少一擋板包括一彎曲結構,該彎曲結構係匹配於該面板中的該各自溝槽之輪廓。
在一些示例中,該至少一擋板包括一摩擦攪拌銲接材料。
在一些示例中,係將該至少一擋板沿著該填充蓋的上表面提供。
在一些示例中,該填充蓋的一部分包括一散熱器,該散熱器在該噴淋頭基座組件的操作期間提供比該平台的材料相對較冷的材料本體。
在一些示例中,該至少一擋板包括至少一孔口,以允許氣體從其中通過。
在一些示例中,該至少一擋板係被提供在一系列擋板中,該系列擋板係沿著該加熱器元件的輪廓以分隔陣列進行延伸,擋板之該分隔陣列包括位於連續擋板之間的一或更多間隙以允許氣體從其中通過。
在一些示例中,該至少一擋板的該摩擦攪拌銲接材料係相異於該面板或該加熱器元件的材料,並且能夠在該加熱器元件與該面板之間形成摩擦攪拌銲接的接合部。
在一些示例中,該至少一擋板係被包括在複數擋板同心環中。
在一些示例中,該複數擋板同心環的至少一環係包括複數具有間隔的擋板。
在一些示例中,該等具有間隔的擋板中的各者係包括形成在其中的一或更多孔口,以允許特定或受控的氣流通過該一或更多孔口。
在一些示例中,在該至少一擋板同心環中的一對具有間隔的擋板之間的一間隙係尺寸設計成允許特定或受控的氣流從其通過。
在一些示例中,在形成該摩擦攪拌銲接的接合部期間,係透過該電源以對該加熱器元件供電。
以下的實施方式包括將本揭露之說明性實施例進行實施的系統、方法、技術、指令序列、及電腦機器程式產品。在以下的實施方式中,出於解釋的目的,許多具體細節係闡述以提供對示例性實施例的透徹理解。然而,對於本領域中具有通常知識者將顯而易見的是,本實施例可在不具有這些具體細節的情況下實施。
本專利文件的部分揭露包含受到版權保護的材料。版權的所有者對由任何人所摹真複製的專利文件或專利揭露(如其在專利商標局的專利檔案或紀錄中所呈現)並無異議,但無論如何係保留所有的版權。下列聲明適用於描述於下、以及在形成本文件一部分之圖式中的任何數據:Lam Research Corporation版權所有,2019-2020,保留所有權利。
許多半導體製造應用包括基板處理腔室的使用。處理腔室可包括基座或台車(truck)以在處理期間緊固基板(例如,晶圓)。如上所述,在這種基座中所使用的加熱器線圈通常係利用像是真空銅銲、或電子束銲接的習知技術來進行製造。在加熱器線圈與基座部件之間的介面接合強度已被證實係不一致且薄弱的,導致在加熱器與基座板之間無效率的熱傳遞,並且有時會造成基座翹曲以及基座的過早損壞。
舉例來說,在本文的一些示例中,係採用摩擦攪拌銲接(FSW)以製造或接合基座部件,例如加熱器元件、面板、及基座主桿。其他構件的製造或接合係可行的。與使用例如真空銅銲及電子束銲接的習知技術所製成的製品相比,本文描述的製造方法及製造產品可展現出改善的熱及機械性質。FSW解決了習知技術中的諸多限制。這樣的限制可能包括銲接破裂以及孔隙率,造成基座構件內的熱傳遞減少,並使已安裝這種基座的處理腔室之效率降低。
請參照圖1,示例性的噴淋頭基座組件100包括面板102、以及設置在面板102中的平台104。在一些示例中,面板102包括如圖所示的孔口,以允許氣體向上穿過噴淋頭基座組件100而到達基板(例如,晶圓)的下側,該基板在使用中時係由噴淋頭基座組件100所支撐。
平台104在噴淋頭基座組件100中將熱進行分配。平台104包括加熱器元件106。可透過圖像來更清楚地檢視示例性加熱器元件106的輪廓及整體構造,如圖3的示例300或圖7中所顯示。如圖所示,加熱器元件106包括位於通道(凹部、或凹槽)124中之公共平面中的數個加熱器線圈108,所述通道係形成在平台104中。其他的線圈配置係可行的。加熱器線圈108係透過填充蓋110材料而緊固在凹槽內。凹槽可為連續的且成形以接受給定加熱器元件106的輪廓與構造。填充蓋110的材料可包括、或可不包括與平台104的材料、或與加熱器線圈108的材料為相同的材料。可將填充蓋110的材料選擇以改善或促進將熱通過平台104傳遞至面板102、或噴淋頭基座組件100的其他區域。在一些示例中,透過通道124中的摩擦攪拌銲接所實現的深、或增加的銲接深度允許散熱器的引入。散熱器提供比平台104相對較冷的材料主體,且此較冷的質量可有助於防止平台104的翹曲。亦可選擇通道124內的填充蓋110材料之相對熱導率以協助此事項。
往加熱器元件106之加熱器線圈108的電力可透過電力線118來供應。氣體分配通道114將氣體分配至具有孔口的面板102、以及噴淋頭基座組件100的其他構件。如圖所示,電力線118及氣體分配通道114可通過噴淋頭基座組件100的主桿116。
