TW201340409A

TW201340409A - 發光二極體、封裝件與製造方法

Info

Publication number: TW201340409A
Application number: TW101122259A
Authority: TW
Inventors: Jia-Fen Sin; Lyu-Ming Lai; Ying-Chung Chen
Original assignee: Advanced Semiconductor Eng
Priority date: 2012-03-20
Filing date: 2012-06-21
Publication date: 2013-10-01
Also published as: CN103325929B; CN103325929A; CN105514252B; US20130249387A1; CN105514252A

Abstract

發光二極體元件包括發光二極體晶片及螢光層。發光二極體晶片具有出光面且至少一接墊。螢光層形成於出光面上並露出至少一接墊，螢光層包括數個螢光粒子及基體，其中此些螢光粒子之至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋設於基體內，而第二部分突出於基體之外表面。

Description

發光二極體、封裝件與製造方法

本發明是有關於一種發光二極體、包含發光二極體之封裝件及形成發光二極體封裝件之方法。

發光二極體或雷射二極體廣泛地使用在很多應用。一半導體發光裝置包括具有一個或多個半導體層的一發光二極體。當此些層結構件接受能量時，可發射一致或非一致的光線。在製造過程中，多數的發光二極體半導體晶片形成於半導體晶圓中。晶圓被針探及測試，以精確地鑑定各晶片的顏色特性，如色溫。然後，晶圓被切割，以切割晶圓成多個晶片。發光二極體晶片一般被封裝以提供外部電性連接部、散熱鰭片、透鏡或導波器(waveguide)、環境保護及/或其它特徵。傳統形成發光二極體封裝件的方法包括例如是晶片黏結、打線、包覆、測試等製程。

結合一螢光劑到發光二極體封裝件是有需求的，以提升在一特定頻帶的發射輻射(emitted radiation)及/或以轉換至少一些輻射至另外頻帶。傳統地，螢光劑被包含於發光二極體晶片的封裝過程。在一技術中，螢光劑可懸浮於發光二極體封裝件之封裝膠體中。在另一技術中，於黏晶與打線接合之步驟後，螢光劑可藉由點膠或噴射塗佈直接地包覆於發光二極體晶片上。

然而，在點膠方法中，去控制螢光劑的厚度是困難的。螢光劑厚度的差異造成自發光二極體封裝件輸出之光線的非一致性。噴射塗佈方法提供較佳的厚度控制，但因為螢光劑有時覆蓋部分的工件而非需求部位，使得由於螢光劑的浪費而變得昂貴。

在螢光劑添加後，另一測試可以被執行以決定具有螢光劑的發光二極體晶片的發光是否符合所要的色彩特性，如色溫。任何未獲滿意的封裝件可被丟棄或重工。重工一般涉及到手動移除昂貴的螢光劑或手動增加額外的螢光劑以彌補一螢光劑的不足。手動過程明顯地增加手工成本。

已有人提出透過一可圖案化膜或網板印刷將一螢光塗層塗佈於一半導體發光二極體晶圓上(同時露出各晶片的接合墊)。然而，可圖案化膜需要一昂貴光罩。網板印刷無法選擇性地提供塗佈一非常薄的螢光層，一般在100微米以下，此螢光層包括具有直徑5至15微米的螢光粒子。

發光二極體、封裝件及製造方法的多個實施例具有數個特徵，各實施例並不受到本身揭露所限定。實施例的範圍不受申請專利範圍所限，其突出的特徵將簡要地描述。在參照以下描述，特別是閱讀”實施方式”後，應可了解本實施例的特徵如何提供本文的效果。

本發明一實施例具有一簡單且有效的方法，選擇性地塗佈一螢光塗層在一半導體晶圓，可在切割及晶片封裝前提供進行晶圓級色彩測試。

根據本發明之一實施例，提出一種發光二極體元件。發光二極體元件包括發光二極體晶片，發光二極體晶片具有一出光面及至少一接墊。發光二極體元件更包括形成於出光面上並露出至少一接墊的一螢光層，螢光層包括複數個螢光粒子及基體，其中此些螢光粒子之至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋設於基體內，而第二部分突出於基體之外表面。

