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TW201629988A - 導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法 - Google Patents

導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法 Download PDF

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TW201629988A
TW201629988A TW104143905A TW104143905A TW201629988A TW 201629988 A TW201629988 A TW 201629988A TW 104143905 A TW104143905 A TW 104143905A TW 104143905 A TW104143905 A TW 104143905A TW 201629988 A TW201629988 A TW 201629988A
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TW
Taiwan
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electrode
connection
solder
conductive paste
solder particles
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Application number
TW104143905A
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English (en)
Inventor
Hideaki Ishizawa
Shinya Uenoyama
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

本發明提供一種可有效率地將焊料粒子配置於電極上,可防止電極間之位置偏移,而可提高電極間之導通可靠性的導電糊。 本發明之導電糊包含作為熱硬化性成分之熱硬化性化合物及熱硬化劑、與複數個焊料粒子,且上述焊料粒子之熔點-80℃下之導電糊之黏度相對於上述焊料粒子之熔點-30℃下之導電糊之黏度的比為1.5以上且4以下。

Description

導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法
本發明係關於一種包含焊料粒子之導電糊。又,本發明係關於一種使用上述導電糊之連接構造體及連接構造體之製造方法。
各向異性導電糊及各向異性導電膜等各向異性導電材料已廣為人知。上述各向異性導電材料中,於黏合劑樹脂中分散有導電性粒子。
為了獲得各種連接構造體,上述各向異性導電材料例如被用於可撓性印刷基板與玻璃基板之連接(FOG(Film on Glass,鍍膜玻璃))、半導體晶片與可撓性印刷基板之連接(COF(Chip on Film,薄膜覆晶))、半導體晶片與玻璃基板之連接(COG(Chip on Glass,玻璃覆晶))、以及可撓性印刷基板與環氧玻璃基板之連接(FOB(Film on Board,鍍膜板))等。
於藉由上述各向異性導電材料而例如將可撓性印刷基板之電極與環氧玻璃基板之電極電性連接時,於環氧玻璃基板上配置包含導電性粒子之各向異性導電材料。其次,積層可撓性印刷基板,進行加熱及加壓。藉此,使各向異性導電材料硬化,經由導電性粒子使電極間電性連接而獲得連接構造體。
作為上述各向異性導電材料之一例,於下述專利文獻1中揭示有包含含有熱硬化性樹脂之樹脂層、焊料粉、及硬化劑,且上述焊料粉與上述硬化劑存在於上述樹脂層中之接著帶。該接著帶為膜狀而並非 糊狀。
又,於專利文獻1中揭示有使用上述接著帶之接著方法。具體而言,自下向上依序積層第一基板、接著帶、第二基板、接著帶、及第三基板而獲得積層體。此時,使設置於第一基板之表面之第一電極、與設置於第二基板之表面之第二電極對向。又,使設置於第二基板之表面之第二電極與設置於第三基板之表面之第三電極對向。然後,將積層體於特定溫度下進行加熱而進行接著。藉此,獲得連接構造體。
於下述之專利文獻2中揭示有於絕緣性黏合劑中分散有導電性粒子之各向異性導電材料。該各向異性導電材料之最低熔融黏度[η0]為1.0×102~1.0×106mPa‧sec。該各向異性導電材料滿足1<[η1]/[η0]≦3([η0]係各向異性導電材料之最低熔融黏度,[η1]係較顯示最低熔融黏度之溫度T0低30℃之溫度T1下之熔融黏度)。
又,於下述之專利文獻3中揭示有含有硬化性化合物、熱自由基起始劑、光自由基起始劑、及導電性粒子之各向異性導電材料。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2008/023452A1
[專利文獻2]日本專利特開2009-32657號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-186161號公報
專利文獻1所記載之接著帶為膜狀而並非糊狀。因此,難以有效率地將焊料粉配置於電極(線)上。例如對於專利文獻1所記載之接著帶而言,亦容易將焊料粉之一部分配置於未形成電極之區域(間隙)。配置於未形成電極之區域之焊料粉無助於電極間之導通。
又,即便為包含焊料粉之各向異性導電糊,亦存在未有效率地 將焊料粉配置於電極(線)上之情況。
進而,對於先前之各向異性導電糊而言,存在產生應連接之上下電極間之位置偏移之情況。
再者,於專利文獻2中,關於各向異性導電材料所使用之導電性粒子,並無具體之記載。又,即便使用專利文獻2、3所記載之各向異性導電材料,亦存在未有效率地將導電性粒子配置於電極(線)上,或者產生應連接之上下電極間之位置偏移之情況。
本發明之目的在於提供一種可有效率地將焊料粒子配置於電極上,可防止電極間之位置偏移,而可提高電極間之導通可靠性之導電糊。又,本發明提供一種使用上述導電糊之連接構造體及連接構造體之製造方法。
根據本發明之較廣態樣,提供一種導電糊,其包含作為熱硬化性成分之熱硬化性化合物及熱硬化劑、與複數個焊料粒子,且上述焊料粒子之熔點-80℃下之導電糊之黏度相對於上述焊料粒子之熔點-30℃下的導電糊之黏度之比為1.5以上且4以下。
於本發明之導電糊之一特定態樣中,導電糊之顯示最低熔融黏度之溫度存在於上述焊料粒子之熔點-30℃以上且上述焊料粒子之熔點+20℃以下的溫度區域中。
於本發明之導電糊之一特定態樣中,上述熱硬化性化合物包含於25℃下為固體之熱硬化性化合物。
於本發明之導電糊之一特定態樣中,上述焊料粒子之平均粒徑為1μm以上且40μm以下。
於本發明之導電糊之一特定態樣中,上述焊料粒子之含量為10重量%以上且90重量%以下。
根據本發明之較廣態樣,提供一種連接構造體,其包括:第1連接對象構件,其於表面具有至少1個第1電極;第2連接對象構件,其 於表面具有至少1個第2電極;及連接部,其將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接,且上述連接部之材料為上述之導電糊,上述第1電極與上述第2電極藉由上述連接部中之焊料部而電性連接。
根據本發明之較廣態樣,提供一種連接構造體之製造方法,其包括:使用上述之導電糊,於表面具有至少1個第1電極之第1連接對象構件之表面上配置上述導電糊之步驟;於上述導電糊之與上述第1連接對象構件側相反之表面上,將表面具有至少1個第2電極之第2連接對象構件以上述第1電極與上述第2電極對向之方式進行配置之步驟;及藉由上述導電糊而形成藉由將上述導電糊加熱至上述焊料粒子之熔點以上且上述熱硬化性成分之硬化溫度以上而將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部,且藉由上述連接部中之焊料部而將上述第1電極與上述第2電極電性連接之步驟。
於本發明之連接構造體之製造方法之一特定態樣中,於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中不進行加壓,上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊,或者於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中之至少一步驟中進行加壓,且於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟兩者中,加壓之壓力未達1MPa。
上述第2連接對象構件較佳為半導體晶片、樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜、或剛性可撓性基板。
