TW201619689A

TW201619689A - 光罩及其形成方法以及使用該光罩製造電子裝置和顯示裝置的方法

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Publication number: TW201619689A
Application number: TW104130853A
Authority: TW
Inventors: 張日容; 高炯浩; 尹珍相
Original assignee: 三星電子股份有限公司
Priority date: 2014-10-20
Filing date: 2015-09-18
Publication date: 2016-06-01
Also published as: TWI687758B; KR20160046273A

Abstract

一種相移遮罩，包括：基板；位於基板上的第二相移圖案，第二相移圖案延伸至基板的最外周邊，第二相移圖案是由對第一波長的光具有半透射性的材料形成，且基板對第一波長的光來說實質上為透明的，以使遮罩在第二相移圖案處透射2%至10%的第一波長的光；以及位於基板上的第一相移圖案，第二相移圖案安置於基板的最外周邊與第一相移圖案之間。

Description

光罩及其形成方法以及使用該光罩製造電子裝置和顯示裝置的方法

本發明是有關於一種光罩、一種製造所述光罩的方法、一種使用所述光罩製造電子裝置的方法以及一種製造顯示裝置的方法。

近年來，在高解析度顯示裝置的開發中，在薄膜電晶體液晶顯示器（thin-film transistor liquid crystal display，TFT LCD）製造中的畫素電晶體的線寬逐漸減小。

各實施例是有關於一種相移遮罩，包括：基板；位於所述基板上的第二相移圖案，所述第二相移圖案延伸至所述基板的最外周邊，所述第二相移圖案是由對第一波長的光具有半透射性的材料形成，且所述基板對所述第一波長的光來說實質上為透明的，以使所述遮罩在所述第二相移圖案處透射約2%至約10%的所述第一波長的光；以及位於所述基板上的第一相移圖案，所述第二相移圖案安置於所述基板的所述最外周邊與所述第一相移圖案之間。

所述第二相移圖案中可具有開口，所述開口對應至對準鍵。

所述相移遮罩的整個區域對於所述第一波長的光的最小透射率可為約2%。

所述相移遮罩可不包括不透明區域。

各實施例亦是有關於一種製造單位基板的方法，所述方法包括：提供母基板，所述母基板具有足以提供至少兩個單位基板的大小；使相移遮罩對準所述母基板的第一位置；經由與所述第一位置對準的所述相移遮罩照射所述母基板的第一區；使所述相移遮罩對準所述母基板的第二位置，以使所述相移遮罩與所述被照射的第一區的子區重疊；以及經由與所述第二位置對準的所述相移遮罩照射所述母基板的第二區，以使所述子區被照射第二次。

所述相移遮罩可包括：基板；位於所述基板上的第二相移圖案，所述第二相移圖案延伸至所述基板的最外周邊，所述第二相移圖案是由對第一波長的光具有半透射性的材料形成，且所述基板對所述第一波長的光來說實質上為透明的，以使所述遮罩在所述第二相移圖案處透射約2%至約10%的所述第一波長的光；以及位於所述基板上的第一相移圖案，所述第二相移圖案安置於所述基板的所述最外周邊與所述相移圖案之間，在經由所述第一相移圖案照射所述第一波長的光時，所述第一相移圖案會引起干涉。

所述相移遮罩可包括：基板；以及位於所述基板上的相移層，其中所述相移遮罩的邊緣部分是半透明區。

可經由所述相移遮罩的所述半透明區照射所述子區。

所述半透明區中可具有開口，所述開口對應至對準鍵。

在所述子區中可形成有與所述開口對應的對準鍵。

所述母基板可為矽晶圓或母顯示面板基板。

所述方法可更包括：在照射所述第二區之後，將所述母基板分離成至少兩個單位基板，其中所述子區處於相鄰的單位基板之間的道（lane）中。

各實施例亦是有關於一種根據實施例的方法製成的半導體裝置。

各實施例亦是有關於一種根據實施例的方法製成的顯示面板。

各實施例亦是有關於一種相移遮罩，包括：基板；以及位於所述基板上的相移層，其中所述相移遮罩的邊緣部分是半透明區。

所述半透明區可透射約2%至10%的光。

所述相移層可包含氧化鉻或矽化鉬中的一或多者。

所述相移遮罩在所述邊緣部分可不包括不透明層，所述邊緣部分是所述相移遮罩的外邊緣。

所述相移遮罩可包括主圖案區，所述主圖案區具有與所述半透明區實質上相同的厚度。

所述半透明區可安置於所述主圖案區與所述相移遮罩的最外邊緣之間。

各實施例亦是有關於一種光罩，包括：透明基板；主圖案區，形成於所述透明基板的中心部分上；以及半透明邊緣區，在所述透明基板上自所述主圖案區的外側部分延伸至所述透明基板的外側部分。

所述主圖案區可包括至少一個包括第一相移圖案的主圖案，且所述半透明邊緣區可包括自所述主圖案區的外側部分延伸至所述透明基板的外側部分的第二相移圖案。

所述第二相移圖案可具有底面及暴露的頂面，所述底面接觸所述透明基板。

所述第一相移圖案與所述第二相移圖案可由相同的材料形成。

所述第一相移圖案可與所述第二相移圖案具有相同的厚度。

所述第一相移圖案可與所述第二相移圖案具有相同的光透射率。

所述第一相移圖案及所述第二相移圖案中的每一者可對用於對所述光罩進行曝光的曝光光具有約2%至約10%的光透射率。

所述第一相移圖案及所述第二相移圖案中的每一者可對用於對所述光罩進行曝光的曝光光具有180±5°相移量。

所述第一相移圖案及所述第二相移圖案中的每一者可由鉻（Cr）化合物、矽（Si）化合物、金屬矽化物或上述之組合形成。

所述第一相移圖案可包括將進行圖案轉移至形成所述電子裝置的基板的裝置形成區上的圖案，此圖案用於光刻製程來形成電子裝置，且所述第二相移圖案可包括至少一個用於將對準鍵轉移至形成電子裝置用的基板的裝置形成區以外的區上的輔助圖案，所述對準鍵用於執行光刻製程。

各實施例亦是有關於一種光罩，包括：主圖案區，形成於透明基板的中心部分中並包括至少一個主圖案；及半透明邊緣區，自所述主圖案區的外側部分延伸至所述透明基板的外側部分。所述半透明邊緣區可具有雙層結構，所述雙層結構包括所述透明基板的邊緣部分及形成於所述邊緣部分上的半透明層。

所述至少一個主圖案可由與所述半透明層相同的材料形成。

所述至少一個主圖案可包括第一相移圖案，所述半透明層可包括第二相移圖案，且所述第一相移圖案及所述第二相移圖案中的每一者可對於用於對所述光罩進行曝光的曝光光具有約2%至約10%的光透射率。

所述第一相移圖案可與所述第二相移圖案具有相同的厚度。

各實施例亦是有關於一種製造光罩的方法，所述方法包括：在透明基板上形成相移層以覆蓋所述透明基板的中心部分及所述透明基板的環繞所述中心部分的邊緣部分；在所述相移層上形成遮罩圖案；使用所述遮罩圖案作為蝕刻遮罩來蝕刻所述相移層，以形成至少一個主圖案及半透明圖案，其中所述至少一個主圖案包括保留於所述中心部分上的所述相移層的第一部分，且所述半透明圖案包括保留於所述邊緣部分上的所述相移層的第二部分；以及移除所述遮罩圖案以暴露出所述至少一個主圖案的頂面及所述半透明圖案的頂面。

所述相移層可包括對於用於對所述光罩進行曝光的曝光光具有約2%至約10%的光透射率的層。

所述相移層可被形成為在所述中心部分與所述邊緣部分二者上具有相同的厚度。

各實施例亦是有關於一種製造電子裝置的方法，所述方法包括：製備包括透明基板、主圖案區及半透明邊緣區的光罩，其中所述主圖案區形成於所述透明基板的中心部分上且包括至少一個主圖案，且所述半透明區自所述主圖案區的外側部分延伸至所述透明基板的外側部分；在包括多個裝置區及界定所述多個裝置區的周邊區的工件上形成光阻劑層；以及在曝光系統中在對上面形成有所述光阻劑層的所述工件進行多次曝光的同時使用所述光罩對所述周邊區的至少一部分進行重複曝光。

對所述工件進行多次曝光可包括：經由所述光罩的所述主圖案區對所述多個裝置區的第一裝置區進行曝光，以將所述至少一個主圖案轉移至形成於所述第一裝置區上的所述光阻劑層，且同時，經由所述光罩的所述半透明邊緣區對形成於所述第一裝置區周圍的所述周邊區的第一周邊區進行第一次曝光；以及經由所述光罩的所述主圖案區對鄰近所述第一裝置區形成的所述多個裝置區中的第二裝置區進行曝光，以將所述至少一個主圖案轉移至形成於所述第二裝置區上的光阻劑層，且同時，經由所述光罩的所述半透明邊緣區對夾置於所述第一裝置區與所述第二裝置區之間的所述第一周邊區的第一局部區進行第二次曝光。

