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TW201701318A - 具有傾斜的限制環之電漿處理系統與結構 - Google Patents

具有傾斜的限制環之電漿處理系統與結構 Download PDF

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TW201701318A
TW201701318A TW105109788A TW105109788A TW201701318A TW 201701318 A TW201701318 A TW 201701318A TW 105109788 A TW105109788 A TW 105109788A TW 105109788 A TW105109788 A TW 105109788A TW 201701318 A TW201701318 A TW 201701318A
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annular structure
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pedestal
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TW105109788A
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愛德華 奧古斯丁尼亞克
崎山幸紀
談太德
法亞茲 謝赫
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蘭姆研究公司
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Abstract

電漿腔室包括基座、上電極及環狀結構。基座具有用以支撐晶圓之中央區域、及在中央區域周圍之階部區域。傾斜區域在階部區域周圍，傾斜區域之頂表面係從階部區域向下傾斜，俾使在頂表面之內邊界與中央區域之間之垂直距離係小於在頂表面之外邊界與中央區域之間之垂直距離。上電極係耦接至射頻電源。當環狀結構被放置在基座之上時，環狀結構之內周緣係在基座之中央區域周圍，環狀結構之一部分之厚度係隨著環狀結構之半徑而增加。

Description

具有傾斜的限制環之電漿處理系統與結構
本發明係關於具有限制環之電漿處理系統與結構。
在半導體製造中，電容耦合式電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）及原子層沉積（ALD）處理通常受惠於電漿限制。藉由限制電漿於晶圓之上且稍微超出晶圓之邊緣，避免了以電漿填滿整個處理腔室之需求。此藉由減少在處理期間所消耗之功率及化學品之量而增加了處理之效能。
用於限制腔室中之電漿之一習知方法係涉及圍繞著晶圓之限制環之使用。限制環（其通常由氧化鋁（Al2 O3 ）所製成）是平的，且限制環之厚度是固定的。限制環產生高阻抗路徑並且減少了局部電場。此用於局部地抑制電漿超出晶圓之邊緣。在晶圓上的電漿密度增加，其產生較快的處理（例如，較高的沉積速率處理）。
使用平的限制環之電漿限制之重大缺點為，在徑向方向上之電阻抗之改變不僅是急遽的，而且發生於非常靠近晶圓之邊緣。阻抗之急遽改變影響了在晶圓邊緣附近之電漿之均勻性。因此，在晶圓邊緣之非均勻沉積是常見的事情。具有均勻厚度之平的限制環通常是用於提供限制及可接受的處理均勻性於所需之接近晶圓邊緣。然而，通常，這兩個目標是矛盾的，且發生在晶圓邊緣之沉積依然不均勻。
在此背景下產生了本發明之實施例。
在一示例性實施例中，電漿腔室包括：基座；上電極，設置於基座之上；及環狀結構，設置於基座之上。基座係用以在處理期間支撐半導體晶圓，並且具有用以支撐半導體晶圓之中央區域。中央區域之頂表面為實質上平的。階部區域係形成在中央區域周圍，階部區域之頂表面形成在低於中央區域之頂表面之位置。基座具有在階部區域周圍之傾斜區域，傾斜區域之頂表面延伸於內邊界與外邊界之間。傾斜區域之頂表面係從階部區域向下傾斜，俾使在傾斜區域之頂表面之內邊界與中央區域之間之垂直距離係小於在傾斜區域之頂表面之外邊界與中央區域之間之垂直距離，垂直距離係在垂直於中央區域之頂表面之方向上加以測量。基座係電連接至參考接地電位。
上電極設置於基座之上，上電極係整合於用以在處理期間傳送沉積氣體至電漿腔室中之噴淋頭。上電極係耦接至射頻（RF）電源，RF電源係用以在基座與上電極之間點燃電漿，以在處理期間協助一材料層之沉積在半導體晶圓上。
環狀結構設置於基座之上。當環狀結構被放置在基座之上時，環狀結構之內周緣係在基座之中央區域周圍，環狀結構之一部分之厚度係隨著環狀結構之半徑而增加。
在一實施例中，環狀結構之該部分之厚度係隨著環狀結構之半徑而線性地增加。在一實施例中，環狀結構之該部分之厚度係根據基座之傾斜區域之斜率而增加。
在一實施例中，環狀結構包括向下階部區域，向下階部區域具有頂表面及側表面，向下階部區域係配置為俾使當半導體晶圓係配置在基座之中央區域之上時，半導體晶圓之邊緣係配置在向下階部區域之頂表面之上。在一實施例中，環狀結構在垂直方向上係可移動的，該垂直方向係垂直於基座之中央區域，俾使當環狀結構在垂直方向被抬升時，環狀結構從基座之中央區域抬升半導體晶圓。
在一實施例中，基座之階部區域係設置有三或更多最小接觸區域以支撐環狀結構，當環狀結構被最小接觸區域所支撐時，環狀結構與基座之傾斜區域並非物理接觸。
在一實施例中，當電漿點燃時，厚度隨著環狀結構之半徑而增加之環狀結構之該部分係提供在基座之中央區域周圍之阻抗之平緩的增加。在一實施例中，基座之傾斜區域提供在基座之周緣與中央區域之間之平緩的阻抗增加，其中當電漿點燃時，基座之周緣比中央區域具有較高的阻抗。在一實施例中，當電漿點燃時，平緩的阻抗增加係表現為在半導體晶圓上之電漿之平緩的限制。
