TW202434404A - 研磨裝置中圖的顯示方法及電腦程式 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 159
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 60
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 76
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q17/00—Arrangements for observing, indicating or measuring on machine tools
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23Q17/00—Arrangements for observing, indicating or measuring on machine tools
- B23Q17/24—Arrangements for observing, indicating or measuring on machine tools using optics or electromagnetic waves
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T11/00—2D [Two Dimensional] image generation
- G06T11/60—Editing figures and text; Combining figures or text
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
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Abstract
本發明可在研磨裝置中,從許多量測資料中迅速找出目的資料。本發明提供一種將關於研磨裝置之量測資料以圖顯示的方法。該方法包含:從前述研磨裝置取得在前述研磨裝置中所量測之複數個序列的量測資料之步驟;製作對應於前述複數個序列之各個量測資料的圖之步驟;依據圖之形狀的類似性將前述製作之複數個圖分類成複數個群的步驟;及以每個前述群不同之顯示樣態重疊顯示前述複數個圖的步驟。
Description
本發明係關於一種研磨裝置中圖的顯示方法及電腦程式。
半導體元件之一種製造裝置係CMP(Chemical Mechanical Polishing,化學機械研磨)裝置。代表性之CMP裝置具備:安裝有研磨墊之研磨台;及安裝有作為研磨對象之基板的研磨頭。代表性之CMP裝置中,係將研磨液供給至研磨墊,在使研磨墊與基板接觸之狀態下,藉由使研磨台及研磨頭之至少一方旋轉來研磨基板(例如參照專利文獻1)。
在如CMP裝置之研磨裝置中,被要求事後顯示在研磨處理中所量測之資料以作確認。例如,研磨裝置之使用者會從儲存至研磨裝置內部或外部的資料庫之許多量測資料中,依量測資料之檔名找出認為是目的資料者,並使其以圖顯示。而後,從顯示之圖的形狀判明該資料並非搜尋之目的者時,須再度從資料庫搜尋量測資料。另外,關於將類似圖像群組化而顯示的技術,例如習知有揭示於專利文獻2者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4739393號公報
[專利文獻2]日本特開2005-196298號公報
(發明所欲解決之問題)
需要在研磨裝置中從許多量測資料中迅速地找出目的資料。
(解決問題之技術手段)
