TW201833031A

TW201833031A - 氧化錫粒子及其製造方法

Info

Publication number: TW201833031A
Application number: TW106137070A
Authority: TW
Inventors: 瓦谷浩一; 馬渡芳夫
Original assignee: 日商三井金屬鑛業股份有限公司
Priority date: 2016-11-11
Filing date: 2017-10-27
Publication date: 2018-09-16
Also published as: JPWO2018088163A1; JP6952051B2; WO2018088163A1

Abstract

本發明之氧化錫粒子係含有銻者。於將上述氧化錫粒子之亮度設為L﹡，且將氧化錫中所含之銻相對於錫之總量之比率設為A(質量%)時，L﹡/A之值為1.0以上且9.0以下，L﹡為30以上且未達80。較佳為：具有芯材、及配置於該芯材之表面之上述氧化錫粒子，且上述氧化錫粒子含有銻。芯材較佳為含有二氧化矽、硫酸鋇、氧化鋯、氧化鈦或氧化鋁。銻之比率A亦較佳為3質量%以上且20質量%以下。

Description

氧化錫粒子及其製造方法

本發明係關於一種氧化錫粒子及其製造方法。本發明之氧化錫粒子尤其適宜用作例如紅外線屏蔽材料。

作為紅外線屏蔽材料，迄今為止已知之材料例如有摻銦氧化錫、或摻銻氧化錫。摻銦氧化錫具有不僅紅外線屏蔽性能較高而且透明性亦優異之特點。但是，由於銦為稀有金屬，故而並非在經濟上有利之材料。另一方面，摻銻氧化錫較摻銦氧化錫在經濟上更有利。但關於紅外線屏蔽性能，摻銻氧化錫遜於摻銦氧化錫。作為關於摻銻氧化錫之先前技術，例如已知有基體粉末之表面經包含銻及錫元素之氧化物被覆的白色導電性粉末(參照專利文獻1)。該文獻所記載之技術之目的在於提高粉末之導電性及分散性。但是，關於紅外線屏蔽性能並未進行任何研究。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利特開平9-249820號公報

本發明之課題在於廉價地提供紅外線屏蔽性能較高之氧化錫系材料。本發明提供一種氧化錫粒子，其係含有銻者，並且於將上述氧化錫粒子之亮度設為L﹡，將氧化錫中所含之銻相對於錫之總量之比率設為A(質量%)時，L﹡/A之值為1.0以上且9.0以下，L﹡為30以上且未達80。又，本發明提供一種氧化錫粒子之製造方法，其係上述氧化錫粒子之較佳之製造方法，且具有如下步驟：將錫源與銻源進行混合，藉由中和而生成包含錫及銻之化合物；將分散有包含錫及銻之上述化合物之漿料與銻源進行混合，藉由中和而於上述化合物之表面生成銻之化合物；及進行焙燒，而生成包含銻之氧化錫粒子。