於上述連接構造體中,較佳為於上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分之面積100%中的50%以上配置有上述連接部中之焊料部。於上述連接構造體中,較佳為於與上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向正交之 方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分配置有上述連接部中之焊料部之70%以上。
本發明之導電糊包含作為熱硬化性成分之熱硬化性化合物及熱硬化劑、與複數個焊料粒子,且上述焊料粒子之熔點-80℃下之導電糊之黏度相對於上述焊料粒子之熔點-30℃下之導電糊之黏度的比為1.5以上且4以下,因此於將電極間電性連接之情形時,可有效率地將焊料粒子配置於電極上,可防止電極間之位置偏移,而可提高電極間之導通可靠性。
1、1X‧‧‧連接構造體
2‧‧‧第1連接對象構件
2a‧‧‧第1電極
3‧‧‧第2連接對象構件
3a‧‧‧第2電極
4、4X‧‧‧連接部
4A、4XA‧‧‧焊料部
4B、4XB‧‧‧硬化物部
11‧‧‧導電糊
11A‧‧‧焊料粒子
11B‧‧‧熱硬化性成分
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之導電糊而獲得之連接構造體的剖視圖。
圖2(a)~(c)係用以說明使用本發明之一實施形態之導電糊而製造連接構造體之方法之一例的各步驟之剖視圖。
圖3係表示連接構造體之變化例之剖視圖。
以下,對本發明之詳細內容進行說明。
(導電糊)
本發明之導電糊包含作為熱硬化性成分之熱硬化性化合物及熱硬化劑、與複數個焊料粒子。關於本發明之導電糊,上述焊料粒子之熔點(℃)-80℃下之上述導電糊之黏度(η-80)相對於上述焊料粒子之熔點(℃)-30℃下之上述導電糊之黏度(η-30)的比(黏度(η-80)/黏度(η-30))為1.5以上且4以下。
本發明之導電糊因採用上述之構成,故而於將電極間電性連接之情形時,複數個焊料粒子容易於上下對向之電極間聚集,而可有效 率地將複數個焊料粒子配置於電極(線)上。又,難以將複數個焊料粒子之一部分配置於未形成電極之區域(間隙),而可使配置於未形成電極之區域之焊料粒子之量大幅減少。因此,可提高電極間之導通可靠性。而且,可防止不可連接之橫方向上鄰接之電極間之電性連接,而可提高絕緣可靠性。進而可防止電極間之位置偏移。對於本發明而言,於塗佈有導電糊之第1連接對象構件上重合第2連接對象構件時,即便於第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極之對位發生偏移的狀態下,將第1連接對象構件與第2連接對象構件重合之情形時,亦可修正上述偏移,而使第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極連接(自動對準效果)。為了獲得上述效果,為導電糊、與熱硬化性化合物及熱硬化劑一起使用之導電性粒子為焊料粒子、以及上述導電糊中之上述比(黏度(η-80)/黏度(η-30))為上述範圍內之情況有較大幫助。
為了進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,而進一步提高電極間之導通可靠性之觀點而言,比(黏度(η-80)/黏度(η-30))較佳為2以上,且較佳為2.8以下。
上述焊料粒子之熔點(℃)-30℃下之上述導電糊之黏度(η-30)較佳為0.1Pa‧s以上,更佳為0.2Pa‧s以上,且較佳為1Pa‧s以下,更佳為0.5Pa‧s以下。上述黏度(η-30)係對導電性粒子向電極上之移動產生較大影響。
若上述黏度(η-30)為上述下限以上及上述上限以下,則電極間之導通可靠性及絕緣可靠性進一步變高。
上述焊料粒子之熔點(℃)下之上述導電糊之黏度(ηmp)較佳為0.2Pa‧s以上,更佳為0.3Pa‧s以上,且較佳為2Pa‧s以下,更佳為1Pa‧s以下。上述黏度(ηmp)係對電極間之焊料部之厚度產生較大影響。若上述黏度(ηmp)為上述下限以上及上述上限以下,則電極間之 焊料部之厚度變厚,藉此電極間之導通可靠性進一步變高。
25℃下之上述導電糊之黏度(η25)較佳為10Pa‧s以上,更佳為20Pa‧s以上,進而較佳為50Pa‧s以上,尤佳為80Pa‧s以上,且較佳為600Pa‧s以下,更佳為300Pa‧s以下,進而較佳為200Pa‧s以下。上述黏度(η25)抑制塗佈於連接對象構件上之導電糊及焊料粒子之過渡之潤濕擴散,而抑制於未意圖之區域配置硬化物部及焊料部。若上述黏度(η25)為上述下限以上及上述上限以下,則電極間之導通可靠性進一步變高。尤其是若上述黏度(η25)為80Pa‧s以上且200Pa‧s以下,則進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,而電極間之導通可靠性進一步變高。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述導電糊之顯示最低熔融黏度之溫度較佳為存在於上述焊料粒子之熔點(℃)-30℃以上且上述焊料粒子之熔點(℃)+20℃以下的溫度區域中,更佳為存在於上述焊料粒子之熔點(℃)-30℃以上且上述焊料粒子之熔點(℃)以下之溫度區域中,進而較佳為存在於上述焊料粒子之熔點(℃)-30℃以上且上述焊料粒子之熔點(℃)-5℃以下之溫度區域中。
各溫度下之上述導電糊之黏度及顯示最低熔融黏度之溫度可使用流變計(EOLOGICA公司製造之「STRESSTECH」)等,於轉子直徑20mm、振盪應變控制、升溫速度10℃/min之條件下進行測定。於上述最低熔融黏度之測定中,可自室溫(23℃)加熱至上述導電糊硬化為止。
本發明之導電糊可較佳地用於下述之本發明之連接構造體及連接構造體之製造方法。
上述導電糊較佳為各向異性導電糊。上述導電糊可較佳地用於 電極之電性連接。上述導電材料較佳為電路連接材料。
以下,對上述導電糊所包含之各成分進行說明。
(焊料粒子)
上述焊料粒子係於導電性之外表面具有焊料。上述焊料粒子係中心部分及導電性外表面均由焊料形成。上述焊料粒子係中心部分及導電性(導電性部分)外表面均為焊料之粒子。
就於電極上使焊料粒子有效率地聚集之觀點而言,較佳為上述焊料粒子之表面之ζ電位為正。但是,於本發明中,上述焊料粒子之表面之ζ電位亦可不為正。
ζ電位可以下述方式進行測定。
ζ電位之測定方法:
將焊料粒子0.05g放入甲醇10g中,進行超音波處理等,藉此使焊料粒子均勻地分散而獲得分散液。可使用該分散液,且使用Beckman Coulter公司製造之「Delsamax PRO」,利用電泳測定法,於23℃下測定ζ電位。
焊料粒子之ζ電位較佳為0mV以上,更佳為超過0mV,且較佳為10mV以下,更佳為5mV以下,進而較佳為1mV以下,進而更佳為0.7mV以下,尤佳為0.5mV以下。若ζ電位為上述上限以下,則於使用前之導電糊中,焊料粒子變得難以凝集。若ζ電位為0mV以上,則安裝時於電極上焊料粒子有效率地凝集。
就容易使表面之ζ電位為正而言,上述焊料粒子較佳為具有:焊料粒子本體、與配置於上述焊料粒子本體之表面上之陰離子聚合物。上述焊料粒子較佳為藉由利用陰離子聚合物或成為陰離子聚合物之化合物對焊料粒子本體進行表面處理而獲得。上述焊料粒子較佳為利用陰離子聚合物或成為陰離子聚合物之化合物而得之表面處理物。上述陰離子聚合物及上述成為陰離子聚合物之化合物可分別僅使用1種, 亦可併用2種以上。
作為利用陰離子聚合物對焊料粒子本體進行表面處理之方法,可列舉如下方法:使用例如使(甲基)丙烯酸共聚合而成之(甲基)丙烯酸系聚合物、由二羧酸與二醇合成且兩末端具有羧基之聚酯聚合物、藉由二羧酸之分子間脫水縮合反應而獲得且兩末端具有羧基之聚合物、由二羧酸與二胺合成且兩末端具有羧基之聚酯聚合物、以及具有羧基之改性聚乙烯醇(日本合成化學公司製造之「GOHSENX T」)等作為陰離子聚合物,使陰離子聚合物之羧基與焊料粒子本體之表面之羥基進行反應。
作為上述陰離子聚合物之陰離子部分,可列舉上述羧基,除此以外,可列舉:甲苯磺醯基(p-H3CC6H4S(=O)2-)、磺酸根離子基(-SO3 -)、及磷酸根離子基(-PO4 -)等。
又,作為其他方法,可列舉如下方法:使用具有與焊料粒子本體之表面之羥基進行反應之官能基,進而具有可藉由加成、縮合反應而進行聚合之官能基的化合物,使該化合物於焊料粒子本體之表面上進行聚合物化。作為與焊料粒子本體之表面之羥基進行反應之官能基,可列舉羧基及異氰酸酯基等,作為藉由加成、縮合反應而進行聚合之官能基,可列舉:羥基、羧基、胺基、及(甲基)丙烯醯基。
上述陰離子聚合物之重量平均分子量較佳為2000以上,更佳為3000以上,且較佳為10000以下,更佳為8000以下。
若上述重量平均分子量為上述下限以上及上述上限以下,則容易於焊料粒子本體之表面上配置陰離子聚合物,而容易使焊料粒子之表面之ζ電位為正,而可進一步有效率地於電極上配置焊料粒子。
