TW201700718A - 液晶介質 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種液晶介質，其包含至少一種式I化合物，
□及至少一種選自以下式ST-1至ST-17化合物之群的化合物，
□□□□□□□□□□□□□□□□□其中R1與R1*、A1與A1*、Z1與Z1*、X、L1與L2、RST、環A、ZST、p及q具有如請求項1所指示之含義，且關於該液晶介質用於尤其基於VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、UB-FFS、U-IPS、FFS或PS-FFS效應的主動式矩陣顯示器之用途。
Description
本發明係關於一種液晶介質，其包含至少一種式I化合物，
其中R1與R1*各自彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外，此等基團中之一或多個CH2基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-
CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，且其中另
外，一或多個H原子可經鹵素置換，A1與A1*各自彼此獨立地表示a)1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH2基團可經-O-或-S-置換，b)1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換，c)來自哌啶-1,4-二基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基之群的基團，其中基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代，Z1與Z1*各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-
CH2O-、-OCH2-、-CH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2O-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，X表示-S-或-O-，且L1與L2各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，及選自下式ST化合物之群的至少一種化合物，
其中RST表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外，此等基團中之一或多個CH2基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、、
、-O-、-CO-O-或-O-CO-置換，且其中另外，一或多個H原子
可經鹵素置換，
表示、、、、
ZST各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2O-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，L1與L2各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，p表示1或2，q表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
此類型介質尤其可用於基於ECB效應之具有主動式矩陣定址之電光顯示器及共平面切換型(IPS)顯示器或邊緣場切換型(FFS)顯示器。
電控雙折射(electrically controlled birefringence，ECB)效應或對準相之變形(deformation of aligned phases，DAP)效應之原理首次描述於1971年(M.F.Schieckel及K.Fahrenschon,「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。在此之後出現於J.F.Kahn之論文(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)與G.Labrunie及J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)中。
J.Robert與F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays 7(1986),3)及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)之論文展示液晶相必須具有針對彈性常數之比K3/K1的高
值、針對光學各向異性△n之高值及針對介電各向異性△ε-0.5之高值以適用於基於ECB效應之高資訊顯示器元件。基於ECB效應之電光顯示器元件具有垂直邊緣配向(VA技術=垂直配向型(vertically aligned))。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂IPS或FFS效應之顯示器。
除共平面切換型(in-plane switching；IPS)顯示器(例如：Yeo,S.D.,paper 15.3：「An LC Display for the TV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第758及759頁)及久有所知之扭轉向列(twisted nematic；TN)顯示器以外，利用ECB效應之顯示器，如所謂垂直配向向列型(vertically aligned nematic；VAN)顯示器，例如呈多區域垂直配向(multi-domain vertical alignment；MVA，例如：Yoshide,H.等人，paper 3.1：「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I冊，第6-9頁，及Liu,C.T.等人，paper 15.1：「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第750-753頁)、圖案化垂直配向(patterned vertical alignment；PVA，例如：Kim,Sang Soo,paper 15.4：「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第760-763頁)、先進大視角(advanced super view；ASV，例如：Shigeta,Mitzuhiro及Fukuoka,Hirofumi,paper 15.2：「Development of High Quality LCDTV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II冊，第754-757頁)模式，自身已成為當前尤其電視應用最重要之三種更新類型液晶顯示器中之一者。例如，在Souk,Jun,SID Seminar 2004,seminar M-6：「Recent Advances in LCD
Technology」,Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26及Miller,Ian,SID Seminar 2004,seminar M-7：「LCD-Television」,Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中以一般形式對技術加以比較。儘管現代ECB顯示器之回應時間已藉由定址方法及超速傳動顯著改良，例如：Kim,Hyeon Kyeong等人，paper 9.1：「A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I冊，第106-109頁，但視訊相容性回應時間之達成，尤其關於灰度切換仍為尚未圓滿解決之問題。
此效應在電光顯示元件中之工業應用需要LC相，其必須滿足大量要求。在本文中，對濕氣、空氣及物理影響(諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場)之化學抗性尤其重要。
此外，工業可用之LC相需要在適合溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相。
迄今所揭示之一系列具有液晶中間相之化合物中均不包括符合全部此等要求之單一化合物。因此，通常製備2至25，較佳3至18種化合物之混合物，以獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式尚不可能容易地製備出最佳相，因為迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料。
矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)為已知的。可用於個別像素之個別切換的非線性元件為例如主動元件(亦即，電晶體)。隨後使用術語「主動矩陣」，其中兩種類型之間可存在區別：
1.作為基板之矽晶圓上的金屬氧化物半導體(metal oxide semiconductor，MOS)電晶體
2.作為基板之玻璃板上的薄膜電晶體(TFT)。
在類型1之情況下，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制顯示器尺寸，因為即使多個顯示器
部件之模組組件亦會在接合處產生問題。
在更有前景之類型2的情況下，所用電光效應通常為TN效應。
在兩種技術之間進行區分：包含化合物半導體(諸如CdSe)之TFT或基於多晶或非晶矽之TFT。後一技術在全世界得到廣泛使用。