在作為一種研磨裝置之CMP裝置中,研磨對象之基板被研磨頭保持在具有彈性的研磨墊上,將其中一面(例如印刷電路面)按壓於研磨墊,並藉由化學性手段(與研磨液之化學反應)及物理性手段(研磨頭與研磨墊間之按壓及藉由研磨粒之機械性摩擦力)而研磨。基板藉由設於研磨頭外周之具有比基板外形大的內徑之扣環防止從研磨頭彈出外部。此外,在研磨頭之下面(亦即與基板接觸之面)設有稱為隔膜之分割成複數個並壓縮膨脹的彈性構件,藉由從此等複數個隔膜中使特定之隔膜膨脹,而以強大之按壓力將基板面的特定部位按壓於研磨墊。研磨頭安裝於將在研磨台外周之外側的某個軸作為起點而搖動之搖動臂的前端,再者,研磨頭本身可以與基板面垂直之軸為中心而旋轉。此種基板在被研磨頭保持狀態下對研磨墊進行行星運動而被研磨。
由於近年來半導體製造工序(FEOL、MOL、BEOL)對CMP裝置研磨基板後之膜厚的精度及面內均勻性之要求日益嚴格,其要求精度達數nm以下。例如,以CMP裝置研磨之300mm基板的膜厚係數十至數百nm,記憶體(3D NAND等)係數μm,此種膜需要以1nm程度之精度加以平坦化。為了消除此等各種膜之初期階差而進行的研磨之性能(膜厚精度及面內均勻性),與基板之合格率、以及許多(例如數百個)形成於基板之印刷電路面的小晶片之合格率直接相關,所以要求非常高的性能。
藉由此種CMP裝置研磨基板時的1個重要技術係精確檢測基板之研磨終點。已知有各種基板研磨終點之檢測方法。例如,利用光學性方法之研磨終點檢測方法係使光通過在研磨墊上鑽孔之檢測孔而照射至基板,來觀測其反射狀態。更具體而言,如前述,基板對研磨墊進行行星運動,在基板通過檢測孔上部之期間,以光檢測器檢測來自基板之反射光。亦即,光檢測器所檢測之光量依基板有無在檢測孔上而變化。此外,來自基板之反射光量依據基板的狀態(膜厚等)而變化。光檢測器可將此種光量之變化作為量測資料。
如前述,CMP裝置係研磨具有遠比直徑薄之厚度的膜者,且其研磨時要求高性能。而後,由於基板係藉由被隔膜與研磨墊的2個彈性物夾著來實施研磨,因此對基板之按壓力在時間上及位置上並非以一定狀態進行研磨,在研磨台與隔膜間經由研磨液而被夾著的基板、與研磨墊之接觸方法(亦即接觸面積及壓力)會依位置且隨時變化。因此,每個設置於工廠內之CMP裝置,進一步在各CMP裝置內之複數個研磨台與研磨頭的每個組合關於檢測研磨終點的量測資料不同。此外,即使依研磨墊之磨損、及基板本身之研磨進展狀況,量測資料仍然不同,再者,即使是相同研磨墊與隔膜之組合,每個基板之量測資料仍然不同。
在如上述情形下,本案發明人發現為了正確掌握基板之研磨狀態,需要依隨時變化之研磨狀況,以儘量短的時間間隔取得量測資料,且顯示各量測資料之時間變化的曲線從如此取得之許多量測資料顯示每個特定群類似的傾向。
在實際運用中,假設係從關於研磨狀態之許多量測資料找出具有作為目的之曲線傾向的資料,並以取得該量測資料時之研磨條件實施下一個研磨處理。不過,在時間軸上判斷是否應該著眼於曲線之哪個部分的哪種傾向時,由於進行了將其研磨條件適用在下一個研磨處理時能否獲得良好結果的驗證作業,因此,預期需要一定經驗,此外,隨著新式基板的開發,即使是經驗豐富者仍然要花費很多時間。另一方面,依據量測資料之曲線傾向每片基板進行若干調整,要比每片基板在進行反饋等之控制的同時進行研磨,可有效處理大量基板。利用本揭示之方法時可有效處理大量基板。
[形態1]形態1提供一種將關於研磨裝置之量測資料以圖顯示的方法,包含以下步驟:從前述研磨裝置取得在前述研磨裝置中所量測之複數個序列的量測資料;製作對應於前述複數個序列之各個量測資料的圖;依據圖之形狀的類似性,將前述製作之複數個圖分類成複數個群;及以每個前述群不同之顯示樣態重疊顯示前述複數個圖。
[形態2]形態2如形態1之方法,其中前述圖係包含以連接在座標平面上所繪製之複數個點的方式而描繪之線條的圖形。
[形態3]形態3如形態2之方法,其中前述顯示之步驟包含使用每個前述群不同之色、每個前述群不同之線種、每個前述群不同之線寬中的至少1個顯示前述圖之前述線條。
