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TW201801240A - 基板轉印方法及基板轉印裝置 - Google Patents

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TW201801240A
TW201801240A TW106106932A TW106106932A TW201801240A TW 201801240 A TW201801240 A TW 201801240A TW 106106932 A TW106106932 A TW 106106932A TW 106106932 A TW106106932 A TW 106106932A TW 201801240 A TW201801240 A TW 201801240A
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TW
Taiwan
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adhesive tape
substrate
tape
ring frame
wafer
Prior art date
Application number
TW106106932A
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English (en)
Inventor
松下孝夫
山本雅之
Original Assignee
日東電工股份有限公司
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Publication date
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Abstract

以將黏著帶T1設為上面側的狀態保持安裝框架MF1，將黏著帶T1從環框f及晶圓W剝離。於剝離黏著帶T1後，在涵蓋晶圓W與環框的上面之範圍貼附新的黏著帶T2。由於藉由一次的轉印操作，對晶圓W的相同面完成了從黏著帶T1朝黏著帶T2的轉印，所以能以更單純的工序實現對晶圓W的同一面進行轉印不同特性的黏著帶之操作。

Description

基板轉印方法及基板轉印裝置
本發明係有關對隔介黏著帶接著保持於環框(ring frame)的半導體晶圓、電路基板、LED(Light Emitting Diode；發光二極體)等各種基板實施所期望的處理之後，重新轉印到新的黏著帶之基板轉印方法及基板轉印裝置。
以作為基板的半導體晶圓為例，係實施如以下的處理。一般的半導體晶圓(以下，簡稱「晶圓」)，係在其表面形成有多數元件的電路圖案後，在其表面貼附保護用黏著帶(保護帶)來加以保護。將表面受保護的晶圓在背面研磨工序中從背面進行研削或者研磨加工以作成所期望的厚度。從薄型化的晶圓將保護帶剝離並搬送至切割工序之前，為了補強晶圓，會隔介支持用黏著帶(切割帶)將晶圓接著保持於環框。
接著保持於環框的晶圓，其加工工序係依據所製造的半導體晶片而異。例如，在將半導體晶片微細化的情況下，進行雷射切割處理。此時，若從形成有電 路圖案的表面進行切割，則電路會受到熱的影響而破損，故在背面研磨處理前必須從背面進行半切(half cut)。在將經半切的晶圓破斷(breaking)後將各晶片安裝於所期望的位置之際，係從表面以筒夾(collet)進行吸附來進行搬送，所以會將表面的黏著帶及保護帶剝離。從已剝離此黏著帶等之晶圓的背面側，重新貼附黏著帶，並接著保持於新的環框後，再將晶圓破斷。亦即，在破斷前必須將晶圓重新轉印到新的環框。
於進行該轉印時，藉由使環框和晶圓相對地疏離移動以使黏著帶彈性變形，在厚度方向獲取間隙(gap)，俾在環框和晶圓之間露出之黏著帶的黏著面與新貼附之黏著帶的黏著面不會接著(參照專利文獻1、2)。又，作為用以避免兩個黏著帶彼此黏著的其他習知例，亦使用在所露出之黏著帶的黏著面彼此間，插入非黏著性之防接著板之方法(參照專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
特開2011-29434號公報
[專利文獻2]
特開2007-220693號公報
[專利文獻3]
特開2012-244013號公報
然而，上述習知方法中，有如下之問題。
亦即，習知的轉印方法，均為使黏著帶從晶圓的一面轉印到該晶圓的另一面之方法。亦即，對一面貼附有黏著帶的晶圓，在該晶圓的另一面貼附新的黏著帶，將貼附於一面的黏著帶剝離，藉此進行轉印。
近年來，對晶圓的同一面進行黏著帶的轉印之需求增加。以必須在晶圓的同一面進行轉印時的具體例而言，例如有：在對晶圓的背面進行背面研磨處理後，以熱對該背面進行處理來改變光的折射率之情況等。於此情況，進行背面研磨處理時必須在將貼附於晶圓表面的保護用黏著帶換貼為具有耐熱性的新黏著帶後再進行晶圓背面的熱處理。如此，因對晶圓的處理多樣化的關係，將貼附於晶圓的相同面的黏著帶換貼(轉印)為具有其他特性的新的黏著帶之必要性正在增加中。
如上述，習知的轉印方法中，只能夠使黏著帶從晶圓的一面轉印到該晶圓的另一面。因此，在使新的黏著帶轉印到晶圓的同一面之情況，以往，必須先從晶圓的一面向該晶圓的另一面進行轉印，接著，再從晶圓的另一面對該晶圓的一面轉印黏著帶。結果，會有轉印的操作變繁雜，且轉印所需的時間及成本增大之問題。
本發明係有鑑於此種情事而研創者，主要目的在於提供一種對基板的同一面，從舊的黏著帶朝向新的黏著帶，能夠以良好精度進行轉印之基板轉印方法及基板轉印裝置。
本發明為了達成此種目的，而採用如下之構成。
亦即，本發明係一種基板轉印方法，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印方法，其特徵為具備：保持工序，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，利用保持構件保持前述環框及前述基板；帶剝離工序，係在前述保持工序後，將前述第1黏著帶從前述環框及前述基板剝離；及轉印工序，係在前述帶剝離工序後，從前述環框及前述基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
(作用、功效)根據此方法，在第1黏著帶設為非保持面側的狀態且將環框及基板以保持構件保持的狀態下，將第1黏著帶從環框及基板剝離。然後，對剝離的面貼附第2黏著帶以進行轉印。此時，藉由1次轉印操作，基板的非保持面側係從第1黏著帶被轉印成第2黏著帶。因此，可使對基板的同一面轉印黏著帶之操作更加單純化。