將TFT矩陣施加於顯示器之一個玻璃板的內部，而另一玻璃板在其內部帶有透明反電極。相較於像素電極之尺寸，TFT極小且實際上對影像無不良影響。此技術亦可擴展至全色能顯示器，其中以使得濾光片元件與各可切換像素相對之方式配置紅光、綠光及藍光濾光片之嵌合體。
在本文中，術語MLC顯示器涵蓋具有整合式非線性元件之任何矩陣顯示器，亦即除主動矩陣以外，亦具有諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)之被動元件的顯示器。
此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如攜帶式TV)或汽車或航空器構造中之高資訊顯示器。除關於對比度及回應時間之角度依賴性的問題以外，由於液晶混合物之不夠高的比電阻亦對MLC顯示器造成障礙[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.、TANABE,H.、YAMAMOTO,E.、SORIMACHI,K.、TAJIMA,E.、WATANABE,H.、SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年九月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁起，Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年九月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁起，Paris]。隨著電阻降低，MLC顯示器之對比度惡化。由於液晶混合物之比電阻一般由於與顯示器內部表面之相互作用而在MLC顯示器之壽命內下降，因此高(初始)電阻對於在長操作時段內必須具有可接受電阻值之顯示器極為重要。
因此仍極需要在具有大工作溫度範圍、短回應時間及低臨限電
壓的同時具有極高比電阻之MLC顯示器，藉此可產生各種灰度。
常用MLC-TN顯示器之缺陷歸因於其相對較低之對比度、相對較高之視角依賴性及在此等顯示器中產生灰度之困難。
VA、PS-VA、IPS、FFS及UB-FFS應用市場正尋找具有快速回應時間與極高可靠性之LC混合物。達成快速回應時間之一種方法為鑑別出具有低旋轉黏度之高極性LC材料，將其用於LC混合物來促進所需效應。然而，使用此類型之高極性LC材料在尤其曝露於光之後會對可靠性參數具有不良影響。
本發明係基於提供尤其用於監視器及TV應用，基於ECB、UB-FFS、IPS或FFS效應之液晶混合物之目標，該等液晶混合物不具有上文所指示之缺陷，或僅具有降低程度之上文所指示之缺陷。詳言之，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦工作，且同時具有極短回應時間且同時具有改良之可靠性特性，尤其在長久運作時間之後不會展現影像殘留或展現顯著降低之影像殘留。
意外地，若添加適合穩定劑，則LC混合物經由使用式I化合物可在良好可靠性的同時獲得快速回應時間。在本文中，可受到特定影響之可靠性參數為曝露於光，諸如曝露於UV光(日照測試)或經LCD之背光曝露之後的電壓保持率。使用此類型之穩定劑會增加曝露於光之後的電壓保持率。
因此，本發明係關於一種液晶介質，其包含至少一種式I化合物及來自式ST-1至ST-16之化合物之群的至少一種化合物。
根據本發明之混合物較佳展現極廣泛的向列型相範圍，清澈點70℃，較佳75℃，尤其80℃；極有利之電容臨限值、相對較高之保持率值及同時在-20℃及-30℃下極良好之低溫穩定性，以及極低旋轉黏度值及短回應時間。除改良旋轉黏度γ1以外，根據本發明之混合物的另一突出之處在於可觀測到用於改良回應時間的相對較高之彈性
常數K33值。在LC混合物，較佳具有負介電各向異性之LC混合物中使用式I化合物，降低旋轉黏度γ1與彈性常數Ki之比。
根據本發明的混合物之一些較佳實施例如下所示。
在式I化合物中，R1及R1*較佳各自彼此獨立地表示直鏈烷氧基，尤其OCH3、正C2H5O、正OC3H7、正OC4H9、正OC5H11、正OC6H13；此外烯基，尤其CH2=CH2、CH2CH=CH2、CH2CH=CHCH3、CH2CH=CHC2H5；分支鏈烷氧基，尤其OC3H6CH(CH3)2；及烯基氧基，尤其OCH=CH2、OCH2CH=CH2、OCH2CH=CHCH3、OCH2CH=CHC2H5。
R1及R1*尤其較佳各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，尤其甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基。
式I中之L1與L2較佳均表示F。
較佳式I化合物為下式I-1至I-20之化合物，
在式I-1至I-20之化合物中，L1及L2較佳各自彼此獨立地表示F或Cl，尤其L1=L2=F。尤其較佳為式I-2及I-6之化合物。在式I-2及I-6之化合物中，較佳地，L1=L2=F。
根據本發明之混合物特別尤其較佳包含選自以下所示的式I-1A、I-2A、I-4A、I-6A、I-6B、I-11A、I-12A、I-14A及I-16A化合物之群的至少一種化合物：
特別尤其較佳之混合物包含選自下式I-2.1至I-2.49、I-6.1至I-6.28、I-12.1至I-12.49及I-16.1至I-16.28之化合物之群的至少一種化合物：
在式I-2.1至I-2.49、I-6.1至I-6.28、I-12.1至I-12.49及I-16.1至I-16.28化合物中，L1與L2較佳均表示氟。
此外，較佳為包含選自下式I-1.1至I-1.28、I-6B.1至I-6B.3及I-11.1至I-11.28化合物之群的至少一種化合物之液晶混合物：
其中L1及L2各自彼此獨立地具有如技術方案1中給出之含義。在式I-1.1至I-1.28、I-6B.1至I-6B.3及I-11.1至I-11.28化合物中，較佳地，L1=L2=F。
特別尤其較佳之混合物包含如下所示之化合物中的至少一者：
式I化合物可例如如US 2005/0258399或WO 02/055463 A1中所描述製備。
根據本發明之介質較佳包含一種、兩種、三種、四種或四種以上，較佳一種、兩種或三種式I化合物。
以整體混合物計，液晶介質中較佳採用呈1重量%，較佳3重
量%之量的式I化合物。尤其較佳為包含1-40重量%，特別尤其較佳2-30重量%之一或多種式I化合物的液晶介質。
在式ST化合物中，尤其較佳為下式化合物：
其中n=1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n=1或7；
其中n=1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n=3；
其中n=1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n=3；
在式ST-3a至ST-3b化合物中，n較佳表示3。在式ST-2a化合物中，n較佳表示7。
根據本發明之特別尤其較佳的混合物包含來自下式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12化合物之群的一或多種穩定劑：
以混合物計，式ST-1至ST-17化合物較佳以0.005-0.5%之量各自存在於根據本發明之液晶混合物中。
若根據本發明之混合物包含兩種或兩種以上來自式ST-1至ST-17化合物之群的化合物，則在兩種化合物之情況下，以混合物計，濃度相對應地增加至0.01-1%。
然而，以根據本發明之混合物計，式ST-1至ST-17化合物之總比例應不超過2%。
根據本發明之液晶介質的較佳實施例如下所示：
a)另外包含一或多種選自下式IIA、IIB及IIC化合物之群的化合物之液晶介質：
其中R2A、R2B及R2C各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF3單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，此等基團中之一或多個CH2基團可以使得O原子彼此不直接
連接之方式經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-
或-O-CO-置換，L1-4各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，Z2與Z2'各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-，p表示0、1或2，q表示0或1，且v表示1至6。
在式IIA及IIB化合物中，Z2可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z2及Z2'可具有相同或不同含義。
在式IIA、IIB及IIC化合物中，R2A、R2B及R2C各自較佳表示具有1至6個C原子之烷基，尤其CH3、C2H5、正C3H7、正C4H9、正C5H11。
在式IIA及IIB化合物中，L1、L2、L3及L4較佳表示L1=L2=F且L3=L4=F，此外L1=F且L2=Cl、L1=Cl且L2=F、L3=F且L4=Cl、L3=Cl且L4=F。式IIA及IIB中之Z2及Z2'較佳各自彼此獨立地表示單
鍵，此外-C2H4-橋鍵。
若在式IIB中，Z2=-C2H4-或-CH2O-，則Z2'較佳為單鍵，或若Z2'=-C2H4-或-CH2O-，則Z2較佳為單鍵。在式IIA及IIB化合物中，(O)CvH2v+1較佳表示OCvH2v+1，此外CvH2v+1。在式IIC化合物中，(O)CvH2v+1較佳表示CvH2v+1。在式IIC化合物中，L3及L4較佳各自表示F。
較佳式IIA、IIB及IIC化合物如下所示：
根據本發明之尤其較佳的混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIA-50、IIB-2、IIB-11、IIB-16及IIC-1化合物。
