TW202426709A - 鍍覆裝置及鍍覆裝置之作動方法 - Google Patents

Abstract

［課題］本發明在對整個電阻器有效除去氣泡。 ［解決手段］本發明包含：構成來收容鍍覆液的鍍覆槽410；構成來保持將被鍍覆面朝向下方之基板Wf之基板固持器440；配置於鍍覆槽410內之陽極430；配置於基板Wf與陽極430之間的電阻器450；配置於基板Wf與電阻器450之間的攪拌構件480；及構成來使攪拌構件480沿著基板Wf之被鍍覆面而往返運動之驅動機構482；驅動機構482係構成來在用於除去附著於電阻器450之氣泡的除泡處理時，執行：以第一位置為中心使攪拌構件480往返運動之第一除去氣泡動作；及以與第一位置不同之第二位置為中心使攪拌構件480往返運動之第二除去氣泡動作。

Description

鍍覆裝置及鍍覆裝置之作動方法

本申請案係關於一種鍍覆裝置及鍍覆裝置之作動方法。

鍍覆裝置之一例已知有杯式之電解鍍覆裝置。杯式之電解鍍覆裝置係使將被鍍覆面朝向下方之基板（例如半導體晶圓）浸漬於鍍覆液，藉由在基板與陽極之間施加電壓，而使導電膜於基板的被鍍覆面析出。

例如專利文獻1所揭示，已知杯式之電解鍍覆裝置中，係將電阻器配置在基板與陽極之間。此外，已知杯式之電解鍍覆裝置中，係在基板與電阻器之間配置攪拌構件，藉由使攪拌構件沿著基板之被鍍覆面而往返運動，來攪拌鍍覆液。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］專利7135234號公報

［發明所欲解決之問題］

過去技術之鍍覆裝置並未考慮在整個電阻器有效除去氣泡。

亦即，鍍覆裝置中，在鍍覆槽中填充鍍覆液時等氣泡會有附著於電阻器的情形。關於這一點，攪拌構件原本係為了在鍍覆處理時藉由攪拌鍍覆液而將鍍覆液中之金屬離子對基板的被鍍覆面均勻化所使用，但亦考慮為了除去附著於電阻器之氣泡而使用。

但是，以鍍覆處理時所使用之標準行程（Stroke）（例如攪拌構件之周緣部剛好與電阻器之周緣部重疊的行程）使攪拌構件往返運動時，會有無法除去附著於電阻器周緣部之氣泡之虞。這點，雖也可考慮使攪拌構件以長之行程往返運動，但此時，由於行程長故無法產生用於除去氣泡的充分亂流，其結果，會有電阻器上仍然殘留未除去的氣泡，或是除去氣泡為止需要長時間之虞。

因此，本申請案之1個目的為在整個電阻器有效除去氣泡。 ［解決問題之手段］

根據一個實施形態，揭示一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係構成來收容鍍覆液；基板固持器，其係構成來保持將被鍍覆面朝向下方之基板；陽極，其係配置於前述鍍覆槽內；電阻器，其係配置於前述基板與前述陽極之間；攪拌構件，其係配置於前述基板與前述電阻器之間；及驅動機構，其係構成來使前述攪拌構件沿著前述基板之前述被鍍覆面而往返運動；前述驅動機構在用於除去附著於前述電阻器之氣泡的除泡處理時，係構成來執行：以第一位置為中心使前述攪拌構件往返運動之第一除去氣泡動作；及以與前述第一位置不同之第二位置為中心使前述攪拌構件往返運動的第二除去氣泡動作。

以下，就本發明之實施形態參照圖式作說明。以下說明之圖式中，對相同或相當之構成元件註記相同符號，並省略重複之說明。

＜鍍覆裝置之整體構成＞ 圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成之立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成之俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥機600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100係用於在鍍覆裝置1000中搬入收納於無圖示之FOUP等匣盒的基板，或從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態中，係在水平方向排列配置4台裝載埠100，但裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人，且係構成來在裝載埠100、對準器120、預濕模組200及自旋沖洗乾燥機600之間收送基板。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間收送基板時，可經由無圖示之暫放台來進行基板的收送。

對準器120係用於將基板之定向平面或凹槽等位置對準指定方向的模組。本實施形態中，係在水平方向排列配置2台對準器120，但對準器120之數量及配置不拘。預濕模組200以純水或脫氣水等處理液濕潤鍍覆處理前之基板的被鍍覆面的方式，而將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200係構成來實施預濕處理在鍍覆時以將圖案內部之處理液替換成鍍覆液的方式，易於供給鍍覆液至圖案內部。本實施形態中，係在上下方向排列配置2台預濕模組200，但預濕模組200之數量及配置不拘。

