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TW201621973A - 電漿處理裝置 - Google Patents

電漿處理裝置 Download PDF

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TW201621973A
TW201621973A TW104130015A TW104130015A TW201621973A TW 201621973 A TW201621973 A TW 201621973A TW 104130015 A TW104130015 A TW 104130015A TW 104130015 A TW104130015 A TW 104130015A TW 201621973 A TW201621973 A TW 201621973A
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TW104130015A
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先崎滋
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東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的係在於使電漿穩定，並且抑制微粒擴散至載置台所載置基板的表面之高度以上。本發明提供一種電漿處理裝置，將氣體導入至進行電漿處理之反應容器的內部，且對該反應容器施加電磁波能量而自前述氣體產生電漿，並對基板進行電漿處理，其中，前述反應容器的內部具有將基板加以載置的載置台，前述反應容器形成有：產生電漿的區域A；排氣區域Ex；產生電漿的區域B，係前述區域A與前述排氣區域Ex之間的區域；且前述反應容器的內壁之中與前述區域A鄰接的部分係以可汽化材料形成，並以前述區域B內的粒子與前述區域A內的粒子相較而移動速度增快的方式，在比前述載置台的基板的表面更下游側將可汽化材料所形成之多片區隔構件配置成區隔前述區域A與前述區域B，使存在於前述區域B的微粒不飛散至前述區域A。

Description

電漿處理裝置
本發明係關於電漿處理裝置。
吾人已知一種電漿處理裝置，將氣體導入至進行電漿處理之反應容器的內部，且施加射頻電力而自氣體產生電漿，並對半導體晶圓（以下僅稱作「晶圓」）進行電漿處理。電漿處理中，有時因所產生之電漿的粒子碰撞反應容器的內壁而出現微粒。當此微粒於電漿處理中飛抵至晶圓上，則出現使晶圓上所形成之配線間短路等問題，對良率造成不好的影響。於是，吾人提案一種抑制微粒的技術（例如參考專利文獻1）。 【先前技術文獻】 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開平8－124912號公報 專利文獻2：日本特開2006－303309號公報
〔發明所欲解決之問題〕
然而，近來晶圓的細微加工與時俱進。於是，例如於形成10nm以下圖案的製程之中，即使係0.035μm左右的細微微粒，亦會由於使配線間短路等理由而對良率造成不好的影響。因此，就連至今不成問題之0.035μm以下的微小微粒，在10nm以下製程中亦須要對策。
吾人考慮以不會成為微粒的材料覆蓋反應容器的內壁之接地面來作為微粒對策之一。但是，於此情況，當包覆材料係石英等絕緣材料，則電漿變得不穩定，且電漿均勻性降低。此外，包覆材料係矽等導體則會在成本上有所顧慮。
針對上述問題，在一態樣中，本發明之目的在於使電漿穩定，並且抑制微粒擴散至載置台所載置基板的表面之高度以上。 〔解決問題之方式〕
