TW201810360A - 半導體乾燥設備和用於該設備之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種半導體乾燥設備和用於該設備之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法。該半導體乾燥設備包含：一乾燥處理槽、一液體暫存槽、以及一循環管路系統，連接在該乾燥處理槽與該液體暫存槽之間，包含一第一過濾器。當該半導體乾燥用處理液體存放在該液體暫存槽內時，藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體輸出，並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內，以經常保持該半導體乾燥用處理液體內的微粒數量在准許數量以下。

Description

半導體乾燥設備和用於該設備之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法

本發明是關於一種半導體乾燥設備和半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，特別是關於一種具有內循環系統的半導體乾燥設備，並且利用該內循環系統將半導體乾燥用處理液體進行過濾。

在半導體元件之製造過程中，晶圓表面的潔淨度是影響半導體元件的製程良率的重要關鍵因素。倘若晶圓表面殘留過多的水分或者有微粒或灰塵附著於其上，對後續之製程會產生相當大的不良影響，例如導致蝕刻效果不良進而影響半導體元件的電特性表現。因此，將晶圓表面進行乾燥處理是半導體製程中的重要步驟。也就是說，晶圓在進行沉積、微影、以及蝕刻等處理之前和之後都必須進行晶圓洗淨及乾燥的步驟，藉以去除附著在晶圓表面上的水分、金屬雜質、有機物污染、微粒或灰塵等。

在習知的半導體乾燥設備中，已經廣泛地使用一種乾燥處理方法：利用具有沸点低且表面張力小的溶劑，例如異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，作為乾燥用溶劑去除晶圓表面上殘留之水分及可能存在之化學藥劑、金屬雜質、微粒或灰塵。更明確的說，將該溶劑注入一處理槽 之後，接著將晶圓沉浸在該處理槽內，藉由該溶劑之高揮發性可將晶圓表面水分快速脫去，以及去除可能存在之微粒及金屬雜質。接著，再將該溶劑從該處理槽移除。殘留在晶圓上之該溶劑會揮發進而使晶圓完全乾燥，再進行後續步驟。如此乾燥處理之晶圓不會有水痕產生。

然而，在上述的乾燥處理方法中，該溶劑會被重複使用。也就是說，當經過多次晶圓的乾燥步驟後，該溶劑會帶有大量的水分或雜質，例如金屬雜質、微粒或灰塵。倘若沒有將該溶劑內的雜質過濾完全，反而會造成晶圓的汙染。有鑑於此，有必要提出一種半導體乾燥設備和半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，用以解決溶劑帶有雜質的問題。

為解決上述習知技術之問題，本發明之目的在於提供一種半導體乾燥設備和半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，藉由在半導體乾燥設備的循環管路系統內設置一內循環系統，並且利用該內循環系統將半導體乾燥用處理液體進行過濾。應用本發明之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，將半導體乾燥用處理液體多次地通過一過濾器，以去除該半導體乾燥用處理液體內的雜質，降低晶圓於乾燥處理後仍存有微粒或灰塵及水氣等的可能性，避免水氣等影響晶圓的後續製程，進而增加產出良率。

為達成上述目的，本發明提供一種半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，適用於一半導體乾燥設備，該半導體乾燥設備包含：一乾燥處理槽、一液體暫存槽、以及一循環管路系統，連接在該乾燥處理槽與該液體暫存槽之間，包含一第一過濾器，該半導體乾燥用處理液體的循 環與過濾方法包含：藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該乾燥處理槽內；將至少一晶圓放置在該乾燥處理槽內，以藉由該半導體乾燥用處理液體將位在該至少一晶圓之表面的水分置換為半導體乾燥用處理液體；藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內；以及藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體輸出，並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備之該循環管路系統還包含：一第一管路，設置有一第一閥門，並且連接在該液體暫存槽和一第一幫浦之間；一第二管路，連接在該第一幫浦和一管路連接點之間，且該第二管路上設置有該第一過濾器；以及一第三管路，設置有一第二閥門，並且連接在該管路連接點和該乾燥處理槽之間；其中在藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該乾燥處理槽內的步驟中包含：開啟該循環管路系統之該第一閥門和該第二閥門；以及啟動該第一幫浦以將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體抽出至該第一管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第三管路傳輸至該乾燥處理槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備之該循環管路系統還包含：一第四管路，設置有一第三閥門，並且連接在該乾燥處理槽和該第一幫浦之間；以及一第五管路，設置有一第四閥門，並且連接在該管路連接點和該液體暫存槽之間；其中在藉由該循環管路系統將 該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟中包含：關閉該第一閥門和該第二閥門以及開啟該第三閥門和該第四閥門；以及啟動該第一幫浦以將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出至該第四管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第五管路傳輸至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該第二管路、該第三管路和該第五管路在該管路連接點互相連通。