在一些示例中,摩擦攪拌銲接係使用以組裝或形成噴淋頭基座組件100的構件。舉例而言,在(圖1的)區域120中,係採用摩擦攪拌銲接以將平台104的周緣接合至面板102的內表面。在進一步的示例中,如圖所示,在(圖1的)區域122中,係採用摩擦攪拌銲接以形成位於加熱器線圈108上方的填充蓋110,以將加熱器線圈108緊固在平台104的本體內。其他基座構件可透過類似方法來進行接合或形成。其他摩擦攪拌銲接的區域係可行的。
請參照圖2,提供一種摩擦攪拌銲接的配置200。可將噴淋頭基座組件100的一構件202以所顯示的方法接合至另一構件204。所繪示的構件202可包括例如設置在區域120中的面板102之邊緣部分。所繪示的其他構件204可包括例如設置在同一區域120中的平台104之邊緣部分。如圖所示,係將朝下的力206施加在轉動中的摩擦攪拌銲接(FSW)工具208上,該摩擦攪拌銲接(FSW)工具208在兩構件202及204的邊緣部分之間的銲接方向210中前進。FSW工具208包括肩部212及銷部214。當FSW工具208前進通過待接合在一起的構件202及204之材料時,轉動中的FSW工具208創造摩擦攪拌銲接區域216。如此形成的摩擦攪拌銲接區域216包括將構件202及204接合在一起的銲接熔核218。熔核218具有與旋轉中的工具轉動方向224相應的前進側220及後退側222。
在一些示例中,在基座或噴淋頭內的熱不均勻性可能導致「晶圓上」(基板上)的不良處理性能。在此情況下,係損失處理熱或未將其正確地導向期望區域。請參照圖3~4,其繪示本揭露之進一步示例的構件。
圖3中所繪示的加熱器元件300具有對噴淋頭基座內的熱傳遞進行控制或增強的特徵部。加熱器元件300包括由一或更多電力線304所供應的加熱器線圈306。在一些噴淋頭基座的構造中,面板102與平台104(或背板)之間的熱傳遞主要是透過其接合邊緣處(例如,位於圖1的區域120之中、或附近)的傳導所發生。在圖3所繪示的示例中,係提供附加的熱傳遞管柱、或桿柱302。可透過摩擦攪拌銲接將桿柱302分別進行加工或形成以在面板102及平台104之間延伸,例如圖4中的402處所顯示。噴淋頭基座400的其他元件可相同於或類似於上方圖1的噴淋頭基座組件100所描述的那些元件。
透過摩擦攪拌銲接所製造的桿柱302(圖4中為402)例如可在噴淋頭基座組件100中協助面板102與平台104之間的熱傳導。在一些示例中,熱傳遞的桿柱302可增進噴淋頭基座組件100的結構鋼性、或是加熱器元件106在平台104中的位置緊固性、或是面板102或平台104的抗撓性。在一些示例中,熱傳遞的桿柱302允許熱從面板102逸散至平台104、或藉由輻射以在晶圓處理期間降低面板102的溫度,並且最小化或避免面板的撓曲或翹曲。熱傳遞的桿柱302的其他構造或配置係可行的。可將熱傳遞的桿柱302的材料選擇以增進或延緩面板102與平台104之間的熱傳遞。為桿柱302所選擇的材料可相同於、或可不相同於加熱器線圈108的材料。
圖5繪製示例性的填充蓋500,如圖所示,例如包括沿著其上表面所形成之一系列彎曲、或弧形擋板502。其他構造係可行的。所繪製的填充蓋500可將加熱器元件106的線圈108緊固在平台104的通道124內,其如先前參照圖1所描述。
請參照圖6,在噴淋頭基座600的一些示例中,可將摩擦攪拌銲接式的桿柱302(例如,顯示於圖3而未見於圖6中)及彎曲擋板502的各種組合插置在平台604與面板602之間,以控制熱傳遞並改善熱均勻性。擋板502的其他配置與構造係可行的。憑藉著摩擦攪拌銲接對於銲接相異金屬的能力,因此可為一系列的擋板採用並配置優化的材料配對、厚度、及間隔圖案。噴淋頭基座600的其他元件可相同於、或類似於上方圖1的噴淋頭基座組件100所描述的那些元件。
請參照圖7~8,一些示例性實施例可對於位在噴淋頭基座700內的熱及氣流708提供更加特定的控制。在一些示例中,係提供具有間隔之擋板710的同心環702、704、及706,以在噴淋頭基座700(或100、400、600)中的面板802與平台804(圖8)之間延伸。在一些示例中,擋板710具有孔口712並且如顯示地(或以其他方式)被分隔開,以允許特定或受控的氣流通過孔口712、或是在擋板710之間的間隔縫隙中通過擋板710。