[形態4]形態4如形態1之方法,其中前述顯示之步驟包含以1個圖代表顯示屬於同一個群之複數個圖。
[形態5]形態5如形態4之方法,其中代表屬於前述同一個群之複數個圖的前述1個圖,係表示對應於屬於前述同一個群之複數個圖的、前述複數個序列之量測資料的平均之圖,或是從屬於前述同一個群之複數個圖所選擇的任何1個圖。
[形態6]形態6如形態4之方法,其中進一步包含以下步驟:接收指定前述複數個群中之1個群的輸入;及因應接收了前述輸入,分別從代表各群之複數個圖的顯示,向屬於前述指定之群的複數個圖之顯示轉變顯示。
[形態7]形態7如形態6之方法,其中在屬於前述指定之群的複數個圖之顯示中,各圖係以各圖之前述線條不重疊的方式錯開顯示。
[形態8]形態8如形態1之方法,其中進一步包含以下步驟:每個前述群排列前述複數個圖;及縮圖顯示前述排列之複數個圖。
[形態9]形態9如形態6之方法,其中進一步包含以下步驟:每個前述群排列前述複數個圖;縮圖顯示前述排列之複數個圖;及在前述轉變後之前述縮圖顯示中,明亮顯示屬於前述指定之群的複數個圖。
[形態10]形態10如形態1之方法,其中前述各序列之量測資料,係顯示前述研磨裝置對研磨對象物之研磨量的資料。
[形態11]形態11提供一種電腦程式,係包含用於使電腦執行形態1至10中任何1個形態之方法的電腦可執行之命令。
以下,參照圖式說明本發明之實施形態。以下說明之圖式中,在相同或相當之構成元件上註記相同符號並省略重複之說明。
圖1及圖2係顯示本發明一種實施形態之研磨裝置10的整體結構之概略圖。如圖示,研磨裝置10具備:用於保持研磨墊31之研磨台30;與研磨墊31相對之方式保持研磨對象物(例如圖2所示之半導體晶圓等的基板100)並按壓至研磨墊31之研磨面的頂環40(保持部);用於使研磨台30旋轉之台驅動馬達33;用於使頂環40旋轉之頂環驅動馬達43;供給驅動電流至台驅動馬達33之驅動器34;及供給驅動電流至頂環驅動馬達43之驅動器44。
研磨台30經由台軸桿32連結至配置在其下方之台驅動馬達33。研磨台30藉由台驅動馬達33旋轉驅動可在台軸桿32之軸周圍旋轉。在研磨台30之上面貼合有研磨墊31。研磨墊31之表面311構成研磨基板100的研磨面。在研磨台30之上方設置無圖示的研磨液供給噴嘴,並從研磨液供給噴嘴供給研磨液至研磨台30上之研磨墊31。
頂環40經由頂環軸桿42而被支臂50支撐。頂環軸桿42藉由無圖示之上下移動機構可對支臂50上下移動。藉由頂環軸桿42上下移動,可使頂環40對支臂50升降而定位。頂環40係以可在其下面保持半導體晶圓等之基板100的方式構成。具體而言,頂環40如圖2所示地具備:保持基板100之外周緣,避免基板100從頂環40彈出的扣環41A;及對研磨面311按壓基板100之頂環本體41B。
在支撐頂環40之支臂50上固定有頂環驅動馬達43。此外,如圖2所示,頂環軸桿42連結至旋轉筒61,設於該旋轉筒61之外周部的定時滑輪62經由定時皮帶63連接至設於頂環驅動馬達43的定時滑輪64。藉此,當頂環驅動馬達43旋轉時,旋轉筒61及頂環軸桿42經由定時滑輪64、定時皮帶63、及定時滑輪62而一體地旋轉,頂環40在頂環軸桿42之軸周圍旋轉。
支臂50連結至固定於支臂軸桿52之支臂驅動馬達53。支臂50及被支臂50支撐之頂環40藉由支臂驅動馬達53的驅動可在支臂軸桿52之軸周圍回轉。
研磨裝置10進行動作時,首先,頂環40在指定之接收位置接收藉由無圖示之搬送機構(傳輸機)所搬送的基板100並保持。在接收位置接收了基板100之頂環40藉由支臂50之回轉而從接收位置移動至研磨台30的上方。接著,頂環軸桿42及頂環40下降,基板100被研磨墊31之研磨面311按壓。而後,研磨台30及頂環40藉由台驅動馬達33及頂環驅動馬達43旋轉驅動而分別旋轉,與此同時,從設於研磨台30上方之研磨液供給噴嘴供給研磨液至研磨墊31上。藉此,基板100滑動接觸研磨墊31之研磨面311,基板100之表面被研磨。在基板100研磨中,亦可藉由支臂驅動馬達53使支臂50周期性地左右回轉,使頂環40對研磨墊31搖動(亦即,使其在研磨墊31上往返運動)並進行研磨。
