TW202235502A - 聚乙烯醇薄膜及使用其之光學薄膜 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種聚乙烯醇薄膜及其之光學薄膜,該聚乙烯醇薄膜具有均勻及對稱的遲滯量,於拉伸時具有均勻性而不易發生斷膜情況,利於作為製造偏光膜。本發明之聚乙烯醇薄膜具有遲滯量之標準差<3 nm,且該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8<10。
Description
本發明係關於一種聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜,可用於作為光學薄膜,特別係偏光膜,應用在不同領域,特別係顯示裝置。
聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜是一種親水性聚合物,具有透明性、機械強度、水溶性、可加工性佳等性能,已廣泛用於包裝材料或電子產品的光學薄膜,特別係偏光膜。
PVA薄膜製備光學薄膜的製造過程中,可依照所需性能而選擇性地使用官能基改質,隨後再進行拉伸。製造方法可分為乾式及濕式,乾式是在固定的溫濕度下,將PVA薄膜於惰性氣體環境中進行拉伸,隨後進行染色等工序;濕式是將PVA薄膜進行染色,隨後在於溶液中進行拉伸。由於乾式所製備的PVA薄膜常會有表面不平整、或染色不均的問題,而濕式所製造出的PVA薄膜具有較佳性能(例如顏色均勻),因此目前一般係使用濕式方式製造PVA薄膜居多。
製造偏光膜時,拉伸倍率越高,可獲得的光學性能也會隨之提高,因此於拉伸時會盡可能的將PVA薄膜拉伸至接近斷裂的臨界附近,以獲得較佳光學性的PVA薄膜。
然而,改質或染色後會改變PVA薄膜的拉伸性及可承受的拉伸強度,而PVA薄膜在拉伸不均勻時會發生斷膜。因此,如何能製造出能拉伸均勻的PVA薄膜,降低斷膜情況,是目前PVA薄膜所需開發的目標之一。
是以,本發明之目的為提供一種PVA薄膜,其具有遲滯量之標準差<3 nm,且該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8<10。
於較佳實施例中,該PVA薄膜具有最大遲滯量<56 nm。
於較佳實施例中,該PVA薄膜的MD方向斷裂伸長率>400%。
於較佳實施例中,該PVA薄膜的含水率>2.0 wt%。
於較佳實施例中,該PVA薄膜的pH值介於5.5至8.5。
於較佳實施例中,該PVA薄膜的晶面顆粒大小為4至6 nm。
本發明之另一目的為提供一種光學薄膜,其係由如本發明之PVA薄膜所製得。
於較佳實施例中,該光學薄膜係偏光膜。
於較佳實施例中,該偏光膜具有偏光度>99.8。
相較於習知技術,本發明之PVA薄膜具有均勻及對稱的遲滯量,於後續用於製作光學薄膜時,能夠拉伸均勻而不易發生斷膜,有效改善偏光膜製程上的缺陷,提高製程良率。
以下實施方式不應視為過度地限制本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可在不背離本發明之精神或範疇的情況下對本文所討論之實施例進行修改及變化,而仍屬於本發明之範圍。
本文中術語「一」及「一種」代表於本文中之語法對象有一個或多於一個(即至少一個)。
本發明之聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜,其具有遲滯量之標準差<3 nm,且該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8<10。製備本發明之PVA薄膜之方法,其步驟包含:配製聚乙烯醇澆鑄溶液後,將該聚乙烯醇澆鑄溶液澆鑄至鑄造滾筒,經乾燥後形成聚乙烯醇系聚合物薄膜。