圖10顯示用於摩擦攪拌銲接的示例性配置1000之實施態樣。在一些示例中,在透過FSW工具1004對基座構件進行摩擦攪拌銲接的期間,係啟動加熱器線圈1002(例如,圖1中加熱器線圈108的其中一者),以對於冷卻行為、與FSW銲接周圍的晶粒生長及尺寸進行控制。FSW工具1004可包括前述的肩部1006及銷部1008。傳統上,FSW接合部係透過自然對流而冷卻,並且在現今背景中通常不存在對於銲接區域的處理控制。在本揭露的一些示例中,在FSW處理期間,加熱器線圈1002的啟動可控制(例如,延緩)FSW銲接的冷卻速率,以例如在銲接的固化期間控制晶粒生長來配置或提供特定的熱影響區,並且改善銲接品質及材料性質。
本揭露包括方法實施例。請參照圖11,用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的示例性形成方法1100包括:在操作1102處,提供面板;在操作1104處,提供設置在面板中的平台,該平台包括延伸通過面板中至少一溝槽的加熱器元件,該至少一溝槽所呈現的輪廓係以接受該加熱器元件(延伸將其穿過)的至少一部分;在操作1106處,提供用於加熱器元件的電源;以及,在操作1108處,透過摩擦攪拌銲接以將平台的周緣接合至面板的內表面。
在一些示例中,該方法1100更包括在面板中形成複數孔口,以允許氣體通過噴淋頭基座組件至基板的下側,該基板係由該噴淋頭基座組件所支撐。
在一些示例中,該方法1100更包括透過摩擦攪拌銲接以形成複數熱傳遞桿柱,以在面板與平台的相對表面之間延伸。
在一些示例中,摩擦攪拌銲接包括與面板或平台之材料相異的材料,並且能夠在面板與平台之間形成摩擦攪拌銲接的接合部。
在一些示例中,該方法1100更包括將複數熱傳遞桿柱的材料選擇以增進或延緩面板與平台之間的熱傳遞。
在一些示例中,複數熱傳遞桿柱的材料係相同於加熱器線圈的材料。
在一些示例中,該方法1100更包括提供用於噴淋頭基座組件的填充蓋,該填充蓋包括至少一擋板,該擋板係尺寸設計成且配置以位於面板內的至少一溝槽之中。
在一些示例中,填充蓋的至少一擋板係將加熱器線圈的至少一部分緊固在面板內的各自溝槽中。
在一些示例中,至少一擋板包括彎曲結構,該彎曲結構係匹配於面板中的各自溝槽之輪廓。
在一些示例中,該方法1100更包括透過摩擦攪拌銲接以形成至少一擋板。
在一些示例中,該方法1100更包括沿著填充蓋的上表面以提供至少一擋板。
在一些示例中,填充蓋的一部分包括散熱器,該散熱器在噴淋頭基座組件的操作期間提供比平台材料相對較冷的材料本體。
在一些示例中,至少一擋板包括至少一孔口,以允許氣體從其中通過。
在一些示例中,該至少一擋板係被提供在一系列擋板中,該系列擋板係沿著加熱器元件的輪廓以分隔陣列進行延伸,該擋板的分隔陣列包括在連續擋板之間的一或更多間隙以允許氣體從其中通過。
在一些示例中,在進行該至少一擋板的摩擦攪拌銲接之中所包括的材料係與面板或加熱器元件的材料相異,並能夠在加熱器元件與面板之間產生摩擦攪拌銲接的接合部。
在一些示例中,該至少一擋板係被包括在複數擋板同心環中。
在一些示例中,該複數擋板同心環的至少一環包括具有間隔的擋板。
在一些示例中,各具有間隔的擋板包括形成在其中的一或更多孔口,以允許特定或受控的氣流通過該一或更多孔口。
在一些示例中,具有間隔的擋板之中的一對之間的間隙係尺寸設計成允許特定或受控的氣流從其中通過,其中具有間隔的擋板係位於該等擋板同心環的至少一者中。
在一些示例中,該方法1100更包括在透過摩擦攪拌銲接以形成摩擦攪拌銲接的接合部期間,係透過電源以對加熱器元件供電。
圖9係繪示機器900示例的方塊圖,在其上可實施本文所述的一或更多示例性處理實施例、或是可藉其來控制本文所述的一或更多示例性處理實施例。在替代性實施例中,機器900可作為獨立裝置來操作、或可(例如,以網路)連接至其他機器。在網路佈署中,機器900可作為伺服器機器、用戶端機器、或皆在伺服器–用戶端網路環境中的身分進行操作。在一示例中,機器900可充當對等(P2P)(或其他分佈)網路環境中的對等機器。此外,雖然僅繪示單一機器900,但術語「機器」應亦被理解成包括機器的任何集合,其單獨或共同地執行一組(或複數組)指令924以例如透過雲端運算、軟體即服務(SaaS)、或其他電腦群集架構來執行本文所述的任何一或更多方法。
