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TW201501284A - 具有光感測功能的發光顯示器 - Google Patents

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TW201501284A
TW201501284A TW102123136A TW102123136A TW201501284A TW 201501284 A TW201501284 A TW 201501284A TW 102123136 A TW102123136 A TW 102123136A TW 102123136 A TW102123136 A TW 102123136A TW 201501284 A TW201501284 A TW 201501284A
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TW
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light
layer
oxide
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function according
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TW102123136A
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Inventor
Jian-Shihn Tsang
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority to TW102123136A priority Critical patent/TW201501284A/zh
Priority to US14/221,237 priority patent/US20150001527A1/en
Publication of TW201501284A publication Critical patent/TW201501284A/zh

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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

一種具有光感測功能的發光顯示器，其包括至少一發光二極體、至少一薄膜電晶體、至少一感光元件以及一連接層，該發光二極體形成在一第一基板上，該薄膜電晶體與該感光元件電性連接並形成在一第二基板上，該連接層連接該第一基板與該第二基板，使該發光二極體與該薄膜電晶體電性連結，該發光二極體發出一光線，該感光元件位於該發光二極體的發光路徑上，但該薄膜電晶體與該發光二極體的相對位置錯開。本發明通過該發光二極體的使用特性以及以該感光元件偵測控制該發光二極體的光強度，可有效解決有機發光二極體的壽命劣化與顯示畫面色偏的問題。

Description

具有光感測功能的發光顯示器
一種具有光感測功能的發光顯示器，尤指發光二極體與薄膜電晶體直接接合構成的電路中，以氧化物半導體作為光感測器的一種具有光感測功能的發光顯示器。
近年來，平面顯示器已經被廣泛的使用在電視、商品資訊顯示屏、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦以及AIO(All-in one)電腦。目前所使用的平面顯示器，主要是以背光模組加上薄膜電晶體所形成的背板，利用控制液晶的偏轉，形成薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)。對於下一世代的省電、高畫質和高解析度的平面顯示器需求，現今所發展的除了縮短畫素單位面積，增加開口率，使用低溫多晶矽(Low temperature poly-silicon, LTPS) 材料外，採用有機材料來製作有機發光二極體，也是另一種技術選擇的方法。然而，有機發光二極體中有機發光材料的壽命，製作的複雜度以及良率等問題，使得主動式有機發光二極體的應用，只限於中小尺寸的顯示應用上。而且，因為有機發光二極體顯示器的各顏色有機發光材料其壽命與發光效率不同，因此會產生影像畫面色偏的問題。
有鑑於此，有必要提供可有效控制或補償有機發光二極體的光強度以及使用壽命的一種具有光感測功能的發光顯示器。
一種具有光感測功能的發光顯示器，其包括至少一發光二極體、至少一薄膜電晶體、至少一感光元件以及一連接層，該發光二極體形成在一第一基板上，該薄膜電晶體與該感光元件電性連接並形成在一第二基板上，該連接層連接該第一基板與該第二基板，使該發光二極體與該薄膜電晶體電性連結，該發光二極體發出一光線，該感光元件位於該發光二極體的發光路徑上，但該薄膜電晶體與該發光二極體的相對位置錯開。
相較現有技術，本發明具有光感測功能的發光顯示器，是以該發光二極體與薄膜電晶體構成的電路直接接合，通過該發光二極體形成的氮化物發光二極體具有高耐壓、高耐溫及高抗氧性的特性，可有效解決有機發光二極體的壽命問題。再通過該薄膜電晶體的氧化物半導體具有高載子遷移率(Carrier mobility)，可高速掃瞄和快速充放電，故可作為一光感測器以偵測發光二極體的光強度，並利用電迴授(Feedback)控制發光二極體的光強度，解決顯示器影像畫面色偏的問題。
10‧‧‧發光顯示器
102‧‧‧第一基板
