TW201506495A - 透明金屬氧化物奈米顆粒組合物、製造彼之方法以及包含彼之物品 - Google Patents
透明金屬氧化物奈米顆粒組合物、製造彼之方法以及包含彼之物品 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201506495A TW201506495A TW103126558A TW103126558A TW201506495A TW 201506495 A TW201506495 A TW 201506495A TW 103126558 A TW103126558 A TW 103126558A TW 103126558 A TW103126558 A TW 103126558A TW 201506495 A TW201506495 A TW 201506495A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal
- metal oxide
- film
- ion
- solvent
- Prior art date
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 55
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 16
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229940085991 phosphate ion Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- -1 citrate ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 4
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N lithium diisopropylamide Chemical compound [Li+].CC(C)[N-]C(C)C ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 2
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NCFSDGWPAKOPOU-UHFFFAOYSA-N n-ethylethanamine;lithium Chemical compound [Li].CCNCC NCFSDGWPAKOPOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005045 1,10-phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N Azide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L Oxalate Chemical compound [O-]C(=O)C([O-])=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003514 Sr(OH) Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229940063013 borate ion Drugs 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940005654 nitrite ion Drugs 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N propyl hydrogen carbonate Chemical compound CCCOC(O)=O FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本文中揭露一種用於製造薄膜之組合物，包含：一溶劑；複數個顆粒；該等顆粒係藉由一金屬鹽與其自身或與一配基反應而衍生；其中，該金屬鹽經由與其自身或與一配基反應而形成金屬氧化物及/或金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度受熱時，該等顆粒係具有一金屬氧化物含量實質上大於其金屬氫氧化物含量。本文中亦揭露一種方法，包含：混合一金屬鹽與一溶劑以形成一反應混合物；其中該金屬鹽與其自身反應以形成金屬氧化物及金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度下，該金屬氧化物含量係實質上大於該金屬氫氧化物的含量；添加一pH試劑至該反應混合物；且安置該反應混合物於一基材上。
Description
本發明係關於透明金屬氧化物組合物、製造彼之方法以及包含彼之物品。
在電子顯示產品中，透明半導體使用於作為背板的薄膜電晶體(TFT)中。半導體的透明度越好，能穿透半導體的光的量越多。
透明氧化物具有電子與光學性質，使其在用於薄膜中時能對可見光透明(即，光學透明)。此等透明氧化物可亦具有電性傳導或半導(semi-conducting)的性質。透明氧化物半導體薄膜或透明氧化物導體薄膜可使用如濺鍍、蒸發及脈衝雷射沉積(pulsed laser deposition)等多種氣相(vapor)沉積方法而沉積於基材上。此等技術明顯的缺點是，當其用於具有大面積的顯示基材時，使用此等技術的花費變得相當昂貴。
在大面積基材上使用液體溶液相(即，溶液基礎
(solution based))製程的透明氧化物沉積係提供一種較少花費的方案替代此類氣相沉積方法。然而，關於使用液體溶液方法的明顯缺點是，時常使用大於200℃、且甚至400℃之後續的退火溫度以製造具合適性質與形態的薄膜。此等溫度不適用於塑膠基材，因塑膠材料可遭受明顯的機械變形、熔化及/或化學劣化(chemical degradation)，例如暴露於超過200℃的溫度時黃化(yellowing)。
因此具有可在低於200℃之溫度下製造透明氧化物
薄膜的需求。
本文中揭露一種用於製造薄膜之組合物，包含：一溶劑；複數個顆粒；該等顆粒係藉由一金屬鹽與其自身或與一配基反應而衍生；其中，該金屬鹽經由與其自身或與一配基反應而形成金屬氧化物及/或金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度受熱時，該等顆粒係具有一金屬氧化物含量實質上大於其金屬氫氧化物含量。
