TW202038262A - 電感器 - Google Patents

Abstract

本發明之電感器1具備配線2及被覆配線2之磁性層3。配線2具備導線6及被覆導線6之絕緣層7。磁性層3含有磁性粒子及黏合劑9。於配線2之周邊區域4中，磁性粒子之填充率為40體積%以上。周邊區域4係磁性層3之區域，其係於剖視時，自配線2之外周面向外側前進自配線2之重心C至配線2之外表面之最長長度及最短長度之平均的1.5倍值。

Description

電感器

本發明係關於一種電感器。

先前，已知電感器搭載於電子機器等，被用作電壓轉換構件等無源元件。

例如提出一種電感器，其具備由磁性材料構成之長方體狀之晶片本體部、及埋設於該晶片本體部之內部之銅等內部導體，且晶片本體部之剖面形狀與內部導體之剖面形狀為相似形(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平10-144526號公報

[發明所欲解決之問題]

近年來，自電子機器之高性能化或小型化、省電化之觀點來看，要求電感器具有更高之電感。但是，就專利文獻1所記載之電感器而言，有無法滿足上述要求之不良情況。

另一方面，於專利文獻1中，由於藉由印刷來積層複數個包含導電膏之導體層，故而有步驟數多而無法輕易獲得之不良情況。

本發明提供一種可利用簡單之構成容易地獲得，且電感優異之電感器。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種電感器，其具備配線及被覆上述配線之磁性層，上述配線具備導線及被覆上述導線之絕緣層，上述磁性層含有磁性粒子及黏合劑，於上述配線之周邊區域中，上述磁性粒子之填充率為40體積%以上，上述周邊區域係如下區域：於剖視時，自上述配線之上述外表面向外側前進自上述配線之重心至上述配線之外表面之最長長度及最短長度之平均的1.5倍值。

就該電感器而言，由於在周邊區域中磁性粒子之填充率為40體積%以上，故而電感良好。

本發明(2)包含如(1)所記載之電感器，其中上述磁性粒子包含各向異性磁性粒子。

本發明(3)包含如(2)所記載之電感器，其中上述各向異性磁性粒子於上述磁性層中之鄰接於上述配線之部分進行配向。

就該電感器而言，由於各向異性磁性粒子於磁性層中之鄰接於配線之部分進行配向，故而電感良好。

本發明(4)包含如(2)或(3)所記載之電感器，其中上述周邊區域具備：第1區域，其係上述各向異性磁性粒子沿著上述配線之外周方向配向；及第2區域，其係上述各向異性磁性粒子未沿著上述配線之外周方向配向。

由於該電感器之周邊區域具備各向異性磁性粒子沿著配線之外周方向配向之第1區域，故而電感良好。

進而，由於該電感器之周邊區域具備各向異性磁性粒子未沿著配線之外周方向配向之第2區域，故而直流重疊特性良好。

本發明(5)包含如(4)所記載之電感器，其中上述第1區域具備於上述配線之外周方向上相互隔開間隔地配置之第3區域及第4區域，上述第3區域之中心角之角度α1與上述第4區域之中心角之角度α2之合計角度為鈍角。

就該電感器而言，由於第3區域之中心角之角度α1與第4區域之中心角之角度α2之合計角度(α1＋α2)為鈍角，故而藉由於第3區域及第4區域中沿外周方向配向之各向異性磁性粒子，電感器更為良好。

本發明(6)包含如(1)至(5)中任一項所記載之電感器，其中上述黏合劑包含B階段熱硬化性成分之硬化物。

就該電感器而言，由於黏合劑含有B階段熱硬化性成分之硬化物，故而藉由含有B階段熱硬化性成分之磁性片材，可簡單且容易地形成磁性粒子之填充率較高之周邊區域，藉由形成熱硬化性成分之硬化物，機械強度亦優異。 [發明之效果]

本發明之電感器之電感優異。

＜第1實施形態＞ 1.電感器 參照圖1A～圖2B來說明本發明之電感器之第1實施形態。

再者，圖1A將剖面進行陰影處理後示出，圖1B係表示磁性層中之各向異性磁性粒子之配向之剖視圖。再者，於包含圖1B之本案圖式中，為了易於理解本發明，誇大地描畫磁性粒子(包含各向異性磁性粒子)之形狀及配置。

如圖1A～圖1B所示，該電感器1具有於面方向上延伸之形狀。具體而言，電感器1具有於厚度方向上對向之一表面及另一表面，且該等一表面及另一表面均具有沿著面方向所包含之方向，且配線2(下述)傳輸電流之方向(相當於紙面深度方向)及與厚度方向正交之第1方向的平坦形狀。

電感器1具備配線2及磁性層3。

配線2例如具有剖視大致圓形狀。具體而言，配線2於與作為傳輸電流之方向之第2方向(傳輸方向)(紙面深度方向)正交之剖面(第1方向剖面)處切斷時，具有大致圓形狀。

配線2具備導線6及被覆該導線6之絕緣層7。

導線6係具有於第2方向上較長地延伸之形狀之導電線。又，導線6具有與配線2共有中心軸線之剖視大致圓形狀。

作為導線6之材料，例如可列舉銅、銀、金、鋁、鎳及其等之合金等金屬導體，較佳為列舉銅。導線6可為單層構造，亦可為於芯導體(例如銅)之表面進行了鍍覆(例如鎳)等之複層構造。

導線6之半徑R1例如為25 μm以上，較佳為50 μm以上，且例如為2000 μm以下，較佳為200 μm以下。

絕緣層7保護導線6免受化學品或水之侵蝕，且防止導線6與磁性層3之短路。絕緣層7被覆導線6之整個外周面(圓周面)。

絕緣層7具有與配線2共有中心軸線(中心C)之剖視大致圓環形狀。

作為絕緣層7之材料，例如可列舉聚乙烯醇縮甲醛、聚酯、聚酯醯亞胺、聚醯胺(包含尼龍)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺及聚胺基甲酸酯等絕緣性樹脂。該等材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

絕緣層7可由單層構成，亦可由複數層構成。

絕緣層7之厚度R2於圓周方向之任一位置處在配線2之徑向上大致均勻，例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

導線6之半徑R1與絕緣層7之厚度R2之比(R1/R2)例如為1以上，較佳為10以上，例如為500以下，較佳為100以下。

配線2之半徑R(＝導線6之半徑R1＋絕緣層7之厚度R2)例如為25 μm以上，較佳為50 μm以上，且例如為2000 μm以下，較佳為200 μm以下。

磁性層3提高了電感器1之電感。磁性層3被覆配線2之整個外周面(圓周面)。磁性層3形成電感器1之外形。具體而言，磁性層3具有於面方向(第1方向及第2方向)上延伸之矩形狀。更具體而言，磁性層3具有於厚度方向上對向之一表面及另一表面，磁性層3之一表面及另一表面之各者分別形成電感器1之一表面及另一表面。

磁性層3含有作為磁性粒子之一例之各向異性磁性粒子8及黏合劑9。具體而言，磁性層3之材料係含有各向異性磁性粒子8及黏合劑9之磁性組合物。較佳為，磁性層3係熱硬化性樹脂組合物(包含各向異性磁性粒子8及下述熱硬化性成分之組合物)之硬化物。

作為軟磁體，例如可列舉以純物質狀態包含1種金屬元素之單一金屬體、及例如1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體(混合物)即合金體。該等可單獨使用或併用。

作為單一金屬體，例如可列舉僅由1種金屬元素(第1金屬元素)構成之金屬單質。作為第1金屬元素，例如自鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)及其他作為軟磁體之第1金屬元素而含有之金屬元素中適當選擇。

又，作為單一金屬體，例如可列舉包括僅包含1種金屬元素之芯、及修飾該芯之表面一部分或全部之包含無機物及/或有機物質之表面層的形態、例如包含第1金屬元素之有機金屬化合物或無機金屬化合物經分解(例如熱分解)後的形態。作為後一種形態，更具體而言，可列舉包含鐵作為第1金屬元素之有機鐵化合物(具體而言為羰基鐵)經熱分解所得之鐵粉(有時稱為羰基鐵粉)等。再者，修飾僅包含1種金屬元素之部分之包含無機物質及/或有機物質之層的位置不限於如上所述之表面。再者，作為可獲得單一金屬體之有機金屬化合物或無機金屬化合物，並無特別限定，可自能獲得軟磁體之單一金屬體之公知或常用之有機金屬化合物或無機金屬化合物中適當選擇。

合金體係1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體，只要為可用作軟磁體之合金體者，則並無特別限定。

第1金屬元素係合金體中之必需元素，例如可列舉鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)等。再者，若第1金屬元素為Fe，則合金體係設為Fe系合金，若第1金屬元素為Co，則合金體係設為Co系合金，若第1金屬元素為Ni，則合金體係設為Ni系合金。

第2金屬元素係合金體中次要地含有之元素(副成分)，且係與第1金屬元素相容(共熔)之金屬元素，例如可列舉鐵(Fe)(第1金屬為Fe以外之元素時)、鈷(Co)(第1金屬元素為Co以外之元素時)、鎳(Ni)(第1金屬元素為Ni以外之元素時)、鉻(Cr)、鋁(Al)、矽(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釕(Ru)、銠(Rh)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈧(Sc)、釔(Y)、鍶(Sr)及各種稀土元素等。該等可單獨使用或併用2種以上。

非金屬元素係合金體中次要地含有之元素(副成分)，且係與第1金屬元素相容(共熔)之非金屬元素，例如可列舉硼(B)、碳(C)、氮(N)、矽(Si)、磷(P)、硫(S)等。該等可單獨使用或併用2種以上。

作為合金體之一例之Fe系合金，例如可列舉磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)(包含電磁不鏽鋼)、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)(包含超級鐵矽鋁合金)、坡莫合金(Fe-Ni合金)、Fe-Ni-Mo合金、Fe-Ni-Mo-Cu合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Si合金、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-B-Si-Cr合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Si-Co合金、Fe-N合金、Fe-C合金、Fe-B合金、Fe-P合金、鐵氧體(包含不鏽鋼系鐵氧體、進而Mn-Mg系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Ni-Zn-Cu系鐵氧體、Cu-Zn系鐵氧體、Cu-Mg-Zn系鐵氧體等軟鐵氧體、鐵鈷合金(Fe-Co合金)、Fe-Co-V合金、Fe基非晶合金等。

作為合金體之一例之Co系合金，例如可列舉Co-Ta-Zr及鈷(Co)基非晶合金等。

作為合金體之一例之Ni系合金，例如可列舉Ni-Cr合金等。

於該等軟磁體中，自磁特性之觀點來看，較佳為列舉合金體，更佳為列舉Fe系合金，進而較佳為列舉鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)。又，作為軟磁體，較佳為列舉單一金屬體，更佳為列舉以純物質狀態包含鐵元素之單一金屬體，進而較佳為列舉鐵單質或者鐵粉(羰基鐵粉)。