預浸模組300例如係構成來實施預浸處理，其以硫酸或鹽酸等之處理液蝕刻除去存在於形成在鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等的電阻大之氧化膜而清洗或活化鍍覆基底表面。本實施形態中，係在上下方向排列配置2台預浸模組300，但預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400對基板時施鍍覆處理。本實施形態有2組在上下方向排列3台且在水平方向排列4排而配置之12台鍍覆模組400，合計設有24台鍍覆模組400，不過鍍覆模組400之數量及配置不拘。

清洗模組500係為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等，而構成來對基板實施清洗處理。本實施形態中，係在上下方向排列配置2台清洗模組500，但清洗模組500之數量及配置不拘。自旋沖洗乾燥機600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組，本實施形態中，係在上下方向排列配置2台自旋沖洗乾燥機，但自旋沖洗乾燥機之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000內之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成來控制鍍覆裝置1000之複數個模組。例如，可由具備與作業人員之間的輸入輸出介面之一般性電腦或專用電腦而構成。

說明鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120將基板之定向平面或凹槽等之位置對準指定方向。搬送機器人110將經對準器120對準了方向之基板往預濕模組200收送。

預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將經實施預濕處理之基板往預浸模組300搬送。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將經實施預浸處理之基板往鍍覆模組400搬送。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

搬送裝置700將經實施鍍覆處理之基板往清洗模組500搬送。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將經實施清洗處理之基板往自旋沖洗乾燥機600搬送。自旋沖洗乾燥機600對基板實施乾燥處理。搬送機器人110從自旋沖洗乾燥機600接收基板，並將經實施乾燥處理之基板往裝載埠100的匣盒搬送。最後，從裝載埠100搬出收納有基板之匣盒。

＜鍍覆模組之構成＞ 其次，說明鍍覆模組400之構成。由於本實施形態中之24台鍍覆模組400係相同構成，因此僅說明1台鍍覆模組400。

圖3係概略顯示本實施形態之鍍覆模組400的構成之縱剖面圖。如圖3所示，鍍覆模組400具備用於收容鍍覆液之鍍覆槽410。鍍覆模組400具備將鍍覆槽410之內部在上下方向隔開的隔膜420。鍍覆槽410之內部藉由隔膜420而隔開成陰極區域422與陽極區域424。在陰極區域422與陽極區域424中分別填充鍍覆液。在陽極區域424之鍍覆槽410的底面設置陽極430。陽極430係具有與圓板形狀之基板Wf概略相等大小的圓板形狀構件。

此外，鍍覆模組400具備基板固持器440，用於在將被鍍覆面Wf-a朝向下方之狀態保持基板Wf。基板固持器440具備用於從無圖示之電源饋電至基板Wf的外緣部之饋電接點。鍍覆模組400具備：用於使基板固持器440升降之升降機構442。升降機構442例如可藉由馬達等習知之機構來實現。

此外，鍍覆模組400具備旋轉機構446，用於使基板固持器440旋轉，讓基板Wf繞垂直地伸展於被鍍覆面Wf-a之中央的虛擬旋轉軸旋轉。旋轉機構446例如可藉由馬達等習知之機構來實現。鍍覆模組400係構成來一邊使用升降機構442將基板Wf浸漬於陰極區域422之鍍覆液，並一邊藉由使用旋轉機構446使基板Wf旋轉，在陽極430與基板Wf之間施加電壓，而在基板Wf之被鍍覆面Wf-a上實施鍍覆處理。

鍍覆模組400具備配置於基板Wf與陽極430之間的電阻器450。電阻器450與隔膜420相對而配置於陰極區域422。電阻器450在一種實施形態中係藉由形成有貫穿陽極430側與基板Wf側之複數個貫穿孔的板狀構件（冲孔板）而構成。但是電阻器450之形狀不拘。此外，電阻器450不限定於冲孔板，例如可藉由在陶瓷材料中形成有許多細孔之多孔質體而構成。電阻器450作為陽極430與基板Wf間之電阻器而作用。藉由配置電阻器450，因為陽極430與基板Wf間之電阻值增大電場不易擴大，結果，可使形成於基板Wf之被鍍覆面Wf-a的鍍覆膜厚之分布均勻性提高。

此外，鍍覆模組400具備：配置在保持於基板固持器440的基板Wf與電阻器450之間的攪拌構件（槳葉）480；及用於使攪拌構件480在鍍覆液內攪拌之驅動機構482。驅動機構482例如可藉由馬達及直線導軌等習知之機構來實現。驅動機構482係藉由使攪拌構件480沿著基板Wf之被鍍覆面Wf-a往返運動，而構成來來攪拌基板Wf之被鍍覆面附近的鍍覆液。