在另一示例性實施例中，用於處理基板之腔室包括上電極，設置於腔室中；及基座，設置於上電極之下。上電極係耦接至射頻（RF）電源。基座係耦接至參考接地電位，基座具有用以支撐基板之中央區域，中央區域之頂表面為實質上平的。基座具有在中央區域周圍之階部區域，階部區域之頂表面形成在低於中央區域之頂表面之位置。此外，基座具有在階部區域周圍之傾斜區域，傾斜區域之頂表面延伸於內邊界與外邊界之間。傾斜區域之頂表面係從階部區域向下傾斜，俾使在傾斜區域之頂表面之內邊界與中央區域之間之垂直距離係小於在傾斜區域之頂表面之外邊界與中央區域之間之垂直距離，垂直距離係在垂直於中央區域之頂表面之方向上加以測量。
在一實施例中，腔室亦包括環狀結構，設置於基座之上。當環狀結構被放置在基座之上時，環狀結構之內周緣係在基座之中央區域周圍。此外，環狀結構之一部分之厚度係隨著環狀結構之半徑而增加。
在一實施例中，厚度隨著環狀結構之半徑而增加之環狀結構之該部分具有楔形橫剖面。在一實施例中，環狀結構之下表面之至少一部分係位於基座之傾斜區域上，環狀結構之頂表面之至少一部分係實質平行於基座之中央區域。
在一實施例中，環狀結構包括向下階部區域，向下階部區域具有頂表面及側表面，向下階部區域係配置為俾使當基板配置在基座之中央區域之上時，基板之邊緣係配置在向下階部區域之頂表面之上。
在又另一示例性實施例中，基座包括中央區域、階部區域及傾斜區域。中央區域之頂表面為實質上平的。階部區域在中央區域周圍，階部區域之頂表面形成在低於中央區域之頂表面之位置。傾斜區域在階部區域周圍，傾斜區域之頂表面延伸於內邊界與外邊界之間。傾斜區域之頂表面係從階部區域向下傾斜，俾使在傾斜區域之頂表面之內邊界與中央區域之間之垂直距離係小於在傾斜區域之頂表面之外邊界與中央區域之間之垂直距離，垂直距離係在垂直於中央區域之頂表面之方向上加以測量。
在一實施例中，傾斜區域係定向為俾使由傾斜區域之頂表面所界定之一線相對於由中央區域之頂表面所界定之一水平線定義一角度，該角度係從1度至45度。在一實施例中，該角度係從5度至30度。
在又另一示例性實施例中，環狀結構具有中央部、內延伸部及外延伸部。中央部具有內邊界及外邊界。中央部具有頂表面及底表面，頂表面及底表面界定了中央部之厚度。中央部之底表面係相對於由中央部之頂表面所界定之一線而定向為一角度，俾使中央部之厚度從內邊界至外邊界而增加。
內延伸部係延伸自中央部之內邊界，內延伸部具有頂表面及底表面。頂表面及底表面界定了內延伸部之厚度，內延伸部之厚度係小於中央部在中央部之內邊界之厚度。
外延伸部係延伸自中央部之外邊界，外延伸部具有頂表面及底表面。頂表面及底表面界定了外延伸部之厚度，外延伸部之厚度係小於中央部在中央部之外邊界之厚度。此外，外延伸部之頂表面與中央部之頂表面係共平面的。
在一實施例中，外延伸部為第一外延伸部，環狀結構更包括第二外延伸部，第二外延伸部係延伸自中央部之外邊界，第二外延伸部具有頂表面及底表面。頂表面及底表面界定了第二外延伸部之厚度，第二外延伸部之厚度係小於中央部在中央部之外邊界之厚度。此外，第二外延伸部之底表面與中央部之底表面係共平面的。
在一實施例中，環狀結構更包括第三外延伸部，第三外延伸部係延伸自中央部之外邊界。第三外延伸部具有頂表面及底表面，第三外延伸部之頂表面與第一外延伸部之底表面係分隔開且實質平行。第三外延伸部之底表面與第二外延伸部之頂表面係分隔開且實質平行。
由以下的實施方式並且伴隨著圖式，在本文中之揭示內容之其它態樣及優點將變得更為清楚，實施方式藉由範例的方式說明本揭露內容之原理。
在以下敘述中，數個特定細節被提出以提供對於示例性實施例之徹底了解。然而，明顯地，對於熟悉此項技藝者而言，示例性實施例可在沒有這些特定細節之部分之情況下加以實施。在其它的情況下，若已為眾所周知的，則處理操作及實行細節並未詳細地加以描述。
在以下實施例中，揭露一種具有傾斜限制環之電漿處理系統。傾斜限制環係用以圍繞著基板（例如，晶圓）位置及設計以平緩的方式而影響在限制環之內直徑與外直徑之間之阻抗。由傾斜限制環所造成之阻抗之平緩增加有助於改善電漿限制及消除在晶圓邊緣之阻抗之急遽改變，晶圓邊緣之阻抗之急遽改變可能負面地影響在晶圓邊緣附近之處理均勻性。在本文中所顯示及描述之傾斜限制環及傾斜基座區域之實施例（並特別參考著圖2A、3A-3E、4A-4C及5A-5C）對於電漿限制之改善有所貢獻並且能夠達成更好的處理均勻性。
圖1為說明用以處理基板101之基板處理系統100之概要圖。在一實施例中，該基板為矽晶圓。該系統包括具有下腔室部102b及上腔室部102a的腔室102。中心柱係用以支撐基座140，在一實施例中基座140為接地電極。在所述範例中，噴淋頭150係經由匹配網路106而電性耦接至電源104。在其它實施例中，基座140可供電且噴淋頭150可接地。電源係由控制模組110（例如，控制器）所控制。控制模組110係用以藉由執行處理輸入及控制108而操作基板處理系統100。處理輸入及控制108可包括處理配方（例如，功率位準、時序參數、處理氣體、晶圓101的機械移動等），從而在晶圓101上進行沉積或形成複數膜。
中心柱亦顯示包括升降銷120，其由升降銷控制122所控制。升降銷120係用以使晶圓101從基座140上升以容許末端執行器拿取晶圓，並在末端執行器放置晶圓後使晶圓降低。基板處理系統100更包括氣體供應歧管112，連接至處理氣體114（例如，由工廠供應之氣體化學品）。取決於正在執行的處理，控制模組110控制處理氣體114經由氣體供應歧管112之傳送。使選擇的氣體流至噴淋頭150中，且使其分佈在一空間容積中，該空間容積係界定於噴淋頭150之面向晶圓101之面與設置在基座140上之晶圓之頂表面之間。
氣體可進行預混合、或不進行預混合。可採用適當的閥及質流控制機構以確保在處理之沉積及電漿處理階段期間傳送正確的氣體。處理氣體經由合適的出口而離開腔室102。真空泵（例如，一或二段式機械式乾燥泵、及∕或渦輪分子泵）將處理氣體抽出，並且藉由閉合迴路控制的流量限制裝置（例如，節流閥或擺式閥）而在反應器中維持適當低的壓力。
