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TW201640135A - 磁性線圈放大器方法及裝置 - Google Patents

磁性線圈放大器方法及裝置 Download PDF

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TW201640135A
TW201640135A TW105111541A TW105111541A TW201640135A TW 201640135 A TW201640135 A TW 201640135A TW 105111541 A TW105111541 A TW 105111541A TW 105111541 A TW105111541 A TW 105111541A TW 201640135 A TW201640135 A TW 201640135A
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linear amplifier
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gradient coil
magnetic field
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TW105111541A
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威廉Ｊ 密爾史基
葛瑞格理Ｌ 查爾貝特
強納森Ｍ 羅斯伯格
傑若米 克里斯多佛 喬登
Original Assignee
超精細研究股份有限公司
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Abstract

本發明揭示一種用於對操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈提供電力之裝置。根據一些態樣，該裝置包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以提供至少一輸出來對該至少一梯度線圈供電以根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中至少部分基於該至少一輸出而選擇對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。

Description

磁性線圈放大器方法及裝置 [相關申請案之交叉參考]
本申請案依據35 U.S.C.§ 119主張名稱為「MAGNETIC COIL AMPLIFIER METHODS AND APPARATUS」之2015年4月13日申請之美國臨時專利申請案第62/146,609號之優先權，該案之全文以引用之方式併入本文中。
本發明大體上係關於用於磁性線圈之電源組件，且更特定言之，本發明係關於用於驅動一磁共振成像系統中之一或多個梯度線圈之電源組件。
磁共振成像(MRI)對諸多應用提供一重要成像模態且在臨床及研究環境中廣泛用於產生人體內部之影像。一般而言，MRI係基於偵測磁共振(MR)信號，MR信號係由原子回應於由外加電磁場引起之狀態變化而發射之電磁波。例如，核磁共振(NMR)技術涉及：在使被成像之一物體中之原子(例如人體組織中之原子)之核自旋重新對準或弛緩之後，偵測自受激原子之核子發射之MR信號。所偵測之MR信號可經處理以產生影像，其在醫學應用之背景中允許調查人體內之內部結構及/或生物程序以用於診斷、治療及/或研究目的。
歸因於能夠在無需擔心其他模態之安全性(例如，無需使主體曝露於電離輻射(例如X射線)或無需將放射性材料引入至人體)之情況下 產生具有相對較高解析度及對比度之非侵入性影像，MRI對生物成像提供一引人注目之成像模態。另外，MRI尤其適合於提供軟組織對比，其可用於使其他成像模態無法滿意地使其成像之標的成像。再者，MR技術能夠擷取與其他模態無法獲取之結構及/或生物程序有關之資訊。然而，對於一給定成像應用，MRI存在之諸多缺點可涉及：設備之相對較高成本、臨床MRI掃描器之有限利用度及/或難以取得、及/或影像獲取程序之時長。
臨床MRI之趨勢已變為提高MRI掃描器之磁場強度來改良掃描時間、影像解析度及影像對比度之一或多者，其繼而不斷抬高成本。所安裝之絕大部分MRI掃描器依1.5或3特斯拉(T)操作，特斯拉係指主磁場B0之磁場強度。一臨床MRI掃描器之一粗略成本估計係每特斯拉約1百萬美元，其未將操作此等MRI掃描器所涉及之實質操作、服務及維護成本計算在內。
另外，習知高磁場MRI系統通常需要大型超導磁鐵及相關聯電子器件來產生其中使一物體(例如一病患)成像之一強均勻靜磁場(B0)。此等系統之尺寸係相當大的，其中一典型MRI裝置包含多個房間用於磁鐵、電子器件、熱管理系統及控制台區域。MRI系統之尺寸及費用一般使其限用於諸如醫院及學術研究中心之場所(其具有足夠空間及資源來購買及維護MRI系統)。高磁場MRI系統之高成本及大量空間要求導致MRI掃描器之有限利用度。因而，時常出現以下臨床情況：一MRI掃描係有益的，但歸因於上文所討論之限制因數之一或多者而變得不切實際或不可能，如下文將進一步詳細討論。
一些實施例係關於一種用於對操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈提供電力之裝置。該裝置包含複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓。該裝置亦包含一線性放大器，其經組 態以將一電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場。該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電。對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者可經改變以產生不同線性放大器輸出電壓。
一些實施例包含一種用於對操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈提供電力之裝置，該裝置包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以提供至少一輸出以驅動該至少一梯度線圈根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中至少部分基於該至少一輸出而選擇對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。
一些實施例包含一種使用一線性放大器來將電力提供至一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之方法，該線性放大器經組態以將電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由複數個電源端子之一或多者供電，該複數個電源端子經組態以供應一第一極性之不同電壓，該方法包括：當由該線性放大器產生之一輸出電壓之一量值低於一臨限值時，由該複數個電源端子之至少一第一電源端子對該線性放大器供電以將電流提供至該至少一梯度線圈；且當由該線性放大器產生之該輸出電壓之該量值高於該臨限值時，由該複數個電源端子之至少一第二電源端子對該線性放大器供電以將電流提供至該至少一梯度線圈。
一些實施例包含一種磁共振成像系統，其包括：一B0磁鐵，其經組態以產生一B0磁場；至少一梯度線圈；及至少一電源組件，其經組態以提供電力來操作該至少一梯度線圈，該至少一電源組件包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以將一電流提供至該至少一梯度線圈以根據 一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者可經改變以產生不同線性放大器輸出電壓。
一些實施例包含一種磁共振成像系統，其包括：一B0磁鐵，其經組態以產生一B0磁場；至少一梯度線圈；及至少一電源組件，其經組態以提供電力來操作該至少一梯度線圈，該至少一電源組件包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以將一電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中至少部分基於至少一輸出而選擇對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。
一些實施例包含一種用於提供電力來操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之裝置，該裝置包括：一線性放大器，其經組態以產生根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈之一輸出；至少一電力轉換器，其經組態以產生一可變電源供應電壓來對該線性放大器供電；及至少一控制器，其經組態以控制該至少一電力轉換器基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓。
一些實施例包含一種使用一線性放大器來將電力提供至一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之方法，該線性放大器經組態以將電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場，該方法包括：將至少一固定電源供應轉換成至少一可變電源供應電壓以對該線性放大器供電；基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓；且控制該線性放大器產生根據該脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈之一輸出。
一些實施例包含一種磁共振成像系統，其包括一B0磁鐵，其經組態以產生一B0磁場；至少一梯度線圈；及至少一電源組件，其經 組態以提供電力來操作該至少一梯度線圈，該至少一電源組件包括：一線性放大器，其經組態以產生根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈之一輸出；至少一電力轉換器，其經組態以產生一可變電源供應電壓來對該線性放大器供電；及至少一控制器，其經組態以控制該至少一電力轉換器基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓。
