TW202426182A - 研削輪以及研削方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種研削輪,其能不降低生產性而實施修整。[解決手段]一種研削輪,其研削被加工物,且具有:圓環狀的輪基台;以及多個研削磨石,其等在輪基台的一面側排列成環狀,研削磨石具有:基座部,其具有裝設於輪基台之裝設面;以及磨耗促進部,其具有與被加工物接觸之研削面,並比基座部更容易被磨耗。
Description
本發明係關於一種使用於被加工物的研削之研削輪以及研削方法。
藉由沿著分割預定線(切割道)分割以形成有IC(Integrated Circuit,積體電路)、LSI(Large Scale Integration,大型積體電路)等元件之半導體晶圓為代表之板狀的被加工物,而獲得分別包含元件之多個元件晶片。此元件晶片內置於以個人電腦或行動電話為代表之各式各樣的電子設備。近年來,伴隨電子設備的小型化、薄型化,亦對元件晶片要求小型化、薄型化。於是,已使用藉由以研削磨石研削被加工物而進行薄化之手法。
在被加工物的研削中使用研削裝置,所述研削裝置具備:卡盤台,其保持被加工物;以及研削單元,其研削被卡盤台保持之被加工物。研削裝置的研削單元具備固定於成為旋轉軸之主軸的前端部之輪安裝件,在輪安裝件裝設有具備用於研削被加工物的研削磨石之研削輪(例如,參照專利文獻1)。一邊使此研削輪旋轉一邊使研削磨石的研削加工面與被加工物接觸,藉此研削被加工物。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-124690號公報
[發明所欲解決的課題]
在將這種研削輪裝設於研削裝置之後,實施研削輪的修整。研削輪的修整雖是為了研削面的磨銳及研削面的整形所實施之必須的作業,但在實施此修整之際,因在研削裝置的加工會停止,故導致生產性的降低。因此,期望確立一種可不降低生產性而實施研削輪的修整之手法。
因此,本發明之目的係提供一種能不降低生產性而實施修整的研削輪以及研削方法。
[解決課題的技術手段]
根據本發明的一態樣,提供一種研削輪,其研削被加工物,且具有:圓環狀的輪基台;以及多個研削磨石,其等在該輪基台的一面側排列成環狀,該研削磨石具有:基座部,其具有裝設於該輪基台之裝設面;以及磨耗促進部,其具有與該被加工物接觸之研削面,並比該基座部更容易被磨耗。
較佳為,該磨耗促進部的脆性大於該基座部的脆性。並且,較佳為,該磨耗促進部的維氏硬度小於該基座部的維氏硬度。
並且,較佳為該磨耗促進部係以與該基座部相同的材質所構成,在該磨耗促進部的該研削面側形成有多個槽。並且,較佳為,該磨耗促進部係以與該基座部相同的材質所構成,並具有愈朝向該研削面體積變得愈小之形狀。
並且,較佳為,該磨耗促進部的氣孔率高於該基座部的氣孔率。
並且,較佳為,從該磨耗促進部的該研削面朝向該基座部之方向的厚度為5µm以上且15µm以下。
根據本發明的另一態樣,提供一種研削方法,其研削被加工物,且使用研削輪而以磨耗促進部研削該被加工物的正面,所述研削輪具有:圓環狀的輪基台;以及多個研削磨石,其等在該輪基台的一面側排列成環狀,該研削磨石具有:基座部,其具有裝設於該輪基台之裝設面;以及該磨耗促進部,其具有與該被加工物接觸之研削面,並比該基座部更容易被磨耗,並且,所述研削方法在該磨耗促進部消失之後,以該基座部研削該被加工物。
[發明功效]
本發明的一態樣之研削輪具有基座部以及相較於基座部更容易被磨耗之磨耗促進部,且被構成為在被加工物的研削的開始的階段磨耗促進部與被加工物接觸,因此若藉由研削輪而開始被加工物的研削,則磨耗促進部會適當地磨耗,研削輪與被加工物的研削一起修整。如此,根據本發明的一態樣,提供一種能不降低生產性而實施修整的研削輪。
以下,一邊參照隨附圖式,一邊說明本發明的一態樣之研削輪的實施方式。首先,針對本實施方式之研削裝置的構成例進行說明。圖1係示意地表示研削被加工物11之研削裝置2之立體圖。此外,在圖1中,X軸方向(第一水平方向、研削裝置2的左右方向)與Y軸方向(第二水平方向、研削裝置2的前後方向)係互相垂直的方向。並且,Z軸方向(加工進給方向、研削裝置2的高度方向、鉛直方向、上下方向)係與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。
