TW200929541A - Transistor and method of fabricating the same - Google Patents

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200929541 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電晶體及其製造方法，且_日日# 且灵明確而言，係 關於具有藉由在源極及汲極區域中磊晶生長半導體層而形 成之應變通道之電晶體及其製造方法。 【先前技術】 - 隨著半導體裝置已高度集成’電晶體之閘極長度減小， 且因此電晶體之通道長度亦變得更小。隨著通道長产減 〇 小，源極及汲極對通道區域中之電場或電位之影響變得顯 著。此現象被稱為短通道效應β載流子遷移率由於短通道 效應而減小，且電晶體之效能由於接觸寄生電阻而降低。 因此，已經對能夠改良電晶體之效能同時減小閘極長度之 方法進行了各種研究。 於該等方法中’有一種方法使用局部應變效應，其藉由 在電晶體之閘極下之通道區域中產生張力及壓縮力來增加 電子或電洞之移動。使用局部應變效應之代表性方法為在 NMOS電晶體之情況下，藉由改變在形成接觸孔之過程期 間充當蝕刻停止層之層之種類及厚度而在通道區域甲形成 ’ 張力之方法，或在PMOS電晶體之情況下，藉由在使源極 ， 及汲極區域凹進之後，經由選擇性磊晶生長（SEG)使用矽 鍺（SiGe)填充凹進區域而在通道區域中形成應變之方法， 矽鍺與具有5.43A之晶格常數之矽相比具有較大之晶格常 數。 在PMOS電晶體中，為了藉由產生較大之應變來進一步 135679.doc 200929541 增強載流子遷移率，使SiGe中Ge之成分增加至某一等級， 諸如大於20%，使得可在凹進區域中產生諸如堆垛層錯之 缺陷。即，若以大於20%之較高Ge濃度來生長SiGe，那麼 隨著Ge之濃度增加，其生長模式趨向於展示島嶼型生長模 式（沃盧默-羊博模式（V〇lumer_Weber m〇de))或層型及島嶼 型生長模式之雜磊晶模式（斯特蘭斯基_克拉斯塔馬諾夫模 式（Stranski-Krastanove m〇de))，而並非逐層地磊晶生長該 層之層型生長模式（弗蘭克-范德爾梅模式（Frank_van da Merwe mode))。因此在凹進區域與SiGe區域之界面中產生 諸如堆垛層錯之缺陷。 此外，執行離子植入及矽化物製程，以減小具有高&濃 度之SiGe層之接觸電阻。然而，相反薄層電阻增加。即， 在300 K之溫度下，Si之電子遷移率及電洞遷移率分別為 1500 cm2/V-s及400 cm2/V-s，且Ge之電子遷移率及電洞遷 移率分別為3900 cm2/V-s及1900 cm2/V-s。理論上，隨著