又，本發明為了達成此種目的，亦可採用如次之構成。
本發明係一種基板轉印方法，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印方法，其特徵為具備：保持工序，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，利用保持構件保持前述環框及前述基板；帶切斷工序，係在前述保持工序後，切斷前述第1黏著帶以使前述環框與前述基板分離；帶剝離工序 ，係在前述帶切斷工序後，將貼附於前述基板的前述第1黏著帶從前述基板剝離；及轉印工序，係在前述帶剝離工序後，從前述環框及前述基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
(作用、功效)根據此方法，係在第1黏著帶設為非保持面側的狀態以保持構件保持的環框及基板之狀態下，切斷第1黏著帶以使環框和基板分離。然後，將第1黏著帶從自環框分離的基板剝離，對被剝離的面貼附第2黏著帶以進行轉印。於此情況，藉由一次轉印操作，基板的非保持面側係從第1黏著帶被轉印成第2黏著帶。因此，可使對基板的同一面轉印黏著帶之操作更加簡單化。
又，將第1黏著帶從基板剝離時，基板係與環框分離。因此，接著於基板的第1黏著帶不會與環框接著。因此，在帶剝離工序中，藉由施加因應基板和第1黏著帶間的接著力之較弱的力，可將第1黏著帶適當地從基板剝離。亦即，在帶剝離工序中，由於不會有受到環框與第1黏著帶之間的強接著力之影響，故可適當地避免在剝離第1黏著帶時過度地施加強力而導致晶圓W破損、散逸之問題。
此外，上述轉印過程中，關於基板對於新的黏著帶之轉印，例如，可以如下方式實施。
在前述帶切斷工序中，係以前述第1黏著帶超出前述基板的外徑之部分的長度會成為前述基板的厚度以下之方式，切斷前述第1黏著帶較佳。根據此方法，即便是從基板的外徑超出外側的部分在晶圓的端部變形之 情況，也能確實地避免第1黏著帶和保持構件接觸。因此，由於可確實地避免因第1黏著帶和保持構件接著而妨礙將第1黏著帶自基板剝離的工序，故可進一步提升轉印的精度。
較佳為，在前述帶切斷工序中，前述第1黏著帶係被切斷成與前述基板相同的大小。根據此方法，在切斷第1黏著帶後，不會有第1黏著帶的黏著面突出基板的外側之情況。因此，可確實地避免第1黏著帶的黏著面接著於基板的側面、或第1黏著帶的黏著面接著於保持構件。因此，由於可確實地避免因第1黏著帶接著於保持構件或基板的側面而妨礙將第1黏著帶從基板剝離的工序，故可進一步提升轉印的精度。
此外，上述轉印過程中，關於基板對於新的黏著帶之轉印，例如，可以如下方式實施。
第1，在帶切斷工序中，亦可使用切斷刃切斷第1黏著帶。
第2，在帶切斷工序中，亦可使用雷射切斷第1黏著帶。
根據此方法，由於可適當地切斷第1黏著帶，故可更確實地避免在帶剝離工序中受到環框與第1黏著帶之間的強接著力之影響。因此，可更佳地避免因為在剝離第1黏著帶之際過度地施加強力的關係而導致晶圓W破損、散逸之問題。
亦可使前述基板保持在比基板的直徑小的保持構件，將基板轉印於第2黏著帶。根據此方法，由於可 在帶切斷工序中以貫通第1黏著帶的方式切斷，故可更確實地將第1黏著帶沿著基板外形切斷。因此，可更確實地避免在轉印工序中第1黏著帶與第2黏著帶接著。又，藉由將保持構件小型化，可避免基板轉印裝置的大型化。
又，較佳為，在轉印工序中，將預先貼附有第2黏著帶的新的環框與基板重疊，從基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
根據此方法，由於可預先在環框貼附第2黏著帶，故在基板的轉印上可縮短工序及時間。因此，可提升基板的轉印效率。
又，本發明為了達成此種目的，可採用如次之構成。
亦即，一種基板轉印裝置，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印裝置，其特徵為具備：保持部，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，保持前述環框及前述基板；帶剝離部，係將前述第1黏著帶從被前述保持部所保持的前述環框及前述基板剝離；及轉印機構，係從已剝離前述第1黏著帶的前述環框及前述基板的非保持面側，貼附第2黏著帶以進行轉印。
(作用、效果)根據此構成，係在將第1黏著帶設為非保持面側的狀態以保持部保持環框及基板之狀態下，將第1黏著帶從環框及基板剝離。然後，對被剝離的面貼附第2黏著帶以進行轉印。此時，藉由1次的轉印操作，基板的非保持面側係從第1黏著帶被轉印成第2黏著 帶。因此，可適當地實施上述方法。
又，本發明為了達成此種目的，亦可採用如次之構成。
亦即，一種基板轉印裝置，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印裝置，其特徵為具備：保持部，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，保持前述環框及前述基板；帶切斷部，係在被前述保持部所保持的前述環框與前述基板之間，切斷前述第1黏著帶以使前述環框與前述基板分離；帶剝離部，係將貼附於自前述環框分離的前述基板之前述第1黏著帶，從前述基板剝離；及轉印機構，係從已剝離前述第1黏著帶之前述基板的非保持面側，貼附第2黏著帶以進行轉印。
(作用、功效)根據此構成，係在將第1黏著帶設為非保持面側的狀態以保持部保持有環框及基板之狀態下，切斷第1黏著帶以使環框和基板分離。然後，將第1黏著帶從自環框分離的基板剝離，對被剝離的面貼附第2黏著帶以進行轉印。於此情況，藉由一次轉印操作，基板的非保持面側係從第1黏著帶被轉印成第2黏著帶。因此，可適當地實施上述方法。
較佳為，在前述帶切斷部中，係以前述第1黏著帶從前述基板的外徑超出之部分的長度會成為前述基板的厚度以下之方式，切斷前述第1黏著帶。根據此裝置，即便是從基板的外徑超出外側的部分於晶圓的端部變形之情況，也可確實地避免第1黏著帶和保持部接觸。 因此，可確實地避免因第1黏著帶與保持部接著而致使將第1黏著帶從基板剝離時發生剝離錯誤，故可進一步提升轉印的精度。
在前述帶切斷部中，前述第1黏著帶係切斷成與前述基板相同的大小者較佳。根據此裝置，在切斷第1黏著帶後，不會有第1黏著帶的黏著面突出基板的外側之情況。因此，可確實地避免第1黏著帶的黏著面接著於基板的側面、或第1黏著帶的黏著面接著於保持構件。因此，由於可確實地避免因第1黏著帶接著於保持部或基板的側面而妨礙將第1黏著帶從基板剝離的工序，故可進一步提升轉印的精度。
此外，上述轉印過程中，關於基板對於新的黏著帶之轉印，例如，可以如下方式實施。