研磨裝置10進一步具備用於控制各驅動器34、44輸出之驅動電流的控制部20。此外,控制部20具備以依據從各驅動器34、44或後述之檢測器80提供的顯示研磨狀態之信號,檢測顯示研磨結束之研磨終點的方式而構成之終點檢測部25。
此處,研磨對象物之基板100(例如半導體晶圓)具有由半導體、導體、絕緣體等複數種不同材質構成之積層構造,不同材質層間之摩擦係數不同。因而,藉由研磨從積層構造之某層轉移至另外的不同材質層,研磨研磨對象物時之研磨摩擦力產生變化。研磨摩擦力作為旋轉驅動研磨台30或頂環40之各馬達33、43的驅動負荷而出現。因此,流入各馬達33、43之電流、及各馬達33、43之轉數依研磨摩擦力,亦即依進行研磨之被研磨面的材質而變化,使用該變化可檢測研磨終點。研磨終點之檢測亦可僅依據各馬達33、43之驅動電流與轉數的其中一方來進行。亦可依據其兩者進行。
控制部20及終點檢測部25例如可作為具備處理器及記憶體之電腦而構成。在記憶體中儲存包含1台或複數台電腦可執行之命令的程式(軟體),藉由處理器從記憶體讀取該程式來執行,可進行實現控制部20及終點檢測部25之各功能的處理。例如,終點檢測部25係以從各驅動器34、44取得顯示馬達之驅動電流及/或轉數的信號,運算(資料處理)該信號來識別研磨摩擦力之變化,可以依據識別結果檢測研磨終點之方式來動作。
如上述各馬達之驅動電流與轉數表示對研磨對象物之研磨狀態(具體而言係摩擦力),不過,亦可使用驅動電流及/或轉數以外之信號來檢測研磨終點。在此種實施形態中,研磨裝置10可具備檢測反映研磨狀態之物理量的檢測器80,終點檢測部25亦可係依據檢測器80之輸出信號檢測研磨終點者。檢測器80例如可為光學式檢測器。檢測器80在基板100上照射光,接收來自基板100之反射光,並輸出顯示反射光之強度或光譜的信號。由於來自基板100之反射光強度及光譜依基板100的被研磨面之狀態(例如,最外表面之材質)而變化,因此,終點檢測部25可依據來自檢測器80之輸出信號檢測研磨終點。
研磨裝置10中亦可取代上述光學式檢測器,而具備其他方式的檢測器作為檢測基板100之研磨狀態的檢測器80。例如,檢測器80亦可係渦電流檢測器、聲音檢測器、超音波檢測器等可檢知基板100之狀態的任意類型之檢測器。渦電流檢測器80係在基板100表面之導電膜上感應渦電流,並輸出顯示藉由該渦電流產生之磁場造成阻抗變化的信號。終點檢測部25可依據該阻抗之變化識別基板100表面之導電膜的厚度,來檢測研磨終點。此外,聲音檢測器及超音波檢測器80係可檢知從基板100產生之研磨音而構成。如上述,被研磨面之材質藉由研磨的進行而變化時,其研磨摩擦力產生變化,此時,研磨音亦產生變化。因而,終點檢測部25即使使用來自聲音檢測器或超音波檢測器80之輸出信號仍可檢測研磨終點。
另外,圖2係以將檢測器80埋設於研磨台30內的方式來描繪,不過,檢測器80之配置位置不限於此,檢測器80只須依檢測器80之種類設置在適切位置即可。
本實施形態中,研磨裝置10可與以處理關於研磨裝置10之量測資料的方式而構成之電腦200電性或電子性通信地連接。例如,電腦200可為與研磨裝置10不同之裝置而設於從研磨裝置10離開的位置之電腦,此時,電腦200係經由區域網路或網際網路等通信網路而與研磨裝置10連接。或是,電腦200亦可係作為構成研磨裝置10之1個元件而內建於研磨裝置10的電腦。
如圖1所示,電腦200具備:處理器210、記憶體220、資料庫230、及顯示器240。在記憶體220中儲存包含1台或複數台電腦可執行之命令的程式(軟體),藉由處理器210從記憶體220讀取該程式來執行,而在電腦200中進行關於研磨裝置10之量測資料的處理。以下,詳細說明電腦200之動作。