作為各向異性磁性粒子8之形狀，自各向異性之觀點來看，例如可列舉扁平狀(板狀)、針狀等，自面方向(二維)上相對磁導率良好之觀點來看，較佳為列舉扁平狀。

扁平狀之各向異性磁性粒子8之扁率(扁平度)例如為8以上，較佳為15以上，且例如為500以下，較佳為450以下。扁率係例如設為將各向異性磁性粒子8之平均粒徑(平均長度)(下述)除以各向異性磁性粒子8之平均厚度所得之縱橫比而算出。

各向異性磁性粒子8之平均粒徑(平均長度)例如為3.5 μm以上，較佳為10 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。若各向異性磁性粒子8為扁平狀，則其平均厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.2 μm以上，且例如為3.0 μm以下，較佳為2.5 μm以下。

黏合劑9使各向異性磁性粒子8分散於磁性層3內。又，黏合劑9於特定方向上分散於磁性層3中。較佳為，黏合劑9含有B階段熱硬化性成分之硬化物。再者，關於黏合劑9，將於下述製造方法中之第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53之說明中詳細說明。

於磁性層3中，各向異性磁性粒子8於黏合劑9內配向並且均勻地配置。

磁性層3於剖視時(於第1方向剖面處切斷時)具有周邊區域4及外側區域5。

周邊區域4係配線2之周邊區域，以與配線2之整個外周面(圓周面)接觸之方式配置於配線2之周圍。周邊區域4具有與配線2共有中心軸線之剖視大致圓環狀。更具體而言，周邊區域4係磁性層3中之自配線2之外周面朝徑向外側前進配線2之半徑R(自配線2之中心(重心)C至外周面之距離之平均值)之1.5倍值(較佳為1.2倍值，更佳為1倍值，進而較佳為0.8倍值，特佳為0.5倍值)之區域。

周邊區域4具備第1區域11及第2區域12。

第1區域11於周邊區域4中在圓周方向上相互隔開間隔地配置有2個。具體而言，第1區域11具備第3區域13、及相對於第3區域13隔開間隔地配置於厚度方向另一側之第4區域14。

第3區域13至少被覆配線2之包含厚度方向一端緣E1之外周圓弧面，例如至少被覆配線2之包含厚度方向一端緣E1之第1半圓弧(於配線2之厚度方向一側，連結配線2之第1方向兩端緣E2及E3之一個半圓弧)面23之一部分或全部。較佳為，第3區域13被覆配線2之上述第1半圓弧面23之一部分，更具體而言，於徑向上投影時，包含於配線2之一個半圓弧面，另一方面，不與配線2之第1方向兩端緣E2及E3重疊，而配置於第1方向兩端緣E2及E3之內側。

再者，配線2之厚度方向一端緣E1係沿著厚度方向通過配線2之中心C之第1假想線L1與配線2之厚度方向一側之圓弧面(第1半圓弧面23)相交之部分。

又，配線2之第1方向兩端緣E2及E3係沿著第1方向通過配線2之中心C之第3假想線L3與配線2之圓周面相交之2個部分。

第4區域14隔著配線2之中心C與第3區域13對向配置。第4區域14至少被覆配線2之包含厚度方向另一端緣E4之外周圓弧面，例如被覆配線2之包含厚度方向另一端緣E4之第2半圓弧(於配線2之厚度方向另一側，連結第1方向兩端緣E2及E3之另一半圓弧)面24之一部分。具體而言，於徑向上投影時，第4區域14包含於配線2之第2半圓弧面24，另一方面，不與配線2之第1方向兩端緣E2及E3重疊，而配置於配線2之第1方向兩端緣E2及E3之內側。

配線2之厚度方向另一端緣E4係沿著厚度方向通過配線2之中心C之第1假想線L1與第2圓弧面24相交之部分。

第3區域13之中心角C1之角度α1與第4區域14之中心角C2之角度α2係分別根據用途及目的而適當設定，其等之合計角度(α1＋α2)例如未達360°，較佳為270°以下，且例如超過180°，較佳為200°以上。

具體而言，第3區域13之中心角C1之角度α1例如為90°以上，較佳為超過90°，更佳為120°以上，且例如未達180°，較佳為165°以下。又，角度α1較佳為鈍角。

第4區域14之中心角C2之角度α2例如為15°以上，且例如為60°以下，較佳為45°以下。又，角度α2較佳為銳角。

第3區域13之中心角C1之角度α1相對於第4區域14之中心角C2之角度α2較大，其等之比(角度α1/角度α2)例如超過1，較佳為1.5以上，且為3以下，較佳為2以下。

於該第1區域11中，各向異性磁性粒子8沿著配線2之圓周方向配向。

於第3區域13及第4區域14之各者中，各向異性磁性粒子8之相對磁導率較高之方向(例如，若各向異性磁性粒子8為扁平形狀，則為各向異性磁性粒子8之面方向)與圓周方向大致一致。具體而言，將各向異性磁性粒子8之面方向和與該各向異性磁性粒子8於徑向內側對向之圓周面相接之切線的角度為15°以下之情形定義為各向異性磁性粒子8沿圓周方向配向。

沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8之數量與第1區域11中所包含之各向異性磁性粒子8之總數之比率例如超過50%，較佳為70%以上，更佳為80%以上。即，於第1區域11中，可包含例如未達50%，較佳為30%以下，更佳為20%以下之未沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8。

相對於整個周邊區域4，第1區域11之面積(第3區域13及第4區域14之總面積)比率例如為40%以上，較佳為50%以上，更佳為60%以上，且例如為90%以下，較佳為80%以下。

第1區域11之圓周方向之相對磁導率例如為5以上，較佳為10以上，更佳為30以上，且例如為500以下。徑向之相對磁導率例如為1以上，較佳為5以上，且例如為100以下，較佳為50以下，更佳為25以下。又，圓周方向相對於徑向之相對磁導率之比(圓周方向/徑向)例如為2以上，較佳為5以上，且例如為50以下。若相對磁導率為上述範圍，則電感優異。

相對磁導率例如可藉由使用了磁性材料測試夾具之阻抗分析器(Agilent公司製造，「4291B」)來測定。

第2區域12係各向異性磁性粒子8未沿著配線2之圓周方向配向之圓周方向非配向區域。換言之，於第2區域12中，各向異性磁性粒子8沿著配線2之圓周方向以外之方向(例如第1方向或徑向)配向或不配向。

第2區域12於周邊區域4中在圓周方向上相互隔開間隔地配置有2個。具體而言，第2區域12具備第5區域15及第6區域16，其等隔著通過配線2之厚度方向一端緣E1及另一端緣E2之第1假想直線L1相互隔開間隔地配置。

第5區域15相對於第1假想直線L1配置於第1方向一側。第5區域15夾於第3區域13之圓周方向一端面與第4區域14之圓周方向另一端面之間，具體而言，連續於第3區域13之圓周方向一端面與第4區域14之圓周方向另一端面。

第6區域16相對於第5區域15隔開間隔地對向配置於第1方向另一側。第6區域16相對於第1假想直線L1配置於第1方向另一側，且以第1假想直線L1為軸相對於第5區域15線對稱。即，第6區域16連續於第3區域13之圓周方向另一端面及第4區域14之圓周方向一端面。

藉此，於第1區域11中，在圓周方向上依序配置有第3區域13、第5區域15、第4區域14及第6區域16。

而且，於連結作為假想圓弧之一例之第1假想圓弧A1之中心C3與作為假想圓弧之一例之第2假想圓弧A2之中心C4的作為假想直線之一例之第2假想直線L2上，不存在配線2之中心C，上述第1假想圓弧A1連結第5區域15中之作為圓周方向一端之第1端E5及作為圓周方向另一端之第2端E6，上述第2假想圓弧A2連結第6區域16中之作為圓周方向一端之第3端E7及作為圓周方向另一端之第4端E8。

再者，第1端E5係第5區域15中位於圓周方向一端面之徑向中央部之部分。第2端E6係第5區域15中位於圓周方向另一端面之徑向中央部之部分。第3端E7係第6區域16中位於圓周方向一端面之徑向中央部之部分。第4端E8係第6區域16中位於圓周方向另一端面之徑向中央部之部分。

具體而言，配線2之中心C隔開間隔地配置於第2假想直線L2之第1方向一側。

詳細而言，配線2之中心C例如相較第2假想直線L2而言，以配線2之半徑R之0.2倍以上且0.7倍以下之距離位於厚度方向一側，較佳為，相較第2假想直線L2而言，以配線2之半徑R之0.3倍以上且0.5倍以下之距離位於厚度方向一側。

又，配線2之厚度方向另一端緣E4不存在於第2假想直線L2上，具體而言，隔開間隔地位於第2假想直線L2之厚度方向另一側。

又，於第2區域12(第5區域15及第6區域16之各者)中，由配向方向不同之至少2種各向異性磁性粒子8形成交叉部(頂部)20。例如，於第5區域15中，第1粒子17與第2粒子18構成大致三角形之至少兩邊，藉此，形成第1交叉部(第1頂部)21，該第1粒子17係隨著自第1端部E5(與第3區域13相接之部分)趨向第2端部E6(與第4區域14接觸之部分)而朝配線2之徑向外側配向之各向異性磁性粒子8，該第2粒子18係隨著自第2端部E6趨向第1端部E5而於第1方向上配向之各向異性磁性粒子8。具體而言，第1粒子17與第2粒子18以及第3粒子19形成大致三角形(較佳為銳角三角形)，該第3粒子19係於第5區域15中配線2最接近之區域中沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8。

又，於第6區域16中，第1粒子17與第2粒子18構成大致三角形之至少兩邊，藉此，形成第2交叉部(第2頂部)22，該第1粒子17係隨著自第4端E8(與第3區域13相接之部分)趨向第3端部E7(與第4區域14相接之部分)而朝配線2之徑向外側配向之各向異性磁性粒子8，該第2粒子18係隨著自第3端部E7趨向第4端E8而於第1方向上配向之各向異性磁性粒子8。具體而言，第1粒子17與第2粒子18以及第3粒子19形成大致三角形(較佳為銳角三角形)，該第3粒子19係於第6區域16中配線2最接近之區域中沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8。

於第1方向上投影時，交叉部20(第1交叉部21及第2交叉部22之各者)不與配線2之中心C重疊。具體而言，於第1方向上投影時，交叉部20隔開間隔地配置於較配線2之中心C更靠厚度方向另一側。