繼續參考圖1，載送環200圍繞著基座140之外部區域。在晶圓往返基座的運送期間，載送環係用以支撐晶圓。載送環200係配置為位於載送環支撐區域之上，該載送環支撐區域係自基座140中央內之晶圓支撐區域起的低一階處。載送環200包括其環狀結構的外邊緣側（例如，外半徑）及其環狀結構之晶圓邊緣側（例如，內半徑），該晶圓邊緣側係最接近設置晶圓101之位置。載送環200之晶圓邊緣側包括複數接觸支撐結構，該等接觸支撐結構係用以在支架叉（spider fork）180抬升載送環時抬升晶圓101。載送環200因此與晶圓101一起被抬升並且可被轉換至，例如，在多站系統中之另一站。
如圖1所示，載送環200具有楔形橫剖面，其中載送環之較薄部分係朝向內半徑，載送環之較厚部分係朝向外半徑。為了容納載送環200之斜的底表面，基座140具有傾斜的表面，基座140之傾斜的表面係與載送環之斜的底表面之斜率相配。載送環200之厚度之平緩改變造成阻抗之平緩改變，其使電漿之梯度平滑化，並且容許在晶圓邊緣之均勻沉積，此將更詳細地說明於下。關於橫剖面為楔形之限制環之構造之其它細節，將參考著圖2A、3A-3E、4A-4C及5A-5C而更詳細地說明於下。
圖2A為根據一示例性實施例之概要圖，其說明在電漿處理系統中之電漿限制之簡化橫剖面圖，該電漿處理系統包括橫剖面為楔形之載送環。如圖2A所示，在電漿處理系統100中，在界定於晶圓101之頂表面與噴淋頭150之底表面之間之空間中點燃電漿，噴淋頭150亦做為電極。符號D1、D2、D3及D4表示相對於晶圓101及載送環200之位置。如圖2A所示，位置D1係位於晶圓101之表面上之位於超出基座140之中央區域之一點，位置D2係位於晶圓之邊緣，位置D3及D4係位於載送環200之頂表面上。位置D1、D2、D3及D4每一者之阻抗分別是Z1、Z2、Z3及Z4。符號Z5代表在載送環200之外邊界（例如，外直徑）之阻抗，載送環200之外邊界係對應至基座140之外邊界。
圖2B為顯示圖2A所示之電漿處理範例之阻抗（Z）對距離之圖表。因為載送環係由介電材料（例如，氧化鋁（Al2 O3 ））所製成，所以阻抗為載送環200之厚度之函數。因此，在圖2A所述之範例中，Z5＞Z4＞Z3＞Z2＞Z1。因為位置D1係位於晶圓上而不是位於製成載送環之介電材料上（見圖2A），所以阻抗Z1是最低的。當載送環200之厚度在徑向方向上增加時（由於載送環之楔形橫剖面），阻抗從Z2至Z5而平緩地增加，如圖2B之圖表所示。此阻抗增加表現為在晶圓101上之電漿之平緩限制。
如圖2A所示，畫出電漿鞘之形狀之虛線指出，電漿密度從在晶圓上之最大值（見位置D1）平緩地轉變為在載送環及基座之外邊界之最小值。由載送環200之楔形橫剖面所提供之阻抗之平緩改變之顯著優勢為，在晶圓上（例如，見點D1）之阻抗以及在晶圓101之邊緣附近之載送環上（見在點D2附近之區域，例如，從點D2之剛好內側至點D2之剛好外側）之阻抗是相近的，例如，大致相同。在此時應注意，在介於點D1與D2之間之區域中，電漿之形狀（如虛線所示）是相當一致的。此外，比較如圖2B之圖表所示之Z2及Z1之相對值。
圖2C為顯示對於450 mm晶圓（具有2 mm邊緣排除）之正規化（normalized）沉積厚度對晶圓位置之圖表，基於使用下列之模型操作：1）容納平的聚焦環之典型基座，及2）容納橫剖面為楔形之聚焦環之傾斜基座。如圖2C所示，曲線1顯示典型基座之正規化厚度，曲線2顯示傾斜基座之正規化厚度。在曲線1（例如，在晶圓位置-220與-222之間）之斜率中之相當急遽的增加表示，朝向典型基座之晶圓邊緣之不均勻沉積發生。在曲線2（例如，在相同晶圓位置（-220及-222）之斜率中之較不戲劇性的增加表示，朝向傾斜基座之晶圓邊緣發生之沉積是比典型基座更為均勻的。
圖3A說明根據一示例性實施例之基座之橫剖面圖，該基座用以容納橫剖面為楔形之限制環。如圖3A所示，基座140包括中央區域140a、階部區域140b、及傾斜區域140c。應當注意，圖3A係用以繪示及說明基座之特徵，其並非按比例繪製。中央區域140a之頂表面70係實質上平的，俾使中央區域可在處理期間支撐半導體晶圓。階部區域140b在中央區域140a周圍。在一範例中，階部區域140b之寬度在0.25英吋至1英吋之範圍中。階部區域140b之頂表面80係位於中央區域140a之頂表面之下。在一範例中，階部區域140b之頂表面80係位於中央區域140a之頂表面70之下0.25英吋。在另一範例中，階部區域140b之頂表面80係位於中央區域140a之頂表面70之下，其距離在略大於零英吋至0.25英吋之範圍中。傾斜區域140c在階部區域140b周圍。傾斜區域140c延伸於內邊界與外邊界之間。在一實施例中，內邊界為階部區域140b之外邊緣，外邊界為基座140之外直徑（OD）。
傾斜區域140c之頂表面90從階部區域140b向下傾斜。在一實施例中，在傾斜區域140c之頂表面90之內邊界與中央區域140a之間之垂直距離係小於在傾斜區域之頂表面之外邊界（例如，外直徑）與中央區域之間之垂直距離。在此實施例中，垂直距離係在垂直於中央區域140a之頂表面70之方向上加以測量。如圖3A所示，傾斜區域140c係定向為俾使由傾斜區域之頂表面90所界定之線相對於由中央區域140a之頂表面70所界定之水平線定義一角度θ。在一實施例中，該角度θ係在1度至45度之範圍中。在其它實施例中，該角度θ可在5度至30度之範圍中、或在5度至20度之範圍中。
基座140可能具有接觸支撐結構30，其被稱為最小接觸區（MCA），以進行表面之間之精確配合。例如，接觸支撐結構30可設置在中央區域140a中，以在處理期間支撐半導體晶圓。接觸支撐結構30亦可設置在階部區域140b中，以支撐位於基座上以提供電漿限制之環狀結構，如以下之更詳細描述。圖3B為根據一示例性實施例之基座140之俯視圖，其說明接觸支撐結構30之位置。如圖3B所示，六個接觸支撐結構30係在中央區域140a之外部四周而實質均勻地隔開。在處理期間，這些MCA容許與放置在中央區域140a上之半導體晶圓之底面之精確接觸。熟悉此項技藝者應了解，設置在中央區域中之MCA之數目可以改變以配合特定應用之需求。在如圖3B所示之示例性實施例中，三個接觸支撐結構30係在基座140之階部區域140b四周而實質均勻地隔開。這些MCA容許與放置在基座上之環狀結構之底面之精確接觸，俾使環狀結構之一部分可接著與半導體晶圓之底面精確接觸，例如，在環狀結構用以做為載送環之情況下。熟悉此項技藝者應了解，超過三個MCA可設置在階部區域中以滿足特定應用之需求。