於本發明其中之一較佳實施例當中，在藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體輸出，並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內的步驟中包含：關閉該第二閥門和該第三閥門以及開啟該第一閥門和該第四閥門；以及啟動該第一幫浦以將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體抽出至該第一管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第五管路回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備還包含一含水量分析儀，耦接在該液體暫存槽上，其中該半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法還包含：藉由該含水量分析儀檢測該半導體乾燥用處理液體的含水量，當該半導體乾燥用處理液體的含水量超過一含水量標準值時，發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備還包含一微粒偵測儀，耦接在該液體暫存槽上，其中該半導體乾燥用處理液體 的循環與過濾方法還包含：藉由該微粒偵測儀檢測該半導體乾燥用處理液體的微粒數量，當該半導體乾燥用處理液體的微粒數量超過一微粒數量標準值時，發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備還包含一內循環系統，包含：一內循環管路具有一第一端和一第二端，該第一端連接在該液體暫存槽的底部以及該第二端連接在該液體暫存槽的頂部；以及一第二幫浦和一第二過濾器分別設置在該內循環管路上，其中在藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟之後還包含：啟動該第二幫浦以通過該內循環管路之該第一端將該液體暫存槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出，並且使該半導體乾燥用處理液體通過該第二過濾器之後經由該內循環管路之該第二端回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，將至少一晶圓放置在該乾燥處理槽內，以藉由該半導體乾燥用處理液體將位在該至少一晶圓之表面的水分置換為半導體乾燥用處理液體的步驟中還包含：使用氮氣氣泡衝擊該至少一晶圓的表面，以加速將附著在該至少一晶圓的表面上的水分置換成該半導體乾燥用處理液體的效率。

於本發明其中之一較佳實施例當中，在藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟之後還包含：在該至少一晶圓的表面施加一熱氮氣，以促使附著在該至少一晶圓的表面的該半導體乾燥用處理液體揮發。

本發明還提供一種半導體乾燥設備，包含：一乾燥處理槽； 一液體暫存槽；以及一循環管路系統，連接在該乾燥處理槽與該液體暫存槽之間，包含一第一過濾器，其中當一半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該液體暫存槽傳輸至該乾燥處理槽或者是從該乾燥處理槽傳輸至該液體暫存槽時，該半導體乾燥用處理液體皆會流通過該第一過濾器；以及其中當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且藉由該循環管路系統使該半導體乾燥用處理液體從該液體暫存槽輸出並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該循環管路系統包含：一第一管路，設置有一第一閥門，並且連接在該液體暫存槽和一第一幫浦之間；一第二管路，連接在該第一幫浦和一管路連接點之間，且該第二管路上設置有一第一過濾器；一第三管路，設置有一第二閥門，並且連接在該管路連接點和該乾燥處理槽之間；一第四管路，設置有一第三閥門，並且連接在該乾燥處理槽和該第一幫浦之間；以及一第五管路，設置有一第四閥門，並且連接在該管路連接點和該液體暫存槽之間，其中當該半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該液體暫存槽傳輸至該乾燥處理槽時，該第一閥門和該第二閥門開啟且該第三閥門和該第四閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，使得該半導體乾燥用處理液體依序通過該第一管路、該第二管路和該第三管路傳輸至該乾燥處理槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，當該半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該乾燥處理槽傳輸至該液體暫存槽時，該第三閥門和該第四閥門開啟且該第一閥門和該第二閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，使得該半導體乾燥用處理液體依序通過該第四管路、該第二管路和 該第五管路傳輸至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且該第一閥門和該第四閥門開啟且該第二閥門和該第三閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，進而藉由該循環管路系統使該半導體乾燥用處理液體從該液體暫存槽輸出至該第一管路並且通往該第二管路，以流經該第一過濾器，最後再經由該第五管路回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備還包含一內循環系統，包含：一內循環管路具有一第一端和一第二端，該第一端連接在該液體暫存槽的底部以及該第二端連接在該液體暫存槽的頂部；以及一第二幫浦和一第二過濾器分別設置在該內循環管路上，其中當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且藉由啟動該第二幫浦以通過該內循環管路之該第一端將該液體暫存槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出，並且使該半導體乾燥用處理液體通過該第二過濾器之後經由該內循環管路之該第二端回送至該液體暫存槽內。