如本文所述之示例可包括邏輯及/或數個構件或機構、或是可藉由邏輯及/或數個構件或機構進行操作。電路係在包括硬體(例如,簡單迴路、閘極、邏輯等)的有形實體中所實施的迴路集合。隨著時間以及下覆硬體的變化性,電路的結構要素可為靈活的。電路包括在操作時可單獨、或組合執行特定操作的結構要素。在一示例中,電路的硬體可被不變地設計以執行特定操作(例如,固線式)。在一示例中,電路的硬體可包括可變連接的實體構件(例如,執行單元、電晶體、簡單迴路等),該實體構件包括物理性修飾(例如,透過不變質量微粒的可移動放置而磁性地、或電性地)的電腦可讀媒體以對特定操作的指令924進行編碼。在連接實體構件時,會改變下覆硬體組份的電性性質(例如,從絕緣體至導體、或反之亦然)。指令924能夠使嵌入式硬體(例如,執行單元、或載入機構)透過該可變連接以在硬體中產生電路的結構要素,而在操作時執行部分的特定操作。因此,當裝置正在操作時,電腦可讀媒體係通信耦接至電路的其他構件。在一示例中,任何實體構件可在多於一電路的多於一結構要素中使用。舉例而言,在操作時,執行單元可在一時間點被使用於第一電路的第一迴路中,並且可於不同時間由第一電路中的第二迴路、或由第二電路中的第三迴路所重新使用。
機器(例如,電腦系統)900可包括硬體處理器902(例如,中央處理單元(CPU)、硬體處理核心、或其任何組合)、圖像處理單元(GPU)903、主記憶體904、及靜態記憶體906,其中的一些或所有可透過互連(例如,匯流排)908來彼此通信。機器900可進一步包括顯示裝置910、字母數字輸入裝置912(例如,鍵盤)、以及使用者介面(UI)導向裝置914(例如,滑鼠)。在一示例中,顯示裝置910、字母數字輸入裝置912、以及UI導向設備914可為觸碰螢幕顯示器。機器900可額外包括大量儲存裝置(例如,驅動機單元)916、信號產生裝置918(例如,揚聲器)、網路介面裝置920、及一或更多感測器921,例如全球定位系統(GPS)感測器、羅盤、加速度計、或其他感測器。機器900可包括輸出控制器928,例如串列(例如,通用串列匯流排(USB))、並列、或其他有線或無線(例如,紅外光(IR)、近場通信(NFC)等)的連接,以對一或更多週邊裝置(例如,影印機、讀卡機等)進行通信或控制。
大量儲存裝置916可包括機器可讀媒體922,其上儲存了由本文所述的一或更多技術或功能來實施、或應用的一或更多組數據結構或指令924(例如,軟體)。在透過機器900執行指令的期間,指令924亦可完全、或至少部分地存在於主記憶體904內、靜態記憶體906內、硬體處理器902內、或GPU 903內。在一示例中,硬體處理器902、GPU 903、主記憶體904、靜態記憶體906、或大量儲存裝置916之中的一者或任何組合可構成機器可讀媒體922。
雖然機器可讀媒體922係繪示成單一媒體,但術語「機器可讀媒體」可包括配置以儲存一或更多指令924的單一媒體、或複數媒體(例如,集中式或分散式數據庫、及/或相關的快取與伺服器)。
術語「機器可讀媒體」可包括任何媒體,所述媒體可對機器900所執行的指令924進行儲存、編碼、或攜帶,且所述媒體使機器900執行本揭露的任何一或更多技術、或所述媒體可對於這些指令924所使用或相關的數據結構進行儲存、編碼、或攜帶。非限制性的機器可讀媒體示例可包括固態記憶體、及光學和磁性媒體。在一示例中,大量機器可讀媒體包含具有複數粒子的機器可讀媒體922,該複數粒子具有不變質量(例如靜質量)。因此,大量機器可讀媒體並非係瞬態傳播信號。大量機器可讀媒體的特定示例可包括非揮發性記憶體,例如半導體記憶裝置(例如,電性可編程唯讀記憶體(EPROM)、電性可抹除可編成唯讀記憶體(EEPROM))、及快閃記憶裝置;磁碟,例如內部硬碟及可移除磁碟;磁光碟;以及CD-ROM與DVD-ROM的碟片。指令924可經由網路介面裝置920,並使用傳輸媒體而在通信網路926上進一步發送或接收。
儘管已參照特定示例性實施例來對實施例進行描述,但將顯而易見的是,在不背離本揭露的更廣範圍下可對這些實施例進行各種修改及改變。因此,說明書與圖式係被視為說明性而並非限制性的。形成部分本文的隨附圖式係以說明性而非限制性的方式顯示可實行標的事項的特定實施例。係對所繪示的實施例做出足夠詳細的敘述,使本領域中具有通常知識者能夠實施本文所揭露的教示。可運用其他實施例並從其進行衍生,使得在不背離本揭露的範圍下可進行結構與邏輯的替換及改變。因此,本實施方式並非被視為係限制性的意義,且各種實施例的範圍僅由隨附申請專利範圍、以及這些申請專利範圍所賦予的均等物之全部範圍所限定。