又，於第1方向上投影時，交叉部20隔開間隔地配置於配線2之厚度方向另一端緣E4之厚度方向一側。

於第2區域12(第5區域15及第6區域16之各者)中，各向異性磁性粒子8之相對磁導率較高之方向(例如就扁平狀各向異性磁性粒子而言，為粒子之面方向)不與以配線2之中心C為中心之圓周面之切線一致。更具體而言，將各向異性磁性粒子8之面方向與該各向異性磁性粒子8所處之配線2之外周面(圓周面)所成之角度超過15度之情形定義為各向異性磁性粒子8未沿圓周方向配向。

未沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8之數量相對於第2區域12中所包含之各向異性磁性粒子8總數的比率例如超過50%，較佳為70%以上，且例如為95%以下，較佳為90%以下。

於第2區域12中，例如可包含沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8。沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8之數量相對於第2區域12中所包含之各向異性磁性粒子8之總數的比率例如未達50%，較佳為30%以下，且例如為5%以上，較佳為10%以上。

再者，於包含在圓周方向上配向之各向異性磁性粒子8之情形時，較佳為沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8配置於第2區域12之最內側區域、即配線2之表面附近。

第2區域12之面積(第5區域15及第6區域16之總面積)比率相對於整個周邊區域4例如為10%以上，較佳為20%以上，且例如為60%以下，較佳為50%以下，更佳為40%以下。

而且，於周邊區域4中，各向異性磁性粒子8之填充率(存在比率)為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為55體積%以上，特佳為60體積%以上。若周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率不滿足上述下限，則電感器1無法獲得優異之電感。

又，周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。若各向異性磁性粒子8之填充率為上述上限以下，則電感器1具有優異之機械強度。

特別是，於第1區域11及第2區域12之各區域中，各向異性磁性粒子8之填充率例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為55體積%以上，特佳為60體積%以上，且例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。

再者，第1區域11中之各向異性磁性粒子8之填充率及第2區域12中之各向異性磁性粒子8之填充率可相同抑或不同。

各向異性磁性粒子8之填充率可藉由實際比重測定、SEM照片二值化等而算出。

另一方面，周邊區域4中之黏合劑9之存在比率例如為各向異性磁性粒子8之上述填充率之其餘部分。

又，於周邊區域4，儘可能地抑制孔隙(空隙、間隙)之形成，較佳為配線2及磁性層3間不存在孔隙。即，周邊區域4較佳為無孔隙(void-free)。

外側區域5係磁性層3中除周邊區域4以外之區域。外側區域5以於周邊區域4之外側，與周邊區域4連續之方式配置。

於外側區域5中，各向異性磁性粒子8沿著面方向(特別是第1方向)配向。

於外側區域5中，各向異性磁性粒子8之相對磁導率較高之方向(例如就扁平狀各向異性磁性粒子而言，為粒子之面方向)與第1方向大致一致。更具體而言，將各向異性磁性粒子8之面方向與第1方向所成之角度為15°以下之情形定義為各向異性磁性粒子8於第1方向上配向。

於外側區域5中，於第1方向上配向之各向異性磁性粒子8之數量相對於外側區域5中所包含之各向異性磁性粒子8之總數之比率超過50%，較佳為70%以上，更佳為90%以上。即，於外側區域5中，可包含未達50%、較佳為30%以下、更佳為10%以下之未於第1方向上配向之各向異性磁性粒子8。

又，外側區域5中之各向異性磁性粒子8之填充率可與周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率相同抑或不同。

於外側區域5中，第1方向之相對磁導率例如為5以上，較佳為10以上，更佳為30以上，且例如為500以下。厚度方向之相對磁導率例如為1以上，較佳為5以上，且例如為100以下，較佳為50以下，更佳為25以下。又，第1方向相對於厚度方向之相對磁導率之比(第1方向/厚度方向)例如為2以上，較佳為5以上，且例如為50以下。

於外側區域5中，各向異性磁性粒子8之填充率並無特別限定，例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為55體積%以上。特佳為60體積%以上，且例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。

磁性層3之厚度例如為配線2之半徑R之例如2倍以上，較佳為3倍以上，且例如為20倍以下。具體而言，磁性層3之厚度例如為100 μm以上，較佳為200 μm以上，且例如為2000 μm以下，較佳為1000 μm以下。再者，磁性層3之厚度係磁性層3之一表面及另一表面間之距離。

2.電感器之製造方法 參照圖2A～圖3F來說明該電感器1之製造方法。

該電感器1之製造方法具備第1步驟～第6步驟。於該電感器1之製造方法中，依序實施第1步驟、第2步驟及第3步驟，隨後，同時實施第4步驟、第5步驟及第6步驟。

(第1步驟) 如圖2A所示，於第1步驟中，首先，準備配線2及作為離型膜之第1離型片材41，該第1離型片材41係基板之一例。

第1離型片材41具有於面方向上延伸之大致片材形狀。第1離型片材41之材料係根據其用途及目的來適當選擇，具體而言，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯、例如聚甲基戊烯、聚丙烯等聚烯烴等。又，第1離型片材41之厚度方向一表面及/或另一表面可實施離型處理。第1離型片材41之厚度例如為1 μm以上，且例如為1000 μm以下。

其後，於第1步驟中，將配線2及第1離型片材41配置於平板加壓機42。

平板加壓機42具備可於厚度方向上加壓之第1板43及第2板44。於平板加壓機42中，第2板44隔開間隔地對向配置於第1板43之厚度方向一側。再者，平板加壓機42具備未圖示之熱源。

又，於平板加壓機42，設置有腔室，該腔室係用以使配置於平板加壓機42並供於加壓機之構件處於真空狀態。

於第1步驟中，首先，將第1離型片材41配置於第1板43，隨後，將配線2配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。具體而言，使配線2之厚度方向另一端緣E4與第1離型片材41之一表面接觸。

再者，此時，第1離型片材41及第1板43配置於腔室內。於其後之步驟中配置之各構件均配置於腔室內。

(第2步驟) 於第2步驟中，首先，如圖2A所示，準備第1磁性片材51。同時，準備第2離型片材45及離型緩衝片材46。

[第1磁性片材] 第1磁性片材51具有於面方向上延伸之大致片材形狀。具體而言，第1磁性片材51具有於厚度方向上對向之一表面及另一表面。

第1磁性片材51係用以形成磁性層3中之至少第2區域12、第3區域13(之一部分或全部)、及外側區域5之一部分之磁性片材。

再者，第1磁性片材5構成為藉由第2步驟中之熱壓(參照圖2B)而變形(流動)。

又，第1磁性片材51含有作為第1磁性粒子之一例之第1各向異性磁性粒子81及第1黏合劑91。第1各向異性磁性粒子81與各向異性磁性粒子8相同。具體而言，第1磁性片材51由含有第1各向異性磁性粒子81及第1黏合劑91之第1磁性組合物形成為大致片材形狀。

於該第1磁性片材51中，藉由第1黏合劑91使第1各向異性磁性粒子81以於面方向上配向之方式均勻地分散。

第1磁性片材51係單片片材或複數片片材之積層體(積層片材)，較佳為積層片材，更佳為包含內側片材54及外側片材55之2層片材，該內側片材54於熱壓時與配線2接觸，該外側片材55配置於內側片材之厚度方向一側。

第1磁性組合物(第1磁性片材51)中之第1各向異性磁性粒子81之體積比率例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為55體積%以上，特佳為60體積%以上，且例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。若第1各向異性磁性粒子81之體積比率為上述範圍，則周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率可設定為40體積%以上。藉此，可獲得電感優異之電感器1。

又，第1磁性組合物(第1磁性片材51)中之第1各向異性磁性粒子81之體積比率例如亦宜為40體積%以下，進而為35體積%以下，且為20體積%以上，進而為25體積%以上。若第1各向異性磁性粒子81之體積比率為上述範圍，則可儘可能地抑制周邊區域4中之孔隙之存在，因此，可將周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率與各向異性磁性粒子8之填充率相對較高之第2磁性片材52及第3磁性片材53(下述)一起設定為40體積%以上。其結果，可獲得電感優異之電感器1。

若第1磁性片材51係內側片材54與外側片材55之2層積層片材，則外側片材55之各向異性磁性粒子8之體積比率較佳為高於內側片材54之體積比率。如此一來，第1磁性片材51可更靈活地追隨於配線2之圓周面中剖視時超過180°之區域(以下稱為優弧(major arc))。

作為第1黏合劑91，例如可列舉丙烯酸系樹脂等熱塑性成分、例如環氧樹脂組合物等熱硬化性成分。丙烯酸系樹脂例如包含含羧基之丙烯酸酯共聚物。環氧樹脂組合物例如包含作為主劑之環氧樹脂(例如甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、環氧樹脂用硬化劑(例如酚系樹脂等)、及環氧樹脂用硬化促進劑(例如咪唑化合物等)。

作為第1黏合劑91，可分別單獨使用或併用熱塑性成分及熱硬化性成分，較佳為併用熱塑性成分及熱硬化性成分。

即，較佳為，第1黏合劑91至少含有熱硬化性成分。若第1黏合劑91至少含有熱硬化性成分，則可使第1磁性片材51成為具有流動性之B階段，而供第1各向異性磁性粒子81以較高之調配比率均勻地分散，並且於第2步驟之熱壓中，第1磁性片材51可靈活地變形，且追隨並被覆於配線2之圓周面處之優弧。

再者，關於第1黏合劑91(第1磁性組合物)之更詳細之配方，記載於日本專利特開2014-165363號公報等中。

第1磁性組合物(第1磁性片材51)中之第1黏合劑91之體積比率係上述磁性粒子48之體積比率之其餘部分。

為了製作第1磁性片材51，將第1各向異性磁性粒子81及第1黏合劑91進行調配，將其等均勻地混合而製備第1磁性組合物。此時，將視需要使用溶劑(有機溶劑)來製備第1磁性組合物之清漆。其後，將清漆塗佈於未圖示之剝離膜並乾燥，製作第1磁性片材51。

第1磁性片材51之厚度(若為積層片材則為總厚度)係適當設定為維持可藉由第2步驟之熱壓而被覆外側區域5之至少配線2之厚度方向一端緣E1之形狀。具體而言，第1磁性片材51之厚度為配線2之半徑R之例如3倍以下，較佳為2倍以下，更佳為未達2倍，進而較佳為1.5倍以下，特佳為1.25倍以下，且例如為0.1倍以上，較佳為0.2倍以上。

