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TW202023058A - At切割晶體片、晶體振盪子以及晶體振盪子中間體 - Google Patents

At切割晶體片、晶體振盪子以及晶體振盪子中間體 Download PDF

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TW202023058A
TW202023058A TW108145354A TW108145354A TW202023058A TW 202023058 A TW202023058 A TW 202023058A TW 108145354 A TW108145354 A TW 108145354A TW 108145354 A TW108145354 A TW 108145354A TW 202023058 A TW202023058 A TW 202023058A
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TW108145354A
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松尾清治
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日商日本電波工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種AT切割晶體片、晶體振盪子以及晶體振盪子中間體。AT切割晶體片是支撐部(10b)的厚度比振動部(10a)的厚度厚的晶體片(10)，且在振盪頻率為76MHz附近顯示良好的特性。晶體片(10)包括第一凸狀部(10c)，所述第一凸狀部(10c)的振動部的作為與支撐部相反側的端部的前端部，朝向前端側為凸形狀。進而，包括第二凸狀部(10d)，所述第二凸狀部(10d)的振動部的沿著短邊的兩端部，朝向沿著短邊的外部方向為凸形狀。而且，作為振動部的長邊尺寸(L)與短邊尺寸(W)的比的W/L為0.74～0.79的範圍、或0.81～0.93的範圍。

Description

AT切割晶體片、晶體振盪子以及晶體振盪子中間體
本發明是有關於一種支撐部的厚度比振動部的厚度厚的晶體片、使用所述晶體片的晶體振盪子以及所述晶體振盪子用的晶體振盪子中間體。
作為晶體振盪子的一種，有使用支撐部的厚度比振動部的厚度厚的晶體片的晶體振盪子。例如在專利文獻1或專利文獻2中公開有其具體例。
專利文獻1中公開的晶體振盪子是使用如下的晶體片，所述晶體片包括振動部、及與所述振動部的一端連接且比振動部厚的支撐部。所述支撐部通過導電性構件而連接固定在晶體振盪子的容器，構成晶體振盪子。在此晶體振盪子中，即便振動部薄，支撐部也對抗來自晶體振盪子的容器的應力，其結果，可防止振動部的頻率變動(專利文獻1的段落33等)。
專利文獻2中公開的晶體振盪子是使用如下的晶體片，所述晶體片在振動部的一端設置有比振動部厚的固定部(相當於支撐部)，且在振動部與固定部之間設置有緩衝部。所述緩衝部是厚度隨著從振動部朝向固定部側而變厚的傾斜部(專利文獻2的權利要求1等)。在此晶體振盪子中，由於設置有緩衝部，因此可使振動部的振動衰減，並且可抑制固定部對於振動部的影響(專利文獻2的段落8等)。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2001-144578號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2016-34061號公報