具體而言,該PVA薄膜之製造方法包含下列步驟:於溶解槽中,將該聚乙烯醇樹脂溶解於溶液(例如,水)中形成該聚乙烯醇澆鑄溶液;可選擇性地使用過濾器過濾該聚乙烯醇澆鑄溶液;隨後,利用齒輪幫浦(gear pump)及塗佈機(例如,T型模頭塗佈機),將該聚乙烯醇澆鑄溶液澆鑄至鑄造滾筒;最後,將滾筒上成膜的PVA薄膜剝離後,經過一系列熱輥及/或乾燥之熱處理獲得PVA薄膜。
配置聚乙烯醇澆鑄溶液,係將聚乙烯醇樹脂於溶解槽中溶解,該溶解槽中的溶解溫度為>100℃,較佳>110℃,更加為>120℃,具體例如105℃、110℃、115℃、120℃、125℃、130℃、135℃或140℃,且本發明並不限於此等。該溶解槽較佳係以每小時4~20℃的速度進行升溫,較佳為5~15℃,更佳為6~9℃,具體例如4.0℃/hr、5.0℃/hr、6.0℃/hr、7.0℃/hr、8.0℃/hr、9.0℃/hr、10℃/hr、11℃/hr、12℃/hr、13℃/hr、14℃/hr、15℃/hr、16℃/hr、17℃/hr、18℃/hr、19℃/hr或20℃/hr等,若升溫速率過快,聚乙烯醇樹脂易產生結塊,導致溶解不全。升溫至所欲的溶解溫度後,該聚乙烯醇澆鑄溶液持續攪拌2~4小時,較佳為3小時,且攪拌方向在每1小時內改變至少2次,較佳為3次,例如順時鐘旋轉20分鐘後改為逆時鐘旋轉20分鐘。上述之攪拌過程反轉方向可增加溶解效果,避免該聚乙烯醇澆鑄溶液中有團簇(cluster)殘留。
配置聚乙烯醇澆鑄溶液,聚乙烯醇樹脂的含量為10至60重量%,較佳為15至40重量%,更佳為20至30重量%,具體例如10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60重量%等。若該聚乙烯醇樹脂的含量不足,會使該聚乙烯醇澆鑄溶液的黏度過低,乾燥負荷過大,導致製備PVA薄膜的成膜效率差。相反地,若聚乙烯醇樹脂的含量過高,聚乙烯醇樹脂不易溶解,易殘留團簇,造成PVA薄膜之位相差均勻性劣化,且影響後續製程的薄膜的拉伸均勻性,進一步影響拉伸時斷膜的可能性。
上開之聚乙烯醇樹脂,係由乙烯酯系樹脂單體聚合,形成聚乙烯酯系樹脂後,再進行皂化反應所獲得;其中,該乙烯酯系樹脂單體包含甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、戊酸乙烯酯或辛酸乙烯酯等乙烯酯類,且本發明並不限於此等,較佳為乙酸乙烯酯。此外,烯烴類化合物或丙烯酸酯衍生物,與上述乙烯酯系樹脂單體共聚合形成之共聚合物亦可使用;該烯烴類化合物包含乙烯、丙烯或丁烯等,且本發明並不限於此等。該丙烯酸酯衍生物包含丙烯酸、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯或丙烯酸正丁酯等,且本發明並不限於此等。
聚乙烯醇樹脂的皂化度為90%以上,較佳為99%以上,以獲得較佳之光學特性,具體例如90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、99.1、99.2、99.3、99.4、99.5、99.6、99.7、99.8、99.9%等。該聚乙烯醇的聚合度係介於800至10000之間,且較佳為2200至100 00之間,具體例如800、900、1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000、8000、9000、10000等,聚合度高於800具有較佳之加工特性,但聚合度若高於10000則不利於溶解。
在澆鑄溶液中,除了聚乙烯醇系樹脂,亦可含有塑化劑以增進成膜之加工性,可使用之塑化劑包含多元醇,例如乙二醇、雙乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、丙二醇或丙三醇等,且本發明並不限於此等,較佳為乙二醇及丙三醇。該塑化劑的添加量相對於100重量分之聚乙烯醇樹脂,通常係介於3~30重量份,較佳係介於7~20重量份,具體例如3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30重量份等。若該塑化劑含量不足,所形成之PVA薄膜容易產生結晶而影響後續加工之染色效能。相反地,若該塑化劑含量過高,則會破壞PVA薄膜的機械性質。