為了解決上述問題，依據一態樣，本發明提供一種電漿處理裝置，將氣體導入至進行電漿處理之反應容器的內部，且對該反應容器施加電磁波能量而自前述氣體產生電漿，並對基板進行電漿處理，其中，前述反應容器的內部具有將基板加以載置的載置台，前述反應容器形成有：產生電漿的區域A；排氣區域Ex；以及產生電漿的區域B，係前述區域A與前述排氣區域Ex之間的區域；且前述反應容器的內壁之中與前述區域A鄰接的部分係以可汽化材料形成，並以前述區域B內的粒子與前述區域A內的粒子相較而移動速度增快的方式，在比前述載置台的基板的表面更下游側將可汽化材料所形成的多片區隔構件配置成區隔前述區域A與前述區域B，使存在於前述區域B的微粒不飛散至前述區域A。 〔發明之效果〕
依據此一態樣，能使電漿穩定，並且抑制微粒擴散至載置台所載置基板的表面之高度以上。
〔實施發明之較佳形態〕
以下，參照圖式說明用以實施本發明的形態。另外，本說明書及圖式之中，對實質上相同的構成標註相同的符號，藉以省略重複的說明。
〔電漿處理裝置的整體構成〕 首先，參照圖1說明本發明之一實施形態的電漿處理裝置1之整體構成。本實施形態以平行平板型電漿處理裝置1舉例說明，其在反應容器10的內部將下部電極（載置台20）與上部電極25（噴淋頭）相向配置，且將氣體從上部電極25供給至反應容器10的內部。
電漿處理裝置1例如具有：反應容器10，由表面經氧化鋁膜（Alumite）處理（陽極氧化處理）的鋁等導電性材料而成；以及氣體供給源15，將氣體供給至反應容器10內。反應容器10係接地。氣體供給源15依照蝕刻、清潔等電漿處理步驟而供給特定氣體。
反應容器10係電性接地，且反應容器10的內部具有將晶圓W加以載置的載置台20。晶圓W係電漿處理對象即基板的一範例。載置台20亦作為下部電極而發揮功能。與載置台20相向的頂棚部設有上部電極25。
載置台20的頂面設有用以靜電吸附晶圓W的靜電夾盤106。靜電夾盤106呈在絕緣體106b之間夾入夾盤電極106a的構造。夾盤電極106a連接有直流電壓源112，且藉由將直流電壓從直流電壓源112施加至電極106a，而利用庫倫力使晶圓W在靜電夾盤106受到吸附。靜電夾盤106的周緣部例如配置有由矽構成的聚焦環101，用以提昇蝕刻的面內均勻性。
載置台20係由支持體104支持。支持體104的內部形成有冷媒流道104a。冷媒流道104a中例如有冷卻水等作為適當冷媒而循環。
傳熱氣體供給源85將氦氣（He）、氬氣（Ar）等傳熱氣體經由氣體供給管130而供給至靜電夾盤106上的晶圓W之背面。依此構成，靜電夾盤106藉由循環在冷媒流道104a的冷卻水與供給至晶圓W之背面的傳熱氣體，而受到溫度控制。
載置台20隔著固持構件103而受支持構件105支持。
下部電極（載置台20）連接：第一射頻電源32，供給第一頻率之第一射頻電力（電漿激發用射頻電力）；以及第二射頻電源35，供給低於第一頻率之第二頻率的第二射頻電力（偏壓電壓生成用射頻電力）。第一射頻電源32經由第一阻抗匹配器33而電性連接至下部電極20。第二射頻電源35經由第二阻抗匹配器34而電性連接至下部電極20。第一射頻電源32例如供給40MHz之第一射頻電力。第二射頻電源35例如供給3.2MHz之第二射頻電力。
第一及第二阻抗匹配器33、34分別使負載阻抗匹配於第一及第二射頻電源32、35的內部（或輸出）阻抗，且發揮下述功能：電漿產生在反應容器1010內之時，使第一、第二射頻電源32、35之內部阻抗與負載阻抗外觀上一致。
第一及第二射頻電源32、35係電源的一範例，該電源係將電磁波能量施加至反應容器10。就將電磁波能量施加至反應容器10之電源的其它範例而言，舉例有微波。
上部電極25隔著包覆其周緣部的屏蔽環40而安裝於反應容器10的頂棚部。上部電極25係電性接地。
上部電極25形成有用以從氣體供給源15導入氣體的氣體導入口45。此外，上部電極25的內部設有：中心側的擴散室50a及邊緣側的擴散室50b，自氣體導入口45起分歧而將氣體加以擴散。
上部電極25形成有：多個氣體供給孔55，將來自擴散室50a、50b的氣體供給至反應容器10內。各氣體供給孔55係以能將氣體供給至下部電極所載置的晶圓W與上部電極25之間的方式配置。