[發明所要解決的問題] 在專利文獻2中，對於晶體片的具體的尺寸有以下的記載。振動部的長邊尺寸為0.98mm，短邊尺寸為0.78mm，厚度為13μm。支撐部的長邊尺寸為0.79mm，短邊尺寸為0.35mm，厚度為50μm。而且，當俯視晶體元件的上表面時，從振動部至固定部為止的長度為0.05mm (專利文獻2的例如段落26)。在使用所述晶體片的情況下，由於厚度為13μm，因此可獲得振盪頻率為128Mhz左右的晶體振盪子。在此晶體振盪子中，不具有壁厚的固定部的現有結構的晶體振盪子的晶體阻抗(以下，也稱為CI (Crystal Impedance))為50Ω～100Ω，與此相對，可將CI改善成20Ω～50Ω(專利文獻2的例如段落26)。
但是，在專利文獻2中，既未記載、也未教導適合用於振盪頻率為76Mhz附近的晶體振盪子的晶體片的構成。 本申請是鑒於此點而成，因此，本發明的目的在於提供一種支撐部的厚度比振動部的厚度厚、且在振盪頻率為76MHz附近顯示良好的特性的晶體片，及使用所述晶體片的晶體振盪子以及晶體振盪子中間體。
[解決問題的技術手段] 為了謀求所述目的的達成，本發明的晶體片是振盪頻率大約等於(≒)76Mhz的AT切割的晶體片，其包括：振動部，平面形狀為大致長方形狀；以及支撐部，與所述振動部的一個短邊側連接且厚度比所述振動部的厚度厚。 而且，在本發明的晶體片中，所述振動部的作為與所述支撐部相反側的端部的前端部朝向前端側為凸形狀，所述振動部的沿著短邊的兩端部朝向沿著短邊的外部方向為凸形狀，且作為所述振動部的長邊尺寸L與短邊尺寸W的比的W/L為0.74～0.79的範圍、或0.81～0.93的範圍。
另外，本發明的晶體振盪子是如下的晶體振盪子，其包括：本發明的晶體片、設置在所述晶體片的表面與背面的激勵用電極、以及被從所述激勵用電極中引出的引出電極。 另外，本發明的晶體振盪子是如下的晶體振盪子，其包括：本發明的晶體片、設置在所述晶體片的表面與背面的激勵用電極、被從所述激勵用電極中引出的引出電極；以及容器，收容所述晶體片、所述激勵用電極與所述引出電極。 另外，本發明的晶體振盪子中間體是如下的晶體振盪子中間體，其包括：晶圓，呈矩陣狀地具有多個晶體振盪子；所述晶體振盪子包含：本發明的晶體片、設置在所述晶體片的表面與背面的激勵用電極、以及被從所述激勵用電極中引出的引出電極。
此處，在所述發明中，所述大致長方形狀是：包含四角為直角的正長方形、及相對於正長方形在本發明的目的的範圍內略微變形的長方形狀的含義。例如是，也包含振動部的前端側的角部略微變成R形狀等的大致長方形狀的含義。 另外，振盪頻率為約76Mhz是包含76.8Mhz，在其附近的振盪頻率，例如74Mhz～78Mhz的含義。
[發明的效果] 根據本發明的晶體片，在支撐部的厚度比振動部厚、且懸臂支撐結構的晶體片中，由於具有所述規定的端面形狀及邊比，因此，除了由支撐部所產生的效果以外，可通過規定的端面形狀及規定的邊比，來使不需要的振動進一步衰減。因此，可實現振盪頻率為約76Mhz且特性優異的晶體片。
以下，參照圖式對本發明的晶體片、及晶體振盪子、以及晶體振盪子中間體的實施方式進行說明。另外，用於說明的各圖只不過是概略性地表示出了可以理解這些發明的程度。另外，在用於說明的各圖中，對相同的構成成分賦予相同的編號來表示，也存在省略其說明的情況。另外，以下的說明中所述的形狀、尺寸、材質等，只不過是本發明的範圍內的適宜例。因此，本發明並不僅限定於以下的實施方式。
1.晶體振盪子的結構 圖1A～圖1C是實施方式的晶體振盪子中包括的晶體片10的說明圖。尤其，圖1A是晶體片10的平面圖，圖1B是沿著圖1A中的IB-IB線的剖面圖，圖1C是沿著圖1A中的IC-IC線的剖面圖。另外，此處表示在晶體片10設置有激勵用電極11及引出電極13的構成，即晶體振盪子的一形態的狀態。