SiGe中Ge之濃度增加’薄層電阻減小β然而，實際上，隨 著Ge之濃度增加’薄層電阻亦增加，因為在犯矽化物製程 中用作矽化物之矽化物材料（諸如Ni)容易聚集在SiGe之表 面上。 由於諸如源極及汲極區域之SiGe之堆垛層錯之缺陷，形 成應變通道之效應減小。當矽化物之薄層電阻增加時洩 漏電流增加，且因此不能實現期望藉由使用SiGe來增加載 流子遷移率。另外，上述缺點降低了電晶體之效能。 【發明内容】 135679.doc 200929541 本發明之一態樣提供一種電晶體及其製造方法，其能夠 藉由防止電阻增加及堆祿層錯來改良效能。 本發明之另一態樣提供一種電晶體及其製造方法，其能 夠藉由形成Ge濃度比第一 SiGe層之Ge濃度低之第二SiGe 層來在矽化物製程之後防止堆垛層錯及薄層電阻增加，其 中該第二SiGe層形成於第一 SiGe層上。 本發明之又一態樣提供一種電晶體及其製造方法，其能 夠藉由形成Ge濃度皆比SiGe層之Ge濃度低之SiGe種子層 及SiGe蓋層來在矽化物製程之後防止堆垛層錯及薄層電阻 增加，其中SiGe種子層及SiGe蓋層分別形成於SiGe層下及 SiGe層上。 根據本發明之例示性實施例，一種電晶體包括：第一遙 晶層，其含有Ge，且形成於基板在閘電極之兩側處之凹進 區域中；以及第二磊晶層，其含有Ge，其濃度低於第一磊 晶層之Ge濃度’且第二磊晶層形成於第一磊晶層下及上中 之至少一者》 第一磊晶層可包括SiGe層，且SiGe層之Ge之濃度可在約 25%至約50%之範圍内。 第二磊晶層可包括SiGe層，且SiGe層之Ge之濃度可在約 5%至約15%之範圍内。 形成於第一磊晶層上之第二磊晶層中所含有之之濃度 可於自下部至上部之過程中減小。 形成於第一磊晶層下之第二磊晶層中所含有之Ge之濃度 可於自下部至上部之過程中增加。 I35679.doc 200929541 該電晶體進-步可包括形成於閘電極、第一磊晶層或形 成於該第一磊晶層上之第二磊晶層上之矽化物層。 該電晶體可進一步包括形成於第二磊晶層上之矽層，該 第二蟲晶層形成於第一蟲晶層上。 該電晶體可進一步包括形成於矽層及閘電極上之矽化物 層。 根據本發明之另一例示性實施例，一種製造電晶鱧之方 法包括.在基板之給定部分上形成閘電極；藉由在該閘電 極之兩側触刻基板之預定部分來形成凹進區域；在凹進區 域中形成含有Ge之第一磊晶層；以及形成^濃度低於第 一磊晶層之Ge濃度之第二磊晶層，其中該第二磊晶層形成 於第一蠢晶層下及上中之至少一者。 第一及第二磊晶層可包括SiGe層。 形成於第一磊晶層上之第二磊晶層可經形成以使得（^濃 度於自下部至上部之過程中減小。 形成於第一磊晶層下之第二磊晶層可經形成以使得以濃 度於自下部至上部之過程中增加。 形成第一磊晶層及形成第二磊晶層可連續執行。 該方法進一步可包括在閘電極、第一磊晶層或形成於第 一磊晶層上之第二磊晶層上進一步形成矽化物層。 該方法進一步包括在第一磊晶層或第二磊晶層上形成矽 層。 該方法進一步包括在矽層及閘電極上形成矽化物層。 【實施方式】 135679.doc -9- 200929541 藉由參看隨附®式詳細描述本發明之較佳實施例，本發 明之上述及其他特徵及優勢將變得更加明顯。 在下文中，將參看隨附圖式詳細描述例示性實施例。然 而，本發明可以不同形式實施，且不應被解釋為侷限於本 t所陳述之實施例。相反地，提供此等實施例以使得本發 月將是詳盡及疋整的，且將向熟習此項技術者全面傳達本 發明之範圍。在圖中，為了說明清晰而誇示層及區域之尺 寸。相同參考標號始終指代相同元件。亦將理解，當稱 ® &、膜、區或板位於另-者"上"時，其可直接位於該另一 者上’或亦可能存在一或多個介入之層、膜、區或板。 圖1說明根據本發明第一實施例之電晶體之橫截面圖。 參看圖1 ’該電晶體包括以堆疊結構形成於基板110上之 閘極絕緣層1 20及閘電極130、形成於閘電極1 3〇之側壁上 之間隔物140、形成於基板11〇在閘電極13〇之兩側處之凹 進區域中且充當源極及汲極區域之磊晶層152、形成於磊 _ 晶層152上之蓋層153，以及形成於閘電極13〇及蓋層153上 之矽化物層160。本文中，磊晶層152及蓋層153由SiGe形 成，且蓋層153中所含有之Ge之濃度低於磊晶層152中所含 有之Ge之濃度。此外’蓋層153中所含有之Ge之濃度可於 自下部至上部之過程中逐漸降低。根據本發明之另一實施 例，裝置隔離層115可形成於基板110中。 基板110可包括具有單晶半導體層或單晶半導體晶圓之 絕緣體上矽（SOI)基板。