在本文中,僅係為了方便性而可將這些發明標的的實施例獨立地及/或共同地稱為術語「發明」,且假如實際上揭露多於一個,則不意指將本申請的範圍自行限制為任何單一發明或發明概念。因此,雖然本文已對特定實施例進行繪示與描述,但應當理解的是,對於所顯示的特定實施例來說,可利用設計以達成相同目的的任何配置來進行替換。本揭露係意旨涵蓋各種實施例的所有改編及變更。透過檢視以上描述,以上實施例與未於本文具體描述的其他實施例之組合對於本領域中具有通常知識者而言將係顯而易見的。
100:噴淋頭基座組件 102:面板 104:平台 106:加熱器元件 108:加熱器線圈 110:填充蓋 114:氣體分配通道 116:主桿 118:電力線 120:區域 122:區域 124:通道 200:配置 202:構件 204:構件 206:力 208:摩擦攪拌銲接(FSW)工具 210:銲接方向 212:肩部 214:銷部 216:摩擦攪拌銲接區域 218:銲接熔核 220:前進側 222:後退側 224:工具轉動方向 300:加熱器元件 302:桿柱 304:電力線 306:加熱器線圈 400:噴淋頭基座 402:桿柱 500:填充蓋 502:擋板 600:噴淋頭基座 602:面板 604:平台 700:噴淋頭基座 702, 704, 706:同心環 708:氣流 710:擋板 712:孔口 802:面板 804:平台 900:機器 902:硬體處理器 903:圖像處理單元(GPU) 904:主記憶體 906:靜態記憶體 908:互連 910:顯示裝置 912:字母數字輸入裝置 914:使用者介面(UI)導向裝置 916:大量儲存裝置 918:信號產生裝置 920:網路介面裝置 921:感測器 922:機器可讀媒體 924:指令 926:通信網路 928:輸出控制器 1000:配置 1002:加熱器線圈 1004:FSW工具 1006:肩部 1008:銷部 1100:方法 1102, 1104, 1106, 1108:操作
在隨附圖式的觀點中,係以示例性而並非限制性的方式將一些實施例進行繪製:
圖1係根據示例性實施例的噴淋頭基座之剖面圖。
圖2係根據示例性實施例而繪示摩擦攪拌銲接的配置。
圖3係根據示例性實施例的加熱器元件之立體視圖。
圖4係根據示例性實施例的噴淋頭基座之剖面圖。
圖5係根據示例性實施例的填充蓋之立體視圖。
圖6係根據示例性實施例的噴淋頭基座之剖面圖。
圖7係根據示例性實施例的噴淋頭基座之立體部分剖面圖。
圖8係根據示例性實施例的噴淋頭基座之剖面圖。
圖9係繪示一機器示例的方塊圖,透過該機器示例可控制一或更多示例性實施例。
圖10係根據示例性實施例而顯示摩擦攪拌銲接的配置態樣。
圖11係根據示例性實施例,包括示例性方法中之操作的流程圖。
100:噴淋頭基座組件
102:面板
104:平台
106:加熱器元件
108:加熱器線圈
110:填充蓋
114:氣體分配通道
116:主桿
118:電力線
120:區域
122:區域
124:通道

Claims (38)

  1. 一種基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,該噴淋頭基座組件包括: 一面板; 一平台,與該面板連接,該平台包括: 至少一溝槽;一加熱器元件,至少部份設置於該至少一溝槽內;及一填充蓋,也至少部份設置於該至少一溝槽內,而將該加熱器元件緊固在該至少一溝槽內,其中該至少一溝槽的輪廓配置以接受該加熱器元件的至少一部分,且該填充蓋係藉由一摩擦攪拌銲接的接合部緊固在該平台。
  2. 如請求項1所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該面板包括複數孔口,分布在整個背對該平台之該面板的一表面,且配置以允許通過該噴淋頭基座組件且遠離背對該平台之該面板的該表面的氣體流動。
  3. 如請求項1所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中: 該加熱器元件依循一曲線軌跡,該曲線軌跡分布在整個該平台,且該填充蓋的至少一部分依循該曲線軌跡。
  4. 如請求項3所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該曲線軌跡為一蛇形軌跡。
  5. 如請求項3或4所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該加熱器元件至少包括: 一第一節段,其依循第一弧形軌跡;一第二節段,其依循第二弧形軌跡;及一第三節段,其依循第三弧形軌跡,其中該第一弧形軌跡、該第二弧形軌跡、及該第三弧形軌跡彼此同心且各自具有不同的半徑。