圖3係顯示本實施形態之電腦200的動作之流程圖。在步驟302中,電腦200從研磨裝置10取得複數個量測資料,並儲存至資料庫230。例如,研磨裝置10之控制部20係將依據來自驅動器34之輸出信號顯示台驅動馬達33的驅動電流及/或轉數之量測資料;依據來自驅動器44之輸出信號顯示頂環驅動馬達43的驅動電流及/或轉數之量測資料;及依據來自檢測器80(例如,不同之複數種類的檢測器)之輸出信號的各種量測資料供給至電腦200,電腦200將此等量測資料儲存至資料庫230。如從前述之說明所理解,此等各量測資料皆與研磨裝置10中之研磨狀態,更特定而言,係與研磨裝置10對研磨對象物之基板100的研磨量(亦即,基板100或基板100上之膜厚度藉由研磨的減少量)有關。
各量測資料係就某個基板100經過某個指定長度的時間期間所量測之顯示該基板100的研磨狀態隨時間而變化之一連串時間序列資料。例如,在第一個基板100研磨中獲得之台驅動馬達33的驅動電流之量測資料構成獨立之1個序列的量測資料。同樣地,在第一個基板100研磨中獲得之頂環驅動馬達43的轉數之量測資料構成另外1個序列之量測資料,在第一個基板100研磨中從檢測器80(光學式檢測器、渦電流量檢測器等)獲得之基板反射光的強度或渦電流造成阻抗變化之量測資料進一步構成另外1個序列之量測資料。此外,在第二個基板100研磨中獲得之各量測資料係構成與在第一個基板100研磨中獲得之各量測資料獨立的各個不同序列之量測資料(就第三個基板100以後之基板100亦同)。如此,從研磨裝置10供給複數個序列之量測資料,此等儲存至資料庫230而累積。
在步驟304中,電腦200製作對應於儲存至資料庫230之各序列的量測資料之圖。圖4顯示從某個特定之1個序列的量測資料所製作之圖的一例。圖4之圖中,橫軸表示時間,縱軸表示依量測資料之物理量的單位(例如,電流、轉數、光強度等)。如圖4所示,圖包含在藉由橫軸與縱軸規範之座標平面上所描繪的線條402。線條402例如可為以連接在座標平面上所繪製之量測資料的各點之方式而描繪的線條。或是,線條402亦可係依據量測資料之各點而藉由指定公式獲得的近似曲線。並可從儲存至資料庫230之複數個序列的量測資料(例如全部序列之量測資料)分別製作如圖4之圖。此等各圖之線條402具有依量測資料之數值而不同的形狀。
其次,在步驟306中,電腦200依據各圖之形狀的類似性(更限定而言,係各圖之線條402的形狀之類似性)而將製作之複數個圖分類成複數個群。如上述,圖之線條402形狀每個量測資料不同,不過,研磨對象物之基板100的被研磨面之材質及基板100的形狀、尺寸,或研磨裝置10研磨基板100時之研磨條件(例如,研磨台30及頂環40之轉數、將基板100按壓於研磨墊31之按壓力、研磨液之種類、研磨中之頂環40有無搖動等)類似時,顯示台驅動馬達33之驅動電流的量測資料(就其他種類之量測資料亦同)顯示類似傾向的時間性動作,並應為圖之線條402的形狀亦成為比較類似者。此外,圖之線條402形狀依量測資料的種類會大幅改變。例如,從顯示台驅動馬達33之驅動電流(或轉數)的量測資料所製作之圖的線條402應該具有與從依據光學式檢測器80量測之基板反射光強度的量測資料所製作之圖的線條402不同傾向之形狀。如此,所製作之複數個圖應該形成形狀類似的若干群,使用其可將複數個圖分類成複數個群。另外,步驟306之處理可使用習知之機械學習技術(例如無教師學習之聚類)來實現。
