TW202120724A

TW202120724A - Ａｇ合金濺鍍靶及Ａｇ合金膜

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Publication number: TW202120724A
Application number: TW109132845A
Authority: TW
Inventors: 歳森悠人; 野中荘平
Original assignee: 日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date: 2019-11-08
Filing date: 2020-09-23
Publication date: 2021-06-01
Also published as: WO2021090581A1; JP2021075762A

Abstract

該Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜，係含有0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au、且含有0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，並且其餘的部分由Ag和不可避免的雜質組成。

Description

Ａｇ合金濺鍍靶及Ａｇ合金膜

本發明關於例如針對可以適用於顯示器或者觸控面板用的透明導電膜或光學功能性薄膜的金屬薄膜等的Ag(銀)合金膜進行成膜時使用的Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜。本申請案根據2019年11月8日日本申請案的特願2019-203440號主張其優先權，並援用其內容。

在諸如液晶顯示器或有機EL顯示器、觸控面板等中，例如專利文獻1、2所示，作為構成配線及電極的透明導電膜係適用具有積層構造的積層膜，該積層膜係由透明導電氧化物膜與由Ag或Ag合金組成的Ag膜積層而成者。該積層膜要求在可見光區域中具有高透光率以及低電阻。此外，在玻璃基板等成膜由Ag或Ag合金組成的Ag膜的情況下，例如專利文獻3之揭示，廣泛使用由Ag或Ag合金組成的濺鍍靶的濺鍍法。

但是，在上述積層膜或Ag膜中，在膜表面或膜端面附著微粒、指紋及汗等，其中包含的氯(Cl)有可能腐蝕Ag膜造成外觀不良。此外，Ag膜被腐蝕而產生導電不良，有可能無法發揮作為配線或電極的功能。此外，雖然是在Ag膜之上形成有透明導電氧化物膜的積層膜，氯(Cl)通過透明導電氧化物膜而腐蝕Ag膜的可能性亦存在。此外，在上述積層膜或Ag膜中，Ag在高溫環境下聚集，電阻或透光率等之性能有可能劣化。 [先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開平09-291356號公報 [專利文獻2]特開平10-239697號公報 [專利文獻3]特開2016-040411號公報

[發明所欲解決的課題]

本發明有鑑於前述事情而完成者，目的在於提供可以形成能夠抑制氯(Cl)引起的腐蝕、且具有優異的耐環境性及耐熱性的Ag合金膜之Ag合金濺鍍靶以及Ag合金膜。 [解決課題的手段]

為了解決上述課題，本發明之一態樣的Ag合金濺鍍靶，其特徵為：包含0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au(金)、以及0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca(鈣)，並且其餘的部分由Ag和不可避免的雜質組成。

在具有該要件的Ag合金濺鍍靶中，含有0.10原子%以上的量的Au，該Au熔融在Ag中，由此，抑制了Ag與氯(Cl)之間的反應。因此，可以抑制氯(Cl)引起的成膜的Ag合金膜的腐蝕。另一方面，Au的含量限制在5.00原子%以下，因此可以抑制成膜的Ag合金膜的光學性能劣化，可以確保透光性。此外，由於Ca比Ag具有較低的產生氯化物的自由能，且以0.01原子%以上的量含有Ca，因此當Ca與氯(Cl)接觸時優先產生氯化物。因此，可以抑制成膜的Ag合金膜被氯(Cl)腐蝕。此外，成膜的Ag合金膜中存在Ca，因此，可以抑制熱引起的Ag的凝集，可以提升耐熱性。另一方面，Ca的含量限制為0.20原子%以下，因此可以抑制加工時的裂紋的發生，可以穩定地製造該Ag合金濺鍍靶。

在此，本發明之一態樣的Ag合金濺鍍靶中，較好是氧含量為0.010質量%以下。本發明之一態樣的Ag合金濺鍍靶，由於包含作為易氧化元素的Ca，因此可能生成Ca氧化物。該Ca氧化物為絕緣物，因此在濺鍍成膜時有可能成為異常放電之原因。因此，藉由將氧含量限制為0.010質量%以下，可以抑制Ca氧化物之生成，可以抑制濺鍍成膜時之異常放電之發生。