式IIA及/或IIB化合物在整個混合物中之比例較佳為至少20重量%。
根據本發明之尤其較佳的介質包含至少一種下式IIC-1化合物，
其中烷基及烷基*具有上文所指示之含義，其量較佳為>3重量%、尤其>5重量%且尤佳5-25重量%。
b)另外包含一或多種下式III化合物之液晶介質，
其中R31及R32各自彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基，且
表示、、、或
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF=CF-。
較佳式III化合物如下所示：
其中烷基與烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
根據本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa及/或式IIIb化合物。
式III化合物在整個混合物中之比例較佳為至少5重量%。
c)另外包含下式化合物之液晶介質：
及/或
及/或
該化合物之總量較佳為5重量%，尤其10重量%。
此外，較佳為包含以下化合物(縮寫字：CC-3-V1)的根據本發明之混合物：
該化合物之量較佳為2-15重量%。
較佳混合物包含5-60重量%，較佳10-55重量%，尤其20-50重量%之下式化合物(縮寫字：CC-3-V)：
此外，較佳為包含下式化合物(縮寫字：CC-3-V)：
及下式化合物(縮略語：CC-3-V1)之混合物
該等化合物之量較佳為10-60重量%。
d)另外包含一或多種下式四環化合物之液晶介質：
其中R7-10各自彼此獨立地具有技術方案5中對R2A所指示之含義之一，且w與x各自彼此獨立地表示1至6。
尤其較佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。
e)另外包含一或多種式Y-1至Y-6化合物之液晶介質，
其中R14-R19各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z及m各自彼此獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。
根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式Y-1至Y-6化合物，該(等)化合物之量較佳為5重量%。
f)另外包含一或多種式T-1至T-21之氟化聯三苯之液晶介質，
其中R表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基，且m=0、1、2、3、4、5或6，且n表示0、1、2、3或4。
R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根據本發明之介質較佳包含呈2-30重量%、尤其5-20重量%之量的式T-1至T-21之聯三苯。
尤其較佳為式T-1、T-2、T-4、T-20及T-21化合物。在此等化合物中，R較佳表示各自具有1至5個C原子之烷基、此外烷氧基。在式T-20化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其烷基。在式T-21化合物中，R較佳表示烷基。
若混合物之△n值為0.1，則較佳將聯三苯用於根據本發明之混合物中。較佳混合物包含2-20重量%之一或多種選自化合物T-1至T-21之群的聯三苯化合物。
g)另外包含一或多種式B-1至B-3之聯苯之液晶介質，
其中烷基與烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基與烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
式B-1至B-3之聯苯在整個混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其5重量%。
在式B-1至B-3化合物中，式B-2化合物尤其較佳。
尤其較佳之聯苯為
h)另外包含至少一種下式Z-1至Z-7化合物之液晶介質：
其中R及烷基具有上文所指示之含義。
i)另外包含至少一種下式O-1至O-18化合物之液晶介質：
其中R1及R2具有對R2A所指示之含義。R1及R2較佳各自彼此獨立地表示直鏈烷基或烯基。
較佳介質包含一或多種式O-1、O-3、O-4、O-6、O-7、O-10、O-11、O-12、O-14、O-15、O-16及/或O-17化合物。
根據本發明之混合物特別尤其較佳包含下式O-10、O-12、O-16及/或O-17化合物，該等化合物之量尤其為5-30%。
式O-10與O-17之較佳化合物如下所示：
根據本發明之介質尤其較佳包含式O-10a及/或式O-10b三環化合物以及一或多種式O-17a至O-17d雙環化合物。式O-10a及/或O-10b化合物以及一或多種選自式O-17a至O-17d雙環化合物的化合物之總比例為5-40%，特別尤其較佳為15-35%。
特別尤其較佳混合物包含化合物O-10a及O-17a：
以整個混合物計，化合物O-10a及O-17a較佳以15-35%、尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。
特別尤其較佳混合物包含化合物O-10b及O-17a：
以整個混合物計，化合物O-10b及O-17a較佳以15-35%、尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。
特別尤其較佳混合物包含以下三種化合物：
以整個混合物計，化合物O-10a、O-10b及O-17a較佳以15-35%、尤其較佳15-25%且特別較佳18-22%之濃度存在於混合物中。
較佳混合物包含至少一種選自以下化合物之群的化合物：
較佳混合物包含至少一種下式O-6a、O-6b、O-7a、O-7b、O-17e、O-17f、O-17g及O-17h之化合物：
其中烷基表示具有1至6個C原子之烷基。
式O-6、O-7及O-17e-h化合物較佳以1重量%至40重量%、較佳2重量%至35重量%且特別尤其較佳2重量%至30重量%之量存在於根據本發明之混合物中。
j)較佳根據本發明之液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如下式N-1至N-5化合物：
其中R1N及R2N各自彼此獨立地具有對R2A所指示之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且Z1與Z2各自彼此獨立地表示-C2H4-、-CH=CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2-或單鍵。
k)較佳混合物包含一或多種選自下式BC之二氟二苯并烷化合物、下式CR之烷、下式PH-1及PH-2之氟化菲、下式BF-1及BF-2之氟化二苯并呋喃之群的化合物：
其中RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此獨立地具有R2A之含
義。c為0、1或2且d表示1或2。R1及R2較佳彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基。式BF-1及BF-2化合物應與一或多種式I化合物不同。
根據本發明之混合物較佳包含呈3至20重量%，尤其3至15重量%之量的式BC、CR、PH-1、PH-2及/或BF之化合物。
尤其較佳之式BC及CR化合物為BC-1至BC-7及CR-1至CR-5化合物：
其中烷基與烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基與烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
特別尤其較佳為包含一種、兩種或三種式BC-2、BF-1及/或BF-2化合物之混合物。
l)較佳混合物包含一或多種下式In之茚烷(indane)化合物：
其中R11、R12、R13各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，R12與R13另外表示鹵素，較佳為F，
表示
i表示0、1或2。
較佳式In化合物為如下所示之式In-1至In-16化合物：
尤其較佳為式In-1、In-2、In-3及In-4化合物。
式In及子式In-1至In-16化合物較佳以5重量%、尤其5-30重量%且特別尤其較佳5-25重量%之濃度用於根據本發明之混合物中。
m)較佳混合物另外包含一或多種下式L-1至L-11化合物：
尤其較佳為式L-1及L-4，尤其L-4化合物。
較佳以5-50重量%，尤其5-40重量%且特別尤其較佳10-40重量%之濃度採用式L-1至L-11化合物。
尤其較佳混合物概念如下所示：(在表A中解釋所用縮寫字。此處n及m各自彼此獨立地表示1至15，較佳1至6)。
根據本發明之混合物較佳包含- 一或多種式I化合物，其中L1=L2=F且R1=R1*=烷氧基；- CPY-n-Om，尤其為CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，以整個混合物計，其濃度較佳>5%，尤其10-30%，及/或
- CY-n-Om，較佳為CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，以整個混合物計，其濃度較佳>5%，尤其15-50%，及/或- CCY-n-Om，較佳為CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，以整個混合物計，其濃度較佳>5%，尤其10%-30%，及/或- CLY-n-Om，較佳為CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或-3-O3，以整個混合物計，其濃度較佳>5%，尤其10-30%，及/或- CK-n-F，較佳為CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，以整個混合物計，較佳>5%，尤其5%-25%。