其次,在步驟308中,電腦200將在步驟304所製作之複數個圖按照步驟306的分類而顯示於顯示器240。圖5顯示在步驟308中圖顯示之一例。如圖5所示,複數個圖在具有共同橫軸502與縱軸504之座標平面上重疊顯示。此外,各圖係以在步驟306所分類之每群不同的顯示樣態來顯示。圖5之例係各圖以每群不同之線條種類與寬度來顯示(例如,第一群之圖以標準寬度的實線,第二群之圖以細虛線,第三群之圖以粗點線來分別顯示)。圖之顯示方法不限於圖5之例。例如,各圖亦可每群以不同線條之色來表示。此外,每群之顯示樣態如圖5之例,亦可以圖之線條的複數個屬性之組合(例如線條種類與寬度之組合)來區別,亦可僅以單一屬性(例如僅線條種類、僅線條寬度、僅線條顏色)來區別。
如此,由於重疊顯示複數個圖,且形狀類似之每群以不同的顯示樣態來顯示,因此可從許多圖中迅速找出具有目的形狀之圖。發現了目的之圖後,例如,研磨裝置10之作業人員可從資料庫230叫出取得該圖之量測資料時的研磨處理中使用之研磨處理方案資訊(關於研磨條件之各種項目的設定資訊),並將其設定於研磨裝置10,以便下次的研磨處理。
圖6係顯示本實施形態之電腦200的動作之另外樣態的流程圖。該樣態之流程圖中的步驟302至306與參照圖3之已經說明過者相同。在步驟306之後的步驟310中,電腦200按照步驟306之分類將在步驟304所製作的複數個圖顯示於顯示器240,不過圖之顯示方法與前述的圖5不同。圖7顯示在步驟310中圖顯示之一例。如圖7所示,屬於各群之複數個圖集合成1個圖,並就各群僅顯示其集合的1個圖。例如,圖7中圖之顯示中,線條702對應於第一群,線條704對應於另外的第二群,線條706對應於又另外的第三群。換言之,電腦200以1個圖代表屬於同一群之複數個圖,並顯示於顯示器240。代表各群之圖與圖5之例同樣地,重疊顯示於具有共同橫軸與縱軸之座標平面上,且每群以不同顯示樣態來顯示。
代表各群之圖,例如可為藉由將對應於屬於該群之複數個圖的量測資料加以平均所獲得之圖。如此獲得之圖應該每群具備特徵性的形狀。另外例為代表各群之圖亦可為從屬於該群之複數個圖中適當選出的1個圖。
其次,在步驟312中,電腦200接收指定複數群中之1群的輸入。例如,電腦200之使用者從在步驟310顯示於顯示器240的複數個圖(圖7)中選擇1個圖,顯示所選擇之圖的輸入例如經由電腦200之無圖示的輸入介面(鍵盤、滑鼠、觸控板等)而供給至電腦200。
接收前述輸入時,在步驟314中,電腦200將屬於在步驟312所指定之群的複數個圖顯示於顯示器240。圖8顯示在步驟314中圖顯示之一例。圖8之圖顯示中,複數條線條802例如表示屬於與圖7中以線條702所示之圖相同群的複數個圖。如此,在步驟310(圖7)集合成1個而顯示的圖,在步驟314(圖8)係”展開”顯示於包括在該1個圖的複數個圖。圖9顯示在步驟314中圖顯示之另外例。圖8之例係在圖7之顯示中追加(取代)顯示複數條線條802,不過圖9之例中,僅將屬於步驟312所指定之群的複數個圖顯示於顯示器240。換言之,圖9之例的圖顯示包含屬於與在步驟312所選擇之圖(例如線條702)相同群的圖之線條(複數條線條902),不過不包含未在步驟312選擇之圖的線條(例如線條704、706等)。圖10係在步驟314中顯示圖之又另外例。如圖10所示,屬於在步驟312所指定之群的複數個圖之線條1002亦可彼此以不重疊之方式錯開(例如,係以各線條從其他線條分離之方式指定距離程度而在圖之縱軸方向平行移動)而顯示。
如此,並非將全部圖重疊顯示,而藉由將以1個圖代表各群而重疊顯示此等圖,防止過於密集顯示許多圖之線條,可輕易判斷對應於具有目的形狀之圖的群。而後,在選擇群後顯示屬於該群之圖,由於可從此等限定數量之圖中找出目的之圖,因此發現目的之圖容易。
在上述步驟308及314中之圖的顯示中,電腦200亦可同時將複數個圖之縮圖顯示於顯示器240。圖11顯示在步驟308中之替代性的顯示例。圖11之顯示除了與圖5所示者相同複數個圖的顯示1102之外,還包含複數個圖之縮圖顯示1104。縮圖顯示1104中小的各圖在每群排列。例如,縮圖之第一部分1104-1由屬於第一群之小圖構成,第二部分1104-2由屬於第二群之小圖構成,以下皆同。