來自氣體供給源15的氣體經由氣體導入口45而供給至擴散室50a、50b，且在此擴散而分配至各氣體供給孔55，並從氣體供給孔55往下部電極導入。依此構成，上部電極25係作為將氣體加以供給的氣體噴淋頭而發揮功能。
反應容器10的底部配設有形成出排氣口61的排氣管60。排氣管60連接有排氣裝置65。排氣裝置65係由渦輪分子泵或乾式泵等真空泵構成，且將反應容器10內的處理空間減壓至預定的真空度，並一併將反應容器10內的氣體導引至排氣道62及排氣口61而排氣至外部。排氣道62安裝有用以控制氣體的流動之緩衝板108。
反應容器10的側壁設有閘閥G。閘閥G係於施行從反應容器10搬入及搬出晶圓W之際開閉搬出入口。
藉由此構成之電漿處理裝置1，而對晶圓W施行電漿處理。舉例而言，進行蝕刻處理的情況下，首先控制閘閥G的開閉，且將晶圓W搬入至反應容器10，並載置在載置台20。其次，導入蝕刻用的氣體，且將第一及第二射頻電力供給至下部電極，並產生電漿。藉由所產生之電漿而對晶圓W施行電漿蝕刻等期望的處理。處理後，控制閘閥G的開閉，將晶圓W從反應容器10搬出。 （區隔構件） 聚焦環101的外周側，在載置台20的側壁與反應容器10的側壁之間設有二片區隔構件201、202。二片區隔構件201、202由不會成為微粒的材料（以下稱作「可汽化材料」）形成。可汽化材料係指下述性質之構件：由電漿反應產生的反應產生物可以汽化而排氣。意即，可汽化材料由於電漿的作用而剝離並混入至反應產生物。此際的反應產生物擁有揮發性物質，且可以不沉積在反應容器10的內壁而排氣至外部排氣。如上所述，可汽化材料由不會成為微粒的材料構成。舉出矽（Si）、石英、碳化矽（SiC）、碳（C）作為可汽化材料之一範例。
二片區隔構件201、202可由不同材料或不同特性之材料構成，亦可由相同材料或相同特性之材料構成。例如，區隔構件201、202亦可皆以絕緣性材質構成、或皆以導電性材質構成、或以一者係絕緣性材質而另一者係導電性材質構成。就一範例而言，如本實施形態之電漿處理裝置1，二片區隔構件201、202亦可皆由矽形成。此外，二片區隔構件201、202可皆由石英形成，亦可一者由石英形成而另一者由矽形成。
區隔構件201、202配置在比載置台20所載置之晶圓W的頂面更下游側。區隔構件201、202係環狀的平板。區隔構件201在比反應容器10的側壁102之晶圓W的頂面更下游側的位置設有反應容器10。此外，區隔構件202係設在聚焦環101的側面或底面位置。就區隔構件201、202的設置方法而言，舉出螺固或黏接於區隔構件201、202所相鄰接的構件、將隔構件201、202平放等方法。
本實施形態之中，區隔構件201、202配置在聚焦環101的外周側，且在比晶圓W的頂面更下游側並比緩衝板108更上游側之任一位置，分開成可獲得以二片區隔構件201、202將通過後述區域B的氣體加以擠壓的效果之程度的距離(以下稱作「預定距離」)而配置。
本實施形態之中，區隔構件201相對於區隔構件202而位在外側。區隔構件202係與區隔構件201設出預定間隔而位在下游側，並相對於區隔構件201自內側向水平方向伸長，且延伸至一部份與區隔構件201相向的位置為止。意即，區隔構件201與區隔構件202係以俯視中一部份交疊的方式配置。緩衝板108位在區隔構件201、202的下游側。
區隔構件201與區隔構件202之配置位置亦可相反。意即，區隔構件201亦可相對於區隔構件202而位在內側，並配置在比晶圓W的頂面更下游側且比區隔構件202更上游側。即使於此情況，區隔構件201、202亦宜彼此伸長至俯視中一部份交疊的位置為止。
依據此構成，反應容器10的上下空間藉由區隔構件201、202而受到區隔。意即，本實施形態之電漿處理裝置1之中，反應容器10的內部藉由區隔構件201與區隔構件202而區隔成：晶圓W及載置台20的頂面與上部電極25的下表面（頂棚面）之間的空間；以及反應容器10的底面側的排氣空間。以下，將晶圓W及載置台20的頂面與上部電極25的下表面（頂棚面）之間的空間稱作「區域A」。以下，將藉由區隔構件201與區隔構件202而區隔的空間稱作「區域B」。區域A及區域B係產生電漿的空間。此外，以下將比緩衝板108所區分之排氣道62的緩衝板108更上方的空間、且係以區隔構件202而與區域B加以區隔的排氣空間稱作「排氣區域Ex」。