該PVA薄膜之製造方法所使用的設備包含溶解槽、過濾器、塗佈機及連接自該溶解槽至該塗佈機前的輸送管線,較佳狀態下該等設備包覆有保溫裝置,該保溫裝置可為金屬電熱線、或為內部裝盛有液體之夾套,例如油或水,藉由加熱金屬導線或夾套內之液體,使該等設備維持均勻加熱之保溫狀態,特別係設備及管線表面,避免設備或管線因表面喪失溫度而使該聚乙烯醇澆鑄溶液中的聚乙烯醇形成凝膠或團簇。此外,保溫溫度亦不可過高,否則會使部分該聚乙烯醇澆鑄溶液脫水或膠化,形成焦黃色或黑色的凝膠,影響到後端塗佈成膜後PVA薄膜的表面品質與均勻性。該聚乙烯醇澆鑄溶液於塗佈成型處的保溫溫度為80~120℃,較佳為90~110℃,更佳為於90~100 ℃,具體例如80、85、90、95、100、105、110、115、120℃等。
當將聚乙烯醇澆鑄溶液澆鑄至鑄造滾筒時,該鑄造滾筒的旋轉速度為約3~7 m/min,較佳為4~6 m/min。當滾筒速度過慢時,則澆鑄溶液過分乾燥,有位相差、熔點分布不均的傾向。相反地,當滾筒速度過快時,澆鑄溶液乾燥不充分,剝離性降低。另外,較佳實施態樣中,該滾筒的溫度設定在85~90 ℃,具體例如85、86、88、87、88、89、90℃等,若滾筒溫度過高,於滾筒上的澆鑄溶液容易有起泡現象。
鑄造滾筒上初步成膜的PVA薄膜自滾筒剝離後,經乾燥形成PVA薄膜,乾燥過程可選擇在熱輥上或在浮動式乾燥機上進行。該熱輥及浮動式乾燥機的數目並無特別限制,可視需要調整。但是,於較佳實施例中,乾燥的車廂(即烘箱)溫度比最高/最低為2.0~2.4;該車廂溫度比過大時,易導致結晶度不均,使PVA薄膜用於製作光學薄膜時會與硼酸反應不均勻。此外,相鄰的車廂溫度差以65 ℃以下為較佳,60 ℃以下為更佳,50 ℃為最佳,相鄰的車廂溫度差過大時,易導致位相差分布不均。另外,該浮動式乾燥機內沿著幅寬方向(即垂直於機械方向)成形的PVA薄膜所接收到的氣流量並無特定限制,但最大/最小的氣流量比必須控制在3.0以下,具體例如0、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5或3.0。由於風量大的地方容易帶走水分,乾燥程度大,而此氣流量比範圍可控制PVA薄膜每個位置所接觸到的風量相同,以達到均勻乾燥。此外,若氣流量比過大時,使PVA薄膜用於製作光學薄膜時會與硼酸反應不均勻及位相差不均的問題。
本發明中,所述的MD為機械方向(Machine Direction),即PVA薄膜的縱向;所述的TD為橫向 (Transverse Direction),即PVA薄膜的橫向。
本發明中,所述的遲滯量(Retardation) 係指當光穿透過薄膜時,其入射偏振光的相位改變的量,也就是相位延遲的量,單位為nm;遲滯量數值的均勻性牽涉到分子取向均勻性及厚度均勻性,對於後續光學薄膜製程影響甚鉅。如圖1所示,遲滯量的量測係將PVA薄膜的其中一MD位置,由TD方向端部40公分以內的範圍內,沿著TD方向切出左、中、右三片10cm*10cm面積的試片進行量測,可得到面內所有點的遲滯量數值及統計數據 (最大值、標準差等)。