本發明之一態樣的Ag合金膜，其特徵為：包含0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au、以及0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，並且其餘的部分由Ag和不可避免的雜質組成。

在具有該要件的Ag合金膜中，含有0.10原子%以上的量的Au，該Au熔融在Ag中，由此，抑制了Ag與氯(Cl)之間的反應。因此，可以抑制氯(Cl)引起的腐蝕，可以抑制外觀不良之發生或導通不良之發生。另一方面，Au的含量限制在5.00原子%以下，因此可以抑制光學性能之劣化，可以確保透光性。此外，由於Ca比Ag具有較低的產生氯化物的自由能，且含有0.01原子%以上的量的Ca，因此Ca與氯(Cl)接觸時優先生成氯化物。因此，可以抑制氯(Cl)引起的腐蝕。另一方面，Ca的含量限制為0.20原子%以下，因此可以穩定地製造形成Ag合金膜時使用的Ag合金濺鍍靶。

在此，本發明之一態樣的Ag合金膜中，較好是氧含量為0.010質量%以下。該情況下，氧含量限制為0.010質量%以下，因此可以抑制Ca被氧消耗，可以確實發揮Ca對Ag之腐蝕防止效果。 [發明之效果]

根據本發明之一態樣可以提供Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜，根據該Ag合金濺鍍靶能夠形成可以抑制氯(Cl)引起的腐蝕，且可以形成具有優異的耐環境性及耐熱性的Ag合金膜。

以下，對本發明之一實施形態的Ag合金濺鍍靶以及Ag合金膜進行說明。本實施形態的Ag合金濺鍍靶係被用在形成Ag合金膜時。

如上所述，本實施形態的Ag合金濺鍍靶係使用在利用濺鍍形成Ag合金膜時。在此，Ag合金濺鍍靶之形狀並無特別限制，可以是濺鍍面呈矩形狀的矩形平板型亦可，亦可以是濺鍍面呈圓形的圓板型。或者，濺鍍面成為圓筒面的圓筒型亦可。

本實施形態的Ag合金濺鍍靶，係由包含0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au、以及0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，其餘的部分為由Ag和不可避免的雜質組成的Ag合金所構成。此外，本實施形態之Ag合金濺鍍靶中，將氧含量限制為0.010質量%以下為較佳。

本實施形態的Ag合金膜11，係作為例如觸控面板或太陽電池、有機EL元件等之電子元件之透明導電膜、光學功能性薄膜的金屬薄膜使用。本實施形態中，如圖1所示，Ag合金膜11為由積層膜10形成的透明導電膜之構成構件之1。

圖1所示積層膜10，係具備：在由玻璃等形成的基板1之一表面上形成的Ag合金膜11；及在該Ag合金膜11之兩面分別形成的透明導電氧化物膜12。在此，圖1所示積層膜10中，將Ag合金膜之膜厚設為5nm以上且20nm以下的範圍為較佳。此外，將透明導電氧化物膜12之膜厚設為5nm以上50nm以下的範圍內為較佳。

Ag合金膜11，係使用上述Ag合金濺鍍靶成膜者，其具有的組成為：包含0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au，且包含0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，其餘的部分為由Ag和不可避免的雜質組成。此外，本實施形態之Ag合金膜11，將氧含量限制為0.010質量%以下為較佳。

透明導電氧化物膜12，例如包含由In(銦)氧化物、Sn(錫)氧化物、Zn(鋅)氧化物、Nb(鈮)氧化物、Ti(鈦)氧化物、Al(鋁)氧化物、Ga(鎵)氧化物選擇的任一種或二種以上的透明導電氧化物形成。具體而言，作為透明導電氧化物可以舉出In-Sn氧化物(ITO)、Al-Zn氧化物(AZO)、In-Zn氧化物(IZO)、Zn-Sn氧化物(ZTO)、Zn-Sn-Al氧化物(AZTO)、Ga-Zn氧化物(GZO)、Zn-Y氧化物(ZYO)、Ga-Zn-Y氧化物(GZYO)等。此外，透明導電氧化物膜12之組成較好是根據要求的性能適當地選擇。

在此，針對本實施形態的Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜11中如上所述規定成分組成的理由進行說明。