該單晶半導體層可為單晶矽層、 單晶鍺層、單晶矽鍺層及單晶碳化矽層中之一者。單晶半 135679.doc -10· 200929541 導體晶圓可為單晶矽晶圓、單晶鍺晶圓、單晶矽鍺晶圓及 單晶碳化矽晶圓中之一者。同時，裝置隔離層115可形成 於基板110中，以界定有源區域及場區域，從而隔離裝 置。可藉由淺溝槽隔離（STI)製程來形成裝置隔離層115〇 閘極絕緣層120形成於基板110之一部分上，且可藉由使 用氧化矽（Si〇2)層、氮化矽（SiNx)層、氧氮化矽（Si〇N)層 等而以單個或堆疊結構形成。 閘電極130形成於閘極絕緣層120上，且可藉由使用諸如 多晶矽層及金屬層之導電層而以單個或堆疊結構形成。 間隔物140形成於閘電極13〇之側壁上，且可藉由使用氧 化矽（Si〇2)層、氮化矽（SiNx)層、氧氮化矽（Si〇N)層等而 以單個或堆疊結構形成。 磊晶層152形成於凹進區域中，其中基板11〇在閘電極 130之兩側處以給定深度凹進’且可藉由磊晶生長“&層 而形成。磊晶層152含有Ge，其濃度大於25%，且較佳在 約25%至約50%之範圍内。若磊晶層152中所含有之Ge之濃 度低於25% ’那麼難以使載流子遷移率增加達到所需之等 級’因為通道區域具有較小之應變，且蓋層之影響較輕。 另一方面，若Ge之濃度大於50%，那麼Ge可能在隨後之製 程中擴散，且因此電阻可能增加。 蓋層153形成於磊晶層152上，且厚度小於磊晶層152之 厚度。舉例而言’蓋層1 53之厚度在約5 nm至約10 nm之範 圍内。蓋層153由SiGe形成，且所含有之Ge之濃度低於磊 晶層152中所含有之Ge之濃度。蓋層ι53所含有之Ge之濃 135679.doc 200929541 度低於1 5%，且較佳在約5%至約丨5%之範圍内。若蓋層 153中所含有之Ge之濃度低於5%，那麼層ι53不能充當蓋 層’因為其特徵變得實質上與以層之特徵相同。另一方 面，若Ge之濃度大於15%，那麼該濃度接近於磊晶層152 中所含有之Ge之濃度’且因此蓋層153不能充當緩衝層。 此外，蓋層153形成為所含有之^濃度可於自與磊晶層152 接觸之下部至上部之過程中逐漸降低。舉例而言，蓋層 153中所含有之Ge之濃度在下部為15%，且在最上部變為 5%，因為Ge之濃度在到達蓋層153之上部之過程中降低。 矽化物層160形成於導電層（即，閘電極13〇及蓋層153) 之暴露部分上，且可包括Ni層。Ni層可包括純Ni層或Ni合 金層。Ni合金層可含有選自由以下各物組成之群組中之一 者.组（Ta)、鍅（Zr)、鈦（Ti)、給（Hf)、||(W)、姑（Co)、 始（Pt)、钥（Mo)、鈀（Pd)、釩（V)、鈮（Nb)及其組合。 在根據本發明第一實施例之電晶體中，藉由在源極及汲 極區域中生長SiGe磊晶層152，SiGe在凹進區域中具有應 變，因為Si及Ge之晶格常數分別為5.43及5.65。此應變之 SiGe向通道區域提供壓縮應變，且因此電洞遷移率增加。 此外’可藉由在磊晶層152上生長蓋層153來防止電阻由於 磊晶層152中所含有之Ge之濃度增加而增加，其中蓋層ι53 中所含有之Ge之濃度低於磊晶層152中所含有之仏之濃 度。因此’可藉由在PMOS電晶體中使用應變通道增強載 流子遷移率，來改良電晶體之效能。 圖2至圖5為說明製造圖1中所描述之根據本發明第一實 135679.doc 12 200929541 施例之電晶體之方法之橫截面圖。 參看圖2,裝置隔離層115形成於基板11〇之一部分中， 其包括單晶半導體晶圓或具有單晶半導體層之s〇I基板。 裝置隔離層U5可藉由STI製程形成，藉由使用諸如氧化矽 層、氮化矽層或氧氮化矽層之絕緣層而使閘極絕緣層12〇 形成於基板110上。接著，藉由以單個或堆疊結構形成諸 如多晶矽層或金屬層之導電層，且圖案化該導電層，來製 作閘電極1 30。間隔物1 40形成於閘電極130之側壁上。可 藉由在包括閘電極130之所得結構之整個表面上以單個或 堆整結構形成絕緣層’且對該絕緣層執行前蝕刻製程，來 製作間隔物140。接著藉由經由乾蝕刻或濕蝕刻製程，在 間隔物140之兩側以給定深度蝕刻基板丨1〇，來形成凹進區 域 150。 參看圖3，藉由乾式清潔或濕式清潔過程來移除保留在 凹進區域150之表面上之原生氧化物或污染材料。使用化 學耽相沈積方法形成蠢晶層152，該化學氣相沈積方法諸 如為超高真空化學氣相沈積（UHVCVD)方法、遠端電漿 CVD(RPCVD)方法、低壓CVD(LPCVD)方法或大氣壓 CVD(APCVD)方法》磊晶層152可包括使用含有siH4或