本發明中,所述的遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8係將PVA薄膜所量測的遲滯量數值進行擬合所獲得的參數。該擬合係將遲滯量數值表示成分布圖,如下表1所示,遲滯量數值區間的中值為X軸數據,曲線下面積(area)當Y軸進行做圖,其分佈圖會接近對稱分佈。使用高斯和洛倫茲(Gaussian-Lorentzian Sum)對稱函數進行擬合,並使用軟體PeakFit進行數據擬合;擬合範圍係選則主要分布區間,包含兩個端點Y值為零的數據,以外的數據去除,擬合時允許波峰寬度與形狀任意變動,以取得最好的擬合結果;進行快速擬合(Fast Peak Fit with Numerical Update),不斷重複值到迭代值(Iteration value) 不再變化為止;紀錄Asym50數值。擬合後的對稱分佈圖如圖2所示,黑點為遲滯量分布,曲線為高斯和洛倫茲(Gaussian-Lorentzian Sum)對稱函數擬合數據。
表1
遲滯量(nm) | 遲滯量(nm)中值/X軸 | Area/Y軸 |
0.000000-0.400000 | 0.2 | 480 |
0.400000-0.800000 | 0.6 | 2032 |
0.800000-1.200000 | 1 | 3078 |
1.200000-1.600000 | 1.4 | 3351 |
1.600000-2.000000 | 1.8 | 4277 |
2.000000-2.400000 | 2.2 | 5301 |
2.400000-2.800000 | 2.6 | 6704 |
2.800000-3.200000 | 3 | 10246 |
3.200000-3.600000 | 3.4 | 15779 |
3.600000-4.000000 | 3.8 | 21122 |
4.000000-4.400000 | 4.2 | 27272 |
4.400000-4.800000 | 4.6 | 34275 |
4.800000-5.200000 | 5 | 45162 |
本發明之PVA薄膜具有遲滯量之標準差<3 nm,且該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8<10。具體例如,該遲滯量之標準差為0.5 nm、1 nm、1.5 nm、2 nm、2.5 nm或2.9 nm,且本發明並不限於此等;該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8為0、1、2、3、4、5、6、7、8或9,且本發明並不限於此等,較佳為0。當遲滯量之標準差<3 nm及為擬合參數│Asym50-1│*10
8<10之時,PVA薄膜會具有均勻的遲滯量,於後續製備光學薄膜拉伸時會具有較佳的均勻性,而不易斷膜。此原因在於PVA薄膜的遲滯量是受到其雙折射值及薄膜厚度所影響;雙折射值係隨著聚乙烯醇的分子取向愈大而數值越大,而當薄膜厚度越高,光程會越長,所量測到遲滯量也越大。
本發明之PVA薄膜係具有最大遲滯量為<55 nm,具體例如1 nm、5 nm、10 nm、15 nm、20 nm、25 nm、30 nm、35 nm、40 nm、45 nm、50 nm或54 nm,且本發明並不限於此等。
PVA薄膜的含水率太低,易有斷膜現象而不佳;本發明之PVA薄膜的含水率為>2.0wt%,具體例如2.0wt%、2.5 wt%、3.0 wt%、3.5 wt%、4.0 wt%、4.5 wt%、5.0 wt%、5.5 wt%、6.0 wt%、6.5 wt%、7.0 wt%、7.5 wt%、8.0 wt%、8.5 wt%、9.0 wt%、9.5 wt%或10.0 wt%,且本發明並不限於此等;然而含水率也不宜太高,因含水率太高而結晶度太低,PVA薄膜泡水後過於軟爛,也易有斷膜的趨勢。
本發明中,所述的含水率之量測方法步驟包含:如圖1所示,將PVA薄膜的其中一MD位置,由TD方向端部40公分以內的範圍內,沿著TD方向切出左、中、右三片10cm*10cm的面積的試片。接著,分別量稱各試片的原始重量S(g)。將試片置入83˚C烘箱中,乾燥20分鐘後,取出放入乾燥皿中冷卻5分鐘後,分別量稱乾燥後的重量W(g)。最後,由以下公式計算含水率:((S-W)/S) ×100%。