(Au) Au係藉由熔融在Ag的基質中而具有抑制Ag與氯(Cl)之間的反應的效果的元素。在此，若Au的含量小於0.10原子%之情況下，有可能無法充分獲得上述作用效果。另一方面，若Au的含量大於5.00原子%的情況下，成膜的Ag合金膜的光學性能會劣化，透光率有可能變低。基於這樣的理由，本實施形態中將Au的含量設為0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內。此外，為了進一步抑制氯(Cl)與Ag之間的反應，進一步抑制Ag之腐蝕，將Au的含量之下限設為0.50原子%以上為較佳，設為1.00原子%以上為更佳。另一方面，為了進一步抑制成膜的Ag合金膜的光學性能之劣化，將Au的含量之上限設為4.50原子%以下為較佳，設為4.00原子%以下為更佳。

(Ca) 相較於Ag，Ca產生氯化物的自由能較低，是容易生成氯化物的元素。因此，藉由含有Ca，使氯(Cl)與Ca優先反應，可以進一步抑制Ag之腐蝕。在此，將Ca的含量設為0.01原子%以上，由此，可以抑制氯(Cl)引起的Ag之腐蝕。另一方面，將Ca的含量限制為0.20原子%以下，可以確保加工性，可以抑制加工時的裂紋之產生。基於這樣的理由，本實施形態中，將Ca的含量設為0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內。此外，為了進一步抑制氯(Cl)與Ag之間的反應，進一步抑制Ag之腐蝕，將Ca的含量之下限設為0.02原子%以上為較佳，設為0.05原子%以上為更佳。另一方面，為了進一步確保加工性，進一步抑制加工時的裂紋之產生，將Ca的含量之上限設為0.15原子%以下為較佳，設為0.10原子%以下為更佳。

(氧含量) 本實施形態的Ag合金濺鍍靶中，將氧含量限制為0.010質量%以下的情況下，可以抑制易氧化元素的Ca的氧化，可以抑制絕緣物的Ca氧化物之生成。由此，可以抑制濺鍍成膜時的異常放電之產生，穩定地形成Ag合金膜。此外，可以抑制Ca作為氧化物被消耗，可以確實發揮基於Ca的Ag之腐蝕抑制效果確實發揮。基於這樣的理由，本實施形態中將氧含量限制在0.010質量%以下為較佳。此外，為了進一步抑制Ca氧化物之生成並抑制濺鍍成膜時之異常放電之產生，將氧含量設為0.008質量%以下為較佳，設為0.005質量%以下為更佳。此外，氧含量之下限並未特別限制，就製造上的考量而言若設為小於0.001質量%，製造成本將大幅上升而較為不好。因此，氧含量之下限較好是設為0.001質量%以上。

接著，對本實施形態的Ag合金濺鍍靶之製造方法進行說明。

首先，準備具有99.9質量%以上之純度的Ag原料、和具有99.9質量%以上之純度之Au、Ca的副原料。接著，使Ag原料在高真空下或惰性氣體氛圍下的熔融爐中熔融，將預定量之副原料(Au、Ca)添加於獲得的Ag熔融金屬中而獲得Ag合金熔融金屬。之後，將熔融的Ag合金供給至模具中而獲得預定之組成之Ag合金錠。

在此，為了減少Ag合金錠中之氧含量，因此，Ag原料之熔融較好是重複進行3次以上的如下操作：一度將熔融爐內部設為高真空(5×10^-2 Pa以下)，接著用惰性氣體(氬或氮)替換至接近大氣壓的操作。之後，在惰性氣體氛圍下使Ag原料熔融，接著投入副原料為較佳。此外，可以添加副原料(Au、Ca)作為預製的母合金(例如Ag-Ca合金等)。

接著，對獲得的Ag合金錠進行冷加工。此時之累計減少率較好是設為70%以上。接著，針對獲得的冷加工件在大氣氛圍中，在熱處理溫度：500℃以上700℃以下，及熱處理溫度中之保持時間：1小時以上且5小時以下之條件下進行熱處理。對獲得的熱處理材進行切削加工等之機械加工，加工成為預定之形狀及尺寸。