Si2Hfi之Si源氣體及含有GeH4之Ge源氣體形成之SiGe層。 此時，添加含有C卜HCM、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2及其組 合中之一者的基於C丨之蝕刻氣體以增強選擇性效能。在磊 晶生長過程中，SiGe磊晶層152選擇性地形成於基板110之 凹進區域150中’但其不形成於諸如裝置隔離層（未圖示）及 135679.doc 13 200929541 間隔物140之絕緣層上。本文中，磊晶層152經形成以藉由 調節Si源氣體及Ge源氣體之流入，而含有濃度在約25%至 約50%之範圍内之Ge。可在根據裝置之設計或種類而原位 摻雜第III族元素時’生長磊晶層152。 參看圖4’蓋層153形成於磊晶層152上，以具有小於磊 晶層1 52之厚度之厚度。類似於磊晶層丨52，蓋層1 53由

SiGe形成。即，使用含有8出4或叫札之“源氣體、含有

GeH4 之 Ge 源氣體以及含有 C1、HC1、SiCl4、SiHCl3、

SiHAb及其組合中之一者的基於（^之蝕刻氣體來形成蓋層 153。此時，蓋層153形成為所含有之&之濃度低於磊晶層 152中所含有之Ge之濃度。舉例而言，蓋層153經形成以藉 由調節Si源氣體及Ge源氣體之流入，而含有濃度變為在約 5%至約15。/❶之範圍内之Ge。可在形成磊晶層152之過程之 後的過程中形成蓋層153 ^即，可在形成磊晶層152之後， 藉由減少Ge源氣體之流入而形成蓋層153。同時，蓋層153 可經形成以含有濃度於自與磊晶層152接觸之下部至上部 之過程中逐漸降低之Ge。舉例而言，蓋層153中所含有之