根據本發明之另一實施例，提出一種發光二極體封裝件。發光二極體封裝件包括一基板及置於基板上的一發光二極體元件。發光二極體元件包括一具有一出光面的發光二極體晶片及至少一接墊。發光二極體元件更包括一形成於出光面上並露出至少一接墊的螢光層。螢光層包括複數個螢光粒子及一基體，其中此些螢光粒子之至少一些具有一第一部分及一第二部分，第一部分埋設於基體內，第二部分突出於基體之一外表面。發光二極體封裝件更包括至少一電性元件電性連接發光二極體晶片之至少一接墊至基板。發光二極體封裝件更包括一封裝膠體包覆發光二極體晶片及至少一電性元件。

根據本發明之另一實施例，提出一種晶片的製造方法。晶片具有一第一面及數個接墊，此些接墊設於第一面上。製造方法包括以下步驟。提供一暫時基板，暫時基板包括一結合面及數個突出部，此些突出部設於結合面上，暫時基板上之此些突出部的位置對應於晶片之第一面上之此些接墊的位置；形成一黏貼層於各突出部；結合暫時基板至晶片，使此些突出部藉由黏貼層連接於各別對應之接墊，其中暫時基板之結合面面向晶片之第一面，且一點膠空間形成於結合面與第一面之間；填入一膠體於點膠空間內，以形成一膠層包覆此些接墊、此些突出部及黏貼層；以及，移除暫時基板而將此些接墊與此些突出部及黏貼層分離，並於膠層內形成數個開孔，此些開孔露出各別對應之此些接墊。

請參照第1圖，其繪示依照本發明一實施例之發光二極體封裝件之剖視圖。發光二極體封裝件100包括一基板110、一發光二極體元件120、數個電性元件130及一封裝膠體140。發光二極體元件120包括發光二極體晶片121及螢光層122。

發光二極體晶片121可包括一發光二極體、一雷射二極體或另一包含一層或多層半導體層的裝置。半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或任何其它半導體材料。發光二極體晶片121更可包括一基板(未繪示)，其可以是藍寶石(sapphire)、矽、碳化矽、氮化鎵或其它材料。發光二極體晶片121更可包括一或更多接觸層(未繪示)，其可包括金屬或任何其它導電材料。

基板110包括一上表面110u，其具有至少一電性接點111。基板可以是矽中介層(silicon interposer)、一陶瓷基板、一印刷電路板或其它種類基板。電性接點111可以是接墊或任何其它種類接點。

發光二極體晶片121設於基板110之上表面110u上。本實施例中，發光二極體晶片121係以朝上(face-up)方位設於基板110上，且透過電性元件130，例如是導線，電性連接基板110。發光二極體晶片121具有出光面121u且包括數個接墊1211，各接墊1211具有上表面1211u(如第1圖之放大圖A’)。

螢光層122形成於出光面121u上。螢光層122具有數個凹部122a，其分別露出數個接墊1211。本實施例中，螢光層122突出於接墊1211之上表面1211u(如第1圖之局部A’的放大圖所示)。螢光層122包括數個螢光粒子(phosphor particle)1221及基體1222，螢光粒子1221懸浮於一基體1222中。基體1222的材料可以是透明樹脂，例如透明矽膠。較佳地，螢光粒子1221實質上均勻地分佈於基體1222，使發光二極體封裝件100具有優良的色彩一致性。

許多螢光粒子1221完全地埋設於基體1222內。然而，如第1圖之局部A’的放大示意圖所示，一些位於基體1222的一外邊緣的螢光粒子1221僅部分地埋設。此些部分埋設的螢光粒子1221之一部分埋設於基體1222內，而另一部分突出於基體1222的外表面122s，藉以使外表面122s形成一粗糙結構，在特定封裝種類(例如氣腔封裝(air cavity package))只具有空氣或氣體填充於螢光層與出光面(例如是一透明蓋的表面)之間，此粗糙結構可增加整體出光效率，以降低在螢光層與空氣或氣體間之介面的內部的反射。

螢光粒子1221可提升發光二極體晶片121在一特定頻帶的發射輻射及/或轉換至少一些發射輻射(emitted radiation)至另外頻帶。在一實施例中，發光二極體晶片121可發射藍光，且螢光粒子1221可包含鈰摻雜釔鋁石榴石(YAG：Ce)(例如是(YGdTb)₃(AlGa)₅O₁₂：Ce)，其可轉換部分藍光為黃光，而產生白光。