另外，圖1A中所示的坐標軸X、Y'、Z'分別表示AT切割的晶體片10中的晶體的晶軸。另外，關於AT切割晶體片自身的詳細情況，例如已記載在文獻：《晶體元件的解說與應用》、日本晶體元件工業會2002年3月第4版第7頁等中，因此，此處省略其說明。
本實施方式的晶體片10包括：振動部10a、與振動部10a的一個短邊側連接的支撐部10b、以及規定的凸形狀10c及凸形狀10d。進而，包括：設置在振動部10a的表面與背面的主面的激勵用電極11、及引出電極13。以下，對各構成成分的詳細情況、及各構成成分間的關係進行說明。
振動部10a的平面形狀為大致長方形狀，且作為與支撐部10b相反側的端部的前端部10c，朝向前端側變成凸形狀10c (參照圖1B)。以下，將所述凸形狀10c的部分，也稱為第一凸狀部10c。
進而，振動部10a的沿著振動部10a的短邊的兩端部10d，朝向沿著短邊的外部方向變成凸形狀10d (參照圖1C)。以下，將所述凸形狀10d的部分，也稱為第二凸狀部10d。 而且，當將振動部10a的長邊尺寸設為L，將短邊尺寸設為W時，作為長邊尺寸L與短邊尺寸W的比的W/L成為0.74～0.79的範圍或0.81～0.93的範圍。關於此點，在後述的“2.實驗及其結果”一項中進行說明。
此處，作為凸形狀10c的第一凸狀部10c具體是如下的形狀：振動部10a的厚度隨著朝向前端，從t起逐漸地變薄。即，當觀察沿著晶體的X軸切割振動部10a的剖面時，第一凸狀部10c是包含多個面，朝向-X側為凸狀的形狀。
另外，所述第一凸狀部10c的構成沿著晶體的X軸切割的剖面的面的數量，可設為對應於晶體片10的設計的任意的數量。具體而言，可通過製造晶體片10時的濕式蝕刻的條件，來控制面的數量。但是，典型的是，所述面的數量以二面～六面為宜，更優選的是以二面或三面為宜。其原因在於：對於抑制不需要的振動有用。
另外，作為凸形狀10d的第二凸狀部10d具體是如下的形狀：振動部10a的厚度在沿著晶體的Z'軸的兩端，朝向沿著Z'軸的外側，從t起逐漸地變薄。即，當觀察沿著晶體的Z'軸切割振動部10a的剖面時，第二凸狀部10d是包含多個面，朝向沿著Z'軸的外側為凸狀的形狀。
另外，所述第二凸狀部10d的構成沿著晶體的Z'軸切割的剖面的面的數量，可設為對應於晶體片10的設計的任意的數量。具體而言，例如可通過製造晶體片10時的濕式蝕刻的條件來控制面的數量。但是，典型的是，所述面的數量以二面～六面為宜，優選的是以二面或三面為宜，更優選的是以三面為宜。其原因在於：對於抑制不需要的振動有用。
另外，支撐部10b是與振動部10a的一個短邊側連接，具有比振動部10a的厚度t厚的厚度T。另外，在本例的情況下，支撐部10b的一側的面與振動部10a的一側的面變成同一面(參照圖1B)。而且，支撐部10b的與所述一側的面相向的另一側的面，成為沿著Y'軸朝外部突出的台地狀的部分10ba。因此，所述台地狀的部分10ba的厚度為(T－t)。
另外，在本實施方式的情況下，台地狀的部分10ba朝向振動部10a側厚度逐漸地變薄，且與振動部10a連接。即，設為具有傾斜部的結構。將所述台地狀的部分10ba的沿著晶體的X軸的尺寸設為Lb1(詳細情況將後述)。
另外，激勵用電極11分別設置在振動部10a的兩主面。而且，將設置在振動部10a的兩主面的這些激勵用電極11，設為相互相向的配置。 另外，引出電極13從各激勵用電極11朝支撐部10b側引出。 這些激勵用電極11及引出電極13分別可包含：例如，鉻與形成於鉻上的金的層疊膜。
所述晶體片10實際上安裝在規定的容器，並被密封。圖2是表示其典型例的平面圖。即，例如在眾所周知的陶瓷封裝體15內，在引出電極13的位置上，通過例如矽酮系的導電性黏接劑17來黏接固定晶體片10，進而，利用規定的蓋構件(未圖示)以真空密封或惰性氣體環境等的密封狀態對所述陶瓷封裝體15進行密封，由此變成晶體振盪子20。 另外，將陶瓷封裝體15設為具有收容晶體片10的凹部的結構，可以是在所述凹部周邊的堤部分接合蓋構件、或者也可以是包含平板的陶瓷基板與蓋狀的蓋構件的容器。容器的構成可各種各樣。