圖3C為根據一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。如圖3C所示，階部區域140b之頂表面80與傾斜區域140c之頂表面90在過渡區60相交（過渡區60亦顯示在圖3A中）。頂表面80是實質上平的表面，頂表面90從頂表面80以一角度向下傾斜，如參考圖3A所述。
圖3D為根據另一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。如圖3D所示，在階部區域140b之頂表面80與傾斜區域140c之頂表面90之間之過渡區60是曲線區段。離開過渡區60，頂表面80是非曲線表面，類似於圖3C所示。類似地，離開過渡區60，頂表面90是從頂表面80向下傾斜之非曲線表面，類似於圖3C所示之頂表面90。
圖3E為根據又另一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。如圖3E所示，階部區域140b之頂表面80與傾斜區域140c之頂表面90在過渡區60相交。頂表面80是實質上平的表面，頂表面90以階梯狀之方式從頂表面80下降。換言之，頂表面90是一系列階梯，其從在階部區域140b之頂表面80之較高點而下降至在基座之外直徑（OD）之較低點，其中較高及較低點係相對於基座140之中央區域140a之頂表面70而判定（見圖3A）。
圖4A說明根據一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。如圖4A所示，半導體晶圓101係支撐在基座140之中央區域140a上。晶圓101係由接觸支撐結構30所支撐，如上所述，接觸支撐結構30被稱為最小接觸區（MCA）。MCA將晶圓101支撐在基座140之中央區域140a上，俾使晶圓之底面與基座之中央區域之頂表面70係間隔開。晶圓101之邊緣延伸超出基座140之中央區域140a之邊緣（在圖4A中以虛線標示之“晶圓邊緣＂表示晶圓邊緣相對於基座之位置）。
環狀結構210係設置於基座140上，俾使環狀結構之內周緣在基座之中央區域140a之周圍。環狀結構210包括中央部210a、內延伸部210b及外延伸部210c。中央部210a具有頂表面75及底表面76，其界定了中央部之厚度。底表面76係相對於由中央部210a之頂表面75所界定之線而定向為一角度，俾使中央部之厚度從中央部之內邊界朝向中央部之外邊界而增加。因此， 環狀結構210之中央部210a之厚度隨著環狀結構之半徑而線性地增加。因此，環狀結構210之中央部210a具有楔形橫剖面。如本文中所使用，用語“楔形橫剖面＂指的是一結構（或一結構之部分）之橫剖面具有從較厚邊緣或邊界朝向較薄邊緣或邊界而逐漸減少之厚度，其中較薄邊緣或邊界不需逐漸減少至一點。在一實施例中，中央部210a之厚度係根據基座140之傾斜區域140c之斜率而增加。
內延伸部210b延伸自環狀結構210之中央部210a之內邊界。內延伸部 210b具有由內延伸部之頂及底表面所界定之厚度。在一實施例中，內延伸部 210b之厚度係小於中央部210a在中央部之內邊界之厚度。如圖4A所示，內延伸部 210b之構造界定一向下階部區域，其可容納晶圓101之邊緣，晶圓101之邊緣係突出於基座140之中央區域140a。向下階部區域係由內延伸部 210b之頂表面及側表面所界定，該側表面係由內延伸部之頂表面延伸至中央部210a之頂表面75。如圖4A所示，晶圓101之邊緣係放置在內延伸部210b之頂表面之上，且晶圓之頂表面與中央部210a之頂表面75係實質上共平面的。此外，中央部210a之頂表面75係實質上平行於基座140之中央區域140a之頂表面70。
如圖4A所示，環狀結構210係由接觸支撐結構（例如，MCA）30所支撐。具體而言，內延伸部210b之底表面係由設置在基座140之階部區域140b之三個（或更多）MCA所支撐。該等MCA支撐環狀結構210在基座140上，俾使環狀結構之中央部210a之底表面76與基座之傾斜區域140c之頂表面90係間隔開。此外，內延伸部210b之底表面與基座140之階部區域140b之頂表面80係間隔開。以虛線標示之“過渡區域＂指出基座140之階部區域140b過渡至基座之傾斜區域140c之區域。
外延伸部210c延伸自環狀結構210之中央部210a之外邊界。外延伸部 210c具有由外延伸部之頂及底表面所界定之厚度。在一實施例中，外延伸部210c之厚度係小於中央部210a在中央部之外邊界之厚度。此外，外延伸部210c之頂表面與中央部210a之頂表面75係共平面的。如圖4A所示，在外延伸部210c之底表面與基座140之傾斜區域140c之頂表面90之間具有一空間。此空間界定一真空狹縫VS，以進一步增加環狀結構之限制作用，如以下之更詳細描述。真空狹縫VS之寬度係足夠窄以防止電漿進入真空狹縫中。
在一實施例中，環狀結構210係由氧化鋁（Al2 O3 ）所製成。熟悉此項技藝者應了解，環狀結構可由其它合適的介電材料所製成。圖4A所示之環狀結構210作用為限制電漿並且因此可被稱為“限制環＂。在某些情況中，環狀結構210亦可作用為“載送環＂，例如，如圖4A-4C所示。因此，載送環之抬升亦將抬升晶圓，俾使，例如，晶圓可移動至另一處理站。應當了解，環狀結構210可配置為使環狀結構不作用為載送環（例如，見圖5C中所示之環狀結構210-3之構造）。在其它實施例中，環狀結構210可被稱為“聚焦環＂。在每一例子中，環狀結構210作用為限制電漿並且也提供阻抗之平緩增加。