第1，在帶切斷工序中，亦可使用切斷刃切斷第1黏著帶。
第2，在帶切斷工序中，亦可使用雷射切斷第1黏著帶。
根據此裝置，由於可適當地切斷第1黏著帶，故可更確實地避免受到帶剝離工序中環框與第1黏著帶之間的強接著力的影響。因此，可更佳地避免因為在剝離第1黏著帶時過度地施加強力的關係而導致晶圓W發生破損、散逸之問題。
亦可使前述基板保持在比基板的直徑小的保持部，將基板轉印於第2黏著帶。根據此方法，由於可在帶切斷工序中以貫通第1黏著帶的方式進行切斷，故可更 確實地將第1黏著帶沿著基板外形切斷。因此，可更確實地避免在轉印工序中第1黏著帶與第2黏著帶接著。又，藉由將保持構件小型化，可避免基板轉印裝置的大型化。
又，較佳為，在轉印機構中，將預先貼附有第2黏著帶的新的環框與基板重疊，從基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
根據此裝置，由於可預先在環框貼附第2黏著帶，故在基板的轉印上可縮短工序及時間。因此，能夠提升基板的轉印效率。
根據本發明之基板轉印方法及基板轉印裝置，能夠以更簡單的工序對基板的同一面，執行從舊的黏著帶轉印為新的黏著帶的處理。因此，即便是對基板依序實施多樣化處理的情況，也能迅速且適當地依序轉印為具有因應各處理的特性之黏著帶，可更適當地執行各處理。
1‧‧‧基板轉印裝置
3‧‧‧安裝框架收納部
5‧‧‧第1搬送機構
7‧‧‧保持台
9‧‧‧第1帶切斷機構(帶切斷部)
11‧‧‧紫外線照射機構
13‧‧‧帶剝離機構
15‧‧‧環框供給部
17‧‧‧帶貼附機構(轉印機構)
19‧‧‧第2帶切斷機構
25‧‧‧安裝框架回收部
29‧‧‧框架保持部
31‧‧‧晶圓保持部(基板保持部)
41、59‧‧‧切斷器
f1、f2‧‧‧環框
T1‧‧‧黏著帶(第1黏著帶)
T2‧‧‧黏著帶(第2黏著帶)
MF1、MF2‧‧‧安裝框架
W‧‧‧半導體晶圓
圖1係顯示實施例1之基板轉印裝置的基本構成之俯視圖。
圖2係說明實施例1之安裝框架的構成之圖；圖2(a)係顯示實施例1之轉印前後之安裝框架的構成之剖視圖，圖2(b)係顯示習知例之轉印前後之安裝框架的構成之剖視圖，圖2(c)係安裝框架的立體圖。
圖3係實施例1之安裝框架收納部的前視圖。
圖4係實施例1之第1帶切斷機構的前視圖。
圖5係說明實施例1之帶剝離機構的構成之圖；圖5(a)係說明帶剝離機構的構成之前視圖，圖5(b)係說明在實施例1的步驟S4中剝離黏著帶的狀態之立體圖。
圖6係實施例1之帶貼附機構的俯視圖。
圖7係實施例1之第2帶切斷機構的前視圖。
圖8係說明實施例1之基板轉印裝置的動作之圖；圖8(a)係說明動作的流程圖，圖8(b)係說明各步驟中之安裝框架的構成之示意圖。
圖9係說明實施例1的步驟S1中之安裝框架的構成之前視圖。
圖10係說明實施例1的步驟S2中之安裝框架的構成之前視圖；圖10(a)係顯示切斷黏著帶T1時的構成之圖，圖10(b)係顯示切斷黏著帶T1後的構成之圖。
圖11係說明實施例1的步驟S3中之安裝框架的構成之前視圖。
圖12係說明實施例1的步驟S5中之安裝框架的構成之前視圖。
圖13係說明實施例1的步驟S6中之安裝框架的構成之前視圖；圖13(a)係顯示貼附黏著帶T2時的構成之圖，圖13(b)係顯示貼附黏著帶T2後的構成之圖。
圖14係說明實施例1的步驟S7中之安裝框架的構成之前視圖。
圖15係說明習知例之進行轉印之構成的圖。
圖16係說明實施例2之基板轉印裝置的動作之圖；圖 16(a)係說明動作的流程圖，圖16(b)係說明各步驟之安裝框架的構成之示意圖。
圖17係說明實施例2之帶剝離機構的構成、及剝離黏著帶的狀態之立體圖。
圖18係說明實施例1的變形例之帶剝離機構的構成之圖；圖18(a)係說明使切斷器接觸晶圓保持部以切斷黏著帶的構成之前視圖，圖18(b)係說明在沒有使切斷器接觸晶圓及晶圓保持部的情況下切斷黏著帶的狀態之前視圖，圖18(c)係說明超出部分比晶圓厚度還短的構成之效果之剖視圖。
[實施發明之形態]
[實施例1]
以下，參照圖式，說明本發明的實施例。
<整體構成的說明>
圖1係顯示實施例1之基板轉印裝置1的基本構成之俯視圖。
實施例1的基板轉印裝置1係如圖2(a)所示，將晶圓W從半導體晶圓W(以下，簡稱「晶圓W」)之一面貼附有黏著帶T1的安裝框架MF1，轉印到該晶圓W之相同面(一面)貼附有新的黏著帶T2的安裝框架MF2。
另一方面，習知例的基板轉印裝置係如圖2(b)所示，從晶圓W的一面貼附有黏著帶T1的安裝框架MF1(上層)，在該晶圓W的另一面貼附新的黏著帶T2(中層)，藉由剝離黏著帶T1而從黏著帶T1轉印到黏著帶T2( 下層)。如此，本發明的基板轉印裝置1與習知的基板轉印裝置的相異點在於，被轉印的面是不同的。
如圖2(c)所示，安裝框架MF1係在晶圓W的一面與環框f貼附黏著帶T1而製作。安裝框架MF2係在晶圓W的一面與環框f貼附與黏著帶T1不同的新黏著帶T2而製作。此外，本實施例中，在安裝框架MF1的環框f標註符號f1，在安裝框架MF2的環框f標註符號f2以區別兩者。
此外，關於本實施例中所使用的黏著帶T1及黏著帶T2，係以電路保護用黏著帶作為黏著帶T1，以耐熱性黏著帶作為黏著帶T2。惟，黏著帶T1及黏著帶T2的特性並不侷限於本實施例的構成，亦可根據處理晶圓W之目的，而適當使用具有不同特性的黏著帶。
本發明的基板轉印裝置1係如圖1所示，具備有：安裝框架收納部3、第1搬送機構5、保持台7、第1帶切斷機構9、紫外線照射機構11、帶剝離機構13、環框供給部15、帶貼附機構17、第2帶切斷機構19和安裝框架回收部25。
此外，在之後的說明中，將圖1中的x方向設為左右方向，將z方向設為上下方向。關於y方向，將圖1的下側設為「前側」，將圖1的上側設為「裏側」。亦即，安裝框架回收部25係在圖1所示之基板轉印裝置1中配置在比安裝框架收納部3還靠裏側。此外，基板轉印裝置1之各構成的配置並不限於圖1所示之構成，亦可適當地變更。
安裝框架收納部3係如圖3所示，配備有收納 安裝框架MF1的收納部71，該安裝框架MF1係在晶圓W的一面與環框f1貼附黏著帶T1而製作。此收納部71具備有：連結固定於裝置框架之縱向軌道73；和沿著此縱向軌道73藉馬達75螺桿進給而升降之升降台77。
因此，安裝框架收納部3係構成為將安裝框架MF1載置於升降台77以進行間距進給(pitch feed)升降。又，環框供給部15及安裝框架回收部25亦形成為與安裝框架供給部3同樣的構成。圖3所示之安裝框架收納部3的構成為一例，只要是可收納、供給安裝框架的構成，則亦可適當地變更構成。