所述第一周邊區的第一次曝光可包括將對準鍵的影像轉移至所述第一周邊區。

所述第一局部區的第二次曝光可包括將所述對準鍵的影像轉移至所述第一局部區。

所述方法可更包括：在所述第一局部區的第二次曝光之後，經由所述光罩的主圖案區對鄰近所述第二裝置區的所述多個裝置區中的第三裝置區進行曝光，以將所述至少一個主圖案轉移至形成於所述第三裝置區上的所述光阻劑層，且同時，經由所述光罩的所述半透明邊緣區對作為所述第一局部區的一部分的第二局部區進行第三次曝光。

所述方法可更包括：在所述第二局部區的第三次曝光之後，經由所述光罩的所述主圖案區對鄰近所述第三裝置區形成的所述多個裝置區中的第四裝置區進行曝光，以將所述至少一個主圖案轉移至形成於所述第四裝置區上的所述光阻劑層，且同時，經由所述光罩的所述半透明邊緣區對所述第二局部區進行第四次曝光。

所述第一周邊區的第一次曝光、所述第一局部區的第二次曝光及所述第二局部區的第三次曝光中的至少一者可包括將對準鍵的影像轉移至所述第一周邊區，且在所述第二局部區的第四次曝光中，所述第二局部區可包括在執行所述第二局部區的第四次曝光之前所述對準鍵的影像所被轉移到其上的區。

所述光罩的所述半透明邊緣區可包括用於形成對準鍵的輔助圖案，且所述方法可更包括：對被曝光的光阻劑層進行顯影，以在對所述工件進行所述多次曝光之後在所述多個裝置區的每一者中形成與所述至少一個主圖案對應的圖案，且在所述周邊區中形成至少一個對準鍵。

對所述工件進行的所述多次曝光可利用光源執行，且所述半透明邊緣區可包括相移圖案，所述相移圖案對於由所述光源發出的曝光光具有約2%至約10%的光透射率。

各實施例亦是有關於一種製造顯示裝置的方法，所述方法包括：製備包括透明基板、主圖案區及半透明區的光罩，其中所述主圖案區形成於所述透明基板的中心部分上且包括至少一個主圖案，且所述半透明區自所述主圖案區的外側部分延伸至所述透明基板的外側部分；製備包括多個裝置區及多個對準鍵區的面板，其中所述多個裝置區彼此分隔開，且所述多個對準鍵區分別形成於所述多個裝置區周圍；在所述面板上形成光阻劑層，以覆蓋所述多個裝置區及所述多個對準鍵區；並在曝光系統中在對被所述光阻劑層覆蓋的所述多個裝置區及所述多個對準鍵區進行依序曝光的同時，使用所述光罩對所述多個對準鍵區的至少一部分進行重複曝光。

對所述多個裝置區及所述多個對準鍵區的依序曝光可包括第一曝光操作及第二曝光操作，所述第一曝光操作經由所述主圖案區對選自所述多個裝置區中的第一裝置區進行曝光，且同時，經由所述半透明邊緣區對選自所述多個對準鍵區的第一對準鍵區進行曝光，所述第二曝光操作經由所述主圖案區對選自所述多個裝置區中且與所述第一裝置區相鄰的第二裝置區進行曝光，且同時，經由所述半透明邊緣區對選自所述第一對準鍵區的第一局部區進行曝光。

對所述多個裝置區及所述多個對準鍵區的依序曝光可更包括第三曝光操作，所述第三曝光操作經由所述主圖案區對選自所述多個裝置區中且與所述第一裝置區及所述第二裝置區中的任一者相鄰的第三裝置區進行曝光，且同時，經由所述半透明邊緣區對選自所述第一局部區的第二局部區進行曝光。

所述半透明邊緣區可包括相移圖案，所述相移圖案對於由光源發出的曝光光具有約2%至約10%的光透射率。

所述光罩的半透明邊緣區可包括用於形成對準鍵的至少一個輔助圖案，且所述方法可更包括在對所述多個裝置區及所述多個對準鍵區進行依序曝光之後對被曝光的光阻劑層進行顯影，以在所述多個裝置區的每一者中形成對應至所述至少一個主圖案的圖案並在所述多個對準鍵區中形成至少一個對準鍵。

所述至少一個主圖案可具有的最小特徵尺寸（feature size）為第一尺寸，且所述至少一個輔助圖案可具有的最小特徵尺寸為所述第一尺寸的約10倍至約300倍。

對所述多個裝置區及所述多個對準鍵區的依序曝光可利用由i線（i-line）（365奈米）、g線（g-line）（436奈米）、h線（h-line）（405奈米）或上述之組合發出的合成光來執行。

對所述多個裝置區及所述多個對準鍵區的依序曝光可利用KrF準分子雷射（248奈米）或ArF準分子雷射（193奈米）來執行。

以下將參照附圖更全面地闡述示例性實施例；然而，所述示例性實施例可被實施為不同形式而不應被視為僅限於本文所述的實施例。而是，提供該些實施例是為了使本揭露內容透徹及完整，且將向熟習此項技術者全面傳達示例性實施方式。

在附圖中，為清楚起見，可能會誇大各層及各區的尺寸。通篇中相似的參考編號指代相似的元件。

本文中所用用語「及/或」包括列出的相關項目中一或多者的任意及所有組合。當「中的至少一者」這類型的敘述方式位於一系列元件之前時，是修飾整個系列的元件而非僅修飾所述系列中的各別元件。

應理解，儘管本文可能使用用語「第一（first）」、「第二（second）」等來闡述各種元件、組件、區、層及/或區段，該些元件、組件、區、層及/或區段不應受該些用語限制。該些用語僅用於區分各個元件、組件、區、層或區段。因此，在不背離本發明的教示內容的條件下，下文所述的第一元件、組件、區、層或區段亦可被稱為第二元件、組件、區、層或區段。

除非另外定義，否則本文所用的全部術語（包括技術及科學術語）的意義均與本發明概念所屬技術領域中的通常知識者所通常理解的意義相同。更應理解，所述術語（例如在常用字典中所定義的術語）應被解釋為其在相關技術背景中所具有的相同意義，且除非本文中有明確地定義，不應將其解釋為具有理想化或過於正式的意義。

在某些實施例可被實施為其他形式時，本文所述的各自個製程步驟可被實施為其他形式。舉例而言，依序產生的兩個製程步驟可實質上同時執行或以相反次序執行。

像是因製造技術及/或容差等因素，而得到與圖示中的形狀不盡相同的結果，是可以預期的。因此，實施例不應被視為僅限於本文所示的特定區塊的形狀，而更應包括像是因製造過程而造成的形狀偏差。本文所用用語「及/或」包括所列的相關項目中一或多者的任意及所有組合。

圖1A所繪示的為示例性實施例中的光罩100的正面平面圖，圖1B是沿圖1A的線B-B’截取而得的剖面圖。

參照圖1A及圖1B，光罩100可包括：透明基板102；主圖案區(main pattern region，MPR)，形成於透明基板102的中心部分(central portion，CP)上；以及半透明邊緣區(semi-transparent edge region，STE)，形成於透明基板102上並自主圖案區MPR的外側部分延伸至透明基板102的外側部分。

光罩100可以是單層相移遮罩（single-layer phase shift mask，SL-PSM）的形式，其中只有相移圖案120形成於透明基板102上。

至少一個主圖案(main pattern，MP)可形成於主圖案區MPR上，所述至少一個主圖案MP包括作為相移圖案120的一部分的第一相移圖案122。

第二相移圖案124可形成於半透明邊緣區STE中，第二相移圖案124是相移圖案120的另一部分。第二相移圖案124可在半透明邊緣區STE中自主圖案區MPR的外側部分延伸至透明基板102的外側部分。

第一相移圖案122及第二相移圖案124中的每一者可具有與透明基板102接觸的底面。

在光罩100中，半透明邊緣區STE可具有雙重結構，所述雙重結構可僅包括透明基板102的邊緣部分(edge portion，EP)及形成於透明基板102的邊緣部分EP上且為半透明層的第二相移圖案124。半透明邊緣區STE可不包括遮光層，而是僅包括透明基板102及第二相移圖案124。第二相移圖案124可具有暴露於透明基板102的相對側上的頂面124T。