圖4係示意顯示一種實施形態之攪拌構件的俯視圖。如圖4所示，攪拌構件480藉由板狀構件而構成，板狀構件具有矩形之基端部480A；連結於基端部480A之概略橢圓形的攪拌部480B；及連結於攪拌部480B之矩形的前端部480C。攪拌部480B中形成有蜂巢狀之許多孔。基端部480A被在攪拌構件480之往返運動方向伸展的槳葉軸桿484支撐。驅動機構482係構成來使攪拌構件480沿著槳葉軸桿484往返運動。另外，攪拌構件480亦可非形成蜂巢狀之孔，例如亦可藉由具有配置成格柵狀之複數個棒狀構件的板構件而構成。

本實施形態中，攪拌構件480係為了藉由攪拌鍍覆液而使鍍覆液中之金屬離子對基板Wf的被鍍覆面Wf-a均勻化而使用。此外，也為了除去附著於電阻器450之氣泡而使用攪拌構件480。亦即，鍍覆裝置1000在鍍覆槽410中填充鍍覆液時等會有在電阻器450上附著氣泡的情形。特別是會在電阻器450之貫穿孔中附著氣泡。即使在鍍覆槽410中填充鍍覆液時之外，氣泡仍會附著於電阻器450。因此，攪拌構件480係為了在電阻器450附近攪拌鍍覆液產生鍍覆液之亂流，藉由該亂流除去附著於電阻器450之氣泡而使用。以下，就本實施形態中之除去氣泡作說明。

圖5A係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。圖5A及以下之圖中，為了方便說明，係將攪拌構件480之往返運動的一方移動方向設為+，將相反之移動方向設為-，將移動至+方向最遠端狀態之攪拌構件480以實線描繪，並將移動至-方向最遠端之狀態的攪拌構件480以虛線描繪。

如圖5A所示，攪拌構件480係構成讓在往返運動方向之攪拌部480B的尺寸比在電阻器450相同方向之尺寸小。驅動機構482在用於除去附著於電阻器450之氣泡的除泡處理時，係構成來執行第一除去氣泡動作，使攪拌構件480以第一位置（本實施形態中，係通過電阻器450之中心的基準位置）為中心往返運動。

更具體而言，驅動機構482係以第一位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480以用於除去氣泡之行程（β mm之行程）往返運動。所謂行程，係將攪拌構件480往返運動之中心作為起點，在+方向之移動距離與在-方向之移動距離的合計距離。本實施形態中，用於除去氣泡之行程（β mm之行程）以第一位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480在+方向及-方向最大限度移動時，係比攪拌部480B之周緣部與電阻器450之周緣部重疊的標準行程（後述之圖6中的Y mm之行程）短之行程。

圖5B係示意顯示以靠近電阻器周緣之位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。如圖5B所示，驅動機構482係構成來執行第二除去氣泡動作，以與第一位置不同之第二位置（本實施形態係比通過電阻器450之中心的基準位置在＋方向偏移αmm之位置）為中心使攪拌構件480往返運動。更具體而言，驅動機構482以第二位置（+α mm）為中心使攪拌構件480以βmm之行程往返運動。本實施形態中之+α mm係使攪拌構件480在+方向最大限度移動時攪拌部480B之周緣部越過電阻器450之周緣部的長度。

圖5C係示意顯示以靠近電阻器周緣之位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。如圖5C所示，驅動機構482係構成來以與第一位置及第二位置不同之第三位置（本實施形態中，係比通過電阻器450之中心的基準位置在-方向偏移α mm之位置）為中心使攪拌構件480往返運動來執行第三除去氣泡動作。更具體而言，驅動機構482係以第三位置（-α mm）為中心使攪拌構件480以βmm之行程往返運動。本實施形態中之-α mm在使攪拌構件480於-方向最大限度移動時，係攪拌部480B之周緣部越過電阻器450之周緣部的長度。

採用本實施形態時，可對整個電阻器450有效除去氣泡。亦即，以第一位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480以圖6所示之Y mm的行程往返運動時，會有電阻器450周緣部的氣泡沒被除去之虞。關於這一點，雖然也考慮使攪拌構件480以比Y mm長之行程往返運動，但此時由於行程長，因此不會產生用於除去氣泡之充分亂流，其結果，會有電阻器450上殘留沒被除去之氣泡，或是除去氣泡為止需要長時間。

相對而言，本實施形態中，可藉由第一除去氣泡動作主要除去附著於電阻器450之中央部的氣泡。此外，可藉由第二除去氣泡動作主要除去附著於電阻器450之一方周緣部的氣泡。此外，可藉由第三除去氣泡動作主要除去附著於電阻器450之另一方周緣部的氣泡。換言之，採用本實施形態時，藉由在複數個位置進行除泡處理，可在各個位置重點地除去氣泡，結果可對整個電阻器450有效除去氣泡。特別是在本實施形態中，係使攪拌構件480以比Y mm短之β mm的行程往返運動。藉此，可在各個位置產生用於除去氣泡之充分亂流，其結果，可對整個電阻器450有效除去氣泡。

