TW201100947A - Mask inspection with fourier filtering and image compare - Google Patents

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201100947 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於微影，且更特定而言係關於一種 用於光罩檢測之方法及系統。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或比例光罩）可用以產生待形成於〗c之個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之目標部 分（例如，包含晶粒之部分 '一個晶粒或若干晶粒）上。通 常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）層上 而進行圖案之轉印。一般而t，單一基板將含有經順次圖 案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的 步進器’纟中藉由-次性將整個圖案曝光至目標部分上來 輻照每-目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方 向（「掃描」方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或 反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。 亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化=件 轉印至基板。 為了成像更小特徵，已提議在微影裝置中使用波長在5 奈米至20奈米之範圍内（詳言之’ 13 5奈米）的極紫外線輕 射（EUV)或使用帶電粒子束（例如，離子束及電子束）以: 為曝光輻射。此等類型之輕射需要使裝置中之光束路徑被 147223.doc 201100947 抽空以避免吸收。因為不存在用於製造用於EUV輻射之折 射光學元件的已知材料，所以EUV微影裝置將鏡面用於輕 • 射、照明及投影系統中。此等鏡面極易受污染影響，藉此 • 降低其反射率且因此降低裝置之產出率。另外，用於eUv 之來源可產生應被避免進入照明系統之碎片。 隨著1C之尺寸減小且自光罩轉印至基板之圖案變得更複 雜’偵測與形成於光罩上之圖案相關聯的不規則性、缺陷 〇 荨荨（在下文中為缺陷）變得曰益重要。因而，形成於光罩 上之特徵中之缺陷轉變成形成於基板上之圖案缺陷。光罩 缺陷可來自各種來源，諸如光罩基底（mask Mank)上之塗 層中之缺陷、光罩工場（mask shop)中之光罩圖案化程序， •. 及晶圓製造設施中之光罩處置及污染缺陷。因此，光罩之 .缺陷的檢測對於最小化或移除非吾人所樂見之粒子及污染 物以免其影響光罩圖案至基板上之轉印係重要的。 使用圖案成像及分析系統來檢測光罩之任何可能缺陷。 〇 用缺卩a之-方式係藉由比較來自標稱等同圖案之光 學影像。經比較之光學影像之間的差異可指示缺㈣域。 用則貞測缺陷之另-方式係藉由比較經檢測圖案與設計資 料庫，其卡差異指示缺陷區域。然而，圖案成像及分析系 .統傾向於速度緩慢、成本昂貴且解析度可受到限制。 /射掃描系㈣以檢測光軍以制由污染粒子產生之缺 &之存在。精由偵測由粒子產生之散射光來偵測污染。詳 言之，此等系統係用於檢測保護光罩圖案之光罩基底或護 膜。然而，雷射掃描系統在其粒徑解析度(尤其在經爾 147223.doc 201100947 圖案化光罩上)方面受到限制。圖案經钱刻至吸收體声 (—Γ layer)中，吸收體層具有相當大的散射橫截面： 由吸收體層中之圖案產生的散射光可使得不可能谓測由小 粒子產生之散射光。 已提議傅立葉遽波器阻播自㈣刻圖案散射之光且傳遞 自隨機缺陷散射之光n傅立葉錢器係时特定的 且必須針對每—圖案加以⑽。已提議可程式化傅立葉遽 波器，但僅濾波經蝕刻圖案不夠有效率。 【發明内容】 考慮到前述内容’需要一種用於光罩檢測以增強缺陷偵 測且改良針對小粒子之偵測敏感性的改良型方法及系統。 本發明之-實施例提供—種光罩檢測系統，該光罩檢測 系統包含-第-偵測器、一動態傅立葉濾波器、一控制器 及-第二偵測器。該第叫貞測器位於該光罩檢測系統之一 傅立葉平面處，且經組態以偵測由一光罩之一區段產生的 經圖案化光之-第-部分。該動態傅立㈣波器經組態以 藉由該控制器基於該經圖案化光之該經偵測之第一部分加 以控制。該第二偵測器經組態以债測由該光罩之該區段產 生且透射通過該動態傅立葉濾波器的該經圖案化光之一第 一部分。在一貫例中，一光束分裂器可用以產生該經圖案 化光之該第一部分及該第二部分。 本發明之另一實施例提供一種用以檢測一光罩之缺陷的 方法，該方法包括以下步驟。偵測由一光罩產生的經圖案 化光之一第一部分之一傅立葉影像。基於該經偵測之傅立 147223.doc 201100947 葉影像來控制-傅立葉遽波器。使用該傅立m 波該經圖案化光之一第二部分。谓測該經據波之第二:; 分。在-實例中，比較該㈣測之經遽波之第二部分h 一經濾波之經圖案化光。 /、力 本發明之-另外實施例提供一種微影系統，該微 Ο Ο 包含-支撐件、一基板台、一投影系統及上述光罩檢測系 統。該支撐件經組態以支撐一圖案化結構，該圖案化灶構 經組態以在-轄射光束中進行圖案化。該基板台經㈣以 固持一基板。該投影系統經組態以將該經圖案化光束投影 至该基板之一目標部分上。 下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優 點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注音，本 發明不限於本文令所描述之特定實施例。本文中僅^說 明性目的而呈現此等實施例。基財文中所含有之教示， 額外實施·於熟習相關技術者將係顯而易見的。 【實施方式】 根據下文在結合該等圖式時述之實施方式，本發明 之特徵及優點將變得更顯而易見’在該等圖式中，相似元 件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號 通常指示等同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一 元件第-次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊 數位指示。 現將參看隨附圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施 例’在該等圖式中’對應元件符號指示對應部分。 147223.doc 201100947 概述 本說明書揭示併人有本發明之特徵的—或多個實施例。 該（該等）所揭示之實施例僅僅例示本發明。本發明之範4 不：：細等)所揭示之實施例。本發明係藉由此處附加 之申凊專利範圍界定。 所描述之該(該等)實施例及在本說明書中對「一實施 實例實施例」等等之參考指示所描述之該（該 化補可包括—特定祕mu枝，㈣-實施 例可未必包括該特定特徵' 傅a特性。此外，此等短語 ΐ必才曰代同—實施例。另外，當結合一實施例來描述-特 :特：a結構：特性時，應理解，無論是否加以明確描 述，結合其他實施例來實現此特徵、纟 習此項技術者之認識範圍内。 ⑽^性均係在熟 可以硬體'_、軟體或其任何組合實 例。本發明之實施例亦可杂浐炎处士 赏月又貰知 指令，該等指令可由_^:存於機器可讀媒體上之 讀媒體可包括#儲/器讀取及執行。機器可 用於储存或傳輸呈可由機器（例如， 取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀 女、可包括：唯讀記憶體(卿)；隨機存取記心 (RAM)，磁碟儲存媒體； " 件；雷學、氺風„ 予储存媒體，快閃記憶體器 '皮"卜魂仁予、’學或其他形式之傳播信號(例如，載 號、數位信號，等等);及其他者。另外 作梦而J體、軟體、常式、指令描述為執行特定動 解此等描述僅僅係出於方便起見，且此 147223.doc 201100947 等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行勒 體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。 然而’在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的係 呈現可實施本發明之實施例的實例環境。 I.實例微影環境 Α.實例反射微影系統及透射微影系統 Ο 〇 圖1Α及圖1Β分別示意性地描繪微影裝置⑽及微影裝置 1〇〇’°微影裝置100及微影裝置1〇〇，各自包括：照明系統 (照明器）IL，其經組態以調節轄射光束Β(例如’卿或 聊輕射）；支撐結構（例如，光罩台）财，其經組態以支 撐圖案化器件⑽，光罩、主光罩或動態圖案化器 件）ΜΑ，且連接至經組態以準確地定位圖案化器件μα之 第-定位器ΡΜ ;及基板台(例如，晶圓台)ψτ，其經組態 以固持基板（例如，塗布抗蝕劑之晶圓）w，且連接至經組 態以準確地定位基板评之第二定位器pw。微影裝置刚及 1〇〇,亦具有投影系統PS，投影系統ps經組態以將藉由圖案 分（例如，包含一或多個晶粒）(：上。在微影裝置ι〇〇中，圖 案化器件MA及投影系統以係反射的，且在微影裝置ι〇〇, 中，圖案化|§件MA及投影系統ps係透射的。 照明系統IL可包括用於引導 '塑形或控制輕射b的各種 類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或 其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置 147223.doc 201100947 1〇〇及1〇0之設計及其他條件（諸如圖案化器件ΜΑ是否被固 持於真空環境中）的方式來固持圖案化器件ΜΑ。支撐結構 MTJT使用機械、真空、靜電或其他夹持技術來固持圖案 化™件ΜΑ。支撐結構Μτ可為（例々叫框架或台，其可根據 需要而為固定或可移動的。Α樓結構ΜΤ可確保圖案化器 件（例如）相對於投影系統PS處於所要位置。 ° 術。吾圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以 •在輻射光束B之橫截面中向輕射光束8賦予圖案以便在基 板W之目標部分。中產生圖案的任何器件。被賦予至輕射 光束B之圖案可對應於目標部分c中所產生之器件（諸如積 體電路）中的特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的（如在圖⑺之微影裝置ι〇〇，中） 或=反射的（如在圖以之微影裝置刚中）。㈣化器件财 之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化[⑶面 板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移 及哀減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式 化鏡面陣列之-貫例使用小鏡面之矩陣配置’該等小鏡面 中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻 射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射 光束B中。 $ 術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括 折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其 任何組合，其適合於所使用之曝光輻射或適合於諸如使用 /又’又液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用 147223.doc -10- 201100947 於刪或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輕射或 電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵向整個光束路徑提供 真空壤境。 ' 微影裝置100及/或微影裝置⑽，可為具有兩個（雙載物 口）或兩们以上基板台（及/或兩個或兩個以上光罩台）评丁的 類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基 板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一 0 或多個其他基板台WT用於曝光。