以下，基於本發明之較佳之實施形態對本發明進行說明。再者，於以下之說明中，所謂氧化錫粒子，根據上下文有意指各個粒子之情形、及意指作為粒子集合體之粉體之情形。本發明之氧化錫(SnO₂ )粒子係含有銻者。本發明之氧化錫粒子可僅由含有銻之氧化錫所構成，或者亦可為具有芯材、與配置於該芯材之表面且含有銻之複數個微粒氧化錫(SnO₂ )粒子者。於為後者之情形時，複數個微粒氧化錫粒子成為該等之集合體被覆芯材表面之狀態。微粒氧化錫粒子之粒徑小於芯材之粒徑。於本發明之氧化錫粒子為具有芯材、與配置於該芯材之表面之複數個微粒氧化錫(SnO₂ )粒子者之情形時，芯材成粒子狀之形態。芯材係氧化錫粒子中之占大部分體積之部位，位於氧化錫粒子之中心區域。另一方面，微粒氧化錫粒子位於本發明之氧化錫粒子之最表面。微粒氧化錫粒子與芯材可直接接觸，或者亦可於兩者之間介存其他層或粒子。較佳為微粒氧化錫粒子與芯材直接接觸。芯材包含導電性材料或非導電性材料。本說明書中所謂非導電性意指體積電阻率為例如10¹³ Ω・cm以上。於本發明中，芯材為導電性亦或非導電性並非臨界點。就提高本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能之觀點而言，芯材較佳為包含非導電性材料。於芯材為非導電性材料之情形時，作為該芯材，例如可使用二氧化矽、硫酸鋇、氧化鋯、氧化鈦及氧化鋁等。於使用氧化鈦作為芯材之情形時，作為其晶系，可使用金紅石型及銳鈦礦型之任一者。該等芯材可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合而使用。芯材之形狀只要為可於其表面配置微粒氧化錫粒子之形狀即可，根據本發明之氧化錫粒子之具體用途，而使用球狀、多面體狀、薄片狀、針狀等各種形狀者。於本發明中，包含複數個微粒氧化錫粒子之被覆之厚度與芯材之大小相比非常小，因此通常芯材之形狀、與將微粒氧化錫粒子配置於該芯材之表面而成之本發明之氧化錫粒子之形狀可視為大致相同。芯材之一次粒徑較佳為小粒徑。具體而言，芯材之一次粒徑較佳為0.001 μm以上且0.5 μm以下，進而較佳為0.001 μm以上且0.4 μm以下，進一步較佳為0.05 μm以上且0.4 μm以下。尤其是若使用膠體二氧化矽或膠體氧化鋁等一次粒徑為0.001 μm以上且0.13 μm以下之微粒之芯材，則由本發明之氧化錫粒子所獲得之膜之透明性進一步提高，且導電性亦進一步提高，故而較佳。就更進一步提高透明性及導電性之觀點而言，芯材之一次粒徑進而較佳為0.11 μm以下。關於膠體二氧化矽或膠體氧化鋁，可單獨使用該等，或者亦可將兩者組合而使用。就易製造性之觀點而言，芯材之一次粒徑較佳為0.01 μm以上。關於芯材之一次粒徑，利用穿透式電子顯微鏡(以下，亦稱為「TEM」)將芯材放大至5千倍以上且50萬倍以下之程度，以300個以上之芯材作為對象，利用例如軟體Mack view對該芯材之放大圖像進行圖像解析，而算出費雷特(Feret)徑。算出其算術平均值，將該值設為一次粒徑。關於包含成為本發明之氧化錫粒子之最外層之複數個微粒氧化錫粒子的被覆，就提高本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能之方面而言，較佳為以芯材之表面完全不露出之方式遍及該整個表面而連續地存在。但是，於無損本發明之效果之範圍內，包含複數個微粒氧化錫粒子之被覆亦可以芯材之表面露出一部分之方式非連續地存在於該表面。包含複數個微粒氧化錫粒子之被覆之厚度只要為充分地表現本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能的程度，則無需過度地增厚。若將被覆之厚度換算為氧化錫(SnO₂ )之量而表示，則本發明之氧化錫粒子中氧化錫所占之比率為50質量%以上且99質量%以下，尤佳為如成為65質量%以上且99質量%以下之厚度。本發明之氧化錫粒子中之錫之量可藉由利用ICP(inductively coupled plasma，感應耦合電漿)發光分光測定儀對利用鹼溶解本發明之氧化錫粒子中之包含微粒氧化錫粒子之被覆而獲得之溶液進行測定而求出。即便為本發明之氧化錫粒子不包含芯材之情形、及包含芯材之情形之任一情形，氧化錫中亦包含銻。藉由使氧化錫含有銻，而對本發明之氧化錫粒子賦予紅外線屏蔽性能。