其次，就對基板Wf之被鍍覆面鍍覆處理時的攪拌動作作說明。圖6係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。如圖6所示，驅動機構482在對基板Wf之被鍍覆面進行鍍覆處理時，係構成來以通過被鍍覆面之中心的基準位置為中心使攪拌構件480往返運動來執行攪拌動作。

更具體而言，驅動機構482係以基準位置（±0 mm）為中心而使攪拌構件480以標準行程（Y mm之行程）往返運動。本實施形態中，標準行程（Y mm之行程）係以基準位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480在+方向及-方向最大限度移動時，攪拌構件480之攪拌部480B的周緣部與電阻器450之周緣部重疊的行程。

採用本實施形態時，藉由以通過被鍍覆面之中心的基準位置為中心而使攪拌構件480往返運動，可使鍍覆液中之金屬離子對被鍍覆面均勻化，故可使形成於被鍍覆面之鍍覆膜厚分布的均勻性提高。

其次，就本實施形態的鍍覆裝置之作動方法作說明。圖7係鍍覆裝置之作動方法的流程圖。如圖7所示，鍍覆裝置之作動方法係供給鍍覆液至鍍覆槽410（供給步驟S102）。當供給鍍覆液至鍍覆槽410時，氣泡會附著在配置於鍍覆槽410內之電阻器450。

繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使攪拌構件480以第一位置（通過電阻器450之中心的基準位置）為中心而以β mm之行程往返運動，除去附著於電阻器450之氣泡（第一除去氣泡步驟S104）。繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使攪拌構件以第二位置（比通過電阻器450之中心的基準位置在+方向偏移αmm之位置）為中心而以β mm之行程往返運動，除去附著於電阻器450之氣泡（第二除去氣泡步驟S106）。繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使攪拌構件以第三位置（比通過電阻器450之中心的基準位置在-方向偏移αmm之位置）為中心而以β mm之行程往返運動，除去附著於電阻器450之氣泡（第三除去氣泡步驟S108）。藉此，對整個電阻器450除去氣泡。

繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使基板固持器440下降，而使將被鍍覆面朝向下方之基板Wf浸漬於鍍覆槽410內的鍍覆液（浸漬步驟S110）。繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使用旋轉機構446使基板Wf旋轉並且在陽極430與基板Wf之間施加電壓，而於基板Wf之被鍍覆面形成鍍覆（鍍覆步驟S112）。鍍覆裝置之作動方法在執行鍍覆步驟S112中，以通過被鍍覆面之中心的基準位置為中心而使攪拌構件480以Y mm之行程往返運動（攪拌步驟S114）。藉此，由於可使鍍覆液中之金屬離子對被鍍覆面均勻化，故可使形成於被鍍覆面之鍍覆膜厚分布的均勻性提高。另外，攪拌步驟S114亦可與鍍覆步驟S112同時開始，亦可在鍍覆步驟S112之前開始。

繼續，鍍覆裝置之作動方法判定是否結束鍍覆處理（步驟S116）。鍍覆裝置之作動方法例如在尚未經過預設之鍍覆時間情況下（步驟S116，否（No））返回鍍覆步驟S112。另外，鍍覆裝置之作動方法例如在已經過預設之鍍覆時間情況下（步驟S116，是（Yes）），結束鍍覆處理。

圖8係概略顯示本實施形態之鍍覆模組的構成之縱剖面圖。圖8所示之實施形態具有與圖3所示之實施形態同樣的構成，不同之處為更具備遮蔽構件481。就與圖3所示之實施形態同樣的構成省略說明。

如圖8所示，鍍覆模組400具備可配置於基板Wf與電阻器450之間的遮蔽構件481。遮蔽構件481係用於遮蔽形成於陽極430與基板Wf之間的電場之構件。遮蔽構件481例如亦可係形成板狀之遮蔽板。此外，鍍覆模組400具備用於使遮蔽構件481移動之遮蔽機構485。遮蔽機構485係構成來依從控制模組800輸入之關於基板固持器440的旋轉角度資訊之指令信號而動作。

具體而言，遮蔽機構485於希望抑制鍍覆之堆積速度的基板Wf特定部位之旋轉角度在指定範圍內時，如圖8中以實線所示，係構成來使遮蔽構件481移動至電阻器450與基板Wf之間的遮蔽位置。另一方面，遮蔽機構485於基板Wf之特定部位的旋轉角度在指定範圍外時，如圖8中以虛線所示，係構成來使遮蔽構件481移動至從電阻器450與基板Wf之間離開的退開位置。此外，如圖8所示，遮蔽構件481配置於與攪拌構件480相同高度位置。