Ge之漠度在下部可為15%，且在上部可為5%。在此情況 下，亦可在連續過程中形成磊晶層152及蓋層153。即，在 形成磊晶層152之後，可隨著Ge源氣體之流入之減少而形 成蓋層1 53。 參看圖5，藉由在包括蓋層153之所得結構之整個表面上 形成諸如Νι層之金屬層，且對該％層執行熱處理過程，以 允許Ni層與蓋層153及閘電極13〇起反應，來製作矽化物層 135679.doc 200929541 ^Ο。在本文中，可在形成金屬層之前，將諸如b之第Ιπ族 元素注入蓋層153中。 圖ό說明根據本發明第二實施例之電晶體之橫截面圖。 藉由在形成磊晶層之前形成包括SiGe層之種子層（以以層 所含有之Ge之濃度在約5%至約15%之範圍内），有可能去 除由於磊晶層含有濃度大於25%之Ge而容易發生在凹進部 分之下部處之堆垛層錯。藉由形成蓋層來防止電阻增加。 參看圖6 ’根據本發明第二實施例之電晶體包括以堆疊 結構形成於基板110上之閘極絕緣層12〇及閘電極130、形 成於閘電極130之侧壁上的間隔物14〇、形成於基板1丨〇在 閘電極130之兩側處之凹進區域中的種子層151及磊晶層 152、形成於磊晶層152上之蓋層153，以及形成於閘電極 13 0及蓋層153上之矽化物層160。在本文中，種子層151、 蠢晶層152及蓋層153係由SiGe形成，且種子層151及蓋層 153中所含有之Ge之濃度低於磊晶層152中所含有之〇6之 濃度。此外’蓋層153中所含有之Ge之濃度可於自下部至 上部之過程中逐漸降低。種子層1 5丨中所含有之Ge之濃度 可於自下部至上部之過程中逐漸增加。 種子層15 1經形成以在凹進區域中具有約5 nm至約10 nm 之給定厚度，其中基板110在閘電極丨3〇之兩側處以給定深 度凹進，且可藉由磊晶生長SiGe層來形成。種子層151可 含有濃度低於1 5%，且宜在約5%至約1 5%之範圍内之Ge。 此外，種子層15 1可經形成以含有濃度於自下部至上部之 過程中逐漸增加之Ge。舉例而言，種子層151中所含有之 135679.doc 200929541

Ge之/辰度在下部可為5%，且在最上部變為1 5%，因為^ 之濃度在到達上部之過程中逐漸增加。 藉由在種子層丨51上磊晶生長SiGe層來形成磊晶層丨52。 磊晶層152可經形成以含有濃度大於25%，且較佳在約25% 至約50%之範圍内之Ge。 蓋層153形成於磊晶層152上，且具有小於磊晶層152之 厚度之厚度。舉例而言，蓋層153之厚度在約5 nm至約1〇 nm之範圍内。蓋層153*Si(Je形成，且所含有之&之濃度 低於磊晶層152中所含有之Ge之濃度。蓋層153含有濃度低 於1 5%，且較佳在約5〇/〇至約1 5%之範圍内之Ge。此外，蓋 層153可經形成以含有濃度於自與磊晶層ι52接觸之下部至 上部之過程中逐漸降低之Ge。舉例而言，蓋層丨53中所含 有之Ge之濃度在下部為15%，且在最上部變為5%，因為 Ge之濃度在到達上部之過程中降低。 形成根據第二實施例之電晶體之方法遵循製造圖1及圖 2A至圖2D中所描述的根據第一實施例之電晶體之過程。 與第一實施例不同’根據第二實施例之電晶體包括在形成 蠢晶層152之前形成之種子層151，其中種子層151由含有 濃度在約5°/。至約15%之範圍内之Ge的SiGe或含有濃度於自 下部至上部之過程中逐漸增加之Ge的SiGe形成。因此，可 在連續過程中形成種子層151、磊晶層152及蓋層153。在 一個實施例中’種子層151首先經形成以藉由供應Si源氣 體、Ge源氣體及蝕刻氣體而含有濃度低於1 5%之Ge ;隨 後，磊晶層152經形成以藉由減少Si源氣體之流入並增加 135679.doc -16- 200929541

