TW201325797A - 脆性材料基板之割斷方法 - Google Patents

Abstract

[課題]於使用雷射在互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之場合抑制交點部分之破裂之發生。[解決手段]藉由雷射光束LB之照射與來自冷卻噴嘴37之冷卻媒體之吹送來形成由垂直裂痕53a構成之第1刻劃線52a、由垂直裂痕53b構成之第2刻劃線52b。之後對第2刻劃線52b再度照射雷射光束LB使垂直裂痕53b伸展，以第2刻劃線52b將脆性材料基板50割斷。其次，將割斷線54與第1刻劃線52a之交點區域以玻璃板61或水滴62覆蓋。之後，除了交點區域外對第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB使垂直裂痕53a伸展，以第1刻劃線52a將脆性材料基板50割斷。

Description

脆性材料基板之割斷方法

本發明係關於對脆性材料基板照射雷射光束，沿著互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之方法。

以往，做為玻璃基板或陶瓷基板等脆性材料基板之割斷方法，係廣泛使用使刀輪等壓接轉動而形成刻劃線之後，沿著刻劃線從垂直方向施加外力將基板割斷之方法。

通常，在使用刀輪進行脆性材料基板之刻劃之場合，以刀輪對脆性材料基板賦予之機械式應力使基板之缺陷容易產生，於進行折斷時起因於上述缺陷之破裂等會發生。

針對上述問題，近年來使用雷射將脆性材料基板割斷之方法已實用化。此方法係將雷射光束對基板照射而將基板加熱至熔融溫度未滿後，藉由以冷卻媒體將基板冷卻而使前述基板產生熱應力，以此熱應力從基板之表面於大致垂直方向使裂痕形成者。以此使用雷射光束之脆性材料基板之割斷方法係利用熱應力，故不會使工具直接接觸基板，割斷面成為破裂等較少之平滑之面，維持基板之強度。

此外，例如在專利文獻1亦提案使用雷射於互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之方法。此提案方法係對脆性材料基板照射雷射光束而形成半切狀態之第1裂痕後，同樣藉由雷射光束之照射來形成對第1裂痕交差之半切狀態之第2裂痕，其次對第1裂痕與第2裂痕再度照射雷射 光束而全切者。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-130921號公報

然而，如上述提案方法於對第1裂痕與第2裂痕再度照射雷射光束而將脆性材料基板全切時，可能於第1裂痕與第2裂痕之交點部分有破裂產生。若於成為割斷後之角部之脆性材料基板之交點部分有破裂產生，割斷後之脆性材料基板之尺寸精度會降低且發生之玻璃屑對基板表面附著等而成為問題之原因。

本發明係鑑於此種以往之問題而為者，其目的在於提供於使用雷射在互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之場合抑制交點部分之破裂之發生之方法。

根據本發明，提供一種脆性材料基板之割斷方法，包含：將互相交差之由垂直裂痕構成之第1刻劃線與第2刻劃線於脆性材料基板形成之步驟、沿著第1刻劃線與第2刻劃線使雷射光束相對移動同時照射而使前述垂直裂痕伸展並以第1刻劃線與第2刻劃線將前述基板割斷之步驟，其特徵在於：於沿著第1刻劃線及/或第2刻劃線將雷射光束照射之 際使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量比交點區域以外之雷射光束照射量減少。

在此，使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量為交點區域以外之雷射光束照射量之50%以下較理想。

此外，藉由控制雷射光束輸出，使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量減少亦可。此外，將第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域以將雷射光束吸收或反射之被覆構件覆蓋，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少亦可。此外，將第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域以將雷射光束吸收或反射之液體覆蓋，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少亦可。

此外，前述交點區域係在從第1刻劃線與第2刻劃線之交點往雷射光束之相對移動方向上流側與下流側分別具有5mm以下之寬度之區域較理想。

此外，第1刻劃線與第2刻劃線係對前述基板使雷射光束相對移動同時照射，將前述基板加熱為熔融溫度未滿後，之後對前述基板吹送冷卻媒體以冷卻，以藉由於前述基板產生之熱應力形成較理想。