2.實驗及其結果 2-1.關於振動部的邊比的實驗 首先，對獲得本發明中所主張的振動部的邊比的實驗及其結果進行說明。作為試製的晶體振盪子，試製各種以下所說明的條件的晶體振盪子。
作為根據過去的設計經驗等而被認為重要的設計事項，試製將振動部10a的長邊尺寸L、振動部10a的短邊尺寸W變成各種尺寸的多個水平的晶體振盪子。
另外，這些多個水平的晶體振盪子各自的所述以外的設計值，如以下所示進行共同化。 首先，將振動部10a的第一凸狀部10c的尺寸Lc設為0.04mm，將第二凸狀部10d的尺寸Wd設為0.18mm。 另外，將激勵用電極11的沿著晶體的X軸的尺寸Le設為0.5mm，將沿著晶體的Z'軸的尺寸We設為0.4mm。但是，激勵用電極11以如下的狀態來形成：其中心點相對於晶體片10的中心點，沿著晶體的X軸朝晶體的前端側偏離20μm。 另外，關於振動部10a的厚度t，作為基準，大概設為0.018mm。但是，所述厚度t實際是包含激勵用電極11的質量，所述晶體片10的振盪頻率成為約76.8Mhz的厚度。
因此，所述Lc、Wd、Le、We、電極的偏離量例如是如下的條件：相對於振動部10a的長邊尺寸L或短邊尺寸W，例如可如Lc/L、Lc/W、Wd/L、Wd/W、Le/L、Le/W、We/L、We/W等來表示。另外，如所述那樣進行標準化時的分母並不限定於長邊尺寸，也可以是其他尺寸，例如也可以是振動部10a的厚度t等。 另外，將支撐部10b的短邊尺寸，即在此情況下沿著晶體的X軸的尺寸Lb設為0.13mm，將支撐部10b的朝振動部10a側傾斜的部分的尺寸Lb1(參照圖1B)設為0.04mm。而且，將支撐部10b的厚度T設為0.05mm。 因此，關於Lb、Lb1、T，例如也變成如下的規定的條件：相對於振動部10a的長邊尺寸L或短邊尺寸W，例如可如Lb/L、Lb/W、Lb1/L、Lb1/W、T/L、T/W等，以將任意的尺寸作為分母的比率來表示。
另外，將振動部10a的長邊尺寸L、振動部10a的短邊尺寸W變成各種尺寸來試製的多個試製品的著眼於長邊尺寸L及短邊尺寸W的分佈，如圖3A所示。即，在圖3A中繪製的各點是長邊尺寸L及短邊尺寸W的組合不同的晶體振盪子。具體而言，位於沿著圖3A的橫軸的例如最左側的繪製點的晶體振盪子是長邊尺寸L為0.69mm、短邊尺寸W為0.642mm的振盪子，即，其是邊比W/L為0.642/0.69＝0.930的振盪子。 另外，已試製的多個晶體振盪子的振動部的實際的長邊尺寸L為0.693mm～0.859mm的範圍的尺寸，振動部的實際的短邊尺寸W為0.585mm～0.677mm的範圍的尺寸。
將以所述條件試製的晶體振盪子安裝在使用圖2所說明的容器15，並進行真空密封，而製作試製的晶體振盪子。 然後，使各種大小的電流流入這些晶體振盪子，測定各種電流時的晶體振盪子的頻率及晶體阻抗(CI)。即，測定激勵電平(drive level)特性。 然後，算出各個晶體振盪子的激勵電平特性的10μW時的頻率與400μW時的頻率的差並將所述差除以振盪頻率，來算出頻率變化率ΔF(單位：ppm)。 繼而，為了研究振動部的邊比W/L與所述ΔF的關係，將橫軸設為邊比W/L，將縱軸設為ΔF，來繪製試製晶體振盪子的數據。