(第2離型片材) 第2離型片材45具有與第1離型片材41相同之構成，由上述可知，其材料係根據用途及目的而適當選擇。

(離型緩衝片材) 離型緩衝片材46係可於隨後說明之第2步驟中，在熱壓後(參照圖2C)使第1磁性片材51自第2板44分離之離型片材。又，離型緩衝片材46亦為用於如下用途之緩衝片材，於第2步驟中之熱壓時(參照圖2B)，使第2板44之壓力對應於配線2之圓周面之優弧之形狀，分散地作用於第1磁性片材51，使第1磁性片材51產生變形，從而使第1磁性片材51追隨於配線2之圓周面之優弧。

離型緩衝片材46具有於面方向上延伸之片材形狀，且具有厚度方向一表面及另一表面。

離型緩衝片材46之一表面可於第2步驟中，與第2板44(下述)呈面狀接觸。離型緩衝片材46之一表面係沿著面方向之平坦面。

離型緩衝片材46之另一表面可與第2離型片材45之厚度方向一表面接觸，而使第1磁性片材51變形。離型緩衝片材46之另一表面與一表面隔開間隔地對向配置於厚度方向另一側。離型緩衝片材46之另一表面係平行於一表面，且沿著面方向之平坦面。

離型緩衝片材46於厚度方向一側依序具備第1層47、第2層48及第3層49。

(第1層) 第1層47係針對第1磁性片材51之離型層(第1離型層)。第1層47係具有沿著面方向延伸之形狀之薄膜(皮膜)。又，第1層47係自厚度方向另一側被覆隨後說明之第2層48之被覆層(外殼層)。對第1層47之厚度方向另一表面可實施適當之剝離處理。

第1層47具有如下物性：於隨後之第2步驟之熱壓中，可介隔第2離型片材45追隨於第1磁性片材51之一表面，另一方面，其厚度於熱壓前後實質上未變化。又，第1層47係可於熱壓中在面方向(具體而言為第1方向)上伸長之層。再者，第1層47於第2步驟中之熱壓溫度(例如110℃)下，較隨後說明之第2層48硬。

作為第1層47之材料，可列舉非熱流動材料，該非熱流動材料藉由下述第2步驟中之熱壓而至少不於第1方向上流動。

非熱流動材料含有例如聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等芳香族聚酯、及例如聚烯烴等作為主成分。

(第2層) 第2層48係夾於第1層47及第3層49之間之中間層。第2層48係流動層，其於第1步驟中之熱壓時，於第1方向及厚度方向上流動，使第1層47追隨於第1磁性片材51之一表面。

第2層48係較第1層47柔軟之柔軟層，具體而言，可於第2步驟中之熱壓時變形。具體而言，第2層48之110℃下之拉伸儲存模數E'例如低於第1層47之110℃下之拉伸儲存模數E'。

作為第2層48之材料，可列舉藉由下述第2步驟中之熱壓而於第1方向及厚度方向上流動之熱流動材料。熱流動材料例如包含烯烴-(甲基)丙烯酸酯共聚物(乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物等)、或烯烴-乙酸乙烯酯共聚物等作為主成分。

(第3層) 第3層49係針對第2板44之離型層(第2離型層)。第3層49之形狀、物性、材料及厚度與第1層47之形狀、物性、材料及厚度相同。

(離型緩衝片材之厚度) 離型緩衝片材46之厚度例如為50 μm以上，且例如為500 μm以下。又，第1層47及第3層49之厚度分別例如為5 μm以上、50 μm以下，第2層48之厚度例如為30 μm以上、300 μm以下。第2層48之厚度與第1層47之厚度之比率例如為2以上，較佳為5以上，更佳為7以上，且例如為15以下。

離型緩衝片材46可使用市售品，例如使用離型膜OT-A、離型膜OT-E等離型膜OT系列(積水化學工業公司製造)等。

然後，藉由平板加壓機42依序夾住第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

繼而，藉由平板加壓機42介隔第1離型片材41、第2離型片材45及離型緩衝片材46，對配線2及第1磁性片材51進行熱壓。

例如，使第2板44以接近第1板43之方式移動，介隔離型緩衝片材46及第2離型片材45將第2板44向第1磁性片材51壓抵(加壓)。

同時，藉由熱源將第1磁性片材51與離型緩衝片材46進行加熱。

加壓壓力例如為0.1 MPa以上，較佳為0.3 MPa以上，且例如為10 MPa以下，較佳為5 MPa以下。

加熱溫度具體而言例如為100℃以上，較佳為105℃以上，且例如為190℃以下，較佳為150℃以下。

加壓時間例如為10秒以上，較佳為20秒以上，且例如為1000秒以下，較佳為100秒以下。

於第2步驟中，藉由第2板44相對於第1板43移動，而將腔室封閉，繼而，使腔室內之環境為真空狀態，繼而，第1板43、第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45、離型緩衝片材46及第2板44該等於厚度方向上鄰接之構件彼此相互接觸(緊貼、密接)，繼而，第2板44進一步移動(熱壓開始)。

於是，於厚度方向上投影時，離型緩衝片材46中與配線2重疊之重疊部分34因配線2之第1半圓弧面23及第2板44而於厚度方向上變窄的同時被擠壓(夾壓)。

另一方面，於厚度方向上投影時，離型緩衝片材46中不與配線2重疊之非重疊部分35不會受到上述夾壓。

於是，第2層48之重疊部分34中之熱流動材料朝向非重疊部分35流動(擠出)(變形)(詳細而言為塑性變形)。於是，於非重疊部分35，基於來自上述重疊部分34之熱流動材料之流動(擠出)之流動壓力增大。非重疊部分35之流動壓力作用於厚度方向之兩側。

流動壓力中之作用於厚度方向另一側之流動壓力將非重疊部分35之第1層47朝厚度方向另一側擠出(壓下)，並且介隔該第1層47將第1磁性片材51中與非重疊部分35於厚度方向上對向之被擠出部分38朝厚度方向另一側擠出(壓下)。

其後，基於上述流動壓力產生之被擠出部分38之擠出(壓下)持續至被擠出部分38包裹配線2之第1方向兩端緣E3及E4，進而被覆(接觸到)配線2之第2圓弧面24(但，厚度方向另一端緣E4除外)為止。

然後，藉由被擠出部分38與第2圓弧面24接觸，如圖2B所示，形成第2區域12。

於熱壓後，離型緩衝片材46之另一表面例如具有與配線2之第1半圓弧面23對應之形狀。

第2離型片材45追隨於離型緩衝片材46之另一表面，具體而言追隨於第1層47。

再者，熱壓後之第1磁性片材51例如為B階段。具體而言，第1磁性片材51之第1黏合劑91所含有之熱硬化性成分為B階段。

藉此，熱壓後之第1磁性片材51具有至少包含上述第2區域12之形狀。即，如圖2B之放大圖所示，於第2區域12中，各向異性磁性粒子8未沿著配線2之圓周方向配向。

又，第1磁性片材51具有隆起部25及平坦部26。

隆起部25被覆配線2之外周面(厚度方向另一端緣E4除外)，且具有與第1半圓弧面23類似(或者相似)之剖視彎曲形狀。隆起部25具有第1方向中央朝向厚度方向一側突出(隆起)之形狀。隆起部25具有1個第2頂部27。

平坦部26具有自隆起部25之第1方向兩端面朝第1方向兩外側分別延伸之大致平板形狀。

藉此，第1磁性片材51以被覆配線2之圓周面之優弧之方式，配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

配線2之圓周面之優弧係自第1半圓弧面23及其圓周方向兩端之各者沿著圓周方向趨向厚度方向另一端緣E4，但未到達厚度方向另一端緣E4之圓弧面(圓周面之一部分)。

熱壓後之第1磁性片材51之厚度係以確保具有上述隆起部25及平坦部26之形狀之方式設定。具體而言，第1磁性片材51之第2頂部27處之厚度與配線2之半徑R之比率例如為0.01以上，較佳為0.03以上，且例如為8以下，較佳為2以下。平坦部26之厚度與配線2之半徑R之比率例如為0.05以上，較佳為0.2以上，且例如未達5，較佳為1.5以下。

具體而言，第1磁性片材51之第2頂部27處之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下。又，平坦部26之厚度例如為25 μm以上，較佳為50 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。

(第3步驟) 於第3步驟中，首先，解除圖2B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，自平板加壓機42取出第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

繼而，如圖2C所示，將第1離型片材41自第1磁性片材51之另一表面及配線2之厚度方向另一端緣E4剝離。

又，將第2離型片材45及離型緩衝片材46自第1磁性片材51之一表面剝離。

(第4步驟、第5步驟及第6步驟) 如圖3E所示，同時實施第4步驟、第5步驟及第6步驟。

於第4步驟中，藉由第2磁性片材52被覆第1磁性片材51之厚度方向一表面。於第5步驟中，藉由第3磁性片材53被覆第1磁性片材51之厚度方向另一表面。於第6步驟中，使第1黏合劑91(參照圖2A)、第2黏合劑92(參照圖3D)及第3黏合劑93(參照圖3D)之熱硬化性成分C階段化。

如圖3D所示，於第4步驟及第5步驟中，首先，準備第2磁性片材52及第3磁性片材53。

第2磁性片材52及第3磁性片材53之各者可具有與第1磁性片材51相同之構成。

再者，第2磁性片材52含有第2各向異性磁性粒子82及第2黏合劑92，於第2黏合劑92中，例如，第2各向異性磁性粒子82於面方向上配向。第2黏合劑92所含有之熱硬化性成分為B階段，因此第2磁性片材52為B階段。又，第2磁性片材52若為積層體(積層片材)，則各片材之第2各向異性磁性粒子82之存在比率相同或不同，較佳為相同。又，第2磁性片材52中之第2各向異性磁性粒子82之存在比率可與第1各向異性磁性粒子81之存在比率相同或不同。

當第2各向異性磁性粒子82之存在比率與第1各向異性磁性粒子81之存在比率不同，且第1各向異性磁性粒子81之存在比率為40體積%以下時，可將第2各向異性磁性粒子82之存在比率設定為高於第1各向異性磁性粒子81之存在比率。具體而言，第2磁性片材52中之第2各向異性磁性粒子82之存在比率與第1磁性片材51中之第1各向異性磁性粒子81之存在比率之比(第2磁性片材52中之第2各向異性磁性粒子82之存在比率/第1磁性片材51中之第1各向異性磁性粒子81之存在比率)例如為1.1以上，較佳為1.2以上，更佳為1.5以上，且例如為3以下，較佳為2.5以下。於此情形時，具體而言，第2磁性片材52中之第2各向異性磁性粒子82之存在比率例如為45體積%以上，較佳為50體積%以上，更佳為55體積%以上，進而較佳為60體積%以上，且例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。