反應容器10的內壁之中與區域A相接的部分，係可汽化材料所形成。具體而言，與區域A相接之反應容器10的頂棚面係以由矽板形成之可汽化材料100覆蓋。可汽化材料100係以與上部電極25的下表面接觸的狀態而固定在上部電極25。
此外，從比反應容器10的區隔構件201的頂面更上方的壁面至矽板100的外周部為止，係由石英的可汽化材料109覆蓋。能如上所述地將產生電漿的區域A的周邊以不會成為微粒的材料之可汽化材料100、109覆蓋，藉以防止微粒生成在區域A的內部。
本實施形態之中，反應容器10的側壁102之中與區域B及排氣區域Ex相接的部分，係由含有釔（Y）的熔射膜107覆蓋。此外，載置台20的側壁之中與排氣區域Ex相接的部分亦由含有釔的熔射膜107覆蓋。具體而言，在比緩衝板108更上方且比區隔構件201更下方的區域，形成氧化釔（Y2 O3 ）或氟化釔（YF）的熔射膜107。藉由在此等區域形成出含有高抗電漿性之釔的熔射膜107，而提昇反應容器10的壁面之電漿抗性，且將微粒之生成抑制為最小限度。另外，本實施形態之中使用釔的熔射膜107，但該熔射膜亦可係含有氧化鋁膜、氧化铪膜等氧化金屬之材質形成的覆膜。
本實施形態之中，顯示有二片區隔構件201、202從互為不同的方向往水平方向空出預定的間隔而伸長且上下配置之範例，但不限於此。例如，亦可配置有三片或是其之上的片數的區隔構件。多片區隔構件宜交互配置成使由各區隔構件區隔出的內部空間蜿蜒。
多個區隔構件的配置亦可係上述配置以外，但區隔構件201或區隔構件202宜以抑制存在於區域B的微粒之反彈進入區域A的方式，而配置成一部分交疊。
如圖2之左圖所示，當電漿的粒子Q（離子等）撞擊反應容器10的內壁面，則由於其物理撞擊力而使得內壁表面的物質剝離，成為微粒R而飛抵至反應容器10的內部。因為物質係從含有釔的熔射膜107飛出，所以圖2之左圖的微粒R含有釔。
如圖2之左圖所示，微粒R飛抵之際所朝的方向係受到反應容器10內的氣體向下之流動、重力之影響而變化。此外，如圖2之右圖所示，朝區域A的方向之微粒R由於區隔構件201或區隔構件202而回彈。藉此，存在於區域B的微粒R能不飛散至區域A。於是，存在於區域B的微粒R通過排氣區域Ex而排氣至反應容器10的外部。
〔效果例〕 圖3係顯示飛抵至晶圓W上的微粒之中的Y成分，其為使用本實施形態之設有二片區隔構件201、202的電漿處理裝置、及未設有區隔構件的而執行電漿處理的結果。依此結果，使用設有二片區隔構件201、202之電漿處理裝置1而執行電漿處理的結果為飛抵至晶圓W上的微粒之中Y的污染（contamination）係「8.2×1010 （atoms/cm2 ）」。
相對於此，使用在未設有區隔構件以外皆與電漿處理裝置1相同構成之電漿處理裝置而執行電漿處理的結果為飛抵至晶圓W上的微粒之中Y的污染係「57×1010 （atoms/cm2 ）」。由此結果，設有二片區隔構件201、202的電漿處理裝置1，與未設有區隔構件的電漿處理裝置相較，能將微粒之中Y的污染數降低至1／7。
區域A係以可汽化材料100、109覆蓋，若考慮區域A不生成微粒，則上述結果即存在於晶圓W之Y的污染「8.2×1010 （atoms/cm2 ）」，應為自排氣區域Ex飛抵者。因此，本實施形態之電漿處理裝置1以提昇藉由區隔構件201、202而切斷從反應容器10的壁面產生之微粒飛抵至晶圓W的路徑之效果的方式配置區隔構件201、202。
圖4（a）顯示區域B及排氣區域Ex內之移動速度的一範例而作為區隔構件201、202所成之效果。圖4（b）顯示無區隔構件201、202之情況下相當於區域B及排氣區域Ex之區域內的移動速度。如同前述，從反應容器10的壁面剝離的微粒抵抗重力、氣體的流動而飛抵至晶圓W上。因此，如圖4（a）所示，能利用將在藉由設置區隔構件201、202而擠壓之區域B中的粒子移動速度定為在排氣區域Ex出現的移動速度V0的1.5倍～2倍，而減少飛抵至晶圓W上之微粒的數量。