於PVA薄膜之製造或加工可能添加加工助劑,添加加工助劑之種類、濃度及添加量會影響最終PVA薄膜之pH值,pH值更間接影響斷膜的可能性;本發明之PVA薄膜的pH介於5.5至8.5,具體例如5.5、6.0、6.5、7.0、7.5、8.0或8.5,且本發明並不限於此等。
本發明中,所述的pH值之量測方法步驟包含:將PVA薄膜約5 g置入105˚C烘箱中,乾燥3小時,取出放入乾燥皿中冷卻後,精稱乾燥後的PVA薄膜4 g。隨後,剪碎PVA薄膜後,加入96 g超純水,利用蒸氣加熱溶解。待冷卻後,使用pH量測計量測pH值。
本發明之PVA薄膜的晶面顆粒大小為4至6 nm,具體例如4 nm、4.5 nm、5 nm、5.5 nm或6 nm,且本發明並不限於此等。
本發明之晶面顆粒大小量測方法之步驟包含:裁切所需面積PVA薄膜後進行X光繞射儀(XRD)分析(X-ray光源: 銅靶 (CuK
α,λ= 0.154060 nm);2θ量測範圍: 8~35
o),所得之數據不限定以機台之內建軟體進行分析,亦可使用其他軟體(例如PeakFit)進行分析。
本發明之PVA薄膜的MD方向斷裂伸長率為>400%,具體例如401%、430%、450%、480%、500%、530%、550%、580%、600%、650%、680%、700%、730%、750%、780%、800%、830%、850%、880%、900%、930%、950%、980%或1000%,且本發明並不限於此等。
本發明中,所述的MD方向斷裂伸長率及拉伸強度的量測方法為:取 A4 紙張大小的PVA薄膜,置於恆溫恆濕箱 20℃、65%RH 6 小時。於 MD 及 TD 方向,各裁切成 150mm * 15mm 大小試片。測量該試片的厚度後,將該試片夾上拉力試驗機,執行拉力試驗機操作程式,拉力速度 1000 mm/min,並輸入該試片的厚度、長度、寬度及名稱,開始執行拉伸試驗,並紀錄斷裂伸長率及拉伸強度。
本發明之PVA薄膜可作為光學薄膜,例如偏光膜、抗藍光膜、濾光鏡等,且本發明並不限於此等。較佳地,本發明之PVA薄膜是作為偏光膜,且該偏光膜具有偏光度>99.8。
[ 具體實施例 ]
在下文中,將進一步以詳細說明與實施例描述本發明。然而,應理解這些實施例僅用於幫助可更加容易理解本發明而非用於限制本發明之範圍。
實施例
1
至
4
製造 PVA 薄膜:分別將熔點(Tm)為233.21˚C、233.24˚C、233.01˚C及233.08˚C之聚乙烯醇作為聚乙烯醇澆鑄溶液的主要成分,並使用本發明之PVA薄膜之製造方法製作實施例1至4的PVA薄膜,其製造方法的操作條件如表2所示。
比較例
1
至
3
製作 PVA 薄膜:分別將熔點(Tm)為233.15˚C及233.17˚C之聚乙烯醇作為聚乙烯醇澆鑄溶液的主要成分,使用本發明之PVA薄膜之製造方法製作成比較例1至3的PVA薄膜但操作條件有異,其製造方法的操作條件如表2所示。
實驗例
PVA 薄膜之性質分析:分別量測實施例1至4及比較例1至3的PVA薄膜的遲滯量標準差、最大遲滯量、遲滯量之擬合參數、含水率及晶面顆粒大小、MD方向斷裂伸長率及MD方向拉伸強度,量測結果如表3所示。
製備偏光膜:分別將實施例1至4及比較例1至3的PVA薄膜浸漬於約30˚C水中,使其膨潤後,進行第一次單軸拉伸,朝MD方向拉伸,拉伸後的長度為PVA薄膜原始長度的2.0倍。接著,將第一次拉伸後的PVA薄膜浸漬於含有碘0.03質量%及碘化鉀3質量%的30˚C水溶液中,進行第二次單軸拉伸,朝MD方向拉伸,拉伸後的長度為PVA薄膜原始長度的3.3倍。緊接著,將第二次拉伸後的PVA薄膜浸漬於含有碘化鉀3質量%及硼酸3質量%的30˚C水溶液中,進行第三次單軸拉伸,朝MD方向拉伸,拉伸後的長度為原始長度的3.6倍。隨後,將第三次拉伸後的PVA薄膜浸漬於含有碘化鉀5質量%及硼酸4質量%的60˚C水溶液中,進行第四次單軸拉伸,朝MD方向拉伸,拉伸後的長度為PVA薄膜原始長度的6.0倍。最後,將第四次拉伸後的PVA薄膜浸泡於含有碘化鉀3質量%的水溶液中15秒後,於60˚C乾燥4分鐘,即獲得偏光膜。接著,測量實施例1至4及比較例1至3偏光膜的斷膜表現性,各量測結果如表3所示。