第1搬送機構5係將收納於安裝框架收納部3的安裝框架MF1朝配置於切斷位置S的保持台7搬送。又，第1搬送機構5係如後述，亦具有利用第1帶切斷機構9切下黏著帶T1，藉此將自晶圓W分離的環框f1搬送到安裝框架收納部3之功能。亦即，自晶圓W分離的環框f1及黏著帶T1，係藉由第1搬送機構5回收到安裝框架收納部3。黏著帶T1相當於本發明的第1黏著帶。
保持台7係載置保持安裝框架MF1及安裝框架MF2，構成為可分別在如圖1所示之切斷位置S、轉印位置R、照射位置T及剝離位置U之間往復移動。保持台7係如圖4至圖7所示，具備有：保持環框f的環框保持部29；和保持晶圓W的圓形晶圓保持部31。又，框架保持部29及晶圓保持部31係分別構成為可適當地獨自調節載置面的高度。保持台7相當於本發明的保持部及保持構件。
在框架保持部29的保持面，形成有吸附保持 環框f的吸附孔。在晶圓保持部31的保持面，形成有吸附保持晶圓W的吸附孔。從更合適地執行黏著帶T1的切斷之觀點來看，晶圓保持部31的直徑為晶圓W的直徑以下者較佳。實施例1中，保持台7係在將黏著帶T1設為非保持面側的狀態下，吸附保持環框f及晶圓W。亦即，保持台7係以黏著帶T1成為上面側的方式保持安裝框架MF1。
如圖4所示，第1帶切斷機構9係在保持台7位於切斷位置S的情況下，被配置於保持台7的上方，且具備有：框架33、可動台35、支持臂37和切斷器單元39。可動台35係可沿著框架33升降移動。支持臂37係設置在從可動台35被懸臂支持之臂的前端下部，構成為在晶圓W的徑向伸縮。
切斷器單元39係隔介支持臂37連接於可動台35。在切斷器單元39，刀尖向下的切斷器41係隔介切斷器保持器(cutter holder)而裝設。切斷器單元(cutter unit)39係以隔介支持臂37可調整迴旋半徑的方式構成。切斷器41係隔介支持臂37繞著z方向的軸迴旋，將貼附於安裝框架MF1的黏著帶T1沿著晶圓W的外形切斷。第1帶切斷機構9相當於本發明的帶切斷部。環框供給部15具備有將新的環框f2朝轉印位置R搬送之框架搬送部F。
紫外線照射機構11係在保持台7位於照射位置T的情況下，配置於保持台7的上方，對位於晶圓W上面側(保持台7的非保持面側)的黏著帶T1照射紫外線。在黏著帶T1為紫外線硬化性帶的情況下，黏著帶T1的黏著力會因紫外線照射而降低，故可容易地將黏著帶T1剝離。
帶剝離機構13係在保持台7位於剝離位置U的情況下，配置於保持台7的上方，且將黏著帶T1從晶圓W剝離而回收。帶剝離機構13係如圖5(a)所示，具備有：將捲成滾筒狀的剝離帶Q引導之引導輥83；刀緣(knife edge)狀的剝離構件85；及回收剝離帶Q的捲取軸87。
剝離帶Q係透過引導輥83被引導至剝離構件85，在剝離構件85中折返反轉後，透過捲取軸87捲取回收。亦即，如圖5(b)所示，在貼附於晶圓W的表面的黏著帶T1上貼附有剝離帶Q的狀態下，令保持著晶圓W的保持台7移動，使得黏著帶T1與剝離帶Q成一體而從晶圓W的表面被剝離。
如圖6所示，帶貼附機構17係在保持台7位於轉印位置R的情況下，配置於保持台7的上方，且具備有：帶供給部43、貼附輥45、剝離輥49和帶回收部51。帶供給部43係裝填捲成滾筒狀之寬幅的黏著帶T2。貼附輥45係以涵蓋被搬入轉印位置R的晶圓W、和從環框供給部15新供給之環框f2的上面之範圍貼附黏著帶T2。
藉由帶貼附機構17使晶圓W轉印到黏著帶T2，而製作安裝框架MF2。帶貼附機構17相當於本發明的轉印機構。黏著帶相當於本發明的第2黏著帶。
第2帶切斷機構19係與帶貼附機構17同樣，在保持台7位於轉印位置R的情況下，配置於保持台7的上方。第2帶切斷機構19係如圖7所示，具備有：框架53、支軸55、支持臂57、切斷器59和按壓輥61。
支軸55係可沿著框架53升降移動，繞著z方向 的軸旋轉。支持臂57係以支軸55為中心在徑向延伸有複數支。切斷器59係設置在支持臂57a的前端，將所貼附的黏著帶T2沿著環框f切斷。按壓輥61係設置於支持臂57b的前端，將環框f2上的帶切斷部位一邊轉動一邊按壓。
安裝框架回收部25係將安裝框架MF2回收、收納，該安裝框架MF2係藉由黏著帶T1朝向黏著帶T2的轉印而形成。
又，基板轉印裝置1係如圖1所示，進一步具備有：晶圓收納部91、晶圓搬送機構93和晶圓對準部95。晶圓收納部91係積層收納晶圓W。晶圓搬送機構93係將收納於晶圓收納部91的晶圓W朝晶圓對準部95搬送。晶圓對準部95係進行被搬送之晶圓W的對位。
此等構成係為了在涵蓋晶圓W和環框的一面之範圍貼附黏著帶以製作安裝框架而使用。本實施例中係採用已製作安裝框架MF1並收納於安裝框架收納部3的情況為例作說明，本實施例的基板轉印裝置1亦可作為使用晶圓W來製作安裝框架MF1的晶圓安裝裝置使用。
<動作的說明>
其次，使用實施例1的基板轉印裝置1，針對將晶圓W從已實施所期望的處理之安裝框架MF1轉印到新的安裝框架MF2之動作進行說明。圖8(a)係表示基板轉印裝置1的動作之流程圖。圖8(b)係各步驟中之安裝框架MF的示意構成之圖。
此外，本發明中，以晶圓W中形成有電路圖案之側的面作為表面來進行說明。又，本實施例中，在 安裝框架MF1中，屬於保護用黏著帶的黏著帶T1係貼附於晶圓W的表面。再者，本實施例中，黏著帶T1的黏著層係以紫外線硬化性黏著劑構成。
步驟S1(安裝框架的保持)
於安裝框架收納部3積層收納有黏著帶T1貼附於晶圓W表面而製作之安裝框架MF1。第1搬送機構5係把持安裝框架MF1，如圖9所示，從虛線所示的位置朝實線所示的位置移動。
第1搬送機構5係以貼附有黏著帶T1的面為上側，將安裝框架MF1載置於位於切斷位置S的保持台7。第1搬送機構5係在載置有安裝框架MF1後，移動到退避位置(以一例而言，為虛線所示之左側的位置)。在載置有安裝框架MF1後，框架保持部29吸附保持環框f1，晶圓保持部31吸附保持晶圓W。如此，保持台7係以黏著帶T1為非保持面側，吸附保持安裝框架F1。步驟S1中的一連串的工序係相當於本發明的保持工序。
步驟S2(黏著帶T1
Figure TW201801240AD00001
切斷)
在吸附保持有安裝框架MF1後，第1帶切斷機構9會作動，開始進行黏著帶T1的切斷。亦即，藉由第1帶切斷機構9作動，如圖10(a)所示，切斷器單元39會下降到既定的高度為止，切斷器41刺入黏著帶T1。在該狀態下切斷器41繞著通過晶圓W的中心之z方向的軸迴旋，在晶圓W和環框f1之間切斷黏著帶T1。本實施例中，由於係使切斷器41一邊接觸晶圓W的外徑一邊切斷黏著帶T1，所以黏著帶T1可被切成與晶圓W相同的大小。
當黏著帶T1的切斷完成時，切斷器單元39會上升而返回虛線所示的待機位置。藉由將黏著帶T1在晶圓W和環框f1之間切斷，如圖10(b)所示，透過黏著帶T1連結的環框f1和晶圓W會被分離。在實施例1中，一邊使切斷器41與晶圓W的外徑接觸，一邊將黏著帶T1切成與晶圓W相同的形狀及大小，所以黏著帶T1中露出了黏著面的部分(露出部P)會與晶圓W分離。步驟S2中之一連串的工序相當於本發明的帶切斷工序。