  6. 如請求項5所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該加熱器元件更包括: 一第四節段,其依循第四弧形軌跡;及一第五節段,其依循第五弧形軌跡,該第四弧形軌跡及第五弧形軌跡彼此同心,該第四弧形軌跡與該第二弧形軌跡具有相同的半徑,且該第五弧形軌跡與該第三弧形軌跡具有相同的半徑。
  7. 如請求項1所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該填充蓋包括至少一擋板,該至少一擋板係自該平台凸出。
  8. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板包括一彎曲結構,該彎曲結構係匹配於該平台內的該至少一溝槽的各別部分之輪廓。
  9. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板包括一摩擦攪拌銲接材料。
  10. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板係沿著該填充蓋的上表面來加以提供。
  11. 如請求項1所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該填充蓋的一部分包括一散熱器,該散熱器在該噴淋頭基座組件的操作期間提供比該平台的材料相對較冷材料的本體。
  12. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板包括至少一孔口,以允許氣體通過該至少一孔口。
  13. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板係提供在一系列擋板中,該系列擋板係沿著由該加熱器元件所依循之軌跡以分隔陣列進行延伸,該系列擋板之該分隔陣列包括位於連續擋板之間的一或更多間隙以允許氣體通過該一或更多間隙。
  14. 如請求項9所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板的該摩擦攪拌銲接材料係相異於該面板或該加熱器元件的材料,並且能夠在該加熱器元件與該面板之間形成一摩擦攪拌銲接的接合部。
  15. 如請求項7所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該至少一擋板包括複數擋板同心環。
  16. 如請求項15所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該複數擋板同心環的至少一擋板環包括複數間隔開的擋板。
  17. 如請求項16所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中該複數間隔開的擋板中的各者包括形成在其中的一或更多孔口,以允許特定或受控的氣流通過該一或更多孔口。
  18. 如請求項16所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,其中在該至少一擋板環中的一對間隔開的擋板之間的一間隙係尺寸設計成允許特定或受控的氣流通過該間隙。
  19. 如請求項1所述之基板處理腔室用的噴淋頭基座組件,更包含一電源,與該加熱器元件連接,其中在形成該摩擦攪拌銲接的接合部期間,藉由該電源對該加熱器元件供電。
  20. 一種用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,該方法包括: 提供一面板; 將一平台與該面板連接,該平台包括延伸通過該平台內之至少一溝槽的一加熱器元件,該至少一溝槽係輪廓配置以接受延伸通過其中的該加熱器元件的至少一部分; 將一填充蓋安裝進入該至少一溝槽內,以將該加熱器元件緊固在該至少一溝槽內;以及 在該填充蓋與該平台之間形成一摩擦攪拌銲接的接合部。
  21. 如請求項20所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,更包括在該面板中形成複數孔口,以允許氣體通過該噴淋頭基座組件至一基板的下側,該基板係由該噴淋頭基座組件所支撐。
  22. 如請求項20所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中: 該加熱器元件依循一曲線軌跡,該曲線軌跡分布在整個該平台,且該填充蓋的至少一部分依循該曲線軌跡。