根據本發明之脆性材料基板之割斷方法，可於於互相交差之2方向將脆性材料基板割斷時抑制交點部分之破裂之發生。藉此，割斷後之脆性材料基板之尺寸精度向上，且格外抑制起因於玻璃屑之問題。

以下雖針對本發明之脆性材料基板之割斷方法更詳細說明，但本發明並不限於此等實施型態。

於圖1係顯示可實施本發明之割斷方法之割斷裝置之一例之概說圖。在圖1之割斷裝置中，於架台11上具備於對紙面垂直方向(Y方向)可移動之滑動平台12、於滑動平台12上於圖之左右方向(X方向)可移動之台座19、設於台座19上之旋轉機構25，載置、固定於設於此旋轉機構25上之旋轉平台26之脆性材料基板50係藉由此等移動手段在水平面內自由移動。

滑動平台12係可移動地安裝於於架台11之上面隔既定距離平行配置之一對之導軌14、15。此外，於一對之導軌14、15之間係與一對之導軌14、15平行地設有藉由以不圖示之馬達而可正、反轉之滾珠螺桿13。此外，於滑動平台12之底面係設滾珠螺帽16。此滾珠螺帽16係螺合於滾珠螺桿13。藉由滾珠螺桿13正轉或反轉，滾珠螺帽16係於Y方向移動，藉此安裝滾珠螺帽16之滑動平台12在一對之導軌14、15上於Y方向移動。

此外，台座19係可移動地支持於於滑動平台12上隔既定距離平行配置之一對之導引構件21。此外，於一對之導引構件21之間係與一對之導引構件21平行地設有藉由以馬達23而可正、反轉之滾珠螺桿22。此外，於台座19之底面係設滾珠螺帽24。此滾珠螺帽24係螺合於滾珠螺桿 22。藉由滾珠螺桿22正轉或反轉，滾珠螺帽24係於X方向移動，藉此台座19與滾珠螺帽24一起在一對之導引構件21上於X方向移動。

於台座19係設旋轉機構25。此外，於此旋轉機構25上係設旋轉平台26。為割斷對象之脆性材料基板50係於旋轉平台26上以真空吸著固定。旋轉機構25係使旋轉平台26繞垂直方向之中心軸旋轉。

於旋轉平台26之上方係支持台31以從安裝台32垂下之保持構件33支持以使與旋轉平台26分離對向。於支持台31係設為了於脆性材料基板50之表面形成觸發裂痕之刀輪35、為了對脆性材料基板50照射雷射光束之開口(不圖示)、為了將脆性材料基板50之表面冷確知冷卻噴嘴37。

刀輪35係以刀輪保持具36保持為可於對脆性材料基板50壓接之位置與非接觸之位置升降，僅在形成成為刻劃線之開始起點之觸發裂痕時往對脆性材料基板50壓接之位置下降。觸發裂痕之形成位置係為了抑制從觸發裂痕往無法預測之方向有裂痕產生之先行現象而於比脆性材料基板50之表面側端內側形成較理想。

於安裝台32上係設雷射輸出裝置34。從雷射輸出裝置34射出之雷射光束LB係以反射鏡44往下方反射，透過保持於保持構件33內之光學系從形成於支持台31之開口往固定於旋轉平台26上之脆性材料基板50照射。

此外，從支持台31之設於雷射光束LB射出之開口附近之冷卻噴嘴37係往脆性材料基板50有做為冷卻媒體之 水與空氣一起噴出。冷卻媒體噴出之脆性材料基板50上之位置係在割斷預定線51上且雷射光束LB之照射區域之後側(參照圖2)。

於安裝台32係設辨識預先刻印於脆性材料基板50之對準標記之一對之CCD攝影機38、39。以此等一對之CCD攝影機38、39檢出脆性材料基板50之設定時之位置偏移，例如在脆性材料基板50偏移角度θ之場合係旋轉平台26旋轉-θ之量，脆性材料基板50偏移Y之場合係滑動平台12移動-Y之量。

於於此種構成之割斷裝置中將脆性材料基板50割斷之場合係先將脆性材料基板50往旋轉平台26上載置並以吸引手段固定。之後，以一對之CCD攝影機38、39拍攝設於脆性材料基板50之對準標記，如前述基於拍攝資料將脆性材料基板50定位於既定之位置。