圖3B是所述繪製圖。根據圖3B，在振動部的邊比W/L為0.80附近，ΔF的值變大。相對於此，可知若振動部的邊比W/L為0.74～0.79的範圍、或振動部的邊比W/L為0.81～0.93的範圍，則ΔF變小為2ppm以內，可獲得所謂的激勵電平依存性小的良好的晶體振盪子。因此，可知在支撐部10b比振動部10a厚、且振動部10a包括規定的第一凸狀部10c及第二凸狀部10d的晶體片的情況下，以將振動部的邊比W/L設為0.74～0.79的範圍、或將振動部的邊比W/L設為0.81～0.93的範圍為宜。
2-2.關於激勵用電極的X尺寸與振動部的X尺寸的比的實驗 繼而，通過實驗來調查激勵用電極11的沿著晶體的X軸的尺寸Le的適宜的範圍。其原因在於：在AT切割晶體振盪子的情況下，晶體振盪子的特性根據相對於振動部的沿著晶體的X軸的尺寸(此處為圖1A中所示的振動部的X尺寸L)的激勵用電極的X尺寸Le的尺寸而變動，因此求出激勵用電極的X尺寸Le的適宜的尺寸。 因此，關於晶體片，將所述振動部的邊比的適宜範圍中的X尺寸L固定成0.690mm，將Z'尺寸W固定成0.630mm，將激勵用電極的Z'尺寸We固定成0.4mm，將激勵用電極的X尺寸Le在0.43mm～0.54mm的範圍內變更成多個水平，而試製多種晶體片。而且，使用這些晶體片來試製多種晶體振盪子。 繼而，利用與所述關於振動部的邊比的實驗相同的測定法等，測定使激勵用電極的X尺寸Le不同的多種晶體振盪子的CI及激勵電平特性，進而算出頻率變化率。
圖4A是將橫軸設為激勵用電極的X尺寸(mm)，將縱軸設為頻率變化率ΔF(ppm)來繪製所述實驗結果的圖。另外，圖4B是將圖4A中的X尺寸為0.46～0.52的區域放大的圖。其原因在於：在X尺寸為0.46～0.52的範圍內特性變動顯著，因此容易看見此區域。另外，圖4C是將橫軸設為激勵用電極的X尺寸(mm)，將縱軸設為CI(Ω)來繪製所述實驗結果的圖。但是，與圖4B同樣地，圖4C著眼於激勵用電極的X尺寸為0.46～0.52的繪製區域來表示。另外，CI是各試製品各自的室溫下的CI值。
在圖4A、圖4B中，ΔF越接近零越佳，在圖4C中，CI越小越佳。因此，根據圖4A、圖4B，可使ΔF變成例如作為晶體振盪子的ΔF規格的±3ppm的激勵用電極的X尺寸Le為0.450mm～0.540mm，可使ΔF變成±1.5ppm的激勵用電極的X尺寸Le為0.470mm～0.520mm，可使ΔF變成±1ppm的激勵用電極的X尺寸Le為0.490mm～0.500mm。可知若利用本實驗中的振動部的X尺寸L＝0.69mm將這些範圍加以規格化，則可使ΔF變成±3ppm的Le/L為0.45/0.69～0.54/0.69≒0.652～0.782，可使ΔF變成±1.5ppm的Le/L為0.681～0.754，可使ΔF變成±1ppm的Le/L為0.710～0.725。
另外，若對使CI優化這一點進行考察，則根據圖4C，可知可使CI變成例如作為晶體振盪子的CI規格的例如30Ω以下的激勵用電極的X尺寸Le為0.480mm～0.510mm，可使CI變成25Ω以下的激勵用電極的X尺寸Le為0.490mm～0.510mm，可使CI變成20Ω以下的激勵用電極的X尺寸Le為0.495mm～0.510mm。可知若利用本實驗中的振動部的X尺寸L＝0.69mm將這些範圍加以規格化，則可使CI變成30Ω以下的Le/L為0.48/0.69～0.51/0.69≒0.696～0.739，可使CI變成25Ω以下的Le/L為0.710～0.739，可使CI變成20Ω以下的Le/L為0.717～0.739。 而且，作為可同時滿足ΔF及CI這兩者的Le/L，若在可優先改善CI這一點上進行考察，則Le/L優選的是可使CI變成30Ω以下的Le/L＝0.696～0.739，另外，更優選的是可使CI變成25Ω以下的Le/L＝0.710～0.739，另外，進而更優選的是可使CI變成20Ω以下的Le/L＝0.717～0.739。