藉由以上之工程，製造本實施形態的Ag合金濺鍍靶。

接著，對本實施形態的Ag合金膜之製造方法進行說明。本實施形態的Ag合金膜，係使用上述本實施形態的Ag合金濺鍍靶來成膜。將上述Ag合金濺鍍靶焊接到例如無氧銅製成之底材上並安裝在濺鍍裝置上。接著，進行濺鍍而在基板之表面形成本實施形態的Ag合金膜。在此，所使用的濺鍍裝置可以是使欲形成Ag合金膜的基板靜止而進行濺鍍的靜止對向式濺鍍裝置，亦可以是一邊搬送基板一邊進行濺鍍的基板搬送式(在線式)濺鍍裝置。此外，濺鍍裝置之電源可以使用例如直流(DC)電源、高頻(RF)電源、中頻(MF)電源或交流(AC)電源。

依據以上這樣構成之本實施形態的Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜11，含有0.10原子%以上的Au，該Au熔融在Ag中，藉此，抑制Ag與氯(Cl)之間之反應，可以抑制氯(Cl)引起的Ag合金膜11之腐蝕。另一方面，將Au的含量限制在5.00原子%以下，因此可以抑制Ag合金膜11的光學性能劣化，可以確保透光性。此外，由於Ca比Ag具有較低的產生氯化物的自由能、且含有0.01原子%以上的Ca，因此Ca與氯(Cl)接觸時優先生成氯化物。因此，可以抑制氯(Cl)引起的Ag合金膜11之腐蝕。另一方面，將Ca的含量限制為0.20原子%以下，因此可以抑制加工時的裂紋的產生，可以穩定地製造該Ag合金濺鍍靶。

此外，本實施形態中，進一步將氧含量限制為0.010質量%以下的情況下，藉由抑制易氧化元素的Ca的氧化而可以抑制絕緣物的Ca氧化物之生成，可以抑制濺鍍成膜時之異常放電之產生。此外，可以抑制Ca被氧消耗，可以確實發揮Ca對Ag之腐蝕防止效果。

以上，說明本發明之實施形態，但本發明不限定於該實施形態，在不脫離本發明之技術要件的範圍內可以適當變更。例如，本實施形態中，如圖1所示，Ag合金膜係說明作為積層膜之構成構件之一，但不限定於此，本實施形態之Ag合金膜亦可以作為單膜使用。

此外，本實施形態中說明了藉由冷軋Ag合金錠來製造濺鍍靶，但不限定於此，亦可以適用其他之製造方法。製造方法較好是依據製造的Ag合金濺鍍靶之形狀適當地選擇已知之方法。 [實施例]

以下說明為了對本實施形態之有効性進行確認而進行的確認實驗之結果。

＜Ag合金濺鍍靶＞準備並秤重具有99.9質量%以上之純度的Ag原料以及具有99.9質量%以上之純度之Au、Ca的副原料使其具有預定之混合比。接著，使Ag原料在惰性氣體氛圍下熔融在熔融爐中，將副原料(Au、Ca)添加至獲得的Ag熔融金屬中，成為Ag合金熔融金屬。之後，將Ag合金熔融金屬供給至模具中，獲得了預定之組成之Ag合金錠。在此，重複進行了3次以下的操作：在Ag原料之熔融中，一度將熔融爐之內部設為高真空(5×10^-2 Pa以下)，接著用惰性氣體(氬)替換至接近大氣壓的操作。之後，在惰性氣體氛圍下使Ag原料熔融，接著投入了副原料。此外，使用Ag-Ca母合金添加了Ca。

接著，以減少率80%對獲得的Ag合金錠進行冷軋，之後，在大氣中在600℃下保持1小時，進行了熱處理。藉由實施機械加工，獲得了預定尺寸(126mm× 178mm，厚度6mm)之Ag合金濺鍍靶。

(Ag合金濺鍍靶之組成) 從獲得的Ag合金錠採樣測定樣品，藉由ICP發光分光分析法對組成進行了分析。此外，藉由惰性氣體熔融-紅外線吸收法(JIS H 1067)測定了氧含量。測定結果如表1所示。