上述重量平均分子量係表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測得之以聚苯乙烯換算計之重量平均分子量。
藉由利用成為陰離子聚合物之化合物對焊料粒子本體進行表面 處理而獲得之聚合物的重量平均分子量可藉由如下方式求出:使焊料粒子中之焊料溶解,藉由不會引起聚合物之分解之稀鹽酸等將焊料粒子去除後,對殘留之聚合物之重量平均分子量進行測定。
上述焊料較佳為熔點為450℃以下之金屬(低熔點金屬)。上述焊料粒子較佳為熔點為450℃以下之金屬粒子(低熔點金屬粒子)。上述低熔點金屬粒子係包含低熔點金屬之粒子。該所謂低熔點金屬,係表示熔點為450℃以下之金屬。低熔點金屬之熔點較佳為300℃以下,更佳為160℃以下。又,上述焊料粒子包含錫。上述焊料粒子所包含之金屬100重量%中,錫之含量較佳為30重量%以上,更佳為40重量%以上,進而較佳為70重量%以上,尤佳為90重量%以上。若上述焊料粒子中之錫之含量為上述下限以上,則焊料部與電極之連接可靠性進一步變高。
再者,上述錫之含量可使用高頻電感耦合電漿發射光譜分析裝置(堀場製作所公司製造之「ICP-AES」)、或螢光X射線分析裝置(島津製作所公司製造之「EDX-800HS」)等而進行測定。
藉由使用上述焊料粒子,焊料熔融而接合於電極,從而焊料部使電極間導通。例如,焊料部與電極容易面接觸而並非點接觸,因此連接電阻變低。又,藉由使用焊料粒子,焊料部與電極之接合強度變高,結果焊料部與電極之剝離變得進一步難以產生,而導通可靠性及連接可靠性有效地變高。
構成上述焊料粒子之低熔點金屬並無特別限定。該低熔點金屬較佳為錫、或包含錫之合金。該合金可列舉:錫-銀合金、錫-銅合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、錫-鋅合金、錫-銦合金等。就對電極之潤濕性優異之方面而言,上述低熔點金屬較佳為錫、錫-銀合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、錫-銦合金。更佳為錫-鉍合金、錫-銦合金。
上述焊料粒子較佳為基於JIS Z3001:焊接用語,液相線為450℃以下之焊接填充材料(filler material)。作為上述焊料粒子之組成,例如可列舉:包含鋅、金、銀、鉛、銅、錫、鉍、銦等之金屬組成。較佳為低熔點且無鉛之錫-銦系(117℃共晶)、或錫-鉍系(139℃共晶)。即,上述焊料粒子較佳為不包含鉛,且較佳為包含錫與銦,或包含錫與鉍。
為了進一步提高上述焊料部與電極之接合強度,上述焊料粒子亦可包含鎳、銅、銻、鋁、鋅、鐵、金、鈦、磷、鍺、碲、鈷、鉍、錳、鉻、鉬、鈀等金屬。又,就進一步提高焊料部與電極之接合強度之觀點而言,上述焊料粒子較佳為包含鎳、銅、銻、鋁或鋅。就進一步提高焊料部與電極之接合強度之觀點而言,用以提高接合強度之該等金屬之含量於焊料粒子100重量%中,較佳為0.0001重量%以上,較佳為1重量%以下。
上述焊料粒子之平均粒徑較佳為0.5μm以上,更佳為1μm以上,進而較佳為3μm以上,尤佳為5μm以上,且較佳為100μm以下,更佳為60μm以下,進而更佳為40μm以下,進而更佳為30μm以下,進而更佳為20μm以下,尤佳為15μm以下,最佳為10μm以下。若上述焊料粒子之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下,則可進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上。上述焊料粒子之平均粒徑尤佳為3μm以上且30μm以下。
上述焊料粒子之「平均粒徑」係表示數量平均粒徑。焊料粒子之平均粒徑例如藉由如下方式求出:利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個焊料粒子進行觀察而算出平均值。
上述焊料粒子之粒徑之變異係數較佳為5%以上,更佳為10%以上,且較佳為40%以下,更佳為30%以下。若上述粒徑之變異係數為上述下限以上及上述上限以下,則可進一步有效率地將焊料粒子配置 於電極上。但是,上述焊料粒子之粒徑之變異係數亦可未達5%。
上述變異係數(CV值)係由下述式表示。
CV值(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:焊料粒子之粒徑之標準偏差
Dn:焊料粒子之粒徑之平均值
上述焊料粒子之形狀並無特別限定。上述焊料粒子之形狀可為球狀,亦可為扁平狀等球形狀以外之形狀。
上述導電糊100重量%中,上述焊料粒子之含量較佳為1重量%以上,更佳為2重量%以上,進而較佳為10重量%以上,尤佳為20重量%以上,最佳為30重量%以上,且較佳為90重量%以下,更佳為80重量%以下,進而較佳為60重量%以下,尤佳為50重量%以下。若上述焊料粒子之含量為上述下限以上及上述上限以下,則可進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,而容易於電極間配置多量之焊料粒子,而導通可靠性進一步變高。就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為上述焊料粒子之含量較多。
於形成有電極之部分之線(L)為50μm以上且未達150μm之情形時,就進一步提高導通可靠性之觀點而言,上述導電糊100重量%中,上述焊料粒子之含量較佳為20重量%以上,更佳為30重量%以上,且較佳為55重量%以下,更佳為45重量%以下。
於未形成電極之部分之間隙(S)為50μm以上且未達150μm之情形時,就進一步提高導通可靠性之觀點而言,上述導電糊100重量%中,上述焊料粒子之含量較佳為30重量%以上,更佳為40重量%以上,且較佳為70重量%以下,更佳為60重量%以下。
於形成有電極之部分之線(L)為150μm以上且未達1000μm之情形時,就進一步提高導通可靠性之觀點而言,上述導電糊100重量%中,上述焊料粒子之含量較佳為30重量%以上,更佳為40重量%以 上,且較佳為70重量%以下,更佳為60重量%以下。
於未形成電極之部分之間隙(S)為150μm以上且未達1000μm之情形時,就進一步提高導通可靠性之觀點而言,上述導電糊100重量%中,上述焊料粒子之含量較佳為30重量%以上,更佳為40重量%以上,且較佳為70重量%以下,更佳為60重量%以下。
(熱硬化性化合物:熱硬化性成分)
上述熱硬化性化合物係可藉由加熱而硬化之化合物。作為上述熱硬化性化合物,可列舉:氧雜環丁烷化合物、環氧化合物、環硫化物化合物、(甲基)丙烯酸系化合物、酚化合物、胺基化合物、不飽和聚酯化合物、聚胺基甲酸酯化合物、聚矽氧化合物及聚醯亞胺化合物等。就使導電糊之硬化性及黏度進一步變良好,而進一步提高連接可靠性之觀點而言,較佳為環氧化合物。上述熱硬化性化合物可僅使用1種,亦可併用2種以上。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述熱硬化性化合物較佳為包含熔點為80℃以上且140℃以下之熱硬化性化合物。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,而進一步提高電極間之導通可靠性之觀點而言,上述熱硬化性化合物之熔點較佳為上述焊料粒子中之焊料之熔點(℃)以下,更佳為上述焊料粒子中之焊料之熔點-20℃以下,進而較佳為上述焊料粒子中之焊料之熔點-40℃以下。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述熱硬化性化合物較佳為包含結晶性熱硬化性化合物。上述結晶性熱硬化性化合物可僅使用1種,亦可併用2種以上。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述熱硬化性化合物較佳為包含分子量為200以上且800以下之熱硬化性化合物,更佳為包含分子量為200以上且800以下之結晶性熱硬化性化合物。
上述分子量意指於上述熱硬化性化合物並非聚合物之情形時、及上述熱硬化性化合物之結構式可特定之情形時,可自該結構式算出之分子量。又,於上述熱硬化性化合物為聚合物之情形時,意指重量平均分子量。上述重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測得之以聚苯乙烯換算計之重量平均分子量。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述結晶性熱硬化性化合物較佳為於25℃下為固體。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述結晶性熱硬化性化合物之熔點較佳為80℃以上,更佳為85℃以上,且較佳為150℃以下,更佳為140℃以下。