因此，當使攪拌構件480往返運動時，攪拌構件480與遮蔽構件481會干擾。換言之，遮蔽構件481係配置於攪拌構件480之往返運動的範圍內。對此，本實施形態之鍍覆模組400如以下地防止攪拌構件480與遮蔽構件481之干擾。

圖9A係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。圖9B係示意顯示以比基準位置靠近遮蔽構件之位置為中心使攪拌構件往返運動而執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。

如圖9A、圖9B所示，攪拌構件480在與遮蔽構件481相對之部分具有對應於遮蔽構件481之形狀的缺口480D。此外，進行電阻器450之除去氣泡時，遮蔽構件481在退開位置。如圖9A所示，驅動機構482係構成來在用於除去附著於電阻器450之氣泡的除泡處理時，執行以通過電阻器450之中心的基準位置為中心使攪拌構件480往返運動之基本除去氣泡動作。

更具體而言，驅動機構482係以基準位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480以標準行程（Y mm之行程）往返運動。此時，由於攪拌構件480具有缺口480D，故會有電阻器450之對應於缺口480D的部分（電阻器450的周緣部分）之氣泡沒被除去之虞。

因此，如圖9B所示，驅動機構482係構成來以比基準位置（±0 mm）靠近遮蔽構件481之位置為中心執行使攪拌構件480往返運動的周緣除去氣泡動作。更具體而言，驅動機構482係以比基準位置（±0 mm）+X mm靠近遮蔽構件481之位置為中心使攪拌構件480以Y mm之行程往返運動。本實施形態中之+X mm，係缺口480D在攪拌構件480往返運動之移動方向的尺寸，但不限定於此，只要是使攪拌構件480在+方向最大限度移動時缺口480D越過電阻器450之周緣部的長度即可。

採用本實施形態時，可對整個電阻器450有效除去氣泡。亦即，以防止與遮蔽構件481干擾為目的而在攪拌構件480中形成缺口480D時，如圖9A所示，惠有無法除去電阻器450之對應於缺口480D的部分（電阻器450的周緣部分）之氣泡。關於這一點，雖然亦考慮使攪拌構件480以長行程往返運動，但此時由於行程長，因此無法產生用於除去氣泡之充分亂流，其結果，會有在電阻器450上仍然殘留未除去之氣泡，或是除去氣泡為止需要長時間之虞。

對此於本實施形態中，由於係藉由在通過電阻器450之中心的基準位置、及比基準位置靠近遮蔽構件481的位置分別進行除泡處理，亦可除去電阻器450之對應於缺口480D的部分之氣泡，結果，可對整個電阻器450有效除去氣泡。

其次，就基板Wf之被鍍覆面鍍覆處理時的攪拌動作作說明。圖10A係示意顯示以第一行程使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。圖10B係示意顯示以第二行程使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。

如圖10A所示，驅動機構482在對基板Wf之被鍍覆面鍍覆處理時，當遮蔽構件481在遮蔽位置時，係構成來執行使攪拌構件480以第一行程往返運動之基準攪拌動作。

更具體而言，驅動機構482以通過基板Wf之被鍍覆面的中心之基準位置（±0 mm）為中心使攪拌構件480以Ymm之行程往返運動。此外，如圖10B所示，驅動機構482於遮蔽構件481在退開位置時，係構成來執行使攪拌構件480以比第一行程（Y mm）長之第二行程（Y+X mm）往返運動的擴大攪拌動作。藉此，由於可防止攪拌構件480與遮蔽構件481干擾，並且使鍍覆液中之金屬離子對被鍍覆面均勻化，因此可使形成於被鍍覆面之鍍覆膜厚分布的均勻性提高。另外，本實施形態之第二行程係將攪拌構件480之往返運動範圍比第一行程（Y mm）在遮蔽構件481側增長X mm的行程，但不限定於此。

其次，就本實施形態的鍍覆裝置之作動方法作說明。圖11係鍍覆裝置之作動方法的流程圖。如圖11所示，鍍覆裝置之作動方法係在鍍覆槽410中供給鍍覆液（供給步驟S202）。當供給鍍覆液至鍍覆槽410時，配置於鍍覆槽410內之電阻器450上會附著氣泡。

繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由以通過電阻器450之中心的基準位置為中心，使攪拌構件480以Y mm之行程往返運動，來除去附著於電阻器450的氣泡（基準除去氣泡步驟S204）。繼續，鍍覆裝置之作動方法以比通過電阻器450之中心的基準位置X mm靠近遮蔽構件481之位置為中心，使攪拌構件480以Ymm之行程往返運動，來除去附著於電阻器450之氣泡（周緣除去氣泡步驟S206）。藉此，在整個電阻器450除去氣泡。

繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由使基板固持器440下降，而使將被鍍覆面朝向下方之基板Wf浸漬於鍍覆槽410內的鍍覆液（浸漬步驟S208）。繼續，鍍覆裝置之作動方法藉由一邊使用旋轉機構446使基板Wf旋轉，一邊於陽極430與基板Wf之間施加電壓，而在基板Wf之被鍍覆面上形成鍍覆（鍍覆步驟S210）。鍍覆裝置之作動方法在鍍覆步驟S210執行中，使遮蔽構件481在遮蔽位置與退開位置之間移動（遮蔽步驟S212）。

鍍覆裝置之作動方法在鍍覆步驟S210執行中，判定遮蔽構件481是否在遮蔽位置（判定步驟S214）。鍍覆裝置之作動方法判定為遮蔽構件481在遮蔽位置時（判定步驟S214，是），使攪拌構件480以第一行程（Y mm）往返運動（基準攪拌步驟S216）。另一方面，鍍覆裝置之作動方法判定為遮蔽構件481不在遮蔽位置（判定步驟S214，否），換言之，判定為遮蔽構件481在退開位置時，使攪拌構件480以比第一行程還長之第二行程（Y+X mm）往返運動（擴大攪拌步驟S218）。藉此，由於可防止攪拌構件480與遮蔽構件481干擾，並且將鍍覆液中之金屬離子對被鍍覆面均勻化，故可使形成於被鍍覆面之鍍覆膜厚分布的均勻性提高。

繼續，鍍覆裝置之作動方法判定是否結束鍍覆處理（步驟S220）。鍍覆裝置之作動方法例如在尚未經過預設之鍍覆時間情況下（步驟S220，否），返回鍍覆步驟S210。另一方面，鍍覆裝置之作動方法例如在已經過預設之鍍覆時間情況下（步驟S220，是）結束鍍覆處理。

以上，說明了本發明之幾個實施形態，但上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣下可變更及改良，並且本發明中當然包含其等效物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或是可達成效果之至少一部分的範圍內，記載於申請專利範圍及說明書之各構成元件可任意組合或省略。

本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，係包含：鍍覆槽，其係構成來收容鍍覆液；基板固持器，其係構成來保持將被鍍覆面朝向下方之基板；陽極，其係配置於前述鍍覆槽內；電阻器，其係配置於前述基板與前述陽極之間；攪拌構件，其係配置於前述基板與前述電阻器之間；及驅動機構，其係構成來使前述攪拌構件沿著前述基板之前述被鍍覆面而往返運動；前述驅動機構在用於除去附著於前述電阻器之氣泡的除泡處理時，係構成來執行：以第一位置為中心使前述攪拌構件往返運動之第一除去氣泡動作；及以與前述第一位置不同之第二位置為中心使前述攪拌構件往返運動的第二除去氣泡動作。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，其中前述驅動機構係構成來在對前述基板之前述被鍍覆面實施鍍覆處理時，執行以通過前述被鍍覆面之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動之攪拌動作。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，其中前述驅動機構係構成來在前述攪拌動作時，使前述攪拌構件以標準行程往返運動，在前述第一除去氣泡動作時及前述第二除去氣泡動作時，使前述攪拌構件以比前述標準行程還短之用於除去氣泡的行程往返運動。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，其中進一步包含：遮蔽構件，其係配置於前述攪拌構件之往返運動的範圍內；及遮蔽機構，其係可使前述遮蔽構件在前述電阻器與前述基板之間的遮蔽位置、與從前述電阻器與前述基板之間離開的退開位置之間移動；前述攪拌構件在與前述遮蔽構件相對之部分具有對應於前述遮蔽構件之形狀的缺口，前述驅動機構在用於除去附著於前述電阻器之氣泡的除泡處理時，係構成來執行：以通過前述電阻器之中心的基準位置為中心，使前述攪拌構件往返運動之基準除去氣泡動作；及以比前述基準位置靠近前述遮蔽構件之位置為中心，使前述攪拌構件往返運動之周緣除去氣泡動作。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，其中前述驅動機構在對前述基板之前述被鍍覆面實施鍍覆處理時，係構成來執行：當前述遮蔽構件在前述遮蔽位置時，使前述攪拌構件以第一行程往返運動之基準攪拌動作；與當前述遮蔽構件在前述退開位置時，使前述攪拌構件以比前述第一行程還長之第二行程往返運動的擴大攪拌動作。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置，其中前述第二行程係將前述攪拌構件之往返運動的範圍比前述第一行程還增長至前述遮蔽構件側的行程。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，係包含：供給步驟，其係供給鍍覆液至電阻器配置於內部之鍍覆槽；第一除去氣泡步驟，其係藉由使配置於前述鍍覆槽內之前述電阻器上方的攪拌構件以第一位置為中心往返運動，來除去附著於前述電阻器之氣泡；及第二除去氣泡步驟，其係藉由使前述攪拌構件以與前述第一位置不同之第二位置為中心往返運動，來除去附著於前述電阻器之氣泡。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，其中進一步包含：浸漬步驟，其係使將被鍍覆面朝向下方之基板浸漬於前述鍍覆槽內的鍍覆液；鍍覆步驟，其係在前述基板之前述被鍍覆面上形成鍍覆；及攪拌步驟，其係在前述鍍覆步驟執行中，以通過前述被鍍覆面之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，其中前述攪拌步驟係使前述攪拌構件以標準行程往返運動，前述第一除去氣泡步驟及前述第二除去氣泡步驟係使前述攪拌構件以比前述標準行程還短之用於除去氣泡行程往返運動。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，其中在前述攪拌構件之往返運動範圍內配置遮蔽構件，在前述攪拌構件與前述遮蔽構件相對之部分形成有對應於前述遮蔽構件之形狀的缺口時，前述第一除去氣泡步驟包含基準除去氣泡步驟，其係以通過前述電阻器之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動，前述第二除去氣泡步驟包含周緣除去氣泡步驟，其係以比前述基準位置靠近前述遮蔽構件之位置為中心使前述攪拌構件往返運動。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，其中進一步包含：遮蔽步驟，其係在前述鍍覆步驟執行中，使前述遮蔽構件在前述電阻器與前述基板之間的遮蔽位置、與從前述電阻器與前述基板之間離開的退開位置之間移動；基準攪拌步驟，其係當前述遮蔽構件在前述遮蔽位置時，使前述攪拌構件以第一行程往返運動；及擴大攪拌步驟，其係當前述遮蔽構件在前述退開位置時，使前述攪拌構件以比前述第一行程還長之第二行程往返運動。