參看圖1A及圖1B，照明器IL自輕射源s〇接收輕射光 束。舉例而言，當輻射源S0為準分子雷射時，輻射源犯 與微影裝置100、100,可為分離實體。在此等情況下，不認 ' 純射源S〇形成微影裝置_或卿之部分，聽射光束B .憑藉包含（例如）適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送 系統BD(圖1B)而自輻射源s〇傳遞至照明器比。在其他情 況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源§〇可為微 〇 知衣置1〇〇、100'之整體部分。輻射源so及照明器IL連同 光束傳送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 .，、、明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 器AD(圖1B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分 * 布的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱 .作σ外部及σ内部卜此外，照明器匕可包含各種其他組件 (圖1Β)’諸如積光器爪及聚光器c〇。照明器IL可用以調節 輪射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分 布。 147223.doc 11 201100947 參看圖ΙΑ，輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如， 光罩台）MT上之圖案化器件（例如，光罩）厘八上，且係藉由 圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置1〇〇中，輻射光束b 自圖案化器件（例如’光罩）MA被反射。在自圖案化器件 (例如光罩）MA被反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系 統ps，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板w之目標部分 c上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量 測器件、線性編碼器或電容性感測器），基板台WT可準確 地移動，例如，以使不同目標部分c定位在輻射光束3之 路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可 用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件（例 如，光罩）MA。可使用光罩對準標記M丨、M2及基板對準 標記PI、P2來對準圖案化器件（例如，光罩）MA及基板w。 參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如， 光罩台MT)上之圖案化器件（例如，光罩MA)上，且係藉由 圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩^^八後，輻射光束B傳遞 通過投影系統PS，投影系統pS將光束聚焦至基板w之目標 部分C上。憑藉第二定位器Pw及位置感測器IF(例如，干 涉星測器件、線性編碼器或電容性感測器），基板台WT可 準確地移動’例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束 B之路徑中。類似地，第一定位器pM及另一位置感測器 (其未在圖1B中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩庫之 機械揭取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確 地定位光罩MA。 147223.doc 12 201100947 一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程 权組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現光罩台Μτ 之移動。類似地，可使用形成第二定位器pw之部分的長 衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進 器（相對於掃描器）之情況下，光罩eMT可僅連接至短衝程 致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及 基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所 〇 說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標 部分之間的空間中（被稱為切割道對準標記）。類似地，在 一個以上晶粒提供於光罩ΜΑ上之情形中，光罩對準標記 可位於該等晶粒之間。 ， 微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中： I在步進模式中，在將被賦予至輻射光束Β之整個圖 案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構（例如，光 罩台）ΜΤ及基板台评丁保持基本上靜止（亦即，單次靜態 〇 曝光）。接著，使基板台WT在X及/或γ方向上移位，使 得可曝光不同目標部分c。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束3之圖案投 影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構（例如，光罩 •台）ΜΤ與基板台WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影 ’系統P S之放大率（縮小率）及影像反轉特性來判定基板a WT相對於支撐結構（例如’光罩台）MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束b之圖案投 影至目標部分C上時，使支撐結構（例如，光罩台）保 147223.doc 201100947 持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動 或掃描基板台wt。可使用脈衝式輻射源s〇，且在基板 台WT之每-移動之後或在掃描期㈣順次輕射脈衝之 間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可 易於應用於利用可程式化圖案化器件（諸如本文中所提 及之類型的可程式化鏡面陣列）之無光罩微影。 亦可使用對所描述之使用模式之组合及/或變化或完全 不同的使用模式。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使 用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應 用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵 測圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中， 可認為本文"""吾「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別 與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光 之前或之後在（例如）塗布顯影系統（通常將抗蝕劑層施加至 基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢測 工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之 揭示内容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基 板處理一次以上，（例如）以便產生多層IC，使得本文中所 使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基 板。 在一另外貫施例中，微影裝置！ 〇〇包括極紫外線（EUV) 源，EUV源經組態以產生用於EUV微影之Euv輻射光束。 147223.doc •14· 201100947 一般而言，EUV源經組態於輻射系統（見下文）中，且對應 照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。 ' B.實例EUV微影裝置 - 圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的例示性E u v 微影裝置200。在圖2中，EUV微影裝置2〇〇包括輻射系統 42、照明光學器件單元44及投影系統ps。輻射系統42包括 輻射源SO，其中輻射光束可藉由放電電漿形成。在一實施 ❹例中，EUV輻射可藉由氣體或蒸汽產生，例如，由心氣 體、Li蒸汽或Sn蒸汽產生EUV輕射，其中產生極熱電聚以 發射在電磁光譜之EUV範圍内的輻射。可藉由（例如）放電 而產生至少部分地離子化之電漿來產生極熱電漿。對於輻 ’ 射之有效率產生，可能需要為（例如）10 Pa之分壓的Xe、