圖4B說明根據另一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。除了環狀結構之構造已經被修改為包括兩個外延伸部之外，圖4B所示之實施例係與圖4A所示之實施例相同。如圖4B所示，環狀結構210’包括外延伸部210c-1及210c-2，每一者延伸自中央部210a’之外邊界。外延伸部210c-1及210c-2之每一者具有頂表面及底表面，頂表面及底表面界定各別外延伸部之厚度。外延伸部210c-1及210c-2每一者之厚度係小於中央部210a’在中央部之外邊界之厚度。此外，外延伸部210c-1之頂表面與中央部210a’之頂表面75係共平面的。外延伸部210c-2之底表面與中央部210a’之底表面76係共平面的。因此，外延伸部210c-2之底表面係相對於外延伸部210c-2之頂表面而定向為一角度。
如圖4B所示，真空狹縫VS係界定在外延伸部210c-1之底表面與外延伸部210c-2之頂表面之間。真空狹縫之寬度係選擇為足夠窄以防止電漿被維持在真空狹縫中。在一範例中，真空狹縫之寬度在0.020英吋至0.100英吋之範圍中。因為真空介電常數低於任何固體材料之介電常數，所以真空狹縫之存在增加了阻抗。此增加的阻抗使得環狀結構所提供之限制作用增加。
圖4C說明根據又另一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。除了環狀結構之構造已經被修改為包括三個外延伸部之外，圖4C所示之實施例係與圖4B所示之實施例相同。如圖4C所示，環狀結構210”包括外延伸部210c-1”、210c-2”及210c-3。外延伸部210c-1”及210c-2”之構造係類似於圖4B所示之外延伸部210c-1及210c-2之構造。延伸自環狀結構210”之中央部210a”之外邊界之外延伸部210c-3具有頂表面及底表面。外延伸部210c-3之頂表面與外延伸部210c-1”之底表面係分隔開且實質平行。外延伸部210c-3之底表面與外延伸部210c-2”之頂表面係分隔開且實質平行。因此，兩個真空狹縫VS係界定在環狀結構210”之外周緣中。第一真空狹縫係界定在外延伸部210c-1”與210c-3之間，第二真空狹縫係界定在外延伸部210c-3與210c-2”之間。如圖4C所示，相較於第二真空狹縫，第一真空狹縫延伸更深至環狀結構210”中。每一真空狹縫VS之寬度係選擇為足夠窄以防止電漿被維持在真空狹縫中。因為真空介電常數低於任何固體材料之介電常數，所以真空狹縫之存在用於增加阻抗。
圖5A至5C說明用於基座之額外構造及環狀結構，可用於提供阻抗之平緩增加，其改善在晶圓邊緣之處理均勻性。在圖5A所示之範例中，基座已經被修改為不包括階部區域（例如，見圖3A中所示之階部區域140b）。如圖5A所示，基座140-1包括中央區域140a-1及傾斜區域140c-1。環狀結構已經被修改為不包括內延伸部（例如，見圖4A中所示之內延伸部210b）。如圖5A所示，環狀結構210-1之中央部210a-1具有一向下階部區域形成於其中，以容納晶圓101之延伸超出基座140-1之中央區域140a-1之外邊緣之部分。中央部210a-1之底表面76之斜率與基座140-1之傾斜區域140c-1之頂表面之斜率相配。
在圖5B所示之範例中，環狀結構已經被修改為移除外延伸部（例如，見圖4A中所示之外延伸部210c）。如圖5B所示，環狀結構210-2之厚度由容納晶圓101之向下階部區域之外邊緣至環狀結構之外直徑（OD）而線性地增加，環狀結構之外直徑（OD）與基座140-1之OD為共平面。因此，環狀結構210-2之橫剖面係楔形。
在圖5C所示之範例中，環狀結構已經被修改為移除用以容納晶圓之延伸超出基座之中央區域之部分之向下階部區域。如圖5C所示，基座140-2之傾斜區域140c-2包括具有不同斜率之兩個區域。在圖5C中，這兩個區域係標示為“A＂及“B＂。環狀結構210-3之底表面係定向為兩個不同角度，俾使底表面之形成與基座140-2之傾斜區域140c-2之形狀相配。藉由此構造，當環狀結構210-3被安裝在基座140-2上時，對應至環狀結構之內周緣之垂直表面之全體係垂直於基座140-2之中央區域140a-2之頂表面70。
應當了解，圖4A-4C及圖5A-5C係用以繪示及說明基座及環狀結構之特徵，其並非按比例繪製。因此，本文中所提出之範例是特徵之各種形狀、位向、角度、定位及尺寸之示例。當特定實行例被配置於工作處理腔室時，當然，將會考慮這些範例。此外，不同的工作處理腔室在不同的條件下操作及處理不同配方，其可能驅使對於特徵之形狀、相對位置、相對位向、大小、及特定尺寸之修改。
圖6為方塊圖，顯示用於控制上述系統之控制模組600。在一實施例中，圖1的控制模組110可包括示例性構件其中之一些。例如，控制模組600可包括處理器、記憶體、及一或更多介面。部分基於感測值，控制模組600可用於控制系統中的裝置。僅做為舉例，基於感測值及其它控制參數，控制模組600可控制閥602、過濾器加熱器604、泵606、及其它裝置608之一或更多者。僅做為舉例，控制模組600接收來自壓力計610、流量計612、溫度感測器614、及∕或其它感測器616之感測值。控制模組600亦可用於控制在前驅物傳送及膜沉積期間之處理條件。典型地，控制模組600將包括一或更多記憶體裝置及一或更多處理器。
控制模組600可控制前驅物傳送系統及沉積設備之動作。控制模組600執行包括指令組之電腦程式，指令組用以控制特定處理之處理時序、傳送系統溫度、橫跨過濾器之壓力差、閥位置、氣體混合物、腔室壓力、腔室溫度、晶圓溫度、RF功率位準、晶圓夾盤或基座位置、及其它參數。控制模組600亦可監控壓力差，並且自動地將氣相前驅物的傳送從一或更多路徑切換至一或更多其它路徑。在某些實施例中，可採用儲存於與控制模組600相關聯之記憶體裝置上之其它電腦程式。
通常，具有與控制模組600相關聯的使用者介面。使用者介面可包括顯示器618（例如，顯示螢幕及∕或設備及∕或處理條件之圖形軟體顯示器）、及使用者輸入裝置620（例如，指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等）。