另外，如圖4（b）所示，無區隔構件201、202的情況下，相當於區域B之區域中粒子的移動速度，係相當於排氣區域Ex之區域出現之移動速度V0的1.2倍。由此結果，吾人得知有區隔構件201、202的情況下能有效抑制微粒飛抵至晶圓W上。
本實施形態之電漿處理裝置1之中，處理晶圓W中微粒影響最大的區域A係以矽、石英等可汽化材料100、109覆蓋而防止微粒的生成。另一方面，區域B及排氣區域Ex由於成本、後述問題等而不使用矽、石英等，而以含有釔的熔射膜107或含有氧化鋁膜、氧化铪膜等氧化金屬的材質覆蓋，提昇耐電漿性並將微粒的生成降至最小限度。
再者，如同以上說明，能利用在區域A與排氣區域Ex之間設置區隔構件201、202而形成區域B的空間。藉此，與以往電漿處理裝置相較而能防止微粒之中尤其是區域B內之釔的微粒所造成之區域A的汚染。
近來，基板的細微加工與時俱進，例如形成10nm以下圖案的製程之中，就連至今不成問題之0.035μm左右的細微微粒亦對良率造成影響。因此，為了施行形成10nm以下圖案的製程，針對至今不成問題之微小微粒亦須要對策。尤其，釔等金屬由於使配線間短路等理由而對良率造成不良影響。於此，本實施形態能將應容器10的內壁之中的區域A以可汽化材料100、109覆蓋，並在區域B設置區隔構件201、202，藉以於對載置台20所載置之晶圓W進行電漿處理之際，將飛抵至晶圓W上的微粒數量減少至極少數量。
〔AC比所成之效果〕 本實施形態以使陽極／陰極比（以下稱作「AC比」）成為預定値範圍的方式選定區隔構件201、202的材質，達成更進一步之微粒的降低。
加大 AC比即可防止板壁的損傷。AC比顯示陽極電極及陰極電極間的非對稱性，陽極側電壓Va（射頻電壓）及陰極側電壓Vc（射頻電壓）係由陽極側電容Ca及陰極側電容Cc而電容性分配。具體而言，陽極側電壓Va與陰極側電壓Vc之比係如下式（1）所示。
AC比＝Ca／Cc＝Vc／Va・・・（1） AC比係陽極側相對於陰極側電容Cc而言之電容Ca，且能以陽極側相對於陰極側面積而言之面積而表示。因此，若加大陽極側相對於陰極側的面積而言之面積，使AC比增大，則能壓低陽極側電壓Va，減少朝往陽極側的反應容器10的壁面之濺射力，降低釔微粒之生成。
圖5係將針對所產生之電漿的陽極側電容Ca與陰極側電容Cc加以顯示的等效電路。陰極側電容Cc係在載置台20生成的電容C陶瓷 與其表面的鞘層電容Csheath1 之合計。
陽極側電容Ca係下者之合計：在上部電極25生成之電容C氧化鋁膜 、矽的可汽化材料100之表面的鞘層電容Csheath2 ；在石英的可汽化材料109生成之電容C石英 ；可汽化材料100的表面的鞘層電容Csheath3 ；在含有釔的熔射膜107生成之電容CY 熔射 ；熔射膜107的表面的鞘層電容Csheath4 ；在區隔構件201、202生成之電容C氧化鋁膜 ；以及區隔構件201、202的表面的鞘層電容Csheath5 。
如上所述，本實施形態藉由將形成出接地面之區隔構件201、202加以設置，而於陽極側電容增加在區隔構件201、202生成之電容C氧化鋁膜 、區隔構件201、202的鞘層電容Csheath5 。能藉此增大AC比。於是，能有效地壓低陽極側鞘層電壓、減少濺射力、降低釔微粒之生成。
如同以上說明，本實施形態之電漿處理裝置1藉由在比載置台20所載置之晶圓W的表面的高度更上側（區域A）使用不會成為微粒的可汽化材料100、109，而防止微粒之生成及擴散。
另一方面，在比載置台20所載置之晶圓W的表面的高度更下側，使用含有釔的熔射膜107作為價格較可汽化材料100、109便宜的材料。除此之外，以微粒不擴散至晶圓W的頂面之方式配置區隔構件201、202。藉此，能將防止微粒之擴散及成本之降低加以達成。
再者，本實施形態之電漿處理裝置1之中，能藉由將導體的矽用於區隔構件201、202而增大AC比，且能使電漿穩定。