研削裝置2具備基台4,所述基台4支撐或容納構成研削裝置2之各構成要素。在基台4的前端部的上表面側設有開口4a,在開口4a的內側設有搬送被加工物11之搬送單元(搬送機構)6。例如,作為搬送單元6,使用裝設有能保持被加工物11的機械手(end effector,末端效應器)之搬送機器人。
在搬送單元6的兩側設有卡匣設置區域8A、8B。在卡匣設置區域8A、8B上分別配置能容納多個被加工物11的卡匣10A、10B。卡匣10A、10B可分別容納預定被研削裝置2加工的被加工物11(加工前的被加工物11)及已被研削裝置2加工之被加工物11(加工後的被加工物11)。
例如,被加工物11係以單晶矽等半導體材料而成之圓盤狀的晶圓,並具備互相大致平行的正面(第一面)11a及背面(第二面)11b。被加工物11係藉由以互相交叉之方式排列成格子狀之多條切割道(分割預定線)而被劃分成多個矩形狀的區域。並且,在被加工物11的正面11a側的藉由切割道所劃分之各區域分別形成有IC(Integrated Circuit,積體電路)、LSI(Large Scale Integration,大型積體電路)、LED(Light Emitting Diode,發光二極體)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微機電系統)元件等的元件(未圖示)。
使用切割裝置、雷射加工裝置等加工裝置將被加工物11沿著切割道進行分割,藉此製造分別具備元件之多個元件晶片。並且,在被加工物11的分割前或分割後以研削裝置2將被加工物11研削並薄化,藉此獲得薄型化之元件晶片。
但是,被加工物11的種類、材質、大小、形狀、構造等並無限制。例如,被加工物11亦可為以矽以外的半導體(GaAs、InP、GaN、SiC)、玻璃、陶瓷、樹脂、金屬等而成之基板(晶圓)。並且,形成於被加工物11之元件的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制,被加工物11亦可未形成有元件。
再者,被加工物11亦可為CSP(Chip Size Package,晶片級封裝)基板、QFN(Quad Flat Non-leaded Package,四方平面無引腳封裝)基板等的封裝基板。例如,封裝基板係藉由以樹脂層(封膜樹脂)將安裝於預定的基板上之多個元件晶片進行密封而形成。藉由將封裝基板分割並單體化,而製造分別具備封裝化之多個元件晶片之多個封裝元件。
在開口4a的斜後方設有對位機構(對準機構)12。容納於卡匣10A、10B之被加工物11係被搬送單元6搬送至對位機構12。然後,對位機構12夾持被加工物11並配置於預定的位置。
在與對位機構12相鄰之位置設有搬送被加工物11之搬送單元(搬送機構、裝載臂)14。例如,搬送單元14具備吸引保持被加工物11的上表面側之吸引墊。搬送單元14以吸引墊保持藉由對位機構12而進行對位之被加工物11之後,使吸引墊回旋而將被加工物11搬送至後方。
在搬送單元14的後方設有圓盤狀的轉盤16。在轉盤16連結有使轉盤16繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉之馬達等旋轉驅動源(未圖示)。
在轉盤16上設有保持被加工物11之多個卡盤台(保持台)18。在圖1表示三個卡盤台18沿著轉盤16的圓周方向以大致等間隔(120°間隔)配置之例。但是,卡盤台18的個數並無限制。
圖1所示之轉盤16在俯視下順時鐘及逆時鐘地旋轉。藉此,各卡盤台18經過搬送位置A、粗研削位置(第一研削位置)B、精研削位置(第二研削位置)C,再依順序定位於搬送位置A。
在粗研削位置B的附近及精研削位置C的附近分別設有測量被卡盤台18保持之被加工物11的厚度之厚度測量器26。例如,厚度測量器26具備:第一高度測量器(第一高度規),其測量被卡盤台18保持之被加工物11的上表面的高度;以及第二高度測量器(第二高度規),其測量卡盤台18的上表面的高度。
在粗研削位置B、精研削位置C的後方分別配置有柱狀的支撐構造28A、28B。然後,在支撐構造28A的前表面側設有移動單元(移動機構)30A,在支撐構造28B的前表面側設有移動單元(移動機構)30B。