一般認為，由於電漿反射與帶隙吸收反覆發生使得電磁波(紅外線)被轉換成熱而衰減，從而屏蔽紅外線。於本發明之氧化錫粒子包含芯材之情形時，電漿反射根據芯材之種類而行為不同。因此，藉由適宜地選擇芯材之種類，變得能夠將以電漿反射為主之紅外線屏蔽性能、與以帶隙吸收為主之紅外線屏蔽性能分開使用。即便為本發明之氧化錫粒子不包含芯材之情形、及包含芯材之情形之任一情形，氧化錫中所含之銻之比率相對於氧化錫中之錫之總量亦較佳為3質量%以上且20質量%以下，進一步較佳為5質量%以上且25質量%以下。藉由在該範圍內含有銻，而充分地發揮本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能。氧化錫粒子中所含之銻之比率可藉由利用ICP發光分光測定儀對利用鹼溶解粒子所獲得之溶液進行測定而求出。本發明者對本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能進行了各種研究，結果判明紅外線屏蔽性能與氧化錫粒子之色調、及氧化錫中所含之銻之量相關。本發明者進一步推進研究，結果判明氧化錫粒子之色調適宜為由亮度L﹡所代表。並且判明，若將氧化錫粒子之亮度L﹡、與氧化錫中所含之銻相對於錫之總量之比率A(質量%)的比率即L﹡/A之值設為較佳為1.0以上且9.0以下，則本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能極大提高。就進一步突出該優點之觀點而言，L﹡/A之值進而較佳為1.0以上且8.5以下，進一步較佳為2.0以上且8.0以下，更進一步較佳為3.0以上且7.8以下。本發明之氧化錫粒子之L﹡/A之值較佳為上述範圍，此時為了確保較高之紅外線屏蔽能力，L﹡之值較佳為未達80，進而較佳為75以下。下限並無特別限制，但就充分地確保可見光線之透過之觀點而言，L﹡之值較佳為30以上，進而較佳為40以上。具體而言，L﹡之值較佳為30以上且未達80，進而較佳為30以上且75以下，進一步較佳為40以上且75以下。L﹡之值例如可利用日本電色工業(股份)製造之分光色差計SE600進行測定。為了將本發明之氧化錫粒子中之L﹡/A之值設於上述範圍內，例如藉由下述方法而製造氧化錫粒子即可。為了進一步提高本發明之氧化錫粒子之紅外線屏蔽性能，亦有利的是調整氧化錫之微晶尺寸。詳細而言，較佳為將氧化錫之微晶尺寸設為3 nm以上且25 nm以下，進而較佳為設為4 nm以上且20 nm以下，更進一步較佳為設為4 nm以上且10 nm以下。為了將氧化錫之微晶尺寸設為該範圍內，例如藉由下述方法而生成本發明之氧化錫粒子即可。氧化錫之微晶尺寸係藉由如下方法而測定。即，利用X射線繞射裝置Ultima IV(RIGAKU股份有限公司製造)進行XRD(X ray diffraction，X射線繞射)測定(條件：X-ray CuKα，40 kV，50 mA，測定範圍20°≦2θ≦100°，放射源：CuKα，掃描軸：2θ/θ，測定方法：FT(fourier transform，傅立葉轉換)，計數單位：Counts，步距：0.01°，計數時間：3秒鐘，散射狹縫：2/3°，散射垂直限制狹縫：10 mm，散射狹縫：2/3°，受光狹縫：0.3 mm，單色受光狹縫：0.8 mm)。繼而，利用RIGAKU製造之解析軟體PDXL而讀取測定資料(使用SnO₂ 之ICDD(International Centre For Diffraction Data，國際繞射資料中心)卡：00-046-1088)並進行精密化後，藉由Halder-Wagner法而算出微晶直徑(利用外部標準試樣進行寬度修正，解析對象設為微晶尺寸與晶格應變)。本發明之氧化錫粒子係除具有紅外線屏蔽性能以外，亦具有由包含銻之氧化錫產生之導電性者。導電性之程度以壓粉電阻表示而較佳為1.0×10⁰ Ω・cm以上且1.0×10⁸ Ω・cm以下，進而較佳為1.0×10⁰ Ω・cm以上且1.0×10⁷ Ω・cm以下。該範圍之壓粉電阻係對於由本發明之氧化錫粒子形成導電膜而言充分低之值。壓粉電阻之測定方法如下所述。將本發明之氧化錫粒子5 g以4.9 kN(500 kgf)之負載加壓0.5分鐘，而製作直徑25 mm之圓筒狀顆粒。