其次，如前述以刀輪35對脆性材料基板50形成觸發裂痕。之後，從雷射輸出裝置34射出雷射光束LB。雷射光束LB係藉由反射鏡44而如圖2所示，對脆性材料基板50之表面大致垂直地照射。此外，對雷射光束照射區域之後端附近使做為冷卻媒體之水從冷卻噴嘴37噴出。藉由對脆性材料基板50照射雷射光束LB，脆性材料基板50係於厚度方向以熔融溫度未滿加熱，脆性材料基板50係欲熱膨脹，但因局部加熱故無法膨脹而已照射點為中心有壓縮應力發生。此外，於加熱後立刻藉由脆性材料基板50之表面以水冷卻而脆性材料基板50這次是收縮而有拉伸應力發 生。藉由此拉伸應力之作用，以觸發裂痕為開始點沿著割斷預定線51於脆性材料基板50形成垂直裂痕53。

之後藉由使雷射光束LB與冷卻噴嘴37沿著割斷預定線51相對移動，垂直裂痕53伸展而於脆性材料基板50有刻劃線52形成。於此實施形態之場合係在雷射光束LB與冷卻噴嘴37固定於既定位置之狀態下藉由滑動平台12、台座19、旋轉平台26之旋轉機構25而脆性材料基板50移動。當然，在將脆性材料基板50固定之狀態下使雷射光束LB與冷卻噴嘴37移動亦無妨。或使脆性材料基板50與雷射光束LB與冷卻噴嘴37之雙方移動亦無妨。

其次，針對本發明之割斷方法說明。圖3係顯示本發明之割斷方法之一例之步驟圖。如同圖(a)所示，藉由使雷射光束LB與冷卻噴嘴37沿著割斷預定線51相對移動，使以不圖示之觸發裂痕為開始點之垂直裂痕53a於相對移動方向伸展而於脆性材料基板50有第1刻劃線52a形成。

做為在此使用之雷射光束LB係沒有特別限定，由基板之材質或厚度、想要形成之垂直裂痕之深度等適當決定即可。脆性材料基板為玻璃基板之場合，在玻璃基板表面之吸收較大之波長9~11μm之雷射光束合適地使用。

做為此種雷射光束係可舉出二氧化碳雷射。做為雷射光束之往基板之照射形狀係於雷射光束之相對移動方向細長之橢圓形狀較理想，相對移動方向之照射長度L係10~60mm之範圍，照射寬度W係1~5mm之範圍較合適。

做為從冷卻噴嘴37使噴出之冷卻媒體係可舉出水或酒 精等。此外，於在使用割斷後之脆性材料基板上不會給予不良影響之範圍添加界面活性劑等添加劑亦無妨。做為冷卻媒體之吹送量係通常為數ml/min程度較合適。冷卻媒體導致之基板之冷卻從將以雷射光束加熱之基板急冷之觀點係使水與氣體(通常為空氣)一起噴射之所謂water jet方式較理想。冷卻媒體導致之冷卻區域係為長徑1~5mm程度之原形狀或橢圓形狀較理想。此外，形成為冷卻區域係雷射光束導致之加熱區域之相對移動方向後方且冷卻區域與加熱區域之中心點間之距離成為數mm~數十mm程度較理想。

做為雷射光束LB與冷卻噴嘴37之相對移動速度係沒有特別限定，由想要獲得之垂直裂痕之深度等適當決定即可。一般越使相對移動速度緩慢，形成之垂直裂痕就越加深。通常，相對速度係數百mm/sec程度。

做為構成第1刻劃線52a之垂直裂痕53a之深度雖沒有特別限定，但為了增大後步驟之為了將脆性材料基板割斷之照射雷射光束之條件，例如相對移動速度或雷射輸出等之裕度，使為相對於基板厚度25%以上之深度較理想。

其次如圖3(b)所示，藉由沿著對第1刻劃線52a正交之割斷預定線51b使雷射光束LB與冷卻噴嘴37相對移動來形成第2刻劃線52b。做為第2刻劃線52b之形成條件係與第1刻劃線52a之形成條件相同條件在此亦可舉出。