1022‧‧‧第一緩衝層
104‧‧‧第二基板
1042‧‧‧第二緩衝層
12‧‧‧發光二極體
120‧‧‧光線
121‧‧‧N型半導體層
122‧‧‧發光層
123‧‧‧P型半導體層
124‧‧‧接觸層
125‧‧‧電流擴散層
126‧‧‧P型電極
127‧‧‧N型電極
128、142‧‧‧絕緣層
14‧‧‧薄膜電晶體
141‧‧‧閘極電極
143‧‧‧活性層
144‧‧‧源極電極
145‧‧‧汲極電極
146‧‧‧金屬柱
15‧‧‧感光元件
152‧‧‧氧化物半導體層
154‧‧‧光電晶體
156‧‧‧蕭特基能障感光二極體
158‧‧‧PIN感光二極體
16‧‧‧連接層
162‧‧‧金屬
164‧‧‧透明導電氧化物
18‧‧‧螢光層
圖1係本發明具有光感測功能的發光顯示器的第一實施例的剖視圖。
圖2係圖1具有光感測功能的發光顯示器的第二實施例的剖視圖。
圖3係圖1具有光感測功能的發光顯示器的第三實施例的剖視圖。
圖4係圖1具有光感測功能的發光顯示器的第四實施例的剖視圖。
下面將結合附圖對本發明作一具體介紹。
請參閱圖1所示，為本發明具有光感測功能的發光顯示器的第一實施例的剖視圖。該具有光感測功能的發光顯示器10其包括至少一發光二極體12、至少一薄膜電晶體14、至少一感光元件15以及一連接層16，該發光二極體12形成在一第一基板102上，該薄膜電晶體14與該感光元件15電性連接並形成在一第二基板104上，其中該第一基板102以及該第二基板104材料是為藍寶石(Sapphire)、矽(Si)、矽玻璃(Silicon On Glass)、玻璃(Glass)、氧化鋁(AlO)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、塑膠或軟性基板其中之一。本發明所有的實施例中，該第一基板102材料是為藍寶石或矽玻璃，該第二基板104材料是為玻璃，而該發光二極體12是為氮化物發光二極體。該第一基板102的表面上設置有一第一緩衝層1022，該第一緩衝層1022上形成該發光二極體12。該第二基板104表面上設置有一第二緩衝層1042，該第二緩衝層1042上形成該薄膜電晶體14。該第一緩衝層1022以及該第二緩衝層1042是為絕緣緩衝層(Insulation Buffer Layer)，該第一緩衝層1022材料選自氮化鋁鎵銦 (AlGaInN)，碳化矽(SiC)，氧化鋅(ZnO)等至少其中之一或其中組合，該第二緩衝層1042材料選自氧化矽(SiOx)，氮化矽(SiNx)，氮氧化矽(SiON)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鉭(TaOx)或是鈦酸鍶鋇(BaSrTiOx)等至少其中之一或其中組合。優選的，該第一緩衝層1022以及該第二緩衝層1042材料是為低溫氮化鎵(CaN)或是氧化矽(SiOx)。
該發光二極體12自該第一基板102表面的該第一緩衝層1022上，依序形成包括有一N型半導體層121、一發光層122、一P型半導體層123、一接觸層(Contact Layer) 124以及一電流擴散層(Current Spreading Layer) 125，該電流擴散層125上形成有一P型電極126，該N型半導體層121的側邊形成有一N型電極127，該N型電極127與該P型電極126之間則形成有一絕緣層128。該絕緣層128區隔該N型電極127與該P型電極126，使該P型電極126位於遠離該第一基板102的上方位置。該P型電極126接觸的該電流擴散層125以及該電流擴散層125連接的該接觸層124中，該接觸層124是為歐姆接觸層，該電流擴散層125也可以是掺雜反轉層，用以使電流擴散增加該發光二極體12的發光效率。該發光層122可以是單量子井(Single Quantum Well)或是多量子井(Multiple Quantum Well)，材料是為氮化鋁鎵銦(AlGaInN)，該氮化鋁鎵銦(AlGaInN)成份標示為：
Alx Gay In(1-x-y) N，其中，0≦x≦1，0≦y≦1；
該發光二極體12可以發出一光線120，該光線120為紫外光(UV光)、藍光、綠光或其他可見光。優選的，該光線120波長可在300nm~550nm。
該薄膜電晶體14自該第二基板104表面的該第二緩衝層1042上，依序設置該薄膜電晶體14具有的閘極電極(Gate Electrode)141，該閘極電極141上具有一絕緣層(Insulation Layer)142以及一活性層(Active Layer) 143，該活性層143上設置該薄膜電晶體的源極電極(Source Electrode)144以及汲極電極(Drain Electrode)145。其中，該絕緣層142材料選自氧化矽(SiOx)，氮化矽(SiNx)，氮氧化矽(SiON)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鉭(TaOx)或是鈦酸鍶鋇(BaSrTiOx)。該活性層143是為光敏半導體活性層(Photosensitive Semiconductor Active Layer)，該光敏半導體活性層是一氧化物半導體。該活性層143的材料至少包含一金屬，該金屬選自銦(In)、鎵(Ca)、鋁(Al)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鉿(Hf)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鋇(Ba)以及鋯(Zr)其中之一。該活性層143材料是選自氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鋅鉿(InZnHfO)、氧化銦鋅鋯(InZnZrO)、氧化銦鋅錫(InZnSnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁銦鋅(AlInZnO)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁鋅(AlInZnO)。該源極電極143和汲極電極144可選自金屬電極、氧化物導電電極，或其中組合。