利用三菱化學製造之MCP-T600(商品名)，藉由四探針法而測定所獲得之顆粒之電阻值。即便為本發明之氧化錫粒子不包含芯材之情形、及包含芯材之情形之任一情形，其粒徑以藉由雷射繞射散射粒度分佈測定法所獲得之累積體積50體積%中之體積累積粒徑D₅₀ 表示而較佳為0.05 μm以上且1.0 μm以下，進而較佳為0.1 μm以上且0.8 μm以下，進一步較佳為0.2 μm以上且0.7 μm以下。藉由使粒徑D₅₀ 為該範圍內，調配本發明之氧化錫粒子而成之樹脂組合物於其塗佈性方面變得良好，或塗膜之紅外線屏蔽性能或導電性變得良好。上述D₅₀ 之測定例如可藉由以下方法而進行。將0.1 g之測定試樣與六偏磷酸鈉之20 mg/L水溶液100 mL進行混合，並利用超音波均質機(日本精機製作所製造之US-300T)使之分散10分鐘。其後，利用雷射繞射散射粒度分佈測定裝置、例如日機裝公司製造之Microtrac X-100而測定粒度分佈。就向黏合劑樹脂中之分散性之觀點而言，本發明之氧化錫粒子較佳為BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)比表面積為10 m² /g以上且130 m² /g以下，進而較佳為10 m² /g以上且110 m² /g以下，進一步較佳為12 m² /g以上且90 m² /g以下。為了將本發明之氧化錫粒子之BET比表面積設為上述範圍內，於下述之本發明之氧化錫粒子之製造方法中適宜控制焙燒溫度及焙燒氛圍即可。BET比表面積例如可利用Yuasa-ionics(股份)製造之Monosorb(商品名)並依據單點BET法(He/N₂ 混合氣體)進行測定。於下述實施例中，粉末之量設為0.3 g，預脫氣條件設為大氣壓下、105℃、10分鐘而進行測定。本發明之氧化錫粒子較佳為使用其而製造之膜之霧度較低。具體而言，膜之霧度較佳為70%以下，進而較佳為60%以下，進一步較佳為30%以下，更進一步較佳為17%以下。尤其是若使用上述膠體二氧化矽或膠體氧化鋁等一次粒徑為0.01 μm以上且0.11 μm以下之微粒之芯材，則可將膜之霧度設為10%以下之較低之值。供於上述霧度測定之膜係藉由上述方法而形成。使用作為MITSUBISHI RAYON製造之丙烯酸系塗佈樹脂之Dianal LR-167作為樹脂。將該黏合劑樹脂與本發明之氧化錫粒子以黏合劑樹脂6.41質量份、本發明之氧化錫粒子7.41質量份之比率進行混合。為了充分地進行混合，而添加9.64質量份之作為有機溶劑之甲苯與正丁醇之混合溶劑(體積比7∶3)。繼而，使用塗料振盪機(淺田鐵鋼製造)進行1小時分散。塗料振盪機之運行條件設為60 Hz環境下之運行條件。將如此而獲得之樹脂組合物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯製之OHP(overhead projector，高架式投影機)膜(內田洋行股份有限公司製造之幻燈片OHP用膜)。塗佈係利用棒式塗佈機＃10(TESTER SANGYO股份有限公司製造之ROD No.10)，以使用液量約1 mL形成塗膜。形成塗膜後，於大氣壓下於80℃下乾燥15分鐘，而獲得膜。其次，關於本發明之氧化錫粒子之較佳之製造方法，列舉具有芯材之氧化錫粒子之製造方法作為一例而加以說明。本發明之氧化錫粒子係藉由在芯材之表面形成如下被覆而製造，該被覆包含粒徑小於該芯材之複數個微粒氧化錫粒子之集合體。微粒氧化錫粒子之被覆之形成以至少2個階段進行時，就提高紅外線屏蔽性能之觀點而言有利。該2個階段包括以下所述之a步驟及b步驟。 a步驟：藉由將含有錫源及銻源且分散有芯材之漿料加以中和，而於該芯材之表面被覆錫化合物及銻化合物。 b步驟：藉由將含有銻源且分散有a步驟結束後之粒子之漿料加以中和，而於該芯材之表面被覆銻化合物。以下，分別該等步驟進行說明。首先，於a步驟中，準備分散有芯材之漿料。作為漿料之分散介質，根據芯材之種類、或中和反應之條件等而選擇適宜之液體。一般使用水。於添加錫源及銻源之前之漿料中，關於分散介質與芯材之調配比率，芯材相對於分散介質1升較佳為50 g以上且240 g以下，尤佳為60 g以上且200 g以下。其原因在於：若兩者之調配比率為該範圍內，則容易於芯材之表面形成錫化合物及銻化合物之均勻之被覆層。錫源係用以形成被覆芯材之錫化合物之層。