就進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上,進一步有效地抑制電極間之位置偏移,而進一步提高電極間之導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,上述結晶性熱硬化性化合物之分子量較佳為300以上,更佳為350以上,且較佳為500以下,更佳為400以下。
上述分子量意指於上述熱硬化性化合物並非聚合物之情形時、及上述熱硬化性化合物之結構式可特定之情形時,可自該結構式算出之分子量。又,於上述熱硬化性化合物為聚合物之情形時,意指重量平均分子量。
作為上述結晶性熱硬化性化合物,可列舉:環氧化合物、及(甲 基)丙烯酸系化合物等。
作為上述環氧化合物,可列舉芳香族環氧化合物。其中,較佳為間苯二酚型環氧化合物、萘型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、二苯甲酮型環氧化合物等結晶性環氧化合物。較佳為常溫(23℃)下為固體,且熔融溫度為焊料之熔點以下之環氧化合物。熔融溫度較佳為100℃以下,更佳為80℃以下,且較佳為40℃以上。藉由使用上述之較佳之環氧化合物,而於貼合連接對象構件之階段黏度較高,而可抑制由於搬送等之衝擊而被賦予加速度時第1連接對象構件、與第2連接對象構件之位置偏移,再者,可藉由硬化時之熱而使導電糊之黏度大幅降低,而可高效率地進行焊料粒子之凝集。
上述(甲基)丙烯酸系化合物係具有(甲基)丙烯醯基之化合物。作為上述(甲基)丙烯酸系化合物,可列舉:環氧(甲基)丙烯酸酯化合物。較佳為利用(甲基)丙烯酸等將(甲基)丙烯醯基導入環氧化合物而成之化合物。
上述導電糊100重量%中,上述熱硬化性化合物之含量較佳為20重量%以上,更佳為40重量%以上,進而較佳為50重量%以上,且較佳為99重量%以下,更佳為98重量%以下,進而較佳為90重量%以下,尤佳為80重量%以下。就進一步提高耐衝擊性之觀點而言,較佳為上述熱硬化性成分之含有量較多。
上述導電糊100重量%中,熔點為80℃以上且140℃以下之熱硬化性化合物之含量及結晶性熱硬化性化合物之含量分別較佳為20重量%以上,更佳為40重量%以上,進而較佳為50重量%以上,且較佳為99重量%以下,更佳為98重量%以下,進而較佳為90重量%以下,尤佳為80重量%以下。
又,熱硬化性化合物之整體100重量%中,熔點為80℃以上且140℃以下之熱硬化性化合物之含量及結晶性熱硬化性化合物之含量分別 較佳為10重量%以上,更佳為30重量%以上,進而較佳為50重量%以上,尤佳為70重量%以上,且較佳為100重量%以下。
(熱硬化劑:熱硬化性成分)
上述熱硬化劑係使上述熱硬化性化合物熱硬化。作為上述熱硬化劑,可列舉:咪唑硬化劑、胺硬化劑、酚硬化劑、多硫醇硬化劑等硫醇硬化劑、酸酐、熱陽離子起始劑(熱陽離子硬化劑)及熱自由基產生劑等。上述熱硬化劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。
咪唑硬化劑、硫醇硬化劑或胺硬化劑因可使導電糊於低溫下進一步迅速地硬化,故而較佳。又,潛伏性之硬化劑因混合可藉由加熱而硬化之硬化性化合物與上述熱硬化劑時保存穩定性變高,故而較佳。潛伏性之硬化劑較佳為潛伏性咪唑硬化劑、潛伏性硫醇硬化劑或潛伏性胺硬化劑。再者,上述熱硬化劑亦可由聚胺基甲酸酯樹脂或聚酯樹脂等高分子物質被覆。
作為上述咪唑硬化劑,並無特別限定,可列舉:2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三及2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三異三聚氰酸加成物等。
作為上述硫醇硬化劑,並無特別限定,可列舉:三羥甲基丙烷三-3-巰基丙酸酯、季戊四醇四-3-巰基丙酸酯及二季戊四醇六-3-巰基丙酸酯等。
作為上述胺硬化劑,並無特別限定,可列舉:六亞甲基二胺、八亞甲基二胺、十亞甲基二胺、3,9-雙(3-胺基丙基)-2,4,8,10-四螺[5.5]十一烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、間苯二胺及二胺基二苯基碸等。
作為上述熱陽離子起始劑,可列舉:錪系陽離子硬化劑、氧鎓系陽離子硬化劑及鋶系陽離子硬化劑等。作為上述錪系陽離子硬化 劑,可列舉:六氟磷酸雙(4-第三丁基苯基)錪等。作為上述氧鎓系陽離子硬化劑,可列舉:四氟硼酸三甲基氧鎓等。作為上述鋶系陽離子硬化劑,可列舉:六氟磷酸三-對三鋶等。
作為上述熱自由基產生劑,並無特別限定,可列舉:偶氮化合物及有機過氧化物等。作為上述偶氮化合物,可列舉:偶氮二異丁腈(AIBN)等。作為上述有機過氧化物,可列舉:過氧化二-第三丁基及過氧化甲基乙基酮等。
上述熱硬化劑之反應起始溫度較佳為50℃以上,更佳為70℃以上,進而較佳為80℃以上,且較佳為250℃以下,更佳為200℃以下,進而較佳為150℃以下,尤佳為140℃以下。若上述熱硬化劑之反應起始溫度為上述下限以上及上述上限以下,則進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上。上述熱硬化劑之反應起始溫度尤佳為80℃以上且140℃以下。
就進一步有效率地將焊料配置於電極上之觀點而言,上述熱硬化劑之反應起始溫度較佳為高於上述焊料粒子中之焊料之熔點,更佳為高5℃以上,進而較佳為高10℃以上。
上述熱硬化劑之反應起始溫度意指基於DSC(Differential scanning calorimetry,示差掃描熱量測定)之發熱波峰之上升開始的溫度。
上述熱硬化劑之含量並無特別限定。相對於上述熱硬化性化合物100重量份,上述熱硬化劑之含量較佳為0.01重量份以上,更佳為1重量份以上,且較佳為200重量份以下,更佳為100重量份以下,進而較佳為75重量份以下。若熱硬化劑之含量為上述下限以上,則容易使導電糊充分硬化。若熱硬化劑之含量為上述上限以下,則硬化後未參與硬化之過量之熱硬化劑變得難以殘留,且硬化物之耐熱性進一步變高。
(助焊劑)
上述導電糊較佳為包含助焊劑。藉由使用助焊劑,而可進一步有效地將焊料配置於電極上。該助焊劑並無特別限定。作為助焊劑,可使用焊料接合等通常所使用之助焊劑。作為上述助焊劑,例如可列舉:氯化鋅、氯化鋅與無機鹵化物之混合物、氯化鋅與無機酸之混合物、熔鹽、磷酸、磷酸之衍生物、有機鹵化物、肼、有機酸及松脂等。上述助焊劑可僅使用1種,亦可併用2種以上。
就有效地提高導電糊之保存穩定性,於電極間之連接時使除焊料粒子外之成分進一步難以流動之觀點而言,上述助焊劑較佳為於25℃下為固體。
作為上述熔鹽,可列舉:氯化銨等。作為上述有機酸,可列舉:乳酸、檸檬酸、硬脂酸、麩胺酸及戊二酸等。作為上述松脂,可列舉:活性化松脂及非活性化松脂等。上述助焊劑較佳為具有2個以上之羧基之有機酸、松脂。上述助焊劑可為具有2個以上之羧基之有機酸,亦可為松脂。藉由使用具有2個以上之羧基之有機酸、松脂,電極間之導通可靠性進一步變高。
上述松脂係以松香酸為主成分之松香類。助焊劑較佳為松香類,更佳為松香酸。藉由使用該較佳之助焊劑,電極間之導通可靠性進一步變高。
上述助焊劑之活性溫度(熔點)較佳為50℃以上,更佳為70℃以上,進而較佳為80℃以上,且較佳為200℃以下,更佳為190℃以下,進而較佳為160℃以下,進而較佳為150℃以下,進而更佳為140℃以下。若上述助焊劑之活性溫度為上述下限以上及上述上限以下,則進一步有效地發揮助焊劑效果,而進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上。上述助焊劑之活性溫度較佳為80℃以上且190℃以下。上述助焊劑之活性溫度尤佳為80℃以上且140℃以下。
作為熔點為80℃以上且190℃以下之上述助焊劑,可列舉:琥珀 酸(熔點186℃)、戊二酸(熔點96℃)、己二酸(熔點152℃)、庚二酸(熔點104℃)、辛二酸(熔點142℃)等二羧酸、苯甲酸(熔點122℃)、蘋果酸(熔點130℃)等。
又,上述助焊劑之沸點較佳為200℃以下。
就進一步有效率地將焊料配置於電極上之觀點而言,上述助焊劑之熔點較佳為高於上述焊料粒子中之焊料之熔點,更佳為高5℃以上,進而較佳為高10℃以上。
就進一步有效率地將焊料配置於電極上之觀點而言,上述助焊劑之熔點較佳為高於上述熱硬化劑之反應起始溫度,更佳為高5℃以上,進而較佳為高10℃以上。
藉由助焊劑之熔點高於焊料之熔點,而可使焊料粒子有效率地於電極部分凝集。其原因在於:於接合時賦予熱之情形時,將形成於連接對象構件上之電極、與電極周邊之連接對象構件之部分進行比較,電極部分之導熱率高於電極周邊之連接對象構件部分之導熱率,藉此電極部分之升溫較快。於超過焊料粒子之熔點之階段中,焊料粒子之內部熔解,但形成於表面之氧化覆膜未達到助焊劑之熔點(活性溫度),因此未被去除。於該狀態下,因電極部分之溫度先達到助焊劑之熔點(活性溫度),故而來到電極上之焊料粒子之表面之氧化覆膜優先被去除,從而焊料粒子可於電極之表面上潤濕擴散。藉此,可使焊料粒子於電極上有效率地凝集。
上述助焊劑可分散於導電糊中,亦可附著於焊料粒子之表面上。