(異常放電次數) 將濺鍍裝置內排氣至5×10^-5 Pa，接著在Ar氣體壓：0.5Pa，投入電力：直流1000W，靶基板間距離：70mm之條件下實施了濺鍍。藉由MKSInstruments公司製造的DC電源(RPDG-50A)之電弧計數功能，對從放電開始起6小時以內發生的異常放電次數進行測定並作為濺鍍時之異常放電次數。測定結果如表1所示。

＜Ag合金膜＞接著，使用上述獲得的Ag合金濺鍍靶，如以下進行積層膜的成膜。首先，作為基板準備了10cm×30cm之玻璃基板(康寧公司製造的EAGLEXG)。此外，作為形成透明導電氧化物膜的濺鍍靶準備了由ITO(In₂ O₃ -10質量%SnO₂ )形成的濺鍍靶。

將上述濺鍍靶及Ag合金濺鍍靶分別焊接到無氧銅製成之背板，將其安裝在濺鍍裝置中。實施例中使用磁控管DC濺鍍裝置。該磁控管DC濺鍍裝置係一邊搬送基板一邊進行濺鍍的基板搬送式之濺鍍裝置。

接著，在以下之條件下進行濺鍍，在基板之上進行透明導電氧化物膜及Ag合金膜之成膜，獲得具有表2所示的層構造(組成、膜厚)的積層膜。成膜開始真空度：7.0×10^-4 Pa以下濺鍍氣體：高純度氬腔室內濺鍍氣體壓力：0.4Pa 直流電力：100W

(Ag合金膜之組成) 在上述條件下，在玻璃基板上形成厚度1000nm的Ag合金膜，藉由ICP發光分光分析法對該Ag合金膜之成分組成進行了測定。此外，藉由惰性氣體熔融-紅外線吸收法(JIS H 1067)測定了氧含量。其結果確認了Ag合金膜之組成和使用的Ag合金濺鍍靶之組成同等。

(膜厚測定) 藉由濺鍍成膜時，藉由段差測定計(DEKTAK-XT)事先測定一定時間成膜時之膜厚，算出濺鍍速率(每單位時間之放電中成膜的膜厚)。根據該值來調整成膜時間，以成為目標厚度的方式進行了成膜。使用透過電子顯微鏡(TEM)觀察積層膜之斷面來確認實際之積層膜之膜厚，確認了形成如目的值(目標值)之膜厚。在TEM觀察用之樣品製作上，可以使用例如截面拋光機(CP)或聚焦離子束(FIB)。

(積層膜之電氣性能評估) 使用三菱化學製造的電阻測定器Loresta GP的四探針法測定了積層膜之片電阻(sheet resistance)。評估結果如表2所示。

(積層膜的光學性能評估) 使用分光光度計(Hitachi High-Technologies Corporation製造的U-4100)測量了積層膜之透光率。評估結果如表2所示。此外，表2中記載有波長380nm至780nm中的透光率之平均值。

(積層膜之耐環境性評估) 將積層膜保持在溫度85℃、濕度85%之恆溫恆濕槽內250小時，實施了恆溫恆濕試驗。使用光學顯微鏡觀察試驗後之膜外觀，判斷了有無產生缺陷(變色、外觀不良)。評估結果如表2所示。此外，圖2A、圖2B、圖3A、圖3B中示出恆溫恆濕試驗後之積層膜之觀察例。圖2A、圖2B為本發明例1之觀察結果，圖3A、圖3B為比較例1之觀察結果。此外，變色係藉由恆溫恆濕試驗促進附著於積層膜的微粒中包含的氯(Cl)引起的腐蝕而產生。

(耐熱性) 對上述恆溫恆濕試後之電氣性能(片電阻)及光學性能(透光率)進行測定，根據以下之公式算出了試驗前後之片電阻之變化率及透光率之變化量。根據這些片電阻之變化率、透光率之變化量對耐熱性進行了評估。片電阻變化率={(試驗後之片電阻-試驗前之片電阻)/(試驗前之片電阻)}×100% 透光率變化量=試驗後之透光率―試驗前之透光率