作為錫源，使用能夠於芯材之表面形成錫化合物之層者。錫源較佳為水溶性化合物。錫源可單獨使用一種，或將兩種以上組合而使用。同樣地，銻源較佳為包含銻之水溶性化合物。銻源亦可單獨使用一種，或將兩種以上組合而使用。關於漿料中之錫源與芯材之調配比率，相對於該芯材100質量份之錫源中之Sn量較佳為10質量份以上且90質量份以下，尤佳為15質量份以上且85質量份以下。另一方面，關於漿料中之銻源與芯材之調配比率，相對於該芯材100質量份之銻源中之Sb量較佳為1質量份以上且39質量份以下，尤佳為2質量份以上且20質量份以下。若如此設定比率，則容易於芯材之表面形成錫化合物及銻化合物之均勻之層。藉由適當調整該等調配比率，可控制芯材之表面所生成之氧化錫之量、或銻相對於氧化錫量之比率。漿料之中和通常使用酸或鹼。作為酸，例如可使用：硫酸、硝酸、乙酸等之水溶液。於使用硫酸之情形時，若使用稀硫酸、尤其是濃度為10體積%以上且50體積%以下之稀硫酸，則容易獲得錫化合物及銻之均勻之層，故而較佳。作為鹼，可使用例如氫氧化鈉水溶液等。可先添加錫源及銻源，亦可先添加酸或鹼，亦可同時添加。進行中和時之漿料之pH值設為較佳為0.5以上且6.0以下，進而較佳為1.5以上且4.0以下。藉由將中和時之pH值設為該範圍內，可於芯材之表面容易地形成錫及銻之共沈澱物之層。於進行中和後，較佳為繼續漿料之攪拌而進行熟化(aging)。熟化較佳為於30分鐘以上且180分鐘以下進行，尤佳為於60分鐘以上且120分鐘以下進行。藉由熟化而變得容易形成錫及銻之共沈澱物之均勻之層。熟化一般可於70℃以上且80℃以下進行。如此而獲得表面形成有錫及銻之共沈澱物之層的芯材。由此a步驟結束。將該時間點所生成之粒子稱為「前驅物粒子」。於生成前驅物粒子之時間點，較佳為漿料中實質上不存在錫之離子種。又，較佳為亦實質上不存在銻之離子種。所謂實質上不存在係指錫之離子種或銻之離子種之濃度為0.01 mol/L以下。其次，於b步驟中向包含a步驟中所獲得之前驅物粒子之漿料中添加銻源。所添加之銻源可與a步驟中所使用者相同，或者亦可不同。關於漿料中之銻源與芯材之調配比率，相對於該芯材100質量份之銻源中之Sb量較佳為1質量份以上且30質量份以下，尤佳為2質量份以上且20質量份以下。藉由適當調整該調配比率，可控制銻相對於氧化錫量之比率。漿料之中和方法、及其中所使用之化合物可設為與a步驟相同。中和時之pH溫度及時間亦可設為與a步驟相同。藉由中和，而於前驅物粒子之表面生成銻化合物。由此b步驟結束。如此而於表面形成有錫化合物及銻化合物之層的芯材被自反應系分離，較佳為經過清洗及乾燥步驟而供於作為下一步驟之焙燒步驟。焙燒步驟可於大氣等氧化性氛圍中進行，或者亦可於非氧化性氛圍中進行。作為非氧化性氛圍，例如可列舉：氮氣氛圍或氬氣氛圍等非氧化性且非還原性氛圍、含有少量氫氣之氮氣氛圍等弱還原性氛圍等。焙燒溫度不受焙燒氛圍限制，較佳為400℃以上且900℃以下，進而較佳為500℃以上且800℃以下。焙燒時間較佳為20分鐘以上且120分鐘以下，進而較佳為40分鐘以上且100分鐘以下。若焙燒溫度及時間為該等範圍內，則藉由焙燒而獲得之本發明之氧化錫粒子不易發生凝集。又，藉由適當調整該等焙燒條件，可控制氧化錫之微晶尺寸。進而，藉由適當調整該等焙燒條件，可控制所獲得之本發明之氧化錫粒子之色調。藉由以上步驟，芯材之表面由包含銻之氧化錫所被覆。藉此可獲得目標之本發明之氧化錫粒子。以上說明係關於包含芯材之本發明之氧化錫粒子之製造方法，於製造不包含芯材之本發明之氧化錫粒子之情形時，於上述製造方法中不使用芯材而進行a步驟及b步驟即可。如此而獲得之本發明之氧化錫粒子可直接用作紅外線屏蔽材料，或者亦可與樹脂混合製成紅外線屏蔽用樹脂組合物而使用。可向該樹脂組合物中視需要添加有機溶劑等，而製成油墨或漿料之狀態。或者，亦可混練至樹脂中而製成母料之狀態。實施例 以下，藉由實施例更詳細地說明本發明。然而，本發明之範圍並不限於相關實施例。只要無特別說明，則「%」意指「質量%」。 [實施例1] 使錫酸鈉(Na₂ SnO₃ ，純度91%)560 g及三氯化銻(SbCl₃ ，品質98%)42.0 g溶解於純水9000 mL中(第一階段之添加)。將該溶液加熱至75℃，繼而攪拌漿料30分鐘。繼而，以30分鐘添加20%稀硫酸水溶液將pH值中和至5。於該時間點，漿料中實質上不存在錫離子。