Ge源氣體之流入而含有濃度大於25%之Ge ;且最後’蓋層 1 53經形成以藉由再次增加Si源氣體之流入並減少Ge源氣 體之流入而含有濃度低於1 5%之濃度之Ge。在另一實施例 中，種子層15 1經形成以藉由減少S i源氣體之流入並增加 Ge源氣體之流入而含有濃度自5。/。增加至15%之Ge ;接著 磊晶層152經形成以藉由減少Si源氣體之流入並增加Ge源 ' 氣體之流入而含有濃度大於25%之Ge ;且最後，蓋層153 經形成以藉由再次增加Si源氣體之流入並減少Ge源氣體之 〇 流入而含有濃度自1 5%降低至5%之Ge。在又一實施例中， 種子層151經形成以含有濃度自5°/。逐漸增加至15°/。之Ge， 且蓋層153含有濃度固定為15%之Ge。在再一實施例中， 種子層151含有濃度固定為15%之Ge，且蓋層153經形成以 含有濃度自1 5%逐漸減小至5%之Ge。 圖7說明根據本發明第三實施例之電晶體之橫截面圖。 參看圖7’該電晶體包括以堆疊結構形成於基板11()上之 0 閘極絕緣層120及閘電極丨30、形成於閘電極130之側壁上 之間隔物140、形成於基板11〇在閘電極13〇之兩側處之凹 進區域中的種子層151及磊晶層152、形成於磊晶層152上 之第一蓋層153及第二蓋層154、以及形成於閘電極no及 第二蓋層154上之矽化物層16〇。在本文中，種子層ι51、 蟲晶層152及第一蓋層153由SiGe形成，且種子層151及第 一蓋層153中所含有之Ge之濃度低於磊晶層152中所含有之 Ge之濃度。此外，第一蓋層ι53中所含有之&之濃度可於 自下部至上部之過程中逐漸降低。種子層151中所含有之 135679.doc 17. 200929541

Gei,農度可於自下部至上部之過程中逐漸增加。使用矽層 形成第二蓋層154,且具有等於或小於第一蓋層153之厚度 之厚度。 如上文所述，當在由SiGe形成之第一蓋層153上形成由 矽形成之第二蓋層154時，可藉由第二蓋層154進一步減小 源極及汲極區域之電阻。在此情況下，〇6濃度大於25%之 磊晶層152之間的閘電極13〇下之區域變為應變通道區域。 同時，該實施例藉由在磊晶層152上形成蓋層153而防止 © 電阻增加，藉由分別在磊晶層151下形成種子層151及在磊 晶層151上形成蓋層153來防止堆垛層錯及電阻增加，且藉 由在蓋層153上形成矽蓋層154來進一步防止電阻增加。同 時可僅在蠢晶層152下形成種子層151，其可防止堆梅層 錯以及電阻增加。即，藉由經由形成種子層151防止磊晶 層152之堆垛層錯，Ge完全組合於磊晶層152中，且因此有 可能防止在隨後之矽化物製程中發生Ge聚集於磊晶層152 之表面上。 0 根據本發明之例示性實施例，具有高Ge濃度之siGe磊晶 層於閘極下之通道區域中形成壓縮應變，從而改良載流子 遷移率’且形成於SiGe磊晶層下具有較低Ge濃度之8丨(^種 子層可防止凹進區域中堆垛層錯之產生。而且，藉由在 SiGe蟲晶層上形成具有較低Ge濃度之SiGe蓋層，有可能防 止電阻隨著磊晶層之Ge濃度增加而增加。此外，藉由在 SiGe蓋層上形成矽蓋層，可進一步減小電阻。 因此，可藉由使用應變通道增加PMOS電晶體之載流子 I35679.doc -18· 200929541 遷移率來實現高密度及高集成度，此改良了 CMOS裝置之 總體效能。 儘管已參考例示性實施例描述了本發明，但本發明並非 偈限於此。因此，熟習此項技術者將容易理解，可在不脫 離由所附申請專利範圍所界定之本發明的精神及範疇之情 況下，對本發明作出各種修改及改變。 【圖式簡單說明】