  23. 如請求項22所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該曲線軌跡為一蛇形軌跡。
  24. 如請求項22所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該加熱器元件至少包括: 一第一節段,其依循第一弧形軌跡;一第二節段,其依循第二弧形軌跡;及一第三節段,其依循第三弧形軌跡,其中該第一弧形軌跡、該第二弧形軌跡、及該第三弧形軌跡彼此同心且各自具有不同的半徑。
  25. 如請求項22所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該加熱器元件更包括: 一第四節段,其依循第四弧形軌跡;及一第五節段,其依循第五弧形軌跡,該第四弧形軌跡及第五弧形軌跡彼此同心,該第四弧形軌跡與該第二弧形軌跡具有相同的半徑,且該第五弧形軌跡與該第三弧形軌跡具有相同的半徑。
  26. 如請求項20所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該填充蓋包括至少一擋板,該至少一擋板係自該平台凸出。
  27. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該至少一擋板包括一彎曲結構,該彎曲結構係匹配於該平台內的該至少一溝槽之各別部分的輪廓。
  28. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,更包括藉由摩擦攪拌銲接以形成該至少一擋板。
  29. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,更包括沿著該填充蓋的上表面以提供該至少一擋板。
  30. 如請求項20所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該填充蓋的一部分包括一散熱器,該散熱器在該噴淋頭基座組件的操作期間提供比該平台的材料相對較冷材料的本體。
  31. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該至少一擋板包括至少一孔口,允許氣體通過該至少一孔口。
  32. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該至少一擋板係提供在一系列擋板中,該系列擋板係沿著由該加熱器元件所依循之軌跡以分隔陣列進行延伸,該等擋板之該分隔陣列包括在連續擋板之間的一或更多間隙以允許氣體通過該一或更多間隙。
  33. 如請求項28所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中包括於該至少一擋板之該摩擦攪拌銲接中的一材料係相異於該面板或該加熱器元件的材料,並且能夠在該加熱器元件與該面板之間形成摩擦攪拌銲接的接合部。
  34. 如請求項26所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該至少一擋板包括複數擋板同心環。
  35. 如請求項34所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該複數擋板同心環的至少一擋板環包括複數間隔開的擋板。
  36. 如請求項35所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中該等間隔開的擋板中的各者包括形成於其中的一或更多孔口,以允許特定或受控的氣流通過該一或更多孔口。
  37. 如請求項35所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,其中在該至少一擋板環中的一對間隔開的擋板之間的一間隙係尺寸設計成允許特定或受控的氣流通過該間隙。
  38. 如請求項20所述之用於基板處理腔室之噴淋頭基座組件的形成方法,更包括提供用於該加熱器元件的一電源及在形成摩擦攪拌銲接的接合部期間藉由該電源對該加熱器元件供電。
TW113112652A 2019-03-15 2020-03-10 半導體製造應用中的摩擦攪拌銲接 TW202445725A (zh)

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