於本發明其中之一較佳實施例當中，該半導體乾燥設備還包含一備用液體暫存槽，用於存放另一半導體乾燥用處理液體，並且該備用液體暫存槽之管路系統與該循環管路系統連接，其中當該液體暫存槽在進行該半導體乾燥用處理液體的更換作業時，藉由該備用液體暫存槽將該另一半導體乾燥用處理液體提供至該乾燥處理槽內。

10、20、30‧‧‧半導體乾燥設備

100‧‧‧乾燥處理槽

200‧‧‧液體暫存槽

202‧‧‧半導體乾燥用處理液體

204‧‧‧氮氣氣泡

206‧‧‧熱氮氣

300‧‧‧循環管路系統

310‧‧‧第一幫浦

320‧‧‧第一過濾器

400‧‧‧含水量分析儀

500‧‧‧微粒偵測儀

600‧‧‧內循環系統

610‧‧‧內循環管路

620‧‧‧第二幫浦

630‧‧‧第二過濾器

700‧‧‧備用液體暫存槽

P1‧‧‧第一管路

P2‧‧‧第二管路

P3‧‧‧第三管路

P4‧‧‧第四管路

P5‧‧‧第五管路

P6‧‧‧第六管路

P7‧‧‧第七管路

V1‧‧‧第一閥門

V2‧‧‧第二閥門

V3‧‧‧第三閥門

V4‧‧‧第四閥門

V5‧‧‧第五閥門

V6‧‧‧第六閥門

V7‧‧‧第七閥門

V8‧‧‧第八閥門

V9‧‧‧第九閥門

C1‧‧‧管路連接點

W‧‧‧晶圓

第1圖至第6圖顯示一種顯示根據本發明之第一較佳實施例的半導體乾燥設備的示意圖，其中半導體乾燥用處理液體係依據本發明的循環與過濾方法在不同處理過程中；第7圖顯示一種顯示根據本發明之第二較佳實施例的半導體乾燥設備的示意圖，其中半導體乾燥用處理液體係進行內循環處理；以及第8圖顯示一種顯示根據本發明之第三較佳實施例的半導體乾燥設備的示意圖，其中，半導體乾燥用處理液體係從一備用液體暫存槽注入一乾燥處理槽中。

為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照第1圖至第6圖，其顯示一種根據本發明之第一較佳實施例的半導體乾燥備10的示意圖，其中半導體乾燥用處理液體202係依據本發明的循環與過濾方法在不同處理過程中。較佳地，每當晶圓在進行沉積、微影、以及蝕刻等處理之前和之後都必須藉由該半導體乾燥設備10將晶圓表面的進行乾燥處理，藉以去除附著在晶圓表面上的水分及可能的金屬雜質、有機物污染、微粒或灰塵等。該水分一般為在乾燥過程前用來清潔晶圓而留在晶圓上之去離子水(deionized water)或純水。

如第1圖所示，該半導體乾燥設備10包含：一乾燥處理槽100、一液體暫存槽200以及一循環管路系統300。該乾燥處理槽100內可容置承載有複數個晶圓的晶舟，以將該等晶圓進行批次性的乾燥處理。該液 體暫存槽200用於存放具有沸点低且表面張力小的半導體乾燥用處理液體202，例如異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，作為去除晶圓表面上殘留之水分及可能存在之化學藥劑、金屬雜質、微粒或灰塵用的乾燥溶劑。該循環管路系統300連接在該乾燥處理槽100與該液體暫存槽200之間，用於將該半導體乾燥用處理液體202從該液體暫存槽200輸送至該乾燥處理槽100或者是從該乾燥處理槽100輸送至該液體暫存槽200。

如第1圖所示，該循環管路系統300包含一第一管路P1、一第二管路P2、一第三管路P3、一第四管路P4、和一第五管路P5，其中該第一管路P1、該第二管路P2和該第四管路P4之一端共同連接至一第一幫浦310，以及該第二管路P2、該第三管路P3和該第五管路P5在一管路連接點C1互相連通。該等管路具體的連接詳述如下。該第一管路P1之一端連接至該液體暫存槽200之底部，另一端連接至該第一幫浦310，並且該第一管路P1上設置有一第一閥門V1。該第二管路P2之一端連接至該第一幫浦310，另一端連接至該管路連接點C1，並且該第二管路P2上設置有一第一過濾器320。該第三管路P3之一端連接至該管路連接點C1，另一端連接至該乾燥處理槽100的上方，並且該第三管路P3上設置有一第二閥門V2。該第四管路P4之一端連接至該乾燥處理槽100的底部，另一端連接至該第一幫浦310，並且該第四管路P4上設置有一第三閥門V3。該第五管路P5之一端連接至該管路連接點C1，另一端連接至該液體暫存槽200的上方，並且該第五管路P5上設置有一第四閥門V4。應當注意的是，在所附圖式中若閥門的內部塗黑表示該閥門是在關閉狀態，以及若閥門的內部未著色表示該閥門是在開啟狀態。