移動單元30A、30B分別具備沿著Z軸方向配置之一對導軌32。平板狀的移動板34係能沿著導軌32滑動地安裝於一對導軌32。
在移動板34的後表面側(背面側)設有螺帽部(未圖示)。在一對導軌32之間沿著Z軸方向配置之滾珠螺桿36係與此螺帽部螺合。並且,在滾珠螺桿36的端部連結有使滾珠螺桿36旋轉之脈衝馬達38。若以脈衝馬達38使滾珠螺桿36旋轉,則移動板34沿著Z軸方向進行移動。
在移動單元30A的移動板34裝設有對被加工物11施行粗研削之研削單元(粗研削單元)40A。研削單元40A將已定位於粗研削位置B之被卡盤台18保持之被加工物11進行研削。並且,在移動單元30B的移動板34裝設有對被加工物11施行精研削之研削單元(精研削單元)40B。研削單元40B將已定位於精研削位置C之被卡盤台18保持之被加工物11進行研削。
研削單元40A、40B分別具備形成為中空的圓柱狀之外殼42。外殼42固定於移動板34的前表面側(正面側)。在外殼42容納有沿著Z軸方向配置之圓柱狀的主軸44(參照圖5),主軸44的前端部(下端部)從外殼42露出。而且,在主軸44的基端部(上端部)連結有使主軸44旋轉之馬達46,在主軸44的前端部固定有以金屬等而成之圓盤狀的輪安裝件48。
在研削單元40A的輪安裝件48的下表面側裝設有粗研削用的研削輪(粗研削輪)50A。另一方面,研削單元40B的輪安裝件48的下表面側裝設有精研削用的研削輪(精研削輪)50B。研削輪50A、50B係能在輪安裝件48裝卸並研削被加工物11之加工工具,且例如被鎖緊螺栓等固定具固定於輪安裝件48。藉此,研削輪50A、50B裝設於主軸44的前端部。針對研削輪50A、50B的詳細將於後述。
移動單元30A係藉由使研削單元40A沿著Z軸方向升降,而使定位於粗研削位置B之卡盤台18與研削輪50A沿著Z軸方向互相接近及分離。同樣地,移動單元30B係藉由使研削單元40B沿著Z軸方向升降,而使定位於精研削位置C之卡盤台18與研削輪50B沿著Z軸方向互相接近及分離。
如圖1所示般,在X軸方向上與搬送單元14相鄰之位置設有搬送被加工物11之搬送單元(搬送機構、卸載臂)66。例如,搬送單元66具備吸引保持被加工物11的上表面側之吸引墊。搬送單元66以吸引墊保持被配置於搬送位置A之卡盤台18保持之被加工物11之後,使吸引墊回旋而將被加工物11搬送至前方。
在搬送單元66的前方側設有清洗被加工物11之清洗單元(清洗機構、清洗裝置)68。清洗單元68清洗藉由搬送單元66而從卡盤台18被搬送來之被加工物11。例如,清洗單元68具備:旋轉台,其保持被加工物11並進行旋轉;以及噴嘴,其將清洗用的液體(純水等)供給至被旋轉台保持之被加工物11。
並且,研削裝置2具備與構成研削裝置2之各構成要素(搬送單元6、對位機構12、搬送單元14、轉盤16、卡盤台18、厚度測量器26、移動單元30A、30B、研削單元40A、40B、搬送單元66、清洗單元68等)連接之控制器(控制單元、控制部、控制裝置)64。控制器64係藉由將控制訊號輸出至研削裝置2的各構成要素而控制研削裝置2的運行。
例如,控制器64係藉由電腦而構成,並包含:運算部,其進行研削裝置2的運行所需要的運算;以及記憶部,其記憶研削裝置2的運行所使用之各種資訊(資料、程式等)。運算部係包含CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)等處理器而構成。並且,記憶部係包含ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)等記憶體而構成。
在以研削裝置2加工被加工物11之際,首先,將容納多個被加工物11之卡匣10A或卡匣10B設置於卡匣設置區域8A或卡匣設置區域8B上。然後,藉由搬送單元6而將被加工物11從卡匣10A或卡匣10B搬送至對位機構12,藉由對位機構12而進行被加工物11的對位。之後,藉由搬送單元14而將被加工物11搬送至配置於搬送位置A之卡盤台18,藉由卡盤台18進行保持。