Li、Sn洛a或任何其他適當氣體或蒸汽。由輻射源s〇發射 之輻射係經由定位於源腔室47中之開口中或後方之氣體障 壁或污染物捕捉器49而自源腔室47傳遞至收集器腔室48 〇 中。在一實施例中，氣體障壁49可包括通道結構。 收集器腔室48包括可由掠入射收集器形成之輻射收集器 5〇(其亦可被稱為收集器鏡面或收集器輻射收集器5〇具 有上游輻射收集器側50a及下游輻射收集器側50b，且由收 ，集器50傳遞之輻射可被反射離開光栅光譜濾波器51以聚焦 於在收集器腔室48中之孔徑處的虛擬源點52處。輻射收集 器50為熟習此項技術者所知。 自收集器腔室48，輻射光束56係在照明光學器件單元44 中經由正入射反射器53及54而反射至定位於比例光罩台或 147223.doc -15- 201100947 光罩台MT上之比例光罩或光罩（圖中未繪示）上。形成經圖 案化光束57,其係在投影系統“中經由反射元件“及”而 成像至被支撐於晶圓載物台或基板台评丁上之基板（圖中未 繪示）上。在各種實施例中，照明光學器件單元44及投影 系統PS可包括比圖2所描繪之元件多（或少）的元件。舉例 而言，取決於微影裝置之類型，可視情況存在光栅光譜濾 波器51。另外’在—實施例中’照明光學器件單元44及投 影系統PS可包括比圖2所描繪之鏡面多的鏡面。舉例而 言，除了反射元件58及59以外，投影系統ps亦可併入有一 0 至四個反射το件。在圖2中，元件符號18〇指示兩個反射器 之間的空間，例如，反射器142與反射器143之間的空間。 在Λ紅例中，代替掠入射鏡面或除了掠入射鏡面以 外，收集器鏡面50亦可包括正入射收集器。另外，儘管參 考具有反射器142、143及146之巢套式收集器進行描述，_ 仁在本文中進一步將收集器鏡面5〇用作收集器之實例。 另外，代替光栅5 1，如圖2示意性地所描繪，亦可應用 透射光學濾波器。對於Ευν為透射之光學濾波器以及對於 ◎ ^輕射為較不透射或甚至f質上吸收UV輻射之光學濾波 器為热習此項技術者所知。因此，「光柵光譜純度濾波 益」之使用在本文中進一步互換地指示為「光譜純度濾波 斋」’其包括光柵或透射濾波器。儘管圖2中未描繪，但 ’ ^包括作為額外光學元件之EUV透射光學渡波器（例如，‘ 二、且態於收集器鏡面50上游），或在照明單元44及/或投影 系统ps中之光學Euv透射濾波器。 ' 147223.doc -16- 201100947 相對於光學元件之術語「上游」及「下游」分別指示在 一或多個額外光學元件之「光學上游」及「光學下游」的 一或多個光學元件之位置。遵循輻射光束橫穿通過微影装 置200之光路，比第二光學元件更接近於輻射源s〇之第一 光學元件經組態於第二光學元件上游；第二光學元件經組 恶於第一光學元件下游。舉例而言，收集器鏡面5〇經組態 於光譜濾波器51上游，而光學元件53經組態於光譜濾波器 5 1下游。 ° 圖2所描繪之所有光學元件（及此實施例之示意性圖式中 未展示的額外光學元件）均可易受由輻射源s〇(例如， 產生之污染物之沈積的損壞。對於輻射收集器5〇及（在存 在時）光譜純度濾波器51可為此情況。因此，可使用清潔 器件來凊春此等光學元件中之一或多者，以及可將清潔方 法應用於該等光學元件，而且應用於正入射反射器53及54 以及反射元件58及59或其他光學元件（例如，額外鏡面、 光栅，等等）。 輻射收集器50可為掠入射收集器，且在此實施例中，收 集1§ 50沿著光軸〇對準。輻射源s〇或其影像亦可沿著光軸 〇定位。輻射收集器50可包含反射器142、143及146(亦被 稱為「殼體」（shell)或包括若干沃爾特型反射器（w〇her_ type reflector)之沃爾特型反射器）。反射器142、143及146 可為巢套式且圍繞光軸〇旋轉對稱。在圖2中，内部反射器 係由元件符號142指示，中間反射器係由元件符號143指 示，且外部反射器係由元件符號146指示。輻射收集器5〇 147223.doc 201100947 封閉特定體積，亦即，在外部反射器146内之體積。通 常，在外部反射器146内之體積係圓周閉合的，但可存在 小開口。 反射器142、143及146分別可包括至少一部分表示一反 射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及 146(或具有二個以上反射器或殼體之輻射收集器之實施例 中的額外反射器）經至少部分地設計成反射及收集來自輕 射源SO之EUV輻射，且反射器142、143及146之至少一部 分可此未經設計成反射及收集EUV輕射。舉例而言，反射 ❹ 器之背側之至少一部分可能未經設計成反射及收集E uv輻 射。在此等反射層之表面上’此外可存在用於保護之頂蓋 層或作為提供於反射層之表面之至少一部分上的光學滅波 器。 .· 輻射收集器50可置放於輻射源s〇或輻射源8〇之影像附 · 近。每一反射器142、143及146可包含至少兩個鄰近反射 表面，較遠離於輻射源SO之反射表面與較接近於輻射源 SO之反射表面相比較經置放成與光軸〇成較小角度。以此 ◎ 方式，掠入射收集器50經組態以產生沿著光軸〇傳播之 (E)UV輻射光束。至少兩個反射器可被實質上同軸地置放 且圍繞光軸Ο實質上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射收集 . 器50可具有在外部反射器146之外部表面上之另外特徵或 、 圍繞外部反射器146之另外特徵，例如，保護固持器：加 熱器，等等。 °° 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元 147223.doc •18· 201100947 件j在情境允許時可指代各種類型之光學組件令之任—者 或其組合，包含折射、反射、磁性、電磁及靜電光學组 件0 ’’ * 另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所 • 有類型之電磁輕射，包含紫外線（uv)輻射（例如，具有為 365奈米、248奈米' 193奈米、157奈米或126奈米之波長 入）、極紫外線（EUV或軟X射線）輻射（例如， 太 〇 :2°奈米之範圍内的波長，例如’丨3.5奈米)，或在::; ’丁、米下工作之硬X射線，以及粒子束（諸如離子束或電子 束）。通常，認為具有在約78〇奈米至3〇〇〇奈米（或更大）之 間的波長的輻射係IR輻射。UV指代具有大約1〇〇奈米至 ' 彻奈米之波長的輻射。在微影内，其通常亦適用於可由 .水銀放電燈產生之波長：〇線436奈米；Η線4〇5奈米；及/ 或I線36奈米。真空υλ^νυν(亦即，由空氣吸收之^) 指代具有大約100奈米至2〇〇奈米之波長的輻射。深 ❹ UV(DUV)通常指代具有在126奈米至428奈米之範圍内之波 長的#田射，且在一實施 <列中，帛分子雷射可產生用於微影 裝置内之DUV輻射。應瞭解，具有在（例如）5奈米至2〇奈 米之範圍内之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5奈 •米至20奈米之範圍内之特定波長帶的輻射。 II.光罩檢測系統之實施例 圖3為光罩檢測系統300之實施例的說明。光罩檢測系統 3〇〇包括光罩圖案影像移除系統3〇3及偵測器3〇5。光罩圖 案衫像移除系統303自光罩3〇1接收散射光3〇2。散射光3〇2 147223.doc •19- 201100947 匕括來自光罩301之圖案（圖中未緣示）的散射光，及來自光 罩301上之任何可能不規則性、缺陷等等（在下文中為缺陷） 的散射光。光罩圖案影像移除系統3〇3自光罩3〇1之圖案移 除只質上所有散射光。因而，偵測器3〇5實質上僅債測來 自光罩301上之可能缺陷的散射光3〇8。 圖4為光罩圖案影像移除系統4〇3之實施例的說明。舉例 而。，光罩圖案影像移除系統4〇3可用作圖3之光罩圖案影 像移除系統303。光軍圖案影像移除系統4〇3包括光束分裂 益411 Μ貞測器413、控制器415及動態傅立葉濾波器417。 € 在一實施例中，光束分裂器411自光罩（例如，圖3之光 罩301)接收散射光402。光束分裂器411將散射光4〇2分裂 成第邛为402Α及第二部分4〇2Β。光束分裂器41〗將第一 4刀402 Α引導至偵測器41 3且將第二部分4〇2Β引導至動態 傅立葉濾波器417。偵測器413及動態傅立葉濾波器417^ 散射光402行進之方向上相對於光束分裂器411位於上游。 光束为裂器之分裂比率（例如，光束4〇2形成4〇2入之量相對 於光束402形成402Β之量）可取決於偵測器413或圖3之偵測◎ 器305(例如，分裂比率可取決於偵測器之敏感性）。 在一貫施例中，偵測器413位於光罩圖案影像移除系統 4〇3之傅立葉平面處。在一實例中，偵測器413包含ccd相 機。然而’亦可使用其他類型之偵測器。 在一實例中’控制器415連接至偵測器413。控制器415 經組態以自偵測器413接收信號414，信號414表示經偵測 之第。卩为402 Α。控制器41 5可進一步分析根據經偵測之 147223.doc -20- 201100947 第一部分402A的光罩之圖案之傅立葉場量測。控制器4i5 可使用傅立葉場量測來產生控制信號416，控制信號4i6用 以動態地控制動態傅立葉濾波器417。