若第2各向異性磁性粒子82之上述比及/或存在比率處於上述範圍內，則可儘可能地抑制第2磁性片材52與第1磁性片材51之間存在孔隙，因此，可將周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率連同第1磁性片材51一起，設定為40體積%以上。其結果，可獲得電感優異之電感器1。

第2磁性片材52之厚度(若為積層片材則為總厚度)為配線2之半徑R之例如0.5倍以上，較佳為1倍以上，更佳為1.5倍以上，且例如為5倍以下，較佳為3倍以下。

第3磁性片材53含有作為第3磁性粒子之一例之第3各向異性磁性粒子83及第3黏合劑93，例如，於第3黏合劑93中，第3各向異性磁性粒子83於面方向上配向。第3黏合劑93所含有之熱硬化性成分為B階段，因此第3磁性片材53為B階段。又，第3磁性片材53若為積層體(積層片材)，則各片材與第3各向異性磁性粒子83之存在比率相同或不同，較佳為相同。又，第3磁性片材53中之第3各向異性磁性粒子83之存在比率可與第1各向異性磁性粒子81之存在比率相同或不同。

當第3各向異性磁性粒子83之存在比率與第1各向異性磁性粒子81之存在比率不同，且第1各向異性磁性粒子81之存在比率為40體積%以下時，將第3各向異性磁性粒子83之存在比率設定為高於第1各向異性磁性粒子81之存在比率。具體而言，第3磁性片材53中之第3各向異性磁性粒子83之存在比率與第1磁性片材51中之第1各向異性磁性粒子81之存在比率之比(第3磁性片材53中之第3各向同性磁性粒子83之存在比率/第1磁性片材51中之第1各向異性磁性粒子81之存在比率)例如為1.1以上，較佳為1.2以上，更佳為1.5以上，且例如2.5以下，較佳為2以下。於此情形時，具體而言，第3磁性片材53中之第3各向異性磁性粒子83之存在比率例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為55體積%以上，特佳為60體積%以上，且例如為95體積%以下，較佳為90體積%以下。

若第3各向異性磁性粒子83之上述比及/或存在比率處於上述範圍內，則可儘可能地抑制第3磁性片材53與第1磁性片材51之間存在孔隙，其結果，於周邊區域4中，可將各向異性磁性粒子8之填充率連同第1磁性片材51一起設定為40體積%以上。因此，可獲得電感優異之電感器1。

第3磁性片材53之厚度(若為積層片材則為總厚度)為配線2之半徑R之例如0.5倍以上，較佳為1倍以上，且例如為5倍以下，較佳為3倍以下。

隨後，將第2磁性片材52及第3磁性片材53配置於平板加壓機42。具體而言，於第1板43及第2板44之間，朝向厚度方向一側依序配置第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2及第1磁性片材51、第2磁性片材52、以及第2離型片材45。

再者，第1離型片材41及/或第2離型片材45可再利用上述第3步驟中所去除之第1離型片材41及/或第2離型片材45，還可準備並配置其他第1離型片材41及/或第2離型片材45。

再者，於該第4步驟及第5步驟之熱壓中，未將如第2步驟中使用之離型緩衝片材46配置於平板加壓機42。

隨後，藉由平板加壓機將第3磁性片材53、配線2及第1磁性片材51、以及第2磁性片材52進行熱壓。熱壓之條件與第2步驟中之條件相同。

第2磁性片材52之另一表面藉由熱壓而追隨於第1磁性片材51之隆起部25之形狀。但，第2磁性片材52之一表面維持其平坦形狀。

即，第2磁性片材52被覆第1磁性片材51之厚度方向一表面，該第1磁性片材51被覆配線2之圓周面之優弧及第1離型片材41之一表面(實施第4步驟)。

又，第3磁性片材53之另一表面藉由熱壓而維持其平坦形狀。

另一方面，於第3磁性片材53之一表面中，與配線2之厚度方向另一端緣E4對向之對向部28朝厚度方向另一側略微移動(後退、下降、陷入)。即，於第3磁性片材53之一表面中，對向部28朝其第1方向外側移動，相對於與第1離型片材41之一表面平行之第2平坦部29，朝厚度方向一側略微凹下。

第1磁性片材51之另一表面與第3磁性片材53之一表面之第2平坦部29緊貼，相對於配線2之厚度方向另一端緣E4朝厚度方向一側略微移動。

即，第3磁性片材53以被覆自第1磁性片材51之厚度方向另一表面露出之配線2之圓周面(包含厚度方向另一端緣E4之圓弧面)之方式，配置於第1磁性片材51之厚度方向另一表面(實施第5步驟)。

藉此，於厚度方向上投影時，在與配線2重疊之部分中，朝向厚度方向一側依序配置有第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51及第2磁性片材52。又，於厚度方向上投影時，在不與配線2重疊之部分中，朝向厚度方向一側依序配置有第3磁性片材53、第1磁性片材51及第2磁性片材52。

藉由上述熱壓，與第4步驟及第5步驟同時實施第6步驟。

選擇熱壓之條件，以便可使第1黏合劑91、第2黏合劑92及第3黏合劑93之熱硬化性C階段化。

於該第6步驟中，第1磁性片材51中之第1黏合劑91、第2磁性片材52中之第2黏合劑92及第3磁性片材53中之第3黏合劑93藉由上述熱壓而同時C階段化。

因此，黏合劑9含有B階段熱硬化性成分之硬化物(C階段狀物)。

再者，藉由第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53之C階段化，第1磁性片材51及第2磁性片材52之邊界、以及第1磁性片材51及第3磁性片材53之邊界分別消失，形成包含第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53之一個磁性層3(參照圖1A)。但，於圖3F中記載了上述邊界，以便明確地示出第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53之配置。

3.用途 電感器1係電子機器之一零件、即用以製作電子機器之零件，且係不包含電子元件(晶片、電容器等)或供安裝電子元件之安裝基板，而以單個零件之形式流通，可於產業上利用之器件。

電感器1例如搭載(組裝)於電子機器等。雖未圖示，但電子機器具備安裝基板及安裝於安裝基板之電子元件(晶片、電容器等)。而且，電感器1經由焊料等連接構件安裝於安裝基板，且與其他電子機器電性連接，作為線圈等被動元件發揮作用。

而且，根據該電感器1，於配線2之周邊區域4中，各向異性磁性粒子8之填充率為40體積%以上，故而電感良好。

並且，該電感器1具備剖視大致圓形狀之配線2，故而構成簡單，可容易地獲得具備該配線2之電感器1。

因此，該電感器1可藉由簡單之構成容易地獲得，並且電感優異。

於該電感器1中，各向異性磁性粒子9於磁性層3中鄰接於配線2之部分進行配向，故而電感良好。

該電感器1之周邊區域4具備各向異性磁性粒子8沿著配線2之圓周方向配向之第1區域4，故而電感良好。

進而，該電感器1之周邊區域4具備各向異性磁性粒子8未沿著配線2之圓周方向配向之第2區域5，故而直流重疊特性良好。

又，第3區域13之中心角C1之角度α1與第4區域14之中心角C2之角度α2之合計角度(α1＋α2)為鈍角，因此，藉由於在厚度方向上對向之第3區域13及第4區域14中沿圓周方向配向之各向異性磁性粒子8，電感更為良好。

又，於該電感器1中，黏合劑9含有B階段熱硬化性成分之硬化物，故而藉由含有B階段熱硬化性成分之第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53，可簡單且容易地形成各向異性磁性粒子8之填充率高之周邊區域4，藉由形成熱硬化性成分之硬化物，機械強度亦優異。

＜第1實施形態之變化例＞ 於變化例中，對與第1實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，除特別記載以外，變化例發揮與第1實施形態相同之作用效果。進而，可將第1實施形態及其變化例適當組合。

於第1實施形態中，同時實施第4步驟及第5步驟、以及第6步驟。但是，亦可實施第4步驟及第5步驟，然後實施第6步驟。

於第1實施形態中，同時實施第4步驟與第5步驟。但是，亦可依序實施第4步驟與第5步驟。具體而言，於該變化例中，如圖4A～圖6H所示，依序實施第1步驟、第2步驟、第4步驟、第3步驟、第5步驟及第6步驟。

如圖4A所示，於第1步驟中，將配線2配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

隨後，如圖4B所示，於第2步驟中，利用平板加壓機42夾住第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46，隨後，利用平板加壓機42介隔第1離型片材41、第2離型片材45及離型緩衝片材46將配線2及第1磁性片材51進行熱壓。藉此，將第1磁性片材51以被覆配線2之圓周面之優弧之方式，配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

隨後，如圖5D所示，實施第4步驟。具體而言，首先，解除圖4B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，如圖4C所示，於將第1離型片材41、配線2及第1磁性片材51配置於平板加壓機42之狀態下，自平板加壓機42取出第2離型片材45及離型緩衝片材46。

其後，於第4步驟中，將第2磁性片材52及第2離型片材45另行配置於第1磁性片材51之厚度方向一側。

繼而，如圖5D所示，使用平板加壓機42對第2磁性片材52進行熱壓。藉此，第2磁性片材52被覆第1磁性片材51之一表面。

如圖6G所示，實施第3步驟。具體而言，首先，解除圖5D所示之平板加壓機42之加壓，自平板加壓機42取出第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45。

於第3步驟中，繼而，如圖5E所示，將第1離型片材41自第1磁性片材51之另一表面及配線2之厚度方向另一端緣E4剝離。

隨後，如圖5F所示，實施第5步驟。

具體而言，於第5步驟中，將第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45配置於平板加壓機42。

於第5步驟中，如圖6G所示，藉由平板加壓機42對第3磁性片材53進行熱壓。藉此，將第3磁性片材53以被覆配線2之厚度方向另一端緣E4之方式配置於B階段之第1磁性片材51之另一表面。此時，配線2之厚度方向另一端緣E4陷入對向部。

於第5步驟之後或者與第5步驟同時地實施第6步驟。具體而言，使第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53予以C階段化，而形成C階段磁性層3。藉此，獲得具備配線2及被覆配線2之磁性層3之電感器1。

其後，如圖6H所示，自平板加壓機42取出電感器1。

該變化例及第1實施形態中，較佳為第1實施形態。若為第1實施形態，則同時實施第4步驟及第5步驟，故而可減少製造步驟數，可容易地製造電感器1。

於第1實施形態之第2步驟中，如圖2B所示，將第2離型片材45配置於平板加壓機42，但亦可不配置第2離型片材45而實施熱壓。

於第2磁性片材52中，第2各向異性磁性粒子82於面方向上配向，但第2各向異性磁性粒子82亦可不於面方向上配向。

於第1實施形態中，配線2具有剖視大致圓形狀，但其剖視形狀並無特別限定，例如雖未圖示，但亦可為大致橢圓形狀、大致矩形狀(包含正方形及長方形狀)，亦可為大致不定形狀。再者，作為配線2具有大致矩形狀之態樣，可為至少一條邊彎曲，還可為至少一個角彎曲。