因此，當實施本發明時，激勵用電極以激勵用電極的X尺寸Le與振動部的X尺寸L的比變成所述優選的範圍的方式設計為宜。 另外，在晶體振盪子的情況下，即便頻率變化、或即便晶體片的大小變化，振動部的邊比的良好的範圍、或激勵用電極的X尺寸與振動部的X尺寸的比的各自的良好的範圍也可以用於各個晶體片或激勵用電極的設計的情況多，因此可認為本發明的所述適宜的範圍也可以應用於所述實施方式的晶體振盪子以外。
4.製造方法的例子的說明 為了加深本發明的理解，參照圖5A～圖7B對晶體片10的製造方法的例子進行說明。 可通過光刻技術及濕式蝕刻技術而從晶體晶圓(quartz-crystal wafer)製造多個所述晶體片10。因此，在以下的製造方法的例子的說明中所使用的圖的一部分中，表示晶體晶圓10w的平面圖與將其一部分M放大的平面圖。
首先，準備晶體晶圓10w(圖5A)。AT切割晶體片10的振盪頻率如眾所周知的那樣，大致取決於晶體片10的主面(X-Z'面)部分的厚度，但在本發明的情況下，由於設置厚度比振動部厚的支撐部的關係，因此將所準備的晶體晶圓10w設為比最終的振動部的厚度厚的晶圓。
其次，利用眾所周知的成膜技術及光刻技術，在所述晶體晶圓10w的表面與背面的兩面，形成用於形成晶體片的外形的耐濕式蝕刻性掩模40(圖5B)。將本實施方式的情況下的耐濕式蝕刻性掩模40設為具有如下的形狀：覆蓋與晶體片的外形對應的部分及保持各晶體片的框架部分10x的形狀。
繼而，將形成有耐濕式蝕刻性掩模40的晶體晶圓10w，在濕式蝕刻液中浸漬規定時間。由此，可形成晶體片的外形。 繼而，在已形成所述外形的晶圓的表面與背面，形成：使成為振動部的部分露出的振動部形成用掩模42(圖6A)。但是，將振動部形成用掩模42設為具有開口42a，所述開口42a是：雖然蝕刻劑可侵入框架部分10x與支撐部(參照圖1A~圖1C中的10b)之間，但不到達貫穿晶體晶圓10w為止的程度的細長的開口。理由是為了形成成為將晶體片從框架部分10x單片化時的折取起點的凹部。
繼而，將形成有振動部形成用掩模42的晶體晶圓10w，在濕式蝕刻液中浸漬規定時間。其後，將振動部形成用掩模42去除。由此，可形成振動部10a、支撐部10b、以及折取起點部10y(圖6B)。
繼而，利用公知的成膜技術及光刻技術來形成激勵用電極11、引出電極13(圖7A)。由此，可獲得具有多個本發明的晶體片的晶體振盪子中間體100。另外，此時為了可在晶圓狀態下進行晶體振盪子的特性檢查，而在框架部分10x形成檢查用電極墊10z。 其後，視需要實施晶圓狀態下的電特性檢查等，繼而，為了折取而對晶體片10的適當的部位施加適度的力，且利用折取起點部10y，從框架部分10x折取晶體片10(圖7B)。另外，當然也可以在中間體100的狀態下進行商業交易。
10:實施方式的晶體片 10a:振動部 10b:支撐部 10ba:台地狀的部分 10c:第一凸狀部 10d:第二凸狀部 10w:晶體晶圓 10x:框架部分 10y:折取起點部 10z:檢查用電極墊 11:激勵用電極 13:引出電極 15:容器(陶瓷封裝體) 17:導電性黏接劑 20:晶體振盪子 40:耐濕式蝕刻性掩模 42:振動部形成用掩模 42a:開口 100:中間體 L:長邊尺寸 Lb、Lb1、Lc、Le、Wd、We:尺寸 M:晶體晶圓10w的一部分 t、T:厚度 W:短邊尺寸 X、Y'、Z':軸
圖1A～圖1C是實施方式的晶體片10的說明圖。 圖2是使用晶體片10的晶體振盪子20的平面圖。 圖3A、圖3B是說明實驗及其結果的圖。 圖4A、圖4B、圖4C是緊接在說明實驗及其結果的圖3A、圖3B之後的說明圖。 圖5A、圖5B是晶體片10的製造方法的例子的說明圖。 圖6A、圖6B是緊接在晶體片10的製造方法的例子的圖4A、圖4B、圖4C之後的說明圖。 圖7A、圖7B是緊接在晶體片10的製造方法的例子的圖5A、圖5B之後的說明圖。
