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TW202219555A - Ｒ、ｇ、ｂ、ｉｒ之其中任意組合濾光結構及製作方法 - Google Patents

Ｒ、ｇ、ｂ、ｉｒ之其中任意組合濾光結構及製作方法 Download PDF

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TW202219555A
TW202219555A TW109135980A TW109135980A TW202219555A TW 202219555 A TW202219555 A TW 202219555A TW 109135980 A TW109135980 A TW 109135980A TW 109135980 A TW109135980 A TW 109135980A TW 202219555 A TW202219555 A TW 202219555A
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鄭暐皞
倪培元
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晶瑞光電股份有限公司
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Abstract

一種R、G、B、IR之其中任意組合濾光結溝，係包括一基板及一濾光層，其中該基板係為晶圓半導體感測元件，該濾光層係形成於該基板之一側面，由矩陣排列之複數基本單元所組成，每一基本單元包含由真空鍍膜方式形成之複數像素濾光膜，該複數像素濾光膜包含一R像素濾光膜、一G像素濾光膜、一B像素濾光膜及一IR像素濾光膜之其中任意複數者，且使該複數像素濾光膜僅只能供相對應波長之光線通過，而其之製作方法則是利用光阻遮罩與真空鍍膜之配合形成；藉此係可使濾光薄膜均勻性較佳(uniformity±5nm)，以及可符合光學之規格需求。

Description

R、G、B、IR之其中任意組合濾光結構及製作方法
本發明係一種關於應用於環境光源感測晶片(Ambient Light Sensor，ALS)、近接感測晶片(Proximity Sensor，PS)、RGB色溫感測晶片及手勢感測晶片…等光學傳感器之感測晶片上的濾光結構及製法方面的技術領域，尤指一種可使濾光薄膜均勻性較佳(uniformity±5nm)，以及可符合光學之規格需求之R、G、B、IR之任意組合濾光結構及製作方法者。
傳統的光學傳感器，如可見光攝像模組，需要採用红外光截止濾波器，將不必要的低頻近红外光過濾掉，以免红外光線對可見光部分造成影響，產生偽色或波纹，但該傳統的可見光攝像模組，未有獨立光譜R像素、G像素、B像素及IR像素，因此在350nm至700nm波段大範圍內皆高透過率，形成圖像具有低敏感分辨率，因此便需利用彩色濾光片進行R像素、G像素、B像素及IR像素之濾光作用，使形成圖像具有較高敏感分辨率。
一般習知的彩色濾光片及其製造方法，如台灣申請第100112527號專利所示，其主要係使用噴墨印刷法，彩色濾光薄膜厚度在5微米左右，對於顏料光阻液的使用較為浪費，解析度及位置重現性較差，製造流程隨著基板尺寸逐步的增大，最初光阻劑塗佈的方式是由中央滴下(tube)再加上旋塗(spin coat)，演進至今成為狹縫式塗佈(slit)加上旋塗，其目 的無非是為了降低光阻劑的使用量，而未來基板尺寸的更大型化，將會造成濾光薄膜之均勻性(uniformity)無法達到規格需求(±2%)及光學透光度和波長無法達到規格需求(截止帶低於穿透率1%)。
有鑒於此，本發明人乃係針對上述之問題，而深入構思，且積極研究改良試做而開發設計出本發明。
本發明主要目的係在於有效的解決習知彩色濾光片及其製造方法所存在之製作大型基板尺寸時濾光薄膜均勻性(uniformity)無法達到規格需求(±2%)及光學透光度和波長無法達到規格需求(截止帶低於穿透率1%)等問題者。
本發明係提供一種R、G、B、IR之任意組合濾光結構，包括一基板及一濾光層。其中，該基板係為晶圓半導體感測元件。該濾光層係形成於該基板之一側面，由矩陣排列之複數基本單元所組成，每一基本單元包含由真空鍍膜方式形成之複數像素濾光膜，該複數像素濾光膜包含一R像素濾光膜、一G像素濾光膜、一B像素濾光膜及一IR像素濾光膜之其中任意複數者，且使該複數像素濾光膜僅只能供相對應波長之光線通過。
本發明係提供一種R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，包括(a)於基板上形成光阻遮罩：於一基板的一側面上形成一光阻遮罩，於該光阻遮罩上欲鍍像素濾光膜處設有鏤空之複數鍍膜區域；(b)真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於該鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層相互堆疊之複數像素濾光膜；(c)塗佈光阻劑：於鍍完該像素濾光膜之該光阻遮罩的鏤空鍍膜區域上塗佈光 阻劑，以封住該鏤空鍍膜區域；(d)蝕刻：利用蝕刻之方式於該光阻遮罩上欲鍍複數另一之像素濾光膜處形成鏤空之複數另一鍍膜區域；(e)再次真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於蝕刻形成之該複數另一鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層相互堆疊之複數另一像素濾光膜；(f)清除光阻遮罩：清除該光阻遮罩即完成。