在貝例中，動態傅立葉遽波器417包括（但不限於）數 位鏡面陣列、光閥陣列’等等。在經由接收控制信號416 加以組態之後，動態傅立葉濾波器417自光束分裂器41工接 收第二部分402B。動態傅立葉濾波器417經組態以實質上 移除由光罩之圖案產生之散射光。因#，離開動態傅立葉 濾波器41 7之散射光4〇8實質上僅包括來自存在於光罩上之 任何可能缺陷的散射光。 在一實施例中，根據經偵測之第一部分4〇2A(在偵測器 413處得以偵測）的光罩之圖案之傅立葉場量測可包括光罩 之圖案之空間頻率、量值及相位資訊。在一實施例中，控 制器415可使用此資訊來動態地控制動、 在-實施例中’可藉由使光之一些空間頻::遞皮: 過且切斷光之一些其他空間頻率來進行傅立葉濾波。在一 實例中，冑立葉濾波器417可基於在傅立葉場量測下所量 測的光罩之圖案之空間頻率、量值及相位資訊來實質上： 斷由光罩之圖案產生之散射光之空間頻率，且因此實質上 移除由光罩之㈣產生之散射光。或者或另外，藉由^立 葉遽波器417中之傅立葉濾、波，可使來自存在於光罩上之 任何可能缺陷之散射光之空間頻率實質上傳遞通過，且因 此：僅來自存在於光罩上之任何可能缺陷的散射光可實質 上通過傅立葉濾波器41 7。 147223.doc •21- 201100947 在一實例中’光罩檢測系統303或403能夠比先前系統更 準確地且以比先前系統之解析度更高的解析度偵測光罩之 一區域上之任何可能缺陷。舉例而言，與僅使用傅立葉濾 波之系統相比較’缺陷大小偵測敏感性可被增強1〇倍以 上。又，與先前系統相比較，本發明之一些實施例可改良 經估計之檢測時間。 圖5為光罩檢測系統500之另一實施例的說明。光罩檢測 系統500包括可選成像光學器件521及523、光束分裂器 5 11、第一偵測器5丨3、控制器5丨5、動態傅立葉濾波器 5 1 7、第一谓測器5 19、可選遮蔽孔徑或隔板5 2 5，及可選 資料分析器件533。 光罩501包括圖案（圖中未繪示）及可能缺陷（圖中未緣 示）。如下文所論述來照明光罩501。藉由光束分裂器51 i 自光罩501接收散射光502。在一實施例中，成像光學器件 521經組態以收集散射光5 〇2，且可在光束分裂器5 11接收 散射光502之前移除零繞射級光。 在一實施例中，光罩檢測系統500視情況包括照明源529 及反射器件53 1。照明源529及反射器件53 1可照明光罩 501。在此實施例中’光罩501為反射光罩。光罩5〇1可為 (例如）EUV反射光罩。照明光可自光罩501之表面實質上法 向地反射。照明源529可包括（但不限於）雷射照明源、Euv 照明源及其類似者。 或者’在另一實施例中，光罩檢測系統5〇〇視情況包括 照明源527以照明光罩501。在此實施例中，光罩5〇1為透 147223.doc •22· 201100947 射光罩。照明光可實質上法向地被接收於光罩5〇1之表面 上。照明源527可包括（但不限於）雷射照明源及其類似者。 • 在一實例中，藉由光束分裂器511自光罩501接收散射光 . 502，且將散射光5〇2分裂成散射光之第一部分5〇2A及散射

光之第二部分502B。藉由光束分裂器511將第一部分5〇2A 引導至偵測器513。偵測器513位於光罩檢測系統5〇〇之傅 立葉平面處，且經組態以偵測散射光之第一部分5〇2A。 0 在一實例中，控制器515耦接至偵測器513，且經組態以 接收表示散射光之經偵測之第一部分5〇2八的信號514。控 制器515經組態以量測散射光之經偵測之第一部分5〇2a的 專葉琢以產生控制k號516。基於傅立葉場量測，控 ' 制器515使用信號516來組態及控制動態傅立葉濾波器 517。 。 在一實例中，動態傅立葉濾波器517亦自光束分裂器5ιι 接收散射光之第二部分502B。動態傅立葉渡波器517經組 〇 態、以自散射光之第二部分502B實質上移除由光罩501之囷 案產生之所有散射光。因而’離開動態傅立葉遽波器517 之放射光508貝貝上僅包括由可存在於光罩上之任何可 能缺陷產生之散射光。 _在-實施例中，光罩檢測系統5〇〇包括可選遮蔽孔徑或 隔= 525。遮蔽孔徑525置放於中間影像平面處以界定檢測 之前導部分及尾隨部分。檢測之前導部分經界定為散射光 自光罩5(H行進至傅立葉平面處之㈣器513的區域。檢測 之尾隨部分經界定為散射光自光罩5〇1行進至動態傅立葉 147223.doc -23- 201100947 濾波器517的區域。可調整遮蔽孔徑525以補償可在偵測器 5 13偵測散射光之第一部分5〇2八的時間週期或持續時間與 動態傅立葉濾波器517基於控制信號516加以組態的時間週 期或持續時間之間發生的任何時間延遲。舉例而言，分析 傅立葉場量測及控制動態傅立葉濾波器517可稍微在動態 地濾波散射光之第二部分5〇28之前發生。遮蔽孔徑525可 包括（但不限於）隔板、遮光葉片，等等。 在一實例中，在散射光之第二部分5〇23橫穿通過動態傅 立葉渡波器517之後，藉由㈣器5㈣測散射光之經滤波^ 之第二部分508。在一實施例中，偵測器519可置放於光罩 檢測系統500之影像平面處。在一實施例中，光罩檢測系 統500可包括可選成像光學器件523，可選成像光學器件 523用以處理散射光之經濾波之第二部分且將散射光之 經濾波之第二部分508引導至偵測器519上。在此實例組態 中，散射光之經濾波之第二部分5〇8實質上僅包括由光罩 5〇1之任何可能缺陷產生之散射光。&光罩5〇ι之圖案產生 之散射光實質上藉由動態傅立葉濾波器517濾出。 ❹ 在Λ例中，光罩檢測系統500進一步包括資料分析器 件533貝料分析器件533連接至偵測器5丨9，且經組態以 接收表示散射光之經偵測之經渡波之第二部分5〇8的信號 5=供進一步分析。在一實施例中，資料分析器件印經. 〜乂比較放射光之經偵測之經濾波之第二部分5〇8與另 . 政射光。在一實施例中’該另一散射光先前已藉由光罩 檢測系統500偵測且已儲存於記憶體或資料庫534中。在另 147223.doc -24- 201100947 一實例申，該另一勒射 政射先可來自光罩501之同一區域，或 .彳來自具有類似圖案之另—光罩（圖中未繪示）之同一區 域或者或另外，该另一散射光可來自具有實質上等同圖 . 案之光罩之另一區域。太玄 奋 _ 杰政如 _纟另—實❹I中，該另-散射光可 . 為财於設計資料庫川巾之參考#料。在另—實施例 中，如將在圖7中更詳細地解釋，實質上在藉由情測器519 伯測散射光之經渡波之第二部分508的同時谓測該另一散 〇 .或者或另外’貝料分析器件533經組態以使散射光 之經偵測之經濾波之第二部分 口丨刀3ϋ8與另一散射光相減。該 另一散射光可包括上文所提及之散射光中之任一者。在一 實施例中，資料分析器件533經組態以在相減之前正規化 '經偵測之經濾波之第二部分5〇8或其表示者。 • 在―實施例中’資料分析器件533經組態以在器件533比 較#號532與該另-散射光之前視情況正規化表示散射光 之經偵測―之第二部分彻的信號阳。此情形可改 Q 良光罩上之可能缺陷之偵測。 在—實例中，藉由比較信號532與該另—散射光，資料 分析器件533能夠移除由光罩5〇1之圖案產生之任何殘餘散 射光，該殘餘散射光本來可能會傳遞通過動態傅立葉渡波 益517。因而’光罩檢測系統5⑽增強可存在於光罩训上 之任何可此缺之谓測。在—實施例中，資料分析器件 5 3 3經組態以初始化向蚀用本十么 。4化门使用者或糸、統警告光罩5〇1包括缺陷 之警告系統536。在一眚祐々丨丨由 次、 貫鈿例中，資料分析器件533經組態 以判定光罩5(Π上之缺陷之大小及部位。取決於缺陷相對 147223.doc -25- 201100947 於光罩5 01之圖案的大小及部位，以及缺陷之關鍵度 (criticality) ’可針對—清潔程序來替換或移除光罩。 在—實例中，可計算或調整用於光罩檢測系統500中之 照明光之波長及檢測通道之數值孔徑，以便改良光罩檢測 系統50〇之缺_測能力。照明光之波長愈短，光罩檢剛 系統500之解析度愈高。又，檢測通道之數值孔徑愈高， 光罩檢測系統500之解析度愈高。作為一實例，可使用具 有193奈米或266奈米之照明光及具有約〇 %之數值孔 檢測通道。 在—貫施例中，可將光罩檢測系統5〇〇用作附接至微影 裝置（例如，圖1A或圖1B所示之微影裝置）中之曝光工具的 檢測模組。在此實施例中’可將__光罩轉移至該模組了可 在該光單上執行檢測，且可針對—微影程序將該光罩轉移