一些實施例包含一種用於驅動一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之裝置，該裝置包括：一切換式電力轉換器，其經組態以依一切換頻率切換，該切換頻率高於與該磁共振成像系統之一B0磁場強度相關聯之一拉莫(Larmor)頻率；及一控制器，其經組態以控制該切換式電力轉換器根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈。
根據本發明，一些實施例係關於一種操作用於驅動一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之一裝置之方法。
一些實施例係關於至少一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其具有儲存於其上之指令，該等指令在由一處理器執行時執行此一方法。
[發明內容]僅供說明且不意欲具限制性。
100‧‧‧磁共振成像(MRI)系統
102‧‧‧使用者
104‧‧‧計算器件
106‧‧‧控制器
108‧‧‧脈衝序列儲存器/脈衝序列儲存庫
110‧‧‧電力管理系統
112‧‧‧電源供應器
114‧‧‧電源組件
116‧‧‧發射/接收開關
118‧‧‧熱管理組件
120‧‧‧磁性組件
122‧‧‧B0磁鐵
124‧‧‧勻場線圈
126‧‧‧射頻(RF)發射及接收線圈
128‧‧‧梯度線圈
202‧‧‧線圈
301‧‧‧比較器
302‧‧‧電壓放大器電路
303‧‧‧輸出級
303A‧‧‧輸出級
303A'‧‧‧輸出級
303B‧‧‧輸出級
303C‧‧‧輸出級
303D‧‧‧輸出級
303E‧‧‧輸出級
303F‧‧‧輸出級
303G‧‧‧輸出級
304‧‧‧線性放大器
305‧‧‧單端線性放大器
306‧‧‧線性放大器
401‧‧‧電流感測器
601‧‧‧驅動電路
602‧‧‧驅動電路
603‧‧‧驅動電路
604‧‧‧驅動電路
605‧‧‧電晶體電路/電晶體
606‧‧‧電晶體電路/電晶體
607‧‧‧電晶體電路/電晶體
608‧‧‧電晶體電路/電晶體
701‧‧‧偏壓電路
702‧‧‧計時電路
703A‧‧‧驅動電晶體
703B‧‧‧驅動電晶體
902‧‧‧計時電路
904‧‧‧計時電路
1104‧‧‧極性切換電路
1202‧‧‧切換式電力轉換器
1304‧‧‧電力轉換器
1306‧‧‧電力轉換器
1308‧‧‧控制器
1403‧‧‧電力轉換器
1404‧‧‧電力轉換器
1502‧‧‧電壓
1504‧‧‧轉變波形
1506‧‧‧轉變波形
1508‧‧‧轉變波形
C1‧‧‧電容器
E‧‧‧誤差信號
FB‧‧‧電流回饋信號
OA‧‧‧運算放大器
R1‧‧‧電阻器
R2‧‧‧電阻器
S1‧‧‧切換電路/開關
S2‧‧‧切換電路/開關
S3‧‧‧切換電路/開關
S4‧‧‧切換電路
S5‧‧‧開關
S6‧‧‧開關
S7‧‧‧開關
S8‧‧‧開關
V_FB‧‧‧電壓回饋信號
將參考下圖來描述本發明之各種態樣及實施例。應瞭解，圖式未必按比例繪製。出現於多個圖中之項目由其中出現該等項目之所有圖中之相同元件符號指示。
圖1係根據本發明之一些實施例之一低磁場MRI系統之例示性組件之一方塊圖。
圖2展示根據本發明之一些實施例之用於驅動一電流通過一線圈以產生一磁場之驅動電路。
圖3A展示根據本發明之一些實施例之一梯度線圈電流波形之一實例。
圖3B展示根據本發明之一些實施例之圖3A中所展示之梯度線圈電流波形之上升轉變之前、該上升轉變期間及該上升轉變之後之電流命令、梯度線圈電流及梯度線圈電壓之波形。
圖4A展示根據本發明之一些實施例之具有一電流回饋迴路及一電壓回饋迴路之一電源組件之一實例。
圖4B展示根據本發明之一些實施例之一電壓放大器之一實例。
圖5A及圖5B展示根據本發明之一些實施例之可由不同供應端子根據輸出電壓而供電之一輸出級之實例。
圖6展示根據本發明之一些實施例之具有複數個驅動電路(其等用於驅動連接至高電壓供應端子及低電壓供應端子之複數個電晶體電路)之一輸出級之一實例。
圖7展示根據本發明之一些實施例之包含一偏壓電路及一計時器電路之驅動電路。
圖8展示根據本發明之一些實施例之圖7之驅動電路之一實例性實施方案。
圖9展示根據一些實施例之用於實施一計時電路之一技術之另一實例。
圖10展示根據一些實施例之由一RC電路及一電晶體實現之計時電路之一實例。
圖11展示根據一些實施例之包含一單端線性放大器之一輸出級之一實例。
圖12展示根據一些實施例之可包含一切換式電力轉換器之一電源組件之一實例。
圖13展示根據一些實施例之可由一可變電壓正供應端子及一可變電壓負供應端子供電之一輸出級之一實施例。
圖14A展示具有可變低電壓供應端子之類似於圖5A之實施例之一 實施例。
圖14B展示其中高電壓供應端子相同於將電力供應至電力轉換器之電源供應端子之一實施例。
圖15A至圖15D展示根據一些實施例之一梯度線圈電流波形、梯度線圈電壓波形及電源供應端子電壓波形。
圖16A展示具有一可變低電壓供應端子之類似於圖11之實施例之一實施例。
圖16B展示其中高電壓供應端子相同於將電力供應至電力轉換器之電源供應端子之一實施例。
高磁場系統在MRI掃描器市場中占絕對主導地位，且尤其用於醫學或臨床MRI應用。如上文所討論，醫學成像之一般趨勢已變為產生具有越來越大之磁場強度之MRI掃描器，其中絕大部分臨床MRI掃描器依1.5T或3T操作，且在研究環境中使用7T及9T之較高磁場強度。如本文所使用，「高磁場」一般係指目前用於一臨床環境中之MRI系統，且更特定言之，係指使用等於或高於1.5T之一主磁場(即，一B0磁場)來操作之MRI系統，但在0.5T至1.5T之間操作之臨床系統通常亦被特性化為「高磁場」。相比而言，「低磁場」一般係指使用小於或等於約0.2T之一B0磁場來操作之MRI系統，但具有0.2T至約0.3T之間之一B0磁場之系統有時已被特性化為「低磁場」。
低磁場MRI提出一引人注目之成像解決方案來代替高磁場MRI，其提供一相對較低成本、高利用度。特定言之，可將低磁場MRI系統實施為自含系統，其可部署於其中歸因於成本、尺寸及/或需要一專用場地而無法部署高磁場MRI系統之各種臨床環境中。然而，歸因於較低磁場強度，低磁場MRI系統一般亦具有相對較低信雜比。因而，低雜訊組件之設計可在低磁場MRI系統之發展中起重要作用。
本文所描述之技術發展之態樣係源自發明者認識到需要將相對較低雜訊及高效電力提供至一MRI系統(特定言之(但不限於)，低磁場MRI系統，其中電源中之雜訊尤其成問題)之一或多個磁性線圈。就此而言，發明者已發展電源組件來驅動適合用於相對較低雜訊操作之(若干)磁性線圈。另外，發明者已認識到，習知電源通常由一單一相對較高電壓之電源端子在此一電壓無需操作對應組件時之時間間隔期間供電，就此而言，此等解決方案係相對無效率的。根據一些實施例，發明者已藉由提供可依所要組合接通以對一放大器供電之複數個電源端子(其等各經組態以供應一不同電壓位凖來對該放大器供電)而發展具有普遍提高效率之電源組件。依此方式，可減小其中放大器汲取實質上比所需電力多之電力的時間間隔。
簡言之，MRI涉及：將待成像之一主體(例如一病患之全部或部分)放置於一靜態均勻磁場B0中以使一主體之原子凈磁化(通常由一凈磁化向量表示)沿磁場B0之方向對準。接著，使用一或多個發射線圈來產生具有與磁場B0中之原子之原子自旋之旋進率相關之一頻率之一脈衝式磁場B1以引起原子之淨磁化沿橫向於B0磁場之方向之一方向發展一分量。在切斷B1磁場之後，淨磁化向量之橫向分量旋進，其量值隨時間衰減，直至淨磁化與B0磁場之方向重新對準。此程序產生可由(例如)誘發於MRI系統之一或多個接收線圈中之電壓偵測之MR信號。
另外，MRI涉及：使用梯度線圈來誘發主磁場B0之梯度，使得自主體內之特定空間位置發出之MR信號可被識別(即，梯度線圈用於對所偵測之MR信號進行空間編碼)。藉由使(若干)發射線圈及/或梯度線圈依一特定序列(指稱一「脈衝序列」)脈動且使用(若干)接收線圈來感測由該脈衝序列誘發之MR信號而部分形成一MR信號。接著，所偵測之MR信號可經處理(例如，「經重建」)以形成一影像。一脈衝序列一般描述發射/接收線圈及梯度線圈在準備主體之磁化且獲取所得MR 資料時之操作順序及時序。例如，一脈衝序列可指示接收線圈在此期間獲取MR資料之發射脈衝、梯度脈衝及獲取時間之一順序。
為產生MRI之脈衝序列，一般提供電源組件來驅動磁性組件以根據指定脈衝序列而產生磁場。在低磁場背景中，存在使習知高磁場電力解決方案非所要及/或不適合地用於低磁場MRI之諸多考量。例如，儘管可接受習知高磁場電源組件之成本(其相較於一高磁場MRI裝置之總成本而言係相對微不足道的)，但此成本在設計為一較低成本替代之一低磁場MRI系統之背景中可為高得難以接受。因此，通常用於高磁場MRI之一電源組件之成本會是不成比例地高且因此無法使一些較低成本之低磁場MRI系統滿意。
另外，低磁場MRI之一挑戰係相對較低信雜比。特定言之，一MR信號之信雜比與主磁場B0之強度相關且係驅動臨床系統在高磁場狀態中操作之一因數。因此，MR信號強度歸因於低磁場強度而在低磁場背景中相對較弱，使得系統中之任何額外雜訊會對影像品質具有一相對較重要之影響。就此而言，發明者已認識到，用於驅動一高磁場MRI系統之線圈之習知電源組件可能不適合用於低磁場MRI系統，此係因為其無法經設計以驅動具有足夠低雜訊之線圈。儘管由此等電源組件注入之雜訊在高磁場MRI系統之高SNR狀態中係可接受的，但此等組件一般無法提供雜訊之一足夠低位凖來提供一低磁場MRI系統之可接受影像品質。例如，習知電源組件會在用於低磁場背景中時展現輸出(例如漣波)之不滿意變動以將相對較大雜訊注入至一低磁場MRI系統之梯度線圈系統中。
發明者已發展適合用於驅動一低磁場MRI系統之一或多個磁性組件(例如線圈)之(若干)低雜訊電源組件且已根據一些實施例而發展使用一相對較高效之線性放大器設計(其之一些實例將在下文中進一步詳細描述)來實施之(若干)相對較低雜訊之電源組件。儘管本文所描述 之低雜訊電源組件適合用於低磁場MRI，但其不限於與低磁場MRI系統一起使用，而是可與任何適合MRI系統一起使用。
應瞭解，可依諸多方式之任何者實施本文所描述之實施例。以下特定實施方案之實例僅供說明。應瞭解，所提供之實施例及特徵/能力可被個別使用，全部一起使用，或以兩者或兩者以上之任何組合使用，此係因為本發明之態樣不限於此。
圖1係一MRI系統100(例如一低磁場MRI系統)之例示性組件之一方塊圖。在圖1之繪示性實例中，MRI系統100包括計算器件104、控制器106、脈衝序列儲存器108、電力管理系統110及磁性組件120。應瞭解，系統100係繪示性的，且除圖1中所繪示之組件之外，一MRI系統亦可具有任何適合類型之一或多個其他組件，或一MRI系統可具有任何適合類型之一或多個其他組件來代替圖1中所繪示之組件。