於上述任一實施形態中，周邊區域4係如下區域：於剖視時，自配線2之外周面向外側前進自配線2之重心C至配線2之外周面之最長長度及最短長度之平均([最長長度＋最短長度]/2)之1.5倍值。

＜第2實施形態＞ 於第2實施形態中，對與第1實施形態及其變化例相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，除特別記載以外，第2實施形態可發揮與第1實施形態及其變化例相同之作用效果。進而，可適當地組合第1實施形態、第2實施形態及其等之變化例。

於圖1A～圖1B所示之第1實施形態中，於厚度方向上投影時，交叉部20隔開間隔地配置於配線2之厚度方向另一端緣E4之厚度方向一側，例如，如圖7A～圖7B所示，亦可與配線2之厚度方向另一端緣E4重疊。

如圖7A～圖7B所示，第2實施形態之電感器1之第4區域14較第1實施形態之電感器1之第4區域14窄。具體而言，第4區域14之中心角C2之角度α2未達15°且超過0°。

其次，參照圖8A～圖10H來說明該電感器1之製造方法。

電感器1之製造方法具備第1步驟～第6步驟。於該電感器1之製造方法中，依序實施第1步驟、第2步驟及第3步驟，隨後，同時實施第4步驟及第5步驟。又，第6步驟係分批地實施，具體而言，分割為第2步驟中之熱壓時、以及第4步驟及第5步驟中之熱壓時來實施。

(第1步驟) 如圖8A所示，於第1步驟中，將配線2配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

(第2步驟及第6步驟之一部分) 隨後，如圖8B所示，藉由平板加壓機42依序夾住第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。繼而，藉由平板加壓機42對第1磁性片材51進行熱壓。藉此，第1磁性片材51以被覆配線2之圓周面之優弧之方式，配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

於第2步驟之後或與第2步驟同時，藉由平板加壓機42之熱源將第1磁性片材51加熱，使第1磁性片材51予以C階段化(實施第6步驟之一部分)。

(第3步驟) 於第3步驟中，首先，解除圖8B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，如圖8C所示，自平板加壓機42取出第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

繼而，將第1離型片材41自第1磁性片材51之另一表面及配線2之厚度方向另一端緣E4剝離。

又，將第2離型片材45及離型緩衝片材46自第1磁性片材51之一表面剝離。

(第4步驟及第5步驟、第6步驟之其餘部分) 如圖9E所示，同時實施第4步驟及第5步驟。

如圖9D所示，於第4步驟及第5步驟中，首先，於平板加壓機42配置第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45。再者，第1磁性片材51及第3磁性片材53均為B階段。

隨後，如圖9E所示，藉由平板加壓機42對第1磁性片材51及第3磁性片材53進行加壓。

藉此，第2磁性片材52被覆第1磁性片材51之厚度方向一表面。

第3磁性片材53以被覆配線2之厚度方向另一端緣E4之方式配置於第1磁性片材51之厚度方向另一表面。此時，抑制了於C階段且相對硬質之第1磁性片材51之另一表面之移動，且抑制了配線2之厚度方向另一端緣E4向第3磁性片材53之對向部28陷入。即，第3磁性片材53之一表面可維持平坦狀。

其後，藉由平板加壓機42之熱源將第2磁性片材52及第3磁性片材53加熱，使第2磁性片材52及第3磁性片材53予以C階段化(實施第6步驟之其餘部分)。

藉此，獲得具備配線2及磁性層3之電感器1。

如圖9F所示，自平板加壓機42取出電感器1。

第1實施形態及第2實施形態中，較佳為第1實施形態。根據第1實施形態，於第6步驟中，使第1黏合劑91及第3黏合劑93之B階段熱硬化性成分之同時C階段化，故而與對第1黏合劑91及第3黏合劑93之B階段熱硬化性成分依序實施C階段化之第2實施形態相比，可縮短製造時間。因此，可容易地製造電感器1。

＜第2實施形態之變化例＞ 於變化例中，對與第2實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，除特別記載以外，變化例發揮與第2實施形態相同之作用效果。進而，可將第2實施形態及其變化例適當組合。

於第2實施形態中，同時實施第4步驟及第5步驟、以及第6步驟之其餘部分。但是，可實施第4步驟及第5步驟，然後實施第6步驟之其餘部分。

於第2實施形態中，同時實施第4步驟與第5步驟。但是，亦可依序實施第4步驟與第5步驟。

於該變化例中，如圖10A～圖12H所示，依序實施第1步驟、第2步驟、第4步驟、第3步驟及第5步驟。又，第6步驟係分批地實施。

如圖10A所示，於第1步驟中，將配線2配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

如圖10B所示，隨後實施第2步驟，並且使第1磁性片材51予以C階段。即，實施第6步驟之一部分。具體而言，藉由平板加壓機42，將第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46依序夾住，隨後，藉由平板加壓機42，介隔第1離型片材41、第2離型片材45及離型緩衝片材46對配線2及第1磁性片材51進行熱壓。又，藉由平板加壓機42之熱源，使第1磁性片材51予以C階段化(實施第6步驟之一部分)。

如圖11D所示，隨後實施第4步驟。具體而言，首先，解除圖10B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，如圖10C所示，於將第1離型片材41、配線2及第1磁性片材51配置於平板加壓機42之狀態下，自平板加壓機42取出第2離型片材45及離型緩衝片材46。

其後，於第4步驟中，將第2磁性片材52及第2離型片材45另行配置於第1磁性片材51之厚度方向一側。

如圖11D所示，繼而，使用平板加壓機42對第2磁性片材52進行熱壓。藉此，第2磁性片材52被覆第1磁性片材51之一表面。

如圖11F所示，隨後實施第3步驟。

於第3步驟中，具體而言，首先，解除圖11D所示之平板加壓機42之加壓，自平板加壓機42取出第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45。

於第3步驟中，繼而，如圖11E所示，將第1離型片材41自第1磁性片材51之另一表面及配線2之厚度方向另一端緣E4剝離。

如圖12G所示，隨後實施第5步驟。

如圖11F所示，於第5步驟中，首先，具體而言，將第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45配置於平板加壓機42。

於第5步驟中，如圖12G所示，藉由平板加壓機42對第3磁性片材53進行熱壓。藉此，第3磁性片材53以被覆配線2之厚度方向另一端緣E4之方式配置於C階段之第1磁性片材51之另一表面。

於第5步驟之後或與第5步驟同時地，實施第6步驟之其餘部分。具體而言，藉由平板加壓機42之熱源，使第2磁性片材52及第3磁性片材53予以C階段化，形成包含第3磁性片材53、第1磁性片材51及第2磁性片材52之磁性層3。藉此，獲得具備配線2及被覆配線2之磁性層3之電感器1。

如圖12H所示，其後，自平板加壓機42取出電感器1。

又，於上述變化例中，與圖10B所示之對配線2配置第1磁性片材51之第2步驟同時地，使第1磁性片材51予以C階段化，但使第1磁性片材51予以C階段之時期只要為將第1磁性片材51之另一表面配置於第3磁性片材53之第5步驟(參照圖5G)前，則並無特別限定，例如亦可與圖11D所示之配置第2磁性片材52之第4步驟一起實施。

又，可使第1磁性片材51及第2磁性片材52同時C階段化。將第2磁性片材52配置於B階段之第1磁性片材51之一表面，其後，使第1磁性片材51及第2磁性片材52同時C階段化。 又，可使第2磁性片材52予以C階段化，其後，將第3磁性片材53配置於第1磁性片材51之另一表面，繼而，使其C階段化。

又，亦可將第3磁性片材53配置於第1磁性片材51之另一表面，其後，將第2磁性片材52配置於第1磁性片材51之一表面。於此情形時，亦可使第3磁性片材53及第2磁性片材52同時C階段化，且使第3磁性片材53予以C階段化，其後，使第2磁性片材52予以C階段化。

又，亦可如圖13A所示，於第1步驟中，將配線2配置於C階段之第3磁性片材53(基板之一例)之厚度方向一表面，而非配置於第1離型片材41。

具體而言，首先，製作C階段之第3磁性片材53，並將其配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。第3磁性片材53中之第3黏合劑93含有B階段熱硬化性成分之硬化物。

繼而，藉由平板加壓機42夾住第1離型片材41、C階段之第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

如圖13B所示，實施第2步驟。於該第2步驟中，藉由平板加壓機42依序夾住第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

繼而，藉由平板加壓機42介隔第1離型片材41、第2離型片材45及離型緩衝片材46對第3磁性片材53、配線2及第1磁性片材51進行熱壓。藉此，第1磁性片材51以被覆配線2之圓周面之優弧之方式配置於C階段之第3磁性片材53之厚度方向一表面。

隨後，於第4步驟中，首先，解除圖13B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，如圖13C所示，於將第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2及第1磁性片材51配置於平板加壓機42之狀態下，自平板加壓機42取出第2離型片材45及離型緩衝片材46。

隨後，於之後之第4步驟中，另行將第2磁性片材52及第2離型片材45配置於第1磁性片材51之厚度方向一側。藉由平板加壓機42夾住第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51、第2磁性片材52及第2離型片材45。

其後，如圖14D所示，藉由平板加壓機42對第2磁性片材52進行加壓。

其後，使第2磁性片材52及第1磁性片材51予以C階段化。藉此，形成包含第3磁性片材53、第1磁性片材51及第2磁性片材52之磁性層3。

其後，如圖14E所示，獲得電感器1。

於上述變化例中，使第1磁性片材51及第2磁性片材52同時C階段化，但例如亦可於使第1磁性片材51予以C階段化之後，使第2磁性片材52予以C階段化。

＜其他變化例＞ 於該變化例中，對與第1及第2實施形態相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，除特別記載以外，變化例可發揮與第1及第2實施形態相同之作用效果。進而，可將第1及第2實施形態以及其變化例適當組合。

如圖15所示，周邊區域4亦可僅具備第1區域11，而不具備第2區域12。再者，於圖15中，為了明確地示出周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之配向，省略了外側區域5中之各向異性磁性粒子8。

如圖16A～圖16B所示，配線2之中心C可存在於連結第5區域15中之第1假想圓弧A1之中心C3與第6區域16中之第2假想圓弧A2之中心C4之第2假想直線L2上。再者，於圖16A～圖16B中，為了明確地示出周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之配向，省略了外側區域5之描畫。