在某些實施例中，透明基板102可由石英、玻璃、或塑膠形成。塑膠可為聚醯亞胺（polyimide, PI）、聚醯胺（polyamide，PA）、液晶（liquid crystal，LC）聚芳酯、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚醚醚酮（polyether ether ketone，PEEK）、聚醚碸（polyether sulfone，PES）、聚醚腈（polyether nitrile，PEN）、聚酯、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、聚碸、或聚醚醯亞胺（polyetherimide，PEI）。

第一相移圖案122與第二相移圖案124可由相同的材料形成。第一相移圖案122及第二相移圖案124中的每一者可由鉻（Cr）化合物、矽（Si）化合物、金屬矽化物或其組合形成。Cr化合物可為選自以下群組中的一者：氧化鉻、氮化鉻、碳化鉻、氮氧化鉻、及氮氧化碳化鉻。矽化合物可為選自以下群組中的一者：氧化矽及旋塗玻璃（spin on glass，SOG）。金屬矽化物可包括選自鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、鈮（Nb）、釩（V）、鎢（W）、鈷（Co）、鉻（Cr）、及鎳中的至少一種金屬、矽（Si）及選自氧（O）及氮（N）中的至少一種元素。在某些實施例中，金屬矽化物可為選自TaSi、MoSi、WSi、其氮化物及其氮氧化物中的一者。

在某些實施例中，第一相移圖案122及第二相移圖案124中的每一者可由MoSiN、MoSiCN、MoSiON、MoSiCON、TaON、TiON或上述之組合形成。

第一相移圖案122的厚度TH1可等於第二相移圖案124的厚度TH2。

第一相移圖案122可與第二相移圖案124具有相同的光透射率。在某些實施例中，第一相移圖案122與第二相移圖案124可具有相同的光透射率，相對於用於將光罩100曝光的曝光光，所述光透射率選自約為2%至10%的範圍內。舉例而言，第一相移圖案122及第二相移圖案124中的每一者可對於i線（365奈米）具有約2%至約10%的光透射率。

在某些實施例中，當藉由使用光罩100執行曝光製程來製造顯示裝置時，可經由上面形成有第二相移圖案124的半透明邊緣區STE對用於製造顯示裝置的母基板的部分區（例如切割區）重複執行曝光製程。舉例而言，切割區可為其中形成有輔助圖案（例如對準鍵或測試圖案）的區，所述輔助圖案具有低的積體密度及相對寬的線寬。即使經由上面形成有第二相移圖案124的半透明邊緣區STE對切割區重複曝光二至四次，由於第二相移圖案124對於曝光光具有相對低的光透射率（所述光透射率是在約2%至約10%範圍內選擇），因而在切割區中形成的輔助圖案（例如對準鍵）的形成也不會受到不利影響。

第一相移圖案122及第二相移圖案124中的每一者對於用於對光罩100進行曝光的曝光光來說，可具有約180±5°的相移量。

光罩100可在製造各種微電子裝置的光刻製程中使用。在某些實施例中，光罩100可用以製造高積體度記憶體裝置（例如，顯示裝置、動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM）、靜態隨機存取記憶體（static RAM，SRAM）、及快閃記憶體裝置）、處理器（例如中央處理單元（central processing unit，CPU）、數位訊號處理器（digital signal processor，DSP）及CPU與DSP的組合）、微電子裝置（例如應用專用積體電路（application specific integrated circuit，ASIC）、微機電系統（micro-electro-mechanical-systems，MEMS）裝置及光電裝置）。

形成於光罩100的主圖案區MPR中的所述至少一個主圖案MP可為用於將使用光刻製程形成電子裝置時所需的圖案轉移至用於形成所述電子裝置的基板的裝置形成區的圖案。在某些實施例中，所述至少一個主圖案MP可包括用於形成上述各種微電子裝置的畫素區、裝置區、晶片區或胞元區的圖案。

圖2A及圖2B所繪示的為其他示例性實施例中的光罩200的圖。圖2A所繪示的為其他示例性實施例中的光罩200的平面圖，且圖2B所繪示的為沿圖2A的線B-B¢截取的剖視圖。在圖2A及圖2B中，使用與圖1A及圖1B中相同的參考編號來表示相同的元件，且不再對其予以贅述。

參照圖2A及圖2B，至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3可形成於光罩200的半透明邊緣區STE上。所述至少一個輔助圖案可以是開口型圖案，在形成於半透明邊緣區STE中的第二相移圖案124中形成，以暴露出透明基板120。

當使用所述至少一個主圖案MP形成微電子裝置的畫素區、裝置區、晶片區或胞元區時，所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3可包括用於將各圖案彼此對準的對準鍵。舉例而言，所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3可包括各種類型的對準鍵或光罩碼，所述對準鍵包括用於對準用於形成電子裝置的各個層的對準鍵、用於使光罩對準曝光系統的對準鍵、用於對準母基板中的各個晶粒（die）的對準鍵以及用於使曝光透鏡對準光罩的對準鍵。

在某些實施例中，所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3可包括第一對準鍵AK1、第二對準鍵AK2及光罩碼AK3。

在某些實施例中，在使用光罩200進行曝光製程期間，所述至少一個輔助圖案（例如，第一對準鍵AK1、第二對準鍵AK2及光罩碼AK3中的每一者）可為將被轉移至多個單位裝置區中的每一者的周邊區的圖案，所述多個單位裝置區包含於母基板中且其中每一者均構成顯示面板（即，用以將所述多個單位裝置區分離成各別顯示面板的切割區）。

在某些其他實施例中，所述至少一個輔助圖案（例如，第一對準鍵AK1、第二對準鍵AK2及光罩碼AK3中的每一者）可為用於將對準鍵轉移至安置於晶圓上的多個晶片區之間的劃刻道上的圖案。

所述至少一個主圖案MP的最小特徵尺寸可為第一關鍵尺寸（critical dimension，CD）CD1。此外，所述至少一個輔助圖案（第一對準鍵AK1、第二對準鍵AK2及光罩碼AK3中的每一者）的最小特徵尺寸可為第二關鍵尺寸CD2，CD2約為第一關鍵尺寸CD1的10倍至300倍。在某些實施例中，所述至少一個主圖案MP可具有約1微米至約10微米的最小特徵尺寸以及約2微米至約30微米的最小間距。在某些實施例中，所述至少一個輔助圖案（例如第一對準鍵AK1、第二對準鍵AK2及光罩碼AK3中的每一者）可具有約10微米至約300微米的最小特徵尺寸及約20微米至約600微米的最小間距。

圖3A至圖3D所繪示的為沿圖1的線B-B’截取而得的剖視圖，其說明某些示例性實施例中的製造光罩的方法的製造流程。儘管本示例性實施例闡述製造圖1A及圖1B中所示的光罩100的方法，然而所述方法可應用於製造圖2A及圖2B中所示的光罩200或具有各種經過調整或改變的構造的光罩的方法。在圖3A至圖3D中，使用與圖1A及圖1B中相同的參考編號來表示相同的元件，且不再對其予以贅述。

參照圖3A，相移層120A可形成於透明基板120上且覆蓋透明基板102的中心部分CP及環繞中心部分CP的邊緣部分EP。

在某些實施例中，透明基板102可為約6英吋寬、6英吋長的矩形基板。在某些實施例中，透明基板102可為大型基板，其每一邊長為約300毫米或大於300毫米。

相移層120A可形成為對於照射至相移層120A的曝光光具有約2%至約10%的光透射率。舉例而言，相移層120A可形成為具有能提供約2%至約10%的光透射率的光學密度。在某些實施例中，可調整相移層120A的各組分之間的組成比率（composition ratio）及/或相移層120A的厚度，以控制相移層120A的光透射率。

形成的相移層120A可在透明基板102的中心部分CP及邊緣部分EP二者上具有相同的厚度。

形成相移層120A的具體材料可與參照圖1A及圖1B所述的第一相移圖案122及第二相移圖案124的材料相同。

在某些實施例中，相移層120A可利用濺鍍製程、真空蒸鍍製程、化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）製程、MOCVD有機金屬化學氣相沈積（metal organic CVD，MOCVD）製程、溶膠-凝膠製程或上述之組合形成。

參照圖3B，可在相移層120A上形成遮罩圖案150。

遮罩圖案150可為光阻劑圖案。光阻劑圖案可包括可與雷射束或電子束（e-beams）反應的材料。在某些實施例中，光阻劑圖案可包括正型光阻劑或負型光阻劑。

遮罩圖案150的厚度可在顧及相移層120A的厚度及蝕刻選擇性的情形下來確定。在某些實施例中，形成的遮罩圖案150的厚度可為約100埃至800埃，但本示例性實施例並非僅限於此。

參照圖3C，可使用遮罩圖案150作為蝕刻遮罩來蝕刻相移層120A，以使第一相移圖案122可保留於透明基板102的中心部分CP上且第二相移圖案124可保留於透明基板102的邊緣部分EP上。