至該曝光工具。或去，力L 次者在另一貫施例中，光罩檢測系統 500可與微影裝置分離。 在-實 <列中，力罩檢測系、统5〇〇可用以檢測任何光學光 罩，例如，光罩檢測系統5〇〇可用以在真空中檢測經圖索 化EUV光罩’光罩檢測系統⑽可用以檢測卿光罩之前 側或後侧。在一實施例中，％罩5〇1上之圖案為週期性圖』 案。 圖6為用於檢測光罩之缺陷之方法_之實施例的說明。 方法_可使用（例如）上文關於圖3、圖4或圖5所描述之光 罩檢測系統300、403或500而發生。 在步驟600，使用輻射光束來照明光罩之一區域。 147223.doc •26- 201100947 在步驟603中，藉由偵測器接收由光罩之該區域產生的 散射光之第一部分，以偵測散射光之第一部分之傅立葉影 • 像。 . 在步驟605中，使用散射光之第一部分之經偵測之傅立 葉影像來設置及控制動態傅立葉濾波器。 在步驟607中，散射光之第二部分橫穿通過動態傅立葉 濾波器，且自散射光之第二部分實質上移除由光罩之該區 域之一圖案產生的散射光。 〇 在步驟609中，藉由偵測器接收及偵測散射光之經濾波 之第二部分，散射光之經濾波之第二部分實質上包括由光 罩之該區域上之任何可能缺陷產生的散射光。 -在可選步驟611中，比較散射光之經偵測之經濾波之第 一邛为與另一經圖案化光。藉由該比較，可移除由光罩之 該區域之該圖案產生的任何殘餘散射光，該殘餘散射光本 來可此會傳遞通過該濾波器。因而，缺陷偵測得以增強。 ❹ 在一實施例中，比較散射光之經偵測之經濾波之第二部分 與β亥另一經圖案化光可包括（但不限於）使散射光之經偵測 之經濾波之第二部分與該另一經圖案化光相減。 在-實施例中，該另一散射光先前已藉由光罩檢測系統 憤測且=儲存於資料庫中。該另一散射光可來自同一光罩 -之同一區域，或可來自具有類似圖案之另一光罩之同一區 域。或者或另外，該另一散射光可來自具有實質上等同圖 案之同—光罩之另一區域。在另一實施例中，該另一散射 光可為儲存於設計資料庫中之參考資料。在另一實施例 147223.doc •27- 201100947 中，如將在圖7中更詳細地解釋，連續地且實質上同時地 偵測該另一散射光及散射光之經濾波之第二部分。 圖7為光罩檢測系統700之說明。光罩檢測系統700可包 括至少兩個光學通道703 A及703B。每一光學通道703 A或 703B可包括一光罩檢測系統，例如，圖3、圖4及圖5所示 之光罩檢測系統300、403及500。傅立葉平面偵測器（例 如，圖4之偵測器413)可置放於傅立葉平面707處。 光罩檢測系統700可用以檢測分別在光罩圖案701八及 701B上之檢測區705 A及705B。在一實例中，光罩圖案 701A與光罩圖案701B具有實質上等同圖案，惟 < 存在於 其上之任何可能缺陷除外。分別藉由光學通道703 A及 703B將照明光束730A及730B引導至光罩圖案7〇1八及70118 上之檢測區705八及7058。將來自檢測區705人及705丑之散 射光702八及7026引導至光學通道703八及7033。 在一實例中，如上文關於圖3至圖6所論述，在每一光學 通道中，使用動態傅立葉濾波器（圖中未繪示）自全部散射 光實質上移除自光之各別檢測區之圖案散射之光，以隔離 包括關於缺陷之資訊的散射光。偵測來自檢測區705 A及 705B之所得經濾波之散射光（圖中未繪示）。使用資料分析 器件（圖中未繪示）而使經偵測之經濾波之散射光之表示彼 此比較。藉由比較表示，移除來自檢測區705A及705B之 圖案的可能殘餘散射光，該殘餘散射光本來可能會傳遞通 過動態傅立葉滤波器。舉例而言，可存在於檢測區705 A及 7 0 5 B上且不為檢測區7 0 5 A及7 0 5 B之共同特徵之任何可能 147223.doc -28 - 201100947 缺陷之偵測得以改良。在一實施例中，可根據光罩載物台 座標及照明光束參考來量測檢測區705A及705B之部位。 在一實施例中，光學通道703 A及703B同步地檢測光罩 圖案701A及701B。連續地使來自光學通道703 A及703B的 經偵測之經傅立葉濾波之經圖案化光之所得表示彼此比 較0 在一實施例中，載運光罩圖案701A及701B之光罩板包 括光罩對準鍵（mask alignment key)709。光罩對準鍵709可 用以對準光學通道703A與光學通道703B。在一實施例 中，可藉由對準由檢測區705A及705B之圖案產生的殘餘 散射光之表示來達成光學通道703 A與光學通道703B之間 的對準之微調。在另一實施例中，可藉由降低光學通道 703 A及703B中之傅立葉濾波器之效率來增強由檢測區 705A及705B之圖案產生的殘餘散射光以改良對準。 在一實施例中，使用由光學通道703 A及703B之傅立葉 平面707處之偵測器（圖中未繪示）偵測的散射光之表示的平 均值來組態及控制光學通道703A及703B之動態傅立葉濾 波器（圖中未繪示）。在另一實施例中，光學通道703 A及 703B中之僅一者在傅立葉平面707處包括一偵測器（圖中未 繪示）。該一個偵測器用以組態及控制兩個光學通道703 A 及703B之動態傅立葉濾波器（圖中未繪示）。在另一實施例 中，在兩個通道703A及703B中偵測的經濾波之散射光之 表示在使彼此比較之前被正規化。在一實施例中，若動態 傅立葉濾波器不可用，則可使固定預設傅立葉平面阻擋濾 147223.doc -29- 201100947 波器匹配且用於每一光學通道703 A及703B中。然而，使 用固定預設傅立葉平面阻擋濾波器（而非動態傅立葉濾波 器）可降低爐波效率且減小光罩檢測系統7 〇 〇之有效性。 在一實施例中，掃描器7〇4A及704B可分別用以在不同 掃描方向上使光學通道7〇3A及703B掃描遍及光罩圖案 701八及7018。在一實例中，掃描器7〇4八及7〇4]5可同步地 使光學通道703八及7038掃描遍及光罩圖案701八及7〇18。 在另一實施例中，光罩圖案7〇1八及7〇18可在掃描方向上 移動，使得可藉由光學通道7〇3八及7〇3B掃描光罩圖案 701A及 701B。