本文中亦揭露一種方法，包含混合一金屬鹽與一溶劑以形成一反應混合物；其中該金屬鹽與其自身或與一配基反應以形成金屬氧化物及/或金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度下受熱時，該金屬氧化物含量係實質上大於該金屬氫氧化物的含量；添加一pH試劑至該反應混合物；且安置該反應混合物於一基材上。
為詳細瞭解本發明，應參考以下與所附圖式關聯的詳細說明，其中相似的元件一般被指定為相似的符號且其中：第1圖係本文中所述薄膜的以每秒計數之強度(CPS)對結合能量(eV)的X光光電子光譜學(XPS)光譜圖；第2圖係經沉積的比較薄膜的CPS對結合能量(eV)的XPS光譜圖；以及第3圖係經在大於400℃的溫度下退火的比較薄膜的CPS對結合能量(eV)的XPS光譜圖。
透明氧化物係用於薄膜中以形成用於電子顯示產品的薄膜電晶體(TFT)且亦用於形成在如太陽能電池與光偵檢器(photodetector)的其他電子裝置中的導電圖案。本文中揭露一種製造薄膜的方法，該薄膜可用於薄膜電晶體中或用於其他物品與裝置中。該方法包含混合一金屬鹽與一合適的溶液以形成一pH經控制的反應混合物從而製造顆粒，該等顆粒具有金屬氧化物物種(species)及/或金屬氫氧化物物種。該等反應物與反應混合物係缺水的。該等顆粒可為奈米顆粒、或微米顆粒。顆粒中金屬氧化物物種的含量係實質上大於金屬氫氧化物物種。隨後將顆粒與溶劑一起沉積在一基材上且在少於或等於200℃的溫度下經歷退火。退火係除去溶劑，加速在金屬氫氧化物物種間的進一步反應而將其轉換成金屬氧化物物種，且留下一無孔(pores)與空隙
(voids)而光學透明的薄膜。退火溫度係夠低以預防基材或薄膜的變形(deformation)、劣化或畸變(distortion)。須注意的是，當溶劑可溶解金屬鹽時，其可或不可溶解顆粒。在一實施態樣中，溶劑可有效地懸浮顆粒。
金屬鹽係與溶劑在經控制的pH條件下混合。該經控
制的pH及/或該金屬鹽的選擇係有利於形成金屬氧化物含量實質上大於金屬氫氧化物含量之顆粒。顆粒中實質上較金屬氫氧化物大量的金屬氧化物的存在係促進薄膜在少於或等於200℃的溫度下的形成。因較低的退火溫度，藉由此方法製造的薄膜係較藉由包括濺鍍、蒸發與脈衝雷射沉積之其他方法製造的薄膜不昂貴。
此外，低溫的使用允許在金屬氧化物的製備中使用多種不同的材料。薄膜具有大於或等於約80%的光學透明度、良好的電子移動性及/或大的能帶間隙。
本文中亦揭露一種用於製造光學透明薄膜的組合
物，包含一溶劑與複數個顆粒，其金屬氧化物含量係實質上多於其金屬氫氧化物含量。在一實施態樣中，該溶劑可為一懸浮該等顆粒但不溶解其的流體。在另一實施態樣中，該溶劑可部分地或完全地溶解該等顆粒。
顆粒較佳係選自奈米顆粒與微米顆粒。奈米顆粒具
有少於或等於約100奈米的平均顆粒尺寸。微米顆粒具有大於100奈米至少於10微米的平均顆粒尺寸。藉由光散射所測量的迴轉半徑而量測平均顆粒尺寸。
金屬鹽較佳係能與其自身反應而製造金屬氧化物與
金屬氫氧化物。金屬鹽包含一種金屬陽離子與至少一種陰離子。金屬鹽較佳係包含一選自元素週期表之II族至VII族的金屬陽離子以及一有機或無機陰離子。金屬陽離子更佳係選自鋅、鋁、鈦、鈰、矽、鈮、鎢、鍶、鋯、釔、銦、錫、鎵、鎘、或包含前述陽離子之至少一者的組合。金屬陽離子又更佳選自鋅、銦、或錫。金屬陽離子最佳係鋅。至少一種陰離子較佳係選自醋酸根離子(CH3COO-)、碳酸根離子(CO3 2-)、氯離子(Cl-)、檸檬酸根離子(HOC(COO-)(CH2COO-)2)、氰離子(C≡N-)、硝酸根離子(NO3 -)、亞硝酸根離子(NO2 -)、磷酸根離子(PO4 3-)、硫酸根離子(SO4 2-)、氟離子(F-)、硼酸離子(BO3 2-)、亞硫酸根離子(SO3 2-)、氯酸根離子(ClO3 -)、碳酸氫根離子(CHO3 -)、溴離子(Br-)、碘離子(I-)、或包含前述陰離子之至少一者的組合。至少一種陰離子更佳係選自醋酸根離子、硝酸根離子、以及氯離子。至少一陰離子最佳係醋酸根離子。金屬鹽較佳選自醋酸鋅、醋酸銦、氯化鋅、氯化銦、硝酸銦及硝酸鋅。金屬鹽最佳係醋酸鋅。
基於金屬鹽與溶劑之混合物的總重量，組合物較佳係包含0.1至20重量%，且最佳為0.1至5重量%的金屬鹽。
金屬鹽較佳係分散於溶劑中。本領域具通常知識者將知道基於所用的基材與金屬鹽而選擇一合適的溶劑。該溶劑可溶解金屬鹽且其驅使金屬氧化物的形成而非金屬氫氧化物。在一實施態樣中，該溶劑係非質子性溶劑。在另一實施態樣中，該溶劑係質子性溶劑。在另一實施態樣中，該溶劑係一極性溶劑。在又一實施態樣中，該溶劑係一非極性溶劑。非極性溶劑的實例係
戊烷、環戊烷、己烷、環已烷、苯、甲苯、1,4-二(1,4-dioxane)、氯仿、二乙醚等。極性非質子性溶劑的實例係二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二甲基亞碸、伸丙基碳酸酯等。該溶劑較佳係選自以下群組：甲酸、正丁醇、異丙醇、正丙醇、乙醇、甲醇、醋酸、氫氧化銨、硝基甲烷及其組合。該溶劑最佳係甲醇與氫氧化銨的組合。
基於金屬鹽與溶劑之混合物的總重，組合物較佳係包含80至99.9重量%、更佳為90至99.9重量%；且最佳為95至99.9重量%的溶劑。
該方法較佳更包含添加一pH試劑。選擇該pH試劑而調整金屬鹽與溶劑之反應混合物的pH至一有利於使金屬氧化物之形成超過金屬氫氧化物之形成的pH。本領域具通常知識者將知道應取決於所採用的特定金屬鹽與溶劑而選擇合適的pH。
在一實施態樣中，該pH試劑係一鹼。在另一實施態樣中，該pH試劑係一酸。合適的鹼性pH試劑的實例包括氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋇(Ba(OH)2)、氫氧化銫(CsOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鍶(Sr(OH)2)、氫氧化鈣(Ca(OH)2)、氫氧化鋰(LiOH)、氫氧化銣(RbOH)、二異丙胺鋰(LDA)(C6H14LiN)、二乙胺鋰(LDEA)、胺化鈉(NaNH2)、氫化鈉(NaH)、雙(三甲矽)醯胺化鋰(((CH3)3Si)2NLi)、氫氧化銨(NH4OH)等。
合適的酸性pH試劑的實例包括氫氯酸(HCl)、氫碘酸(HI)、氫溴酸(HBr)、過氯酸(HClO4)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)等。在一例示性實施態樣中，pH試劑係一鹼且金屬鹽