此外，較佳為包含以下混合物概念之根據本發明之混合物：(n及m各自彼此獨立地表示1至6。)
- CPY-n-Om及CY-n-Om，以整個混合物計，其濃度較佳為10-80%，及/或- CPY-n-Om及CK-n-F，以整個混合物計，其濃度較佳為10-70%，及/或- CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳為CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，以整個混合物計，其濃度較佳為10-45%，及/或- CPY-n-Om及CLY-n-Om，以整個混合物計，濃度較佳為10-80%，及/或
- CCVC-n-V，較佳CCVC-3-V，以整個混合物計，其濃度較佳為2-10%，及/或- CCC-n-V，較佳CCC-2-V及/或CCC-3-V，以整個混合物計，其濃度較佳為2-10%，及/或- CC-V-V，以整個混合物計，其濃度較佳為5%至50%。
此外，本發明係關於一種基於dem ECB、VA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應之具有主動矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如技術方案1至16中一或多項之液晶介質作為介電質。
根據本發明之液晶介質較佳具有-20℃至70℃、尤其較佳-30℃至80℃、特別尤其較佳-40℃至90℃之向列相。
表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面在相應溫度下於低溫下未觀測到近晶相及結晶，且另一方面在向列相受熱後仍未出現清澈。低溫下之研究在相應溫度下於流動黏度計中進行且藉由儲存於具有對應於電-光應用之層厚度的測試單元中至少100小時來檢查。若在-20℃之溫度下於相應測試單元中之儲存穩定性為1000小時或1000小時以上，則該介質稱為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別為500小時及250小時。高溫下，清澈點藉由習知方法在毛細管中來量測。
液晶混合物較佳具有至少60K之向列相範圍及20℃下至多30mm2．s-1之流動黏度υ20。
液晶混合物中之雙折射值△n一般在0.07與0.16之間，較佳在0.08與0.13之間。
根據本發明之液晶混合物的△ε為-0.5至-8.0，尤其為-2.5至-6.0，
其中△ε表示介電各向異性。在20℃下之旋轉黏度γ1較佳為150mPa．s，尤其為120mPa．s。
根據本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓值(V0)。其較佳在1.7V至3.0V範圍內，尤其較佳為2.5V且特別尤其較佳為2.3V。
在本發明中，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V0)，亦稱為弗雷德里克斯臨限值(Freedericks threshold)。
此外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。
一般而言，相較於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現較低電壓保持率，且反之亦然。
對於本發明，術語「介電正性化合物」表示具有△ε>1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5△ε1.5之化合物，且術語「介電負性化合物」表示△ε<-1.5之化合物。此處化合物之介電各向異性藉由在液晶主體中溶解10%化合物且在至少一個測試單元中測定所得混合物之電容來測定，在於1kHz下垂直及均相表面配向之各情況下該測試單元之層厚度為20μm。量測電壓通常為0.5V至1.0V，但始終低於所研究之相應液晶混合物的電容臨限值。
本發明所指示之全部溫度值均以℃為單位。
根據本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、聚合物維持型VA(PSA)及聚合物穩定型VA(PS-VA)。此外，其適用於具有負△ε之共平面切換型(in-plane switching；IPS)及邊緣場切換型(fringe field switching；FFS)應用。
根據本發明之顯示器中之向列液晶混合物一般包含A及B兩種組
分，其本身由一或多種個別化合物組成。
組分A具有顯著負介電各向異性且提供介電各向異性-0.5之向列相。除一或多種式I化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC化合物，此外一或多種式O-17化合物。
組分A之比例較佳在45%與100%之間，尤其在60%與100%之間。
對於組分A，較佳選擇△ε值-0.8之一種(或多種)個別化合物。A在整個混合物中之比例愈小，此值須愈負。
組分B具有顯著向列基原性且在20℃下流動黏度不大於30mm2．s-1，較佳不大於25mm2．s-1。
熟習此項技術者自文獻已知大量適合材料。尤其較佳為式O-17化合物。
組分B中之尤其較佳的個別化合物為在20℃下流動黏度不大於18mm2．s-1、較佳不大於12mm2．s-1之極低黏度向列液晶。
組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠防止在液晶混合物中降至極低溫度時出現近晶相。舉例而言，若向近晶型液晶混合物中添加多種高向列基原性材料，則可經由所達成近晶相之抑制程度來比較此等材料之向列基原性。
混合物亦可視情況包含組分C，其包含具有1.5之介電各向異性△ε之化合物。以整個混合物計，此等所謂正性化合物一般以20重量%之量存在於負介電各向異性之混合物中。
若根據本發明之混合物包含一或多種介電各向異性△ε1.5之化合物，則此等化合物較佳為一或多種選自以下式P-1至P-4化合物之群的化合物：
其中R表示直鏈烷基、烷氧基或烯基，其各自分別具有1或2至6個C原子，且X表示F、Cl、CF3、OCF3、OCHFCF3或CCF2CHFCF3，較佳F或OCF3。
式P-1至P-4化合物較佳以0.1-15%，尤其0.1-10%之濃度用於根據本發明之混合物中。
尤其較佳為下式化合物：
其較佳以0.1-15%之量用於根據本發明之混合物中。
此外，此等液晶相亦可包含超過18種組分，較佳18至25種組分。
除一或多種式I化合物以外，各相較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤其較佳<10種式IIA、IIB及/或IIC化合物及視情況選用之一或
多種式O-17化合物。
除式I化合物及式IIA、IIB及/或IIC及視情況選用之O-17化合物以外，其他成分亦可例如以整個混合物之至多45%、但較佳至多35%、尤其至多10%之量存在。
其他成分較佳選自向列或向列原基物質，尤其已知物質，該等物質來自以下類別：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己甲酸苯酯或環己甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基-或環己基二噁烷、視情況選用之鹵化芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。
適合作為此類型液晶相成分之最重要化合物可由下式IV表徵：R20-L-G-E-R21 IV
其中L及E各自表示來自由1,4-經雙取代苯及環己烷環、4,4'-經雙取代聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-經雙取代嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-經雙取代萘、二氫化萘及四氫化萘、喹唑啉及四氫喹唑啉形成之群的碳環或雜環系統，G表示-CH=CH-、-N(O)=N-、-CH=CQ-、-CH=N(O)-、-C≡C-、-CH2-CH2-、-CO-O-、-CH2-O-、-CO-S-、-CH2-S-、-CH=N-、-COO-Phe-COO-、-CF2O-、-CF=CF--OCF2-、-OCH2-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-
或C-C單鍵，Q表示鹵素(較佳氯)或-CN，且R20及R21各自表示具
有至多18個(較佳至多8個)碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或此等基團中之一者替代性地表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
在大多數此等化合物中，R20及R21彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變體亦為常見的。亦可購得多種此類物質或其混合物。所有此等物質均可藉由自文獻已知之方法製備。
對於熟習此項技術者不言而喻，根據本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含其中例如H、N、O、Cl及F已經相應同位素置換之化合物。
以混合物計，可聚合化合物，即所謂反應性液晶原基(RM)(例如如U.S.6,861,107中所揭示)，可另外以較佳0.01-5重量%、尤佳0.2-2重量%之濃度添加至本發明混合物中。如例如U.S.6,781,665中所述，此等混合物亦可視情況包含引發劑。較佳將例如來自BASF之Irganox-1076之引發劑添加至包含0-1%之量的可聚合化合物之混合物中。此類型混合物可用於所謂聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或聚合物維持型VA(PSA)，其中反應性液晶原基之聚合意欲發生於液晶混合物中。對此，前提條件在於在反應性液晶原基之聚合條件下，亦即一般曝露於320-360nm波長範圍內之UV時，LC主體之液晶化合物不會發生反應。含有烯基側鏈之液晶化合物，諸如CC-3-V在RM之聚合條件(UV聚合)下未顯示出反應。