如第1圖所示，本發明之第一較佳實施例的該半導體乾燥用 處理液體202的循環與過濾方法包含：首先，將該半導體乾燥用處理液體202藉由該循環管路系統300從該液體暫存槽200輸送至該乾燥處理槽100。具體來說，在此步驟中該第一閥門V1和該第二閥門V2會開啟，且該第三閥門V3和該第四閥門V4會關閉。接著，啟動該第一幫浦310，使得位在該液體暫存槽200內的該半導體乾燥用處理液體202會被抽出至該第一管路P1並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202流通過該第一過濾器320之後經由該第三管路P3傳輸至該乾燥處理槽100內。

請參照第2圖，當該半導體乾燥用處理液體202藉由該循環管路系統300從該液體暫存槽200輸送至該乾燥處理槽100之後，承載有複數個晶圓W的晶舟會被放置入該乾燥處理槽100內，藉由該半導體乾燥用處理液體202之高揮發性可將位在該等晶圓W表面水分置換為半導體乾燥用處理液體202，以及去除可能附著於該等晶圓W表面上之微粒、灰塵或金屬雜質，進而達到該等晶圓W的乾燥處理。在此步驟中，該循環管路系統300的該第一閥門V1、該第二閥門V2、該第三閥門V3和該第四閥門皆會關閉。

請參照第3圖，當將該等晶圓W進行乾燥處理時，可藉由一氮氣氣泡產生裝置在該乾燥處理槽100的底部產生大量的氮氣氣泡204，藉由該等氮氣氣泡204衝擊該等晶圓W的表面，以加速將附著在該等晶圓W的表面上的水分置換成該半導體乾燥用處理液體202的效率。應當理解的是，在其他較佳實施例中此步驟可被省略。亦當理解的是，該氮氣氣泡204施加產生的效果亦可由其它能量的施加來達成之，例如是超音波震動，以求該半導體乾燥用處理液體202能快速將晶圓W表面上的水分取代及排除。

請參照第4圖，當完成將該等晶圓W浸泡在該半導體乾燥用 處理液體202以進行前半部的乾燥處理的步驟之後，藉由該循環管路系統300將該乾燥處理槽100內的該半導體乾燥用處理液體202經由該第一過濾器320傳輸至該液體暫存槽200內。具體來說，在此步驟中該第三閥門V3和該第四閥門V4會開啟，且該第一閥門V1和該第二閥門V2會關閉。接著，該第一幫浦310啟動，以將該乾燥處理槽100內的該半導體乾燥用處理液體202抽出至該第四管路P4並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202通過該第一過濾器320之後經由該第五管路P5傳輸至該液體暫存槽200內。

請參照第5圖，當該半導體乾燥用處理液體202藉由該循環管路系統300從該乾燥處理槽100輸送至該液體暫存槽200之後，會將該等晶圓W進行一乾燥處理。詳言之，從該乾燥處理槽100的上方施加一熱氮氣206(如箭頭所示)至該等晶圓W上，以促使附著在該等晶圓W的表面的該半導體乾燥用處理液體202揮發，進而去除該等晶圓W表面之濕氣並且使該等晶圓W乾燥。以如此方法乾燥的晶圓W，其表面是不會有水痕產生。在對該等晶圓W進行乾燥處理的同時，該循環管路系統300的該第一閥門V1和該第四閥門V4會開啟，且該第二閥門V2和該第三閥門V3會關閉。接著，該第一幫浦310啟動，以將該液體暫存槽200內的半導體乾燥用處理液體202抽出至該第一管路P1並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202通過該第一過濾器320之後經由該第五管路P5回送至該液體暫存槽200內。也就是說，該循環管路系統300的第一管路P1、該第二管路P2和該第五管路P5共同構成該半導體乾燥設備10的內循環系統。應該注意的是，在此步驟中該半導體乾燥用處理液體202會藉由該內循環系統不間斷的持續進行循環和過 濾。

請參照第6圖，當將該等晶圓W完成乾燥處理後，該等晶圓W會被移出該乾燥處理槽100，以進行後續製程。此時，位於該液體暫存槽200的該半導體乾燥用處理液體202會持續藉由該內循環系統進行循環和過濾，直到有新的一批晶圓W要藉由該半導體乾燥設備10進行乾燥處理為止，接著依序依照第1圖至第6圖的半導體乾燥用處理液體202的循環與過濾方法再次進行運作。