〔區隔構件的材質與AC比〕 使用矽等導體於區隔構件201、202的情況與石英等絕緣體相較，有成本上之疑慮。另一方面，若將反應容器10的壁面以石英覆蓋至緩衝板108的周邊為止，則AC比減小。當AC比減小，則離子朝往陰極側所載置之晶圓W之撞入變少、電漿不易引燃。因此，宜利用於頂棚部使用矽的可汽化材料100，且於側壁使用石英的可汽化材料109，而壓低製造成本並且增大AC比。
藉由增大AC比，朝往陰極側所載置之晶圓W之離子的撞入變多。此外，電漿容易引燃。再者，能利用離子朝往陽極側的壁面等之撞入變少，而進一步減少微粒之生成。尤其，能利用抑制釔微粒之生成而防止反應容器10內之金屬汚染，增進10nm以下製程的良率。
在能得到如此效果的電漿處理裝置1之中，吾人檢視將區隔構件201、202的材質變更為矽或石英之情況下，AC比如何變化。其結果示於圖6。以下，含有釔的熔射膜107亦能由含有氧化鋁膜、氧化铪膜等氧化金屬之材質而形成。
圖6之模式1，係無區隔構件、且對應於本實施形態的區域B及排氣區域Ex之部分以含有釔的熔射膜107覆蓋的模式。圖6之模式2，係將無區隔構件、且對應於本實施形態的區域B及排氣區域Ex之部分以石英的可汽化材料109覆蓋的模式。
圖6之模式3係本實施形態的模式。意即，係具有區隔構件201、202、且將區域B及排氣區域Ex之部分以含有釔的熔射膜107覆蓋的模式。區隔構件201、202係以矽形成。
圖6之模式4係與本實施形態之模式類似的模式。意即，係具有區隔構件201、203、且將區域B及排氣區域Ex之部分以含有釔的熔射膜107覆蓋的模式。上部的區隔構件201係以矽、下部的區隔構件203係以石英形成。
圖6之模式5係與模式4類似的模式。意即，係具有區隔構件203、204、且將區域B及排氣區域Ex之部分以含有釔的熔射膜107覆蓋的模式。上部、下部的區隔構件203，204係一同以石英形成。
依據上述，模式1之AC比係「4.9」、模式2之AC比係「4.0」、模式3之AC比係「7.6」、模式4之AC比係「6.5」、模式5之AC比係「4.8」。於是，吾人得知，當使用矽於區隔構件，則AC比增大，且釔微粒能最為降低。此外，吾人亦得知，區隔構件之一者係以矽、另一者係以石英形成的情況與區隔構件之兩者皆以矽形成的情況相比而AC比為低，但與模式1、2、5相較而AC比增大，能降低釔的微粒。
如同以上說明，依據本實施形態之電漿處理裝置1，能藉由以矽等形成之區隔構件201、202使電漿穩定，並且防止微粒擴散至載置台20所載置之晶圓W的表面的高度以上。
尤其，依據本實施形態之電漿處理裝置1，能將釔微粒降地至以往1／7左右。藉此，即使針對釔微粒，亦能為防止良率降低的對策。
另外，吾人已以PQ特性比較之結果確認本實施形態之電漿處理裝置1能在未設有區隔構件201、202之電漿處理裝置之中所使用之壓力區域進行電漿處理。
以上，已藉由上述實施形態說明電漿處理裝置，本發明之電漿處理裝置不限定於上述實施形態，可以在本發明之範圍內施行各種變形及改良。上述多個實施形態所記載之事項能在不矛盾的範圍組合。
例如，本發明之電漿處理裝置不僅可應用於電容耦合型電漿（CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可應用於其它電漿處理裝置。就其它的電漿處理裝置而言，例舉感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、使用輻射線槽孔天線（RSLA：Radial Line Slot Antenna）之CVＤ(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)裝置、螺旋波激發型電漿（HWP：Helicon Wave Plasma）裝置、電子迴旋共振電漿（ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma）裝置等。