10:實施方式的晶體片
10a:振動部
10b:支撐部
10c:第一凸狀部
11:激勵用電極
13:引出電極
IB-IB、IC-IC:線
L:長邊尺寸
Lb、Lc、Le、We:尺寸
W:短邊尺寸
X、Y'、Z':軸

Claims (11)

  1. 一種晶體片，是振盪頻率為約76Mhz的AT切割的晶體片，其特徵在於，包括： 振動部，平面形狀為大致長方形狀；以及 支撐部，與所述振動部的一個短邊側連接且厚度比所述振動部的厚度厚， 其中，所述振動部的作為與所述支撐部相反側的端部的前端部朝向前端側為凸形狀， 所述振動部的沿著短邊的兩端部朝向沿著短邊的外部方向為凸形狀，且 作為所述振動部的長邊尺寸L與短邊尺寸W的比的W/L為0.74～0.79的範圍、或0.81～0.93的範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶體片，其中， 所述振盪頻率為76.8Mhz。
  3. 一種晶體振盪子，其特徵在於，包括： 如申請專利範圍第1項或第2項所述的晶體片； 激勵用電極，設置在所述晶體片的表面與背面；以及 引出電極，被從所述激勵用電極中引出。
  4. 一種晶體振盪子，其特徵在於，包括： 如申請專利範圍第1項或第2項所述的晶體片； 激勵用電極，設置在所述晶體片的表面與背面； 引出電極，被從所述激勵用電極中引出；以及 容器，收容所述晶體片、所述激勵用電極與所述引出電極。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的晶體振盪子，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.696～0.739的範圍的值。
  6. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的晶體振盪子，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.710～0.739的範圍的值。
  7. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的晶體振盪子，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.717～0.739的範圍的值。
  8. 一種晶體振盪子中間體，其特徵在於，包括： 晶圓，呈矩陣狀地具有多個晶體振盪子， 所述晶體振盪子包含： 如申請專利範圍第1項或第2項所述的晶體片； 激勵用電極，設置在所述晶體片的表面與背面；以及 引出電極，被從所述激勵用電極中引出。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的晶體振盪子中間體，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.696～0.739的範圍的值。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的晶體振盪子中間體，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.710～0.739的範圍的值。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的晶體振盪子中間體，其中， 所述激勵用電極的平面形狀為長方形狀，且 作為所述激勵用電極的長邊尺寸Le與所述振動部的長邊尺寸L的比的Le/L為0.717～0.739的範圍的值。
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