可以理解的是，在將該等晶圓W進行上述的乾燥處理後，該半導體乾燥用處理液體202會帶有大量的水分或雜質，例如金屬雜質、微粒或灰塵。並且，一般而言基於成本考量，該半導體乾燥用處理液體202並非只是一次性的使用，而是會將其採以多次的重複利用，故倘若沒有將該半導體乾燥用處理液體202內的雜質過濾完全，反而會造成晶圓的汙染。因此，在本發明之第一較佳實施例的半導體乾燥用處理液體202的循環與過濾方法中，每當將該半導體乾燥用處理液體從該液體暫存槽200輸送至該乾燥處理槽100或者是從該乾燥處理槽100輸送至該液體暫存槽200時，該半導體乾燥用處理液體202皆會流經過該第一過濾器320。並且，當該半導體乾燥用處理液體202存放在該液體暫存槽200內時，該半導體乾燥用處理液體202會藉由該內循環系統(即該第一管路P1、該第二管路P2和該第四管路P4)進行多次的循環與過濾步驟，以確保該半導體乾燥用處理液體202內的雜質能被過濾完全，降低晶圓於乾燥處理後仍存有微粒或灰塵及水氣等的可能性，避免水氣等影響晶圓的後續製程，進而增加產出良率。另一方面，由於將該半導體乾燥用處理液體202進行多次的過濾步驟，有效地延長該批量 的半導體乾燥用處理液體202的使用壽命，而不須頻繁地更換整槽的該半導體乾燥用處理液體202，進而降低生產成本。同時，依據本發明，因為液體暫存槽200內一直都有乾淨的半導體乾燥用處理液體202可供使用，該晶圓W乾燥處理可被即時地進行以確保該晶圓W的加工可被順暢地進行。

再者，如第1圖至第6圖所示，該半導體乾燥設備10還包含一含水量分析儀400，耦接在該液體暫存槽200上。當該半導體乾燥用處理液體202存放在該液體暫存槽200內時，藉由該含水量分析儀400檢測該半導體乾燥用處理液體202的含水量。當該半導體乾燥用處理液體202的含水量超過一含水量標準值時，該含水量分析儀400會發出一需要更換該半導體乾燥用處理液體202的警示訊號。應當理解的是，該含水量標準值是依照不同的製程條件而決定。另外，該半導體乾燥設備10還可包含一微粒偵測儀500，耦接在該液體暫存槽200上。當該半導體乾燥用處理液體202存放在該液體暫存槽200內時，藉由該微粒偵測儀500檢測該半導體乾燥用處理液體202的微粒數量。當該半導體乾燥用處理液體202的微粒數量超過一微粒數量標準值時，該微粒偵測儀500會發出一需要更換該半導體乾燥用處理液體202的警示訊號。應當理解的是，該微粒數量標準值是依照不同的製程條件而決定。因此，在本發明中藉由設置該含水量分析儀400和該微粒偵測儀500，並且提供一量化的標準值(如該含水量標準值和該微粒數量標準值)，讓使用者有具體的參考數值來決定該半導體乾燥用處理液體202的更換時機，而非是以固定的使用時間或者是使用次數來決定該半導體乾燥用處理液體202的更換時間，進而有效地延長整槽的半導體乾燥用處理液體202的使用壽命，以降低生產成本。

請參照第7圖，其顯示一種顯示根據本發明之第二較佳實施例的半導體乾燥設備20在將半導體乾燥用處理液體202進行內循環處理之示意圖。該半導體乾燥設備20包含：一乾燥處理槽100、一液體暫存槽200、一循環管路系統300以及一內循環系統600，其中該乾燥處理槽100、該液體暫存槽200和該循環管路系統300的結構和運作機制相同於本發明之第一實施例之該半導體乾燥設備10，在此不加以贅述。