上述助焊劑較佳為藉由加熱而釋出陽離子之助焊劑。藉由使用藉由加熱而釋出陽離子之助焊劑,而可進一步有效率地將焊料粒子配置於電極上。
上述導電糊100重量%中,上述助焊劑之含量較佳為0.5重量%以 上,且較佳為30重量%以下,更佳為25重量%以下。上述導電糊亦可不含有助焊劑。若助焊劑之含量為上述下限以上及上述上限以下,則變得更難以於焊料及電極之表面形成氧化覆膜,可更有效地將形成於焊料及電極之表面之氧化覆膜去除。
(填料)
於上述導電糊中亦可添加填料。填料可為有機填料,亦可為無機填料。藉由添加填料,可抑制焊料粒子進行凝集之距離,而使焊料粒子均勻地凝集於基板之全部電極上。
上述導電糊100重量%中,上述填料之含量較佳為0重量%以上,且較佳為5重量%以下,更佳為2重量%以下,進而較佳為1重量%以下。若上述填料之含量為上述下限以上及上述上限以下,則可更有效率地將焊料粒子配置於電極上。
(其他成分)
上述導電糊亦可視需要而含有例如填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑及阻燃劑等各種添加劑。
(連接構造體及連接構造體之製造方法)
本發明之連接構造體包括:第1連接對象構件,其於表面具有至少1個第1電極;第2連接對象構件,其於表面具有至少1個第2電極;及連接部,其將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接。於本發明之連接構造體中,上述連接部之材料為上述之導電糊。上述連接部由上述之導電糊形成。上述連接部係上述導電糊之硬化物。於本發明之連接構造體中,上述第1電極與上述第2電極藉由上述連接部中之焊料部而電性連接。
本發明之連接構造體之製造方法包括如下步驟:使用上述之導電糊,於表面具有至少1個第1電極之第1連接對象構件之表面上配置 上述導電糊之步驟;於上述導電糊之與上述第1連接對象構件側相反之表面上,將表面具有至少1個第2電極之第2連接對象構件以上述第1電極與上述第2電極對向之方式進行配置的步驟;藉由上述導電糊而形成藉由將上述導電糊加熱至上述焊料粒子之熔點以上且上述熱硬化性成分之硬化溫度以上而將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部,且藉由上述連接部中之焊料部而將上述第1電極與上述第2電極電性連接之步驟。
於本發明之連接構造體及本發明之連接構造體之製造方法中,使用有特定之導電糊,因此複數個焊料粒子容易於第1電極與第2電極之間聚集,而可有效率地將複數個焊料粒子配置於電極(線)上。又,難以將複數個焊料粒子之一部分配置於未形成電極之區域(間隙),而可使配置於未形成電極之區域之焊料粒子之量大幅減少。因此,可提高第1電極與第2電極之間之導通可靠性。而且,可防止不可連接之橫方向上鄰接之電極間之電性連接,而可提高絕緣可靠性。
又,本發明者發現,為了有效率地將複數個焊料粒子配置於電極上,且使配置於未形成電極之區域之焊料粒子之量大幅減少,必須使用導電糊而並非導電膜。
本發明中,亦可進而採用使複數個焊料粒子有效率地聚集於電極間之其他方法。作為使複數個焊料粒子有效率地聚集於電極間之方法,可列舉如下方法等:向第1連接對象構件與第2連接對象構件之間之導電糊賦予熱時,導電糊之黏度由於熱而降低,藉此使第1連接對象構件與第2連接對象構件之間之導電糊產生對流。於該方法中,可列舉:藉由連接對象構件之表面之電極與其以外之表面構件之熱容量的差異而使對流產生的方法;藉由熱而使連接對象構件之水分以水蒸氣之形式使對流產生之方法;以及藉由第1連接對象構件與第2連接對象構件之溫度差而使對流產生之方法等。藉此,可使導電糊中之焊料 粒子有效率地向電極之表面移動。
本發明中,亦可進而採用使焊料粒子有選擇地凝集於電極表面之方法。作為使焊料粒子有選擇地凝集於電極表面之方法,可列舉:選擇由熔融之焊料粒子之濡濕性良好之電極材質、與熔融之焊料粒子之濡濕性較差之其他表面材質形成之連接對象構件,使到達電極表面之熔融之焊料粒子有選擇地附著於電極,使其他焊料粒子熔融並附著於該熔融之焊料粒子之方法;選擇由導熱性良好之電極材質、與導熱性較差之其他表面材質形成之連接對象構件,於賦予熱時,使電極之溫度高於其他表面構件,藉此使焊料有選擇地於電極上熔融之方法;對於存在於由金屬形成之電極上之負電荷,使用以具有正電荷之方式進行過處理之焊料粒子,而使焊料粒子有選擇地凝集於電極上之方法;以及對於具有親水性金屬表面之電極,將導電糊中之焊料粒子以外之樹脂設為疏水性,藉此使焊料粒子有選擇地凝集於電極上之方法等。
電極間之焊料部之厚度較佳為10μm以上,更佳為20μm以上,且較佳為100μm以下,更佳為80μm以下。電極之表面上之焊料潤濕面積(電極所露出之面積100%中與焊料接觸之面積)較佳為50%以上,更佳為60%以上,進而較佳為70%以上,且較佳為100%以下。
於本發明之連接構造體之製造方法中,較佳為,於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中不進行加壓,上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊,或者於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中之至少一個步驟中進行加壓,且於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟兩者中,加壓之壓力未達1MPa。藉由不施加1MPa以上之加壓之壓力,而相當地促進焊料粒子之凝集。就抑制連接對象構件之翹曲之觀點而言,於本發明之連接構造體之製造方法中,亦可於配置上述第2 連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中之至少1個步驟中進行加壓,且於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟兩者中,加壓之壓力未達1MPa。於進行加壓之情形時,可僅於配置上述第2連接對象構件之步驟中進行加壓,亦可僅於形成上述連接部之步驟中進行加壓,亦可於配置上述第2連接對象構件之步驟與形成上述連接部之步驟兩者中進行加壓。加壓之壓力未達1MPa包括未進行加壓之情形。於進行加壓之情形時,加壓之壓力較佳為0.9MPa以下,更佳為0.8MPa以下。於加壓之壓力為0.8MPa以下之情形時,與加壓之壓力超過0.8MPa之情形相比,進一步顯著地促進焊料粒子之凝集。
於本發明之連接構造體之製造方法中,較佳為,於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中不進行加壓,上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊,且較佳為,於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中,超過上述第2連接對象構件之重量之力之加壓壓力不會施加於上述導電糊。於該等情形時,可進一步提高複數個焊料部中焊料量之均勻性。進而,可進一步有效地使焊料部之厚度變厚,複數個焊料粒子變得容易於電極間大量凝集,而可進一步有效率地將複數個焊料粒子配置於電極(線)上。又,複數個焊料粒子之一部分難以配置於未形成電極之區域(間隙),而可使配置於未形成電極之區域之焊料粒子之量進一步減少。因此,可進一步提高電極間之導通可靠性。而且,可進一步防止不可連接之橫方向上鄰接之電極間之電性連接,而可進一步提高絕緣可靠性。
本發明者進而亦發現,若於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中不進行加壓,上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊,則形成連接部前配置於未形成電極之區域(間隙)之焊料粒子變得進一步容易聚集於第1電極與第2電極之間,而可進一 步有效率地將複數個焊料粒子配置於電極(線)上。於本發明中,為了以進一步較高之等級獲得本發明之效果,將使用導電糊而並非導電膜之構成、與不進行加壓而上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊之構成組合採用的情況存在較大意義。
再者,於WO2008/023452A1中記載有如下情況:就對電極表面沖刷焊料粉而使之高效率地移動之觀點而言,亦可於接著時以特定之壓力進行加壓;關於加壓壓力,記載有如下情況:就進而確實地形成焊料區域之觀點而言,例如設為0MPa以上、較佳為1MPa以上;進而記載有如下情況:即便意圖施加於接著帶之壓力為0MPa,亦可藉由配置於接著帶上之構件之自重,而對接著帶施加特定之壓力。於WO2008/023452A1中,記載有意圖施加於接著帶之壓力亦可為0MPa之情況,但關於賦予有超過0MPa之壓力之情形與設為0MPa之情形之效果差異,未作任何記載。又,於WO2008/023452A1中,關於使用糊狀之導電糊而並非膜狀之重要性,沒有任何認識。