於圖16A之電感器1中，於第1方向上投影時，第5區域15及第6區域16中之交叉部20(第1交叉部21及第2交叉部22)與配線2之中心C重疊。

於圖16B之電感器1中，於第2區域12中，各向異性磁性粒子8沿著第1方向配向。因此，於第2區域12中不存在交叉部20。

如圖17所示，磁性層3亦可具有剖視大致圓環形狀，而非片材形狀。

於第1實施形態及第2實施形態中，列舉各向異性磁性粒子8作為磁性粒子之一例，但例如磁性粒子可包含不具有各向異性，而例如具有各向同性之態樣。作為此種各向同性磁性粒子之形狀，例如可列舉大致球形狀。作為大致球形狀之各向同性磁性粒子，例如可列舉大致球形狀之鐵粒子。又，磁性粒子亦可含有各向異性磁性粒子及各向同性磁性粒子之兩者。再者，各向同性磁性粒子之平均粒徑例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。

又，於第1實施形態及第2實施形態中，列舉了第1各向異性磁性粒子81作為第1磁性粒子之一例，但，例如第1磁性粒子亦可不具有各向異性，而例如具有各向同性。作為此種第1各向同性磁性粒子之形狀，例如可列舉大致球形狀。作為大致球形狀之第1各向同性磁性粒子，例如可列舉大致球形狀之鐵粒子等。

又，如第1實施形態之圖2A、其變化例之圖4A、第2實施形態之圖8A及其變化例之圖10A及圖13A所示，第1各向異性磁性粒子81於第1磁性片材51中在面方向上配向，但並不限定於此，亦可不於第1磁性片材51中沿著面方向配向。

於第1實施形態及第2實施形態中，列舉了第3各向異性磁性粒子83作為第3磁性粒子之一例，例如，第3磁性粒子可不具有各向異性，而例如具有各向同性。作為此種第3各向同性磁性粒子之形狀，例如可列舉大致球形狀。作為大致球形狀之第3各向同性磁性粒子，例如可列舉大致球形狀之鐵粒子等。

又，如第1實施形態之圖3D、其變化例之圖5F、第2實施形態之圖9D、其變化例之圖11F及圖13C所示，第3各向異性磁性粒子83於第3磁性片材53中在面方向上配向，但並不限定於此，亦可不於第3磁性片材53中沿著面方向配向。

如圖1B及圖7B所示，於第1實施形態及第2實施形態中，各向異性磁性粒子8至少於第1區域11中沿著配線2之圓周方向配向，但並不限定於此，還包含未沿著配線2之圓周方向配向之態樣。

又，磁性層3中之磁性粒子(第1磁性粒子、第2各向異性磁性粒子82及第3磁性粒子)之比率(填充率)不限於上述，例如隨著遠離配線2，可變高抑或變低。為了製造磁性層3中之磁性粒子之比率隨著遠離配線2而變高之電感器1，例如，將第2磁性片材52中之第2各向異性磁性粒子82之存在比率設定得高於第1磁性片材51中之磁性粒子之存在比率。 [實施例]

以下示出實施例及比較例，更具體地說明本發明。再者，本發明不受任何實施例及比較例限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值及參數等具體數值可代替上述「用以實施發明之形態」中所記載之對應於其等之調配比率(含有比率)、物性值及參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。

實施例1 ＜基於第1實施形態之電感器之製造例＞ 於實施例1中，基於第1實施形態來製造電感器1。具體而言，如圖2A～3F所示，依序實施第1步驟、第2步驟及第3步驟，隨後，同時實施第4步驟、第5步驟及第6步驟。

(第1步驟) 準備配線2及第1離型片材41。

具體而言，準備半徑R為110 μm之配線2。導線6之半徑R1為100 μm，絕緣層7之厚度R2為10 μm。

另行準備厚度50 μm之包含PET之第1離型片材41。

繼而，如圖2A所示，將配線2配置於第1離型片材41之厚度方向一表面。

(第2步驟) 準備第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

具體而言，準備由內側片材54與外側片材55之積層片材構成之第1磁性片材51作為B階段片材，該內側片材54之各向異性磁性粒子8之比率為50體積%，該外側片材55之各向異性磁性粒子8之比率為60體積%。內側片材54及外側片材55之配方係如表1中所記載。

又，作為第2離型片材45，準備有包含TPX(註冊商標)之離型膜(Mitsui Chemicals Tohcello公司製造)。

又，準備有將2片離型膜OT-A110(積水化學工業公司製造)積層而得之離型緩衝片材46。

離型緩衝片材46之厚度(離型膜OT-A110之總厚度)為110 μm，具備厚度為15 μm之第1層47、厚度T2為80 μm之第2層48、及厚度為15 μm之第3層49。第1層47及第3層49之110℃下之拉伸儲存模數E'為190 MPa，其材料含有聚對苯二甲酸丁二酯作為主成分。第2層48之110℃下之拉伸儲存模數E'為5.6 MPa，其材料含有乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物作為主成分。

隨後，藉由平板加壓機42依序夾住第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。

如圖2B所示，繼而，於2 MPa之加壓壓力、110℃且60秒之加壓條件下，藉由平板加壓機42對配線2及第1磁性片材51進行熱壓。

圖18A中示出第2步驟後之配線2及第1磁性片材51之剖面之SEM照片。

(第3步驟) 於第3步驟中，首先，解除圖2B所示之平板加壓機42之加壓，繼而，如圖2C所示，自平板加壓機42取出第1離型片材41、配線2、第1磁性片材51、第2離型片材45及離型緩衝片材46。繼而，將第1離型片材41自第1磁性片材51之另一表面及配線2之厚度方向另一端緣E4剝離。又，將第2離型片材45及離型緩衝片材46自第1磁性片材51之一表面剝離。

(第4步驟、第5步驟及第6步驟) 準備有第2磁性片材52及第3磁性片材53。

具體而言，準備5片具有與第1磁性片材51中之外側片材55相同配方(各向異性磁性粒子8之比率為60體積%)之片材，並準備由其等之積層片材構成之第2磁性片材52作為B階段片材。

又，準備4片與第1磁性片材51中之外側片材55相同配方(各向異性磁性粒子8之比率為60體積%)之片材、及1片與第1磁性片材51中之內側片材54相同配方(各向異性磁性粒子8之比率為50體積%)之片材，將其等積層，準備由其等之積層片材構成之第3磁性片材53作為B階段片材。

如圖3D所示，隨後，於第1板43及第2板44之間，朝向厚度方向一側依序配置第1離型片材41、第3磁性片材53、配線2及第1磁性片材51、第2磁性片材52、以及第2離型片材45(PET膜)。

如圖3E所示，繼而，於2 MPa之加壓壓力、170℃且900秒之加壓條件下，平板加壓機42對第3磁性片材53、配線2、第1磁性片材51及第2磁性片材52進行熱壓。藉此，使第1黏合劑91、第2黏合劑92及第3黏合劑93中之熱硬化性成分C階段化。

藉此，藉由包含C階段之第1磁性片材51、第2磁性片材52及第3磁性片材53之磁性層3，被覆配線2之圓周面，製造圖1A〜圖1B所示之電感器1。

其後，如圖3F所示，自平板加壓機42取出電感器1。

將電感器1之剖面之SEM照片示於圖18B中。

實施例2 ＜基於第1實施形態之變化例之電感器之製造例＞ 於實施例2中，基於圖4A～圖6H所示之第1實施形態之變化例來製造電感器1。具體而言，除了依序實施第1步驟、第2步驟、第4步驟、第3步驟、第5步驟及第6步驟以外，以與實施例1相同之方式進行處理。

該電感器1係如圖7A～圖7B所示，將其剖面之SEM照片示於圖19中。

實施例3～實施例5 根據表1，除了變更第1磁性片材51之配方以外，以與實施例1相同之方式進行處理，製造電感器1。

比較例1 於第1板43之厚度方向一側，依序配置厚度50 μm之包含PET之第1離型片材41、C階段之第3磁性片材53、B階段之第1接著層、與實施例1相同之配線2、B階段之第2接著層、C階段之第2磁性片材52、包含TPX之第2離型片材45、將2片離型膜OT-A110(積水化學工業公司製造)積層所得之離型緩衝片材46，將由其等構成之積層體夾入第1板43及第2板44之間。

再者，第1接著層及第2接著層均係不包含各向異性磁性粒子8，而包含熱硬化性樹脂之B階段片材。第1接著層及第2接著層之厚度分別為2 μm。

C階段之第2磁性片材52及C階段之第3磁性片材53之配方係如表1所記載，均為完全硬化之硬化體。

隨後，於平板加壓機42、2 MPa之加壓壓力、170℃且900秒之加壓條件下，藉由平板加壓機42對上述積層體進行熱壓，而製造電感器1。

將比較例1之電感器1之剖面之SEM照片示於圖20中。

由圖20可知，於配線2之第2圓弧面24以及第1方向兩端緣E2及E3與第1磁性片材51(磁性層3)之間形成有孔隙。

比較例2 於第1板43之厚度方向一側，依序配置厚度50 μm之包含PET之第1離型片材41、C階段之第3磁性片材53、第1感壓接著層、與實施例1相同之配線2、第2感壓接著層、C階段之第2磁性片材52、包含TPX之第2離型片材45、將2片離型膜OT-A110(積水化學工業公司製造)積層所得之離型緩衝片材46，將包含其等之積層體夾入第1板43及第2板44之間。

再者，第1感壓接著層及第2感壓接著層均係不包含各向異性磁性粒子8，而包含丙烯酸系感壓接著劑(黏著劑)之感壓接著帶(黏著帶)。第1感壓接著層及第2感壓接著層之厚度分別為5 μm。

C階段之第2磁性片材52及C階段之第3磁性片材53之配方係如表1所記載，均為完全硬化之硬化體。

隨後，於平板加壓機42、加壓壓力2 MPa、110℃且60秒之加壓條件下，藉由平板加壓機42對上述積層體進行熱壓，而製造電感器1。

於配線2之第2圓弧面24以及第1方向兩端緣E2及E3與第1磁性片材51(磁性層3)之間形成有孔隙。

＜填充率＞ 根據SEM照片之剖視圖之二值化，算出電感器1之周邊區域4中之各向異性磁性粒子8之填充率。具體而言，於SEM照片中，將白色鑑定為各向異性磁性粒子8，將黑色鑑定為黏合劑9，然後，根據第1區域11中白色之剖面積之比率，求出各向異性磁性粒子8之填充率(存在比率)。