中的金屬係鋅或銦。
在一實施態樣中，金屬鹽與溶劑之混合物的pH係1
至14，具體為3至12，且更具體為4至10。在另一實施態樣中，金屬鹽與溶劑之溶合物的pH係1至7，具體為2至6，且更具體為3至5。
在另一實施態樣中，金屬鹽與溶劑之混合物的pH係7至14，具體為8至12，且更具體為9至11。例示性的pH係8至12。添加至金屬鹽與溶劑的pH試劑係促進金屬鹽分子間的反應或金屬鹽與配基的反應而製造顆粒。在一實施態樣中，所用的金屬氧化物與溶劑的pH在反應起始時可為酸性(即，少於7)，而在反應結束時的pH可為鹼性(即，大於7)。此係藉由首先使用一酸性pH試劑且隨後在反應進行至某個所欲程度後添加一鹼性pH試劑而達成。在另一實施態樣中，所用的金屬氧化物與溶劑的pH在反應起始時可為鹼性(即，大於7)，而在反應結束時的pH可為酸性(即，少於7)。此係藉由首先使用一鹼性pH試劑且隨後在反應進行至某個所欲程度後添加一酸性pH試劑而達成。
基於本文所提供的技術，本領域具通常知識者將可
經由參考相關組成之波貝克斯圖(Pourbaix diagram)而選擇合宜的pH範圍，以與所採用的特定金屬鹽與溶劑一起使用。雖然波貝克斯圖一般係針對水性環境之定義，可為本文的溶劑系統開發類似的圖表。在此波貝克斯圖中的線條係顯示平衡條件，意即，在線條各側之物種(或反應產物)的活性係相等的。在該線條二側之任一，物種的一形式將反而被稱為主要的物種。選擇pH、及/或合適的pH試劑，從而使金屬氧化物物種的形成相較於金屬氫氧
化物物種係主要的。
基於金屬鹽與溶劑的反應混合物的總重量%，該反應
混合物較佳包含0.01至10重量%，更佳高於0.05至5重量%；且最佳高於0.1至1重量%的pH試劑。
該方法較佳更包含添加一配基至金屬鹽與溶劑的反
應混合物。合適的配基的實例包括碘離子(I-)、溴離子(Br-)、硫離子(S2 -)、硫氰酸根離子(S-CN-)、氯離子(Cl-)、硝酸根離子(O-NO2 -)、疊氮離子(N-N2 -)、氟離子(F-)、氫氧根離子(OH-)、草酸根離子(C2O4 2-)、亞硝酸根離子(O-N-O-)、異硫氫酸根離子(N=C=S-)、乙腈(CH3CN)、吡啶(C5H5N)、氨(NH3)、伸乙基二胺、2,2’-聯吡啶(2,2’-bipyridine)、1,10-啡啉(1,10-phenanthrolines)、三苯基磷(triphenylphosphones，PPh3)、氰離子(CN-)以及、一氧化碳(CO)。該等配基係幫助穩定所形成的顆粒而不沉澱。
在本發明的方法中，顆粒、金屬鹽、溶劑與pH試劑較佳係充入一反應器。該反應器可為一批次反應器或一連續式反應器。如果使用一批次反應器，其可安裝有一濃縮器(condenser)。pH試劑的添加一般係促進金屬鹽之間的反應以製造顆粒。可攪拌反應器的內容物且若需要則視需要升高反應器的溫度。可提高反應器的溫度至大於溶劑的沸點而增加反應的速率。在一實施態樣中，若需要可增加反應器的溫度自50至150℃。反應器中的壓力可自低於大氣壓至每平方英吋30磅。
在反應中，金屬鹽與其自身反應而製造顆粒。如上
記載，顆粒係包含金屬氧化物物種與金屬氫氧化物物種。顆粒中的金屬氧化物物種相較於顆粒中的金屬氫氧化物物種係以較大的量存在。所得顆粒較佳為藉由來自金屬鹽的陰離子或藉由所添加配基之一而封裝。顆粒的封裝係促進顆粒在溶劑中懸浮且幫助穩定顆粒免於沉澱。
如本文中所使用，用語「金屬氧化物」係指稱一種
具有至少一金屬原子與至少一個氧原子(其中該氧原子係鍵結至另一個金屬原子或另一個氧原子)的化合物，該氧原子係具有與該金屬原子共價鍵結之可變化學計量。用語金屬氫氧化物係包括一共價鍵結至羥基基團的金屬原子。在一實施態樣中，顆粒中的金屬氧化物(其用於形成薄膜)係一包含至少二個不同金屬原子之混合的金屬氧化物(例如，含有鋁與矽二者的鋁矽酸鹽)。在另一實施態樣中，顆粒中的金屬氧化物可包含二或多個混合的金屬氧化物(例如，氧化矽與氧化鋁、氧化鋯與氧化鈦等)。
顆粒可為電性傳導的、電性半導的、電性絕緣的、
或其組合。金屬氧化物顆粒較佳為透明的、電性絕緣的金屬氧化物。合適的透明、電性絕緣的金屬氧化物的實例包括氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋯(ZrO2)、或包含前述透明、電性絕緣的金屬氧化物之至少一者的組合。
顆粒中的金屬氧化物較佳為電性傳導或半導的金屬
氧化物，亦稱為透明導電氧化物(TCO)。合適的透明電性傳導或半導之金屬氧化物的實例包括氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、
氧化鎘(CdO)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化錫(SnO或SnO2)、或包含前述至少一者的組合。合適的透明導電金屬氧化物奈米顆粒的實例(其中該金屬氧化物係一混合的金屬氧化物)包括銦錫氧化物(InSnO)、鎘錫氧化物(Cd2SnO4)、鋅錫氧化物(Zn2SnO4)、銦鋅氧化物(InZnO)、或包含前述透明電性傳導或半導的金屬氧化物之至少一者的組合。
顆粒較佳係具有各種形狀，包括球形、柱形(rod)、
刻面結晶形(faceted crystalline shapes)、不規則形、或包含前述之至少一者的組合。在一例示性實施態樣中，顆粒具有刻面結晶形。
基於顆粒的總莫耳數，顆粒較佳係具有多於50莫耳
%、更佳為至少65莫耳%、又更佳為至少80莫耳%、最佳為至少85莫耳%的總金屬氧化物含量。基於顆粒的總莫耳數，顆粒較佳係具有少於或等於35莫耳%、更佳為少於或等於20莫耳%、最佳為少於或等於15莫耳%的總金屬氫氧化物含量。使用X光光電子光譜(XPS)測量組合物之總金屬氧化物含量與總金屬氫氧化物含量。
顆粒中金屬氧化物物種對金屬氫氧化物物種的莫耳
比例係至少1.2：1，更佳為大於2：1，又更佳為大於3：1，且最佳為大於4：1。
隨後安置該反應混合物於一基材上。較佳地藉由例
如離心、拆模(decentering)、或過濾而自安置反應混合物至基材上之前的反應混合物移除部分溶劑。較佳地藉由選自以下之方法而安置反應混合物於基材上：旋轉塗佈、浸漬塗佈、刮刀刮塗
(doctor blading)、輥塗佈、噴塗、濺鍍、噴墨印刷、凹版印刷、狹縫塗佈、網版印刷或包含前述至少一者的組合。
安置於基材上的反應混合物較佳係經退火而形成一塗層(即，薄膜)於基材上。具有反應混合物於其上的基材較佳係在少於或等於200℃，更佳在少於或等於180℃，且最佳在少於或等於150℃的溫度下退火。可使用任何合適的方法實施薄膜的退火，包括熱學上的加熱及/或經雷射或光學輻照的能量吸收、電流輔助退火、火花電漿退火、微波加熱等。薄膜較佳係在大氣壓力下經熱學方式退火。退火後之薄膜具有較佳為50至2000奈米，更佳為100至1500奈米、且最佳為500至1000奈米的厚度。