圖1為說明根據本發明第一實施例之電晶體之橫截面 圖； 圖2至圖5為說明製造圖i中所描述之根據本發明第一實 施例之電晶體的方法之橫截面圖； 圖6為說明根據本發明第一 . + ® a乐一貫施例之電晶體之橫截面 圖 7為說明根據本發明第 圖。 三實施例之電晶體之橫截面

【主要元件符號說明】 110 115 120 130 140 150 151 152 基板 裝置隔離層 閘極絕緣層 閘電極 間隔物 凹進區域 種子層 遙晶層 135679.doc -19· 200929541 153 第 一蓋層 154 第 二蓋層 160 矽化物層 ❹ ❹ 135679.doc -20-

Claims (1)

1. 200929541 十、申請專利範圍： 1， 一種電晶體，其包含： 一形成於一基板上之閘電極； 一第一遙晶層’其含有Ge’且形成於該基板在該閘電 極之兩侧處之一凹進區域中；以及 一第二磊晶層’其Ge濃度低於該第一磊晶層之Ge濃 度’且形成於該第一遙晶層下與上中之至少一者。 2. 如请求項1之電晶體，其中該第一磊晶層包含一 SiGe & 層’且該SiGe層之Ge之該濃度在約25%至約50%之一範 圍内。 3. 如請求項1之電晶體，其中該第二磊晶層包含一 siGe 層’且該SiGe層之Ge之該濃度在約5%至約15%之一範圍 内。 4. 如請求項3之電晶體，其中形成於該第一磊晶層上之該 第二磊晶層中所含有之Ge之該濃度於自一下部至一上部 之過程中減小。 5. 如請求項3之電晶體，其中形成於該第一磊晶層下之該 第二磊晶層中所含有之Ge之該濃度於自一下部至一上部 之過程中增加。 6. 如請求項1之電晶體，進一步包含一矽化物層，其形成 於該閘電極、該第一磊晶層，或形成於該第一磊晶層上 之該第二磊晶層上。 7'如請求項1之電晶體，進一步包含一形成於該第二磊晶 層上之矽層，其中該第二磊晶層係形成於該第一磊晶層 135679.doc 200929541 上。 8.如請求項7之電晶體，進一步包含一形成於該矽層及該 閘電極上之石夕化物層。 9· 種製造一電晶體之方法’該方法包含： 於一基板之一給定部分上形成一閘電極； 藉由餘刻該基板在該閘電極之兩側處之預定部分形成 一凹進區域； 在該凹進區域中形成一含有Ge之第一磊晶層；以及 形成Ge濃度低於該第一磊晶層之Ge濃度之一第二蟲晶 層，其令該第二蟲晶層形成於該第一蟲晶層下與上中之 至少一者。 1〇·如请求項9之方法，其中該第一及該第二磊晶層包含一 SiGe 層。 11. 如請求項9之方法，其中形成於該第一磊晶層上之該第 二磊晶層經形成以使得（^濃度於自一下部至一上部之過 程中減小。 12. 如请求項9之方法，其中形成於該第一磊晶層下之該第 —磊晶層經形成以使得Ge濃度於自一下部至一上部之過 程中增加。 13·如請求項9之方法，丨中形成該第一磊晶層及形成該第 二為晶層係連續執行的。 14 · 言青 jjg q 之方法，進一步包含於該閘電極、該第一磊 s層或形成於該第—磊晶層上之該第二磊晶層上形成一 矽化物層。 135679.doc 200929541

   15·如請求項9之方法，進一步包含於該第一磊晶層或該第 二蟲晶層上形成一梦層。 16.如請求項15之方法，進一步包含於該矽層及該閘電極上 形成一 $夕化物層。 135679.doc