第一相移圖案122可構成至少一個主圖案MP。第二相移圖案124可構成半透明圖案STP。

在某些實施例中，可利用電漿蝕刻製程來蝕刻相移層120A。舉例而言，當相移層120A包含MoSiON時，可使用以CF₄ 、CF4/O₂ 、CHF₃ 、CHF₃ /O₂ 、SF₆ 或SF₆ /O₂ 作為蝕刻氣體的電漿蝕刻製程，但本示例性實施例並非僅限於此。

參照圖3D，可將遮罩圖案150移除，以暴露出至少一個主圖案MP的頂面及半透明圖案STP的頂面。

遮罩圖案150可利用灰化製程（ashing process）及剝離製程（strip process）移除。

參自圖1A至圖2B，可以知道，本示例性實施例中的光罩100及200可不包括被遮光層覆蓋的盲區（blind region）。因此，可自製造光罩100及200的製程中省略形成遮光層以形成盲區的製程和用於移除遮光層的不需要的部分的製程。因此，可降低因移除遮光層而出現缺陷的可能性，且可減少光罩100及200的處理時間（turn-around time，TAT）。此外，可延長使用根據本示例性實施例的光罩100及200的曝光系統的壽命，且可減少曝光系統的維護及維修所需的時間及成本。另外，當藉由利用光罩100及200的曝光製程來製造電子裝置時，可提高生產率。

圖4所繪示的為示例性實施例中的製造電子裝置的方法的流程圖。

圖8所繪示的為示例性實施例中的用於製造電子裝置的方法中使用的曝光系統700的示意性構造圖。

圖9所繪示的為用於製造電子裝置的方法中用作工件的面板720的平面圖，其說明使用圖8所示的曝光系統700掃描面板720的製程。

圖10A至圖13B所繪示的為曝光製程的製程流程圖，其有利於理解下文參照圖4所述的曝光方法。

以下將進一步參照圖1A至圖2B及圖8至圖13B來闡述圖4所示的示例性實施例中的電子裝置的製造方法。

在圖4的製程P310中，可製備包括主圖案區MPR及半透明邊緣區STE的光罩，所述半透明邊緣區STE自主圖案區MPR的外側部分延伸至透明基板102的外側部分。

在某些實施例中，如圖1A及圖1B所示，光罩可為在半透明邊緣區STE上不形成圖案的光罩100。在某些其他的實施例中，如圖2A及圖2B所示，光罩可為在半透明邊緣區STE上形成所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的光罩200。

在下文中，將闡述將圖2A及圖2B中的光罩200用作本示例性實施例的光罩的實例。然而，本示例性實施例並非僅限於此，且亦可應用於使用圖1A及圖1B的光罩100的情形。

在圖4的製程P320中，可在包括多個裝置區及周邊區的工件上形成光阻劑層，所述周邊區定義出所述多個裝置區。

在某些實施例中，所述工件可為用於製造顯示裝置的母基板或用於製造積體電路（integrated circuit，IC）裝置的晶圓，但本示例性實施例並非僅限於此。

在圖8及圖9中，示出用於製造顯示裝置的母基板的面板720作為工件的實例。面板720可包括多個裝置區720A、720B、720C及720D及定義出所述多個裝置區720A、720B、720C及720D的周邊區722。在某些實施例中，周邊區722可安置於所述多個裝置區720A、720B、720C及720D之間及所述多個裝置區720A、720B、720C及720D周圍。周邊區722可包括分別安置於所述多個裝置區720A、720B、720C及720D周圍的多個對準鍵區。

圖10B所繪示的為形成於面板720上的光阻劑層728。

在下文中，將在假定使用圖8及圖9所示面板720作為工件的條件下闡述圖4所示的製造電子裝置的方法。

在圖4的製程330中的曝光系統700中，在利用光罩200對面板720的周邊區722的至少一部分進行重複曝光的同時，可利用光罩200對作為工件的面板720進行多次曝光，其中所述工件上形成有光阻劑層。

在某些實施例中，可使用圖8所示曝光系統700來執行圖4的製程P330。

圖8所示曝光系統700例如可以是能夠對用於製造平板顯示器（flat panel display，FPD）的大型玻璃基板執行曝光製程的掃描型曝光系統。

參照圖8，可將用作工件的面板720承載於曝光系統700的主平台710上。在某些實施例中，面板720可包括玻璃基板，但本示例性實施例並非僅限於此。

可將用於支撐光罩PM的光罩平台730安置於主平台710上方。光罩PM可為圖1A及圖1B所示的光罩100、圖2A及圖2B所示的光罩200或結構在本發明範圍內經過調整或改變的光罩。

在某些實施例中，當藉由主平台710調整面板720的位置時，第一對準鍵觀察單元732可確認面板720上的對準鍵的位置並調整面板720的位置。

遮罩平台730可調整光罩PM的位置。舉例而言，在光罩PM安裝於主平台730上的同時，可例如在XY平面中調整光罩PM的位置。在某些實施例中，當藉由遮罩平台730調整光罩M的位置時，第二對準鍵觀察單元734可確認對準鍵在光罩PM上的位置並調整光罩PM的位置。

照射光學系統740可將曝光光照射至光罩PM上。在承載於主平台730上的光罩PM的部分區上形成的圖案可被照射光學系統740所輻射出的曝光光，且已穿過光罩PM的曝光光可穿過成像光學系統750以使圖案可轉移至面板720的部分區域上。此外，可以成像光學系統750對用以承載光罩PM的遮罩平台730及用以承載面板720的主平台710進行相對掃描，以使形成於光罩PM上的主圖案區MPR上的主圖案可被轉移至面板720。

成像光學系統750可包括多個投影光學系統。形成於光罩PM上的多個子單位區域可分別被來自照射光學系統740的光通量（luminous flux）所照射。所述多個子單位區域的影像可經由成像光學系統750的各個投影光學系統而同時投影至面板720上。

現在，將參照圖9闡述利用圖8所示的曝光系統700來掃描面板720的製程。

曝光系統700的成像光學系統750可具有圖9所示的曝光場752。可沿箭頭A1及箭頭A2的方向經由曝光場752對承載於主平台710上的面板720依序執行第一掃描製程SCAN1及第二掃描製程SCAN2。在第二掃描製程SCAN2結束後，曝光場752可沿箭頭B的方向移動。然後，可沿箭頭C1及箭頭C2的方向經由曝光場752執行第三掃描製程SCAN3及第四掃描製程SCAN4。因此，形成於光罩PM上的圖案可被轉移至面板720的所有裝置區域720A、720B、720C及720D的每一者中。在圖8所示的曝光系統700中，用以支撐光罩PM的主平台730可具有能夠達成上述掃描操作的XY平台。

在上述掃描操作中，可能需要精確地將光罩PM上的圖案的投影影像對準先前形成於面板720上的圖案。為達成光罩PM與面板720之間的精確對準，可採用形成於光罩PM上的對準鍵及形成於面板720上的對準鍵。

在用作電子裝置（例如顯示裝置）製造用的母基板的面板720的大小逐漸變大的同時，形成於面板720的裝置區720A、720B、720C及720D中的用於形成電子裝置的圖案逐漸被縮小且被高度地積體化。

使用液晶（LC）及有機電致發光（organic electro-luminescence，organic EL）的顯示裝置的製造可涉及到藉由形成包括多個導電圖案及多個絕緣層的堆疊結構而形成的元件（例如電晶體）。近年來，隨著顯示裝置要求越來越亮及越來越清晰的影像、越來越高的運作速度及越來越低的功率消耗，顯示裝置的組件及單位元件逐漸縮小且被高度地積體化以滿足該些要求。另外，用於製造顯示裝置的光罩上形成的圖案亦已逐漸被縮小及被高度地積體化。舉例而言，形成主動矩陣型液晶顯示器（LCD）裝置用薄膜電晶體（thin-film transistor，TFT）時所需要的線寬亦已逐漸減小。具體而言，可使用相移遮罩（phase shift mask，PSM）作為光罩而在面板上形成線寬約為2微米或小於2微米的精細圖案。

相反地，可使用具有相對大尺寸的大型母基板來製造顯示裝置。可在裝置區（例如圖9所示的面板720的裝置區720A、720B、720C及720D）上形成精細圖案，同時可在面板720的裝置區720A、720B、720C及720D之外的周邊區722上形成關鍵尺寸（CD）較形成於裝置區720A、720B、720C及720D上的圖案大的輔助圖案。輔助圖案可包括例如是各種對準鍵、光罩碼或測試圖案，所述對準鍵包括使形成電子裝置用的各個層對準的對準鍵、使光罩與曝光系統對準的對準鍵、使母基板中的各晶粒對準的對準鍵及使曝光透鏡與光罩對準的對準鍵。