在薄膜形成後，其可經n型或p型摻雜物摻雜而增加其電傳導性。n型或p型摻雜物可為任何選自元素週期表之III與V族之合適的摻雜劑等、或包含前述之至少一者的組合。合適的摻雜劑的實例係銻、砷、磷、硼、氟、鋁、鎵、鈮、鉬、鈉、錳、鋯、鉑、鎢、鑭、鍶、銅或包含前述之至少一者的組合。經摻雜的顆粒的實例係鋁-摻雜之氧化鋅、銦-摻雜之氧化鎘、鈮-摻雜之二氧化鈦、鈦酸鋇、或包含前述之至少一者的組合。
經退火的薄膜較佳為光學透明的。如根據ASTM D1003使用HunterLab Ultra Scan(亨特萊勃超級掃瞄)XE光譜儀所量測，經退火的薄膜更佳在可見光區(400至700奈米)展現大於80%、最佳大於90%的總穿透量。
經退火的薄膜亦較佳地展現相對寬廣的光學能帶間隙。其中能帶間隙較佳為至少1電子伏特，更佳為至少約2電子伏
特，且最佳為至少3電子伏特。在像素電晶體中的損漏(leakage)有限制顯示像素中的對比的傾向，因為損漏造成在較亮的灰色陰影中出現黑色。在薄膜電晶體中寬廣的能帶間隙可減少薄膜電晶體中的損漏，從而增加薄膜電晶體的顯示對比。
可使用該薄膜作為薄膜電晶體。導電或半導薄膜較
佳係併入電子顯示產品中作為一薄膜電晶體(TFT)。藉由沉積包括半導或導電主動層、介電層的薄膜於一支撐基材上而形成TFT。
可使用任意合適的方法形成TFT，包括但不限於，一頂閘極方法或一底閘極方法。在頂閘極方法中，首先形成一通道薄膜，且在通道薄膜形成後沉積一閘極絕緣體與一閘極電極。在底閘極方法中，形成一通道薄膜而覆蓋先前沉積的閘極電極與閘極絕緣體。
從任何合適材料形成閘極絕緣體，包括但不限於，二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氧化鉿等、或包含前述之至少一者的組合。自任何合適的導體及/或半導體形成閘極與源極/汲極電極，包括但不限於，金屬、經重度摻雜的半導體或透明導體，或包含前述之至少一者的組合。
包含一如本文中所述而製造的經退火的薄膜的TFT較佳係展現大於0.1cm2/V-s(平方公分/伏特-秒)的場校移動率(field effect mobility)，較佳在150℃下測得0.1至0.5cm2/V-s且在200℃下測得1至2cm2/V-s的場效移動率。自該TFT的電性特徵測定移動率。用語「移動率」係指稱在薄膜中電子或電洞的移動率。較高的移動率導致薄膜電晶體的快速切換(switching)及/或較大電流。較大電流相應地增加TFT顯示器的速度與亮度。
當在顯示器中用作畫素電晶體時，薄膜的良好透明度較佳係
允許增加TFT的尺寸或面積，在無需增加操作電壓下，允許較大量的電流通過TFT。
包含本文中所述薄膜的TFT較佳係展現開狀態(on
state)至關狀態(off state)電流的高比例(ION/IOFF)。薄膜的切換較佳係展現大於約104的ION/IOFF比例。薄膜的切換更佳係展現等於或大於約106的ION/IOFF比例。
本文中所述的組合物與方法係提供具有良好透明
度、良好亮度、寬廣的能帶間隙、及/或高移動率的薄膜與薄膜電晶體。pH、pH試劑及/或金屬鹽的具體選擇係用於製造薄膜允許其中的反應合適於驅使金屬氧化物物種之形成超過金屬氫氧化物物種之形成。由此，薄膜賦予一或多個上述性質至電子顯示產品，在其中所使用的薄膜係能在顯著較低的溫度下形成，從而減少能量及/或製程成本。
本發明進一步藉由以下非限制性實施例說明。
引入此實施例以顯示在低溫下溶膠-凝膠(sol-gel)沉積期間所形成的金屬氧化物奈米顆粒的有利形成。在此實施例中，藉由混合0.439公克的醋酸鋅金屬鹽、作為溶劑之10毫升的甲醇與120微升的氫氧化銨(NH4OH)pH試劑在pH為11下合成金屬氧化物奈米顆粒。沉積反應產物於玻璃基材上且在150至200℃的
溫度下退火。
藉由X光光譜學(XPS)分析所得薄膜，其結果顯示
於第1圖中。第1圖係本文中所述薄膜的以每秒計數之強度(CPS)對結合能量(eV)的XPS光譜圖。
可藉由第1圖中的結果看出，獲得金屬氧化物奈米顆
粒的有利形成且抑制氫氧化物的生成，連同薄膜的50.53%由金屬氧化物構成且49.47%由金屬氫氧化物構成。換言之，至少一半的氧係金屬氧化物的部分，另一半為金屬氫氧化物的部分。
所得氧化鋅奈米顆粒具有約10至20奈米的平均尺寸
且形態由多晶形所構成。產物薄膜展現在150℃下在0.1與0.5cm2/V-s之間的場效移動率且在200℃下在1至2cm2/V-s之間的場效移動率以及在150℃與200℃下106的切換值ION/IOFF。
當使用醋酸銦金屬鹽取代醋酸鋅而重覆實施例1
時，獲得相似的結果。所有上述樣品的結果亦經由X光繞射(XRD)分析而確認。
引入比較實施例2以顯示參考金屬氧化物顆粒未被活化直到退火至400℃的溫度。自合成獲得之0.02公克的3奈米直徑ZnO2的合成顆粒以溶液形式沉積於玻璃基材上以形成薄膜。薄膜隨後在遞增的溫度下退火。藉由1公克的醋酸鋅與0.3公克的NaOH在300毫升的2-丙醇中反應而合成顆粒。在15分鐘後，添加十二烷
基硫醇(dodecanethiol)封裝試劑(encapsulant)(~1毫升)。在2小時後，蒐集且純化所得經硫醇封裝的ZnO奈米顆粒。
藉由X光光譜(XPS)分析在退火前之經沉積的顆粒
與在退火後所得薄膜。第2圖係在退火前之經沉積顆粒的比較薄膜的每秒計數之強度(CPS)對結合能量(eV)的XPS光譜圖。第3圖係退火後之比較薄膜的每秒計數之強度(CPS)對結合能量(eV)的XPS光譜圖。
可藉由第2圖的結果看出，在退火前，在薄膜中經沉
積的顆粒主要為氫氧化物。雖然不欲由理論限制，此係可能因在低溫下氫氧化物的有利形成。相對的，參考第3圖，該薄膜未發生活化，即，轉化成金屬氧化物顆粒，直到退火溫度達到至少400℃。
實施例1與比較實施例2的結果顯示，藉由謹慎選擇
金屬鹽與pH，而抑制在低溫下氫氧化物的形成。
此發明可具體實施於多種不同形式，且應不解釋為
限於本文中所載的實施態樣。反而，提供此等實施態樣從而使揭露徹底且完整，且將完全地傳達本發明的範疇至本領域技藝人士。全文中相似的參考數值係指稱相似的元件。
本文中所用之術語係僅用於說明特定實施態樣之目
的且係不意欲限制。如本文中所使用，除非內文清楚的指出相反，單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該(the)」係意欲同樣包括複數形式。將進一步理解的是，用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」、或「包括(includes)」及/或「包括