或者，螢光粒子1221可包括(SrBaCaMg)₂SiO₄：Eu、(Sr,Ba,CaMg)₃SiO₅：Eu、CaAlSiN₃：Eu、CaScO₄：Ce、Ca₁₀(PO₄)FCl：SbMn、M₅(PO₄)₃Cl：Eu、BaBg₂Al₁₆O₂₇：Eu、Ba、MgAl₁₆O₂₇：Eu、Mn、3.5MgO．0.5MgF₂．GeO₂：Mn、Y₂O₂S：Eu、Mg₆As₂O₁₁：Mn、Sr₄Al₁₄O₂₅：Eu、(Zn,Cd)S：Cu、SrAl₂O₄：Eu、Ca₁₀(PO₄)₆ClBr：Mn、Eu、Zn₂GeO₄：Mn、Gd₂O₂S：Eu或La₂O₂S：Eu，其中，M係鹼土金屬(Alkaline Earth Metals)，例如是鍶(Sr)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)及其組合構成的群組。在一實施例中，螢光粒子1221的尺寸可介於約5微米(μm)至20微米(μm)之間。

如第1圖之放大圖A’所示，螢光層122之外表面包括一上表面122s1及一側面122s2。側面122s2延伸於上表面122s1與接墊1211之間。本實施例中，側面122s2係斜面，使各凹部122a於上表面122s1具有一頂開口，且頂開口大於對應之接墊的表面。在其它實施例中，側面122s2可以是垂直的，使各凹部122a的寬度沿其高度的變化係常數。

如第1圖所示，螢光層122之一邊緣部122p具有一第一邊緣側面122s3，且發光二極體晶片121具有一第二邊緣側面121s。第一邊緣側面122s3及第二邊緣側面121s共同定義發光二極體晶片121的邊緣表面。本實施例中，第一邊緣側面122s3及第二邊緣側面121s係共平面，然其它實施例不受此限。

如第1圖所示，封裝膠體140包覆發光二極體晶片121及電性元件130。封裝膠體140包括第一部分141及第二部分142。第一部分141覆蓋基板110之上表面110u，且其外形如環形。第二部分142從第一部分141往內且往上延伸，其外形為圓蓋形。其它實施例中，第一部分141及第二部分142可具有其它外形。特別地，第二部分142可具有角度。

基體1222及封裝膠體140可以是相同材料或不同材料，例如，其一或二者可以是透明聚合物或半透明聚合物，如環氧基樹脂、其混合物或任何其它合適包覆劑。在一實施例，基體1222或封裝膠體140可包括一有機填料或一非有機填料，如二氧化矽、二氧化鈦、三氧化二鋁、三氧化二釔、碳黑(Carbon Black)、燒結鑽石粉末、石棉、玻璃或其組合。

根據本發明一實施例之螢光層形成方法描述於後，如第2A至2E圖所示。第2A圖繪示發光二極體晶圓121’其包括數個未切割之發光二極體晶片121。各發光二極體晶片121包括上出光面121u及至少一接墊1211。如第2B圖所示，一螢光材料122’形成於各發光二極體晶片121的出光面121u及接墊1211上。螢光材料122’可採用例如是點膠(dispensing)、印刷(printing)或任何其它技術形成。

然後，如第2C圖所示，以一壓印模具(micro-imprint mold)150壓印螢光材料122’，以形成一壓印圖案。特別地，壓印模具150包括數個突塊151，突塊151突出於壓印模具150下表面1501。該些突塊151的位置對應於該些接墊1211。在壓印後，螢光材料122’之第一部分1221’於突塊151與接墊1211之間的厚度D1小於第二部分1222’位於接墊1211側向的厚度。因此，於後續蝕刻製程中，於無光罩的需求下，螢光材料122’的第一部分1221’可以完全地移除，而保留第二部分1222’。此蝕刻製程於後第2D圖中描述。