圖12及13顯示在步驟314中之替代性顯示例。與圖11同樣地,圖12之顯示包含:與圖9所示者相同複數個圖之顯示1202、及複數個圖之縮圖顯示1204,在縮圖顯示1204中之小的各圖每群排列。再者,在縮圖顯示1204中,對應於圖顯示1202中包含者相同圖(亦即屬於步驟312所指定之群的圖)之部分1204-1以明亮顯示。屬於並非在步驟312指定之群的圖例如可以變灰顯示。圖13中之圖顯示1302係與圖10相同者,如該例,縮圖顯示1304亦可係僅包含對應於圖顯示1302中包含之圖(亦即屬於步驟312所指定之群的圖)的小圖者。
以上,係依據若干例說明本發明之實施形態,不過,上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者,而並非限定本發明者。本發明在不脫離其趣旨下可變更及改良,並且本發明中當然包含其均等物。此外,在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或是可達到效果之至少一部分的範圍內,申請專利範圍及說明書中記載之各構成元件可任意組合或省略。
10:研磨裝置
20:控制部
25:終點檢測部
30:研磨台
31:研磨墊
32:台軸桿
33:台驅動馬達
34:驅動器
40:頂環
41A:扣環
41B:頂環本體
42:頂環軸桿
43:頂環驅動馬達
44:驅動器
50:支臂
52:支臂軸桿
53:支臂驅動馬達
61:旋轉筒
62:定時滑輪
63:定時皮帶
64:定時滑輪
100:基板
200:電腦
210:處理器
220:記憶體
230:資料庫
240:顯示器
311:研磨面
圖1係顯示本發明一種實施形態之研磨裝置的整體結構之概略圖。
圖2係顯示本發明一種實施形態之研磨裝置的整體結構之概略圖。
圖3係顯示本實施形態之電腦的動作之流程圖。
圖4顯示從某個特定之1個序列的量測資料所製作之圖的一例。
圖5顯示在步驟308中顯示圖之一例。
圖6係顯示本實施形態之電腦的動作之另外樣態的流程圖。
圖7顯示在步驟310中顯示圖之一例。
圖8顯示在步驟314中顯示圖之一例。
圖9顯示在步驟314中顯示圖之另外例。
圖10顯示在步驟314中顯示圖之又另外例。
圖11顯示在步驟308中之替代性顯示例。
圖12顯示在步驟314中之替代性顯示例。
圖13顯示在步驟314中之替代性顯示例。
302:步驟
304:步驟
306:步驟
308:步驟
Claims (11)
- 一種將關於研磨裝置之量測資料以圖顯示的方法,包含以下步驟: 從前述研磨裝置取得在前述研磨裝置中所量測之複數個序列的量測資料; 製作對應於前述複數個序列之各個量測資料的圖; 依據圖之形狀的類似性,將前述製作之複數個圖分類成複數個群;及 以每個前述群不同之顯示樣態重疊顯示前述複數個圖。
- 如請求項1之方法,其中前述圖係包含以連接在座標平面上所繪製之複數個點的方式而描繪之線條的圖形。
- 如請求項2之方法,其中前述顯示之步驟包含使用每個前述群不同之色、每個前述群不同之線種、每個前述群不同之線寬中的至少1個顯示前述圖之前述線條。
- 如請求項1之方法,其中前述顯示之步驟包含以1個圖代表顯示屬於同一個群之複數個圖。
- 如請求項4之方法,其中代表屬於前述同一個群之複數個圖的前述1個圖,係表示對應於屬於前述同一個群之複數個圖的、前述複數個序列之量測資料的平均之圖,或是從屬於前述同一個群之複數個圖所選擇的任何1個圖。
- 如請求項4之方法,其中進一步包含以下步驟:接收指定前述複數個群中之1個群的輸入;及 因應接收了前述輸入,分別從代表各群之複數個圖的顯示,向屬於前述指定之群的複數個圖之顯示轉變顯示。
- 如請求項6之方法,其中在屬於前述指定之群的複數個圖之顯示中,各圖係以各圖之前述線條不重疊的方式錯開顯示。