其次，如同圖(c)所示，沿著第2刻劃線52b再度照射雷射光束LB。藉此垂直裂痕53h於基板厚度方向伸展， 以第2刻劃線52b割斷脆性材料基板50而形成割斷線54。另外，垂直裂痕53b係只要伸展至不施加外力便將脆性材料基板50割斷之深度即可，不一定要到達脆性材料基板50之反面側。

為了使垂直裂痕53b於基板厚度方向伸展之雷射光束LB之照射條件雖只要由脆性材料基板50之厚度或垂直裂痕53b之深度等適當決定即可，但通常係形成前述之第2刻劃線52b時之照射條件在此亦例示。

其次，如同圖(d)所示，沿著第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB。藉此垂直裂痕53a於基板厚度方向伸展，以第1刻劃線52a割斷脆性材料基板50。伸展後之垂直裂痕53a之基板厚度方向之深度係與垂直裂痕53b之場合同樣地，只要伸展至不施加外力便將脆性材料基板50割斷之深度即可，不一定要到達脆性材料基板50之反面側。

在此，重點係在於於沿著第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB時使往第1刻劃線52a與割斷線54之交點區域之雷射光束LB之照射量比其他部分之照射量減少。藉由如上述使往第1刻劃線52a與割斷線54之交點區域之雷射光束LB之照射量比其他部分之照射量減少，有效抑制割斷後之成為角部之交點部分之破裂。交點區域中之較理想之雷射光束照射量係交點區域以外之雷射光束照射量之50%以下，較理想係10%以下，更理想係0%。

另外，在以上說明之實施形態雖係於沿著第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB時使往第1刻劃線52a與割斷線 54之交點區域之雷射光束LB之照射量比其他部分之照射量減少，但於沿著第2刻劃線52b再度照射雷射光束LB時使往交點區域之雷射光束LB之照射量比其他部分之照射量減少亦可。或者於沿著第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB時與沿著第2刻劃線52b再度照射雷射光束LB時使往交點區域之雷射光束LB之照射量比其他部分之照射量減少亦可。

往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量之調整係可以例如雷射光束之輸出之控制來進行。於將雷射光束之照射點以圓柱透鏡等光學系使為於雷射光束之相對移動方向細長之橢圓形狀之場合係如圖4(a)所示，以第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點為中心，從雷射光束LB之相對移動方向上流側涵蓋至下流側之既定範圍設不照射雷射光束LB之區域。將此時之雷射光束LB之照射量於圖4(b)顯示。如由圖4(b)理解，雷射光束LB之照射量係往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點從通常照射量逐漸減少，在交點成為0後，逐漸增加返回通常照射量。如上述，藉由使往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束之照射量減少，抑制交點部分中之破裂之發生。

做為使雷射光束LB之照射量減少之區域，亦即第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域，係在從第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點往雷射光束LB之相對移動方向上流側與下流側分別具有5mm以下之寬度之區域較理 想。

此外，於使雷射光束LB之照射點使用多邊形鏡或檢流鏡、圓筒型反射鏡等掃瞄並使為於雷射光束之相對移動方向細長之橢圓形狀之場合，照射點內之雷射強度成為均勻且亦可涵蓋既定範圍使雷射照射量為0。於圖5(a)顯示將雷射光束LB之照射狀態經時地顯示之圖。雷射光束LB到達第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域後，掃瞄交點區域內係使雷射振盪為關閉，但出到交點區域外後便使雷射振盪為開啟。藉此，如圖5(b)所示，可使往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量為0。

於圖6顯示調整往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量之其他之手段。在於此圖顯示之手段係將第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域以被覆構件61覆蓋，使往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量減少。若利用此手段，沒有如前述實施形態之將雷射振盪開啟、關閉之控制之必要，可以被覆構件61之載置之簡單之作業將雷射光束LB之照射量減少。