一實施例中，於壓印過程中，可固化螢光材料122’，以避免因為螢光材料122’內之該些螢光粒子1221沉降而導致螢光材料122’內的螢光粒子1221的分布比例不均。如上所述，螢光材料122’內之該些螢光粒子1221的一均勻分佈促使發光二極體封裝件100的出光光色落於CIE座標中預期之區域內。

固化螢光材料122’的方式例如是加熱壓印模具150，以產生熱量H透過壓印模具150傳導至螢光材料122’，藉以固化螢光材料122’。或者，壓印模具150可包括一加熱元件(未繪示)，加熱元件可提供熱量H給螢光材料122’。

如第2D圖所示，一蝕刻製程去除螢光材料122’之第一部分1221’(第2C圖)。蝕刻製程可在無光罩覆蓋第二部分1222’下進行。即使無光罩，第一部分1221’完全地被移除，以形成凹部122a，其露出接墊1211，且第二部分1222’被保留在發光二極體晶圓121’上。如第2C圖所示，此結果是由於第二部分1222’的厚度D1大於第一部分1221’的厚度所導致。由於不需準備光罩，因此不需要光罩的蝕刻降低了製程成本。

一實施例中，移除第一部分1221’的步驟可包括一蝕刻製程及一殘留粒子清洗製程。蝕刻製程可以是一反應離子蝕刻(reactive ion etching,RIE)。一些實施例中，螢光材料122’可透過一濕蝕刻或其它合適的蝕刻製程而被蝕刻。此外，一實施例中，適用於蝕刻製程的一電漿氣氛下可以是氧氣混合三氟甲烷(O2+CHF3)或氧氣混合四氟化碳(O2+CF4)。一殘留粒子清洗製程可包括以例如是去離子水洗滌螢光層122，以移除任何脫落螢光粒子1221及任何殘留蝕刻劑。

如第1A’圖所示，在蝕刻製程中，在螢光層122’之最外面的範圍的基體材料1222’被移除，使一些螢光粒子1221部分曝露出來。部分曝露的螢光粒子1221形成上述粗糙外表面122s。藉由例如是蝕刻製程中電漿氣體的比例，外表面122s可達到不同程度的粗糙度。

如上所述，蝕刻後，螢光材料122’的側面122s2係傾斜，然亦可實質上垂直於接墊1211的上表面1211u。藉由適當地控制製程，或採用其它蝕刻製程，螢光材料122’的側面122s2可形成所需求之方位。

如第2E圖所示，切割發光二極體晶圓121’以及螢光層122，以形成數個形成有螢光層122及發光二極體晶片121之發光二極體元件120。切割產生之狹縫S1形成基體1222的第一邊緣側面122s3及發光二極體晶片121第二邊緣側面121s，此外，第一邊緣側面122s3與第二邊緣側面121s實質上共平面。一實施例中，切割狹縫S1例如是以雷射或切割刀具形成。

值得注意的是，切割前，第2D圖所示之晶圓121’被針探及測試，以精確地鑑定各晶片的色彩特性。一般來說，色圖(color chart)用來關聯二參數(X及Y)與色彩特性(例如，色溫)，且一些包含X及Y數值範圍的區域(bin)被定義於色圖中。色圖提供了一可藉由使用X及Y值以精確地鑑定特定的色彩之機制，該精確鑑定特定色彩的目的為對具有上述螢光塗層之晶片分組(binning)及分類之機制。在針探過程中，探針裝置包括之接觸點被定位以接觸各晶片之接墊1211。接墊1211係透過凹部122a而露出且可被接觸到。一旦晶片收到能量，探針裝置量測色溫、流明輸出、電壓、電流及任何其它關於各晶片的合適參數。一實施例中，各晶片被量測的參數基於色圖而對映至X及Y值。因此，在切割前，各晶片與自身的X及Y值是具有關聯性。因此，當各晶片在切割製程中與晶圓分離時，各晶片關聯的X及Y值可用來將其分類至一適當的區域(bin)。具有螢光塗層的晶片可採用任何封裝方法受到封裝，以形成具有優良色彩一致性的發光二極體封裝件。

根據多個實施例之其一之具有螢光層122的發光二極體晶片121的一種封裝方法如第2F至2I圖所示。如第2F圖所示，具有螢光層122之發光二極體晶片121設於一基板110上。基板110包括數個電性接點111，例如是接墊。如第2G圖所示，發光二極體晶片121之接墊1211及基板110之電性接點111係透過數個電性元件130電性連接。此實施例中，發光二極體晶片121以朝上方位設於基板110上，且電性元件130，例如是銲線，連接於發光二極體晶片121與基板110。

如第2H圖所示，發光二極體晶片121及電性元件130被一封裝膠體140包覆，其也覆蓋基板110的上表面110u。如第2I圖所示，形成切割狹縫S2並穿過封裝膠體140及基板110，以形成數個如第1圖所示之發光二極體封裝件100。一實施例中，切割狹縫S1例如是以雷射或切割刀具形成。

上述實施例中，螢光材料122’(第2B圖)於壓印(第2C圖)前形成於發光二極體晶圓121’上。然而，螢光材料122’可於壓印前形成於壓印模具150上，如下所述

根據多個實施例之另一形成一螢光層的方法如第3A至3B圖所示。如第3A圖所示，螢光材料122’可直接形成於壓印模具150上，使螢光材料122’覆蓋突塊151。如第3B圖所示，以壓印模具150將螢光材料122’壓印於發光二極體晶片121之出光面121u上。本實施例中，形成螢光層的方式如同轉印(transfer printing)方式。

如第4圖所示，其繪示依據另一實施例之一發光二極體封裝件102的剖視圖。封裝件102包括發光二極體晶片121及一膠層160，其中發光二極體晶片121設於一基板110，而膠層160設於發光二極體晶片121上。基板例如是一矽基板、一陶瓷基板或一印刷電路板。

發光二極體晶片121包括一第一出光面121u及數個接合墊144，接合墊144設於第一出光面121u上。發光二極體晶片121之接合墊144透過電性元件170連接於基板之接墊152，電性元件170例如是接合線。膠層160覆蓋第一出光面121u，且包括數個開孔164，其露出對應之接合墊144。各開孔164包括一脫模角(draft angle)α，其於一形成封裝件102的製程中之脫模過程所導致，如下所述。脫模角α可介於約3度與約20度之間，以提升易脫模性，其可保持膠層160的實質上的均勻厚度。一實施例中，脫模角α可介於約5度與約10度之間。

形成膠層160的材料未限定地包括透明樹脂，例如是透明矽化物。此外，膠層160可包括數個螢光粒子162。螢光粒子162的直徑可介於約5微米至20微米之間。螢光粒子162可提升發光二極體晶片121在一特定頻帶的發射輻射及/或轉換至少一些發射輻射(emitted radiation)至另外頻帶。形成螢光粒子162的材料可包括任何上述關於螢光粒子1221的材料或其它材料。

如第4圖所示，一封裝膠體180包覆發光二極體晶片121及電性元件170。封裝膠體180的繪示輪廓外形僅為舉例，其可為任意外形。封裝膠體180可包括透明聚合物或半透明聚合物，例如玻璃黏合劑(glass cement)、彈性體(elastomer)或樹脂，其中樹脂包括環氧基樹脂、矽基樹脂、環氧基樹脂與矽基樹脂之混合或其它材料。一實施例中，封裝膠體180可與有機或無機填充劑混合，例如是與二氧化矽(silicon dioxide)、鈦、氧化鋁、氧化銥、黑碳(black carbon)、燒結鑽石粉末(sintered diamond powder)、石棉(asbestos)、玻璃及/或其組合。

根據多個實施例之其一之形成膠層160於發光二極體晶片121的一方法如第5F至5I圖所示。第5A圖繪示一暫時基板113。暫時基板包括一結合面112及數個突出部114(第5A圖僅繪示二個)，突出部114設於結合面上。此實施例中，各突出部114的側壁具有一斜角β，其介於2度至19度之間。一實施例中，斜角β可介於4度至9度之間。突出部114的材料可以是金屬。

如第5B圖所示，一釋放層124提供於暫時基板113上。釋放層覆蓋結合面112及突出部114，且提升後續製程中暫時基板113的易脫模性。釋放層124可包含氟聚合物(fluoropolymer)，其例如以噴塗(spraying)或浸泡(dipping)形成。

如第5C圖所示，覆蓋各突出部114之一結合區114a的部分釋放層124被移除，以露出結合區114a。然後，如第5D圖所示，一黏貼層131形成於各突出部114之結合區114a。黏貼層131例如是一紫外光可固化黏貼層(ultraviolet-curable adhesive)或一雙面膠。為了提升暫時基板113的脫模性，於移除暫時基板113前可透過一紫外光之固化，降低紫外光可固化黏貼層的結合強度。雙面膠之第一面比第二面具有較佳的結合強度，其中第一面黏合暫時基板113，而第二面黏合突出部114。

接著，如第5E圖所示，暫時基板113位於發光二極體晶片121之上，發光二極體晶片121設於基板110上。此步驟可採用例如是取放機械(pick and place machine)執行。暫時基板113的突出部114的位置對應於發光二極體晶片121之接合墊144的位置。

接著，如第5F圖所示，暫時基板113結合於發光二極體晶片121上，使突出部114透過黏貼層131連接於發光二極體晶片121之對應的接合墊144。在此情況下，暫時基板113之結合面112面向發光二極體晶片121的第一面121u，且一點膠空間S形成於結合面112與第一面121u之間。若黏貼層131係雙面膠，雙面膠與暫時基板113之突出部114間的結合強度較佳地大於雙面膠與發光二極體晶片121之接合墊144間的結合強度。一實施例中，暫時基板113之結合面112與發光二極體晶片121的第一面121u間的距離例如是大於50微米或小於100微米。

接著，如第5G及5H圖所示，點膠空間S填滿一膠體160a。暫時基板113與突出部114及黏貼層131共同作為一模件(mold)而塑形膠體，使沒有膠體接觸到接合墊144，藉以提升打線接合品質(描述於後)。膠體160a可藉由一點膠器(dispenser)10或一噴嘴(未繪示)提供至點膠空間S的一邊緣。由於暫時基板113之結合面112與發光二極體晶片121的第一面121u間的小間距，毛細現象吸引膠體160a沿箭頭A進入點膠空間S。一膠體160a的黏性可介於3000厘泊(cP)與20000厘泊之間。

接著，如第5H及5I圖所示，暫時基板113與突出部114及黏貼層131一起從接合墊144分離，藉以形成數個開孔164於膠層160。釋放層124存在於暫時基板113可提升突出部114與黏貼層131自接合墊144的易分離性。若黏貼層131係為紫外光可固化黏貼層，於移除暫時基板110前，紫外光可作用於黏貼層131上，以降低黏貼層131與接合墊144之間的結合強度。

填滿點膠空間S後，膠體160a被固化而形成膠層160。固化製程可包括：當暫時基板113設於晶片121時，可執行一預固化步驟，在暫時基板113分離自晶片121後，可執行一後固化步驟。固化製程可藉由任何技術完成，如使用一加熱元件(未繪示)提供熱量給膠體160a。

開孔164露出對應之發光二極體晶片121之接合墊144。因為膠體160a在固化過程中些微收縮，因此各開孔164之一脫模角α些微地大於對應之突出部114之側壁的傾斜角β。在此情況下，點膠方法形成膠層160於發光二極體晶片121上。

本實施例中，因為一實質常數距離D分離暫時基板之結合面112與發光二極體晶片121之第一面121u，膠層160的厚度可嚴密地控制。此外，因為膠層160可容易地侷限在結合面112與第一面121u之間的間隙，幾乎沒有膠體材料160a被浪費。在傳統噴射塗佈方法中，因為膠體除了沉積在發光二極體晶片外還沉積於基板，故大量的膠體被浪費。

如第6A圖所示，任何或所有前述點膠方法的步驟可被執行於一包含數個晶片210的晶圓200。例如，如第6A圖所示，其繪示一暫時基板113a，其對應於晶圓200來說，例如是一晶圓級基板。暫時基板113a包括一結合面112a及數個突出部114位於結合面112a上。一黏貼層131形成於各突出部114之一結合區114a。接著，暫時基板113a結合於設於一載板250上的晶圓200，使突出部114透過黏貼層131連接於對應之晶圓200的接墊204。在此情況下，暫時基板113a的結合面112a面向晶圓200的頂面202，及一點膠空間S’形成於結合面112a與頂面202。接著，如第6B及6C圖所示，點膠空間S’填滿膠體160a。膠體160a可由一點膠器10或一噴嘴(未繪示)提供至點膠空間S’的一邊緣。由於暫時基板113a之結合面112a與晶圓200之頂面202間的小間隙，毛細現象吸引膠體160a沿箭頭A進入點膠空間S，以形成膠層160。膠層160包覆接墊204、突出部114及黏貼層131。此外，膠體160a可包括數個螢光粒子162。

接著，如第6C及6D圖所示，移除暫時基板113a，使突出部114及黏貼層131自接墊204分離，以形成數個開孔164於膠層160。開孔164露出晶圓200之對應之接墊204。接著，如第6E圖所示，移除暫時基板113a之後，晶圓200及膠層160沿線L被切割，以形成多個獨立晶片210。如第6F圖所示，膠層160之一側壁及晶片210之一側壁實質上共平面。在此情況下，膠層160形成於包含多個晶片210的晶圓200上。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧點膠器

100‧‧‧發光二極體封裝件

102‧‧‧封裝件

110‧‧‧基板

110u、1211u‧‧‧上表面

111‧‧‧電性接點

112、112a‧‧‧結合面

113、113a‧‧‧暫時基板

114‧‧‧突出部

114a‧‧‧結合區

131‧‧‧黏貼層

120‧‧‧發光二極體元件

121’‧‧‧發光二極體晶圓

121‧‧‧發光二極體晶片

121u‧‧‧出光面

121s‧‧‧第二邊緣側面

1211‧‧‧接墊

122‧‧‧螢光層

122’‧‧‧螢光材料

122a‧‧‧凹部

164‧‧‧開孔

122s‧‧‧外表面

122s1‧‧‧上表面

122s2‧‧‧側面

122s3‧‧‧第一邊緣側面

122p‧‧‧邊緣部

1221、162‧‧‧螢光粒子

1221’、141‧‧‧第一部分

1222‧‧‧基體

1222’、142‧‧‧第二部分

124‧‧‧釋放層

130、170‧‧‧電性元件

140、180‧‧‧封裝膠體

144‧‧‧接合墊

150‧‧‧壓印模具

1501‧‧‧下表面

151‧‧‧突塊

152、204‧‧‧接墊

160‧‧‧膠層

160a‧‧‧膠體

200‧‧‧晶圓

202‧‧‧頂面

210‧‧‧晶片

250‧‧‧載板

A‧‧‧箭頭

A’‧‧‧局部

D‧‧‧距離

D1‧‧‧厚度

H‧‧‧熱量

S1、S2‧‧‧切割狹縫

S、S’‧‧‧點膠空間

α‧‧‧脫模角

β‧‧‧斜角

L‧‧‧線

第1圖繪示依照本發明一實施例之發光二極體封裝件之剖視圖。

第2A至2I圖繪示第4圖之發光二極體封裝件的製造步驟的剖視圖。

第3A及3B圖繪示依照一實施例之形成螢光層的製造步驟的剖視圖。

第4圖繪示依照另一實施例之發光二極體封裝件的剖面側視圖。

第5A至5I圖繪示一實施例之點膠方法的步驟的剖視圖。

第6A至6F圖繪示一實施例之點膠方法的步驟的剖視圖。

相同標號用於所有圖式中，且詳細描述同相同元件。參酌附加圖式及如上詳細描述將使本發明更清楚。

100‧‧‧發光二極體封裝件

110‧‧‧基板

110u、1211u‧‧‧上表面

111‧‧‧電性接點

120‧‧‧發光二極體元件

121‧‧‧發光二極體晶片

121u‧‧‧出光面

121s‧‧‧第二邊緣側面

1211‧‧‧接墊

122‧‧‧螢光層

122a‧‧‧開孔

122s1‧‧‧上表面

122s2‧‧‧側面

122s3‧‧‧第一邊緣側面

122p‧‧‧邊緣部

1221‧‧‧螢光粒子

1222‧‧‧基體

130‧‧‧電性元件

140‧‧‧封裝膠體

141‧‧‧第一部分

142‧‧‧第二部分

Claims

一種發光二極體元件，包括：一發光二極體晶片，具有一出光面及至少一接墊；以及一螢光層，形成於該出光面上並露出該至少一接墊，該螢光層包括複數螢光粒子及一基體(Matrix)，其中該些螢光粒子之至少一些具有一第一部分及一第二部分，該第一部分埋設於該基體內，而該第二部分突出於該基體之一外表面。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該至少一接墊具有一上表面，且該螢光層突出於該至少一接墊之該上表面之上。
如申請專利範圍第2項所述之發光二極體元件，其中該基體之該外表面包括一上表面及一斜側面，該斜側面延伸於該上表面與該至少一接墊之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該基體具有一第一邊緣側面，該發光二極體晶片具有一第二邊緣側面，該第一邊緣側面與該第二邊緣側面係實質上共平面。