用於控制在處理序列中之前驅物傳送、沉積及其它處理之電腦程式碼可以任何習知的電腦可讀程式設計語言撰寫：例如，組合語言、C、C++、或其它。編譯的目的碼或腳本係由處理器實行以執行在程式中所確定的任務。
控制模組參數涉及處理條件，例如過濾器壓力差、處理氣體組成及流率、溫度、壓力、電漿條件（例如RF功率位準及低頻RF頻率）、冷卻氣體壓力、及腔室壁溫度。
系統軟體可以許多不同的方式而加以設計或配置。例如，可撰寫各種腔室構件子程序或控制物件，以控制對實行發明性沉積處理而言有必要之腔室構件之操作。用於此目的之程式或程式片段之範例包括基板定位碼、處理氣體控制碼、壓力控制碼、加熱器控制碼、及電漿控制碼。
基板定位程式可包括用以控制腔室構件之程式碼，該腔室構件係用以將基板裝載至基座或夾盤上並且用以控制在基板與腔室之其它零件（例如，氣體入口、及∕或目標物）之間之間距。處理氣體控制程式可包括用以控制氣體組成及流率之編碼，且該編碼係可選地用以在沉積之前使氣體流至腔室中以穩定腔室內之壓力。過濾器監控程式包括將測得的差量與預定值進行比較之編碼、及∕或用以切換路徑之編碼。壓力控制程式可包括藉由調節，例如，腔室之排氣系統中之節流閥而控制腔室中之壓力之編碼。加熱器控制程式可包括用以控制至加熱單元之電流之編碼，該加熱單元係用以加熱在前驅物傳送系統中之構件、基板、及∕或系統之其它部分。或者，加熱器控制程式可控制熱轉移氣體（例如，氦）至晶圓夾盤之傳送。
在沉積期間可受監控之感測器的範例包括，但不限於，質流控制模組、壓力感測器（例如壓力計610）、位於傳送系統中之熱電偶、基座或夾盤（例如，溫度感測器614）。適當編程的反饋及控制演算法可與來自這些感測器的資料一起使用以維持想要的處理條件。以上描述在單一或多腔室半導體處理工具內所揭露實施例的實施方式。
在某些實行例中，控制器為系統的一部分，其可為上述範例之一部分。這樣的系統可包括半導體處理設備，其中包括一處理工具或複數處理工具、一腔室或複數腔室、用以進行處理之一平台或複數平台、及∕或特定的處理構件（晶圓基座、氣體流動系統、等）。這些系統與電子元件整合，電子元件係用以於半導體晶圓或基板之處理之前、期間內、及之後控制它們的操作。電子元件係稱為“控制器＂，該控制器可控制一系統或複數系統之各種構件或子部分。根據處理需求及∕或系統類型，控制器被程式化以控制本文中所揭露的任何處理，包括處理氣體之傳輸、溫度設定（例如，加熱及∕或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體傳輸設定、定位及操作設定、晶圓傳遞進入與離開連接至特定系統或與特定系統接合之工具及其它傳遞工具及∕或負載鎖室。
廣義而言，控制器可定義為具有用以接收指令、發出指令、控制操作、使清洗操作得以進行、使終點測量得以進行、及達成類似功能之各種積體電路、邏輯、記憶體、及∕或軟體之電子元件。積體電路可包括儲存程式指令之韌體形式之晶片、數位信號處理器（DSP）、定義為特殊應用積體電路（ASIC）之晶片、及∕或一或更多微處理器、或執行程式指令（例如，軟體）之微控制器。程式指令可為以各種單獨設定（或程式檔案）之形式通訊至控制器的指令，定義了用以在半導體晶圓上、或對半導體晶圓、或對系統實行特定處理之操作參數。在某些實施例中，操作參數可為由製程工程師所定義以在晶圓之一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及∕或晶粒之製造期間內完成一或更多處理步驟之配方之一部分。
在些實行例中，控制器可為電腦之一部分或耦接至電腦，該電腦與該系統整合、耦接至該系統、以其它方式網路連接至該系統、或其組合。例如，控制器可在“雲端＂中、或使得晶圓處理之遠端控制得以進行之工廠主機電腦系統之全部或一部分。該電腦可使得對系統之遠端控制得以進行以監控製造操作之當前處理、檢驗過去製造操作之歷史記錄、檢驗複數製造操作之趨勢或效能評量、改變當前處理之參數、設置在當前處理之後之處理步驟、或開始新的處理。在某些範例中，遠端電腦（例如伺服器）可透過網路而將處理配方提供至系統，網路可包括區域網路或網際網路。遠端電腦可包括使用者界面，該使用者介面使得參數及∕或設定之輸入或程式化得以進行，該參數及∕或設定接著從遠端電腦被傳遞至該系統。在某些範例中，控制器接收數據形式之指令，指令為待於一或更多操作期間內執行之該等處理步驟其中每一者指定了參數。應當了解，該等參數可針對待執行之處理類型、及控制器與其接合或對其進行控制之工具類型。因此，如上所述，控制器可為分散式的，例如藉由包括以網路連接在一起並朝著共同目標（例如本文中所描述之處理及控制）工作之一或更多獨立控制器。用於這樣的目標之分散式控制器之範例將是腔室中之一或更多積體電路，該一或更多積體電路與位於遠端（例如，在平台等級或做為遠端電腦之一部分）之一或更多積體電路通訊相結合，以控制腔室中的處理。
非限制性地，示例性系統可包括電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積（PVD）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD）腔室或模組、原子層沉積（ALD）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE）腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及關於或用於半導體晶圓之加工及∕或製造之任何其它半導體處理系統。
如上所述，取決於欲由工具所進行之處理操作，控制器可與下列之一或多者通訊：其它工具電路或模組、其它工具構件、叢集工具、其它工具介面、相鄰工具、鄰近工具、位於工廠各處之工具、主電腦、另一控制器、或在半導體製造工廠中將晶圓容器移入及移出工具位置及∕或裝載埠之材料傳送用工具。