在本發明之一較佳實施例中，可聚合化合物選自下式M化合物：RMa-AM1-(ZM1-AM2)m1-RMb M
其中該等個別基團具有以下含義：RMa與RMb各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，其中基團RMa及RMb中之至少一者較佳表示或含有
基團P或P-Sp-，P表示可聚合基團，Sp表示間隔基團或單鍵，AM1與AM2各自彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環或雜環基，較佳具有4至25個環原子，較佳C原子，其亦包括或可含有增環之環，且其可視情況經L單取代或多取代，L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx)2、-C(=O)Y1、-C(=O)Rx、-N(Rx)2視情況經取代之矽烷基、視情況經取代之具有6至20個C原子的芳基、或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-，較佳P、P-Sp-、H、OH、CH2OH、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基置換，Y1表示鹵素，ZM1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR0R00或單鍵，R0與R00各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，Rx表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-、視情況經取代之具有6至40個C原子之芳基或芳氧基，或視情況經取代之具有2至40個C原子之雜芳基或雜芳氧基置換，m1表示0、1、2、3或4，且
n1表示1、2、3或4，其中所存在之基團RMa、RMb及取代基L中之至少一者、較佳一者、兩者或三者、尤其較佳一或兩者表示基團P或P-Sp-或含有至少一個基團P或P-Sp-。
尤其較佳之式M化合物為如下彼等化合物，其中RMa與RMb各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF5或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R00)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換，其中基團RMa及RMb中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-，AM1與AM2各自彼此獨立地表示1,4-伸苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、茀-2,7-二基、香豆素、黃酮，其中另外，此等基團中之一或多個CH基團可經N、環己烷-1,4-二基置換，其中另外，一或多個不相鄰CH2基團可經O及/或S、1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基或八氫-4,7-甲橋茚烷-2,5-二基置換，其中所有此等基團均可為未經取代或經L單取代或多取代，L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx)2、-C(=O)Y1、-C(=O)Rx、-N(Rx)2、視情況經取代之矽烷基、視情況經取代之具有6至20個C原子的芳基、或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換，
P表示可聚合基團，Y1表示鹵素，Rx表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-、視情況經取代之具有6至40個C原子的芳基或芳氧基、或視情況經取代之具有2至40個C原子的雜芳基或雜芳氧基置換。
特別尤其較佳為其中RMa及RMb中之一者或兩者表示P或P-Sp-之式M化合物。
用於根據本發明之液晶介質及PS-VA顯示器或PSA顯示器之適合且較佳RM或單體或共聚單體例如選自下式：
其中該等個別基團具有以下含義：P1、P2及P3各自相同或不同地表示可聚合基團，其較佳具有上文及下文針對P所指示之含義中之一者，尤其較佳為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氧雜環丁烷、乙烯基氧基或環氧基，Sp1、Sp2及Sp3各自彼此獨立地表示單鍵或間隔基團，較佳具有上文及下文針對Spa所指示之含義中之一者，且尤其較佳為-(CH2)p1-、-(CH2)p1-O-、-(CH2)p1-CO-O-或-(CH2)p1-O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，且其中在最後提及之基團中，與相鄰環之連接經由O原子進行，其中基團P1-Sp1-、P2-Sp2-及P3-Sp3-中之一或多者亦可表示Raa，其限制條件為存在之基團P1-Sp1-、P2-Sp2-及P3-Sp3-中之至少一者不表示Raa，Raa表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P1-Sp1-、尤其較佳具有1至12個C原子的直鏈或分支鏈、視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、或烷基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且分支鏈基團具有至少三個C原子)置換，R0、R00各自彼此獨立地且在在每次出現時相同或不同地表示H
或具有1至12個C原子之烷基，Ry與Rz各自彼此獨立地表示H、F、CH3或CF3，X1、X2及X3各彼此獨立地表示-CO-O-、O-CO-或單鍵，Z1表示-O-、-CO-、-C(RyRz)-或-CF2CF2-，Z2與Z3各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或-(CH2)n-，其中n為2、3或4，L在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5或具有1至12個C原子的直鏈或分支鏈、視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，較佳為F，L'與L"各自彼此獨立地表示H、F或Cl，r表示0、1、2、3或4，s表示0、1、2或3，t表示0、1或2，x表示0或1。
在式M1至M36化合物中，
較佳表示、、
其中L在每次出現時相同或不同地具有上述意義中之一者，且較佳表示F、Cl、CN、NO2、CH3、C2H5、C(CH3)3、CH(CH3)2、CH2CH(CH3)C2H5、OCH3、OC2H5、COCH3、COC2H5、COOCH3、COOC2H5、CF3、OCF3、OCHF2、OC2F5或P-Sp-，尤其較佳為F、Cl、CN、CH3、C2H5、OCH3、COCH3、OCF3或P-Sp-，特別尤其較佳為F、Cl、CH3、OCH3、COCH3或OCF3，尤其為F或CH3。
適合之可聚合化合物列於例如表D中。
根據本申請案之液晶介質較佳包含總計0.1至10%，較佳0.2至4.0%，尤其較佳0.2至2.0%之可聚合化合物。
尤其較佳為式M及式RM-1至RM-99之可聚合化合物。
根據本發明之混合物可進一步包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微米粒子等。
如例如EP-A 0 240 379中所述，根據本發明之液晶顯示器的結構對應於常見幾何形狀。
以下實例意欲解釋但並非限制本發明。在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度以攝氏度為單位進行指示。
在整個本專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描繪如下：
伸環己基環為反-1,4-伸環己基環。
在整個專利申請案及實施例中，液晶化合物之結構藉助於縮寫字加以指示。除非另外指示，否則根據表1至表3轉換成化學式。所有基團CnH2n+1、CmH2m+1及Cm'H2m'+1或CnH2n及CmH2m分別為直鏈烷基或伸烷基，在各情況下分別具有n、m、m'或z個C原子。n、m、m'、z彼此獨立地各自表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳1、2、3、4、5或6。在表1中編碼相應化合物之環元素，在表2中列出橋聯成員且在表3中指示化合物左手或右手側鏈之符號的含義。
除一或多種式I化合物以外，根據本發明之混合物較佳包含如下表A所述之化合物的一或多種化合物。
可根據本發明使用之液晶混合物以本身習知之方式製備。一般而言，宜在高溫下將以較少量使用之所需量之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦有可能混合組分於有機溶劑(例如丙酮、氯仿或甲醇)中之溶液，且在充分混合後例如藉由蒸餾再次移除該溶劑。
藉助於適合添加劑，本發明液晶相可以一定方式經改質，以使得其可用於迄今已揭示之任何類型，例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD顯示器中。