如圖1中所繪示，磁性組件120包括B0磁鐵122、勻場線圈124、RF發射及接收線圈126及梯度線圈128。磁鐵122可用於產生主磁場B0。磁鐵122可為可產生一所要主磁場B0之磁性組件之任何適合類型或組合(例如(若干)電磁鐵、印刷磁性元件、(若干)永久磁鐵等等之任何一者或組合)。因此，一B0磁鐵在本文中係指經組態以產生一B0磁場之任何類型之磁性組件之任何一者或組合。根據一些實施例，B0磁鐵122可產生或促成大於或等於約20mT且小於或等於約50mT、大於或等於約50mT且小於或等於約0.1T、大於或等於約0.1T且小於或等於約0.2T、大於或等於約0.2T且小於或等於約0.3T、大於0.3T且小於或等於約0.5T等等之一B0磁場。勻場線圈124可用於促使(若干)磁場改良由磁鐵122產生之B0磁場之均勻性。
梯度線圈128可經配置以提供梯度磁場且(例如)可經配置以沿三個實質上正交之方向(X、Y、Z)上產生B0磁場之梯度。梯度線圈128可經組態以藉由系統地變動B0磁場(由磁鐵122及/或勻場線圈124產生 之B0磁場)而編碼發射之MR信號以將接收之MR信號之空間位置編碼為頻率或相位之一函數。例如，梯度線圈128可經組態以變動依據沿一特定方向之空間位置而線性變化之頻率或相位，但亦可藉由使用非線性梯度線圈而提供更複雜之空間編碼分佈。例如，一第一梯度線圈可經組態以選擇性地變動沿一第一(X)方向之B0磁場以沿該方向執行頻率編碼，一第二梯度線圈可經組態以選擇性地變動沿實質上正交於該第一方向之一第二(Y)方向之B0磁場以執行相位編碼，且一第三梯度線圈可經組態以選擇性地變動沿實質上正交於該第一方向及該第二方向之一第三(Z)方向之B0磁場以啟用用於容積成像應用之切片選擇。
如上文所討論，藉由分別使用發射線圈及接收線圈(通常指稱射頻(RF)線圈)來激發及偵測發射之MR信號而執行MRI。發射/接收線圈可包含用於發射及接收之分離線圈、用於發射及/或接收之多個線圈或用於發射及接收之相同線圈。發射/接收線圈亦通常指稱Tx/Rx或Tx/Rx線圈，其一般係指用於一MRI系統之發射及接收磁性組件之各種組態。此等術語在本文中被互換使用。在圖1中，RF發射及接收線圈126包括可用於產生RF脈衝來誘發一振盪磁場B1之一或多個發射線圈。該(等)發射線圈可經組態以產生任何適合類型之RF脈衝。例如，該(等)發射線圈可經組態以產生2015年11月11日申請之名稱為「Pulse Sequences for Low Field Magnetic Resonance」之美國專利申請案第14/938,430號('430申請案)中所描述之脈衝序列之任何者。
可依任何適合方式建構磁性組件120之各者。例如，在一些實施例中，可使用名稱為「Low-field Magnetic Resonance Imaging Methods and Apparatus」且2015年9月4日申請之美國專利申請案第14/845,652號('652申請案)中所描述之技術來製作、建構或製造磁性組件120之一或多者(例如，全部)。然而，本文所描述之技術不限於 此，此係因為任何適合技術可用於提供磁性組件120。
電力管理系統110包含用於將操作電力提供至低磁場MRI系統100之一或多個組件之電子器件。例如，如下文將更詳細討論，電力管理系統110可包含提供適合操作電力所需之一或多個電源供應器、梯度電源組件、發射線圈組件及/或任何其他適合電力電子器件來對低磁場MRI系統100之組件供能且操作低磁場MRI系統100之組件。
如圖1中所繪示，電力管理系統110包括電源供應器112、(若干)電源組件114、發射/接收開關116及熱管理組件118。電源供應器112包含用於將操作電力提供至MRI系統100之磁性組件120之電子器件。例如，電源供應器112可包含用於將操作電力提供至一或多個B0線圈(例如B0磁鐵122)以產生低磁場MRI系統之主磁場的電子器件。在一些實施例中，電源供應器112係一單極連續波(CW)電源供應器，然而，可使用任何適合電源供應器。發射/接收開關116可用於選擇是否操作RF發射線圈或RF接收線圈。
(若干)電源組件114可包含：一或多個RF接收(Rx)前置放大器，其等放大由一或多個RF接收線圈(例如線圈126)偵測之MR信號；一或多個RF發射(Tx)電源組件，其等經組態以將電力提供至一或多個RF發射線圈(例如線圈126)；一或多個梯度電源組件，其等經組態以將電力提供至一或多個梯度線圈(例如梯度線圈128)；及一或多個勻場電源組件，其等經組態以將電力提供至一或多個勻場線圈(例如勻場線圈124)。
熱管理組件118對低磁場MRI系統100之組件提供冷卻且可經組態以藉由促進將由低磁場MRI系統100之一或多個組件產生之熱能自該等組件轉走而實現冷卻。熱管理組件118可包含(但不限於)用於執行基於水或基於空氣之冷卻之組件，其可與產生熱之MRI組件(其包含(但不限於)B0線圈、梯度線圈、勻場線圈及/或發射/接收線圈)整合或 配置成非常接近該等MRI組件。熱管理組件118可包含用於將熱自低磁場MRI系統100之組件轉走之任何適合傳熱介質，其包含(但不限於)空氣及液體冷卻劑(例如水)。
如圖1中所繪示，MRI系統100包含控制器106(亦指稱一控制台)，其具有用於將指令發送至電力管理系統110及自電力管理系統110接收資訊之控制電子器件。控制器106可經組態以實施一或多個脈衝序列，該等脈衝序列用於判定發送至電力管理系統110之指令依一所要序列操作磁性組件120。例如，對於其中MRI系統100依低磁場操作之實施例，控制器106可經組態以控制電力管理系統110根據一零回波時間(ZTE)脈衝序列、一平衡穩態自由旋進脈衝序列(LF-bSSFP)、一梯度回波脈衝序列、一自旋回波脈衝序列、一反轉恢復脈衝序列、動脈自旋標記、擴散加權成像(DWI)及/或指定用於低磁場背景中之操作之任何其他脈衝序列而操作磁性組件120。可將用於低磁場MRI之脈衝序列應用於不同對比類型，諸如T1加權及T2加權成像、擴散加權成像、動脈自旋標記(灌注成像)、奧佛豪瑟(Overhauser)成像等等。然而，可使用任何脈衝序列，此係因為態樣不限於此。可將控制器106實施為硬體、軟體或硬體及軟體之任何適合組合，此係因為本發明之態樣不限於此。
在一些實施例中，控制器106可經組態以藉由自脈衝序列儲存庫108獲得與脈衝序列有關之資訊而實施一脈衝序列，脈衝序列儲存庫108儲存一或多個脈衝序列之各者之資訊。由脈衝序列儲存庫108儲存之用於一特定脈衝序列之資訊可為允許控制器106實施該特定脈衝序列之任何適合資訊。例如，儲存於脈衝序列儲存庫108中之用於一脈衝序列之資訊可包含用於根據該脈衝序列而操作磁性元件120之一或多個參數(例如用於操作RF發射及接收線圈126之參數、用於操作梯度線圈128之參數等等)、用於根據該脈衝序列而操作電力管理系統110 之一或多個參數、包括指令(其在由控制器106執行時引起控制器106控制系統100根據該脈衝序列而操作)之一或多個程式及/或任何其他適合資訊。可將儲存於脈衝序列儲存庫108中之資訊儲存於一或多個非暫時性儲存媒體上。
如圖1中所繪示，控制器106亦與經程式化以處理接收之MR資料之計算器件104互動。例如，計算器件104可處理接收之MR資料以使用任何適合(若干)影像重建程序來產生一或多個MR影像。控制器106可將與一或多個脈衝序列有關之資訊提供至計算器件104以由計算器件處理資料。例如，控制器106可將與一或多個脈衝序列有關之資訊提供至計算器件104且計算器件可至少部分基於所提供之資訊而執行一影像重建程序。
計算器件104可為可處理所獲取之MR資料且產生被成像之主體之一或多個影像的任何電子器件。在一些實施例中，計算器件104可為一固定電子器件，諸如一桌上型電腦、一伺服器、一機架安裝電腦、一工作站或任何其他適合固定電子器件(其可經組態以處理MR資料且產生被成像之主體之一或多個影像)。替代地，計算器件104可為一可攜式器件，諸如一智慧型電話、一個人數位助理、一膝上型電腦、一平板電腦或任何其他可攜式器件(其可經組態以處理MR資料且產生被成像之主體之一或多個影像)。在一些實施例中，計算器件104可包括任何適合類型之多個計算器件，此係因為本發明之態樣不限於此。一使用者102可與計算器件104互動以控制低磁場MR系統100之態樣(例如，程式化系統100以根據一特定脈衝序列而操作，調整系統100之一或多個參數，等等)及/或由低磁場MR系統100獲得之視圖影像。
如上文所討論，發明者已認識到，用於驅動一高磁場MRI系統之線圈之習知電源組件一般不適合用於低磁場MRI系統，此係因為其無法經設計以驅動具有低雜訊之線圈。儘管由此等電源組件注入之雜訊 在具有一高SNR之高磁場MRI系統中係可接受的，但此等電源組件無法提供雜訊之一足夠低位凖來提供一低磁場MRI系統之可接受影像品質。低磁場MRI之低SNR額外需要低雜訊電源組件來驅動一低磁場MRI系統之一或多個線圈。(若干)低雜訊電源組件之設計可改良一低磁場MRI系統之SNR。
一些高磁場MRI系統使用具有一切換式電力轉換器之電源組件來驅動電流通過線圈。儘管切換式電力轉換器可提供高效率，但發明者已認識到且已瞭解，習知切換式轉換器會將大量切換雜訊引入至系統中，此係因為其依一範圍(例如數十kHz至數百kHz之範圍)內之頻率(其會影響脈衝序列之發射及回應於該等脈衝序列而發射之MR信號之偵測)切換。例如，習知切換式電力轉換器之切換頻率及/或其諧波可與發射及/或接收線圈調諧至其以共振且因此將雜訊加入低磁場MRI系統之發射/接收通道的頻率重疊。儘管由此等電力轉換器注入之雜訊在一高磁場MRI系統中係微不足道的，但所注入之雜訊之位凖在一低磁場MRI系統中係不可接受的且會使成像品質降級。另外，高磁場MRI中之發射/接收頻率之差異通常允許更容易地濾除切換雜訊，此係因為切換雜訊通常會在相對於發射/接收頻率之帶外(切換頻率及/或諧波比B1頻率(發射頻率)低很多且因此更容易被濾除)。
使用一切換式電力轉換器之一替代係使用一線性放大器。與使其電晶體在完全接通狀態與完全切斷狀態之間切換之一切換式電力轉換器相反，一線性放大器在一連續範圍內操作其電晶體來產生一放大輸出。在一線性放大器中，可將一控制信號提供至一或多個電晶體之控制端子(例如閘極或基極)，且基於該控制信號之量值而控制流動通過該(等)電晶體之電流。由於線性放大器藉由在一連續範圍內變動電晶體之電流而產生其輸出(與依一切換頻率接通及切斷電晶體相反)，所以可避免注入切換雜訊。