實施例的前述說明已為說明和描述之目的而提供。其並非意在詳盡無遺、或限制本發明。一般而言，特定實施例之單獨元件或特徵部並不受限於該特定實施例，反而在可應用之處係可互換的並且可使用在選定的實施例中，即使該選定的實施例並未具體地加以顯示或描述。相同的情況可以許多方式加以改變。這類的改變不應被認為背離本發明，所有這類的修改應該落入本發明之範疇內。
因此，該等示例性實施例之揭露內容係用於說明（而非限制）本揭露內容之範圍，而本揭露內容之範圍係提出於下列申請專利範圍及其均等物中。為了清楚的理解，已經詳細地描述本揭露內容之示例性實施例，然而，明顯地，在下列申請專利範圍之範圍內，可實施某種程度的改變與修改。在下列申請專利範圍中，元件及∕或步驟並非意指任何特定的操作順序，除非在申請專利範圍中明確表示或為本揭露內容所內含。
30‧‧‧接觸支撐結構
60‧‧‧過渡區
70‧‧‧頂表面
75‧‧‧頂表面
76‧‧‧底表面
80‧‧‧頂表面
90‧‧‧頂表面
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧基板
102‧‧‧腔室
102a‧‧‧上腔室部
102b‧‧‧下腔室部
104‧‧‧電源
106‧‧‧匹配網路
108‧‧‧處理輸入及控制
110‧‧‧控制模組
112‧‧‧氣體供應歧管
114‧‧‧處理氣體
120‧‧‧升降銷
122‧‧‧升降銷控制
124‧‧‧載送環升降及旋轉控制
140‧‧‧基座
140-1‧‧‧基座
140-2‧‧‧基座
140a‧‧‧中央區域
140a-1‧‧‧中央區域
140b‧‧‧階部區域
140c‧‧‧傾斜區域
140c-1‧‧‧傾斜區域
140c-2‧‧‧傾斜區域
150‧‧‧噴淋頭
180‧‧‧支架叉
200‧‧‧載送環
210‧‧‧環狀結構
210’‧‧‧環狀結構
210”‧‧‧環狀結構
210-1‧‧‧環狀結構
210-2‧‧‧環狀結構
210-3‧‧‧環狀結構
210a‧‧‧中央部
210a’‧‧‧中央部
210a”‧‧‧中央部
210a-1‧‧‧中央部
210b‧‧‧內延伸部
210c‧‧‧外延伸部
210c-1,210c-2‧‧‧外延伸部
210c-1”,210c-2”,210c-3‧‧‧外延伸部
600‧‧‧控制模組
602‧‧‧控制閥
604‧‧‧過濾器加熱器
606‧‧‧泵
608‧‧‧其它裝置
610‧‧‧壓力計
612‧‧‧流量計
614‧‧‧溫度感測器
616‧‧‧其它感測器
618‧‧‧顯示器
620‧‧‧使用者輸入裝置
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
D1,D2,D3,D4‧‧‧位置
OD‧‧‧外直徑
VS‧‧‧真空狹縫
Z1,Z2,Z3,Z4,Z5‧‧‧阻抗
θ‧‧‧角度
圖1為根據一示例性實施例之概要圖，其說明一基板處理系統。
圖2A為根據一示例性實施例之概要圖，其說明在電漿處理系統中之電漿限制之簡化橫剖面圖，該電漿處理系統包括橫剖面為楔形之載送環。
圖2B為顯示圖2A所示之電漿處理範例之阻抗（Z）對距離之圖表。
圖2C為顯示對於450 mm晶圓（具有2 mm邊緣排除）之正規化沉積厚度對晶圓位置之圖表，基於使用下列之模型操作：1）容納平的聚焦環之典型基座，及2）根據一示例性實施例之容納橫剖面為楔形之聚焦環之傾斜基座。
圖3A說明根據一示例性實施例之基座之橫剖面圖，該基座用以容納橫剖面為楔形之限制環。
圖3B為根據一示例性實施例之基座之俯視圖，其說明接觸支撐結構之位置。
圖3C為根據一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。
圖3D為根據另一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。
圖3E為根據又另一示例性實施例之過渡區之放大圖，該過渡區在基座之階部區域與傾斜區域之間。
圖4A說明根據一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。
圖4B說明根據另一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。
圖4C說明根據又另一示例性實施例之基座之橫剖面圖，在基座上放置著半導體晶圓及環狀結構。
圖5A-5C說明用於基座之額外構造及環狀結構，可用於提供阻抗之平緩增加，其改善在晶圓邊緣之處理均勻性。
圖6為方塊圖，顯示用於控制基板處理系統之控制模組。
30‧‧‧接觸支撐結構
60‧‧‧過渡區
70‧‧‧頂表面
80‧‧‧頂表面
90‧‧‧頂表面
140‧‧‧基座
140a‧‧‧中央區域
140b‧‧‧階部區域
140c‧‧‧傾斜區域
OD‧‧‧外直徑
θ‧‧‧角度

Claims (20)

  1. 一種電漿腔室，包括： 一基座，用以在處理期間支撐一半導體晶圓，該基座具有用以支撐該半導體晶圓之一中央區域，該中央區域之一頂表面為實質上平的，該基座具有在該中央區域周圍之一階部區域，該階部區域之一頂表面形成在低於該中央區域之該頂表面之位置，該基座具有在該階部區域周圍之一傾斜區域，該傾斜區域之一頂表面延伸於一內邊界與一外邊界之間，該傾斜區域之該頂表面係從該階部區域向下傾斜，俾使在該傾斜區域之該頂表面之該內邊界與該中央區域之間之垂直距離係小於在該傾斜區域之該頂表面之該外邊界與該中央區域之間之垂直距離，該等垂直距離係在垂直於該中央區域之該頂表面之方向上加以測量，該基座係電連接至參考接地電位； 一上電極，設置於該基座之上，該上電極係整合於用以在處理期間傳送沉積氣體至該電漿腔室中之一噴淋頭，該上電極係耦接至一射頻（RF）電源，該RF電源係用以在該基座與該上電極之間點燃電漿，以在處理期間協助一材料層之沉積在該半導體晶圓上；及 一環狀結構，設置於該基座之上，當該環狀結構被放置在該基座之上時，該環狀結構之一內周緣係在該基座之該中央區域周圍，該環狀結構之一部分之厚度係隨著該環狀結構之半徑而增加。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中該環狀結構之該部分之該厚度係隨著該環狀結構之該半徑而線性地增加。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中該環狀結構之該部分之該厚度係根據該基座之該傾斜區域之斜率而增加。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中該環狀結構包括一向下階部區域，該向下階部區域具有一頂表面及一側表面，該向下階部區域係配置為俾使當該半導體晶圓係配置在該基座之該中央區域之上時，該半導體晶圓之一邊緣係配置在該向下階部區域之該頂表面之上。