承上，在(e)步驟後係可依需要重覆(c)~(e)步驟，再進行(f)步驟，以製作出由三種或四種像素濾光膜組成之濾光結構。
本發明所提供之R、G、B、IR之任意組合濾光結構及製作方法，係可藉由真空鍍膜配合光阻遮罩之製作方式，使得即使是在製作大型基板尺寸時可使濾光薄膜厚度在300奈米至900奈米，均勻性達±5nm以下，而符合截止帶穿透率低於1%規格需求，進而當其應用於環境光感測晶片(Ambient Light Sensor，ALS)、近接感測晶片(Proximity Sensor，PS)、RGB色溫感測晶片及手勢感測晶片……等光學傳感器的感測晶片時，可使反應時間更為快速，相對於同產品顏色辨別率及調整靈敏度可大幅提高，更是可大大提升感光對比的亮度呈現。
10:基板
20:濾光層
21:基本單元
22:像素濾光膜
23:銀(Ag)層
24:高折射率層
30:真空濺射反應鍍膜系統
31:滾筒
32:鍍膜腔室
33:濺射源
34:反應源區域
35:靶材
〔圖1〕係本發明之結構示意圖。
〔圖2〕係本發明之濾光層的基本單元配置示意圖。
〔圖3〕係本發明之R像素濾光膜之光譜圖。
〔圖4〕係本發明之G像素濾光膜之光譜圖。
〔圖5〕係本發明之B像素濾光膜之光譜圖。
〔圖6〕係本發明之IR像素濾光膜之光譜圖。
〔圖7〕係本發明之製作方法的製作流程示意圖。
〔圖8〕係本發明之光阻遮罩的製作流程示意圖。
〔圖9〕係本發明之真空濺射反應鍍膜系統的結構示意圖。
請參閱圖1及圖2所示，係顯示本發明所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構包括一基板10及一濾光層20，其中：
該基板10，係為晶圓半導體感測元件。
該濾光層20，係形成於該基板10之一側面，由矩陣排列之複數基本單元21所組成，每一基本單元21包含由真空鍍膜方式形成之複數像素濾光膜22。該複數像素濾光膜22包含一R像素濾光膜、一G像素濾光膜、一B像素濾光膜及一IR像素濾光膜之其中任意複數者，且使該複數像素濾光膜僅只能供相對應波長之光線通過。
本發明之每一基本單元21之複數像素濾光膜22之組合方式可為R像素濾光膜、一G像素濾光膜、一B像素濾光膜及一IR像素濾光膜之其中任意二者、任意三者或四者之組合，本實施例係以四者組合舉例之。其中：
該R像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層23及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層24相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在625nm至740nm，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%。
該G像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層23及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層24相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在500nm至565nm，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%。
該B像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層23及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層24相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成的一通帶，該通帶中心波長在485nm至500nm，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%。
該IR像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層23及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層24相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成的一通帶，該中心波長在紅外800nm至1100nm之波長範圍內僅一部份或部分重疊形成一通帶，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶的中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於30%。
上述之該複數像素濾光膜22，其中該複數銀(Ag)層23在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4。該複數高折射率層24，其可為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)及其混合物。而且，該複數高折射率層24在350nm至1100nm的波長範圍內的折射率大於1.6，消光系數接近0。利用不同厚度及層數之該複數銀(Ag)層23及該複數高折射率層24的配合係可形成該R像素濾光膜、該G像素濾光膜、該B像素濾光膜及該IR 像素濾光膜。
以下茲就該R像素濾光膜、該G像素濾光膜、該B像素濾光膜及該IR像素濾光膜之各種結構條件舉例說明之。