在一般的相移光罩中，將光罩的其中形成有欲被轉移至裝置區720A、720B、720C及720D的主圖案的主圖案區以外的邊緣區用作盲區，且以遮光層覆蓋所述盲區。然而，光罩的邊緣區可以不是用於形成裝置時所需要的主圖案的區域而是僅用於形成輔助圖案（例如對準鍵）的區域。輔助圖案具有的大小可較主圖案區中形成的圖案的解析度極限值還大上許多。此外，光罩的邊緣區的積體密度或圖案精度可不如光罩的裝置區720A、720B、720C及720D中的嚴格。

在本示例性實施例的光罩中，被遮光層覆蓋的盲區可不在形成有輔助圖案AK1、AK2及AK2（例如對準鍵）的邊緣區中形成。而是，與主圖案MP以相同的材料形成的半透明邊緣區STE可安置在光罩的邊緣區中。當經由半透明邊緣區STE對面板720的周邊區722進行重複曝光時，形成於半透明邊緣區STE中的輔助圖案AK1、AK2及AK3（例如對準鍵）以所期望的精度被轉移至面板720的周邊區722，且在最終形成於面板720的周邊區722中的對準鍵中不會出現損壞或缺陷。

因此，如同圖4的製程P330，示例性實施例中的製造電子裝置的方法可包括在對上面形成有光阻劑層的工件進行多次曝光的同時，使用曝光系統700中的光罩100或200對面板720的周邊區722的至少一部分進行重複曝光。

在某些實施例中，利用圖4的製程P330的曝光製程可利用由i線（365奈米）、g線（436奈米）、h線（405奈米）或其組合發出的合成光來執行。在某些其他實施例中，利用圖4的製程P330的曝光製程可利用KrF準分子雷射（248奈米）或ArF準分子雷射（193奈米）來執行。然而，適用於示例性實施例中的製造電子裝置的方法的光源並非僅限於上述實例，而是亦可採用各種其他的習知光源。

圖5所繪示的為示例性實施例中利用到圖4的製程P330的曝光製程的流程圖。

現在，將參照圖5及圖9至圖13B來闡述示例性實施例中利用到圖4的製程P330的曝光製程。

以下，將闡述使用圖2A及圖2B所示的光罩200作為本示例性實施例中的光罩的實例。然而，本示例性實施例中的曝光製程並非僅限於此，亦可類似地應用在使用圖1A及圖1B所示光罩100的情形。

參照圖5及圖10A至圖10C，在圖5的製程P332中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第一裝置區720A進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對安置於第一裝置區720A周圍的第一周邊區722A進行第一次曝光。

第一裝置區720A可為選自形成於面板720上並被光阻劑層728覆蓋的多個裝置區720A、720B、720C及720D中的一者。第一裝置區720A可被曝光而使至少一個主圖案MP（參照圖2A及圖2B）轉移至安置於第一裝置區720A上的光阻劑層720。在對第一裝置區720A進行曝光的同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對面板720的周邊區722中安置於第一裝置區720A周圍的第一周邊區722A同時進行曝光。

圖10A所繪示的為藉由受到參照圖9所述的第一掃描製程SCAN1影響的第一射SHOT1所轉移的影像。本文中所用用語「射（shot）」是指在對光罩進行一次掃描時被轉移至面板720上的平面影像。

圖10B所繪示的為形成於面板720上的光阻劑層728的示意圖，其中的影像是藉由第一射SHOT1而被轉移到面板720上。

圖10C所繪示的為沿圖10B的線C-C¢截取而得的剖視圖，其說明藉由第一射SHOT1而被第一次曝光的光阻劑層728中的區728E1。

藉由利用圖5的製程P332經由光罩200的主圖案區MPR及半透明邊緣區STE對第一裝置區720A及安置於第一裝置區720A周圍的第一周邊區722A進行曝光，可將所述至少一個主圖案MP的影像轉移至形成於第一裝置區720A上的光阻劑層728，且可將所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像轉移至第一周邊區722A。

參照圖5及圖11A至圖11C，在圖5的製程P334中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第二裝置區720B進行曝光。在對第二裝置區720B進行曝光的同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對面板720的周邊區722中安置於第二裝置區720B周圍的第二周邊區722B同時進行曝光。第二周邊區722B可在夾置於第一裝置區720A與第二裝置區720B之間的第一局部區LAB中與第一周邊區722A重疊。因此，在對第二裝置區720B進行曝光的同時，可對第一周邊區722A中夾置於第一裝置區720A與第二裝置區720B之間的第一局部區LAB進行第二次曝光，以使第一局部區LAB可處於雙重曝光狀態。

第二裝置區720B可為所述多個裝置區720A、720B、720C及720D中鄰近第一裝置區720的區。因此，藉由對第二裝置區720B進行曝光，可將所述至少一個主圖案MP（參照圖2A及圖2B）的影像轉移至在第二裝置區720B上形成的光阻劑層728。在對第二裝置區720B進行曝光的同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE將所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像轉移至第二周邊區722B。

圖11A所繪示的為藉由受到參照圖9所述的第一掃描製程SCAN1影響的第一射SHOT1所轉移的影像以及藉由受到第二掃描製程SCAN2影響的第二射SHOT2所轉移的影像。

在圖11A中，第一射SHOT1的區與第二射SHOT2的區之間的重疊區可對應於第一局部區LAB。可執行利用第一射SHOT1的第一曝光製程及利用第二射SHOT2的第二曝光製程，藉此在第一局部區LAB中形成雙倍曝光區DE。

圖11B所繪示的為因第一射SHOT1而被轉移至形成於面板720上的光阻劑層728的示意性影像以及因第二射SHOT2而被轉移至形成於面板720上的光阻劑層728的示意性影像。

圖11C所繪示的為沿圖11的線C-C¢截取而得的剖視圖，其說明利用第一射SHOT1對其進行第一次曝光的光阻劑層728的區728E1以及利用第二射SHOT2對其進行第二次曝光的光阻劑層728的區728E2。

根據圖5的製程P334，可經由主圖案區MPR及半透明邊緣區STE對第二裝置區720B及安置於第二裝置區720B周圍的第二周邊區722B進行曝光。因此，至少一個主圖案MP的影像可被轉移至在第二裝置區720B上形成的光阻劑層728上，且至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像可被轉移至第二周邊區722B。此外，輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像中的至少一者可被轉移至第一局部區LAB。

參照圖5、圖12A及圖12B，在圖5的製程P336中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第三裝置區720C進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對作為第一局部區LAB的一部分的第二局部區LABC進行第三次曝光。

第三裝置區720C可為所述多個裝置區720A、720B、720C及720D中與第二裝置區720B相鄰的區。藉由對第三裝置區720C進行曝光，可將至少一個主圖案MP（參照圖2A及圖2B）轉移至在第三裝置區720C上形成的光阻劑728。在對第三裝置區720C進行曝光的同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE而對面板720的周邊區722中安置於第三裝置區720C周圍的第三周邊區722C同時進行曝光。第三周邊區722C可在夾置於第二裝置區720B與第三裝置區720C之間的局部區LBC中與第二周邊區722B重疊。因此，在對第三裝置區720C進行曝光的同時，可對第三周邊區722C中與第二周邊區722B重疊的局部區LBC進行雙重曝光，且可對作為第三周邊區722C的第一局部區LAB的一部分的第二局部區LABC進行三重曝光。

圖12A所繪示的為分別藉由受到參照圖9所述的第一掃描製程SCAN1影響的第一射SHOT1所轉移、受到第二掃描製程SCAN2影響的第二射SHOT2所轉移及受到第三掃描製程SCAN3影響的第三射SHOT3所轉移的示意性影像。

在圖12A中，第一射SHOT1的區與第二射SHOT2的區之間的重疊區、以及第二射SHOT2的區與第三射SHOT3的區之間的重疊區可為雙重曝光區DE。此外，第一射SHOT1的區、第二射SHOT2的區及第三射SHOT3的區之間的重疊區可為三重曝光區TE。

圖12B所繪示的為分別藉由第一射SHOT1、第二射SHOT2及第三射SHOT3而轉移至在面板720上形成的光阻劑層728的示意性影像。

在圖12B中，第一局部區LAB可包括藉由使用第一射SHOT1的第一曝光製程及使用第二射SHOT2的第二曝光製程而被雙重曝光的區。作為第三周邊區722C中所包含的第一局部區LAB的部分區的第二局部區LABC可為三重曝光區。此外，夾置於第二裝置區720B與第三裝置區720C之間的周邊區722的局部區LBC可包括藉由使用第二射SHOT2的第一曝光製程及使用第三射SHOT3的第三曝光製程而被雙重曝光的區。