然而，發明者已瞭解，需要將一大範圍之輸出電流及/或電壓提供至一MRI系統之線圈(諸如(例如)梯度線圈)，使得使用一單一正電壓端子來提供正輸出電壓及使用一單一負電壓端子來提供負輸出電壓導致一無效率電源組件。特定言之，一線性放大器會在產生相對較低量值之輸出電壓時消耗大量電力。例如，在線性放大器之輸出端處提供一相對較低電壓及相對較高電流需要使橫跨供應電壓端子與放大器輸出端子之間之放大器之(若干)電晶體的電壓大幅下降。據此，此一線性放大器會在經操作以產生低輸出電壓時無效率，且因此會消耗大量電力且產生大量散熱。儘管冷卻系統可用於冷卻系統，但對放大器電路提供顯著冷卻能力對一些MRI系統(例如經設計以具有相對較小尺寸、相對較低重量及/或一低成本之低磁場MRI系統)而言係不可接受的。
發明者已認識到，可藉由基於由一線性放大器產生之輸出電壓由不同供應電壓(例如具有不同固定電壓之多個供應軌)對該放大器供電而改良利用該放大器之一電源組件之效率。可藉由提供將放大器連接至不同供應電壓之能力而選擇更接近放大器之輸出電壓的一適當供應電壓，其可減小橫跨放大器之(若干)電晶體之電壓降。據此，可提高放大器之效率，且可顯著減少或消除冷卻放大器之需求。此一放大器可尤其有利地用於低磁場MRI系統中，如上文所討論，其可受益於高效低雜訊電源組件。
圖2繪示根據一些實施例之用於驅動一電流通過一MRI系統之一線圈202以根據一所要脈衝序列而產生一磁場之驅動電路。電源組件114基於來自控制器106之一控制信號而驅動一電流通過線圈202。控制器106可基於由控制器106實施(或由一或多個其他控制器提供)之一脈衝序列而產生一控制信號來驅動電源組件114，如上文所討論。在一些實施例中，線圈202可為一梯度線圈128。然而，本發明不限於 此，此係因為線圈202可為磁鐵122之一線圈、勻場線圈124或一RF發射及/或接收線圈126。
經組態以對梯度線圈供電之電源組件通常提供相對較高電力且通常需要提供對提供至梯度線圈之電流之精確控制，使得所要脈衝序列可被如實傳遞。將命令電流傳遞至梯度線圈之不準確性導致信雜比降低，此係歸因於被傳遞之梯度脈衝序列與意欲(且預期)脈衝序列之間之差異。經組態以驅動梯度線圈之電源組件亦應負責將命令電流傳遞至梯度線圈，其包含命令電流位凖之間之快速轉變以如實地產生所要脈衝序列所需之電流波形。據此，發明者已發展能夠經控制以將具有相對較低雜訊及相對較高效率之電流準確且精確地提供至一或多個梯度線圈以如實地再生一所要脈衝序列之電源組件，下文將更詳細討論該等電源組件之一些實施例。
在一些實施例中，電源組件114可為驅動一所要電流通過線圈202之一「電流模式」電源組件。可由電源組件114回應於來自控制器106之一電流命令而產生該所要電流。就此而言，電源組件114可充當由該電流命令(其可由控制器提供為指示待提供至線圈202之電流之一電壓位凖)控制之一電流源。控制器106可改變電流命令，使得電源組件114產生根據一選定脈衝序列而改變之電流值。例如，控制器106可命令電源組件根據包括複數個梯度脈衝之一脈衝序列而驅動一或多個梯度線圈。對於各梯度脈衝，電源組件需要在該梯度脈衝之上升邊緣處使提供至一對應梯度線圈之電流斜升且在該梯度脈衝之一下降邊緣處使提供至該梯度線圈之電流斜降。下文將更詳細描述經組態以驅動梯度線圈提供複數個此等梯度脈衝之一電源組件之實例性操作。
圖3A展示根據一些實施例之一梯度線圈電流波形之一實例。在此實例中，梯度線圈電流在0.2ms之一時間間隔內於梯度脈衝之上升邊緣處自0A快速斜升至+20A，在一段時間內保持為+20A，接著在 梯度脈衝之下降邊緣處快速斜降至-20A，且在一段時間內保持為-20A。應瞭解，用於產生一梯度脈衝之例示性電流僅供說明且不同脈衝序列可包括具有不同電流及/或電壓需求之梯度脈衝。控制器106及電源組件114可經組態以根據任何適合脈衝序列而驅動一或多個梯度線圈。
圖3B展示圖3A中所展示之梯度線圈電流之上升邊緣之前、該上升邊緣期間及該上升邊緣之後之電流命令、梯度線圈電流及梯度線圈電壓之波形。梯度線圈電流係通過梯度線圈之電流。梯度線圈電壓係橫跨梯度線圈之電壓。電流命令係表示待由電源組件114驅動通過梯度線圈之電流量的一信號。回應於0ms之一時間處之一電流命令，通過梯度線圈之電流開始朝向+20A之命令電流上升。由於梯度線圈係一電感性負載，所以需要將一相對較大電壓提供至梯度線圈以快速增大通過梯度線圈之電流。MRI應用期望提供通過梯度線圈之電流之一快速增大，此係因為提供梯度線圈電流值之間之快速轉變可減少獲取時間且需要其來實施某些脈衝序列。應自圖3A及圖3B中所展示之例示性電壓及電流瞭解到，電源組件114可具有使用相對較高電力來驅動梯度線圈之能力。
例如，一梯度線圈可具有200μH之一電感及100mΩ之一電阻。由於通過梯度線圈之電流之變化率與其電感成比例，所以需要將100V之一電壓提供至梯度線圈以依100A/ms之一速率增大其電流。然而，一旦梯度線圈電流在20A處趨於平衡，則電壓需求實質上下降。此時，由於電流不再改變，所以所需電壓取決於梯度線圈之電阻。由於梯度線圈之電阻係100mΩ，所以使電流穩定地維持為20A所需之提供至梯度線圈之電壓係2V，其顯著低於電流值之間之轉變期間所需之電壓(100V)。然而，電流、電壓、電感及電阻之此等值僅供例示，此係因為可使用可具有不同電感及/或電阻值之任何適合梯度線 圈設計。此外，可使用及/或需要電流、電壓、轉變時序等等之其他適合值來實施一給定脈衝序列。
由於梯度線圈之電阻可相對較低(例如，小於500mΩ)，所以在一些實施例中，電源組件114具有一相對較低輸出阻抗以高效地供應命令電流。例如，根據一些實施例，電源組件114包括經組態以對一或多個梯度線圈供電(例如，根據一所要脈衝序列而將電流提供至一或多個梯度線圈)之一線性放大器。為實施具有一低輸出阻抗之一線性放大器，可使用具有低等效串聯電阻之適合尺寸之電晶體及/或可使數個電晶體並聯連接以共同產生一低電阻。互連件可經設計以具有一相對較低電阻。在一些實施例中，線性放大器之輸出阻抗可(例如)小於梯度線圈之阻抗之兩倍。在一些實施例中，橫跨線性放大器之電晶體之電壓降在操作中可相對較低，諸如小於5V、小於2V或小於1V(且大於0V)。使用具有一相對較低輸出阻抗之一放大器可尤其有助於驅動電流通過可實質上具有DC電流之一梯度線圈。一低輸出阻抗可改良效率且限制放大器之加熱。下文將更詳細討論例示性線性放大器實施方案之細節。
圖4A展示根據一些實施例之具有一電流回饋迴路及一電壓回饋迴路之一電源組件114之一實例。電源組件114經組態以提供根據一所要脈衝序列而驅動一或多個梯度線圈所需之電流。因而，電源組件114經設計為一低雜訊電流源，其可經精確控制以提供驅動一或多個梯度線圈所需之命令電流波形以如實地產生所要梯度磁場。電源組件114包含一比較器301，其使其非反轉輸入端子自控制器106接收一電流命令且使其反轉輸入端子自一電流感測器401接收一電流回饋信號FB。電流命令可為表示命令電流之一電壓值。電流回饋信號FB可為表示量測電流之一電壓值。在一些實施例中，一高品質電流感測器可用於提供可改良梯度線圈電流脈衝之準確性之一準確回饋信號FB。
比較器301產生表示電流命令與電流回饋信號FB之間之差異的一誤差信號E(例如一電壓)。放大器電路302放大誤差信號以產生提供至輸出級303之一放大誤差信號。輸出級303基於放大誤差信號而驅動線圈202。由電流感測器401量測通過線圈202之電流，且將一回饋信號FB饋送回比較器301，如上文所討論。藉此，電流回饋迴路引起通過線圈202之電流等於由控制器106命令之電流。就此而言，電源組件114可充當一電壓控制電流源。根據一些實施例，一高準確性、高精確性電流感測器401用於確保提供至梯度線圈之電流輸出準確地追蹤由控制器106命令之電流。因此，可使經提供以對梯度線圈供電之電流保持儘可能地接近命令電流。電源組件114亦具有將輸出級303之輸出電壓提供至電壓放大器電路302之輸入端的一電壓回饋迴路。
如圖4B中所繪示，電壓放大器電路302可包含一運算放大器OA，其使其非反轉輸入端接收誤差信號E且使其反轉輸入端接收電壓回饋信號V_FB。可透過一電阻分壓器(例如，其包含電阻器R1及R2)而將電壓回饋信號提供至運算放大器之反轉輸入端，該電阻分壓器引起運算放大器基於該分壓器中之電壓值之比率而放大輸入電壓。任何適合電壓增益可用於電壓放大器，諸如(例如)5至15之一增益。在一些實施例中，輸出級之電壓增益可為1(單位增益)。
如圖4A中所繪示，在一些實施例中，控制器106可將一命令提供至輸出級303。控制器106可命令輸出級303產生適合用於供應執行一脈衝序列之一對應部分所需之電流之一電源供應電壓。例如，該命令可引起輸出級之一電力轉換器開始在一梯度線圈電流脈衝之前使一電源供應電壓之量值斜升。下文將參考圖15D來更詳細討論此一命令。
在一些實施例中，輸出級303經組態以選擇性地由具有不同電壓之複數個電源端子供電。可根據由電壓放大器產生之輸出電壓而選擇經選擇以對輸出級303供電之電源供應端子。例如，當命令電源組件 產生一相對較高(正)輸出電壓時，電源組件可自一相對較高(正)電壓供應端子供電，且當命令電源組件產生一相對較低(正)輸出電壓時，電源組件自一相對較低(正)電壓供應端子供電。據此，可藉由在產生相對較低輸出電壓時減小橫跨其(若干)電晶體之電壓降而改良電源組件之效率。應瞭解，可使用任何數目個供應端子及電壓位凖，此係因為態樣不限於此。例如，可使用高電壓、中電壓及低電壓供應端子(正及負)，或可使用適合用於一特定設計及/或實施方案之甚至更多數目個電壓供應端子。
圖5A展示具有適合用於對一磁共振成像系統之一或多個梯度線圈供電之一輸出Vout、Iout之一輸出級303A之一實例。為改良對一或多個梯度線圈供電之電力效率，可由不同供應端子根據輸出電壓Vout而對輸出級303A供電。例如，可由一第一極性之複數個供應端子(例如複數個不同正電壓)及/或一第二極性之複數個供應端子(例如複數個不同負電壓)對輸出級303A供電。根據一些實施例，輸出級303A可包含一線性放大器304來促進低雜訊操作。根據一些實施例，不同供應端子之各者提供一不同固定供應電壓。根據一些實施例，不同供應端子之一或多者產生一可變供應電壓，如下文將更詳細討論。
在操作中，若在Vout處產生一正輸出電壓，則切換電路S1根據輸出電壓之量值而將線性放大器304之高壓側電力輸入端連接至高電壓端子+Vhigh或低電壓端子+Vlow。若將產生一相對較高輸出電壓(例如，若待產生之輸出電壓超過一特定臨限值)，則切換電路S1將線性放大器304之高壓側電力輸入端連接至高電壓端子+Vhigh。若將產生一相對較低輸出電壓(例如，若待產生之輸出電壓保持低於該特定臨限值)，則切換電路S1將線性放大器304之高壓側電力輸入端連接至低電壓端子+Vlow。類似地，若產生一負輸出電壓，則切換電路S2根據輸出電壓之量值而將線性放大器304之低壓側電力輸入端連接至高電 壓端子-Vhigh或低電壓端子-Vlow，如上文所討論。可使用任何適合切換電路S1及S2。此切換電路可包含被動切換之二極體及/或主動切換之一電晶體。