表
2
PVA原料 | PVA薄膜製造 | |||||||
Tm(˚C) | 溶解槽 升溫速度 | 溶解溫度 | 改變攪拌方向頻率 (次/小時) | T型模頭溫度 (˚C ) | 車速 (m/min.) | 最大相鄰車廂溫度差 (˚C) | 最大/最小氣流量 | |
(˚C /小時) | (˚C) | |||||||
實施例1 | 233.21 | 6 | 140 | 3 | 90 | 4 | 50 | 1.5 |
實施例2 | 233.24 | 7 | 140 | 3 | 92 | 5 | 60 | 2 |
實施例3 | 233.01 | 8 | 130 | 3 | 94 | 6 | 65 | 2.5 |
實施例4 | 233.08 | 9 | 120 | 3 | 96 | 6 | 65 | 3 |
比較例1 | 233.15 | 10 | 100 | 2 | 88 | 7 | 65 | 3.5 |
比較例2 | 233.15 | 11 | 100 | 0 | 86 | 7 | 70 | 4 |
比較例3 | 233.17 | 12 | 90 | 0 | 84 | 7 | 75 | 5 |
表 3
(表3接續)
(O為使用5000m皆無發現斷膜;Δ為使用5000m斷膜1次;X為使用5000m斷膜2次以上)
PVA薄膜 | |||||||||||||
遲滯量標準差 (nm) | 最大遲滯量 (nm) | 遲滯量之擬合參數 │Asym50-1│*10 8 | 含水率 (%) | 晶面顆粒 大小 (nm) | |||||||||
左 | 中 | 右 | 左 | 中 | 右 | 左 | 中 | 右 | 左 | 中 | 右 | ||
實施例1 | 1.733 | 1.704 | 1.698 | 42.110 | 41.060 | 41.819 | 0 | 0 | 0 | 5.20 | 5.10 | 5.30 | 4.1 |
實施例2 | 1.087 | 1.812 | 1.092 | 44.070 | 42.890 | 45.520 | 0 | 0 | 0 | 3.95 | 4.10 | 3.90 | 4.4 |
實施例3 | 2.961 | 2.338 | 2.817 | 43.051 | 41.650 | 44.773 | 0 | 0 | 0 | 2.38 | 2.21 | 2.35 | 4.9 |
實施例4 | 1.387 | 1.885 | 1.946 | 54.971 | 52.917 | 53.115 | 2.00 | 8.00 | 2.00 | 2.05 | 2.10 | 2.25 | 5.6 |
比較例1 | 1.550 | 1.735 | 1.862 | 45.621 | 44.182 | 44.671 | 4 | 10 | 20 | 2.10 | 2.25 | 2.35 | 5.5 |
比較例2 | 2.987 | 3.065 | 3.115 | 56.470 | 53.150 | 54.119 | 30 | 50 | 40 | 1.95 | 1.8 | 1.85 | 6.1 |
比較例3 | 2.741 | 1.448 | 3.245 | 49.570 | 43.590 | 56.110 | 8.00 | 9.00 | 6.00 | 1.5 | 1.45 | 1.5 | 6.2 |
PVA薄膜 | 偏光膜評價 | |||||||
MD方向斷裂伸長率 (%) | MD方向拉伸強度 (N/mm 2) | pH | 斷膜表現性測定 | |||||
左 | 中 | 右 | 左 | 中 | 右 | |||