其後，以20分鐘添加將三氯化銻(SbCl₃ ，品質98%)42.0 g溶解於水100 mL中而成之水溶液(第二階段之添加)。於該添加中，滴加25%NaOH水溶液而將漿料之pH值維持於3.0。將中和後之漿料一面保持於pH值3.0及溫度75℃一面熟化0.5小時。對熟化後之漿料進行過濾，用水清洗固形物成分。清洗至水之導電度下降至200 μS/cm為止，其後進行過濾、乾燥。將所獲得之乾燥物利用橫置式管爐進行焙燒。焙燒條件設為1%氫氣/99%氮氣氛圍、600℃、0.5小時。如此而獲得目標之氧化錫粒子。 [實施例2] 於實施例1中之第一階段及第二階段之添加中，將三氯化銻之添加量分別設為84.0 g。除此以外，藉由與實施例1相同之方式獲得氧化錫粒子。 [實施例3] 使用SiO₂ 粒子作為芯材。對於該芯材，利用軟體Mack view對穿透式電子顯微鏡觀察圖像進行圖像解析而測得之一次粒徑(費雷特徑)為50 nm。將該芯材100 g分散於水1升中而獲得漿料。將該漿料加熱至75℃後，滴加25%氫氧化鈉水溶液，而將漿料之pH值調整至12左右。繼而，將使錫酸鈉(Na₂ SnO₃ ，純度91%)330 g及三氯化銻(SbCl₃ ，品質98%)16 g溶解於水300 mL中而成之水溶液全量添加至漿料中(第一階段之添加)。繼續攪拌漿料30分鐘。繼而，以30分鐘添加20%稀硫酸水溶液將pH值中和至5。於該時間點，漿料中實質上不存在錫離子。其後，以20分鐘添加將三氯化銻(SbCl₃ ，品質98%)16 g溶解於水100 mL中而成之水溶液(第二階段之添加)。於該添加中，滴加25%NaOH水溶液而將漿料之pH值維持於3.0。將中和後之漿料一面保持於pH值3.0及溫度75℃一面熟化0.5小時。對熟化後之漿料進行過濾，用水清洗固形物成分。清洗至水之導電度下降至200 μS/cm為止，其後進行過濾、乾燥。將所獲得之乾燥物利用橫置式管爐進行焙燒。焙燒條件設為1%氫氣/99%氮氣氛圍下、600℃、0.5小時。如此而獲得目標之氧化錫被覆粒子。 [實施例4] 於實施例3中之三氯化銻之第一階段及第二階段之添加中，將其添加量分別設為12.0 g。除此以外，藉由與實施例1相同之方式獲得氧化錫粒子。 [實施例5] 於實施例1中之三氯化銻之第一階段及第二階段之添加中，將其添加量分別設為130.0 g。除此以外，藉由與實施例1相同之方式獲得氧化錫粒子。 [比較例1] 於實施例1中，在第一階段添加84.0 g之三氯化銻，未進行第二階段之三氯化銻之添加。除此以外，藉由與實施例1相同之方式獲得氧化錫粒子。 [比較例2] 於實施例3中，在第一階段添加32.0 g之三氯化銻，未進行第二階段之三氯化銻之添加。除此以外，藉由與實施例3相同之方式獲得氧化錫被覆粒子。 [評價] 對於實施例及比較例中所獲得之粒子，藉由上述方法而測定亮度L﹡、氧化錫中之銻相對於錫之總量之比率A、氧化錫之微晶尺寸、壓粉電阻、BET比表面積、氧化錫占粒子整體之比率、粒徑D₅₀ 。將該等結果示於以下表1。又，藉由以下方法而測定紅外線屏蔽率、可見光線透過率及霧度。將該等結果示於以下表1。 [紅外線屏蔽率] 製備前文所述之用以製造供於測定霧度之膜之樹脂組合物。利用旋轉塗佈機(Mikasa公司製造之IH-D7)將該樹脂組合物塗佈於Cover Glass No1(Matsunami Glass)。於大氣壓下於80℃下以15分鐘將所獲得之塗膜進行乾燥，將所製作之膜用作測定對象。利用分光光度計V-670(日本分光股份有限公司)而測定紫外可見光線之透射光譜。然後，依據JIS A5759而測定可見光線透過率及日射透過率，並算出紅外線屏蔽率[＝可見光線透過率/日射透過率]。 [霧度] 將前項之紅外線屏蔽率之測定中所製作之膜用作測定對象。利用日本電色工業(股份)製造之霧度計即MODEL 1001DP(商品名)而測定霧度。測定係依據JIS K7105並藉由積分球式測定法而進行。霧度[%]係根據(散射光/全光線透過光)×100而算出。 [表1] 由表1所示之結果明確得知，各實施例中所獲得之氧化錫粒子及氧化錫被覆粒子與比較例之粒子相比紅外線屏蔽性能更優異。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可廉價地提供紅外線屏蔽性能較高之氧化錫粒子。