(including)」當使用於此說明書時，係指明所述特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、及/或成分的存在，但不排除一或多個其他特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、成分、及/或其群組之存在或添加。
除非相反定義，本文中所使用的所有用語(包括技
術與科學用語)具有由本發明所屬技術領域中具通常技術者所通常理解的相同意涵。其將進一步理解的是，除非本文中有特別定義，如常用字典所定義者，該等用語應被詮釋為具有與本發明及相關技術的背景中其意涵相符的意涵，且將不被詮釋為理想化或過於形式的意義。
連接用語「包含」係包含連接用語「由…所組成」與「大致上由…所組成(consisting essentially of)」。
本文中所包括的所有數值範圍係可更換的且係包含端點與所有在端點之間的數值。
用語「水解」、「分解(decompose)」、「分解(decomposition)」及/或「可降解的(degradable)」係指稱將材料轉換成較小的組分、中間體、或最終產物。
本文中使用之用語「及/或」意指「及」以及「或」之二者。例如，「A及/B」意指A、B或A及B。
本發明雖已連同多個實施態樣而詳細地說明，然本發明係不限於此等所揭露的實施態樣。反而，可修飾本發明而併入任意數量的非在此之前述及的改變、調整、取代或均等排列組
合，但其係與本發明的範疇相當的。額外地，本發明之各種實施態樣雖已說明，其應理解為本發明的態樣可僅包括所述實施態樣的部分。據此，本發明並非被視為藉由前述說明所限制，而是僅藉由所附申請專利範圍之範疇所限制。
Claims (8)
- 一種用於製造薄膜之組合物，包含：一溶劑；複數個顆粒；該等顆粒係藉由一金屬鹽與其自身或與一配基反應而衍生；其中，該金屬鹽經由與其自身或與一配基反應而形成金屬氧化物、金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度受熱時，該等顆粒係具有一金屬氧化物含量實質上大於其金屬氫氧化物含量。
- 如請求項1之組合物，其中金屬氧化物含量與金屬氫氧化物含量的莫耳比係至少1.2：1。
- 如請求項1之組合物，其中在該金屬鹽中之一陽離子係鋅、錫、銦、鎵、鈦、鈮、鎢、鍶、鋯、或包含前述陽離子之至少一者的組合。
- 如請求項1之組合物，其中在該金屬鹽中之一陰離子係醋酸根離子(CH3COO-)、碳酸根離子(CO3 2-)、氯離子(Cl-)、檸檬酸根離子(HOC(COO-)(CH2COO-)2)、氰離子(C≡N-)、硝酸根離子(NO3 -)、亞硝酸根離子(NO2 -)、磷酸根離子(PO4 3-)、硫酸根離子(SO4 2-)、或包含前述陰離子之至少一者的組合。
- 如請求項1之組合物，其中該溶劑係溶解該金屬鹽。
- 如請求項1之組合物，更包含一pH試劑，其控制該組合物之pH為8至12。
- 一種方法，包含： 提供一基材，提供一金屬鹽，提供一溶劑，混合該金屬鹽與該溶劑以形成一反應混合物；其中該金屬鹽與其自身或與一配基反應以形成金屬氧化物及金屬氫氧化物；且其中，在少於或等於200℃的溫度下，該金屬氧化物含量係高於該金屬氫氧化物的含量；添加一pH試劑至該反應混合物，其中調整該反應混合物的pH以促進在該反應混合物中相較於金屬氫氧化物之金屬氧化物的形成；安置該反應混合物於該基材上以形成一薄膜；以及，藉由在少於200℃的溫度下加熱以退火該薄膜而提供一退火膜(annealed film)，其中在該退火膜中金屬氧化物的莫耳濃度係超過在該退火薄膜中金屬氫氧化物的莫耳濃度。
- 如請求項7的方法，其中該反應混合物的pH係調整成8至13的pH。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/960,955 US9343202B2 (en) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | Transparent metal oxide nanoparticle compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| US13/960,955 | 2013-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201506495A true TW201506495A (zh) | 2015-02-16 |
| TWI638205B TWI638205B (zh) | 2018-10-11 |
Family
ID=52389058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103126558A TWI638205B (zh) | 2013-08-07 | 2014-08-04 | 用於製造薄膜之組合物及製造薄膜的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9343202B2 (zh) |
| JP (1) | JP2015057363A (zh) |
| KR (1) | KR20150017683A (zh) |
| CN (1) | CN104347728B (zh) |
| DE (1) | DE102014215609A1 (zh) |
| FR (1) | FR3009645B1 (zh) |
| TW (1) | TWI638205B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI657918B (zh) * | 2018-03-20 | 2019-05-01 | 崑山科技大學 | 具有摻鋁氧化鋅與摻錫氧化銦鍍膜之低輻射玻璃及其製備方法 |
| TWI686822B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-03-01 | 日商東洋紡股份有限公司 | 透明導電性薄膜 |