接下來,旋轉轉盤16,將已保持被加工物11之卡盤台18定位於粗研削位置B。然後,藉由裝設於研削單元40A之研削輪50A而研削被加工物11。藉此,對被加工物11施行粗研削。
接下來,旋轉轉盤16,將已保持被加工物11之卡盤台18定位於精研削位置C。然後,藉由裝設於研削單元40B之研削輪50B而研削被加工物11。藉此,對被加工物11施行精研削。
若完成被加工物11的研削,則旋轉轉盤16,將已保持被加工物11之卡盤台18再度定位於搬送位置A。然後,被加工物11係藉由搬送單元66而從卡盤台18上被搬送至清洗單元68,藉由清洗單元68進行清洗。清洗後的被加工物11係藉由搬送單元6而被搬送,並再度容納於卡匣10A或卡匣10B。
接下來,針對研削輪50A、50B進行說明。此外,在以下,以粗研削用的研削輪50A為例進行說明,但精研削用的研削輪50B亦可設為同樣的構成。圖2係示意地表示研削輪50A的第一例之立體圖,圖3係示意地表示研削輪50A的第一例之剖面圖,圖4係放大圖3的研削磨石54之側視圖。
如圖2所示,研削輪50A具備環狀的輪基台52。輪基台52係以鋁、不鏽鋼等金屬而成,並形成為與輪安裝件48大致同直徑。並且,在輪基台52的下表面側固定有多個研削磨石54。例如,研削磨石54形成為長方體狀,並沿著輪基台52的圓周方向以大致等間隔地排列成環狀。
如圖4所示,研削磨石54具有:基座部56,其具有裝設於輪基台52之裝設面58;以及磨耗促進部60,其具有朝向與裝設面58相反之側並與被加工物11接觸之研削面62。基座部56形成為例如長方體狀。而且,磨耗促進部60設為比基座部56更容易被磨耗之構成。
例如,作為磨耗促進部60的材質(材料),使用脆性比基座部56的材質更大的材質,藉此磨耗促進部60相較於基座部56變得更容易被磨耗。或者,作為磨耗促進部60的材質,使用維氏硬度比基座部56的材質更小的材質,藉此磨耗促進部60相較於基座部56變得更容易被磨耗。
另一方面,在基座部56的材質與磨耗促進部60的材質相同之情形中,磨耗促進部60構成為愈朝向研削面62體積變愈小之形狀,藉此磨耗促進部60相較於基座部56變得更容易被磨耗。例如,將磨耗促進部60的形狀設為研削面62側的體積小的圓頂形狀、錐台形狀,藉此磨耗促進部60相較於基座部56更容易被磨耗。同樣地,在磨耗促進部60的氣孔率大於基座部56的氣孔率之情形中,磨耗促進部60相較於基座部56亦變得更容易被磨耗。
基座部56及磨耗促進部60的材質並無特別限制。例如,基座部56及磨耗促進部60係以包含以金剛石、cBN(cubic Boron Nitride,立方氮化硼)等而成之磨粒與固定磨粒之金屬黏合劑、樹脂黏合劑、陶瓷黏合劑等結合材(黏合材)之材質而構成。此外,研削磨石54的數量及排列亦能任意設定。
磨耗促進部60的厚度a較佳設成在完成一片被加工物11的研削之前磨耗促進部60會完全失去之程度的厚度。藉由將磨耗促進部60的厚度a設定成這種厚度,一片被加工物11會被磨耗促進部60與基座部56的雙方研削。例如,磨耗促進部60的厚度a較佳為5µm以上且15µm以下。
接下來,在本實施方式中,針對藉由將磨耗促進部60設為比基座部56更容易被磨耗之構成而產生之作用與其效果進行說明。圖5係示意地表示研削被加工物11之前的研削輪50A及被加工物11之側視圖。並且,圖6係示意地表示在研削被加工物11途中磨耗促進部60進行磨耗之情況之側視圖,圖7係示意地表示在研削被加工物11途中失去磨耗促進部60之情況之側視圖。
如圖5所示,若使馬達46驅動,則主軸44及研削輪50A繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。藉此,多個研削磨石54分別沿著將主軸44及研削輪50A的旋轉軸作為中心之環狀的回旋路徑(軌道)回旋。
如圖5所示,在將研削輪50A安裝於輪安裝件48之際,例如,若在輪安裝件48與研削輪50A之間存在異物,則在輪安裝件48與研削輪50A之間會產生間隙c。此結果,研削磨石54的研削面62係相對於被加工物11的正面(研削面)11a而傾斜。亦即,實際的研削面62係相對於被加工物11的正面11a被適當地研削之理想性的狀態的研削面而傾斜,在實際的研削面62與理想性的研削面之間產生偏移量b的偏移。