步驟S3(環框f1的回收)
黏著帶T1的切斷完成後，利用第1搬送機構5進行環框f1的回收。亦即，第1搬送機構5係如圖11所示，從退避位置朝切斷位置S移動。接著，第1搬送機構5係在安裝框架MF1的上方，下降到既定的高度以把持環框f1。吸附保持有環框f1的第1搬送機構5再度上升，朝左側移動而使環框f1收納於安裝框架收納部3。
在步驟S2中，由於黏著帶T1係沿著晶圓W的外形切斷，故被切下的黏著帶T1(由晶圓W分離之部分的黏著帶T1)，係與環框f1一起被第1搬送機構5回收。被切下的黏著帶T1含有露出部P。因此，黏著帶T1的露出部P會伴隨環框f1被回收，所以藉由步驟S2及步驟S3的工序，可避免黏著帶T1的黏著面在保持台7上露出。
步驟S4(黏著帶T1的剝離)
完成了環框f1及被切下之黏著帶T1的回收後，開始進行貼附於晶圓W表面之黏著帶T1的剝離。保持台7係在吸附保持著晶圓W的狀態下，從切斷位置S朝照射位置T 移動。紫外線照射機構11係對朝照射位置T搬入之晶圓W的黏著帶T1照射紫外線。由於黏著帶T1的接著層係由紫外線硬化性黏著劑所構成，所以紫外線的照射會降低黏著帶T1的黏著力。
照射了紫外線後，保持台7係在吸附保持有晶圓W的狀態下從照射位置T朝剝離位置U移動。帶剝離機構13係將位於晶圓W上面側的黏著帶T1從晶圓W剝離並回收。亦即，如圖5(b)所示，貼附在被保持台7所保持之晶圓W的表面，在黏著帶T1貼附剝離帶Q。接著，在黏著帶T1貼附有剝離帶Q的狀態下，使保持台7朝圖5(a)
Figure TW201801240AD00002
中的右方移動。
藉由使保持台7移動，如圖5(b)所示，剝離帶Q會在剝離構件85的前端折返並移動，所以黏著帶T1會與剝離帶Q成一體而從晶圓W的表面被剝離。剝離帶Q係與被剝離的黏著帶T1一起藉由引導輥83朝剝離構件85引導，在剝離構件85折返並反轉後，被捲取軸87捲取回收。
此外，在步驟S4開始進行的時點，黏著帶T1的露出部P已經從晶圓W分離，而被回收去除。因此，黏著帶T1的黏著面不會超出晶圓W的外側，所以在剝離黏著帶T1之際，可確實地避免黏著帶T1與晶圓W的側面接著。此外，也可確實地避免黏著帶T1與基板保持部31接著。步驟S4中之一連串的工序相當於本發明的帶剝離工序。
步驟S5(環框f2的供給)
完成了黏著帶T1的剝離後，進行新的環框f2的供給 。亦即，保持台7係在吸附保持著晶圓W的狀態下，從剝離位置U朝轉印位置R移動。框架搬送部F係對收納於環框供給部15之環框f2的上面進行吸附保持，朝轉印位置R移動。
接著，框架搬送部F係如圖12所示，將環框f2載置於位在轉印位置R的環框保持部29。框架搬送部F係於載置環框f2後，朝退避位置移動。待環框f2已載置後，框架保持部29吸附保持環框f2。藉由環框f2被吸附保持，而完成環框f2的供給。此外，供給環框f2的工序亦可在剝離黏著帶T1的工序之前進行。
步驟S6(黏著帶T2的貼附)
完成了黏著帶T1的剝離及環框f2的供給後，帶貼附機構17會作動，開始進行黏著帶T2的貼附。亦即，藉由帶貼附機構17作動，如圖13(a)所示，貼附輥45下降到既定的高度而從圖的右方朝左方轉動。藉由貼附輥45轉動，裝填於帶供給部43的黏著帶T2會被貼附於涵蓋晶圓W及環框f2的上面之範圍(圖13(b))。
晶圓W的上面即為黏著帶T1經剝離後之晶圓W的表面側。因此，藉由貼附黏著帶T2，晶圓W的表面會從黏著帶T1被轉印到新的黏著帶T2。亦即，藉由轉印，在晶圓W的同一面進行轉印，而製作新的安裝框架MF2。步驟S5中之一連串的工序相當於本發明的轉印工序。
步驟S7(黏著帶T2的切斷)
將黏著帶T2貼附於晶圓W及環框f2後，第2帶切斷機構19會作動，開始進行黏著帶T2的切斷。亦即，如圖14 所示，藉由第2帶切斷機構19作動，支軸55下降到既定的高度為止，切斷器59刺入黏著帶T2。在此狀態下使支軸55繞著z方向的軸旋轉，將黏著帶T2沿著環框f2切斷成圓形。
環框f2上黏著帶T2已被切斷的部位，係被轉動的按壓輥61按壓。之後，令設置於帶貼附機構17的剝離輥49從圖的右方朝左方轉動，將殘留於切斷線外側之不要的黏著帶T2從環框f2剝離。被剝離的不要的黏著帶T2，透過帶回收部51捲取並回收。
步驟S8(安裝框架的回收)
完成了黏著帶T2的貼附及切斷後，進行安裝框架的回收。亦即，未圖示的第2搬送裝置係將藉由黏著帶T2的貼附而形成的安裝框架MF2朝安裝框架回收部25搬送。安裝框架回收部25係將安裝框架MF2回收、收納
藉由以上一連串的動作，從晶圓W表面貼附黏著帶T1而構成的安裝框架MF1，朝向晶圓W表面貼附黏著帶T2而構成的安裝框架MF2轉印之工序係全部完成。
以上，結束一個循環的基本動作，之後，重複相同的動作。
<基於實施例1的構成之效果>
習知的基板轉印方法中，係如圖2(b)所示，從晶圓W的一面朝另一面轉印黏著帶。因此，在需要在晶圓的同一面貼附不同的黏著帶之情況下，以往必須進行兩次轉印。
亦即，習知的構成中，首先對於一面貼附有 黏著帶T1的晶圓W(圖15、上面的圖式)，於該晶圓W的另一面貼附黏著帶T3並將黏著帶T1剝離(圖15、中間的圖式)。接著，必須在黏著帶T1被剝離後之晶圓W的一面，貼附新的黏著帶T2並剝離黏著帶T3(圖15、下面的圖式)。
其結果，習知的構成中，用以在晶圓的相同面進行轉印的工序變得繁雜。此外，由於必須有黏著帶T3及貼附此黏著帶T3的構成，所以擔心會有轉印所需成本亦增加的問題。
本發明人等，反覆實驗等並致力檢討的結果，可獲得以下的見解。在將黏著帶T1從環框f1及晶圓W分別直接剝離時，會擔心因環框f1、晶圓W及黏著帶T1的材料而發生晶圓W破損或剝離不良的問題。亦即，環框f1和黏著帶T1之間的接著力B1、及晶圓W和黏著帶T1之間的接著力B2係依各構成的材料而異。此外，就作為環框f1、晶圓W及黏著帶使用的材料的一般例考量時，一般來說，接著力B1比接著力B2強。
因此，在將黏著帶T1從安裝框架MF1的一面剝離之際，為了將黏著帶T1確實地從環框f1剝離，而施加因應接著力B1的強力時，過度地朝晶圓W施加強力的結果，擔心會有發生晶圓W破損的問題之虞。此外，擔心會有保持台沒有保持好晶圓W而發生晶圓W散逸的問題。尤其，在安裝框架MF1的另一面沒有以黏著帶等支持的情況下，因為晶圓W和環框f1沒有被支持，所以晶圓W發生散逸的可能性變更高。
另一方面，在為了避免晶圓W的破損而將因 應接著力B2之較弱的力施加於安裝框架MF1時，難以將黏著帶T1確實地從環框f1剝離，其結果，會擔心發生剝離不良的問題。