該感光元件15形成在該薄膜電晶體14的一側，該感光元件15包括一氧化物半導體層152，該氧化物半導體層152是為氧化物半導體活性層。該氧化物半導體層152材料至少包含一金屬，該金屬選自銦(In)、鎵(Ca)、鋁(Al)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鉿(Hf)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鋇(Ba)以及鋯(Zr)其中之一。該氧化物半導體層152材料是選自氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鋅鉿(InZnHfO)、氧化銦鋅鋯(InZnZrO)、氧化銦鋅錫(InZnSnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁銦鋅(AlInZnO)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁鋅(AlInZnO)。該感光元件15包含光電晶體(Photo transistor)154、蕭特基能障感光二極體(Schottky barrier photodiode)156或PIN感光二極體(PIN photodiode)158。
該連接層16是為一導電連接層，該連接層16用以連接該第一基板102與該第二基板104，使形成在該第一基板102上的該發光二極體12與形成在該第二基板104上的該薄膜電晶體14達成電性連結。該連接層16選自金屬、導電氧化物、導電膠、焊接劑(Solder)、奈米碳管(Carbon Nano tube, CNT)、石墨稀材料或其中組合或其中混合。即，該連接層16可以是多層結構，該連接層16多層結構是由金屬162與透明導電氧化物164所組成(如圖2所示)，該連接層16金屬162材料選自銦(In)、鎵(Ca)、鋁(Al)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、錫(Sn)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉍(Bi)以及鈷(Co)其中之一或其中合金。該連接層16透明導電氧化物164是可以選自氧化銦錫(InSnO)、氧化鋅錫(ZnSnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)、氧化銦鋅錫(InZnSnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鋅鉿(InZnHfO)、氧化銦鋅鋯(InZnZrO)。該連接層16也可以選自銀膠、錫鉍(SnBi)、錫鉍銅(SnBiCu)、錫鉍碲(SnBiTe) 、錫鉍硒(SnBiSe) 、鉍銻碲(BiSbTe) 、鉍碲硒(BiTeSe)或錫銀銅(SnAgCu)。
該發光顯示器10的該發光二極體12與該薄膜電晶體14是分別位於該第一基板102與該第二基板104的同側，進行相對性的電路直接接合。該相對性的電路接合通過該連接層16在該發光二極體12的該P型電極126與該薄膜電晶體14的該源極電極144或該汲極電極145之間進行連接。該P型電極126通過該連接層16連接該源極電極144或該汲極電極145達成電性連接。該發光二極體12與該薄膜電晶體14的相對位置，通過該連接層16而錯開，但位於該薄膜電晶體14一側的該感光元件15與該發光二極體12相對。因此，該感光元件15位於該發光二極體12的該光線120的發光路徑上，該薄膜電晶體14則不會在該光線120的發光路徑上。本第一實施例中，該感光元件15是為該光電晶體154，該光電晶體154的該氧化物半導體層152位於該光線120的光路徑上，用以偵測該發光二極體12的該光線120強度，並將光訊號轉變為電訊息，以通過電性連接的該薄膜電晶體14利用電迴授(Electrical feedback)方式控制或補償該發光二極體12的光強度。該薄膜電晶體14位於與該發光二極體12錯開的位置上，以避開該發光二極體12的該光線120直接照射該薄膜電晶體14的該活性層143。該薄膜電晶體14並包含一金屬電極(圖中未標示)，該金屬電極用以阻絕該發光二極體12發出的該光線120照射該薄膜電晶體14的該活性層143。該金屬電極設置於該薄膜電晶體14的該源極電極144或是該汲極電極145至少其中之一。該薄膜電晶體14的該源極電極144或是該汲極電極145的至少其中之一包含一金屬柱146，該金屬柱146電連接該源極電極144或是該汲極電極145與該連接層16。該金屬柱146也可以阻擋該發光二極體12發出的該光線120照射該薄膜電晶體14的該活性層143。該薄膜電晶體14與該發光二極體12接近的該源極電極144或是該汲極電極145的至少其中之一包含該金屬電極或是該金屬柱146。