介電質亦可包含熟習此項技術者已知及文獻中所述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0-15%之多色染料、穩定劑，諸如苯酚、受阻胺光穩定劑(hindered amine light stabiliser；HALS)或對掌性摻雜劑。適用於根據本發明之混合物的穩定劑尤其為表C中所列之彼等穩定劑。
舉例而言，可添加0-15%之多色染料，此外可添加導電鹽，較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之錯鹽(參見例如，Haller等人，Mol.Cryst.Liq.Cryst.，第24卷，第249-258頁(1973))以改良導電性或可添加一定物質以調節介電各向異性、黏度及/或向列相配向。此類型物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。
表B表B展示可添加至根據本發明之混合物中的可能之摻雜劑。若混合物包含摻雜劑，則以0.01-4重量%，較佳0.01-3重量%之量進行添加。
根據本發明之混合物包含至少一種來自所提供之下表C的穩定
劑。
表D表D顯示可較佳作為反應性液晶原基化合物用於根據本發明之LC介質中之例示性化合物。若根據本發明之混合物包含一或多種反應性
在一較佳實施例中，根據本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，其較佳選自式RM-1至RM-99可聚合化合物。此類型介質尤其適用於PS-VA、PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中所示的反應性液晶原基中，化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-11、RM-17、RM-35、RM-41、RM-44、RM-62、RM-81、RM-95及RM-98為尤其較佳的。
以下實例意欲解釋但並非限制本發明。在實例中，m.p.表示液晶物質之熔點(攝氏度)且C表示液晶物質之清澈點(攝氏度)；沸點溫度由m.p.表示。此外：C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列狀態，Ch表示膽固醇相，I表示各向同性相，Tg表示玻璃轉移溫度。兩個符號之間的數字指示以攝氏度為單位之轉化溫度。
用於測定式I化合物之光學各向異性△n之主體混合物為市售混合
物ZLI-4792(Merck KGaA)。使用市售混合物ZLI-2857測定介電各向異性△ε。待研究化合物之物理資料自添加待研究化合物且外插至100%所用化合物之後的主體混合物介電常數之變化獲得。一般而言，視溶解度而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。
除非另外指示，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。
在上下文中：Vo 表示在20℃下之電容臨限電壓[V]，ne 表示20℃及589nm下之異常折射率，no 表示20℃及589nm下之普通折射率，△n 表示20℃及589nm下之光學各向異性，ε⊥ 表示20℃及1kHz下垂直於引向器之介電電容率，ε∥ 表示20℃及1kHz下平行於引向器之介電電容率，△ε 表示20℃及1kHz下之介電各向異性，cl.p.,T(N,I) 表示清澈點[℃]，γ1 表示在20℃下所量測之旋轉黏度[mPa．s]，其藉由旋轉方法在磁場中測定，K1 表示彈性常數[pN]，其在20℃下「傾斜」變形，K2 表示彈性常數[pN]，其在20℃下「扭轉」變形，K3 表示彈性常數[pN]，其在20℃下「彎曲」變形，LTS 表示在測試單元中測定之低溫穩定性(向列相)。
除非另外明確指出，否則本申請案中所指示之所有溫度值，例如熔點T(C,N)、近晶(S)至向列(N)相轉變T(S,N)及清澈點T(N,I)均以攝氏度(℃)表示。M.p.表示熔點，cl.p.=清澈點。此外，Tg=玻璃態，C=結晶態，N=向列相，S=近晶相且I=各向同性相。此等符號之間的數字表示轉移溫度。
在本發明中，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V0)，亦稱為弗雷德里克斯臨限值(Freedericksz threshold)。在實例中，如一般常用，光學臨限值亦可針對10%相對對比度(V10)指示。
用於量測電容臨限電壓之顯示器係由兩個間距為20μm之平面平行玻璃外板組成，其各在內側上具有電極層且在頂部具有引起液晶分子垂直邊緣配向之未摩擦之聚醯亞胺配向層。
用於量測傾斜角之顯示器或測試單元係由兩個間距為4μm之平面平行的玻璃外板組成，其各在內側上具有電極層且在頂部具有聚醯亞胺配向層，其中兩個聚醯亞胺層經彼此反向平行地摩擦，且引起液晶分子之垂直邊緣配向。
可聚合化合物在顯示器或測試單元中，藉由用限定強度之UVA光(通常365nm)照射預先設定之時間，同時將電壓施加於顯示器(通常10V至30V交流電，1kHz)來聚合。在實例中，除非另外指示，否則使用50mW/cm2汞蒸氣燈，且使用配有365nm帶通濾光片之標準UV計(製造Ushio UNI計)來量測強度。
藉由旋轉晶體實驗(Autronic-Melchers TBA-105)測定傾斜角。此處低值(亦即與90°角之大偏差)對應於大傾斜。
如下量測VHR值：將0.3%可聚合單體化合物添加至LC主體混合物中，且將所得混合物引入TN-VHR測試單元(在90°下摩擦，配向層TN聚醯亞胺，層厚度d 6μm)中。在1V、60Hz、64μs脈衝下UV曝露(日照測試)2小時之前及之後於100℃下5分鐘之後測定HR值(量測儀器：Autronic-Melchers VHRM-105)。
為了研究低溫穩定性，亦稱為「LTS」，亦即低溫下LC混合物自發結晶出個別組分之穩定性，在-10℃下儲存含1g LC/RM混合物之瓶子，且定期檢查混合物是否已結晶出。
所謂的「HTP」表示在LC介質中光學活性或對掌性物質之螺旋扭轉力(以μm為單位)。除非另外指示，否則在20℃之溫度下在市售向列LC主體混合物MLD-6260(Merck KGaA)中量測HTP。
除非另外指明，否則本申請案中所有濃度均以重量百分比表示，且係關於包含所有固體或液晶組分之整個相應混合物(無溶劑)。除非另外明確指示，否則所有物理特性均根據「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」,Status 1997年11月，Merck KGaA,Germany測定，且應用於20℃之溫度。
具有負介電各向異性之以下混合物實例尤其適用於具有至少一個平面配向層之液晶顯示器，諸如IPS及FFS顯示器，尤其UB-FFS(=超亮FFS)，且適用於VA顯示器。
另外包含0.01%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-12。
另外包含0.02%ST-8-1及0.01%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M1之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M1之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M2之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M4之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M4之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M1之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M1之混合物與0.2%下式可聚合化合物混
合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M5之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外0.03%ST-8-1。
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.015%ST-8-1。
另外包含0.015%ST-9-1。
另外包含0.03%ST-2a-1。
另外包含0.03%ST-2a-1及0.02%ST-3a-1。
另外包含0.01%ST-3b-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-12。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-9-1及0.02%ST-3b-1。
另外包含0.01%ST-9-1。
另外包含0.01%ST-8-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M17之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M17之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M17之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M17之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M17之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M17之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M17之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M19之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-