因此，習知的轉印方法中，在將其他的黏著帶T3貼附於安裝框架MF1的另一面以支持環框f1和晶圓W的狀態下，必須施加較強的力來剝離黏著帶T1。其結果，習知的構成中，在對安裝框架MF的同一面進行黏著帶的轉印時，因為至少需要進行兩次轉印，所以轉印的工序會變繁雜。
近年來，對已進行背面研磨處理的晶圓背面連續進行各式各樣的處理之需求變大。舉例來說，有：在背面研磨處理後藉由酸/鹼處理或熱處理改變該背面的光折射率之工序；在熱處理等後藉由切割、破斷、延展等的各處理將晶片單片化之工序；以及在單片化後拾起(pick up)晶片之工序等。
為了適當地執行此種工序，必須將貼附於晶圓表面的保護用黏著帶，依序換貼成耐溶劑帶、耐熱帶、切割帶、拾起用帶等具有因應各工序之內容的特性之新的黏著帶。習知的轉印方法中，因為每當在對晶圓的同一面換貼黏著帶時必須兩次的轉印工序，所以難以對晶圓連續地進行各式各樣的處理。
對於此種習知例，實施例1的基板轉印裝置1具備有第1帶切斷機構9和帶剝離機構13。第1帶切斷機構9係在步驟S2中，於晶圓W和環框f1之間切斷黏著帶T1而將晶圓W和環框f1分離。然後，帶剝離機構13係在步驟 S3中，將黏著帶T1從自環框f1分離的晶圓W剝離。
在步驟S3中，接著於晶圓W的黏著帶T1並沒有與環框f1接著。因此，帶剝離機構13藉由施加因應晶圓W和黏著帶T1之間的接著力B2之較弱的力，即可將黏著帶T1適當地剝離。亦即，能夠避免藉由施加因應環框f1和黏著帶T1之間的接著力B1之過度強的力，而導致晶圓W發生破損、散逸之間題。
又，因為可藉由因應接著力B2之較弱的力，將黏著帶T1從晶圓W剝離，所以在實施例1中將黏著帶T1從晶圓W剝離時，不需要以其他的黏著帶來支持安裝框架MF1的另一面。因此，在實施例1的基板轉印方法中，藉由一次的轉印，即可執行在安裝框架MF1的同一面之黏著帶的換貼(轉印)(圖2(a))。其結果，可將在安裝框架MF1的同一面之黏著帶的換貼所需之工序單純化，並可大幅地抑制成本。
又，在實施例1中，保持台7係在保持著安裝框架MF1的狀態下，可自由地往復移動於至少切斷位置S、轉印位置R、剝離位置U之間。亦即，用於進行黏著帶的轉印處理之一連串的工序係全部在同一的保持台7上進行，所以轉印處理之際不需要將晶圓W從保持台7搬送到其他的保持台。
因此，即便是在晶圓W藉由背面研磨處理已薄層化的狀態或藉由切割處理已單片化的狀態等一般難以進行晶圓W的搬送之情況下，也可在保持台7穩定地保持著晶圓W的狀態下，對晶圓W的同一面執行從黏著帶 T1朝黏著帶T2的轉印。
因此，即便在背面研磨處理或切割處理後連續地進行各式各樣處理的情況下，也可在保持台7穩定地保持著晶圓W的狀態下，容易地依序朝具有因應所需處理的內容之特性的黏著帶進行轉印。其結果，即便在對已進行了薄層化處理或單片化處理的晶圓，連續進行了酸/鹼處理或破斷處理等各式各樣處理之情況下，也能以單純的工序依序地轉印到適當的黏著帶，所以可適當地對晶圓執行該處理。
再者，實施例1中，第1帶切斷機構9係將保持於保持台7之安裝框架MF1的黏著帶T1切斷成與晶圓W相同的大小。藉由將黏著帶T1切斷成與晶圓W相同的形狀及大小，而使從晶圓W的一面超出外側的黏著帶T1即露出部P從晶圓W分離。然後，所分離的露出部P係與環框f1一起被第1搬送機構5回收，而收納至安裝框架收納部3。
由於黏著帶T1的露出部P係與晶圓W分離，所以在切下黏著帶T1後，黏著帶T1的黏著面不會露出晶圓W的外側。因此，在將黏著帶T1從晶圓W的表面剝離之際，可確實地避免黏著帶T1的黏著面接著於晶圓W的側面、或黏著帶T1的黏著面接著於保持台7的情況。因此，能夠以更高的精度進行黏著帶T1的剝離工序。又，在實施例1的保持台7中，可使晶圓保持部31小於晶圓W的直徑，所以可避免基板轉印裝置1的大型化。
[實施例2]
其次，說明本發明的實施例2。圖16(a)係表示實施例2之基板轉印裝置的動作之流程圖。圖16(b)係表示實施例2之各步驟中的安裝框架MF的示意構成之圖。此外，實施例2的基板轉印裝置的構成係與實施例1的基板轉印裝置1同樣。惟，實施例2之基板轉印裝置的動作，在省略實施例1的步驟S2~S4的工序這點，係與實施例1的動作不同。
亦即，在實施例2中，首先，在黏著帶T1設為非保持面側的狀態下，使安裝框架MF1吸附保持於保持台7(步驟S1A)。接著，帶剝離機構13將黏著帶T1分別從環框f1及晶圓W剝離(步驟S2A)。
帶貼附機構17係在剝離了黏著帶T1後的環框f1及晶圓W的上面側(非保持面側)貼附黏著帶T2，作成新的安裝框架MF2(步驟S3A)。然後，將黏著帶T2沿著環框f1的上面切斷(步驟S4A)，將安裝框架MF2回收(步驟S5A)。
以下，詳細說明實施例2的各步驟。此外，關於與實施例1的共通點，則簡略化說明。
步驟S1A(安裝框架的保持)
步驟S1A的工序係與實施例1的步驟S1相同。亦即，第1搬送機構5係把持收納於安裝框架收納部3的安裝框架MF1，以貼附有黏著帶T1的面為上側，將安裝框架MF1載置於位於切斷位置S的保持台7(圖9)。保持台7係以黏著帶T1為非保持面側，吸附保持安裝框架F1。
步驟S2A(黏著帶T1的剝離)
安裝框架MF1被吸附保持後，開始進行貼附於安裝 框架MF1表面之黏著帶T1的剝離。保持台7係在吸附保持著安裝框架MF1的狀態下，從切斷位置S朝照射位置T移動。紫外線照射機構11對被搬入照射位置T之安裝框架MF1的黏著帶T1照射紫外線。黏著帶T1的接著層係由紫外線硬化性的黏著劑構成，所以藉由紫外線的照射會黏著帶T1的黏著力。
照射紫外線後，保持台7係在吸附保持著安裝框架MF1的狀態下從照射位置T朝剝離位置U移動。帶剝離機構13係將位於晶圓W上面側的黏著帶T1從安裝框架MF1剝離並回收。亦即，如圖17所示，在貼附於安裝框架MF1表面的黏著帶T1上，貼附剝離帶Q。在黏著帶T1上貼附有剝離帶Q的狀態下，使保持台7移動。
藉由使保持台7移動，如圖17所示，由於剝離帶Q會在剝離構件85的前端折返並移動，所以黏著帶T1係與剝離帶Q成為一體而從環框f1及晶圓W的表面被剝離。由於黏著帶T1係因紫外線照射而降低黏著力，所以即便施加於安裝框架MF1的力是較弱的力，也可將黏著帶T1容易地從環框f1剝離。
因此，即便是從安裝框架MF1直接剝離黏著帶T1之構成，即從環框f1及晶圓W的各者同時地剝離黏著帶T1之構成，也能適當地避免因加過多的力所導致之晶圓W的破損或散逸。此外，與實施例1同樣地，剝離帶Q係連同被剝離的黏著帶T1一起藉由引導輥83朝剝離構件85引導，在剝離構件85中折返並反轉後，被捲取軸87捲取回收。
步驟S3A(黏著帶T2的貼附)
完成了黏著帶T1的剝離後，帶貼附機構17會作動，而開始進行黏著帶T2的貼附。此外，在實施例2中與實施例1不同的是，省略了環框f1的回收工序及環框f2的供給工序。因此，在實施例2中，黏著帶T2係被貼附於晶圓W及環框f1。