在一些實施例中，高電壓或低電壓端子可直接連接至線性放大器304，無需一介入開關S1或S2。例如，如由圖5B中所繪示之例示性輸出級303A'所展示，高電壓端子+Vhigh及-Vhigh可直接連接至線性放大器304，且低電壓端子+Vlow及-Vlow可透過各自開關S1及S2而連接至線性放大器304。線性放大器304可經設計使得除非一低電壓供應端子之電壓不足以供應輸出電流(在此情況中，線性放大器304由高電壓供應端子供電)，否則線性放大器304由該低電壓供應端子供電。應瞭解，+/-Vhigh及+/-Vlow之使用僅供例示且可使用任何數目個電壓位凖來提供一所要輸出電壓。例如，+/-Vhigh與+/-Vlow之間之一或多個介入電壓位凖可分別用於產生所要電壓位凖。
圖6展示具有複數個驅動電路601至604之一輸出級303A之一實例。驅動電路601至604驅動包含複數個電晶體電路605至608之一線性放大器304，電晶體電路605至608各包含一或多個電晶體。線性放大器304可根據待產生之輸出電壓而連接至高電壓或低電壓供應端子。
當將產生一低正輸出電壓時，(若干)電晶體606經由切換電路S3而連接至低電壓端子+Vlow。(若干)電晶體605由驅動電路601切斷以使電晶體606與高電壓端子+Vhigh隔離。驅動電路602基於輸入而將(若干)電晶體606驅動為一線性放大元件以使用作為電流之一來源的低電壓端子+Vlow來產生一放大輸出。
為提供一高正輸出電壓，驅動電路601接通(若干)電晶體605以將高電壓端子+Vhigh連接至電晶體606。切換電路S3可經切斷以使(若干)電晶體606與低電壓端子+Vlow隔離。驅動電路602可驅動(若干)電晶體606完全接通，使得(若干)電晶體605連接至輸出級303A之輸出 端。驅動電路601基於輸入而將(若干)電晶體605驅動為一線性放大元件以使用高電壓端子+Vhigh來產生一放大輸出。
據此，低電壓端子+Vlow可用於提供一低輸出電壓且高電壓端子+Vhigh可用於提供一高輸出電壓。類似地，可由驅動電路603及604、(若干)電晶體607及608及切換電路S4提供一負輸出電壓。當產生一負輸出電壓時，驅動電路601及602可切斷(若干)電晶體605及606。類似地，當產生一正輸出電壓時，驅動電路603及604可切斷(若干)電晶體607及608。
(若干)電晶體606可充當用於低輸出電壓之線性放大器304之一線性放大元件且(若干)電晶體605可充當用於高輸出電壓之一線性放大元件。在一些實施例中，(若干)電晶體606及605可經偏壓使得對於低正輸出電壓與高正輸出電壓之間之一轉變區域，(若干)電晶體605及606兩者充當線性放大器304之線性放大元件，即，其等既不完全接通也不完全切斷。使電晶體605及606兩者在此等轉變期間充當線性元件可促進線性放大器304具有一平滑且連續之轉換功能。電晶體607及608可依類似於電晶體605及606之方式操作以產生一系列負輸出電壓。
在一些實施例中，可由根據是否利用高電壓端子而自動接通及切斷之二極體實現切換電路S3及S4。例如，若切換電路S3包含二極體，則陽極可連接至端子+Vlow且陰極可連接至(若干)電晶體606，使得電流僅可自端子+Vlow流入至輸出級303A中。然而，本發明不限於此，此係因為可使用控制開關(諸如電晶體)或任何其他適合切換電路來實現切換電路S3及S4。
在一些實施例中，圖6之電路可經使用以使用一脈衝序列來驅動一梯度線圈，如圖3中所展示。當輸出電流係恆定時，可藉由自低電壓端子+Vlow流出電流而產生輸出電壓(例如2V)。在快速改變電流時 之一轉變期間，可藉由自高電壓端子+Vhigh流出電流而產生一高輸出電壓(例如100V)。因此，為了高效率，可在輸出電流之轉變期間使用高電壓端子來提供高輸出電壓且可使用低電壓端子來提供低輸出電壓。
根據一些實施例，例如，根據一些脈衝序列，僅需在一相對較短時間段內使用(若干)高電壓端子，使得(若干)電晶體605(及608)可僅在一相對較小工作週期內導通。因此，在一些實施例中，(若干)電晶體605(及608)之尺寸可小於電晶體606(或607)之尺寸，及/或並聯連接之電晶體之數目可少於電晶體606(或607)之數目，此係因為(若干)電晶體605(及608)將有時間來耗散梯度線圈電流之轉變之間之熱量。
在一些實施例中，驅動電路601及604可經設計以提供限時輸出信號。提供限時輸出信號可確保(若干)電晶體605及/或608僅被暫時性接通且不被接通來驅動一穩態電流。若(若干)電晶體605或608經設計以僅在相對較短時間段內導通，則此一技術可為有利的，此係因為其可防止(若干)電晶體605或608過度消耗電力。
圖7展示根據一些實施例之驅動電路601及602之一方塊圖。驅動電路601包含用於驅動(若干)電晶體605之一驅動電晶體703A。驅動電路602包含用於驅動(若干)電晶體606之一驅動電晶體703B。
驅動電路601及602可包含用於在提供至驅動電晶體703A及703B之輸入電壓上產生一DC偏壓之一或多個偏壓電路701。在一些實施例中，(若干)偏壓電路701可使驅動電晶體703A及/或703B偏壓至略微低於其接通電壓。發明者已認識到且已瞭解，使驅動電晶體偏壓至略微低於其接通電壓可減少或消除熱逸。有利地，此一偏壓技術不會減小輸出級303A之線性度。若電壓放大器電路302之一運算放大器OA具有一足夠高速度，則儘管使驅動電晶體偏壓至略微低於其接通電壓，但 運算放大器OA可足夠快地作出回應以準確地控制輸出級之輸出電壓。
在一些實施例中，驅動電路601可包含引起驅動電路601產生一限時輸出之一計時電路。可使用任何適合計時電路。在圖7之實例中，一計時電路702經由偏壓電路701而連接至輸出級303A之輸入端，且限制可將一輸入提供至驅動電晶體703A之時間量。
在一些實施例中，計時電路702可為一RC電路，其具有隨時間而衰減之一輸出電壓，且當計時電路702之輸出下降至低於驅動電晶體703A之接通電壓時切斷驅動電晶體703A。基於RC電路之RC時間常數而限制接通(若干)電晶體605之時間。然而，本發明不限於使用一RC電路來實施計時電路，此係因為可使用任何適合計時電路，其包含類比及/或數位電路。在一些實施例中，可依分別類似於驅動電路602及601之方式實施用於負輸入及輸出電壓之驅動電路603及604。
圖8展示根據本發明之一些實施例之圖7之驅動電路之一實例性實施方案。如圖8中所展示，在一些實施例中，可由與一電阻器R2串聯之一齊納二極體實現偏壓電路701，該齊納二極體及電阻器R2連接於高電壓端子+Vhigh與低於+Vhigh之電壓之一較低電壓DC端子(例如-Vhigh)之間。在一些實施例中，偏壓電路701可包含介於高電壓端子+Vhigh與較低電壓DC端子之間之額外電路來提供使電流流動於高電壓端子+Vhigh與較低電壓DC端子之間之一DC路徑且建立一適合偏壓電壓。在一些實施例中，偏壓電路701可包含與圖8中所展示之齊納二極體及電阻器串聯之另一齊納二極體及電阻器來將(若干)偏壓電壓提供至低壓側驅動電路603及604。然而，此僅供例示，因為可使用任何適合偏壓電路。圖8亦繪示實現為具有一電容器C1及一電阻器R1之一RC電路之一計時電路702之一實例。此外，此僅為一計時電路之一實例，因為可使用計時電路之其他組態。圖中將驅動電晶體703A及 703B展示為由雙極接面電晶體實現。然而，本發明不限於此，此係因為驅動電晶體可由任何類型之電晶體實現。在此實例中，將電晶體電路605及606展示為MOSFET。然而，電晶體電路605及606可由任何類型之電晶體實現。在一些實施例中，電晶體電路605及/或606可具有並聯連接之複數個電晶體。如上文所討論，可將切換電路S3實現為二極體，如圖8中所展示。然而，如上文所討論，本發明不限於此，此係因為在一些實施例中，切換電路S3可由一電晶體實現。
圖9展示用於實施一計時電路之一技術之另一實例。發明者已認識到且已瞭解，若由二極體實現開關S3，則橫跨該二極體之電壓可用作為使一計時電路限制接通(若干)電晶體605之時間量的一觸發信號。當由線性放大器304產生一低輸出電壓時，二極體經正向偏壓且導通。當線性放大器304產生一高輸出電壓時，(若干)電晶體605接通且二極體自正向偏壓切換至反向偏壓。反向偏壓電壓可由計時電路902感測為接通(若干)電晶體605之一指示。在圖9之實例中，將橫跨二極體之電壓提供為至計時電路902之一輸入，計時電路902在一段時間之後產生抑制驅動電路601之操作之一抑制信號，藉此限制接通(若干)電晶體605之時間量。計時電路904可依類似方式操作以在(若干)電晶體608已導通一段時間之後抑制驅動電路604之操作。
圖10展示由一RC電路及一雙極電晶體實現之計時電路902及904之一實例。在計時電路902中，例如，一旦二極體在一段時間之後經反向偏壓，則RC電路之輸出上升至使雙極電晶體接通之一位準。當雙極電晶體接通時，將驅動電路601之輸入下拉至+Vlow，其切斷驅動電路601及(若干)電晶體605。
儘管圖6、圖9及圖10展示可產生一正輸出電壓或一負輸出電壓之一「雙端」線性放大器304，但本發明不限於此，此係因為在一些實施例中，可使用一單端線性放大器。圖11展示包含僅產生正輸出電 壓之一單端線性放大器305之一輸出級303B之一實例。圖11示意性地繪示：單端線性放大器305可根據待產生之輸出電壓而由開關S1連接至一高正電壓端子+Vhigh或一低正電壓端子+Vlow。在一些實施例中，可使用上文所討論之驅動電壓601、602、(若干)電晶體605及606及相關聯切換電路S3來實施輸出級303B。
輸出級303B可使用一極性切換電路1104來將一正輸出電壓或一負輸出電壓提供至一負載。在圖11之實例中，使用包含開關S5至S8之一H型橋接器來實現極性切換電路1104。可藉由接通開關S5及S8且切斷開關S6及S7而將一正電壓提供至負載。可藉由接通開關S6及S7且切斷開關S5及S8而將一負電壓提供至負載。在一些實施例中，控制電路(圖中未展示)可控制開關S5至S8以產生一適合極性之一輸出電壓。可藉由檢查電流命令、誤差信號E或任何其他適合信號之極性而判定極性。
如上文所討論，習知切換式轉換器會將大量切換雜訊引入至系統中，此係因為其依數十kHz至數百kHz之範圍內之頻率切換。此切換雜訊會干擾成像，此係因為其在相同於期望偵測之MR信號之頻率範圍內。發明者已認識到，具有高於所關注之拉莫頻率之一切換頻率之一電力轉換器在很大程度上不會干擾成像。據此，在一些實施例中，電源組件114可包含經設計以依高於所關注之拉莫頻率之一相對較高切換頻率切換之一切換式電力轉換器1202，如圖12中所展示。在一些實施例中，切換頻率可高於1MHz，高於10MHz，高於30MHz，或高於300MHz。