又,若使用導電糊而並非導電膜,則容易根據導電糊之塗佈量而調整連接部及焊料部之厚度。另一方面,對於導電膜而言,存在如下問題:為了變更或調整連接部之厚度,必須準備不同厚度之導電膜或者準備特定厚度之導電膜。又,對於導電膜而言,存在如下問題:於焊料之熔融溫度下,無法使導電膜之熔融黏度充分降低,而妨礙焊料粒子之凝集。
以下,一面參照圖式,一面對本發明之具體實施形態進行說明。
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之導電糊而獲得之連接構造體的剖視圖。
圖1所示之連接構造體1包括:第1連接對象構件2、第2連接對象構件3、將第1連接對象構件2與第2連接對象構件3連接之連接部4。連 接部4係由包含熱硬化性化合物、熱硬化劑、及複數個焊料粒子,且上述比(黏度(η-80)/黏度(η-30))為上述範圍內之包含熱硬化劑的導電糊形成。上述熱硬化性化合物與上述熱硬化劑係熱硬化性成分。
連接部4具有:複數個焊料粒子聚集而相互接合而成之焊料部4A、熱硬化性成分熱硬化而成之硬化物部4B。
第1連接對象構件2係於表面(上表面)具有複數個第1電極2a。第2連接對象構件3係於表面(下表面)具有複數個第2電極3a。第1電極2a與第2電極3a藉由焊料部4A而電性連接。因此,第1連接對象構件2與第2連接對象構件3藉由焊料部4A而電性連接。再者,於連接部4中,於與聚集於第1電極2a與第2電極3a之間之焊料部4A不同之區域(硬化物部4B部分)中不存在焊料。於與焊料部4A不同之區域(硬化物部4B部分)中不存在與焊料部4A分離之焊料。再者,若為少量,則於與聚集於第1電極2a與第2電極3a之間之焊料部4A不同之區域(硬化物部4B部分)中亦可存在焊料。
如圖1所示,於連接構造體1中,複數個焊料粒子於第1電極2a與第2電極3a之間聚集,複數個焊料粒子熔融後,焊料粒子之熔融物於電極之表面潤濕擴散後進行固化,而形成焊料部4A。因此,焊料部4A與第1電極2a、以及焊料部4A與第2電極3a之連接面積變大。即,藉由使用焊料粒子,與使用導電性之外表面為鎳、金或銅等金屬之導電性粒子之情形相比,焊料部4A與第1電極2a、以及焊料部4A與第2電極3a之接觸面積變大。因此,連接構造體1中之導通可靠性及連接可靠性變高。再者,導電糊亦可含有助焊劑。於使用助焊劑之情形時,藉由加熱,通常助焊劑逐漸失去活性。
再者,於圖1所示之連接構造體1中,焊料部4A全部位於第1、第2電極2a、3a間之所對向之區域。圖3所示之變化例之連接構造體1X係僅連接部4X與圖1所示之連接構造體1不同。連接部4X具有焊料部 4XA與硬化物部4XB。如連接構造體1X般,亦可焊料部4XA大部分位於第1、第2電極2a、3a之所對向之區域,焊料部4XA之一部分自第1、第2電極2a、3a之所對向之區域向側方溢出。自第1、第2電極2a、3a之所對向之區域向側方伸出之焊料部4XA係焊料部4XA之一部分,並非與焊料部4XA分離之焊料。再者,於本實施形態中,雖可減少與焊料部分離之焊料之量,但與焊料部分離之焊料亦可存在於硬化物部中。
若減少焊料粒子之使用量,則容易獲得連接構造體1。若增加焊料粒子之使用量,則容易獲得連接構造體1X。
就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為於上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,將上述連接部中之焊料部配置於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分之面積100%中的50%以上(更佳為60%以上,進而較佳為70%以上,尤佳為80%以上,最佳為90%以上)。
就進一步提高導通可靠性之觀點而言,較佳為於與上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向正交之方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,將上述連接部中之焊料部之70%以上配置於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分(更佳為80%以上,進而較佳為90%以上,尤佳為95%以上,最佳為99%以上)。
其次,對使用本發明之一實施形態之導電糊而製造連接構造體1之方法之一例進行說明。
首先,準備於表面(上表面)具有第1電極2a之第1連接對象構件2。其次,如圖2(a)所示般,於第1連接對象構件2之表面上配置包含熱硬化性成分11B、與複數個焊料粒子11A之導電糊11(第1步驟)。於第1連接對象構件2之設置有第1電極2a之表面上配置於導電糊11。於配置導電糊11後,將焊料粒子11A配置於第1電極2a(線)上、與未形成 第1電極2a之區域(間隙)上兩者。
作為導電糊11之配置方法,並無特別限定,可列舉:利用分注器之塗佈、網版印刷、及利用噴墨裝置之噴出等。
又,準備於表面(下表面)具有第2電極3a之第2連接對象構件3。其次,如圖2(b)所示般,於第1連接對象構件2之表面上之導電糊11上,於導電糊11之與第1連接對象構件2側相反側之表面上配置第2連接對象構件3(第2步驟)。於導電糊11之表面上自第2電極3a側配置第2連接對象構件3。此時,使第1電極2a與第2電極3a對向。
其次,將導電糊11加熱至焊料粒子11A之熔點以上及熱硬化性成分11B之硬化溫度以上(第3步驟)。即,將導電糊11加熱至焊料粒子11A之熔點及熱硬化性成分11B之硬化溫度中之更高溫度以上。於該加熱時,存在於未形成電極之區域之焊料粒子11A係於第1電極2a與第2電極3a之間聚集(自動對準效果)。於本實施形態中,使用導電糊而並非導電膜,進而導電糊具有特定之組成,因此焊料粒子11A有效地於第1電極2a與第2電極3a之間聚集。又,焊料粒子11A熔融而相互接合。又,熱硬化性成分11B進行熱硬化。其結果為,如圖2(c)所示般,藉由導電糊11而形成將第1連接對象構件2與第2連接對象構件3連接之連接部4。藉由導電糊11而形成連接部4,藉由複數個焊料粒子11A接合而形成焊料部4A,藉由熱硬化性成分11B熱硬化而形成硬化物部4B。若焊料粒子11A充分移動,則未位於第1電極2a與第2電極3a之間之焊料粒子11A之移動開始後直至於第1電極2a與第2電極3a之間焊料粒子11A之移動結束,亦可不將溫度保持為一定。
於本實施形態中,於上述第2步驟及上述第3步驟中不進行加壓。於本實施形態中,第2連接對象構件3之重量施加於導電糊11。因此,於連接部4之形成時,焊料粒子11A於第1電極2a與第2電極3a之間有效地聚集。再者,若於上述第2步驟及上述第3步驟中之至少一個步 驟中進行加壓,則焊料粒子欲於第1電極與第2電極之間聚集之作用受到抑制之傾向變高。本發明者發現上述情況。
又,於本實施形態中,因不進行加壓,故而於塗佈有導電糊之第1連接對象構件重合第2連接對象構件時,即便於第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極之對位發生偏移的狀態下,將第1連接對象構件與第2連接對象構件重合之情形時,亦可修正上述偏移,而可將第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極連接(自動對準效果)。其原因在於:於第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極之間自我凝集之熔融的焊料因第1連接對象構件之電極與第2連接對象構件之電極之間之焊料與導電糊之其他成分接觸的面積成為最小者能量穩定,故而形成該成為最小之面積之連接構造,即對準的連接構造之力發揮作用。此時,較理想為導電糊未硬化;及於該溫度、時間下,導電糊之焊料粒子以外之成分之黏度非常低。
以上述方式獲得圖1所示之連接構造體1。再者,上述第2步驟與上述第3步驟亦可連續地進行。又,亦可於進行上述第2步驟後,使所獲得之第1連接對象構件2、導電糊11、及第2連接對象構件3之積層體向加熱部移動,而進行上述第3步驟。為了進行上述加熱,可於加熱構件上配置上述積層體,亦可於加熱之空間內配置上述積層體。
上述第3步驟中之加熱溫度只要為焊料粒子之熔點以上及熱硬化性成分之硬化溫度以上,則無特別限定。上述加熱溫度較佳為140℃以上,更佳為160℃以上,且較佳為450℃以下,更佳為250℃以下,進而較佳為200℃以下。
再者,於上述第3步驟後,為了位置之修正或製造之再運行,可將第1連接對象構件或第2連接對象構件自連接部剝離。用以進行該剝離之加熱溫度係較佳為焊料粒子之熔點以上、更佳為焊料粒子之熔點(℃)+10℃以上。用以進行該剝離之加熱溫度亦可為焊料粒子之熔點 (℃)+100℃以下。
作為上述第3步驟中之加熱方法,可列舉如下方法:使用回焊爐或使用烘箱,將連接構造體整體加熱至焊料粒子之熔點以上及熱硬化性成分之硬化溫度以上之方法;或僅將連接構造體之連接部局部進行加熱之方法。