貼附黏著帶T2的工序本身係與實施例1相同。亦即，藉由帶貼附機構17作動，如圖13(a)所示，貼附輥45下降到既定的高度為止而從圖的右方朝左方轉動。藉由貼附輥45轉動，裝填於帶供給部43的黏著帶T2係遍及晶圓W及環框f1的上面而被貼附(圖13(b))。
晶圓W的上面即為黏著帶T1經剝離後之晶圓W的表面側。因此，藉由貼附黏著帶T2，晶圓W的表面從黏著帶T1被轉印到新的黏著帶T2。亦即，透過轉印而在晶圓W的同一面進行轉印，來製作新的安裝框架MF2。步驟S3A之一連串的工序相當於本發明的轉印工序。
步驟S4A(黏著帶T2的切斷)
在晶圓W及環框f1貼附了黏著帶T2後，第2帶切斷機構19會作動，而開始進行黏著帶T2的切斷。步驟S4A的工序係與實施例1的步驟S7相同。亦即，如圖14所示，藉由第2帶切斷機構19作動，切斷器59會刺穿環框f1上的黏著帶T2。在此狀態下使支軸55繞著z方向的軸旋轉，而將黏著帶T2沿著環框f1切成圓形。
在環框f1上黏著帶T2被切斷的部位，係藉由轉動的按壓輥61所按壓。然後，使設置於帶貼附機構17 的剝離輥49從圖的右方轉動到左方，將殘留於切斷線外側之不要的黏著帶T2從環框f1剝離。被剝離之不要的黏著帶T2係由帶回收部51捲取回收。
步驟S5A(安裝框架的回收)
黏著帶T2的貼附及切斷完成後，與實施例1同樣，進行安裝框架的回收。亦即，未圖示的第2搬送裝置係將藉由黏著帶T2的貼附所形成的安裝框架MF2朝安裝框架回收部25。安裝框架回收部25將安裝框架MF2回收、收納。
藉由以上一連串的動作，在晶圓W的表面從黏著帶T1轉印到新的黏著帶T2之工序全部完成。
<基於實施例2的構成之功效>
在實施例2中，與實施例1同樣地，可藉由一次的轉印工序，在晶圓W的同一面從黏著帶T1換貼到黏著帶T2。因此，與實施例1同樣，可將在安裝框架MF1的同一面之黏著帶的換貼所需之工序單純化，並可大幅抑制成本。又，由於一連串的工序係在同一保持台7上進行，所以即便是在對已進行了薄層化處理或單片化處理的晶圓，連續地進行各式各樣的處理之情況，也能較佳地執行依序轉印到適當的黏著帶之處理。
此外，在實施例2中，係從環框f1及晶圓W同時剝離黏著帶T1，並對經剝離後的同一面貼附黏著帶T2。因此，在實施例2中，與實施例1不同的是，可省略切斷黏著帶T1的工序、及將環框f1交換成環框f2之一連串的工序。因此，在實施例2中，可省略第1帶切斷機構9、環框f2及環框供給部15，所以可避免基板轉印裝置1的 大型化，並可降低成本。
本發明不侷限於上述實施形態，可如下述變形實施。
(1)上述各實施例中，係作成使用紫外線硬化性黏著帶T1及紫外線照射機構11的構成，惟只要是可降低黏著帶T1的黏著力之構成即可，不限於使用紫外線之構成。亦即，作為一例，亦可構成為使用熱硬化性黏著帶作為黏著帶T1，並加熱黏著帶T1以作為剝離黏著帶T1的前階段，藉此來降低黏著力。
由於在此種構成中也能在剝離黏著帶T1前降低黏著力，所以可使剝離黏著帶T1之際所需要的力變得較小。其結果，可適當地避免在剝離黏著帶T1之際晶圓W發生破損、散逸。此外，只要是在剝離黏著帶T1之際可適當地避免晶圓W發生破損、散逸之構成即可，也可以是在剝離黏著帶T1前不進行使黏著帶T1的黏著力降低之工序(預備操作)的構成。尤其，在實施例1中亦可省略照射紫外線以進行預備操作之工序。採用省略預備操作的構成時，無關乎構成黏著帶T1的黏著層之材料為何，皆可達成各實施例之效果。
(2)在上述實施例1中，於步驟S3中構成為將所切下之部分的黏著帶T1連同環框f1一起回收，但不限定於此。亦即，亦可構成為將所切下之部分的黏著帶T1自環框f1剝離，並僅回收所切下之部分的黏著帶T1。
在此種變形例(2)的構成中，於實施例1的構成中不啟用用環框f2下，可在步驟S6中以涵蓋環框f1與 晶圓W的另一面之範圍來貼附黏著帶T2。因此，由於可省略環框f2及環框供給部15，所以可避免基板轉印裝置1的大型化，且亦可降低成本。
(3)在上述實施例1中，雖在步驟S5中供給新的環框f2後，在步驟S6中將黏著帶T2貼附於環框f2與晶圓W的上面，但轉印於黏著帶T2的構成並不侷限於此。亦即，亦可構成為對搬入轉印位置R的晶圓W供給預先貼附有黏著帶T2的環框f2，將黏著帶T2貼附於晶圓W的上面。
(4)在上述實施例及變形例中，第1帶切斷機構9係採用使用切斷器41之構成，但亦可取代切斷刃，而改採用藉由雷射切斷黏著帶之構成。
(5)在上述實施例及變形例中，係以半導體晶圓當作基板為例來說明，惟該裝置可適用於LED用基板或電路基板等各種形狀及尺寸的基板。於此情況，在帶切斷工序中被切斷之黏著帶T1的形狀係可因應所適用的基板外形而改變。
因此，所使用之基板支持用框架並不限定於晶圓用環框f，亦可利用因應所使用的基板形狀之四角形等的框架。若為四角形框架，可將例如複數個四角形基板藉由黏著帶接著保持，可減少死空間(dead space)。其結果，可提高作業效率。
(6)在上述各實施例中，轉印源的環框f1和轉印目標的新的環框f2係採用同一形狀之構成，惟亦可組合不同形狀的框架來使用。
(7)在上述各實施例及變形例中，亦可將預先切斷成環框形狀之預切型(pre-cut type)黏著帶T2貼附於環框f2。
(8)在上述實施例1中，於步驟S2中，在利用比晶圓W的直徑還小的晶圓保持部31保持的狀態下，一邊使切斷器41接觸晶圓的外形一邊切斷。然而，步驟S2的帶切斷工序不限於將此種黏著帶T1切成與晶圓W相同的大小之構成。亦即，亦可如圖18(a)所示，在利用比晶圓W的直徑還大的晶圓保持部31保持的狀態下，一邊使切斷器41接觸晶圓保持部31的外形，一邊切斷黏著帶T1。
在此種變形例(8)的構成中，於步驟S2，黏著帶T1係被切成比晶圓W的直徑還寬的大小。在此種變形例中，於帶切斷工序後，被切下的黏著帶T1中之超出晶圓W外側之部分的長度k，係如圖18(a)所示為晶圓W的厚度G以下者較佳。
(9)又，就變形例(8)的其他構成而言，亦可如圖18(b)所示構成為在不使切斷器41與晶圓W的外徑及晶圓保持部31的外徑之任一者接觸的情況下，將黏著帶T1切成比晶圓W稍微寬的大小。在此種變形例(9)中，與變形例(8)同樣地，在帶切斷工序後，被切成大致圓形的黏著帶T1中超出晶圓W外側之部分的長度k(被切下之黏著帶T1的半徑Tr與晶圓W的半徑Wr之差)，係以在晶圓W的厚度G以下較佳。
當長度k是在厚度G以下時，如圖16(c)所示，即便在轉印工序中黏著帶T1係以在晶圓W的端部從虛線 所示位置朝實線所示位置彎折的方式變形的情況，也能確實地避免黏著帶T1與晶圓保持部31接觸。因此，由於可更確實地避免因黏著帶T1和晶圓保持部31接著而妨礙從晶圓W剝離黏著帶T1的操作，所以可更適當地執行對黏著帶T2的轉印。