此外，藉由本發明之電漿處理裝置而處理之基板不限於晶圓，舉例而言，亦可係平板顯示器（Flat Panel Display)用的大型基板、EL（電致發光）元件或太陽能電池用基板。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧反應容器
20‧‧‧載置台（下部電極）
25‧‧‧上部電極
32‧‧‧第一射頻電源
33‧‧‧第一阻抗匹配器
34‧‧‧第二阻抗匹配器
35‧‧‧第二射頻電源
40‧‧‧屏蔽環
45‧‧‧氣體導入口
50a、50b‧‧‧氣體擴散室
55‧‧‧氣體供給口
60‧‧‧排氣管
61‧‧‧排氣口
62‧‧‧排氣道
65‧‧‧排氣裝置
85‧‧‧傳熱氣體供給源
100、109‧‧‧可汽化材料
101‧‧‧聚焦環
102‧‧‧側壁
103‧‧‧固持構件
104‧‧‧支持體
104a‧‧‧冷媒流道
105‧‧‧支持構件
106‧‧‧靜電夾盤
106a‧‧‧電極（夾盤電極）
106b‧‧‧絕緣體
107‧‧‧釔的熔射膜
108‧‧‧緩衝板
112‧‧‧直流電壓源
130‧‧‧氣體供給管
201、202‧‧‧區隔構件（矽）
203、204‧‧‧區隔構件（石英）
1010‧‧‧反應容器
A‧‧‧產生電漿的區域
B‧‧‧產生電漿的區域
Ex‧‧‧排氣區域
G‧‧‧閘閥
R‧‧‧微粒
Q‧‧‧粒子
V0‧‧‧移動速度
W‧‧‧晶圓
圖1顯示一實施形態之電漿處理裝置的縱剖面。 圖2顯示一實施形態之區隔構件與微粒的飛抵之關係。 圖3顯示具有一實施形態之區隔構件的情況下之微粒數量的一範例。 圖4（a）、（b）顯示有無一實施形態之區隔構件的情況下之移動速度的一範例。 圖5係顯示一實施形態之電漿處理裝置的內部之等效電路的一範例。 圖6係顯示一實施形態之區隔構件的模式與AC（陽／陰）比。
無。
10‧‧‧反應容器
60‧‧‧排氣管
101‧‧‧聚焦環
102‧‧‧側壁
107‧‧‧釔的熔射膜
108‧‧‧緩衝板
109‧‧‧可汽化材料
201、202‧‧‧區隔構件(矽)
R‧‧‧微粒
Q‧‧‧粒子
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種電漿處理裝置，將氣體導入至進行電漿處理之反應容器的內部，且對該反應容器施加電磁波能量而自該氣體產生電漿，並對基板進行電漿處理， 該反應容器的內部具有將基板加以載置的載置台， 該反應容器形成有：產生電漿的區域A；排氣區域Ex；以及產生電漿的區域B，係該區域A與該排氣區域Ex之間的區域； 且該反應容器的內壁之中與該區域A鄰接的部分係以可汽化材料形成， 並以該區域B內的粒子與該區域A內的粒子相較而移動速度增快的方式，在比該載置台的基板的表面更下游側將可汽化材料所形成之多片區隔構件配置成區隔該區域A與該區域B，使存在於該區域B的微粒不飛散至該區域A。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之電漿處理裝置，其中， 該區域B的粒子的移動速度係該區域A的粒子的移動速度之1.5倍～2倍。
  3. 如申請專利範圍第1或2項記載之電漿處理裝置，其中， 該多片區隔構件係配置在下述位置：防止存在於該區域B的微粒反彈進入該區域A之位置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項記載之電漿處理裝置，其中， 該多片區隔構件係二片平板， 該多片區隔構件皆以絕緣性材質構成、或皆以導電性材質構成、或一者係以絕緣性材質而另一者係以導電性材質構成。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之電漿處理裝置，其中， 以該陽極／陰極（AC）比係在預定範圍以內的方式配置。
  6. 如申請專利範圍第1或2項記載之電漿處理裝置，其中， 該區域B係以含有釔的材料覆蓋。
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