該發光顯示器10進一步包括一螢光層18，該螢光層18設置於該發光顯示器10的內部，位於該發光二極體12的發光路徑上。該螢光層18在該電流擴散層125與該連接層16之內，位於該電流擴散層125兩側該P型電極126之間。該螢光層18在該發光二極體12的光路徑上吸收該發光二極體12所發出的該光線120，以轉換為另一波長的光。例如，紅光(R)、綠光(G)、藍光(B)、黃光(Y)或是黃綠光(YG) 。該螢光層18也可以吸收該發光二極體12所發出的一部分光線，轉換為另一波長的光線，該另一波長光線再與該發光二極體12未被吸收的光線混合成為一多波長光線。例如，白光。
本第二實施例的該發光顯示器10，相較於第一實施例不同在於該感光元件15是為該蕭特基能障感光二極體156 (如圖2所示)。該蕭特基能障感光二極體156電性連接在該薄膜電晶體14的一側，並位於該發光二極體12的發光路徑上。該蕭特基能障感光二極體156包含該氧化物半導體層152，該氧化物半導體層152偵測該發光二極體12的該光線120強度，通過電性連接的該薄膜電晶體14控制或補償該發光二極體12的光強度。相同地，第三實施例的該發光顯示器10，相較於第一實施例不同在於該感光元件15是為該PIN感光二極體158(如圖3所示)。該PIN感光二極體158電性連接在該薄膜電晶體14的一側，並位於該發光二極體12的發光路徑上。該PIN感光二極體158包含該氧化物半導體層152，該氧化物半導體層152偵測該發光二極體12的該光線120強度，再通過電性連接的該薄膜電晶體14控制或補償該發光二極體12的光強度。另外，該薄膜電晶體14的該源極電極144或是該汲極電極145的至少其中之一包含的該金屬柱146，在接近該發光二極體12的一側可電性連接該發光二極體12的該N型電極127(如圖4所示)。從而，該發光二極體12與該薄膜電晶體14之間也可以通過該N型電極127進行相對性的直接電路連接，有助於降低該發光顯示器10的製作成本。
本發明發光顯示器，通過該發光二極體的材料特性，可以有效解決有機材料劣化的壽命問題，同時以該感光元件偵測該發光二極體的光強度，以進行對該發光二極體光強度的控制與補償，使得影像畫面產生色偏的問題可以有效改善。
應該指出，上述實施例僅為本發明的較佳實施例，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
無
10‧‧‧發光顯示器
102‧‧‧第一基板
1022‧‧‧第一緩衝層
104‧‧‧第二基板
1042‧‧‧第二緩衝層
12‧‧‧發光二極體
120‧‧‧光線
121‧‧‧N型半導體層
122‧‧‧發光層
123‧‧‧P型半導體層
124‧‧‧接觸層
125‧‧‧電流擴散層
126‧‧‧P型電極
127‧‧‧N型電極
128、142‧‧‧絕緣層
14‧‧‧薄膜電晶體
141‧‧‧閘極電極
143‧‧‧活性層
144‧‧‧源極電極
145‧‧‧汲極電極
15‧‧‧感光元件
152‧‧‧氧化物半導體層
154‧‧‧光電晶體
16‧‧‧連接層
162‧‧‧金屬
164‧‧‧透明導電氧化物
18‧‧‧螢光層

Claims (29)

  1. 一種具有光感測功能的發光顯示器，其包括至少一發光二極體、至少一薄膜電晶體、至少一感光元件以及一連接層，該發光二極體形成在一第一基板上，該薄膜電晶體與該感光元件電性連接並形成在一第二基板上，該連接層連接該第一基板與該第二基板，使該發光二極體與該薄膜電晶體電性連結，該發光二極體發出一光線，該感光元件位於該發光二極體的發光路徑上，該薄膜電晶體與該發光二極體的相對位置錯開。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該第一基板以及該第二基板材料是為藍寶石、矽、矽玻璃、玻璃、氧化鋁、氮化鎵、氧化鋅、塑膠或軟性基板其中之一。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該第一基板材料是為藍寶石或矽玻璃，而該第二基板材料是為玻璃。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該第一基板表面上設置有一第一緩衝層，該第一緩衝層上形成該發光二極體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該第二基板表面上設置有一第二緩衝層，該第二緩衝層上形成該薄膜電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該第一基板及該第二基板上的該第一緩衝層以及該第二緩衝層是為絕緣緩衝層，該第一緩衝層以及該第二緩衝層至少其中之一的材料選自氮化鋁鎵銦或是氧化矽。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該發光二極體為氮化物發光二極體，該發光二極體自該第一緩衝層上，依序形成包括有一N型半導體層、一發光層、一P型半導體層、一接觸層以及一電流擴散層，該電流擴散層上形成一P型電極，該N型半導體層側邊形成一N型電極，該N型電極與該P型電極之間形成一絕緣層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該發光層材料是為氮化鋁鎵銦，該氮化鋁鎵銦成份標示為：Alx Gay In(1-x-y) N，其中，0≦x≦1，0≦y≦1。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該發光二極體可以發出波長在300nm~550nm的光線。