根據圖5的製程P336，可經由光罩200的主圖案區MPR及半透明邊緣區STE而對第三裝置區720C及第三周邊區722C進行曝光，因而所述至少一個主圖案MP的影像可被轉移至在第三裝置區720C上形成的光阻劑層728，且所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像可被轉移至第三周邊區722C。此外，在藉由對第二裝置區720B及第二周邊區722B進行曝光而轉移的所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像保留於光阻劑層728上的同時，第三裝置區720C及第三周邊區722C可被曝光。因此，可用曝光光對已形成於周邊區722中的所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像中的至少一者再次進行曝光。

參照圖5、圖13A及圖13B，在圖5的製程P338中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第四裝置區720D進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對第二局部區LABC進行第四次曝光。

第四裝置區720D可為所述多個裝置區720A、720B、720C及720D中鄰近第一裝置區720A及第三裝置區720C的區。藉由對第四裝置區720D進行曝光，可將至少一個主圖案MP（參照圖2A及圖2B）轉移至在第四裝置區720D上形成的光阻劑層728。在對第四裝置區720D進行曝光的同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對面板720的周邊區域722中安置於第四裝置區720D周圍的第四周邊區722D同時進行曝光。在此種情形中，亦可在周邊區722中對第二局部區LAB進行曝光，使得第二局部區LABC可被四重曝光。

此外，在周邊區722中，夾置於第三裝置區720C與第四裝置區720D之間的局部區LCD與夾置於第一裝置區720A與第四裝置區720D之間的局部區LAD中的每一者可包括雙重曝光區。

圖13A所繪示的為分別藉由受到參照圖9所述的第一掃描製程SCAN1影響的第一射SHOT1所轉移、受到第二掃描製程SCAN2影響的第二射SHOT2所轉移、受到第三掃描製程SCAN3影響的第三射SHOT3所轉移及受到第四掃描製程SCAN4影響的第四射SHOT4所轉移的示意性影像。

在圖13A中，第一射SHOT1的區與第二射SHOT2的區之間的重疊區、第二射SHOT2的區與第三射SHOT3的區之間的重疊區、及第三射SHOT3的區與第四射SHOT4的區之間的重疊區、以及第一射SHOT1的區與第四射SHOT4之間的區可包括雙重曝光區DE。此外，第一射SHOT1的區、第二射SHOT2的區、第三射SHOT3的區及第四射SHOT4的區之間的重疊區可為四重曝光區QE。

圖13B所繪示的為分別藉由第一射SHOT1、第二射SHOT2、第三射SHOT3及第四射SHOT4轉移至在面板720上形成的光阻劑層728的示意性影像。

在圖13B中，第一局部區LAB可包括藉由使用第一射SHOT1的第一曝光製程及使用第二射SHOT2的第二曝光製程進行雙重曝光的區，且第二局部區LABC可為四重曝光區。此外，在周邊區7822中，夾置於第二裝置區720B與第三裝置區720C之間的局部區LBC、夾置於第三裝置區720C與第四裝置區720D之間的局部區LCD及夾置於第一裝置區720A與第四裝置區720D之間的局部區LAD可包括雙重曝光區。

根據圖5的製程P338，可經由光罩200的主圖案區MPR及半透明邊緣區STE對第四裝置區720D及安置於第四裝置區720D周圍的第四周邊區722D進行曝光。因此，所述至少一個主圖案MP的影像可被轉移至在第四裝置區720D上形成的光阻劑層728，且所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像可被轉移至第四周邊區722D。此外，在對第四裝置區720D及第四周邊區722D曝光之前，且在所述至少一個輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像已形成於周邊區722中的光阻劑層728上的同時，第四裝置區720D及第四周邊區722D可被曝光。因此，可用曝光光對已形成於周邊區722中的所述至少一個輔助圖案AK1、AK2、AK3的影像中的至少一者再次進行曝光。

儘管上文闡述了使用掃描型曝光系統700來執行圖4的製程P330及圖5的製程P332至P338的情形，然而本示例性實施例並非僅限於此。舉例而言，可使用步進機型（stepper-type）曝光系統來執行圖4的製程P330及圖5的製程P332至P338。

重新參照圖4，在製程P340中，可如圖13B所示對經曝光的光阻劑層728進行顯影，以使得具有對應到所述至少一個主圖案MP的形狀的光阻劑圖案可形成於所述多個裝置區720A、720B、720C及720D中的每一者中，且具有對應到所述至少一個輔助圖案AK1、AK2、AK3的形狀的至少一個對準鍵可形成於周邊區722中。

形成於周邊區722中的所述至少一個對準鍵可藉由對輔助圖案AK1、AK2及AK3的影像進行轉移而形成，且可包括各種類型的對準鍵或光罩碼，所述對準鍵包括用於對準用於形成電子裝置的各個層的對準鍵、用於使光罩對準曝光系統的對準鍵、用於對準母基板中的各個晶粒的對準鍵以及用於使曝光透鏡對準光罩的對準鍵。

形成於所述周邊區722中的所述至少一個對準鍵可具有較形成於裝置區720A、720B、720C及720D中的圖案大的關鍵尺寸。在某些實施例中，形成於周邊區722中的所述至少一個對準鍵的最小特徵尺寸可大於形成於裝置區720A、720B、720C及720D中圖案的特徵尺寸的約10倍至300倍。因此，形成於周邊區722中的所述至少一個對準鍵具有的大小可較形成於裝置區720A、720B、720C及720D中的圖案大得多。形成於周邊區722中的所述至少一個對準鍵的積體密度或圖案精度可不如形成於裝置區720A、720B、720C及720D中的圖案嚴格。因此，即使根據參照圖4及圖5所述的方法執行雙重曝光製程或四重曝光製程，亦可在周邊區722中形成具有所期望的尺寸及解析度的對準鍵。

在參照圖4、圖5及圖8至圖13B所述的電子裝置製造方法中，可利用不具有被遮光層覆蓋的盲區的光罩100或200來執行曝光製程。如上文所述，由於曝光製程所需的光罩100或200不包括遮光層，故可利用簡單的形成製程來形成光罩100或200，且可省略用於移除不必要的遮光層的製程。因此，可使用利用已排除了缺陷發生的可能性的製程形成的光罩100或200來執行曝光製程。因此，可減少製造電子裝置所需的光罩100或200的處理時間（TAT），且可延長用於製造電子裝置的曝光系統的壽命。此外，可減少對曝光系統的維護及維修所需的時間及成本。如此一來，可提高電子裝置製造的生產率。

圖6所繪示的為示例性實施例中的一種製造顯示裝置的方法的流程圖。

現在將參照圖6及圖8至圖13B來闡述根據示例性實施例的製造顯示裝置的方法。在下文中，將省略與參照圖8至圖13B所提供的相同的說明。

在圖6的製程P412中，可製備光罩。所述光罩可包括主圖案區MPR及半透明邊緣區STE，半透明邊緣區STE自主圖案區MPR的外側部分延伸至透明基板102的外側部分。

本實施例將在假定使用圖2A及圖2B所示光罩200作為光罩的條件下進行說明。

在圖6的製程P422中，可製備包括多個裝置區及多個對準鍵區的面板。

在某些實施例中，所述面板可為如圖9所示包括第一裝置區至第四裝置區720A、720B、720C及720D以及第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D的面板720。面板720的第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D可分別構成多個對準鍵區。

在圖6的製程P424中，可在面板720上形成光阻劑層728。

光阻劑層728可以覆蓋分別環繞第一裝置區至第四裝置區720A、720B、720C及720D的第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D的方式形成。

在圖6的製程P430中，在曝光系統中，可使用光罩200對作為所述多個對準鍵區的第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D的至少一部分進行重複曝光，同時可對被光阻劑層728覆蓋的所述多個裝置區720A、720B、720C及720D及所述第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D進行依序曝光。

在某些實施例中，可使用圖8所示的曝光系統700作為所述曝光系統。

在某些實施例中，利用圖6的製程P430的曝光製程可利用由i線（365奈米）、g線（436奈米）、h線（405奈米）或其組合發出的合成光來執行。舉例而言，所述曝光製程可利用由水銀燈發出的具有紫外光（ultraviolet，UV）組合波長（g線、h線、或i線）的光作為曝光光源來執行。在某些其他實施例中，利用圖6的製程P430的曝光製程可利用KrF準分子雷射（248奈米）或ArF準分子雷射（193奈米）來執行。然而，適用於示例性實施例中的製造顯示裝置的方法的光源並非僅限於上述實例，而是亦可採用各種其他的習知光源。