FFS應用，使99.75%根據實例M19之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M19之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M19之混合物與0.001%Irganox及0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M19之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M19之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M19之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M19之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M22之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M22之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M22之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-
FFS應用，使99.75%根據實例M22之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M22之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M22之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M22之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M28之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M28之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M33之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M33之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.8%根據實例M33之混合物與0.2%下式可聚合化合物
及0.2%以下可聚合化合物混合
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.03%ST-2a-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-2a-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1及0.1%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.03%ST-9-1。
另外包含0.03%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.03%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.01%ST-9-1。
另外包含0.01%ST-9-1。
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M34之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M34之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M35之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M63之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M63之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M63之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M65之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M70之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M71之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M72之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M100之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M100之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M101之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M102之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M102之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M102之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M102之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M103之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M104之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M104之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M104之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M104之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M104之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M105之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M105之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M105之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.75%根據實例M105之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M105之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-2a-1。
另外包含0.03%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.1%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-9-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
為製備PS-VA混合物，使99.9%根據實例M158之混合物與0.1%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.6%根據實例M158之混合物與0.4%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M158之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M158之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
另外包含0.025%ST-12。
為製備PS-VA混合物，使99.9%根據實例M163之混合物與0.1%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.6%根據實例M163之混合物與0.4%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M163之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，使99.8%根據實例M163之混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.01%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-12。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.02%ST-9-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-12。
另外包含0.03%ST-2a-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
Y-4O-O4 5.00%