如上文所討論，發明者已瞭解，提供可變電壓供應端子促進一磁共振成像系統(例如一低磁場MRI系統)之一或多個梯度線圈之高效供電。在一些實施例中，輸出級可由經控制以產生接近所要輸出電壓之供應電壓之一或多個可變電壓供應端子供電。提供此一可變電壓供 應端子可藉由限制橫跨線性放大器之電壓降而改良輸出級之效率。
圖13展示可由一可變電壓正供應端子及一可變電壓負供應端子供電之一輸出級303C之一實施例。可根據輸出電壓而變動供應端子之電壓以減小橫跨線性放大器306之(若干)電晶體之電壓降，因此促進(若干)梯度線圈之高效供電以根據一所要脈衝序列而產生磁場。在一些實施例中，正電壓端子及/或負電壓端子之電壓可分別由電力轉換器1304及/或1306提供。電力轉換器1304及/或1306之可變輸出電壓可由一控制器1308基於輸出級303C之所要輸出電壓而控制以使正電壓端子及/或負電壓端子之電壓分別維持略微高於(或低於)輸出級之輸出電壓，藉此減小橫跨線性放大器之(若干)電晶體之電壓降。
根據一些實施例，控制器1308基於線性放大器306之輸出電壓而控制電力轉換器1304及/或1306之可變輸出電壓。然而，可變輸出電壓可依其他方式被控制及/或與輸出級303C之所要輸出電壓成不同關係。例如，可基於提供至線性放大器306之命令(例如電流命令)而控制可變輸出電壓。如上文所討論，一控制器可經組態以命令線性放大器產生足以根據一所要脈衝序列而驅動一磁共振成像系統之一或多個梯度線圈的輸出。因而，控制器1308可經組態以控制電力轉換器1304及/或1306之可變輸出電壓，使得提供至線性放大器之輸出電壓足以(但非過度且因此非無效率)允許線性放大器根據所要脈衝序列而產生用於對一或多個梯度線圈供電之輸出。可依任何適合方式(諸如，藉由控制電力轉換器1304及1306之工作週期比、其頻率或可控制電力轉換器之輸出電壓之任何其他控制參數)執行電力轉換器1304及1306之控制。在一些實施例中，圖13之電力轉換器1304及1306可為經設計以依高於所關注之拉莫頻率之一相對較高切換頻率切換之切換式電力轉換器，如上文所討論。然而，可使用任何適合電力轉換器，此係因為態樣不限於此。
在一些實施例中，高電壓供應端子及低電壓供應端子兩者(例如+Vhigh及+Vlow)可對線性放大器供電(如圖5、圖6及圖11中所繪示)，且低電壓供應端子、高電壓供應端子、低電壓供應端子及高電壓供應端子兩者、或所提供之任何供應端子之電壓可為可變的。圖14A展示具有可變低電壓供應端子之類似於圖5A之一輸出級303D之一實施例。圖14A並非展示低電壓端子+Vlow及-Vlow具有固定電壓，而是展示+Vlow及-Vlow可具有可變電壓。在一些實施例中，+Vlow及-Vlow之可變電壓可分別由電力轉換器1403及1404提供。在一些實施例中，電力轉換器1403及1404可為經設計以依高於所關注之拉莫頻率之一相對較高切換頻率切換之切換式電力轉換器，如上文所討論。當將產生一相對較低輸出電壓(例如，處於穩態中)時，使電流自低電壓供應端子+Vlow或-Vlow流出。電力轉換器1403或1404之輸出電壓+Vlow或-Vlow可由控制器1308基於線性放大器304之所要輸出電壓Vout而控制以使低電壓供應端子+Vlow或-Vlow之電壓分別維持略微高於(或低於)輸出級之輸出電壓，藉此減小橫跨穩態中之線性放大器之(若干)電晶體之電壓降且減少電力消耗。當將產生一相對較高輸出電壓時，可使電流自可具有固定電壓之高電壓端子+Vhigh或+Vlow流出。
+Vhigh可為與將電力供應至電力轉換器1403之電源供應端子Vhigh_Supply分離之一端子(如圖14A中所繪示)，或可為相同於Vhigh_Supply之端子(如圖14B中所繪示)。圖14B中展示一輸出級303E之一實例，其中自電源供應端子Vhigh_Supply提供+Vhigh且自將電力提供至電力轉換器1404之電源供應端子Vlow_Supply提供-Vhigh。自既有電源供應端子提供+Vhigh及/或-Vhigh可避免需要產生額外電源供應電壓，此可簡化輸出級之設計及實施方案。
圖15A展示根據一些實施例之一梯度線圈電流波形之一實例。梯度線圈電流最初為0，接著在0.1ms內快速斜升至10A。電流在一段 時間內保持為10A，接著降回至0A。電流在0.2ms內快速斜升至20A之前之一段時間內保持為0A。電流在一段時間內保持為20A，接著降回至0A。應瞭解，放大值及時間間隔僅供說明，且可使用任何適合值。
圖15B展示梯度線圈電流自0A至10A之上升轉變、驅動梯度線圈所需之電壓1502、高電壓供應端子+Vhigh及低電壓供應端子+Vlow之電壓。在轉變期間，使電流自高電壓供應端子+Vhigh流出以將一高電壓提供至梯度線圈以使其電流快速斜升。當轉變發生時，電力轉換器1403開始使低電壓供應端子+Vlow之電壓自約0V斜升至略微高於使用10A之一穩態電流來驅動梯度線圈所需之輸出電壓之一電壓。一旦達到10A之穩態電流，則使電流自低電壓供應端子+Vlow流出以提供穩態中之高效率。
圖15C展示梯度線圈電流自0A至20A之上升轉變、梯度線圈電壓、及高電壓供應端子+Vhigh及低電壓供應端子+Vlow之電壓。在轉變至20A期間，如同轉變至10A，使電流自高電壓供應端子+Vhigh流出以將一高電壓提供至梯度線圈以使其電流快速斜升。當轉變發生時，電力轉換器1403開始使低電壓供應端子+Vlow之電壓自約0V斜升至略微高於使用20A之一穩態電流來驅動梯度線圈所需之輸出電壓之一電壓。一旦達到20A之穩態電流，則使電流自低電壓供應端子+Vlow流出。
由於可變動低電壓供應端子+Vlow之電壓，所以可將電壓設定成略微高於不同穩態電流位準所需之輸出電壓。此可使效率比使用具有一固定電壓之一低電壓供應端子+Vlow時改良，此係因為一固定電壓將需要經設計以處置最大穩態電流，該固定電壓可為高於驅動較低穩態電流所需之電壓之一電壓，其會降低效率。例如，若將+Vlow設定為足以供應一20A穩態梯度線圈電流之高電壓，則此一電壓高於供應 一10A穩態梯度線圈電流所需之電壓，其導致當供應一10A穩態梯度線圈電流時橫跨(若干)線性放大器電晶體之電壓降增大，且發生比所需電力消耗高之電力消耗。可將一可變電壓設定成等於或接近供應命令穩態梯度線圈電流所需之最小電壓，其改良效率。
圖15D展示一電流命令、梯度線圈電流、供應電流所需之梯度線圈之電壓1502、及電壓+Vlow之若干不同轉變波形。轉變波形1504展示一理想化轉變，其中+Vlow之電壓開始回應於梯度線圈電流命令之上升邊緣而斜升，且在相同於達到穩態梯度線圈電流(及電壓值)之時間的時間處達到+Vlow之穩態值。然而，發明者已認識到且已瞭解，可存在防止電壓+Vlow即時達到使端子+Vlow供應穩態電流之一足夠電壓位凖的因數。轉變波形1506展示+Vlow之一更現實轉變，其具有對梯度線圈電流命令作出回應之一延時(延遲)時期。如圖15D中所展示，轉變波形1506僅在電流命令之上升邊緣之後之一時間段之後開始斜升。可限制轉變波形1506之斜率，此係因為電力轉換器1403可具有限制電力轉換器1403可改變+Vlow之電壓時之速度之一輸出濾波器(例如一電容器)。因此，轉變波形1506無法在達到穩態梯度線圈電流及電壓時達到一足夠電壓位凖，其可導致低電壓供應端子+Vlow至少暫時無法供應穩態電流。
為此，在一些實施例中，電力轉換器1403(或1404)可在梯度線圈電流命令之上升邊緣之前開始使+Vlow(或-Vlow)之電壓量值斜升。圖15D展示在梯度線圈電流命令之上升邊緣之前開始斜升之+Vlow之一轉變波形1508。為在梯度線圈電流命令之上升邊緣之前開始轉變，控制器1308可自控制器106接收與一即將到來之梯度線圈電流脈衝有關之資訊，且開始在電流脈衝之預期下使+Vlow(或-Vlow)之電壓量值斜升。可依任何適合方式將此資訊自控制器106提供至控制器1308。例如，控制器106可分析當前選定之梯度線圈脈衝序列，判定 適合用於供應下一電流脈衝之穩態梯度線圈電流之一電源供應電壓位凖，且在一預期電流命令之前將一電壓命令發送至控制器1308。接著，電力轉換器1403(或1404)可對接收之電壓命令作出回應且開始使+Vlow(或-Vlow)線性變化至命令電壓值。作為將資訊提供至控制器1308之另一實例，控制器106可將當前選定之脈衝序列或該脈衝序列之一部分發送至控制器1308。接著，控制器1308可分析脈衝序列且將命令發送至電力轉換器1403(或1404)以開始使電壓+Vlow(或-Vlow)在一梯度線圈電流脈衝之前線性變化。在圖15D之實例中，電力轉換器1403開始使+Vlow之電壓在電流命令之上升邊緣之前回應於由控制器106提供至控制器1308之一電壓命令而斜升。因此，在達到穩態電流位凖時，轉變波形1508使+Vlow達到足以供應穩態電流之位凖。
圖16A展示類似於圖11之輸出級之具有一單端線性放大器之一輸出級303F之一實施例，其具有一可變低電壓供應端子+Vlow。如同圖14A之實施例，電力轉換器1403將一可變電壓供應至低電壓供應端子+Vlow，該可變電壓可被設定成略微高於供應命令穩態梯度線圈電流所需之電壓。
如上文結合圖14A及圖14B所討論，高電壓供應端子+Vhigh可為與電源供應端子Vhigh_Supply分離之一端子(如圖16A中所繪示)，或可為相同於Vhigh_Supply之端子(如圖16B中所繪示)。圖16B中展示一輸出級303G之一實例，其中自電源供應端子Vhigh_Supply提供+Vhigh。自既有電源供應端子Vhigh_Supply提供電壓+Vhigh可避免需要產生額外電源供應電壓，其可簡化輸出級之設計及實施方案。
在一些實施例中，(若干)低電壓供應端子及(若干)高電壓供應端子兩者可具有可變電壓。例如，圖14或圖11之實施例可經修改使得高電壓供應端子+Vhigh及/或-Vhigh係由電力轉換器產生之可變電壓。此等電力轉換器可類似於電力轉換器1403及1404，且亦可由控制器 1308控制。此一實施例可用於任何適合類型之成像，且可尤其用於擴散加權成像，例如，其中需要相對較大電流(例如40A、50A、70A、90A或更大、或其等之間之任何值)。
在一些實施例中，一或多個額外電源供應端子可對線性放大器供電。例如，可提供一第三電源供應端子，其具有高於高電壓供應端子+Vhigh(例如，至少高5倍或至少高10倍，且甚至高20倍或30倍或更高，或此等值之間之任何範圍內)之一電壓。新增一第三供應端子可有助於改良需要產生大範圍電壓之情況之效率。可提供任何數目個電源供應端子，此係因為本發明不限於此。