圖7所繪示的為示例性實施例中利用圖6的製程P430的曝光製程的流程圖。

現在，將參照圖7以及圖9至圖13B來闡述利用圖6的製程P430的曝光製程。

在圖7的製程P432中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第一裝置區720A進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對第一周邊區722A進行第一次曝光，所述第一周邊區722A是安置於第一裝置區720A周圍的第一對準鍵區。

因根據圖7的製程P432的第一曝光製程與圖5的製程P332中所述者大約相同，故將不再對其予以贅述。

在圖7的製程P434中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第二裝置區720B進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對第一局部區LAB進行第二次曝光，所述第一局部區LAB選自作為第一對準鍵區的第一周邊區722A。

因根據圖7的製程P434的第二曝光製程與圖5的製程P334中所述者大約相同，故將不再對其予以贅述。

在圖7的製程P436中，可經由光罩200的主圖案區MPR對第三裝置區720C進行曝光，且同時，可經由光罩200的半透明邊緣區STE對選自第一局部區LAB的第二局部區LABC進行曝光。

在某些實施例中，可以與根據圖5的製程P336中的第三曝光製程大致類似的方式執行根據圖7的製程P436中的曝光製程。

在某些其他實施例中，可以與根據圖5的製程P338中的第四曝光製程大致類似的方式執行根據圖7的製程P436的曝光製程。

重新參照圖6，在製程P440中，可對經曝光的光阻劑層728進行曝光，以使得可在所述多個裝置區（例如裝置區720A、720B、720C及720D）的每一者中形成具有與所述至少一個主圖案MP對應的形狀的光阻劑圖案，且可在包括第一周邊區至第四周邊區722A、722B、722C及722D（其為對準鍵區）的周邊區722中形成至少一個對準鍵。

因根據圖6的製程P440的製程與圖4的製程P340中所述者大約相同，故將不再對其予以贅述。

在參照圖6及圖7所述的示例性實施例中的製造顯示裝置的方法中，可使用不含有被遮光層覆蓋的盲區的光罩200來執行曝光製程。因此，由於曝光製程所需的光罩200不包括遮光層，故可利用簡單的製程來形成光罩200，且可省略用於移除不必要的遮光層的製程。因此，可使用利用已降低了缺陷發生的可能性的製程形成的光罩200來執行曝光製程。因此，可減少製造顯示裝置所需的光罩200的處理時間，且可延長用於製造顯示裝置的曝光系統的壽命。此外，可減少曝光系統的維護及維修所需的時間及成本。如此一來，可提高顯示裝置製造的生產率。

圖14所繪示的為根據示例性實施例的顯示裝置800的方塊圖。

參照圖14，顯示裝置800可包括液晶面板810、定時控製器820、閘極驅動器830及源極驅動器840。

液晶面板810可包括多個閘極線GL1、…、及GLn；多個資料線DL1、…、及DLm；以及多個畫素PX，所述多個畫素PX排列成矩陣形狀且由多個閘極線GL1、…、及GLn與多個資料線DL1、…、及DLm之間的交叉部所界定。

所述多個畫素PX可具有相同的構造並提供相同的功能。為簡明起見，在圖14中僅示出一個畫素PX。所述多個畫素PX中的每一者可包括薄膜電晶體TFT及液晶電容器CLC。薄膜電晶體TFT的閘電極可連接至對應的閘極線。薄膜電晶體TFT的源電極可連接至對應的資料線。液晶電容器CLC可連接至薄膜電晶體TFT的汲電極。

定時控制器820可自主機802接收外部訊號。外部訊號可包括影像訊號及參考訊號。參考訊號可為與訊框頻率同步的訊號（例如，垂直同步訊號或水平同步訊號）。定時控制器820可對所輸入外部訊號進行轉換並產生閘極控制訊號GCS及資料控制訊號DCS。

定時控制器820可將所產生的閘極控制訊號GCS輸出至閘極驅動器830。此外，定時控制器820可將所產生的資料控制訊號DCS輸出至源極驅動器840。定時控制器820可因應閘極控制訊號GCS及資料控制訊號DCS來控制閘極驅動器830及源極驅動器840。

閘極驅動器830可因應由定時控制器820所產生的閘極控制訊號GCS而將閘極訊號依序施加至液晶面板810的所述多個閘極線GL1、…、及GLn。

源極驅動器840可因應由定時控制器820所產生的資料控制訊號DCS而將資料訊號施加至液晶面板810的所述多個資料線DL1、…、及DLm。

當閘極訊號自閘極驅動器830依序施加至所述多個閘極線GL1、…、及GLn時，與被施加閘極訊號的閘極線對應的資料可與閘極訊號同步地自源極驅動器840施加至所述多個資料線DL1、…、及DLm。

在一個訊框（frame）中，藉由將閘極訊號施加至所述多個閘極線GL1、…、及GLn，可顯示一個訊框的影像。當對選自所述多個閘極線GL1、…、及GLn中的一個閘極線（例如閘極線GL1）施加閘極訊號時，連接至閘極線GL1的薄膜電晶體（TFT）可因應所施加閘極訊號而被接通。當對連接至被接通的薄膜電晶體的資料線DL1施加資料訊號時，所施加的資料訊號可經由被接通的薄膜電晶體施加並被電儲存（charged）於液晶電容器CLC中。隨著薄膜電晶體被重複接通及斷開，資料訊號可被電儲存於液晶電容器CLC中及自液晶電容器CLC釋出。液晶的光透射率可因應被電儲存至液晶電容器CLC中的電壓而調整，以使液晶面板810可運作。

在某些實施例中，可利用使用圖1A及圖1B所示光罩100的曝光製程或使用圖2A及圖2B所示光罩200的曝光製程來形成液晶面板810的所述多個畫素PX中的每一者。在某些實施例中，可使用參照圖4及圖5所述的製造電子裝置的方法或參照圖6及圖7所述的製造顯示裝置的方法來製造液晶面板810的所述多個畫素PX中的每一者。

綜上所述，在製作高解析度顯示裝置時，於薄膜電晶體液晶顯示器（TFT LCD）的製造中，畫素電晶體的線寬在逐漸減小。在用於製造電子裝置（例如顯示裝置）的微影製程中，可對光罩照射光，以使形成於光罩上的圖案可被轉移至在顯示面板上形成的光阻劑層。在顯示裝置的製造中，用於形成薄膜電晶體陣列的微影製程對顯示裝置的大規模生產率的影響逐漸提高。

可使用大面積透明基板作為用於形成薄膜電晶體陣列的透明基板，以促進大規模生產。為對大面積透明基板進行曝光，可使用接近性光學投影系統（proximity optical projecting system），所述接近性光學投影系統用以將透明基板劃分成多個曝光區並對透明基板的所劃分曝光區依序進行曝光。一般而言，光罩包括盲區，所述盲區形成於光罩的邊緣區中並包括遮光層，以防止所劃分的曝光區被重複曝光。然而，由於在形成光罩的製程中使用遮光層，形成光罩的製程所需的時間及成本可能會增加。此外，隨著顯示裝置的畫素電晶體所需要的線寬的微型化，可使用相移遮罩（PSM）在圖案區中形成關鍵尺寸（CD）為約2微米或小於2微米的精細圖案。在相移遮罩的製造中，當使用遮光層來形成盲區時，不僅將不必要的遮光層自圖案區移除所花費的時間會增加，而且出現缺陷的可能性也會增大，進而降低光罩的製造效率。

如上文所述，各實施例是有關於一種不含遮光層的光罩、一種製造所述光罩的方法、一種使用不含遮光層的光罩製造電子裝置的方法以及一種製造顯示裝置的方法。

各實施例可提供具有線寬縮小的圖案區且不含遮光層的光罩。因光罩不包括遮光層，因而可消除因使用遮光層而出現缺陷的可能性，且光罩可具有利用簡單的製程而形成的簡單結構。

此外，各實施例可提供不使用遮光層的光罩製造方法，藉此可在製造光罩的製程期間減小出現缺陷的可能性並可簡化製造光罩的製程。

另外，各實施例可提供一種製造電子裝置的方法，藉此可利用不含遮光層的光罩將縮小的圖案有效地轉移至大面積基板。

此外，各實施例可提供一種製造顯示裝置的方法，藉此可利用不含遮光層的光罩將縮小的圖案有效地轉移至大面積基板。

本文已揭露了示例性實施例，且儘管採用具體用語，然而該些用語用於且旨在被解釋為僅一般性及描述性意義而非用於限制目的。在某些情況下，在本申請案的技術中具有通常知識者將易知，除非另外具體指明，否則特定實施例中所闡述的相關特徵、特性及/或元件可單獨使用或者可與其他實施例中所闡述的相關特徵、特性及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者應理解，可在不背離本發明下述的申請專利範圍的精神及範圍的條件下作出各種形式及細節上的改變。