圖8A為微影裝置之曝光階段8〇〇之實施例的說明。圖8B 為微影裝置之檢測階段800,之實施例的說明。圖8A及圖8b 為光罩檢測系統807可如何與微影裝置一起工作之一實例 的說明，例如，藉由在曝光期間之位置（圖8A)與檢測期間 之位置（圖8B)之間移動光罩檢測系統8〇7。圖从為曝光階 段800之說明。在曝光階段8〇〇中，照明源805可照明光罩 801之目標部分（圖中未緣示）。在自光罩8〇ι被反射之後， 經圖案化光聚焦於基板803之目標部分（圖中未繪示）上以在 基板803上形成圖案或特徵。在曝光階段8〇〇期間，光罩檢 測系統807離線（offline)或經移動成遠離於來自光罩剛之 圖案化光束。 圖B為私測#又8〇〇之說明。在檢測階段8⑼，中，光罩 檢測系統807可移動至經圖案化光束之光束路徑中處於 光罩8〇1與基板803之間。在—實例中，光罩檢测系統8〇7 147223.doc -30- 201100947 可包括（例如）圖3、圖4、圖5及圖7所示之光罩檢測系統 3 00、403或5 00。在檢測階段8〇〇’中，照明源8〇5照明光罩 801藉由光罩檢測系統807接收及處理來自光罩8〇1之散 •射光以偵測可存在於光罩801上之任何可能缺陷。 圖9A為微影裝置之曝光階段900之另一實施例的說明。 圖9B為微影裝置之檢測階段9〇〇,之另一實施例的說明。圖 9A及圖9B說明光罩檢測系統9〇7可如何與微影裝置一起工 〇 作之另—實例，例如，藉由將光罩901自曝光位置（如在圖 9A中所見）移動至檢測位置（如在圖9b中所見p在曝光階 段900期間，照明源9〇5可照明光罩9〇1之目標部分（圖中未 1不）。在自光罩901被反射之後，經圖案化光聚焦於基板 /之目‘邛勿（圖中未繪示）上以在基板903上形成圖案或 • 特徵。在曝光階段900期間，光罩檢測系統9〇7離線或自經 圖案化光束之路徑被移除。 圖9B為檢測1¾段9〇〇’之說明。在檢測階段9〇〇，中，光罩 〇 彳移動以加以檢測。在檢測階段900’期間，藉由照明源 909照明光罩9〇卜藉由光罩檢測系統9〇7接收及處理來自 光罩9〇1之散射光，則貞測可存在於光罩9〇ι上之任何可能 缺。光罩檢測系統9〇7可包括（例如頂3、圖4、圖$及圖7 所示之光罩檢測系統300、403或5〇〇。 III.結論 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使 用，但應理解，木女Φ 冬文中所為速之微影裝置可具有其他應 用’諸如製造整合光學季絲、 子糸、，先用於磁疇記憶體之導引及偵 147223.doc -31· 201100947 測圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中， 可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別 與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光 之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至 基板且顯影經曝光抗钮劑之工具）、度量衡工具及/或檢測 工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文之揭 2内容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板 次以上’（例如）以便產生多層ic’使得本文所使用 〔外&板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。 ·· a可特疋地參考在光學微影之情境中對本發明之 如施：的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例 ’壓印微影）中’且在情境允許時不㈣光學微影。在 於=数影中’圖案化器件中之構形加卿吻）界定產生 板：二上之圖案。可將圖案化器件之構形磨入被供應至基 板之杬蝕劑層中，在基板上 則俅精由施加電磁輻 宰化…屮或其組合而固化。在抗钱劑固化之後，將圖 案化器件移出抗蝕劑，從而在其令留下圖案。 之術語「輕射」及「光束」涵蓋所有類型 电磁幸田射，包括紫外線（υν)韓射 叫米，米，米、193奈米、二= 二;^長）及極紫外線（euv)輻射（例如，具有在為5奈米I 束)不。米之範圍内的波長）；以及粒子束⑽如離子束或電子

W223.dOC 32· 201100947 術語「透鏡」在情境允許 _之任一者或其組合，包括折“各種類型之光學組件 電光學組件。 雖然上文已描述本發明之杂 與所描述之方式不同的方例’但應瞭解，可以 飞不Π的方式來實踐本發明〇舉例而古 發明可採取如下形式：電 σ 干之方……其含有描述如上文所揭 ❸ 〇 的一或多個序列；或資料儲存媒 (”丰導體記憶體、磁碟或光碟)， 中之此電腦程式。 兩仔、具 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習 此項技術者將顯而易見， ' ,ljr r . μ 了在不脫離下文所《述之申請專 =圍之^的情況下對所招述之本發明進行修改 解，[實施方式】章節（而非 節)意欲用以解釋申枝真丄]及[中文發明摘要]章 搞要卜― 月專利|&圍。[發明内容]及[中文發明 = 早：如由發明人所預期的本發明之-或多個 =Γ性實施例’且因此，不意欲以任何方式來限 制本發明及附加申請專利範圍。 Μ 指定功能及其關係之實施的功能建置區 塊而描述本發明$杂 a 之灵鈀例。為了便於描述，本文中已任意 处及24功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功 ”關係，便可界定替代邊界。 性所、實：例之則述描述將如此充分地展現本發明之-般 技使n人可在無不當實驗的情況下藉由應用此項 何之熟知知識而易於針對各種應用來修改及/或調適 147223.doc •33· 201100947 此等特定實施例，而不脫離本發明之一 奴概念。因此，其 於本文中所呈現之教示及指導，此耸 土 _ #成匕#5周適及修改意欲屬於 所揭示實施例之等效物的涵義及範圍。應理解，本文、 措辭或術語係用於描述而非限制之目的，使得本說明金之 術語或措辭待由熟習此項技術者按照教示:指導加二^ 釋。 鮮 示性實施例中之任 圍及其等效物加以 本發明之廣度及範疇不應藉由上述例 一者限制，而應僅根據以下申請專利範

界定。 【圖式簡單說明】 圖1A及圖1B分別描繪反射微影裝置及透射微影裝置； 圖2描繪實例euv微影裝置； 圖3為光罩檢測系統之實施例的說明； 圖4為可用於光罩檢測系統中之光罩圖案影像移除系統 之實施例的說明； 圖5為光罩檢測系統之另一實施例的詳細說明；