因此，儘管已描述本發明之若干態樣及實施例，但應瞭解，熟習技術者將易於想到各種變更、修改及改良。此等變更、修改及改良意欲落於本發明之精神及範疇內。例如，一般技術者將易於設想用於執行功能及/或獲得結果及/或本文所描述之優點之一或多者之各種其他構件及/或結構，且此等變動及/或修改之各者被認為落於本文所描述之實施例之範疇內。熟習技術者將認識到或能夠確定僅使用常規實驗、本文所描述之特定實施例之諸多等效物。因此，應瞭解，上述實施例僅供例示，且可在隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內依除特定所描述之方式之外之方式實踐發明實施例。另外，若本文所描述之兩個或兩個以上特徵、系統、物件、材料、套組及/或方法不相互矛盾，則此等特徵、系統、物件、材料、套組及/或方法之任何組合包含於本發明之範疇內。
可依諸多方式之任何者實施上述實施例。涉及程序或方法之效能之本發明之一或多個態樣及實施例可利用可由一器件(例如一電腦、一處理器或其他器件)執行以執行該等程序或方法或控制該等程序或方法之效能的程式指令。就此而言，各種發明概念可體現為使用一或多個程式來編碼之一電腦可讀儲存媒體(或多個電腦可讀儲存媒 體)(例如一電腦記憶體、一或多個軟碟、雷射碟片、光碟、磁帶、快閃記憶體、場可程式化閘極陣列或其他半導體器件中之電路組態、或其他有形電腦儲存媒體)，該一或多個程式在一或多個電腦或其他處理器上執行時執行實施上述各種實施例之一或多者之方法。該或該等電腦可讀媒體可為可攜式的，使得儲存於其上之該或該等程式可載入至一或多個不同電腦或其他處理器上以實施上述各種態樣。在一些實施例中，電腦可讀媒體可為非暫時性媒體。
術語「程式」或「軟體」在本文中一般用於係指任何類型之電腦碼或電腦可執行指令之集合，其可用於程式化一電腦或其他處理器以實施上述各種態樣。另外，應瞭解，根據一態樣，在被執行時執行本發明之方法之一或多個電腦程式無需駐存於一單一電腦或處理器上，而是可依一模組化方式分佈於諸多不同電腦或處理器中以實施本發明之各種態樣。
電腦可執行指令可呈由一或多個電腦或其他器件執行之諸多形式，諸如程式模組。一般而言，程式模組包含執行特定任務或實施特定抽象資料類型之常式、程式、物體、組件、資料結構等等。通常，可在各種實施例中根據期望而組合或分佈程式模組之功能。
此外，可將資料結構以任何適合形式儲存於電腦可讀媒體中。為簡化繪示，可將資料結構展示為具有透過資料結構之位置而相關之欄位。同樣地，可藉由使用一電腦可讀媒體中之位置(其傳達欄位之間之關係)來將儲存器指派給欄位而達成此等關係。然而，任何適合機構可用於建立一資料結構之欄位中之資訊之間之一關係，其包含透過使用建立資料元素之間之關係之指針、標籤或其他機構。
無論是否將軟體碼提供於一單一電腦中或將軟體碼分佈於多個電腦中，軟體碼可在實施於軟體中時執行於任何適合處理器或處理器集合上。
此外，應瞭解，一電腦可體現為諸多形式之任何者，諸如(但不限於)一機架安裝電腦、一桌上型電腦、一膝上型電腦或一平板電腦。另外，一電腦可嵌入於一般不被視為一電腦但具有適合處理能力之一器件(其包含一個人數位助理(PDA)、一智慧型電話或任何其他適合之可攜式或固定電子器件)中。
此外，一電腦可具有一或多個輸入及輸出器件。此等器件可尤其用於呈現一使用者介面。可用於提供一使用者介面之輸出器件之實例包含用於視覺呈現輸出之印表機或顯示螢幕及用於聽覺呈現輸出之揚聲器或其他聲音產生器件。可用於一使用者介面之輸入器件之實例包含鍵盤及指標器件，諸如滑鼠、觸控板及數位化輸入板。作為另一實例，一電腦可透過語音辨識或以其他可聽格式接收輸入資訊。
此等電腦可由呈任何適合形式之一或多個網路(其包含一區域網路或一廣域網路，諸如一企業內部網路及智慧型網路(IN)或網際網路)互連。此等網路可基於任何適合技術且可根據任何適合協定而操作，且可包含無線網路、有線網路或光纖網路。
此外，如本文所描述，一些態樣可體現為一或多個方法。可使執行為方法之部分之動作依任何適合方式排序。據此，可建構實施例，其中依不同於所繪示之順序的一順序執行動作，其可包含同時執行一些動作，即使該等動作在繪示性實施例中展示為循序動作。
如本文所定義及所使用，所有定義應被理解為控制字典定義、以引用之方式併入之文件中之定義、及/或定義術語之普通含義。
除非明確指示相反，否則如本文之說明書及申請專利範圍中所使用，不定冠詞「一」應被理解為意謂「至少一個」。
如本文之說明書及申請專利範圍中所使用，片語「及/或」應被理解為意謂所結合元件之「任一者或兩者」，即，在一些情況中結合地呈現且在其他情況中分離地呈現之元件。應依相同方式解釋使用 「及/或」來列出之多個元件，即，所結合元件之「一或多者」。可視情況存在除由「及/或」子句特定識別之元件之外之其他元件，無論其是否與該等特定識別之元件相關或無關。因此，例如(但不限於)，「A及/或B」在與開放式用語(諸如「包括」)一起使用時可係指：在一實施例中，僅包含A(視情況包含除B之外之元件)；在另一實施例中，僅包含B(視情況包含除A之外之元件)；在又一實施例中，包含A及B兩者(視情況包含其他元件)；等等。
如本文之說明書及申請專利範圍中所使用，涉及一列表之一或多個元件之片語「至少一者」應被理解為意謂選自該元件列表中之元件之任何一或多者的至少一元件，但未必包含該元件列表內特定列出之每一元件之至少一者且不排除該元件列表中之元件之任何組合。此定義亦允許：可視情況存在除片語「至少一者」所涉及之該元件列表中特定識別之元件之外之元件，無論其是否與該等特定識別元件相關或無關。因此，例如(但不限於)，「A及B之至少一者」(或等效地，「A或B之至少一者」，或等效地，「A及/或B之至少一者」)：在一實施例中，可係指至少一A，其視情況包含一個以上A，但不存在B(且視情況包含除B之外之元件)；在另一實施例中，可係指至少一B，其視情況包含一個以上B，但不存在A(且視情況包含除A之外之元件)；在又一實施例中，可係指至少一A(其視情況包含一個以上A)及至少一B(其視情況包含一個以上B)(且視情況包含其他元件)；等等。
此外，本文所使用之片語及術語僅用於描述且不應被視為具限制性。用於本文中之「包含」、「包括」或「具有」、「含有」、「涉及」及其等之變形意謂涵蓋其後所列之項目及其等效物以及額外項目。
在申請專利範圍以及本說明書中，所有連接詞(諸如「包括」、「包含」、「攜載」、「具有」、「含有」、「涉及」、「持有」、「構成」及其類似者)應被理解為開放式的，即，意謂「包含(但不限於)」。僅連接 詞「由...組成」及「基本上由...組成」應分別為封閉式或半封閉式連接詞。
100‧‧‧磁共振成像(MRI)系統
102‧‧‧使用者
104‧‧‧計算器件
106‧‧‧控制器
108‧‧‧脈衝序列儲存器/脈衝序列儲存庫
110‧‧‧電力管理系統
112‧‧‧電源供應器
114‧‧‧電源組件
116‧‧‧發射/接收開關
118‧‧‧熱管理組件
120‧‧‧磁性組件
122‧‧‧B0磁鐵
124‧‧‧勻場線圈
126‧‧‧射頻(RF)發射及接收線圈
128‧‧‧梯度線圈

Claims (65)

  1. 一種用於對操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈提供電力之裝置，該裝置包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以提供至少一輸出來對該至少一梯度線圈供電以根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中至少部分基於該至少一輸出而選擇對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。
  2. 如請求項1之裝置，其進一步包括一控制器，該控制器將命令提供至該線性放大器以引起該線性放大器將電流提供至該至少一梯度線圈以根據該脈衝序列而產生一磁場。
  3. 如請求項2之裝置，其中該控制器提供電流命令以引起該線性放大器將電流提供至該至少一梯度線圈以根據該脈衝序列而產生一磁場。
  4. 如請求項3之裝置，其進一步包括耦合至該線性放大器之一電流回饋迴路，該電流回饋迴路經組態以引起該線性放大器至少部分藉由比較通過該至少一梯度線圈之一電流與該等電流命令而根據該脈衝序列將電流提供至該至少一梯度線圈。
  5. 如請求項1之裝置，其中至少部分基於該線性放大器輸出電壓而動態地改變對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。
  6. 如請求項1之裝置，其中該線性放大器經組態以當由該線性放大器產生之一輸出電壓之一量值低於一臨限值時由該複數個電源 端子之至少一第一電源端子供電。
  7. 如請求項6之裝置，其中該線性放大器經組態以當由該線性放大器產生之該輸出電壓之該量值高於該臨限值時由該複數個電源端子之至少一第二電源端子供電。
  8. 如請求項7之裝置，其中該第一電源端子具有一第一電壓且該第二電源端子具有在量值上大於該第一電壓之一第二電壓。
  9. 如請求項8之裝置，其中該線性放大器經組態以在由該第一電源端子對該線性放大器供電與由該第二電源端子對該線性放大器供電之間之一轉變期間由該第一電源端子及該第二電源端子兩者供電。
  10. 如請求項9之裝置，其中該脈衝序列包括複數個梯度脈衝，且其中該線性放大器在該複數個梯度脈衝之間由該第一電源端子供電，且其中將該線性放大器轉變至由該第二電源端子供電以對該複數個梯度脈衝之各者提供電流。
  11. 如請求項10之裝置，其中該第一電壓係可變的。
  12. 如請求項11之裝置，其中基於該線性放大器之一命令輸出電壓而控制該第一電壓。
  13. 如請求項11之裝置，其進一步包括：一電力轉換器，其產生該第一電壓；及一控制器，其經組態以控制該電力轉換器變動該第一電壓。
  14. 如請求項13之裝置，其中該複數個梯度脈衝之各者包含與該各自梯度脈衝之起點相關聯之一上升邊緣。
  15. 如請求項14之裝置，其中該控制器經組態以命令該電力轉換器在該線性放大器將電流提供至該至少一梯度線圈之前對應於該複數個梯度脈衝之各者之該上升邊緣而增大該第一電壓之一量值。
  16. 如請求項14之裝置，其中該電力轉換器由該第二電源端子供電。
  17. 如請求項1之裝置，其中該線性放大器包括經組態以連接於該線性放大器之一輸出端子與該複數個電源端子之一第一電源端子之間之一或多個第一電晶體。
  18. 如請求項17之裝置，其進一步包括一第一驅動電路，當由該線性放大器產生之一輸出電壓之一量值低於一臨限值時，該第一驅動電路在一線性操作範圍內驅動該一或多個第一電晶體。
  19. 如請求項18之裝置，其中該線性放大器進一步包括經組態以連接於該一或多個第一電晶體與該複數個電源端子之一第二電源端子之間之一或多個第二電晶體。