做為在本發明使用之被覆構件61係只要是將雷射光束LB吸收或反射之構件便沒有特別限定，例如，可舉出玻璃基板或鋁等金屬板、乾冰等。於使用玻璃基板之場合係以玻璃基板吸收雷射光束LB，故可以其材質或厚度等調整往脆性材料基板50之雷射光束LB之照射量。此外，於使用 鋁等金屬板之場合係雷射光束LB在金屬板反射故往脆性材料基板50之照射量成為0。

於圖7顯示調整往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量之再其他之手段。在於此圖顯示之手段係將第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域以液體62覆蓋，使往第1刻劃線52a與第2刻劃線52b之交點區域之雷射光束LB之照射量減少。若利用此手段，與上述實施形態同樣地沒有如前述實施形態之將雷射振盪開啟、關閉之控制之必要，可以液體62之滴下、塗布等簡單之作業將雷射光束LB之照射量減少。

做為在本發明使用之液體62係只要是將雷射光束LB吸收或反射之構件便沒有特別限定，例如，水或酒精等合適地使用。往脆性材料基板50之交點區域之液體62之附著係可以例如洗滌器等之滴下或塗布等來進行。做為液體62之附著量雖係只要由交點區域之大小、使用之雷射之種類或輸出等適當決定即可，於使用水之場合係通常0.01mL~0.05mL之範圍較理想。

以上，在說明之各實施形態雖係將第1刻劃線52a與第2刻劃線52b各形成1條而將基板割斷，但於大面積之脆性材料基板50將第1刻劃線52a與第2刻劃線52b分別形成複數條再割斷為多數個之小面積基板之場合本發明之割斷方法亦當然可適用。此外，本發明之割斷方法係除使2個刻劃線正交之場合外，於以所望之角度使交點之場合亦當然可適用。

【實施例】 實施例1

使用於圖1顯示之割斷裝置於厚度0.55mm之化學強化蘇打玻璃基板形成互相正交之複數條之刻劃線以使其交點成為40個，沿著形成之一方之刻劃線照射雷射光束而將基板割斷後，於割斷線與另一方之刻劃線之交點區域載置玻璃板(5mm^＊5mm^＊厚度0.4mm)。之後，沿著前述另一方之刻劃線照射雷射光束而將基板割斷為複數個。玻璃基板之割斷係使用於圖3顯示之方法來進行。將結果顯示於表1。另外，雷射光束之具體照射條件係如下述。

(第1刻劃線52a形成之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：100W

相對移動速度：100mm/sec

雷射點：橢圓形

(第2刻劃線52b形成之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：120W

相對移動速度：200mm/sec

雷射點：橢圓形

(雷射折斷之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：320W

相對移動速度：1500mm/sec

雷射點：橢圓形

比較例1

於交點區域沒有載置玻璃板以外係使與實施例1同樣來進行基板之割斷。將結果於表1一起顯示。

「破裂」：於交點部分有破裂產生

「交點跳躍」：從交點往雷射光束之相對移動方向下流側割斷線沒有伸展

如由表1理解，相對於以實施例1之方法係40個交點之中在所有交點為割斷良好，以比較例1之割斷方法只有3個交點為割斷良好，在其餘37個交點有破裂發生。

實施例2

使代替玻璃板之水(附著量：0.04mL、直徑8~10mm)對交點區域附著以外係使與實施例1同樣來進行基板之割斷。將結果於表2顯示。另外，雷射光束之具體照射條件係如下述。

(第1刻劃線52a形成之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：100W

相對移動速度：100mm/sec

雷射點：橢圓形

(第2刻劃線52b形成之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：130W

相對移動速度：180mm/sec

雷射點：橢圓形

(雷射折斷之雷射光束照射條件)

雷射種類：二氧化碳雷射

雷射輸出：240W

相對移動速度：1500mm/sec

雷射點：橢圓形

比較例2

於交點區域沒有使水滴附著以外係使與實施例2同樣來進行基板之割斷。將結果於表2一起顯示。

如由表2理解，相對於以於交點區域使水滴附著之實施例2之割斷方法係40個交點之中在所有交點為割斷良好，以比較例2之割斷方法只有2個交點為割斷良好，在其餘38個交點有破裂發生。

[產業上之可利用性]