| TWI789531B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-01-11 | 日商鎧俠股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9343202B2 (en) * | 2013-08-07 | 2016-05-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent metal oxide nanoparticle compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| JP6275441B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ |
| CN106564931B (zh) * | 2015-09-22 | 2018-05-29 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种纳米晶体制备方法 |
| JP6670214B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-03-18 | 花王株式会社 | 金属酸化物の製造方法 |
| KR102185463B1 (ko) | 2016-10-25 | 2020-12-02 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 세슘텅스텐 산화물의 나노입자 및 쯔비터이온성 안정화제를 함유하는 분산액 및 분사가능 조성물 |
| WO2018080631A1 (en) | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Three-dimensional printing method |
| KR102372627B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2022-03-14 | 한국전자통신연구원 | 전도성 금속 페이스트 |
| WO2018174218A1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Ricoh Company, Ltd. | Coating liquid for forming metal oxide film, oxide film, field-effect transistor, and method for producing the same |
| JP2018160670A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-11 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、並びに酸化物膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
| US20250091894A1 (en) * | 2023-09-20 | 2025-03-20 | Kuwait University | METHOD OF PREPARING MESOPOROUS CuO MATERIALS |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2514166B2 (ja) * | 1994-04-05 | 1996-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法 |
| JP3437475B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を用いた光起電力素子 |
| JP2000243991A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Canon Inc | 酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した半導体素子 |
| TW463384B (en) * | 2000-06-15 | 2001-11-11 | Shr Min | Thin film transistor having subgate and Schottky source/drain and the manufacturing method thereof |
| JP4248224B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2009-04-02 | 株式会社日本触媒 | 酸化亜鉛薄膜 |
| ES2848387T3 (es) | 2004-06-25 | 2021-08-09 | Very Small Particle Company Pty Ltd | Procedimiento para la producción de partículas de grano fino |
| CN1622283A (zh) | 2004-12-15 | 2005-06-01 | 贺平 | 复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 |
| US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| EP1905064A2 (en) | 2005-06-24 | 2008-04-02 | Applied Nanoworks, Inc. | Nanoparticles and method of making thereof |
| KR100761085B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기박막트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광소자 |
| JP5008433B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化亜鉛結晶の製造方法 |
| US20080286907A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Xerox Corporation | Semiconductor layer for thin film transistors |
| WO2009031381A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ |
| WO2009070154A1 (en) * | 2007-11-26 | 2009-06-04 | University Of Alaska Fairbanks | Direct vapor phase process for synthesis of microspheres in network of nanowires |
| JP2009179534A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Rohm Co Ltd | ＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法 |
| WO2009097150A2 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Northwestern University | Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors |
| JP2010010175A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
| US8553333B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-10-08 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Nanostructured anti-reflective coatings for substrates |
| JP5339372B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2013-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Ｚｎ（ＯＨ）２ナノシートとＺｎＯナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ＺｎＯナノシートとＺｎＯナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、およびそれらの作製方法 |
| WO2012169612A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 堺化学工業株式会社 | 放射状酸化亜鉛粒子、その製造方法、放熱性フィラー及び化粧料 |
| JP5871004B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-03-01 | 株式会社ニコン | 酸化亜鉛薄膜の製造方法及び酸化亜鉛薄膜を備えるデバイスの製造方法 |
| US8252256B2 (en) * | 2012-01-01 | 2012-08-28 | King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST) | Synthesis of zinc-oxide nanoparticles and their use for photo catalytic degradation of cyanide |
| US9343202B2 (en) * | 2013-08-07 | 2016-05-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent metal oxide nanoparticle compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
-
2013
- 2013-08-07 US US13/960,955 patent/US9343202B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-04 FR FR1457566A patent/FR3009645B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-04 TW TW103126558A patent/TWI638205B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-08-07 JP JP2014161930A patent/JP2015057363A/ja not_active Ceased
- 2014-08-07 KR KR1020140101765A patent/KR20150017683A/ko not_active Withdrawn
- 2014-08-07 CN CN201410387100.4A patent/CN104347728B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-07 DE DE102014215609.2A patent/DE102014215609A1/de not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI686822B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-03-01 | 日商東洋紡股份有限公司 | 透明導電性薄膜 |
| US10585505B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-03-10 | Toyobo Co., Ltd. | Transparent conductive film |
| TWI697917B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-07-01 | 日商東洋紡股份有限公司 | 透明導電性薄膜 |
| US11181998B2 (en) | 2015-03-31 | 2021-11-23 | Toyobo Co., Ltd. | Transparent conductive film |
| TWI657918B (zh) * | 2018-03-20 | 2019-05-01 | 崑山科技大學 | 具有摻鋁氧化鋅與摻錫氧化銦鍍膜之低輻射玻璃及其製備方法 |