Claims

一種氧化錫粒子，其係含有銻者，並且於將上述氧化錫粒子之亮度設為L﹡，將氧化錫中所含之銻相對於錫之總量之比率設為A(質量%)時，L﹡/A之值為1.0以上且9.0以下，L﹡為30以上且未達80。
如請求項1之氧化錫粒子，其具有芯材、及配置於該芯材之表面之上述氧化錫粒子，且上述氧化錫粒子含有銻。
如請求項2之氧化錫粒子，其中芯材含有二氧化矽、硫酸鋇、氧化鋯、氧化鈦或氧化鋁。
如請求項1之氧化錫粒子，其中銻之比率A為3質量%以上且20質量%以下。
如請求項1之氧化錫粒子，其中氧化錫之微晶尺寸為4 nm以上且20 nm以下。
如請求項1之氧化錫粒子，其係用於屏蔽紅外線。
一種紅外線屏蔽材料，其包含如請求項1至6中任一項之氧化錫粒子。
一種樹脂組合物，其包含如請求項1至6中任一項之氧化錫粒子與樹脂。
一種氧化錫粒子之製造方法，其係如請求項1之氧化錫粒子之製造方法，且具有如下步驟：將錫源與銻源進行混合，藉由中和而生成包含錫及銻之化合物；將分散有包含錫及銻之上述化合物之漿料與銻源進行混合，藉由中和而於上述化合物之表面生成銻之化合物；及進行焙燒，而生成包含銻之氧化錫粒子。
如請求項9之氧化錫粒子之製造方法，其具有如下步驟：將分散有芯材之漿料、上述錫源、及上述銻源進行混合，藉由中和而於芯材之表面生成包含錫及銻之化合物；將分散有於表面具有包含錫及銻之上述化合物之上述芯材的漿料與銻源進行混合，藉由中和而於上述化合物之表面生成銻之化合物；及進行焙燒，而於上述芯材之表面生成包含銻之氧化錫粒子。