100‧‧‧光罩
102‧‧‧透明基板
120‧‧‧相移圖案
120A‧‧‧相移層
122‧‧‧第一相移圖案
124‧‧‧第二相移圖案
124T‧‧‧頂面
150‧‧‧遮罩圖案
200‧‧‧光罩
700‧‧‧曝光系統
710‧‧‧主平台
720‧‧‧面板
720A‧‧‧第一裝置區
720B‧‧‧第二裝置區
720C‧‧‧第三裝置區
720D‧‧‧第四裝置區
722‧‧‧周邊區
722A‧‧‧第一周邊區
722B‧‧‧第二周邊區
722C‧‧‧第三周邊區
722D‧‧‧第四周邊區
728‧‧‧光阻劑層
728E1、728E2‧‧‧區
730‧‧‧遮罩平台
732‧‧‧第一對準鍵觀察單元
734‧‧‧第二對準鍵觀察單元
740‧‧‧照射光學系統
750‧‧‧成像光學系統
752‧‧‧曝光場
800‧‧‧顯示裝置
802‧‧‧主機
810‧‧‧液晶面板
820‧‧‧定時控制器
830‧‧‧閘極驅動器
840‧‧‧源極驅動器
A1、A2‧‧‧箭頭
AK1‧‧‧輔助圖案
AK2‧‧‧輔助圖案
AK3‧‧‧輔助圖案
B‧‧‧箭頭
B-B’‧‧‧線
C-C’‧‧‧線
C1、C2‧‧‧箭頭
CD1‧‧‧第一關鍵尺寸
CD2‧‧‧第二關鍵尺寸
CLC‧‧‧液晶電容器
CP‧‧‧中心部分
DCS‧‧‧資料控制訊號
DE‧‧‧雙重曝光區
DL1、DLm‧‧‧資料線
EP‧‧‧邊緣部分
GCS‧‧‧閘極控制訊號
GL1、GLn‧‧‧閘極線
LAB‧‧‧第一局部區
LABC‧‧‧第二局部區
LAD‧‧‧局部區
LBC‧‧‧局部區
LCD‧‧‧局部區
MP‧‧‧主圖案
MPR‧‧‧主圖案區
PM‧‧‧光罩
PX‧‧‧畫素
QE‧‧‧四重曝光區
SCAN1‧‧‧第一掃描製程
SCAN2‧‧‧第二掃描製程
SCAN3‧‧‧第三掃描製程
SCAN4‧‧‧第四掃描製程
SHOT1‧‧‧第一射
SHOT2‧‧‧第二射
SHOT3‧‧‧第三射
SHOT4‧‧‧第四射
STE‧‧‧半透明邊緣區
STP‧‧‧半透明圖案
TE‧‧‧三重曝光區
TFT‧‧‧薄膜電晶體
TH1、TH2‧‧‧厚度
P310、P320、P330、P332、P334、P336、P338、P340‧‧‧製程
P412、P422、P424、P430、P432、P434、P436、P440‧‧‧製程

藉由參照附圖的方式詳細闡述示例性實施例，本發明的特徵對於熟習此項技術者來說將顯而易見，附圖中：圖1A所繪示的為根據示例性實施例的光罩的平面圖。圖1B所繪示的為沿圖1A的線B-B¢截取而得的剖面圖。圖2A所繪示的為其他示例性實施例的光罩的平面圖。圖2B所繪示的為沿圖2A的線B-B’截取而得的剖面圖。圖3A至圖3D所繪示的為某些示例性實施例中的光罩製造方法的製造流程剖面圖。圖4所繪示的為示例性實施例中的電子裝置製造方法的流程圖。圖5所繪示的為示例性實施例中用於製造電子裝置的曝光方法的流程圖。圖6所繪示的為示例性實施例中製造顯示裝置的方法的流程圖。圖7所繪示的為示例性實施例中用於製造顯示裝置的曝光方法的流程圖。圖8所繪示的為示例性實施例中用於製造電子裝置以及製造顯示裝置的方法的曝光系統的示例性構造的示意圖。圖9所繪示的為示例性實施例中用於製造電子裝置及製造顯示裝置的方法的面板的平面圖，其所繪示的為使用曝光系統掃描面板的製程。圖10A至圖13B所繪示的為示例性實施例中製造電子裝置及製造顯示裝置的方法中的曝光製程的各製程的流程圖。圖14所繪示的為示例性實施例中的顯示裝置的方塊圖。

100‧‧‧光罩

120‧‧‧相移圖案

122‧‧‧第一相移圖案

124‧‧‧第二相移圖案

B-B’‧‧‧線

MP‧‧‧主圖案

MPR‧‧‧主圖案區

STE‧‧‧半透明邊緣區

Claims

一種相移遮罩，包括：基板；第二相移圖案，位於所述基板上，所述第二相移圖案延伸至所述基板的最外周邊，所述第二相移圖案是由對第一波長的光具有半透射性的材料形成，且所述基板對所述第一波長的光來說實質上為透明的，以使所述遮罩在所述第二相移圖案處透射約2%至10%的所述第一波長的光；以及第一相移圖案，位於所述基板上，所述第二相移圖案安置於所述基板的所述最外周邊與所述第一相移圖案之間。
如申請專利範圍第1項所述的相移遮罩，其中所述第二相移圖案中具有開口，所述開口對應於對準鍵。
如申請專利範圍第1項所述的相移遮罩，其中所述相移遮罩的整個區域對於所述第一波長的光的最小透射率為約2%。
如申請專利範圍第1項所述的相移遮罩，其中所述相移遮罩不包括不透明區域。
一種製造單位基板的方法，所述方法包括：提供母基板，所述母基板具有足以提供至少兩個單位基板的大小；使相移遮罩對準所述母基板的第一位置；經由與所述第一位置對準的所述相移遮罩照射所述母基板的第一區；使所述相移遮罩對準所述母基板的第二位置，以使所述相移遮罩與被照射的所述第一區的子區重疊；以及經由與所述第二位置對準的所述相移遮罩照射所述母基板的第二區，以使所述子區被照射第二次。
如申請專利範圍第5項所述的製造單位基板的方法，其中所述相移遮罩包括：基板；第二相移圖案，位於所述基板上，所述第二相移圖案延伸至所述基板的最外周邊，所述第二相移圖案是由對第一波長的光具有半透射性的材料形成，且所述基板對所述第一波長的光來說實質上為透明的，以使所述遮罩在所述第二相移圖案處透射約2%至10%的所述第一波長的光；以及第一相移圖案，位於所述基板上，所述第二相移圖案安置於所述基板的所述最外周邊與所述相移圖案之間，在經由所述第一相移圖案照射所述第一波長的光時，所述第一相移圖案會引起干涉。
如申請專利範圍第5項所述的製造單位基板的方法，其中所述相移遮罩包括：基板；以及位於所述基板上的相移層，其中所述相移遮罩的邊緣部分是半透明區。
如申請專利範圍第7項所述的製造單位基板的方法，其中所述子區經由所述相移遮罩的所述半透明區而被照射。
如申請專利範圍第8項所述的製造單位基板的方法，其中所述半透明區中具有開口，所述開口對應於對準鍵。
如申請專利範圍第9項所述的製造單位基板的方法，其中在所述子區中形成有與所述開口對應的對準鍵。
如申請專利範圍第5項所述的製造單位基板的方法，其中所述母基板是矽晶圓或母顯示面板基板。
如申請專利範圍第11項所述的製造單位基板的方法，更包括：在照射所述第二區之後，將所述母基板分離成至少兩個單位基板，其中所述子區處於相鄰的所述單位基板之間的道中。
一種根據如申請專利範圍第5項所述的製造單位基板的方法製成的半導體裝置。
一種根據如申請專利範圍第5項所述的製造單位基板的方法製成的顯示面板。
一種相移遮罩，包括：基板；以及位於所述基板上的相移層，其中所述相移遮罩的邊緣部分是半透明區。
如申請專利範圍第15項所述的相移遮罩，其中所述半透明區透射約2%至10%的光。
如申請專利範圍第16項所述的相移遮罩，其中所述相移層包含氧化鉻或矽化鉬中的一或多者。
如申請專利範圍第15項所述的相移遮罩，其中所述相移遮罩在所述邊緣部分不包括不透明層，所述邊緣部分是所述相移遮罩的外邊緣。
如申請專利範圍第15項所述的相移遮罩，其中所述相移遮罩包括主圖案區，所述主圖案區具有與所述半透明區實質上相同的厚度。
如申請專利範圍第15項所述的相移遮罩，其中所述半透明區安置於所述主圖案區與所述相移遮罩的最外邊緣之間。