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該薄膜電晶體自該第二緩衝層上，依序設置該薄膜電晶體具有的閘極電極，該閘極電極上具有一絕緣層以及一活性層，該活性層上設置該薄膜電晶體的源極電極以及汲極電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該絕緣層材料選自氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鋁、氧化鉭或是鈦酸鍶鋇，或是其中組合。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該活性層是為光敏半導體活性層，該光敏半導體活性層是一氧化物半導體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該活性層材料是選自氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅鉿、氧化銦鋅鋯、氧化銦鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋁銦鋅、氧化鋅或氧化鋁鋅，或是其中組合。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該活性層的材料至少包含一金屬，該金屬選自銦、鎵、鋁、鋅、鎘、鈣、鉬、錫、鉿、銅、鈦、鋇以及鋯其中之一。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該薄膜電晶體包含一金屬電極，該金屬電極設置於該薄膜電晶體的該源極電極或是該汲極電極至少其中之一。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該源極電極或是該汲極電極的至少其中之一包含一金屬柱，該金屬柱電連接該發光二極體。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該金屬柱在接近該發光二極體的一側可電性連接該發光二極體的該N型電極。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該感光元件包含光電晶體、蕭特基能障感光二極體或PIN感光二極體。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該感光元件包括一氧化物半導體層，該氧化物半導體層是為氧化物半導體活性層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該氧化物半導體層材料是選自氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅鉿、氧化銦鋅鋯、氧化銦鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋁銦鋅、氧化鋅或氧化鋁鋅，或其中組合。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該氧化物半導體層材料至少包含一金屬，該金屬選自銦、鎵、鋁、鋅、鎘、鈣、鉬、錫、鉿、銅、鈦、鋇以及鋯其中之一。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該連接層是為一導電連接層，該連接層選自金屬、導電氧化物、導電膠、焊接劑、奈米碳管、石墨稀材料或其中組合或其中混合。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該連接層是多層結構，該連接層多層結構是由金屬與透明導電氧化物所組成。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該金屬材料選自銦、鎵、鋁、鋅、鉻、鎳、鉬、錫、銀、金、銅、鈦、鉍以及鈷其中之一或其中合金。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該透明導電氧化物是氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅、氧化鋁鋅、氧化銦鋅錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅鉿、氧化銦鋅鋯。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該發光二極體與該薄膜電晶體分別位於該第一基板與該第二基板的同側，通過該連接層在該發光二極體的該P型電極與該薄膜電晶體的該源極電極或該汲極電極間進行相對性的電路接合。
  27. 如申請專利範圍第1項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該發光顯示器進一步包括一螢光層。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該螢光層位於該發光二極體的發光路徑上，吸收該發光二極體所發出的光線，轉換為另一波長的光。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之具有光感測功能的發光顯示器，其中，該螢光層吸收該發光二極體所發出的一部分光線，轉換為另一波長的光線，該另一波長光線再與該發光二極體未被吸收的光線混合成為一多波長光線。
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