該R像素濾光膜：該R像素濾光膜係由複數銀(Ag)層23及高折射率層24相互堆疊而成，該高折射率層24分別為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)，相互堆疊厚度约400nm至800nm，其中，該五氧化三鈦(Ti3O5)層在350nm至1100nm波長範圍內的折射率大於2.5，消光系數接近0。該銀(Ag)層在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4。其結構條件如下列諸表：
Figure 109135980-A0202-12-0006-1
Figure 109135980-A0202-12-0007-2
如圖3所示，該R像素濾光膜具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在625nm至740nm，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其餘截止帶透過率低於1%。
該G像素濾光膜：該G像素濾光膜係由複數銀(Ag)層23及高折射率層24相互堆疊而成，該高折射率層24分別為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)，相互堆疊厚度约150nm至450nm，其中，該五氧化三鈦(Ti3O5)層在350nm至1100nm波長範圍內的折射率大於2.5，消光系數接近0。該銀(Ag)層在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4。其結構條件如下列諸表：
Figure 109135980-A0202-12-0008-3
如圖4所示，該G像素濾光膜具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在500nm至565nm，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其餘截止帶透過率低於1%。
該B像素濾光膜：該B像素濾光膜係由複數銀(Ag)層23及高 折射率層24相互堆疊而成，該高折射率層24分別為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)，相互堆疊厚度约200nm至600nm，其中，該五氧化三鈦(Ti3O5)層在350nm至1100nm波長範圍內的折射率大於2.5，消光系數接近0。該銀(Ag)層在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4。其結構條件如下列諸表：
Figure 109135980-A0202-12-0009-5
如圖5所示，該B像素濾光膜具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在485nm至500nm，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其餘截止帶透過率低於1%。
該IR像素濾光膜：該IR像素濾光膜係由複數銀(Ag)層23及高折射率層24相互堆疊而成，該高折射率層24分別為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)，相互堆疊厚度约200nm至600nm，其中，該五氧化三鈦(Ti3O5)層在350nm至1100nm波長範圍內的折射率大於2.5，消光系數接近0。該銀(Ag)層在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4。其結構條件如下列諸表：
Figure 109135980-A0202-12-0010-6
Figure 109135980-A0202-12-0011-7
如圖6所示，該IR像素濾光膜具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該中心波長在紅外800nm至1100nm之波長範圍內僅一部份或部分重疊形成一通帶，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶的中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於30%。
請配合參閱圖7所示，係顯示本發明所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，係包括：
(a)於基板10上形成光阻遮罩：於一基板10的一側面上形成 一光阻遮罩，於該光阻遮罩上欲鍍像素濾光膜22處設有鏤空之複數鍍膜區域，例如於欲鍍R像素濾光膜的區塊形成鏤空之該複數鍍膜區域；
(b)真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於該鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層23及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層24相互堆疊之複數像素濾光膜22，例如R像素濾光膜；
(c)塗佈光阻劑：於鍍完該像素濾光膜之該光阻遮罩的鏤空鍍膜區域上塗佈光阻劑，以封住該鏤空鍍膜區域；
(d)蝕刻：利用蝕刻之方式於該光阻遮罩上欲鍍複數另一之像素濾光膜22處形成鏤空之複數另一鍍膜區域，例如於欲鍍G像素濾光膜的區塊形成鏤空之該複數另一鍍膜區域；