再者，本申請案作為一個實施形態係揭示一種鍍覆裝置之作動方法，其中前述第二行程係將前述攪拌構件之往返運動的範圍比前述第一行程還增長至前述遮蔽構件側的行程。

100:裝載埠 110:搬送機器人 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 410:鍍覆槽 420:隔膜 422:陰極區域 424:陽極區域 430:陽極 440:基板固持器 442:升降機構 446:旋轉機構 450:電阻器 480:攪拌構件（槳葉） 480A:基端部 480B:攪拌部 480C:前端部 480D:缺口 481:遮蔽構件 482:驅動機構 484:槳葉軸桿 485:遮蔽機構 500:清洗模組 600:自旋沖洗乾燥機 700:搬送裝置 800:控制模組 1000:鍍覆裝置 Wf:基板 Wf-a:被鍍覆面

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成之立體圖。 圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成之俯視圖。 圖3係概略顯示本實施形態之鍍覆模組的構成之縱剖面圖。 圖4係示意顯示一種實施形態之攪拌構件的俯視圖。 圖5A係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。 圖5B係示意顯示以靠近電阻器周緣之位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。 圖5C係示意顯示以靠近電阻器周緣之位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。 圖6係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。 圖7係鍍覆裝置之作動方法的流程圖。 圖8係概略顯示本實施形態之鍍覆模組的構成之縱剖面圖。 圖9A係示意顯示以基準位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。 圖9B係示意顯示以比基準位置靠近遮蔽構件之位置為中心使攪拌構件往返運動來執行除去氣泡動作之狀態的俯視圖。 圖10A係示意顯示以第一行程使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。 圖10B係示意顯示以第二行程使攪拌構件往返運動來執行攪拌動作之狀態的俯視圖。 圖11係鍍覆裝置之作動方法的流程圖。

400:鍍覆模組

410:鍍覆槽

420:隔膜

422:陰極區域

424:陽極區域

430:陽極

440:基板固持器

442:升降機構

446:旋轉機構

450:電阻器

480:攪拌構件(槳葉)

482:驅動機構

Wf:基板

Wf-a:被鍍覆面

Claims (12)