利用本發明之割斷方法，於使用雷射於互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之場合可抑制交點部分之破裂之發生，甚為有用。

37‧‧‧冷卻噴嘴

50‧‧‧脆性材料基板

51、51a、51b‧‧‧割斷預定線

52‧‧‧刻劃線

52a‧‧‧第1刻劃線

52b‧‧‧第2刻劃線

53、53a、53b‧‧‧垂直裂痕

61‧‧‧被覆構件

62‧‧‧液體

LB‧‧‧雷射光束

圖1係顯示可實施本發明之割斷方法之割斷裝置之一例之概說圖。

圖2係說明雷射刻劃之操作狀態之圖。

圖3係顯示本發明之割斷方法之一例之步驟圖。

圖4係顯示往雷射光束LB之交點區域之照射量調整例與在交點區域之雷射照射量之圖。

圖5係顯示往雷射光束LB之交點區域之照射量調整例與在交點區域之雷射照射量之圖。

圖6係顯示將往雷射光束LB之交點區域之照射量調整以被覆構件來進行之場合之例之圖。

圖7係顯示將往雷射光束LB之交點區域之照射量調整以液體來進行之場合之例之圖。

37‧‧‧冷卻噴嘴

50‧‧‧脆性材料基板

51a、51b‧‧‧割斷預定線

52a‧‧‧第1刻劃線

52b‧‧‧第2刻劃線

53a、53b‧‧‧垂直裂痕

54‧‧‧割斷線

LB‧‧‧雷射光束

Claims (11)

1. 一種脆性材料基板之割斷方法，包含：將互相交差之由垂直裂痕構成之第1刻劃線與第2刻劃線於脆性材料基板形成之步驟、沿著第1刻劃線與第2刻劃線使雷射光束相對移動同時照射而使前述垂直裂痕伸展並以第1刻劃線與第2刻劃線將前述基板割斷之步驟，其特徵在於：於沿著第1刻劃線及/或第2刻劃線照射雷射光束之際使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量比交點區域以外之雷射光束照射量減少。
2. 如申請專利範圍第1項之脆性材料基板之割斷方法，其中，使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量為交點區域以外之雷射光束照射量之50%以下。
3. 如申請專利範圍第1項之脆性材料基板之割斷方法，其中，藉由控制雷射光束輸出，使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量減少。
4. 如申請專利範圍第2項之脆性材料基板之割斷方法，其中，藉由控制雷射光束輸出，使往第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域之雷射光束照射量減少。
5. 如申請專利範圍第1項之脆性材料基板之割斷方法，其中，以吸收或反射雷射光束之被覆構件覆蓋第1刻劃線與 第2刻劃線之交點區域，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少。
6. 如申請專利範圍第2項之脆性材料基板之割斷方法，其中，以吸收或反射雷射光束之被覆構件覆蓋第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少。
7. 如申請專利範圍第1項之脆性材料基板之割斷方法，其中，以吸收或反射雷射光束之液體覆蓋第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少。
8. 如申請專利範圍第2項之脆性材料基板之割斷方法，其中，以吸收或反射雷射光束之液體覆蓋第1刻劃線與第2刻劃線之交點區域，使往前述交點區域之雷射光束照射量減少。
9. 如申請專利範圍第1~8中任一項之脆性材料基板之割斷方法，其中，前述交點區域係在從第1刻劃線與第2刻劃線之交點往雷射光束之相對移動方向上流側與下流側分別具有5mm以下之寬度之區域。
10. 如申請專利範圍第1~8中任一項之脆性材料基板之割斷方法，其中， 第1刻劃線及第2刻劃線係對前述基板使雷射光束相對移動同時照射，將前述基板加熱為熔融溫度未滿後，對前述基板吹送冷卻媒體以冷卻，以藉由於前述基板產生之熱應力形成。
11. 如申請專利範圍第9項之脆性材料基板之割斷方法，其中，第1刻劃線與第2刻劃線係對前述基板使雷射光束相對移動同時照射，將前述基板加熱為熔融溫度未滿後，對前述基板吹送冷卻媒體以冷卻，以藉由於前述基板產生之熱應力形成。