作為局部進行加熱之方法所使用之器具,可列舉:加熱板、賦予熱風之熱風槍、烙鐵、及紅外線加熱器等。
又,利用加熱板局部進行加熱時,較佳為連接部之正下方係以導熱性較高之金屬形成加熱板上表面,其他加熱欠佳之位置係以氟樹脂等導熱性較低之材質形成加熱板上表面。
上述第1、第2連接對象構件並無特別限定。作為上述第1、第2連接對象構件,具體而言,可列舉:半導體晶片、半導體組件、LED晶片、LED組件、電容器及二極體等電子零件、以及樹脂膜、印刷基板、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜、剛性可撓性基板、環氧玻璃基板及玻璃基板等電路基板等電子零件等。上述第1、第2連接對象構件較佳為電子零件。
較佳為上述第1連接對象構件及上述第2連接對象構件中之至少一者為樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜或剛性可撓性基板。上述第2連接對象構件較佳為樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜或剛性可撓性基板。樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜及剛性可撓性基板具有柔可撓性較高,相對輕量之性質。於將導電膜用於此種連接對象構件之連接之情形時,存在焊料粒子難以於電極上凝集之傾向。相對於此,即便使用樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜或剛性可撓性基板,亦可藉由使用導電糊使焊料粒子有效率地於電極上凝集,而充分提高電極間之導通可靠性。於使用樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜或剛性可撓性基板之情形時, 與使用半導體晶片等其他連接對象構件之情形相比,可進一步有效地獲得利用不進行加壓之電極間之導通可靠性之提高效果。
於上述連接對象構件之形態中存在周邊構造或面陣構造等。作為各構件之特徵,對於周邊構造基板而言,電極僅存在於基板之外周部。對於面陣構造基板而言,於面內存在電極。
作為設置於上述連接對象構件之電極,可列舉:金電極、鎳電極、錫電極、鋁電極、銅電極、鉬電極、銀電極、SUS電極及鎢電極等金屬電極。於上述連接對象構件為可撓性印刷基板之情形時,上述電極較佳為金電極、鎳電極、錫電極、銀電極或銅電極。於上述連接對象構件為玻璃基板之情形時,上述電極較佳為鋁電極、銅電極、鉬電極、銀電極或鎢電極。再者,於上述電極為鋁電極之情形時,可為僅由鋁形成之電極,亦可為於金屬氧化物層之表面積層有鋁層之電極。作為上述金屬氧化物層之材料,可列舉:摻雜有3價之金屬元素之氧化銦及摻雜有3價之金屬元素之氧化鋅等。作為上述3價之金屬元素,可列舉:Sn、Al及Ga等。
以下,列舉實施例及比較例,對本發明具體地進行說明。本發明並不僅限定於以下之實施例。
聚合物A之合成:
將雙酚F(將4,4'-亞甲基雙酚、2,4'-亞甲基雙酚及2,2'-亞甲基雙酚以重量比2:3:1包含)100重量份、1,6-己二醇二縮水甘油醚130重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製造之「EPICLON EXA-830CRP」)5重量份、及間苯二酚型環氧化合物(長瀨化成公司製造之「EX-201」)10重量份放入三口燒瓶中,於氮氣流下,於100℃下使該等溶解。其後,添加作為羥基與環氧基之加成反應觸媒之三苯基丁基溴化鏻0.15重量份,於氮氣流下,於140℃下進行4小時加成聚合反應,藉此獲得反應物(聚合物A)。
藉由NMR(Nuclear magnetic resonance,核磁共振)而確認加成聚合反應進行,而確認到反應物(聚合物A)於主鏈具有源自雙酚F之羥基與1,6-己二醇二縮水甘油醚、雙酚F型環氧樹脂及間苯二酚型環氧化合物之環氧基鍵結而成之結構單元,且於兩末端具有環氧基。
藉由GPC而獲得之反應物(聚合物A)之重量平均分子量為28000,數量平均分子量為8000。
聚合物B:兩末端環氧基剛直骨架苯氧基樹脂,三菱化學公司製造之「YX6900BH45」,重量平均分子量16000
熱硬化性化合物1:萘型環氧化合物(DIC公司製造之「HP-4032D」,分子量272)
熱硬化性化合物2:間苯二酚型環氧化合物(長瀨化成公司製造之「EX-201」,分子量222)
熱硬化性化合物3:雙酚F型環氧樹脂化合物,DIC公司製造之「EPICLON EXA-830CRP」
熱硬化劑1:季戊四醇四(3-巰基丁酸酯),昭和電工公司製造之「Karenz MT PE1」
潛伏性環氧熱硬化劑1:T & K TOKA公司製造之「Fujicure 7000」
助焊劑1:己二酸,和光純藥工業公司製造,熔點(活性溫度)152℃
助焊劑2:琥珀酸,和光純藥工業公司製造,熔點(活性溫度)186℃
焊料粒子1、2之製作方法:
具有陰離子聚合物1之焊料粒子:將焊料粒子本體200g、己二酸40g、及丙酮70g稱取至三口燒瓶中,其次添加作為焊料粒子本體之表面之羥基與己二酸之羧基之脫水縮合觸媒的二丁基氧化錫0.3g,於60℃下進行4小時反應。其後,藉由過濾而回收焊料粒子。
將所回收之焊料粒子、與己二酸50g、甲苯200g、及對甲苯磺 酸0.3g稱取至三口燒瓶中,一面進行抽真空及回流,一面於120℃下進行3小時反應。此時,使用迪安-斯塔克提取裝置,將藉由脫水縮合而生成之水去除並且進行反應。
其後,藉由過濾而回收焊料粒子,利用己烷進行洗淨並進行乾燥。其後,利用球磨機將所獲得之焊料粒子壓碎後,以成為特定CV值之方式選擇篩子。
(ζ電位測定)
又,將所獲得之焊料粒子0.05g放入甲醇10g中,進行超音波處理,藉此使所獲得之焊料粒子均勻地分散而獲得分散液。使用該分散液,且使用Beckman Coulter公司製造之「Delsamax PRO」,利用電泳測定法對ζ電位進行測定。
(陰離子聚合物之重量平均分子量)
焊料粒子之表面之陰離子聚合物1之重量平均分子量係使用0.1N之鹽酸使焊料溶解後,藉由過濾回收聚合物,藉由GPC而求出。
(焊料粒子之粒徑之CV值)
利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(堀場製作所公司製造之「LA-920」)對CV值進行測定。
焊料粒子1(SnBi焊料粒子,熔點139℃,使用對三井金屬公司製造之「DS10」進行過篩選之焊料粒子本體並進行過表面處理之具有陰離子聚合物1之焊料粒子,平均粒徑13μm,CV值20%,表面之ζ電位:+0.48mV,聚合物分子量Mw=7000)
焊料粒子2(SnBi焊料粒子,熔點139℃,使用對三井金屬公司製造之「10-25」進行過篩選之焊料粒子本體並進行過表面處理之具有陰離子聚合物1之焊料粒子,平均粒徑25μm,CV值15%,表面之ζ電位:+0.4mV,聚合物分子量Mw=8000)
導電性粒子1:樹脂粒子之表面上形成有厚度1μm之銅層,該銅 層之表面上形成有厚度3μm之焊料層(錫:鉍=42重量%:58重量%)之導電性粒子
導電性粒子1之製作方法:
對平均粒徑10μm之二乙烯苯樹脂粒子(積水化學工業公司製造之「Micropearl SP-210」)進行無電鍍鎳,而於樹脂粒子之表面上形成厚度0.1μm之基底鍍鎳層。其次,對形成有基底鍍鎳層之樹脂粒子進行電解鍍銅,而形成厚度1μm之銅層。進而,使用含有錫及鉍之電解電鍍液進行電解電鍍,而形成厚度3μm之焊料層。以上述方式,製作於樹脂粒子之表面上形成有厚度1μm之銅層,於該銅層之表面形成有厚度3μm之焊料層(錫:鉍=42重量%:58重量%)之導電性粒子1。
(實施例1~6及比較例1、2)
(1)各向異性導電糊之製作
以下述表1所示之調配量調配下述表1所示之成分,而獲得各向異性導電糊。
(2)第1連接構造體(L/S=50μm/50μm)之製作
準備於上表面具有L/S為50μm/50μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之環氧玻璃基板(FR-4基板)(第1連接對象構件)。又,準備於下表面具有L/S為50μm/50μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之可撓性印刷基板(第2連接對象構件)。
環氧玻璃基板與可撓性印刷基板之重合面積設為1.5cm×3mm,連接之電極數設為75對。
於上述環氧玻璃基板之上表面,使用金屬遮罩,利用網版印刷將剛製作後之各向異性導電糊以厚度成為100μm之方式塗佈於環氧玻璃基板之電極上而形成各向異性導電糊層。其次,於各向異性導電糊層之上表面將上述可撓性印刷基板以電極彼此對向之方式進行積層。 此時,不進行加壓。上述可撓性印刷基板之重量施加於各向異性導電糊層。其後,一面以各向異性導電糊層之溫度成為190℃之方式進行加熱,一面使焊料熔融,且使各向異性導電糊層於190℃下硬化10秒,而獲得第1連接構造體。
(3)第2連接構造體(L/S=75μm/75μm)之製作