實施例1 | 480 | 520 | 510 | 75.39 | 76.01 | 76.19 | 5.83 | O |
實施例2 | 500 | 510 | 495 | 77.01 | 76.42 | 77.11 | 6.49 | O |
實施例3 | 500 | 525 | 505 | 78.05 | 77.61 | 77.48 | 8.35 | O |
實施例4 | 410 | 470 | 500 | 78.08 | 77.88 | 78.61 | 7.26 | O |
比較例1 | 410 | 400 | 385 | 78.56 | 77.80 | 78.11 | 7.52 | Δ |
比較例2 | 390 | 420 | 410 | 79.13 | 79.47 | 79.52 | 5.41 | X |
比較例3 | 480 | 500 | 385 | 79.95 | 80.05 | 80.03 | 8.59 | X |
如表3所示,實施例1至4之PVA薄膜的遲滯量標準差均<3nm,遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8均<10,其等偏光膜的斷膜表現性良好(使用5000m皆無發現斷膜)。相較下,比較例1至3之PVA薄膜分別有遲滯量標準差係大於3nm、或遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8係大於10,其等偏光膜的斷膜表現性則不佳(使用5000m斷膜2次以上、使用5000m斷膜2次以上),特別係比較例2及3有含水量大於2%、晶面顆粒大小大於6 nm及pH值小於5.5及大於8.5,晶面顆粒太大的話,在拉伸時會產生較大的應力,且延展性較差,有斷膜的傾向。其等偏光膜的斷膜表現性明顯不良(使用5000m斷膜2次以上)。是以,本案之PVA薄膜的遲滯量標準差<3nm,遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10
8均<10,具有均勻的遲滯量,於拉伸時可具有均勻性的拉伸,不易產生斷膜問題。
綜上所述,本發明之PVA薄膜具有均勻及對稱的遲滯量,於後續用於製作光學薄膜時,能夠拉伸均勻而不易發生斷膜,有效改善偏光膜製程上的缺陷,提高製程良率。
以上已將本發明做一詳細說明,惟以上所述者,僅惟本發明之一較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍內。
圖1為PVA薄膜切出左、中、右三片10cm*10cm面積的試片之示意圖。
圖2為PVA薄膜之遲滯量及高斯和洛倫茲(Gaussian-Lorentzian Sum)對稱函數凝合後的曲線分佈圖。
Claims (9)
- 一種聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜,其具有遲滯量之標準差<3 nm,且該遲滯量之擬合參數│Asym50-1│*10 8<10。
- 如申請專利範圍第1項所述之PVA薄膜,其具有最大遲滯量<55 nm。
- 如申請專利範圍第2項所述之PVA薄膜,其MD方向斷裂伸長率>400%。
- 如申請專利範圍第3項所述之PVA薄膜,其含水率>2.0 wt%。
- 如申請專利範圍第4項所述之PVA薄膜,其pH值介於5.5至8.5。
- 如申請專利範圍第5項所述之PVA薄膜,其晶面顆粒大小為4至6 nm。
- 一種光學薄膜,其係由如請求項1至6任一項之PVA薄膜所製得。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學薄膜,其係偏光膜。
- 如請求項8之光學薄膜,其中該偏光膜具有偏光度>99.8。
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