若在存在這樣偏移量b之狀態下研削被加工物11,則在被加工物11的正面11a會產生與研削磨石54接觸之部分及未接觸之部分。藉此,有被加工物11的品質降低之虞。更具體而言,例如,有在多個被加工物11之間產生之表面粗糙度的偏差或者一個被加工物11之中產生之表面粗糙度的面內偏差變大之虞。
如圖6所示,本實施方式的研削輪50A在被加工物11的研削的開始的階段被構成為磨耗促進部60與被加工物11接觸。因此,若藉由研削輪50A而開始被加工物11的研削,則磨耗促進部60會適當地磨耗,研削輪50A與被加工物11的研削一起被修整。其結果,研削磨石54的下表面接近理想性的研削面,偏移量b的影響實質上消失。
在習知的研削裝置及研削方法中,為了修整研削輪(磨銳、整形),需要在被加工物的研削前準備擬真用的被加工物而進行研削之步驟。相對於此,若使用本實施方式的研削輪50A,則如上述般,不需要用於研削輪50A的修整的特別的作業,而是與被加工物11的研削同時地實施修整。因此,本實施方式的研削輪可防止生產性的降低。
本實施方式的研削輪50A在如研削輪50A的更換頻率高且用於修整的作業的頻率變高般的情形,例如,在研削以硬質材料而成之被加工物11之情形等中,發揮特別顯著的效果。並且,在本實施方式的研削輪50A中,如上述,因磨耗促進部60被構成為藉由研削一片被加工物11而完全地去除之程度的厚度,故在以磨耗促進部60研削被加工物11之後,接著以基座部56研削相同的被加工物11。因此,可將被加工物11的品質維持成與以往同等。
此外,磨耗促進部60的從研削面62朝向基座部56之方向的厚度(圖4的厚度a)較佳為因應研削輪50A的安裝公差而調整。例如,磨耗促進部60的厚度較佳設為安裝公差以上。並且,若磨耗促進部60的厚度過大,則磨耗促進部60不會完全失去而完成一片被加工物11的研削。在此情形中,在僅被磨耗促進部60研削之被加工物11與在磨耗促進部60完全失去之後被基座部56研削之被加工物11之間品質容易不同。因此,磨耗促進部60的厚度較佳為在完成一片被加工物11的研削之前完全地失去之程度的厚度。
藉此,磨耗促進部60被構成為藉由研削一片被加工物11而完全地去除之程度的厚度,藉此在以磨耗促進部60研削被加工物11之後,接下來以基座部56研削相同的被加工物11。其結果,在多個被加工物11之間品質變得容易保持一定。
針對研削磨石54的其他態樣進行說明。圖8係示意地表示研削輪50A的第二例之剖面圖,圖9係放大圖8的研削磨石54之側視圖。如圖8及圖9所示,在本實施方式中,在磨耗促進部60的研削面62側設有多個槽。藉由磨耗促進部60具有這種形狀,磨耗促進部60的體積變得比基座部56更小,磨耗促進部60變得比基座部56更容易被磨耗。
圖10係示意地表示研削輪50A的第三例之剖面圖,圖11係放大圖10的研削磨石54之側視圖。如圖10及圖11所示,在本實施方式中,磨耗促進部60具有圓頂形狀。亦即,磨耗促進部60係以愈朝向研削面62體積變得愈小之方式具有朝向研削面62逐漸變細之形狀。藉由磨耗促進部60具有這種形狀,磨耗促進部60的體積尤其在研削面62側變得比基座部56更小,磨耗促進部60的研削面62側變得比基座部56更容易被磨耗。
圖12係示意地表示研削輪50A的第四例的研削磨石54之剖面圖。如圖12所示,在本實施方式中,磨耗促進部60具有四角錐台形狀。亦即,磨耗促進部60係以愈朝向研削面62體積變得愈小之方式具有朝向研削面62逐漸變細之形狀。藉由磨耗促進部60具有這種形狀,磨耗促進部60的體積尤其在研削面62側變得比基座部56更小,磨耗促進部60的研削面62側變得比基座部56更容易被磨耗。
接下來,針對本發明的一態樣之研削方法進行說明。圖13係表示研削方式的第一例之流程圖。如圖13所示,本實施方式的研削方法具有將研削輪50A安裝於輪安裝件48之步驟(S1)、將被加工物11搬送至粗研削位置B之步驟(S2)、第一研削步驟(S3)以及第二研削步驟(S4)。
但是,在精研削用的研削輪50B被構成為與上述粗研削用的研削輪50A同樣之情形中,可將步驟S1中之研削輪50A置換成研削輪50B,且將步驟S2中之粗研削位置B置換成精研削位置C。