又，在變形例(9)的構成中，晶圓保持部31的半徑D係以小於被切下之黏著帶T1的半徑Tr較佳。於此情況，切斷器41由於能夠以貫通黏著帶T1的方式切斷，所以可更適當地切斷黏著帶T1。在本發明的各實施例及變形例中，帶切斷工序中「沿著晶圓的外形切斷黏著帶」係指，不僅是將黏著帶T1切斷成與晶圓W相同大小的情況，亦包含以可確實地避免切換後的黏著帶T1與晶圓保持部31的接著之程度，將黏著帶T1切斷成比晶圓W的外形還寬的大小之情況。
(10)此外，上述實施例2中，係在剝離黏著帶T1後再度使用環框f1，並將黏著帶T2貼附於環框f1及晶圓W的非保持面側，但不侷限於此。亦即，在實施例2中亦可與實施例1同樣地，在剝離黏著帶T1後將環框f1回收並供給新的環框f2。
此外，實施例2中，亦可採用能選擇在剝離黏著帶T1後再度使用環框f1、或將環框f1交換成環框f2之構成。於此情況，可依據晶圓W的形狀或處理，將貼附黏著帶T2的環框適當地選擇為f1或f2，所以可提升轉印工序的通用性。
31‧‧‧晶圓保持部(基板保持部)
41、59‧‧‧切斷器
f1、f2‧‧‧環框
T1‧‧‧黏著帶(第1黏著帶)
T2‧‧‧黏著帶(第2黏著帶)
MF1、MF2‧‧‧安裝框架
W‧‧‧半導體晶圓

Claims (16)

  1. 一種基板轉印方法，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印方法，其特徵為具備：保持工序，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，利用保持構件保持前述環框及前述基板；帶剝離工序，係在前述保持工序後，將前述第1黏著帶從前述環框及前述基板剝離；及轉印工序，係在前述帶剝離工序後，從前述環框及前述基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
  2. 一種基板轉印方法，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印方法，其特徵為具備：保持工序，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，利用保持構件保持前述環框及前述基板；帶切斷工序，係在前述保持工序後，切斷前述第1黏著帶以使前述環框與前述基板分離；帶剝離工序，係在前述帶切斷工序後，將貼附於前述基板的前述第1黏著帶從前述基板剝離；及轉印工序，在前述帶剝離工序後，從前述環框及前述基板的非保持面側貼附第2黏著帶以進行轉印。
  3. 如請求項2之基板轉印方法，其中在前述帶切斷工序中，係以前述第1黏著帶從前述基板的外形超出外側之部分的長度會成為前述基板的厚度以下之方式，切斷前述第1黏著帶。
  4. 如請求項2之基板轉印方法，其中在前述帶切斷工序中，前述第1黏著帶係被切斷成與前述基板相同的大小。
  5. 如請求項2之基板轉印方法，其中在前述帶切斷工序中，使用切斷刃切斷前述第1黏著帶。
  6. 如請求項2之基板轉印方法，其中，在前述帶切斷工序中，使用雷射切斷前述第1黏著帶。
  7. 如請求項1或2之基板轉印方法，其中前述保持構件係比前述基板的直徑小。
  8. 如請求項1或2之基板轉印方法，其中在前述轉印工序中，將預先貼附有前述第2黏著帶的新的環框與前述基板重疊，從前述基板的非保持面側貼附前述第2黏著帶以進行轉印。
  9. 一種基板轉印裝置，係將隔介第1黏著帶接著保持於環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印裝置，其特徵為具備：保持部，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，保持前述環框及前述基板；帶剝離部，係將前述第1黏著帶從被前述保持部所保持的前述環框及前述基板剝離；及轉印機構，係從已剝離前述第1黏著帶的前述環框及前述基板的非保持面側，貼附第2黏著帶以進行轉印。
  10. 一種基板轉印裝置，係將隔介第1黏著帶接著保持於 環框內的基板轉印到第2黏著帶之基板轉印裝置，其特徵為具備：保持部，係在將前述第1黏著帶設為非保持面側的狀態下，保持前述環框及前述基板；帶切斷部，係在被前述保持部所保持的前述環框與前述基板之間，切斷前述第1黏著帶以使前述環框與前述基板分離；帶剝離部，係將貼附於自前述環框分離的前述基板之前述第1黏著帶，從前述基板剝離；及轉印機構，係從已剝離前述第1黏著帶之前述基板的非保持面側，貼附第2黏著帶以進行轉印。
  11. 如請求項10之基板轉印裝置，其中前述帶切斷部係以前述第1黏著帶從前述基板的外形超出外側之部分的長度會成為前述基板的厚度以下之方式，切斷前述第1黏著帶。
  12. 如請求項10之基板轉印裝置，其中前述帶切斷部係將前述第1黏著帶切斷成與前述基板相同的大小。
  13. 如請求項10之基板轉印裝置，其中前述帶切斷部係使用切斷刃切斷前述第1黏著帶。
  14. 如請求項10之基板轉印裝置，其中前述帶切斷部係使用雷射切斷前述第1黏著帶。
  15. 如請求項9或10之基板轉印裝置，前述保持部係比前述基板的直徑小。
  16. 如請求項9或10之基板轉印裝置，其中 前述轉印機構係將預先貼附有前述第2黏著帶的新的環框與前述基板重疊，從前述基板的非保持面側貼附前述第2黏著帶以進行轉印。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168656A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005260154A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2007088038A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Lintec Corp 貼替装置及び貼替方法
JP2013254807A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP6143331B2 (ja) * 2013-03-01 2017-06-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6473359B2 (ja) * 2015-03-20 2019-02-20 リンテック株式会社 シート剥離装置

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