如第7圖所示，該內循環系統600包含一內循環管路610、一第二幫浦620和一第二過濾器630。該內循環管路610具有一第一端和一第二端，該第一端連接在該液體暫存槽200的底部以及該第二端連接在該液體暫存槽200的頂部。並且該內循環管路610在靠近該第一端的位置設置有一第五閥門V5，以及在靠近該第二端的位置設置有一第六閥門V6。該第二幫浦620和該第二過濾器630分別設置在該內循環管路610上，且位在該第五閥門V5和該第六閥門V6之間。在藉由該循環管路系統300將該乾燥處理槽100內的該半導體乾燥用處理液體202經由該第一過濾器320傳輸至該液體暫存槽200內的步驟之後，該第一幫浦310啟動，以將該液體暫存槽200內的半導體乾燥用處理液體202抽出至該第一管路P1並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202通過該第一過濾器320之後經由該第五管路P5回送至該液體暫存槽200內。同時，該第二幫浦620也會啟動，以通過該內循環管路610之該第一端將該液體暫存槽200內的該半導體乾燥用處理液體202抽出，並且使該半導體乾燥用處理液體202通過該第二過濾器630之後經由該內循環管路610之該第二端回送至該液體暫存槽200內。也就是說，存放在該液體暫存槽200內的該半導體乾燥用處理液體202不但會藉由該循環管 路系統300本身的內循環系統(即該第一管路P1、該第二管路P2和該第四管路P4)進行多次的循環與過濾步驟，還會藉由該內循環系統600同時進行多次的循環與過濾步驟，以確保該半導體乾燥用處理液體202內的雜質能被過濾完全，降低晶圓於乾燥處理後仍存有微粒或灰塵及水氣等的可能性，避免水氣等影響晶圓的後續製程，進而增加產出良率。另一方面，在本發明的該半導體乾燥設備20增設該內循環系統600的又一優點為：當在更換該第一過濾器320時，可藉由該內循環系統600不間斷地將存放在該液體暫存槽200內的該半導體乾燥用處理液體202持續進行循環與過濾處理。

請參照第8圖，其顯示一種顯示根據本發明之第三較佳實施例的半導體乾燥設備30在將半導體乾燥用處理液體202從一備用液體暫存槽700注入一乾燥處理槽100之示意圖。該半導體乾燥設備30包含：該乾燥處理槽100、一液體暫存槽200、一循環管路系統300以及該備用液體暫存槽700，其中該乾燥處理槽100、該液體暫存槽200和該循環管路系統300的結構相同於本發明之第一實施例之該半導體乾燥設備10，在此不加以贅述。

如第8圖所示，該備用液體暫存槽700用於存放另一槽新的半導體乾燥用處理液體202，並且該備用液體暫存槽700之管路與該循環管路系統300連接，具體連接描述如下。該備用液體暫存槽700藉由一第六管路P6和一第七管路P7與該循環管路系統300連接。該第六管路P6之一端連接至該備用液體暫存槽700的底部，另一端連接至該第一幫浦310，並且該第六管路P6上設置有一第七閥門V7。該第七管路P7之一端連接至該備用液體暫存槽700之上部，另一端連接至該管路連接點C1，並且靠近該第七管路P7之兩端的位置分別設置有一第八閥門V8和一第九閥門V9。如第8圖所示， 當將存放在該備用液體暫存槽700內的該半導體乾燥用處理液體202傳送至該乾燥處理槽100時，該第七閥門V7和該第二閥門V2開啟，其餘的閥門皆關閉。啟動該第一幫浦310，使得位在該備用液體暫存槽700內的該半導體乾燥用處理液體202會被抽出至該第六管路P6並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202流通過該第一過濾器320之後經由該第三管路P3傳輸至該乾燥處理槽100內。同理，當將該半導體乾燥用處理液體202從該乾燥處理槽100傳送至該備用液體暫存槽700時，該第三閥門V3、該第八閥門V8和該第九閥門V9開啟，其餘的閥門皆關閉。啟動該第一幫浦310，以將該乾燥處理槽100內的該半導體乾燥用處理液體202抽出至該第四管路P4並且通往該第二管路P2，使得該半導體乾燥用處理液體202通過該第一過濾器320之後經由該第七管路P7傳輸至該液體暫存槽200內。

因此，由於該備用液體暫存槽700之管路與該循環管路系統300連接，當該液體暫存槽200在進行該半導體乾燥用處理液體202的更換作業時，可藉由該備用液體暫存槽700將該另一槽新的半導體乾燥用處理液體202提供至該乾燥處理槽100內，進而可避免因等待該半導體乾燥用處理液體202更換而導致機台停機所造成的時間浪費，進而提高該半導體乾燥設備30的使用時間(Uptime)。再者，該半導體乾燥設備30還包含一含水量分析儀400和一微粒偵測儀500，耦接在該備用液體暫存槽700上。當該半導體乾燥用處理液體202存放在該備用液體暫存槽700內時，藉由該含水量分析儀400和該微粒偵測儀500檢測該半導體乾燥用處理液體202的含水量和微粒數量。當該半導體乾燥用處理液體202的含水量超過一含水量標準值時，該含水量分析儀400會發出一需要更換該半導體乾燥用處理液體202的警示訊 號，以及當該半導體乾燥用處理液體202的微粒數量超過一微粒數量標準值時，該微粒偵測儀500會發出一需要更換該半導體乾燥用處理液體202的警示訊號。因此，在本發明中藉由設置該含水量分析儀400和該微粒偵測儀500，並且提供一量化的標準值(如該含水量標準值和該微粒數量標準值)，讓使用者有具體的參考數值來決定該半導體乾燥用處理液體202的更換時機，而非是以固定的使用時間或者是使用次數來決定該半導體乾燥用處理液體202的更換時間，進而有效地延長整槽的半導體乾燥用處理液體202的使用壽命，以降低生產成本。