| TWI789531B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-01-11 | 日商鎧俠股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150017683A (ko) | 2015-02-17 |
| FR3009645A1 (zh) | 2015-02-13 |
| FR3009645B1 (fr) | 2016-04-15 |
| US20150044361A1 (en) | 2015-02-12 |
| JP2015057363A (ja) | 2015-03-26 |
| CN104347728A (zh) | 2015-02-11 |
| TWI638205B (zh) | 2018-10-11 |
| US9343202B2 (en) | 2016-05-17 |
| CN104347728B (zh) | 2019-12-03 |
| DE102014215609A1 (de) | 2015-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI638205B (zh) | 用於製造薄膜之組合物及製造薄膜的方法 | |
| Jeong et al. | Low-temperature, solution-processed metal oxide thin film transistors | |
| Elangovan et al. | A study on low cost-high conducting fluorine and antimony-doped tin oxide thin films | |
| US9353433B2 (en) | Method of fabricating liquid for oxide thin film | |
| TWI640479B (zh) | 複合氧化鎢奈米粒子之製造方法 | |
| KR101012217B1 (ko) | 산화아연 나노막대 제조 방법 | |
| Pronin et al. | Relationship between the photocatalytic and photoluminescence properties of zinc oxide doped with copper and manganese | |
| US20130292668A1 (en) | P-type transparent oxide semiconductor, transistor having the same, and manufacture method of the same | |
| KR20120039638A (ko) | 반도체 금속 산화물 입자 층에서 미립자간 접촉 부위를 개선하고 간극을 충전하기 위한 열 불안정성 전구체 화합물 | |
| Han et al. | Synthesis of metal sulfide sensitized zinc oxide-based core/shell/shell nanorods and their photoelectrochemical properties | |
| Cai et al. | Low temperature processed SnO2 films using aqueous precursor solutions | |
| Hosono et al. | Fabrication and electrical properties of micro/nanoporous ZnO∶ Al films | |
| Mrabet et al. | Mechanism of wettability conversion on sprayed Zn2SnO4 thin films surfaces modified by thermal annealing in air | |
| JP6563478B2 (ja) | 光電池用途のための混合酸化および硫化ビスマスおよび銅 | |
| Liu et al. | Growth mechanism, optical and photocatalytic properties of ZnO nanorods@ nanoflowers (quantum dots) hybrid nanostructures | |
| US20150064839A1 (en) | Method of forming tin oxide semiconductor thin film | |
| KR101096079B1 (ko) | 불소 도핑을 통한 용액 공정용 산화물 반도체 기반 박막 트랜지스터의 전기적 물성 제어 방법 | |
| JP2015157280A (ja) | アモルファス化合物ゲル、アモルファス化合物ゲルの製造方法、酸化物結晶体の製造方法、金属結晶体の製造方法、酸化物結晶体、及び金属結晶体 | |
| KR101567809B1 (ko) | 산화아연 전구체의 제조방법, 이로부터 수득되는 산화아연 전구체 및 산화아연 박막 | |
| Srivastava et al. | Effect of precursor solvent on the opto-electrical properties of spin coated transparent conducting ZnO: Ga thin films | |
| Wagata et al. | Non-seed chemical bath deposition of ZnO films in a rotating continuous flow reactor with various carboxylic acids and their application to transparent conductive films | |
| Al-Shehri et al. | Green synthesis of CuxO nanoscale MOS capacitors processed at low temperatures | |
| JP5597510B2 (ja) | コアシェル半導体微粒子 | |
| KR20170051833A (ko) | 전기적 특성이 우수한 ito 투명도전막의 제조 방법 | |
| CN1289400C (zh) | 掺锑氢氧化锡纳米微粉的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |