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TW201330267A - 非平面電晶體及其製造方法 - Google Patents

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TW201330267A
TW201330267A TW101133989A TW101133989A TW201330267A TW 201330267 A TW201330267 A TW 201330267A TW 101133989 A TW101133989 A TW 101133989A TW 101133989 A TW101133989 A TW 101133989A TW 201330267 A TW201330267 A TW 201330267A
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Subhash M Joshi
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Abstract

本說明係關於在非平面電晶體內形成源極/汲級結構，其中從非平面電晶體移除鰭片間隔物以從非平面電晶體鰭片形成源極/汲級結構，或以適當材料來取代非平面電晶體鰭片以形成源極/汲極結構。

Description

非平面電晶體及其製造方法
本說明之實施例一般係關於微電子裝置製造的領域，且更特別的是關於非平面電晶體的製造。
一種方法，包含：在一基板上形成一非平面電晶體鰭片；在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極；在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上共形地沉積一介電材料層；及從毗連該非平面電晶體閘極之側壁的該介電材料層之部分本質上同時地形成非平面電晶體閘極間隔物，並本質上同時地移除毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層。
一種方法，包含：在一基板上形成一非平面電晶體鰭片；在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極；在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上沉積一介電材料層；從毗連該非平面電晶體閘極的該介電材料層之部分形成非平面電晶體閘極間隔物；從毗連該非平面電晶體閘極的該介電材料層之部分形成非平面電晶體鰭片間隔物；從該些非平面鰭片之間移除至少部分的該非平面電晶體鰭片；及移除該非平面電晶體鰭片間隔物，而不移除該非平面電晶體鰭片間隔物。
一種非平面電晶體，包含：至少一非平面電晶體鰭片；至少一非平面電晶體閘極，其形成在該至少一非平面 電晶體鰭片上，其中該至少一非平面電晶體閘極包括毗連的間隔物；及至少一源極/汲極結構，其毗連該至少一非平面電晶體閘極，其中該至少一源極/汲極結構缺少毗連的間隔物。
在下列詳細說明中，藉由圖解參考顯示可實行所主張之標的物的特定實施例之附圖。充分詳細地說明這些實施例以使本領域之熟知技藝者能夠實行該標的物。應了解到各種實施例雖然不同，但卻不一定是互斥的。例如，本文中所述之有關一實施例的特定特徵、結構、或特性可在不脫離所主張之標的物的精神和範圍下實行在其他實施例中。在本說明書內參考「一個實施例」或「一實施例」表示有關實施例所述之特定特徵、結構、或特色係包括在本發明內所包含的至少一實作中。因此，使用「一個實施例」或「在一實施例中」之措辭不一定係指相同實施例。另外，應了解到每個揭露之實施例內的個別元件之位置或排列可在不脫離所主張之標的物的精神和範圍下修改。因此，下列的詳細說明不具限制意義，且僅藉由適當地解釋所附之申請專利範圍連同被賦予所附之申請專利範圍的等效全範圍來定義標的物的範圍。在附圖中，相同數字係指若干視圖中的相同或相似元件或功能性，且本文中所繪之元件不必彼此按比例繪示，反而個別元件可被放大或縮小以更容易理解在本說明之內文中的元件。
在如三閘電晶體和FinFET之非平面電晶體的製造方面，非平面半導體主體可用來形成能以極小閘極長度(例如，小於約30nm)完全耗乏的電晶體。這些半導體主體通常為鰭狀的，因此通常稱為電晶體「鰭片」。例如在三閘電晶體中，電晶體鰭片具有一上表面和兩個相對的側壁形成在一主體半導體基板或一絕緣體上覆矽的基板上。閘極介電質可形成在半導體主體的上表面和側壁上，且閘極可形成在半導體主體之上表面上的閘極介電質上並毗連於半導體主體之側壁上的閘極介電質。因此，由於閘極介電質和閘極毗連於半導體主體的三個表面，從而形成了三個獨立的通道和閘極。由於有形成三個獨立的通道和閘極，因此當導通電晶體時可完全耗乏半導體主體。關於finFET電晶體，閘極材料和電極僅接觸半導體主體的側壁，如此便形成了兩個獨立的通道(而不是三閘電晶體中的三個獨立的通道)。
本說明之實施例係關於在非平面電晶體內形成源極/汲極結構，其中從非平面電晶體移除鰭片間隔物以從非平面電晶體鰭片形成源極/汲極結構，或以適當材料來取代非平面電晶體鰭片以形成源極/汲極結構。
第1圖係顯示成三閘電晶體的非平面電晶體結構100之透視圖，包括來自基板102上或來自基板102的至少一非平面電晶體112和形成在非平面電晶體鰭片112上的至少一非平面電晶體閘極122。在本揭露之一實施例中，基板102可以是單晶體矽基板。基板102亦可以是其他類型 的基板，如絕緣體上覆矽(「SOI」)、鍺、砷化鎵、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、銻化鎵等，其中任何一個可與矽結合。
如第1圖所示，非平面電晶體鰭片112可具有一上表面114和一對橫向相對側壁，第一側壁116和相對的第二側壁118，且非平面電晶體閘極122可具有一上表面134和一對橫向相對側壁，第一側壁136和相對的第二側壁138。又如第1圖所示，藉由在電晶體鰭片上表面114上或毗連處以及在第一電晶體鰭片側壁116和相對第二電晶體鰭片側壁118上或毗連處形成閘極介電層124，可在非平面電晶體鰭片112上製造電晶體閘極122。閘極126可在閘極介電層124上或毗連處形成。在本揭露之一實施例中，電晶體鰭片112運作在本質上垂直於電晶體閘極122的方向上。
閘極介電層124可由任何熟知的閘極介電材料構成，包括但不限於二氧化矽(SiO2)、氧氮化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、以及如氧化鉿、氧化矽鉿、氧化鑭、氧化鋁鑭、氧化鋯、氧化矽鋯、氧化鉭、氧化鈦、鋇鍶鈦氧化物、氧化鈦鋇、氧化鈦鍶、氧化釔、氧化鋁、鉛鈧鉭氧化物、及鉛鋅鈮酸的高k介電材料。此外，如本領域之熟知技藝者所將了解的，閘極介電層124能藉由熟知的技術形成，例如藉由沉積一閘極材料、如化學蒸汽沉積(「CVD」)、物理蒸汽沉積(「PVD」)、原子層沉積(「ALD」)，然後以熟知的光刻和蝕刻技術來圖案化閘極 材料。
閘極126能由任何合適的閘極材料構成。在本揭露之一實施例中，閘極126可由包括但不限於多晶矽、鎢、釕、鈀、鉑、鈷、鎳、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁、碳化鈦、碳化鋯、碳化鉭、碳化鉿、碳化鋁、其他金屬碳化物、金屬氮化物、及金屬氧化物的材料構成。此外，如本領域之熟知技藝者所將了解的，閘極126能藉由熟知的技術形成，例如藉由氊毯狀沉積一閘極材料並接著以熟知的光刻和蝕刻技術來圖案化閘極材料。
源極和汲極區(未顯示)可形成在閘極126的相對側上。如將討論的，在一實施例中，源極和汲極區可藉由摻雜電晶體鰭片112來構成。如將討論的，在另一實施例中，源極和汲極區可藉由移除部分的電晶體鰭片112並以適當材料來取代這些部分以形成源極和汲極結構來構成。
第2-13圖繪示第1圖之非平面電晶體閘極122沿著箭頭A的側視剖面圖，以及第1圖之非平面電晶體鰭片112沿著箭頭B的側視剖面圖。
如第2圖所示，介電材料層142可共形地沉積在第1圖之非平面電晶體100上以覆蓋非平面電晶體閘極122和非平面電晶體鰭片112。如本領域之熟知技藝者所知，共形地沉積之材料具有本質上相同的厚度沉積在正被塗層的物件之所有暴露表面上。介電材料層142可由任何熟知的閘極介電材料構成，包括但不限於二氧化矽(SiO2)、氧氮化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、及可藉由本技藝中所知的 任何適當技術來共形地沉積的高k介電材料。
可藉由以適當的蝕刻物來方向地蝕刻(如箭頭150所示)及藉由任何已知技術來移除接近非平面電晶體閘極上表面134之部分的介電材料層142來蝕刻第2圖的介電材料層142，以形成毗連非平面電晶體閘極側壁136和138的間隔物144並同時地形成非平面電晶體鰭片側壁116和118上的間隔物146，本質上係移除毗連基板102的介電材料層142，如第3圖所示。如本領域之熟知技藝者所知，可進行方向地蝕刻以沿著一特定軸來蝕刻材料。如本領域之熟知技藝者進一步所知，間隔物(例如，元件144和146)係為形成在微電子裝置(如電晶體)中的導電結構之側壁旁以電性隔離那些導電結構的薄介電材料層。如將要討論的，雖然需要非平面電晶體閘極間隔物144來定義非平面電晶體閘極122與後續形成之源極和汲極結構(以下總稱為「源極/汲極結構」)的間隔，但非平面電晶體鰭片間隔物146之形成可能會干擾所希望的定義和源極/汲極結構之形成，或可能干擾將非平面電晶體鰭片112變成源極/汲極結構之所希望的修改。
第4-9圖繪示用來移除非平面電晶體鰭片間隔物146，而不移除非平面電晶體閘極間隔物144的過程之一實施例。如第4圖所示，如二氧化矽之化學蒸汽沉積形成層的髓蓋材料層152可形成在介電材料層142上。如第5圖所示，犧牲層154可形成在髓蓋材料層152上，且可能凹入以暴露髓蓋材料層152的一部分158。可透過任何蝕 刻技術(如乾式蝕刻)來實現凹入犧牲層154。如第6圖所示，可改變髓蓋材料層152的暴露部分158以改變其蝕刻特性，如依照箭頭162所示之高劑量離子植入。藉由高劑量離子植入，植入劑量應高至足以使髓蓋材料層152的植入部分中有成分上的改變。可藉由如清潔步驟之後的灰化、和高溫韌煉(以結合所植入的離子)來移除犧牲層154，且未改變的髓蓋材料152可藉由如蝕刻來移除以形成最接近非平面電晶體閘極上表面134的非平面電晶體閘極122的上部分166附近的髓蓋結構164，如第7圖所示。如本領域之熟知技藝者所知，應了解到髓蓋結構164可以是任何適當的材料，如光阻材料。
如第8圖所示，可對介電材料層142進行方向地蝕刻(由箭頭156所示)以在朝基板102的方向上蝕刻。藉由上述方向地蝕刻168，髓蓋結構164能保護毗連非平面電晶體閘極122的介電材料層142，而介電材料層142同時毗連基板102和非平面電晶體鰭片112。這可能導致部分的介電材料層142會隨著從非平面電晶體鰭片112本質上移除所有介電材料層142而餘留毗連之非平面電晶體閘極122，如第9圖所示。一旦已從非平面電晶體鰭片112移除部分的介電材料層142，至少部分的非平面電晶體鰭片112便可以摻雜物(以箭頭172所示)來植入以形成源極/汲極結構174，如第10圖所示。如本領域之熟知技藝者所知，摻雜物植入係為一種為了改變其導電性和電子特性而將雜質引進至半導體材料的程序。這通常係藉由離子植入 總稱為「摻雜物」的P型離子(例如，硼)或N型離子(例如，磷)來實現。又如第10圖所示，為了達到均勻摻雜非平面電晶體鰭片112，可以從非平面電晶體鰭片112的另一端之角度將摻雜物植入172至電晶體鰭片112中。
在另一實施例中，非平面電晶體鰭片112(參見第9圖)可藉由本技藝中所知的任何技術(如蝕刻)來移除，如第11圖所示。在一實施例中，非平面電晶體鰭片112可藉由以如溴化氫、三氟化氮、和六氟化硫之氣體的電漿蝕刻程序，或藉由以如氫氧化氨、氫氧化鉀、氫氧化四甲銨等之溶液的濕式蝕刻來移除。
一旦已移除非平面電晶體鰭片112，源極/汲極結構182便可形成在其位置上，如第12圖所示。源極/汲極結構182可透過任何已知的製程來製造，包括但不限於沉積、微影、和蝕刻程序。在一實施例中，源極/汲極結構182可以是外延生長的矽、鍺化矽、矽/鍺/錫、鍺、碳化矽等，且可包括如硼或磷(如先前討論)的摻雜物。如本領域之熟知技藝者將了解的，製造源極/汲極結構182中所使用的材料可被設計成對於使用其的非平面電晶體100(參見第1圖)具有本質上最佳的效能。
在又一實施例中，由第3圖開始，可藉由本技藝中所知的任何技術(如蝕刻)從非平面電晶體鰭片間隔物146之間移除非平面電晶體鰭片112以形成開口148，如第13圖所示。一旦已移除非平面電晶體鰭片112(參見第3圖)，就可在開口148內沉積適當的源極/汲極材料(參見第 13圖)以形成源極/汲極結構184，如第14圖所示。如能從第14圖看出，源極/汲極結構184的尺寸本質上會受限於原始非平面電晶體鰭片112的尺寸，其可能對於非平面電晶體100(參見第1圖)的效能並非最佳的。
因此，可在形成源極/汲極結構之前移除非平面電晶體鰭片間隔物146。如第15圖所示，可對非平面電晶體閘極間隔物144和非平面電晶體鰭片間隔物146進行非方向地蝕刻(由箭頭192所示)。如本領域之熟知技藝者所知，非方向地蝕刻可以本質上相同的速率蝕刻待蝕刻之材料的所有暴露表面。由於非方向地蝕刻172蝕刻非平面電晶體鰭片間隔物146的外部表面146a以及內部表面146b(亦即，在開口148內)，因此非平面電晶體鰭片間隔物146會以比只蝕刻其內部表面144a之非平面電晶體閘極間隔物144快的速率被蝕刻掉。於是，如第16圖所示，可能移除非平面電晶體鰭片間隔物146(參見第15圖)，而非平面電晶體閘極間隔物144可能僅僅變薄，但依然存在。如關於第12圖所示及所述，一旦移除非平面電晶體鰭片間隔物146(參見第15圖)，如第16圖所示，可形成源極/汲極結構182。
形成本說明之非平面電晶體的一個程序之實施例係繪示於第17圖之流程圖200中。如方塊210所定義，非平面電晶體鰭片可形成在基板上。如方塊220所定義，非平面電晶體閘極可形成在非平面電晶體鰭片上。如方塊230所定義，介電材料層可共形地沉積在非平面電晶體閘極和 非平面電晶體鰭片上。如方塊240所定義，毗連非平面電晶體閘極之部分的介電材料層可形成為間隔物。如方塊250所定義，移除毗連非平面電晶體鰭片之部分的介電材料可與形成非平面電晶體閘極間隔物同時。如方塊260所定義，接著可形成非平面源極/汲極結構。
形成本說明之非平面電晶體的一個程序之實施例係繪示於第18圖之流程圖300中。如方塊310所定義，非平面電晶體鰭片可形成在基板上。如方塊320所定義，非平面電晶體閘極可形成在非平面電晶體鰭片上。如方塊330所定義，介電材料層可共形地沉積在非平面電晶體閘極和非平面鰭片上。如方塊340所定義，毗連非平面電晶體閘極之部分的介電材料層可形成為非平面閘間隔物，且毗連非平面電晶體鰭片之部分的介電材料層可同時形成為非平面鰭片間隔物。如方塊350所定義，可移除非平面電晶體鰭片。如方塊360所示，非平面電晶體鰭片間隔物可在移除非平面電晶體鰭片之後被移除。如方塊370所示，非平面源極/汲極結構可在移除非平面電晶體鰭片間隔物之後形成。
應了解到本說明之標的物不一定受限於第1-18圖所示之特定應用。如本領域之熟知技藝者將了解的，該標的物可應用在其他微電子裝置製造應用上。此外，該標的物亦可使用在微電子裝置製造領域之外的任何適當應用中。
已由此詳細說明本發明之實施例，應了解到由所附的申請專利範圍定義的本發明不受限於以上說明中所陳述的 特定細節，因為在不脫離本發明之精神或範圍下，本發明之許多明顯的變化係可能的。
100‧‧‧非平面電晶體結構
102‧‧‧基板
112‧‧‧非平面電晶體鰭片
114‧‧‧上表面
116‧‧‧第一側壁
118‧‧‧第二側壁
122‧‧‧非平面電晶體閘極
124‧‧‧閘極介電層
126‧‧‧閘極
134‧‧‧上表面
136‧‧‧第一側壁
138‧‧‧第二側壁
A‧‧‧箭頭
B‧‧‧箭頭
142‧‧‧介電材料層
144‧‧‧間隔物
146‧‧‧間隔物
150‧‧‧箭頭
152‧‧‧髓蓋材料層
154‧‧‧犧牲層
158‧‧‧暴露部分
156‧‧‧箭頭
164‧‧‧髓蓋結構
166‧‧‧上部分
168‧‧‧箭頭
172‧‧‧箭頭
174‧‧‧源極/汲極結構
182‧‧‧源極/汲極結構
148‧‧‧開口
184‧‧‧源極/汲極結構
144a‧‧‧內部表面
146a‧‧‧外部表面
146b‧‧‧內部表面
192‧‧‧箭頭
在本說明書之結論部分中特別指出並清楚主張本揭露之標的物。依據下列說明和所附之申請專利範圍連同附圖，本揭露之前述和其他特徵將變得更全然清楚。應了解到附圖僅描繪幾個依照本揭露的實施例，且因此不被認為是限制其範圍。本揭露將透過使用附圖以額外的特徵和細節來說明，使得能更容易確定本揭露之優點，其中：第1圖係根據本說明之實施例的非平面電晶體結構之透視圖。
第2圖繪示根據本說明之實施例之沉積在一電晶體閘極和一非平面電晶體之電晶體鰭片上的一介電材料之側視剖面圖。
第3圖繪示在從電晶體閘極和電晶體上的介電材料形成電晶體閘極間隔物和電晶體鰭片間隔物之後的第2圖之結構的側視剖面圖。
第4圖繪示根據本說明之實施例在介電材料上形成一髓蓋材料層之後的第2圖之結構的側視剖面圖。
第5圖繪示根據本說明之實施例在形成具有髓蓋材料層的暴露部分之犧牲層之後的第4圖之結構的側視剖面圖。
第6圖繪示根據本說明之實施例在改變暴露的髓蓋材 料層之後的第5圖之結構的側視剖面圖。
第7圖繪示根據本說明之實施例的第6圖之結構的側視剖面圖，其中髓蓋結構係從電晶體閘極上的介電材料上形成。
第8圖繪示根據本說明之實施例在方向地蝕刻過程期間的第7圖之結構的側視剖面圖。
第9圖繪示根據本說明之實施例在方向地蝕刻過程之後的第8圖之結構的側視剖面圖，其中當從電晶體鰭片移除介電質時，介電材料會餘留在電晶體閘極上。
第10圖繪示根據本說明之實施例以一摻雜物植入第9圖之鰭片來形成一源極/汲極結構。
第11圖繪示根據本說明之實施例在移除電晶體鰭片之後的第9圖之結構的側視剖面圖。
第12圖繪示根據本說明之實施例在如第11圖所示移除電晶體鰭片之後形成的源極/汲極結構的側視剖面圖。
第13圖繪示根據本說明之實施例在從電晶體鰭片間隔物之間移除電晶體鰭片以形成開口之後的第3圖之結構的側視剖面圖。
第14圖繪示在以源極/汲極材料填充電晶體鰭片間隔物間的開口之後的第13圖之結構的側視剖面圖。
第15圖繪示根據本說明之實施例在以非方向地蝕刻移除電晶體鰭片間隔物期間的第14圖之結構的側視剖面圖。
第16圖繪示根據本說明之實施例在以非方向地蝕刻 移除電晶體鰭片間隔物之後的第15圖之結構的側視剖面圖。
第17圖係根據本說明之一實施例形成不具間隔物的源極/汲極結構之過程的流程圖。
第18圖係根據本說明之另一實施例形成不具間隔物的源極/汲極結構之過程的流程圖。
100‧‧‧非平面電晶體結構
102‧‧‧基板
112‧‧‧非平面電晶體鰭片
114‧‧‧上表面
116‧‧‧第一側壁
118‧‧‧第二側壁
122‧‧‧非平面電晶體閘極
124‧‧‧閘極介電層
126‧‧‧閘極
134‧‧‧上表面
136‧‧‧第一側壁
138‧‧‧第二側壁
A‧‧‧箭頭

Claims (22)

  1. 一種方法，包含：在一基板上形成一非平面電晶體鰭片；在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極；在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上共形地沉積一介電材料層；及從毗連該非平面電晶體閘極之側壁的該介電材料層之部分本質上同時地形成非平面電晶體閘極間隔物，並本質上同時地移除毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中從毗連該非平面電晶體閘極之側壁的該介電材料層之部分本質上同時地形成非平面電晶體閘極間隔物，並本質上同時地移除毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層包含：在最接近該非平面電晶體閘極之上部分的該介電材料層之部分上形成一髓蓋結構；及方向地蝕刻毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層之部分。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中在該介電材料層之部分上形成該髓蓋結構包含：在該介電材料層上形成一犧牲層；使該犧牲層凹以暴露部分的該介電材料層；改變該介電材料層之暴露部分的蝕刻特性；移除該犧牲層；及移除該介電材料層的未改變部分。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中改變該介電材料層之暴露部分的蝕刻特性包含離子摻雜該介電材料層之暴露部分。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，更包含韌煉該介電材料層之離子摻雜部分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含形成毗連該非平面電晶體閘極的一源極/汲極結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中形成一源極/汲極結構包含以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片包含以一P型摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片包含以一N型摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中形成一源極/汲極結構包含移除部分的該非平面電晶體鰭片並以一源極/汲極結構代替之。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中替換該源極/汲極結構包含外延的形成一含矽源極/汲極結構。
  12. 一種方法，包含：在一基板上形成一非平面電晶體鰭片；在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極； 在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上沉積一介電材料層；從毗連該非平面電晶體閘極的該介電材料層之部分形成非平面電晶體閘極間隔物；從毗連該非平面電晶體閘極的該介電材料層之部分形成非平面電晶體鰭片間隔物；從該些非平面鰭片之間移除至少部分的該非平面電晶體鰭片；及移除該非平面電晶體鰭片間隔物，而不移除該非平面電晶體鰭片間隔物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成非平面電晶體閘極間隔物和形成非平面電晶體鰭片間隔物本質上是同時發生。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中移除至少部分的該非平面電晶體鰭片包含蝕刻至少部分的該非平面電晶體鰭片。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中移除該非平面電晶體鰭片間隔物包含非方向地蝕刻該非平面電晶體鰭片間隔物的內部和外部表面。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包括形成一源極/汲極結構代替該非平面電晶體鰭片的移除部分。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該源極/汲極結構包含外延的形成一含矽源極/汲極結構代替該非平面電晶體鰭片的移除部分。
  18. 一種非平面電晶體，包含：至少一非平面電晶體鰭片；至少一非平面電晶體閘極，其形成在該至少一非平面電晶體鰭片上，其中該至少一非平面電晶體閘極包括毗連的間隔物；及至少一源極/汲極結構，其毗連該至少一非平面電晶體閘極，其中該至少一源極/汲極結構缺少毗連的間隔物。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之非平面電晶體，其中該至少一源極/汲極結構包含具有植入於其中之一摻雜物的該至少一非平面電晶體鰭片之部分。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之非平面電晶體，其中具有植入於其中之該摻雜物的該至少一非平面電晶體鰭片之部分包含具有植入於其中之一P型摻雜物的該非平面電晶體鰭片之部分。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之非平面電晶體，其中具有植入於其中之該摻雜物的該至少一非平面電晶體鰭片之部分包含具有植入於其中之一N型摻雜物的該非平面電晶體鰭片之部分。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之非平面電晶體，其中該源極/汲極結構包含一外延的形成之含矽源極/汲極結構。
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