以上僅是本發明的較佳實施方式，應當指出，對於所屬領域技術人員，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。

Claims (19)

1. 一種半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，適用於一半導體乾燥設備，該半導體乾燥設備包含：一乾燥處理槽、一液體暫存槽、以及一循環管路系統，連接在該乾燥處理槽與該液體暫存槽之間，包含一第一過濾器，該半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法包含：藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該乾燥處理槽內；將至少一晶圓放置在該乾燥處理槽內，以藉由該半導體乾燥用處理液體將位在該至少一晶圓之表面的水分置換為半導體乾燥用處理液體；藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內；以及藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體輸出，並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法，其中該半導體乾燥設備之該循環管路系統還包含：一第一管路，設置有一第一閥門，並且連接在該液體暫存槽和一第一幫浦之間；一第二管路，連接在該第一幫浦和一管路連接點之間，且該第二管路上設置有該第一過濾器；以及一第三管路，設置有一第二閥門，並且連接在該管路連接點和該乾 燥處理槽之間；其中在藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該乾燥處理槽內的步驟中包含：開啟該循環管路系統之該第一閥門和該第二閥門；以及啟動該第一幫浦以將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體抽出至該第一管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第三管路傳輸至該乾燥處理槽內。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中該半導體乾燥設備之該循環管路系統還包含：一第四管路，設置有一第三閥門，並且連接在該乾燥處理槽和該第一幫浦之間；以及一第五管路，設置有一第四閥門，並且連接在該管路連接點和該液體暫存槽之間；其中在藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟中包含：關閉該第一閥門和該第二閥門以及開啟該第三閥門和該第四閥門；以及啟動該第一幫浦以將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出至該第四管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第五管路傳輸至該液體暫存槽內。
4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中該第二管路、該第三管路和該第五管路在該管路連接點互相連通。
5. 如申請專利範圍第3項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中在藉由該循環管路系統將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體輸出，並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內的步驟中包含：關閉該第二閥門和該第三閥門以及開啟該第一閥門和該第四閥門；以及啟動該第一幫浦以將該液體暫存槽內的半導體乾燥用處理液體抽出至該第一管路並且通往該第二管路，使得該半導體乾燥用處理液體通過該第一過濾器之後經由該第五管路回送至該液體暫存槽內。
6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中該半導體乾燥設備還包含一含水量分析儀，耦接在該液體暫存槽上，其中該半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法還包含：藉由該含水量分析儀檢測該半導體乾燥用處理液體的含水量，當該半導體乾燥用處理液體的含水量超過一含水量標準值時，發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。
7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中該半導體乾燥設備還包含一微粒偵測儀，耦接在該液體暫存槽上，其中該半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法還包含：藉由該微粒偵測儀檢測該半導體乾燥用處理液體的微粒數量，當該半導體乾燥用處理液體的微粒數量超過一微粒數量標準值時，發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。
8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中該半導體乾燥設備還包含一內循環系統，包含： 一內循環管路具有一第一端和一第二端，該第一端連接在該液體暫存槽的底部以及該第二端連接在該液體暫存槽的頂部；以及一第二幫浦和一第二過濾器分別設置在該內循環管路上，其中在藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟之後還包含：啟動該第二幫浦以通過該內循環管路之該第一端將該液體暫存槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出，並且使該半導體乾燥用處理液體通過該第二過濾器之後經由該內循環管路之該第二端回送至該液體暫存槽內。
9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中將至少一晶圓放置在該乾燥處理槽內，以藉由該半導體乾燥用處理液體將位在該至少一晶圓之表面的水分置換為半導體乾燥用處理液體的步驟中還包含：使用氮氣氣泡衝擊該至少一晶圓的表面，以加速將附著在該至少一晶圓的表面上的水分置換成該半導體乾燥用處理液體的效率。
10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體乾燥用處理液體的循環過濾方法，其中在藉由該循環管路系統將該乾燥處理槽內的該半導體乾燥用處理液體經由該第一過濾器傳輸至該液體暫存槽內的步驟之後還包含：在該至少一晶圓的表面施加一熱氮氣，以促使附著在該至少一晶圓的表面的該半導體乾燥用處理液體揮發。
11. 一種半導體乾燥設備，包含：一乾燥處理槽；一液體暫存槽；以及 一循環管路系統，連接在該乾燥處理槽與該液體暫存槽之間，包含一第一過濾器，其中當一半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該液體暫存槽傳輸至該乾燥處理槽或者是從該乾燥處理槽傳輸至該液體暫存槽時，該半導體乾燥用處理液體皆會流通過該第一過濾器；以及其中當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且藉由該循環管路系統使該半導體乾燥用處理液體從該液體暫存槽輸出並經由該第一過濾器回送至該液體暫存槽內。
12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體乾燥設備，其中該循環管路系統包含：一第一管路，設置有一第一閥門，並且連接在該液體暫存槽和一第一幫浦之間；一第二管路，連接在該第一幫浦和一管路連接點之間，且該第二管路上設置有一第一過濾器；一第三管路，設置有一第二閥門，並且連接在該管路連接點和該乾燥處理槽之間；一第四管路，設置有一第三閥門，並且連接在該乾燥處理槽和該第一幫浦之間；以及一第五管路，設置有一第四閥門，並且連接在該管路連接點和該液體暫存槽之間，其中當該半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該液體暫存槽傳輸至該乾燥處理槽時，該第一閥門和該第二閥門開啟且該第三閥門和該第四閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，使得該半導體乾燥用處理液體依序通過該第一管路、該第二管路和該第三管路傳輸至該 乾燥處理槽內。
13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體乾燥設備，其中當該半導體乾燥用處理液體經由該循環管路系統從該乾燥處理槽傳輸至該液體暫存槽時，該第三閥門和該第四閥門開啟且該第一閥門和該第二閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，使得該半導體乾燥用處理液體依序通過該第四管路、該第二管路和該第五管路傳輸至該液體暫存槽內。
14. 如申請專利範圍第12項所述之半導體乾燥設備，其中當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且該第一閥門和該第四閥門開啟且該第二閥門和該第三閥門關閉，以及該第一幫浦啟動，進而藉由該循環管路系統使該半導體乾燥用處理液體從該液體暫存槽輸出至該第一管路並且通往該第二管路，以流經該第一過濾器，最後再經由該第五管路回送至該液體暫存槽內。
15. 如申請專利範圍第12項所述之半導體乾燥設備，其中該第二管路、該第三管路和該第五管路在該管路連接點互相連通。
16. 如申請專利範圍第11項所述之半導體乾燥設備，其中該半導體乾燥設備還包含一含水量分析儀，耦接在該液體暫存槽上，用於檢測該半導體乾燥用處理液體的含水量，其中當該半導體乾燥用處理液體的含水量超過一含水量標準值時，該含水量分析儀會發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。
17. 如申請專利範圍第11項所述之半導體乾燥設備，其中該半導體乾燥設備還包含一微粒偵測儀，耦接在該液體暫存槽上，用於檢測該半導體乾燥用處理液體的微粒數量，當該半導體乾燥用處理液體的微粒數量超過 一微粒數量標準值時，該微粒偵測儀會發出一更換該半導體乾燥用處理液體的警示訊號。
18. 如申請專利範圍第11項所述之半導體乾燥設備，其中該半導體乾燥設備還包含一內循環系統，包含：一內循環管路具有一第一端和一第二端，該第一端連接在該液體暫存槽的底部以及該第二端連接在該液體暫存槽的頂部；以及一第二幫浦和一第二過濾器分別設置在該內循環管路上，其中當該乾燥處理槽停止運作時，該半導體乾燥用處理液體會存放在該液體暫存槽內，並且藉由啟動該第二幫浦以通過該內循環管路之該第一端將該液體暫存槽內的該半導體乾燥用處理液體抽出，並且使該半導體乾燥用處理液體通過該第二過濾器之後經由該內循環管路之該第二端回送至該液體暫存槽內。
19. 如申請專利範圍第11項所述之半導體乾燥設備，其中該半導體乾燥設備還包含一備用液體暫存槽，用於存放另一半導體乾燥用處理液體，並且該備用液體暫存槽之管路系統與該循環管路系統連接，其中當該液體暫存槽在進行該半導體乾燥用處理液體的更換作業時，藉由該備用液體暫存槽將該另一半導體乾燥用處理液體提供至該乾燥處理槽內。