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%of ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.01%ST-8-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.015%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.015%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.01%ST-9-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M230之混合物與0.001%Irganox 1076及0.3%下式可聚合化合物混合
另外包含0.03%ST-8-1。
另外包含0.025%ST-8-1。
另外包含0.015%ST-9-1。
另外包含0.005%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.65%根據實例M235之混合物與0.35%下式可聚合化合物混合
另外包含0.015%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.75%根據實例M236之混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-2a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.04%ST-3b-1及0.015%ST-9-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1及0.05%ST-3b-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.7%根據實例M249之混合物與0.001%Irganox 1076及0.3%下式可聚合化合物混合
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-9-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1及0.01%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1及0.01%ST-8-1。
另外包含0.01%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.65%根據實例M259之混合物與0.35%下式可聚合化合物混合
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.15%ST-12。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-9-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1及0.3%下式化合物
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.65%根據實例M265之混合物與0.35%下式可聚合化合物混合
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.01%ST-8-1。
另外包含0.01%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.01%ST-17。
另外包含0.02%ST-3a-1及0.3%下式化合物
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.65%根據實例M271之混合物與0.35%下式可聚合化合物混合
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
為製備聚合物穩定型(PS)混合物，例如針對PS-IPS、PS-VA、PS-FFS應用，使99.55%根據實例M274之混合物與0.25%下式可聚合化合物
及0.20%下式化合物混合
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-9-1。
另外包含0.015%ST-9-1。
另外包含0.01%ST-8-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-9-1。
另外包含0.02%ST-9-1。
另外包含0.03%ST-3a-1及0.01%ST-8-1。
另外包含0.05%ST-3b-1及0.15%ST-12。
另外包含0.05%ST-3b-1及0.15%ST-12。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-17。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3b-1。
為製備PS-VA混合物，使99.7%根據實例M309之混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1及0.01%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
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另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.025%ST-2a-1。
另外包含0.025%ST-2a-1。
另外包含0.025%ST-3b-1。
另外包含0.025%ST-3b-1。
另外包含0.025%ST-3b-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.04%ST-3b-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.04%ST-3b-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-2a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.03%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.015%ST-3a-1。
另外包含0.02%ST-8-1。
包含一或多種穩定劑的實例M1至M371之混合物的突出之處在於極其良好之可靠性。
Claims (20)
- 一種液晶介質，其特徵在於該介質包含至少一種式I化合物，
- 如請求項1之液晶介質，其中該介質包含至少一種式I-1至I-20化合物，
- 如請求項1或2之液晶介質，其中式I中之L1與L2各自表示F。
- 如請求項1至3中一或多項之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自以下式之化合物之群的化合物：ST-1、ST-2a、ST-3a、ST-3b、ST-8-1、ST-9-1、ST-12、ST-15、ST-16
- 如請求項1至4中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC化合物之群的化合物，
- 如請求項1至5中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III化合物，
- 如請求項1至6中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至L-11化合物，
- 如請求項1至6中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式T-1至T-21之聯三苯，
- 如請求項1至8中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至O-18化合物，
- 如請求項1至9中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式O-6、O-7及O-17化合物之群的化合物，
- 如請求項1至10中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式In之茚烷(indane)化合物，
- 如請求項1至11中一或多項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式BF-1及BF-2化合物，
- 如請求項1至12中一或多項之液晶介質，其中該等式I化合物在整個該混合物中之比例為1至40重量%。
- 如請求項1至13中一或多項之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物。
- 如請求項1至14中一或多項之液晶介質，其中該介質包含一或多種添加劑。
- 如請求項1至15中一或多項之液晶介質，其中該添加劑係選自自由基清除劑、抗氧化劑及/或UV穩定劑之群。
- 一種用於製備如請求項1至16中一或多項之液晶介質之方法，其特徵在於使至少一種式I化合物與至少另一種液晶化合物混合，且視情況添加一或多種添加劑且視情況添加至少一種可聚合化合物。
- 一種如請求項1至16中一或多項之液晶介質在電光顯示器中之用途。
- 一種具有主動式矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於該電光顯示器含有如請求項1至16中一或多項之液晶介質作為介電質。
- 如請求項19之電光顯示器，其中該電光顯示器為VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS、UB-FFS、U-IPS或PS-FFS顯示器。
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