將其等之結果示於表1中。

＜電感＞ 使導線6之傳輸方向兩端部自絕緣層7及磁性層3露出而形成2個露出部，使該等露出部連接於阻抗分析器(Agilent公司製造：4294A)，求出電感，以下述基準評估電感器1之電感。 ◎：電感為110 H以上 ○：電感為90 H以上，未達110 H △：電感為60 H以上，未達90 H ×：電感未達60 H 將其等之結果示於表1中。

[表1]

表1
磁性組合物	實施例1 /實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	比較例1	比較例2
第1磁性片材	第1磁性片材	第1磁性片材	第1磁性片材	第2磁性片材/第3磁性片材	第2磁性片材/第3磁性片材
B階段之2層片材	B階段之2層片材	B階段之2層片材	B階段之2層片材	B階段之接著片材與C階段之磁性片材	感壓接著帶與C階段之磁性片材
內側片材	外側片材	單片片材	單片片材	單片片材	內側片材*1	外側片材*2	內側片材*3	外側片材*2
體積%	體積%	體積%	體積%	體積%	體積%	體積%	體積%	體積%
磁性粒子	扁平狀軟磁性粒子	Fe-Si-Al合金(平均粒徑40 μm)	50	60	50	40	30	0	60	0	60
熱塑性成分	含羧基之丙烯酸酯共聚物	Nagase ChemteX公司製造之Tessan樹脂SG-70L	23.7	18.8	23.7	28.5	33.5	48.6	18.8	-	18.8
熱硬化性成分(環氧樹脂組合物)	甲酚酚醛環氧樹脂(主劑)	新日鐵住金化學公司製造之KI-3000-4環氧當量199 g/eq	12.2	9.7	12.2	14.7	17.2	25.1	9.7	9.7
酚系樹脂(硬化劑)	明和化成公司製造之MEH-7851SS	12.4	9.8	12.4	15.0	17.6	25.5	9.8	9.8
咪唑化合物(硬化促進劑)	四國化成工業公司製造之2PHZ-PW	0.4	0.3	0.4	0.5	0.6	0.8	0.3	0.3
周邊區域中之各向異性磁性粒子之填充率(體積%)	57	55	53	58	34	18
有無孔隙	無	無	無	無	有	有
評估(電感)	◎	◎	〇	〇	△	×
*1：B階段接著片材 *2：C階段磁性片材 *3：感壓接著帶

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但此僅為例示，不應限定性地解釋。本領域技術人員所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]

電感器例如搭載於電子機器等。

1:電感器 2:配線 3:磁性層 4:周邊區域 5:外側區域 6:導線 7:絕緣層 8:各向異性磁性粒子 9:黏合劑 11:第1區域 12:第2區域 13:第3區域 14:第4區域 15:第5區域 16:第6區域 17:第1粒子 18:第2粒子 19:第3粒子 20:交叉部(頂部) 21:第1交叉部(第1頂部) 22:第2交叉部(第2頂部) 23:第1半圓弧面 24:第2半圓弧面 25:隆起部 26:平坦部 27:第2頂部 28:對向部 29:第2平坦部 34:重疊部分 35:非重疊部分 38:被擠壓部分 41:第1離型片材 42:平板加壓機 43:第1板 44:第2板 45:第2離型片材 46:離型緩衝片材 47:第1層 48:第2層 49:第3層 51:第1磁性片材 52:第2磁性片材 53:第3磁性片材 54:內側片材 55:外側片材 81:第1各向異性磁性粒子 82:第2各向異性磁性粒子 83:第3各向異性磁性粒子 83:第3各向異性磁性粒子 91:第1黏合劑 92:第2黏合劑 93:第3黏合劑 93:第3黏合劑 A1:第1假想圓弧 A2:第2假想圓弧 C:配線之中心 C1:中心角(第3區域) C2:中心角(第4區域) C3:第1假想圓弧之中心 C4:第2假想圓弧之中心 E1:端緣 E2:端緣 E3:端緣 E4:端緣 E5:第1端 E6:第2端 E7:第3端 E8:第4端 L1:第1假想線 L2:第2假想線 L3:第3假想線 R1:半徑 R2:厚度 α1:中心角(第3區域)之角度 α2:中心角(第4區域)之角度

圖1A～圖1B係本發明之電感器之第1實施形態之剖視圖，圖1A係剖面經陰影處理之剖視圖，圖1B係表示磁性層中之各向異性磁性粒子之配向之剖視圖。 圖2A～圖2C係說明製造第1實施形態之電感器之方法之步驟圖，圖2A表示於第1離型片材配置配線之第1步驟，圖2B表示利用第1磁性片材被覆配線之第2步驟，圖2C表示去除第1離型片材之第3步驟。 圖3D～圖3F係繼圖2C之後，說明製造第1實施形態之電感器之方法之步驟圖，圖3D表示配置第2磁性片材及第3磁性片材之步驟，圖3E表示利用第2磁性片材被覆第1磁性片材之一表面之第4步驟、及利用第3磁性片材被覆B階段之第1磁性片材之另一表面之第5步驟，圖3F表示取出電感器之步驟。 圖4A〜圖4C係說明第1實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖4A表示於第1離型片材配置配線之第1步驟，圖4B表示利用第1磁性片材被覆配線之第2步驟，圖4C表示配置第2磁性片材之步驟。 圖5D～圖5F係繼圖4C之後，說明第1實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖5D表示利用第2磁性片材被覆第1磁性片材之一表面之第4步驟，圖5E表示去除第1離型片材之第3步驟，圖5F表示配置第3磁性片材之步驟。 圖6G～圖6H係繼圖5F之後，說明第1實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖6G表示利用第3磁性片材被覆B階段之第1磁性片材之另一表面之第5步驟，圖6H表示取出電感器之步驟。 圖7A～圖7B係本發明之電感器之第2實施形態之剖視圖，圖7A係剖面經陰影處理之剖視圖，圖7B係表示磁性層中之各向異性磁性粒子之配向之剖視圖。 圖8A～圖8C係說明製造第2實施形態之電感器之方法之步驟圖，圖8A表示於第1離型片材配置配線之第1步驟，圖8B表示利用第1磁性片材被覆配線之第2步驟，圖8C表示去除第1離型片材之第3步驟。 圖9D～圖9F係繼圖8C之後，說明製造第2實施形態之電感器之方法之步驟圖，圖9D表示配置第2磁性片材及第3磁性片材之步驟，圖9E表示利用第2磁性片材被覆第1磁性片材之一表面之第4步驟、及利用第3磁性片材被覆C階段之第1磁性片材之另一表面之第5步驟，圖9F表示取出電感器之步驟。 圖10A～圖10C係說明第2實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖10A表示於第1離型片材配置配線之第1步驟，圖10B表示利用第1磁性片材被覆配線之第2步驟，圖10C表示配置第2磁性片材之步驟。 圖11D～圖11F係繼圖10C之後，說明第2實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖11D表示利用第2磁性片材被覆第1磁性片材之一表面之第4步驟，圖11E表示去除第1離型片材之第3步驟，圖11F表示配置第3磁性片材之步驟。 圖12G～圖12H係繼圖11F之後，說明第2實施形態之變化例之製造方法之步驟圖，圖12G表示利用第3磁性片材被覆C階段之第1磁性片材之另一表面之第5步驟，圖12H表示取出電感器之步驟。 圖13A～圖13C係說明第2實施形態之又一變化例之製造方法之步驟圖，圖13A表示於C階段之第3磁性片材配置配線之步驟，圖13B表示利用第1磁性片材被覆配線及第3磁性片材之一表面之步驟，圖13C表示配置第2磁性片材之步驟。 圖14D～圖14E係繼圖13C之後，說明第2實施形態之又一變化例之製造方法之步驟圖，圖14D表示利用第2磁性片材被覆第1磁性片材之步驟，圖14E表示取出電感器之步驟。 圖15表示電感器之變化例(磁性層不具備第2區域之態樣)之剖視圖。 圖16A～圖16B係電感器之變化例(於第2假想直線上存在配線之中心之態樣)之剖視圖，圖16A表示於第2區域存在交叉部之變化例，圖16B表示於第2區域不存在交叉部之變化例。 圖17表示電感器之變化例(磁性層具有剖視大致圓環形狀之態樣)之剖視圖。 圖18A～圖18B係實施例1之SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)照片之圖像處理圖，圖18A係第2步驟後之SEM照片，圖18B係電感器之SEM照片。 圖19係實施例2之電感器之SEM照片之圖像處理圖。 圖20係比較例1之電感器之SEM照片之圖像處理圖。

1:電感器

2:配線

3:磁性層

4:周邊區域

5:外側區域

6:導線

7:絕緣層

8:各向異性磁性粒子

9:黏合劑

11:第1區域

12:第2區域

13:第3區域

14:第4區域

15:第5區域

16:第6區域

17:第1粒子

18:第2粒子

19:第3粒子

20:交叉部(頂部)

21:第1交叉部(第1頂部)

22:第2交叉部(第2頂部)

23:第1半圓弧面

24:第2半圓弧面

A1:第1假想圓弧

A2:第2假想圓弧

C:配線之中心

C1:中心角(第3區域)

C2:中心角(第4區域)

C3:第1假想圓弧之中心

C4:第2假想圓弧之中心

E1:端緣

E2:端緣

E3:端緣

E4:端緣

E5:第1端

E6:第2端

E7:第3端

E8:第4端

L1:第1假想線

L2:第2假想線

L3:第3假想線

R1:半徑

R2:厚度

α1:中心角(第3區域)之角度

α2:中心角(第4區域)之角度

Claims (6)

1. 一種電感器，其特徵在於： 具備配線及被覆上述配線之磁性層， 上述配線具備導線及被覆上述導線之絕緣層， 上述磁性層含有磁性粒子及黏合劑， 於上述配線之周邊區域中，上述磁性粒子之填充率為40體積%以上， 上述周邊區域係如下區域：於剖視時，自上述配線之上述外表面向外側前進自上述配線之重心至上述配線之外表面之最長長度及最短長度之平均的1.5倍值。
2. 如請求項1之電感器，其中上述磁性粒子包含各向異性磁性粒子。
3. 如請求項2之電感器，其中上述各向異性磁性粒子於上述磁性層中之鄰接於上述配線之部分進行配向。
4. 如請求項2或3之電感器，其中上述周邊區域具備： 第1區域，其係上述各向異性磁性粒子沿著上述配線之外周方向配向；及 第2區域，其係上述各向異性磁性粒子未沿著上述配線之外周方向配向。
5. 如請求項4之電感器，其中上述第1區域具備於上述配線之外周方向上相互隔開間隔地配置之第3區域及第4區域， 上述第3區域之中心角之角度α1與上述第4區域之中心角之角度α2之合計角度為鈍角。
6. 如請求項1或2之電感器，其中上述黏合劑含有B階段熱硬化性成分之硬化物。

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