準備於上表面具有L/S為75μm/75μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之環氧玻璃基板(FR-4基板)(第1連接對象構件)。又,準備於下表面具有L/S為75μm/75μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之可撓性印刷基板(第2連接對象構件)。
使用L/S不同之上述環氧玻璃基板及可撓性印刷基板,除此以外,以與第1連接構造體之製作相同之方式進行而獲得第2連接構造體。
(4)第3連接構造體(L/S=100μm/100μm)之製作
準備於上表面具有L/S為100μm/100μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之環氧玻璃基板(FR-4基板)(第1連接對象構件)。又,準備於下表面具有L/S為100μm/100μm、電極長度3mm之銅電極圖案(銅電極之厚度12μm)之可撓性印刷基板(第2連接對象構件)。
使用L/S不同之上述環氧玻璃基板及可撓性印刷基板外,除此以外,以與第1連接構造體之製作相同之方式進行而獲得第3連接構造體。
(評價)
(1)結晶性熱硬化性化合物之結晶之平均縱橫比及平均長徑
利用電子顯微鏡對導電膜進行觀察,藉此對結晶性熱硬化性化合物之結晶之平均縱橫比及平均長徑進行評價。
(2)黏度
各向異性導電糊於各溫度(25℃、焊料粒子之熔點-80℃、焊料粒子之熔點-30℃、焊料粒子之熔點)下之黏度及顯示最低熔融黏度之溫度係使用流變計(EOLOGICA公司製造之「STRESSTECH」)等,於轉子直徑20mm、振盪應變控制、升溫速度10℃/min之條件下進行測定。
(3)焊料部之厚度
對所獲得之連接構造體之剖面進行觀察,藉此評價位於上下之電極間之焊料部之厚度。
(4)電極上之焊料之配置精度1
針對所獲得之連接構造體,於第1電極、連接部、及第2電極之積層方向觀察第1電極與第2電極之相對向部分時,對第1電極與第2電極之相對向部分之面積100%中連接部中之配置有焊料部之面積的比例X進行評價。以下述標準判定電極上之焊料之配置精度1。
[電極上之焊料之配置精度1之判定標準]
○○:比例X為70%以上
○:比例X為60%以上且未達70%
△:比例X為50%以上且未達60%
×:比例X未達50%
(5)電極上之焊料之配置精度2
針對所獲得之連接構造體,於與第1電極、連接部、及第2電極之積層方向正交之方向觀察第1電極與第2電極之相對向部分時,對連接部中之焊料部100%中配置於第1電極與第2電極之相對向部分之連接部中的焊料部之比例Y進行評價。以下述基準判定電極上之焊料之配置精度2。
[電極上之焊料之配置精度2之判定標準]
○○:比例Y為99%以上
○:比例Y為90%以上且未達99%
△:比例Y為70%以上且未達90%
×:比例Y未達70%
(6)上下之電極間之導通可靠性
針對所獲得之第1、第2、第3連接構造體(n=15個),藉由4端子法分別對上下之電極間之每個連接處之連接電阻進行測定。算出連接電阻之平均值。再者,根據電壓=電流×電阻之關係,可藉由對流過一定電流時之電壓進行測定而求出連接電阻。以下述基準判定導通可靠性。
[導通可靠性之判定標準]
○○:連接電阻之平均值為50mΩ以下
○:連接電阻之平均值超過50mΩ且為70mΩ以下
△:連接電阻之平均值超過70mΩ且為100mΩ以下
×:連接電阻之平均值超過100mΩ,或產生連接不良
(7)鄰接之電極間之絕緣可靠性
針對所獲得之第1、第2、第3連接構造體(n=15個),於85℃、濕度85%之環境中放置100小時後,向鄰接之電極間施加5V之電壓,於25處測定電阻值。以下述標準判定絕緣可靠性。
[絕緣可靠性之判定標準]
○○:連接電阻之平均值為107Ω以上
○:連接電阻之平均值為106Ω以上且未達107Ω
△:連接電阻之平均值為105Ω以上且未達106Ω
×:連接電阻之平均值未達105Ω
(8)上下之電極間之位置偏移
針對所獲得之連接構造體,於第1電極、連接部、及第2電極之 積層方向觀察第1電極與第2電極之相對向部分時,評價第1電極之中心線與第2電極之中心線是否對齊,以及位置偏移之距離。以下述標準判定上下之電極間之位置偏移。
[上下之電極間之位置偏移之判定標準]
○○:位置偏移未達15μm
○:位置偏移為15μm以上且未達25μm
△:位置偏移為25μm以上且未達40μm
×:位置偏移為40μm以上
將詳細內容及結果示於下述表1、2。
於使用樹脂膜、可撓性扁形電纜及剛性可撓性基板代替可撓性 印刷基板之情形時,亦發現同樣之傾向。
1‧‧‧連接構造體
2‧‧‧第1連接對象構件
2a‧‧‧第1電極
3‧‧‧第2連接對象構件
3a‧‧‧第2電極
4‧‧‧連接部
4A‧‧‧焊料部
4B‧‧‧硬化物部

Claims (14)

  1. 一種導電糊,其包含作為熱硬化性成分之熱硬化性化合物及熱硬化劑、與複數個焊料粒子,且上述焊料粒子之熔點-80℃下之導電糊之黏度相對於上述焊料粒子之熔點-30℃下之導電糊之黏度的比為1.5以上且4以下。
  2. 如請求項1之導電糊,其中導電糊之顯示最低熔融黏度之溫度存在於上述焊料粒子之熔點-30℃以上且上述焊料粒子之熔點+20℃以下之溫度區域中。
  3. 如請求項1或2之導電糊,其中上述熱硬化性化合物包含25℃下為固體之熱硬化性化合物。
  4. 如請求項1或2之導電糊,其中上述焊料粒子之平均粒徑為1μm以上且40μm以下。
  5. 如請求項1或2之導電糊,其中上述焊料粒子之含量為10重量%以上且90重量%以下。
  6. 一種連接構造體,其包括:第1連接對象構件,其於表面具有至少1個第1電極;第2連接對象構件,其於表面具有至少1個第2電極;及連接部,其將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接,且上述連接部之材料為如請求項1至5中任一項之導電糊,上述第1電極與上述第2電極藉由上述連接部中之焊料部而電性連接。
  7. 如請求項6之連接構造體,其中上述第2連接對象構件為半導體晶片、樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜、或剛性可撓性基板。
  8. 如請求項6或7之連接構造體,其中於上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分之面積100%中的50%以上配置有上述連接部中之焊料部。
  9. 如請求項6或7之連接構造體,其中於與上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向正交之方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分配置有上述連接部中之焊料部之70%以上。
  10. 一種連接構造體之製造方法,其包括:使用如請求項1至5中任一項之導電糊,於表面具有至少1個第1電極之第1連接對象構件之表面上配置上述導電糊之步驟;於上述導電糊之與上述第1連接對象構件側相反之表面上,將表面具有至少1個第2電極之第2連接對象構件以上述第1電極與上述第2電極對向之方式進行配置之步驟;及藉由上述導電糊而形成藉由將上述導電糊加熱至上述焊料粒子之熔點以上且上述熱硬化性成分之硬化溫度以上而將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接的連接部,且藉由上述連接部中之焊料部而將上述第1電極與上述第2電極電性連接之步驟。
  11. 如請求項10之連接構造體之製造方法,其中於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中不進行加壓,上述第2連接對象構件之重量施加於上述導電糊,或者於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟中之至少一步驟中進行加壓,且於配置上述第2連接對象構件之步驟及形成上述連接部之步驟兩者中,加壓之壓力未達1MPa。
  12. 如請求項10或11之連接構造體之製造方法,其中上述第2連接對 象構件為半導體晶片、樹脂膜、可撓性印刷基板、可撓性扁形電纜或剛性可撓性基板。
  13. 如請求項10或11之連接構造體之製造方法,其中獲得於上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分之面積100%中的50%以上配置有上述連接部中之焊料部的連接構造體。
  14. 如請求項10或11之連接構造體之製造方法,其中獲得於與上述第1電極、上述連接部、及上述第2電極之積層方向正交之方向觀察上述第1電極與上述第2電極之相對向部分時,於上述第1電極與上述第2電極之相對向部分配置有上述連接部中之焊料部之70%以上的連接構造體。
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