一種發光二極體封裝件，包括：一基板；一發光二極體元件，設於該基板上且包括：一發光二極體晶片，具有一出光面及至少一接墊；以及一螢光層，形成於該出光面上並露出該至少一接墊，該螢光層包括複數螢光粒子及一基體，其中該些螢光粒子之至少一些具有一第一部分及一第二部分，該第一部分埋設於該基體內，該第二部分突出於該基體之一外表面；至少一電性元件，電性連接該發光二極體晶片之該至少一接墊至該基板；以及一封裝膠體，包覆該發光二極體晶片及該至少一電性元件。
如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝件，其中該至少一接墊具有一上表面，該螢光層突出於該至少一接墊之該上表面之上。
如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝件，其中該基體之該外表面包括一上表面及一斜側面，該斜側面延伸於從該上表面與該至少一接墊之間。
如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝件，其中該基體具有一第一邊緣側面，該發光二極體晶片具有一第二邊緣側面，該第一邊緣側面與該第二邊緣側面係實質上共平面。
一種晶片的製造方法，該晶片具有一第一面及複數個接墊，該些接墊設於該第一面上，該製造方法包括：提供一暫時基板，該暫時基板包括一結合面及複數個突出部，該些突出部設於該結合面上，該暫時基板上之該些突出部的位置對應於該晶片之該第一面上之該些接墊的位置；形成一黏貼層於各該突出部上；結合該暫時基板至該晶片，使該些突出部藉由該黏貼層連接於各別對應之該些接墊，其中該暫時基板之該結合面面向該晶片之該第一面，且一點膠空間形成於該結合面與該第一面之間；填入一膠體於該點膠空間內，以形成一膠層包覆該些接墊、該些突出部及該黏貼層；以及移除該暫時基板，以從該些接墊上分離該些突出部與該黏貼層，而形成複數個開孔於該膠層內，該些開孔露出各別對應之該些接墊。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中於形成該黏貼層於各該突出部之該步驟之前，該製造方法更包括：形成一釋放層於該暫時基板之該結合面上，該釋放層覆蓋該些突出部；以及自各該突出部之一結合區移除該釋放層以露出各該突出部之該結合區，其中該黏貼層接著形成於該些突出部之該些結合區。
如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該釋放層包括一含氟聚合物(fluoropolymer)。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中該黏貼層包括一紫外光可固化黏貼層(ultraviolet-curable adhesive)。
如申請專利範圍第12項所述之製造方法，其中於移除該暫時基板之前，該點膠方法更包括使用紫外光照射該紫外光可固化黏貼層，以固化該黏貼層且降低該黏貼層與該些接墊間的一結合強度。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中該黏貼層包括一雙面膠(double-sided tape)，且該雙面膠與該些突出部間的一結合強度大於該雙面膠與該些接墊間的一結合強度。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中填入該膠體於該點膠空間內之該步驟更包括設置該膠體於該點膠空間之一邊緣，且允許該膠體藉由毛細現象流進該點膠空間內。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中該晶片係一發光二極體晶片，且該膠體包括複數螢光粒子。
如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中該些螢光粒子之至少一些具有一第一部分及一第二部分，該第一部分埋設於該膠體內，而該第二部分突出於該膠體之一外表面。
如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中該螢光粒子的一外徑介於5微米至20微米之間。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中該些步驟執行於包含有該晶片的一晶圓。
如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中於移除該暫時基板後，該製造方法更包括切割該晶圓及該膠層，以形成該晶片，其中該晶片之一側壁及該膠層之一側壁實質上共平面。