(e)再次真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於蝕刻形成之該複數另一鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層23及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層24相互堆疊之複數另一像素濾光膜22，例如G像素濾光膜。可依需要重覆(c)~(e)步驟以製作出由三種或四種像素濾光膜組成之濾光結構；
(f)清除光阻遮罩：清除該光阻遮罩即完成。
請參閱圖6所示，係指出(a)步驟係包含(a1)旋轉塗佈光阻劑；(a2)軟烤；(a3)曝光；(a4)軟烤；(a5)顯影；(a6)軟烤及(a7)清潔等製程。
請參閱圖7所示，係指出該(b)步驟及該(e)步驟之真空鍍膜製程係在一真空濺射反應鍍膜系統30中進行，其主要係以銀(Ag)及折射率比銀(Ag)高之高折射率材料，如五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)及其混合物…等氧化物， 作為濺鍍的靶材35，製作過程為(A)將乾淨的基板10放在滾筒31上，使鍍膜面朝外；(B)使滾筒31在鍍膜腔室32內勻速旋轉；(C)當真空度在10-3Pa至10-5Pa時，開啟對應之濺射源33並通氬氣，在電場的作用下轟擊靶材35使形成離子附著在該基板10上；(D)隨著滾筒31的轉動，該基板10被帶往反應源區域34；(E)反應源區域34通入氧氣或氬氣，形成等離子，在電場的作用下向該基板10高速運動，最終與該基板10上形成銀(Ag)或比銀(Ag)高折射率材料。
其中，該基板10被設置在該滾筒31上，隨該滾筒31逆時針轉動，轉速可調，被鍍膜之該基板10先經過靶材35，被沉積一層很薄的銀(Ag)膜或比銀(Ag)高折射率薄膜後，旋轉到反應源，被由氧離子和電子等組成的離子化合成所需特性的光學薄膜。控制每一層鍍膜的秒數，係可控制每一層鍍膜的厚度，時間越久厚度越厚。
在製備銀(Ag)膜時，通入的氧氣占通入氧氣和氬氣總和的體積百分比為10%至90%，可以製備350nm至4000nm的折射率從0.1至2逐漸變化，消光系數為5.8至23的薄膜。當使用比銀(Ag)高折射率材料，通入的氧氣占通入氧氣和氬氣總和的體積百分比為10%至90%，可製備350nm至1100nm的折射率從1.3至2.5逐漸變化，消光係數接近0的高折射率薄膜。
本發明所提供之R、G、B、IR之任意組合濾光結構及製作方法，係可藉由真空鍍膜配合光阻遮罩之製作方式，使得即使是在製作大型基板尺寸時可使濾光薄膜厚度在300奈米至900奈米，均勻性達±5nm以下，而符合光學規格需求，進而當其應用於環境光感測晶片(Ambient Light Sensor，ALS)、近接感測晶片(Proximity Sensor，PS)、RGB色溫感測晶片 及手勢感測晶片……等光學傳感器的感測晶片時，可使反應時間更為快速，相對於同產品顏色辨別率及調整靈敏度可大幅提高，更是可大大提升感光對比的亮度呈現。而且，本發明之製作方法，係可使形成之R、G、B、IR等像素濾光膜22的厚度在150nm至900nm之間，因此係可應用在奈米製程技術之科技產品。
10:基板
20:濾光層
22:像素濾光膜
23:銀(Ag)層
24:高折射率層

Claims (14)

  1. 一種R、G、B、IR之任意組合濾光結構，包括：
    一基板，係為晶圓半導體感測元件；以及
    一濾光層，係形成於該基板之一側面，由矩陣排列之複數基本單元所組成，每一基本單元包含由真空鍍膜方式形成之複數像素濾光膜，該複數像素濾光膜包含一R像素濾光膜、一G像素濾光膜、一B像素濾光膜及一IR像素濾光膜之其中任意組合，使該複數像素濾光膜僅只能供相對應波長之光線通過。
  2. 如請求項1所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中：
    該R像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在625nm至740nm，其餘截止，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其截止帶透過率低於1%；
    該G像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成一通帶，該通帶中心波長在500nm至565nm，其餘截止，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其截止帶透過率低於1%；
    該B像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層及折射率比銀(Ag) 層高之複數高折射率層相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成的一通帶，該通帶中心波長在485nm至500nm，其餘截止，該通帶中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於55%，其截止帶透過率低於1%；
    【0042】該IR像素濾光膜，係由複數銀(Ag)層及折射率比銀(Ag)層高之複數高折射率層相互堆疊形成，厚度為300nm至900nm，使具有在300nm至1100nm的波長範圍內形成的一通帶，該中心波長在紅外800nm至1100nm之波長範圍內僅一部份或部分重疊形成一通帶，其餘截止帶透過率低於1%，該通帶的中心波長在入射角於0°時透過率(transmittance)大於30%。