比較例1之Ag合金濺鍍靶中Au的含量為0.03原子%。比較例101之積層膜具有使用比較例1之Ag合金濺鍍靶而成膜的Ag合金膜。在比較例101之積層膜中，如圖3A、圖3B所示，在恆溫恆濕試驗後確認了Ag合金膜中存在變色部。Au引起的腐蝕抑制效果不充分，推測為產生了氯(Cl)引起的腐蝕。比較例2之Ag合金濺鍍靶中Au的含量為6.50原子%。比較例102之積層膜係具有使用比較例2之Ag合金濺鍍靶而成膜的Ag合金膜。比較例102之積層膜中，透光率變低。

比較例3之Ag合金濺鍍靶中Ca的含量為0.003原子%。比較例103之積層膜係具有使用比較例3之Ag合金濺鍍靶而成膜的Ag合金膜。比較例103之積層膜中，在恆溫恆濕試驗後確認了Ag合金膜中存在變色部。Ca引起的腐蝕抑制效果不充分，推測為產生了氯(Cl)引起的腐蝕。此外，恆溫恆濕試驗後片電阻及透光率大幅變化。推測為基於Ca的耐熱性的提升效果不充分。比較例4中，Ca的含量為0.30原子%。比較例4中，在軋製過程中產生裂紋，而無法製造濺鍍靶。因此，中止了之後之評估。

相對於此，本發明例1~7之Ag合金濺鍍靶中，含有0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au，且含有0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca。本發明例101~107之積層膜係具有使用本發明例1~7之Ag合金濺鍍靶而成膜的Ag合金膜。本發明例101~107之積層膜中，例如圖2A、圖2B所示，在恆溫恆濕試驗後確認了Ag合金膜中不存在變色部。確認了藉由Ca及Au引起的腐蝕抑制效果，可以抑制氯(Cl)引起的腐蝕。此外，確認了片電阻極低，並且平均透光率極高，具有優異的電氣性能和光學性能，適合作為透明導電膜使用。

此外，本發明例1~6之Ag合金濺鍍靶中氧含量為0.010質量%以下。本發明例1~6之Ag合金濺鍍靶中，可以充分抑制濺鍍成膜時的異常放電之產生，可以穩定地進行濺鍍成膜。此外，本發明例7之Ag合金濺鍍靶中氧含量為0.030質量%。本發明例7之Ag合金濺鍍靶中，在濺鍍成膜時雖產生了異常放電，但是也能夠進行Ag合金膜之成膜。此外，本發明例107之積層膜係具有使用本發明例7之Ag合金濺鍍靶而成膜的Ag合金膜。比起比較例，本發明例107之積層膜中，在耐環境性及耐熱性上亦具有充分優異性能。

經由以上確認了，根據本發明例可以提供Ag合金濺鍍靶及Ag合金膜，藉由該Ag合金濺鍍靶能夠形成可以抑制氯(Cl)引起的腐蝕，且在耐環境性及耐熱性上具有優異性的Ag合金膜。 [產業上之可利用性]

本實施形態之Ag合金膜可以適用在觸控面板或太陽電池、有機EL元件等之電子元件之透明導電膜以及光學功能性薄膜的金屬薄膜。本實施形態之Ag合金濺鍍靶可以適用作為製造這些透明導電膜或金屬薄膜時的濺鍍靶。

[圖1]本發明之實施形態的具有Ag合金膜的積層膜之斷面說明圖。 [圖2A]實施例中的恆溫恆濕試驗後的本發明例1之Ag合金膜之膜端部之外觀觀察結果。 [圖2B]實施例中的恆溫恆濕試驗後的本發明例1之Ag合金膜之膜中央部之外觀觀察結果。 [圖3A]實施例中的恆溫恆濕試驗後之比較例1之Ag合金膜之膜端部之外觀觀察結果。 [圖3B]實施例中的恆溫恆濕試驗後之比較例1之Ag合金膜之膜中央部之外觀觀察結果。

Claims

一種Ag合金濺鍍靶，其特徵為：含有0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au、且含有0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，並且其餘的部分由Ag和不可避免的雜質組成。
如請求項1之Ag合金濺鍍靶，其中氧含量為0.010質量%以下。
一種Ag合金膜，其特徵為：含有0.10原子%以上且5.00原子%以下的範圍內的Au、且含有0.01原子%以上且0.20原子%以下的範圍內的Ca，並且其餘的部分由Ag和不可避免的雜質組成。
如請求項3之Ag合金膜，其中氧含量為0.010質量%以下。