- 如請求項1之方法,其中進一步包含以下步驟: 每個前述群排列前述複數個圖;及 縮圖顯示前述排列之複數個圖。
- 如請求項6之方法,其中進一步包含以下步驟: 每個前述群排列前述複數個圖; 縮圖顯示前述排列之複數個圖;及 在前述轉變後之前述縮圖顯示中,明亮顯示屬於前述指定之群的複數個圖。
- 如請求項1之方法,其中前述各序列之量測資料,係顯示前述研磨裝置對研磨對象物之研磨量的資料。
- 一種電腦程式,係包含用於使電腦執行請求項1~10中任一項之方法的電腦可執行之命令。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-145526 | 2022-09-13 | ||
JP2022145526A JP2024040885A (ja) | 2022-09-13 | 2022-09-13 | 研磨装置におけるグラフの表示方法およびコンピュータプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202434404A true TW202434404A (zh) | 2024-09-01 |
Family
ID=90274686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112130558A TW202434404A (zh) | 2022-09-13 | 2023-08-15 | 研磨裝置中圖的顯示方法及電腦程式 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024040885A (zh) |
TW (1) | TW202434404A (zh) |
WO (1) | WO2024057749A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230446A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | パターン抽出方法及び装置 |
JP2007207173A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Fujitsu Ltd | 性能分析プログラム、性能分析方法、および性能分析装置 |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
JP6360967B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-07-18 | 富士フイルム株式会社 | 診療支援装置とその作動方法および作動プログラム、並びに診療支援システム |
JP7389718B2 (ja) * | 2020-06-29 | 2023-11-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2022
- 2022-09-13 JP JP2022145526A patent/JP2024040885A/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-01 WO PCT/JP2023/028049 patent/WO2024057749A1/ja unknown
- 2023-08-15 TW TW112130558A patent/TW202434404A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024040885A (ja) | 2024-03-26 |
WO2024057749A1 (ja) | 2024-03-21 |
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