圖ό為用於檢測光罩之方法之實施例的說明； 圖7為光罩檢測系統之另一實施例的說明； 圖8Α為微影裝置之曝光階段之實施例的說明； 圖8Β為微影裝置之檢測階段之實施例的說明； 圖9 Α為微影裝置之曝光階段之另一實施例的說明；及 圖9B為微影裝置之檢測階段之另一實施例的說明。 【主要元件符號說明】 42 輻射系統 147223.doc -34- 201100947 44 照明光學器件單元 47 源腔室 48 收集器腔室 49 氣體障壁/污染物捕捉器 50 輻射收集器/收集器鏡面 50a 上游輻射收集器側 50b 下游輻射收集器側 51 光柵光譜濾波器/光柵

52 虛擬源點 53 正入射反射器/光學元件 54 正入射反射器 56 輻射光束 57 經圖案化光束 58 反射元件 59 反射元件 100 微影裝置 100' 微影裝置 142 内部反射器 143 中間反射器 146 外部反射器 180 兩個反射器之間的空間 200 EUV微影裝置 300 光罩檢測系統 301 光罩 147223.doc -35- 201100947 302 散射光 303 光罩圖案影像移除系統/光罩檢測系統 305 偵測器 308 散射光 402 散射光/光束 402A 散射光之第一部分 402B 散射光之第二部分 403 光罩圖案影像移除系統/光罩檢測系統 408 散射光 411 光束分裂器 413 偵測器 414 信號 415 控制器 416 控制信號 417 動態傅立葉濾波器 500 光罩檢測系統 501 光罩 502 散射光 502A 散射光之第一部分 502B 散射光之第二部分 508 散射光/散射光之經濾波之第二部分 511 光束分裂器 513 第一债測器 514 信號 147223.doc •36- 201100947 515 控制器 516 控制信號 - 517 動態傅立葉濾波器 • 519 第二偵測器 521 成像光學器件 523 成像光學器件 525 遮蔽孔徑/隔板 527 照明源 〇 ^ 529 照明源 53 1 反射器件 532 信號 . 533 資料分析器件 534 記憶體/資料庫/設計資料庫 536 警告系統 700 光罩檢測系統 Q 7〇1Α 光罩圖案 701Β 光罩圖案 702Α 散射光 - 702Β 散射光 · 703Α 光學通道 . 703Β 光學通道 704Α 掃描器 704Β 掃描器 705Α 檢測區 147223.doc -37- 201100947 705B 檢測區 707 傅立葉平面 709 光罩對準鍵 730A 照明光束 730B 照明光束 800 曝光階段 800， 檢測階段 801 光罩 803 基板 805 照明源 807 光罩檢測系統 900 曝光階段 900' 檢測階段 901 光罩 903 基板 905 照明源 907 光罩檢測糸統 909 照明源 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 147223.doc -38- 201100947 IFl 位置感測器 IF2 位置感測器 - IL 照明系統/照明器 • IN 積光器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/光罩 MT 支撐結構/光罩台 ❹ 0 光轴 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 - PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 Q W 基板 WT 基板台 147223.doc ·39·

Claims (1)

1. 201100947 七、申請專利範圍： 1 · 一種系統，其包含： 一第一偵測器，其位於一傅立葉平面處’且經組態以 偵測由一光罩之一區段產生的經圖案化光之一第一部 分； 一動態傅立葉濾波器； 一控制器，其經組態以基於該經圖案化光之該第一部 分來控制該動態傅立葉濾波器； 第一偵测器’其經組悲以在由該光罩之該區段產生 的5亥經圖案化光之一第二部分透射通過該動態傅立葉濾 波器之後γ貞測該第二部分；及 一資料分析器件，其經組態以比較該經圖案化光之該 第二部分與另一經圖案化光。 2 ·如請求項1之系統，其進一步包含：

   一光束分裂器，其經組態以分裂該經圖案化光，且將 該經圖案化光之該第一部分引導朝向該第—偵测器及將 該經圖案化光之該第二部分引導朝向該第二偵測器。 如請求項2之系統，其進一步包含： 一第一隔板，其處於該光束分裂器與該第一偵測器之 間；及 “° 器與該第二偵測器之 第一隔板’其處於該光束分裂 間。 4·如請求項1之系統 鏡面陣列。 其中該動態傅立葉濾波器 為一數位 147223.doc 201100947 5. 如請求項1之系統，其中該動態傅立葉濾波器為一光閥 陣列。 6. 如請求項1之系統，其中該第一偵測器為一 CCD相機。 7. 如請求項1之系統，其進一步包含： 一第三偵測器，其位於一第二傅立葉平面處，且經組 態以偵測由一第二光罩之一區段產生的一第二經圖案化 光之一第一部分； 一第二動態傅立葉濾波器； 一第二控制器，其經組態以基於由該第二光罩之該區 段產生的該第二經圖案化光之該第一部分來控制該第二 動態傅立葉濾波器；及 一第四偵測器，其經組態以在該第二經圖案化光之一 第二部分透射通過該第二動態傅立葉濾波器之後偵測該 第二部分。 8. 如請求項7之系統，其中該光罩與該第二光罩實質上具 有一相同光罩圖案。 9. 如請求項8之系統，其中該資料分析器件經組態以比較 該經圖案化光之該第二部分與該第二經圖案化光之該第 二部分。 10. 如請求項9之系統，其中該資料分析器件經組態以連續 地比較該經圖案化光之該第二部分與該第二經圖案化光 之該第二部分。 11. 如請求項1之系統，其中： 表示由一第二光罩之一區段產生之該另一經圖案化光 147223.doc 201100947 的資訊儲存於—儲存器件令；且 12. 13. Ο ❹ 14. 如Si與該第二光罩實質上具有-相同光罩圖案。 如1月求項1之系統，其中： 表不由与"go W先罩之—第二區段產生之該 一 的資訊儲存於針 3 、，！圖案化夫 仔於一儲存器件中；且 圖：先罩之該區段與該第二區段實質上具有-相同光罩 如仴求項1之系統，其進一步包含： 第—偵'則态，其位於一第二傅立葉平面處，且經組 U偵測由該光罩之—第二區段產生的—第二經圖案化 光之一第一部分； 一第二動態傅立葉濾波器； 第一控制器，其經組態以基於該第二經圖案化光之 5玄第—部分來控制該第二動態傅立葉濾波器；及 第四偵測器’其經組態以在該第二經圖案化光之一 第一部分透射通過該第二動態傅立葉濾波器之後偵測該 第二部分， 其中該資料分析器件經組態以比較該經圖案化光之該 第二部分與該第二經圖案化光之該第二部分，且 其中該光罩之該區段與該第二區段實質上具有一相同 光罩圖案。 一種方法，其包含： 情測由一光罩產生的經圖案化光之一第一部分之一傅 立葉影像； 147223.doc 201100947