  20. 如請求項19之裝置，其進一步包括一第二驅動電路，當由該線性放大器產生之一輸出電壓之一量值高於該臨限值時，該第二驅動電路在一線性操作範圍內驅動該一或多個第二電晶體。
  21. 如請求項20之裝置，其進一步包括在一段時間之後切斷該第二驅動電路之一計時電路。
  22. 如請求項21之裝置，其中該計時電路包括一電阻器及一電容器，該電阻器及該電容器分別具有判定該段時間之一持續時間之電阻值及電容值。
  23. 如請求項1之裝置，其中該線性放大器係單端的。
  24. 如請求項23之裝置，其進一步包括一極性切換電路，該極性切換電路接收該線性放大器之一輸出且將該線性放大器之一輸出或該線性放大器之該輸出之一極性反轉變型傳遞至該至少一梯度線圈。
  25. 如請求項24之裝置，其中該極性切換電路包括一H型橋接器。
  26. 如請求項1之裝置，其中該複數個電源端子具有相對於接地之正 電壓。
  27. 如請求項1之裝置，其中該線性放大器係雙端的。
  28. 如請求項27之裝置，其中該線性放大器經組態以由具有一第二極性之不同電壓之複數個第二電源端子之一或多個第二電源端子供電，對該線性放大器供電之該一或多個第二電源端子經改變以產生該第二極性之不同線性放大器輸出電壓。
  29. 如請求項1之裝置，其進一步包括一電壓放大器，該電壓放大器具有連接至該線性放大器之一輸入端之一輸出。
  30. 如請求項29之裝置，其進一步包括一電壓回饋迴路，該電壓回饋迴路接收該線性放大器之一輸出電壓且將該輸出電壓提供至該電壓放大器之一輸入端。
  31. 如請求項1之裝置，其中該磁共振成像系統係一低磁場磁共振成像系統。
  32. 一種使用一線性放大器來將電力提供至一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之方法，該線性放大器經組態以驅動至少一梯度線圈根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由複數個電源端子之一或多者供電，該複數個電源端子經組態以供應一第一極性之不同電壓，該方法包括：當由該線性放大器產生之一輸出電壓之一量值低於一臨限值時，由該複數個電源端子之至少一第一電源端子對該線性放大器供電以將電流提供至該至少一梯度線圈；且當由該線性放大器產生之該輸出電壓之該量值高於該臨限值時，由該複數個電源端子之至少一第二電源端子對該線性放大器供電以將電流提供至該至少一梯度線圈。
  33. 如請求項32之方法，其中該第一電源端子具有一第一電壓且該第二電源端子具有在量值上大於該第一電壓之一第二電壓。
  34. 如請求項33之方法，其進一步包括：在由該第一電源端子對該線性放大器供電與由該第二電源端子對該線性放大器供電之間之一轉變期間由該第一電源端子及該第二電源端子兩者對該線性放大器供電。
  35. 如請求項34之方法，其中該脈衝序列包括複數個梯度脈衝，且其中該線性放大器在該複數個梯度脈衝之間由該第一電源端子供電，且其中將該線性放大器轉變至由該第二電源端子供電以對該複數個梯度脈衝之各者提供電流。
  36. 一種磁共振成像系統，其包括：一B0磁鐵，其經組態以產生一B0磁場；至少一梯度線圈；及至少一電源組件，其經組態以提供電力來操作該至少一梯度線圈，該至少一電源組件包括：複數個電源端子，其等經組態以供應一第一極性之不同電壓；及一線性放大器，其經組態以將電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場，該線性放大器經組態以由該複數個電源端子之一或多者供電，其中至少部分基於至少一輸出而選擇對該線性放大器供電之該複數個電源端子之該一或多者。
  37. 如請求項36之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約0.2T且大於或等於約0.1T之一磁場強度之一B0磁場。
  38. 如請求項36之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約0.1T且大於或等於約50mT之一磁場強度之一B0磁場。
  39. 如請求項36之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約50mT且大於或等於約20mT之一磁場強度之一B0磁場。
  40. 如請求項36之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約20mT且大於或等於約10mT之一磁場強度之一B0磁場。
  41. 如請求項36之磁共振成像系統，其中該至少一梯度線圈包括至少一第一梯度線圈、至少一第二梯度線圈及至少一第三梯度線圈來提供三維編碼，且其中該至少一電源組件經組態以將電力提供至該至少一第一梯度線圈、該至少一第二梯度線圈及該至少一第三梯度線圈。
  42. 一種用於提供電力來操作一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之裝置，該裝置包括：一線性放大器，其經組態以產生根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈之一輸出；至少一電力轉換器，其經組態以產生一可變電源供應電壓來對該線性放大器供電；及至少一控制器，其經組態以控制該至少一電力轉換器基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓。
  43. 如請求項42之裝置，其中該脈衝序列包括複數個梯度脈衝，且其中該至少一控制器經組態以與根據該脈衝序列而改變對該至少一梯度線圈供電所需之電力需求對應地改變該可變電源供應電壓。
  44. 如請求項43之裝置，其中該至少一控制器經組態以與該複數個梯度脈衝之各者之一上升邊緣對應地增大該可變電源供應電壓。
  45. 如請求項44之裝置，其中該至少一控制器經組態以與該複數個梯度脈衝之各者之一下降邊緣對應地減小該可變供應電壓。
  46. 如請求項42之裝置，其中該至少一電力轉換器包括：一第一電力轉換器，其經組態以產生一可變正電源供應電壓來對該線性放大器供電；及一第二電力轉換器，其經組態以產生一可變負電源供應電壓來對該線性放大器供電。
  47. 如請求項46之裝置，其中該至少一控制器經組態以控制該第二電力轉換器基於該線性放大器之一輸出電壓而改變該可變負電源供應電壓。
  48. 如請求項47之裝置，其中該脈衝序列包括複數個梯度脈衝，且其中該至少一控制器經組態以與根據該脈衝序列而改變對該至少一梯度線圈供電所需之電力需求對應地改變該可變正電源供應電壓及該可變負電源供應電壓。
  49. 如請求項42之裝置，其中該電力轉換器包括經組態以依高於一拉莫(Larmor)頻率之一切換頻率切換之一切換式電力轉換器，該拉莫頻率與該磁共振成像系統之一B0磁場強度相關聯。
  50. 如請求項49之裝置，其中該磁共振成像系統係一低磁場磁共振成像系統。
  51. 一種使用一線性放大器來將電力提供至一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之方法，該線性放大器經組態以將電流提供至該至少一梯度線圈以根據一脈衝序列而產生一磁場，該方法包括：將至少一固定電源供應轉換成至少一可變電源供應電壓以對該線性放大器供電；基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓；且控制該線性放大器產生根據該脈衝序列而驅動該至少一梯度 線圈之一輸出。
  52. 如請求項51之方法，其中該脈衝序列包括複數個梯度脈衝，且其中改變該至少一可變電源供應電壓包括：與根據該脈衝序列而改變對該至少一梯度線圈供電所需之電力需求對應地改變該至少一可變電源供應電壓。
  53. 如請求項52之方法，其中改變該至少一可變電源供應電壓包括：與該複數個梯度脈衝之各者之一上升邊緣對應地增大該至少一可變電源供應電壓。
  54. 如請求項53之方法，其中改變該至少一可變電源供應電壓包括：與該複數個梯度脈衝之各者之一下降邊緣對應地減小該至少一可變供應電壓。
  55. 一種磁共振成像系統，其包括：一B0磁鐵，其經組態以產生一B0磁場；至少一梯度線圈；及至少一電源組件，其經組態以提供電力來操作該至少一梯度線圈，該至少一電源組件包括：一線性放大器，其經組態以產生根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈之一輸出；至少一電力轉換器，其經組態以產生一可變電源供應電壓來對該線性放大器供電；及至少一控制器，其經組態以控制該至少一電力轉換器基於該線性放大器之一輸出而改變該可變電源供應電壓。
  56. 如請求項55之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約0.2T且大於或等於約0.1T之一磁場強度之一B0磁場。
  57. 如請求項55之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組 態以產生具有等於或小於約0.1T且大於或等於約50mT之一磁場強度之一B0磁場。
  58. 如請求項55之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約50mT且大於或等於約20mT之一磁場強度之一B0磁場。
  59. 如請求項55之磁共振成像系統，其中該B0磁鐵在被操作時經組態以產生具有等於或小於約20mT且大於或等於約10mT之一磁場強度之一B0磁場。
  60. 如請求項55之磁共振成像系統，其中該至少一梯度線圈包括至少一第一梯度線圈、至少一第二梯度線圈及至少一第三梯度線圈來提供三維編碼，且其中該至少一電源組件經組態以將電力提供至該至少一第一梯度線圈、該至少一第二梯度線圈及該至少一第三梯度線圈。
  61. 一種用於驅動一磁共振成像系統之至少一梯度線圈之裝置，該裝置包括：一切換式電力轉換器，其經組態以依高於一拉莫頻率之一切換頻率切換，該拉莫頻率與該磁共振成像系統之一B0磁場強度相關聯；及一控制器，其經組態以控制該切換式電力轉換器根據一脈衝序列而驅動該至少一梯度線圈。
  62. 如請求項61之裝置，其中該B0磁場強度等於或小於約0.2T且大於或等於約0.1T。
  63. 如請求項61之裝置，其中該B0磁場強度等於或小於約0.1T且大於或等於約50mT。
  64. 如請求項61之裝置，其中該B0磁場強度等於或小於約50mT且大於或等於約20mT。
  65. 如請求項61之裝置，其中該B0磁場強度等於或小於約20mT且大於或等於約10mT。
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