  5. 如申請專利範圍第4項之電漿腔室，其中該環狀結構在一垂直方向上係可移動的，該垂直方向係垂直於該基座之該中央區域，俾使當該環狀結構在該垂直方向被抬升時，該環狀結構從該基座之該中央區域抬升該半導體晶圓。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中該基座之該階部區域係設置有三或更多最小接觸區域以支撐該環狀結構，當該環狀結構被該等最小接觸區域所支撐時，該環狀結構與該基座之該傾斜區域並非物理接觸。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中當電漿點燃時，厚度隨著該環狀結構之半徑而增加之該環狀結構之該部分係提供在該基座之該中央區域周圍之阻抗之平緩的增加。
  8. 如申請專利範圍第1項之電漿腔室，其中該基座之該傾斜區域提供在該基座之周緣與該中央區域之間之平緩的阻抗增加，其中當電漿點燃時，該基座之該周緣比該中央區域具有較高的阻抗。
  9. 如申請專利範圍第8項之電漿腔室，其中當該電漿點燃時，該平緩的阻抗增加係表現為在該半導體晶圓上之該電漿之平緩的限制。
  10. 一種用於處理基板之腔室，包括：   一上電極，設置於該腔室中，該上電極係耦接至一射頻（RF）電源；及 一基座，設置於該上電極之下，該基座係耦接至參考接地電位，該基座具有用以支撐該基板之一中央區域，該中央區域之一頂表面為實質上平的，該基座具有在該中央區域周圍之一階部區域，該階部區域之一頂表面形成在低於該中央區域之該頂表面之位置，該基座具有在該階部區域周圍之一傾斜區域，該傾斜區域之一頂表面延伸於一內邊界與一外邊界之間，該傾斜區域之該頂表面係從該階部區域向下傾斜，俾使在該傾斜區域之該頂表面之該內邊界與該中央區域之間之垂直距離係小於在該傾斜區域之該頂表面之該外邊界與該中央區域之間之垂直距離，該等垂直距離係在垂直於該中央區域之該頂表面之方向上加以測量。
  11. 如申請專利範圍第10項之用於處理基板之腔室，更包括： 一環狀結構，設置於該基座之上，當該環狀結構被放置在該基座之上時，該環狀結構之一內周緣係在該基座之該中央區域周圍，該環狀結構之一部分之厚度係隨著該環狀結構之半徑而增加。
  12. 如申請專利範圍第11項之用於處理基板之腔室，其中厚度係隨著該環狀結構之該半徑而增加之該環狀結構之該部分具有一楔形橫剖面。
  13. 如申請專利範圍第11項之用於處理基板之腔室，其中該環狀結構之一下表面之至少一部分係位於該基座之該傾斜區域上，其中該環狀結構之一頂表面之至少一部分係實質平行於該基座之該中央區域。
  14. 如申請專利範圍第13項之用於處理基板之腔室，其中該環狀結構包括一向下階部區域，該向下階部區域具有一頂表面及一側表面，該向下階部區域係配置為俾使當該基板係配置在該基座之該中央區域之上時，該基板之一邊緣係配置在該向下階部區域之該頂表面之上。
  15. 一種基座，包括： 一中央區域，該中央區域之一頂表面為實質上平的； 一階部區域，在該中央區域周圍，該階部區域之一頂表面形成在低於該中央區域之該頂表面之位置；及 一傾斜區域，在該階部區域周圍，該傾斜區域之一頂表面延伸於一內邊界與一外邊界之間，該傾斜區域之該頂表面係從該階部區域向下傾斜，俾使在該傾斜區域之該頂表面之該內邊界與該中央區域之間之垂直距離係小於在該傾斜區域之該頂表面之該外邊界與該中央區域之間之垂直距離，該等垂直距離係在垂直於該中央區域之該頂表面之方向上加以測量。
  16. 如申請專利範圍第15項之基座，其中該傾斜區域係定向為俾使由該傾斜區域之該頂表面所界定之一線相對於由該中央區域之該頂表面所界定之一水平線定義一角度，該角度係從1度至45度。
  17. 如申請專利範圍第16項之基座，其中該角度係從5度至30度。
  18. 一種環狀結構，包括： 一中央部，具有一內邊界及一外邊界，該中央部具有一頂表面及一底表面，該頂表面及該底表面界定了該中央部之厚度，該中央部之該底表面係相對於由該中央部之該頂表面所界定之一線而定向為一角度，俾使該中央部之該厚度從該內邊界至該外邊界而增加； 一內延伸部，延伸自該中央部之該內邊界，該內延伸部具有一頂表面及一底表面，該頂表面及該底表面界定了該內延伸部之厚度，該內延伸部之該厚度係小於該中央部在該中央部之該內邊界之該厚度；及 一外延伸部，延伸自該中央部之該外邊界，該外延伸部具有一頂表面及一底表面，該頂表面及該底表面界定了該外延伸部之厚度，該外延伸部之該厚度係小於該中央部在該中央部之該外邊界之該厚度，該外延伸部之該頂表面與該中央部之該頂表面係共平面的。
  19. 如申請專利範圍第18項之環狀結構，其中該外延伸部為一第一外延伸部，該環狀結構更包括一第二外延伸部，該第二外延伸部係延伸自該中央部之該外邊界，該第二外延伸部具有一頂表面及一底表面，該頂表面及該底表面界定了該第二外延伸部之厚度，該第二外延伸部之該厚度係小於該中央部在該中央部之該外邊界之該厚度，該第二外延伸部之該底表面與該中央部之該底表面係共平面的。
  20. 如申請專利範圍第19項之環狀結構，更包括： 一第三外延伸部，該第三外延伸部係延伸自該中央部之該外邊界，該第三外延伸部具有一頂表面及一底表面，該第三外延伸部之該頂表面與該第一外延伸部之該底表面係分隔開且實質平行，該第三外延伸部之該底表面與該第二外延伸部之該頂表面係分隔開且實質平行。
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