在本實施方式的研削方法中使用上述之本發明的一態樣之研削裝置2。若開始被加工物11的研削,則研削裝置2在第一研削步驟(S3)中以研削磨石54的磨耗促進部60研削被加工物11。因磨耗促進部60被構成為容易被磨耗,故在與被加工物11的研削同時進行研削輪50A的修整。然後,研削裝置2即使在磨耗促進部60因磨耗而失去之後,亦在第二研削步驟(S4)中以研削磨石54的基座部56繼續研削被加工物11。
如上述般,根據本實施方式,提供一種能不降低生產性而實施修整的研削方法。
此外,上述之實施方式之構造、方法等,只要在不脫離本發明的目的的範圍內可進行適當變更並實施。
11:被加工物
11a:正面(第一面)
11b:背面(第二面)
2:研削裝置
4:基台
4a:開口
6:搬送單元(搬送機構)
8A,8B:卡匣設置區域
10A,10B:卡匣
12:對位機構(對準機構)
14:搬送單元(搬送機構,裝載臂)
16:轉盤
18:卡盤台(保持台)
26:厚度測量器
28A,28B:支撐構造
30A,30B:移動單元(移動機構)
32:導軌
34:移動板
36:滾珠螺桿
38:脈衝馬達
40A:研削單元(粗研削單元)
40B:研削單元(精研削單元)
42:外殼
44:主軸
48:輪安裝件
50A:研削輪(粗研削輪)
50B:研削輪(精研削輪)
52:輪基台
54:研削磨石
56:研削磨石的基座部
58:研削磨石的向輪基台的裝設面
60:研削磨石的磨耗促進部
62:研削磨石的研削面
64:控制器(控制單元,控制部,控制裝置)
66:搬送單元(搬送機構,卸載臂)
68:清洗單元(清洗機構,清洗裝置)
圖1係示意地表示研削裝置之立體圖。
圖2係示意地表示研削輪的第一例之立體圖。
圖3係示意地表示研削輪的第一例之剖面圖。
圖4係放大圖3的研削磨石之側視圖。
圖5係示意地表示研削被加工物之前的研削輪及被加工物之側視圖。
圖6係示意地表示在研削被加工物之途中磨耗促進部進行磨耗之情況之側視圖。
圖7係示意地表示在研削被加工物之途中失去磨耗促進部之情況之側視圖。
圖8係示意地表示研削輪的第二例之剖面圖。
圖9係放大圖8的研削磨石之側視圖。
圖10係示意地表示研削輪的第三例之剖面圖。
圖11係放大圖10的研削磨石之側視圖。
圖12係示意地表示研削輪的第四例的研削磨石之剖面圖。
圖13係表示研削方式的第一例之流程圖。
50A:研削輪(粗研削輪)
52:輪基台
54:研削磨石
Claims (8)
- 一種研削輪,其研削被加工物,且具有: 圓環狀的輪基台;以及 多個研削磨石,其等在該輪基台的一面側排列成環狀, 該研削磨石具有: 基座部,其具有裝設於該輪基台之裝設面;以及 磨耗促進部,其具有與該被加工物接觸之研削面,並比該基座部更容易被磨耗。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部的脆性大於該基座部的脆性。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部的維氏硬度小於該基座部的維氏硬度。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部係以與該基座部相同的材質所構成, 在該磨耗促進部的該研削面側形成有多個槽。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部係以與該基座部相同的材質所構成,並具有愈朝向該研削面體積變得愈小之形狀。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部的氣孔率高於該基座部的氣孔率。
- 如請求項1之研削輪,其中,該磨耗促進部的從該研削面朝向該基座部之方向的厚度為5µm以上且15µm以下。
- 一種研削方法,其研削被加工物,且使用研削輪而以磨耗促進部研削該被加工物的正面, 該研削輪具有: 圓環狀的輪基台;以及 多個研削磨石,其等在該輪基台的一面側排列成環狀, 該研削磨石具有: 基座部,其具有裝設於該輪基台之裝設面;以及 該磨耗促進部,其具有與該被加工物接觸之研削面,並比該基座部更容易被磨耗, 該研削方法在該磨耗促進部消失之後,以該基座部研削該被加工物。
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