  3. 如請求項2所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中該複數像素濾光膜之該複數銀(Ag)層在350nm至2000nm波長範圍內的折射率為0.1至0.48，消光系數為5.85至14.4，該複數高折射率層，其可為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)及其混合物，而且該複數高折射率層在350nm至1100nm的波長範圍內的折射率大於1.6，消光系數接近0。
  4. 如請求項3所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中該R像素濾光膜之結構條件如下列之諸表之其中任一者：
    Figure 109135980-A0202-13-0003-8
  5. 如請求項3所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中該G像素濾光膜之結構條件如下列之諸表之其中任一者：
    Figure 109135980-A0202-13-0004-9
  6. 如請求項3所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中該B像素濾光膜之結構條件如下列之諸表之其中任一者：
    Figure 109135980-A0202-13-0005-10
  7. 如請求項3所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構，其中該IR像素濾光膜之結構條件如下列之諸表之其中任一者：
    Figure 109135980-A0202-13-0006-11
  8. 一種R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，包括：
    (a)於基板上形成光阻遮罩：於一基板的一側面上形成一光阻遮罩，於該光阻遮罩上欲鍍像素濾光膜處設有鏤空之複數鍍膜區域；
    (b)真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於該鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層相互堆疊之複數像素濾光膜；
    (c)塗佈光阻劑：於鍍完該像素濾光膜之該光阻遮罩的鏤空鍍膜區域上塗佈光阻劑，以封住該鏤空鍍膜區域；
    (d)蝕刻：利用蝕刻之方式於該光阻遮罩上欲鍍複數另一之像素濾光膜處形成鏤空之複數另一鍍膜區域；
    (e)再次真空鍍膜：利用真空鍍膜之方法於蝕刻形成之該複數另一鍍膜區域形成由不同厚度之複數銀(Ag)層及比銀(Ag)高折射率之複數高折射率層相互堆疊之複數另一像素濾光膜；以及
    (f)清除光阻遮罩：清除該光阻遮罩即完成。
  9. 如請求項8所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中該(e)步驟後係可依需要重覆(c)~(e)步驟，再進行(f)步驟，以製作出由三種或四種像素濾光膜組成之濾光結構。
  10. 如請求項8或9所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中該(a)步驟係包含(a1)旋轉塗佈光阻劑；(a2)軟烤；(a3)曝光；(a4)軟烤；(a5)顯影；(a6)軟烤及(a7)清潔製程。
  11. 如請求項8或9所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中該(b)步驟及該(e)步驟之真空鍍膜製程係在一真空濺射反應鍍膜系統中進行，其主要係以銀(Ag)及折射率比銀(Ag)高之高折射率材料作為濺鍍的靶材，製作過程為(A)將乾淨之一基板放在一滾筒上，使鍍膜面朝外；(B)使該滾筒在一鍍膜腔室內勻速旋轉；(C)當真空度在10-3Pa至10-5Pa時，開啟對應之靶材並通氬氣，在 電場的作用下轟擊靶材使形成離子附著在該基板上；(D)隨著該滾筒的轉動，該基板被帶往一反應源區域；(E)該反應源區域通入氧氣或氬氣，以形成等離子，在電場的作用下向該基板高速運動，最終與該基板上形成銀(Ag)膜或比銀(Ag)高折射率薄膜。
  12. 如請求項11所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中該折射率比銀(Ag)高之高折射率材料可為五氧化三鈦(Ti3O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、混合膜料(H4)及其混合物之其中任一者。
  13. 如請求項11所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中控制每一層鍍膜的秒數，係可控制每一層鍍膜的厚度，時間越久厚度越厚。
  14. 如請求項11所述之R、G、B、IR之任意組合濾光結構的製作方法，其中在製備銀(Ag)膜時，通入的氧氣占通入氧氣和氬氣總和的體積百分比為10%至90%，以製備350nm至4000nm的折射率從0.1至2逐漸變化，消光系數為5.8至23的薄膜，當使用比銀(Ag)高折射率材料，通入的氧氣占通入氧氣和氬氣總和的體積百分比為10%至90%，以製備350nm至1100nm的折射率從1.3至2.5逐漸變化，消光係數接近0的高折射率薄膜。
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