   空制一傅立葉濾波器； 經圖案化光之一第二部 一經圖案化光 在該比較之前正規化該經濾波之第二部分。 16.如請求項14之方法，其進一步包含： 第二經圖案化光之一第一 偵測由一第二光罩產生的一 部分之一第二傅立葉影像； 基於該經偵測之傅立葉影像來控制一第二傅立葉濾波 使用該第二傅立葉濾波器來濾波該第二經圖案化光之 第—部分；及 债測該第二經圖案化光之該經濾波之第二部分。 17.如請求項16之方法，其中該光罩與該第二光罩實質上具 有一相同光罩圖案。 1 如請求項丨7之方法，其中該比較包含： 比較該經圖案化光之該經濾波之第二部分與該第二經 圖案化光之該經濾波之第二部分。 19.如請求項1 8之方法，其中在該比較之前，該方法進一步 包含： 正規化該經圖案化光之該經濾波之第二部分及該第二 經圖案化光之該經濾波之第二部分。 147223.doc 201100947 20_如請求項16之方法，其進一步包含： 基於該傅立葉影像及該第二傅立葉影像來產生—平均 - 化傅立葉影像；及 &於該平均化傅立葉影像來控制該傅立葉濾波器及該 第二傅立葉濾波器。 ^ 21. 如請求項14之方法’其中該偵測該第一部分之該傅立葉 影像在該第二部分之該濾波之前發生。 22. 如請求項14之方法，其進一步包含： 〇 量測該光罩上之一缺陷位點之一部位。 23. 如請求項22之方法，其進一步包含： 偵測該缺陷位點是否處於該光罩之一關鍵部分上。 - 24.如請求項14之方法，其進一步包含： 在控制該傅立葉濾波器之前正規化該經偵測之傅立二 影像。 某 25. —種微影系統，其包含： Q 一支撐件，其經組態以支撐一圖案化結構，該圖案化 結構經組態以在一曝光階段及一檢測階段中之至少—者 期間圖案化一輻射光束； ' 一基板台’其經組態以固持一基板； .· 投影系統’其經組態以在該曝光階段期間將該經圖 - 案化光束投影至該基板之一目標部分上；及 一圖案化結構檢測系統，其經組態以在該檢測階段期 間檢測該圖案化結構之一區域，該圖案化結構檢測系 包含： μ 147223.doc 201100947 一光束分裂器，其經組態以自該圖案化結構之該區 域接收經圖案化光，且經組態以將該經圖案化光分裂 成該經圖案化光之一第一部分及該經圖案化光之一第 二部分； 一第一偵測器，其位於一傅立葉平面處，且經組態 以偵測由該光束分裂器引導之該第一部分； 一動態傅立葉濾波器； 一控制器，其經組態以基於該經圖案化光之該經偵 測之第一部分來控制該動態傅立葉濾波器； f 一第二偵測器，其經組態以在該經圖案化光之該第 二部分透射通過該動態傅立葉濾波器之後偵測該第二 部分；及 一資料分析器件，其經組態以比較該經圖案化光之 該第二部分與另一經圖案化光。 26· —種掃描偵測系統，其包含： 一第一光學器件通道，其中一第一偵測器位於一第一 傅立葉平面處，且經組態以偵測由具有一第一光罩圖案 ί 的一光罩之一第一區段產生的一第一經圖案化光之一第 一傅立葉場，且一第一動態傅立葉濾波器位於一第一主 要成像路徑中；及 一第一控制器，其經組態以基於該第一經圖案化光之 該第一傅立葉場來控制該第一動態傅立葉濾波器，使得 該第一動態傅立葉濾波器實質上移除由該第一光罩圖案 產生的該第一經圖案化光及由該第一光罩圖案產生的在 147223.doc -6- 201100947 該第-主要成像路徑中之一第二經圖案化光兩者。 27. 如請求項26之系統，其進一步包含： 第-光予态件通道，其中一第二偵測器位於一第二 • 傅立葉平面處，且經組態以偵測由具有一第二光罩圖案 的-亥光罩《第—區段產生的一第一經圖案化光之一第 一傅立葉場，且_笛- 当丄# t 第一動悲傅立葉濾波器位於一第二主 要成像路徑中；及 冑控制器’其經組態以基於由該光罩之該第二區 ，產生的該第-經圖案化光之該第二傅立葉場來控制該 第二動態傅立葉滹沧哭 .._ ” ^波益，使付该苐二動態傅立葉濾波器 實質切除由該第二光罩圖案產生的該第—經圖案化光 _ 及由^第—光罩圖案產生的在該第二主要成像路徑中之 ' 帛-經圖案化光兩者’其，該第一光罩圖案與該第二 光罩圖案實質上相同。 28. 如請求項27之系統，其進一步包含·· 〇 ，。掃知器，其經組態以在一掃描方向上使該第— 光學器件通道掃描遍及該光罩，以檢測該光罩之一或 個缺1^粒子且提供來自該第-光學器件通道之-第一經 傅立葉遽波影像；及 一第一掃描器，其經組態以在該掃描方向上使該第二 先學盗件通道掃描遍及該光罩，以與該第_掃描器同步 地n亥光罩之—或多個缺陷粒子，且提供來自該第二 光學器件通道之—第mm波影像。 — 29.如請求項28之系統，其進一步包含·· 147223.doc 201100947 一比較器，其經組態以 該第-光學器件通道之^ 衫像平面中比較來自 該第二光學器件 茱，慮波衫像與來自 k <这第—經傅立葉濟浊旦 別不為該第-光學器件通道與該第二光；二以: ::::粒子缺陷且移除第-光罩圖案影像 圖案衫像之殘存者。 尤罩 30. 31. 32. 如請求項29之系統，其進一步包含： 咸法器，其經組態以同步地正規化$莖女 =:使該等各別影像平面影像: = : = 光件通稍㈣4學器件通道所共有的該第一 先罩圖案影像及㈣二光罩圖案影像之殘餘者，以在該 光罩上提供非共同缺陷圖案。 一種方法，其包含： :用一第一光學器件通道處之—第叫貞測器來债測由 有-第-光罩圖案的一光罩之一第一區段產生的一第 一經圖案化光之一第一傅立葉場；及 使用一第一控制器基於該第一經圖案化光之該第一傅 立葉場來控制位於一第一主要成像路徑中之一第一動態 傅立葉濾、波器，使得該第’動態傅立葉渡波器實質上移 除由該第一光罩圖案產生的該第一經圖案化光及由該第 光罩圖案產生的在該第一主要成像路徑中之一第二經 圖案化光兩者， 其中該第一偵測器位於一第一傅立葉平面處。 如請求項3 1之方法，其進一步包含： 147223.doc -8 - 201100947 使用-第一光學益件通道處之一第二偵測器來伯測由 具有-第二光罩圖案的該光罩之一第二區段產生的一第 一經圖案化光之一第二傅立葉場；及 Ο 33 ❹ 34. 使用一第二控制器基力由該《罩之該第二區段產生的 該第-經圖案化光之該第二傅立葉場來控制位於一第二 主要成像路徑中之一第二動態傅立葉濾波器，使得該第 二動態傅立葉濾波器實質上移除由該第二光罩圖案產生 的該第-經圖案化光及由該第二光罩圖案產生的在該第 二主要成像路徑中之-第二經圖案化光兩者，其中該第 一光罩圖案與該第二光罩圖案實質上相同， 其中該第二偵測器位於一第二傅立葉平面處。 •如請求項32之方法，其進一步包含： 使用第-~描器在—掃描方向上使該第—光學器件 通道掃描遍及該光罩，以檢職光罩之—或多個缺陷粒 子且提供來自該第一光學器件通道之一第一經傅立葉濾 上使該第二光學器件 掃描器同步地檢測該 自該第二光學器件通 使用一第二掃描器在該掃描方向 通道掃描遍及該光罩，以與該第— 光罩之一或多個缺陷粒子且提供來 道之一第二經傅立葉濾波影像。 如請求項33之方法，其進一步包含： 使用一比較器在一 學器件通道之該第一 學器件通道之該第二 各別影像平面中比較來自該第一光 經傅立葉濾波影像與來自該第二光 經傅立葉濾波影像 以識別不為該 I47223.doc 201100947 第一先學器件通道與該第二光 尤予器件通道之共同特徵的 粒子缺陷且移除第一光罩圖幸旦彡 一 茱，IV像及弟一光罩圖案影像 之殘存者。 35.如清求項34之方法，其進一步包含： 使用一減法器來同步地正規化該等各別影像平面影像 且使該等各別影像平面影像相減，以移除為該第一光學 器件通道與該第二光學器件通道所共有的該第一光罩圖 案影像及該第二光罩圖案影像之殘餘者，以在該光罩上 提供非共同缺陷圖案。 147223.doc 10-