1. 一種鍍覆裝置，係包含： 鍍覆槽，其係構成來收容鍍覆液； 基板固持器，其係構成來保持將被鍍覆面朝向下方之基板； 陽極，其係配置於前述鍍覆槽內； 電阻器，其係配置於前述基板與前述陽極之間； 攪拌構件，其係配置於前述基板與前述電阻器之間；及 驅動機構，其係構成來使前述攪拌構件沿著前述基板之前述被鍍覆面而往返運動； 前述驅動機構在用於除去附著於前述電阻器之氣泡的除泡處理時，係構成來執行：以第一位置為中心使前述攪拌構件往返運動之第一除去氣泡動作；及以與前述第一位置不同之第二位置為中心使前述攪拌構件往返運動的第二除去氣泡動作。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中前述驅動機構係構成來在對前述基板之前述被鍍覆面實施鍍覆處理時，執行以通過前述被鍍覆面之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動之攪拌動作。
3. 如請求項2之鍍覆裝置，其中前述驅動機構係構成來在前述攪拌動作時，使前述攪拌構件以標準行程往返運動，在前述第一除去氣泡動作時及前述第二除去氣泡動作時，使前述攪拌構件以比前述標準行程還短之用於除去氣泡的行程往返運動。
4. 如請求項1之鍍覆裝置，其中進一步包含： 遮蔽構件，其係配置於前述攪拌構件之往返運動的範圍內；及 遮蔽機構，其係可使前述遮蔽構件在前述電阻器與前述基板之間的遮蔽位置、與從前述電阻器與前述基板之間離開的退開位置之間移動； 前述攪拌構件在與前述遮蔽構件相對之部分具有對應於前述遮蔽構件之形狀的缺口， 前述驅動機構在用於除去附著於前述電阻器之氣泡的除泡處理時，係構成來執行：以通過前述電阻器之中心的基準位置為中心，使前述攪拌構件往返運動之基準除去氣泡動作；及以比前述基準位置靠近前述遮蔽構件之位置為中心，使前述攪拌構件往返運動之周緣除去氣泡動作。
5. 如請求項4之鍍覆裝置，其中前述驅動機構在對前述基板之前述被鍍覆面實施鍍覆處理時，係構成來執行：當前述遮蔽構件在前述遮蔽位置時，使前述攪拌構件以第一行程往返運動之基準攪拌動作；與當前述遮蔽構件在前述退開位置時，使前述攪拌構件以比前述第一行程還長之第二行程往返運動的擴大攪拌動作。
6. 如請求項5之鍍覆裝置，其中前述第二行程係將前述攪拌構件之往返運動的範圍比前述第一行程還增長至前述遮蔽構件側的行程。
7. 一種鍍覆裝置之作動方法，係包含： 供給步驟，其係供給鍍覆液至電阻器配置於內部之鍍覆槽中； 第一除去氣泡步驟，其係藉由使配置於前述鍍覆槽內之前述電阻器上方的攪拌構件以第一位置為中心往返運動，來除去附著於前述電阻器之氣泡；及 第二除去氣泡步驟，其係藉由使前述攪拌構件以與前述第一位置不同之第二位置為中心往返運動，來除去附著於前述電阻器之氣泡。
8. 如請求項7的鍍覆裝置之作動方法，其中進一步包含： 浸漬步驟，其係使將被鍍覆面朝向下方之基板浸漬於前述鍍覆槽內的鍍覆液； 鍍覆步驟，其係在前述基板之前述被鍍覆面上形成鍍覆；及 攪拌步驟，其係在前述鍍覆步驟執行中，以通過前述被鍍覆面之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動。
9. 如請求項8的鍍覆裝置之作動方法，其中前述攪拌步驟係使前述攪拌構件以標準行程往返運動， 前述第一除去氣泡步驟及前述第二除去氣泡步驟係使前述攪拌構件以比前述標準行程還短之用於除去氣泡行程往返運動。
10. 如請求項7的鍍覆裝置之作動方法，其中在前述攪拌構件之往返運動範圍內配置遮蔽構件，在前述攪拌構件與前述遮蔽構件相對之部分形成有對應於前述遮蔽構件之形狀的缺口時， 前述第一除去氣泡步驟包含基準除去氣泡步驟，其係以通過前述電阻器之中心的基準位置為中心使前述攪拌構件往返運動， 前述第二除去氣泡步驟包含周緣除去氣泡步驟，其係以比前述基準位置靠近前述遮蔽構件之位置為中心使前述攪拌構件往返運動。
11. 如請求項10的鍍覆裝置之作動方法，其中進一步包含： 遮蔽步驟，其係在前述鍍覆步驟執行中，使前述遮蔽構件在前述電阻器與前述基板之間的遮蔽位置、與從前述電阻器與前述基板之間離開的退開位置之間移動； 基準攪拌步驟，其係當前述遮蔽構件在前述遮蔽位置時，使前述攪拌構件以第一行程往返運動；及 擴大攪拌步驟，其係當前述遮蔽構件在前述退開位置時，使前述攪拌構件以比前述第一行程還長之第二行程往返運動。
12. 如請求項11的鍍覆裝置之作動方法，其中前述第二行程係將前述攪拌構件之往返運動的範圍比前述第一行程還增長至前述遮蔽構件側的行程。