TW200402669A - Electro-optical apparatus and electronic equipment - Google Patents

Description

200402669 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是屬於主動矩陣驅動方式的光電裝置及電子機 器的技術領域，特別是在基板上的層疊構造中具備畫素開 關用的薄膜電晶體（以下稱爲TFT(Thin Film Transistor)) 形式的光電裝置及具備如此的光電裝置之投影機等的電子 機器的技術領域。 【先前技術】 在TFT主動矩陣驅動形式的液晶裝置、EL(Electr〇-Luminescence)顯示裝置等的光電裝置中，若入射光被照 射至設置於各畫素的畫素開關用TFT的通道領域，則會 在光的激勵下產生光洩漏電流，而使TFT的特性發生變 化。特別是投影機的光閥用光電裝置時，因爲入射光的強 度高，所以對TFT的通道領域及其隣接領域進行入射光 的遮光會變得極爲重要。 以往是在設置於對向基板的各畫素中，藉由用以規定 顯示光透過或反射的開口領域之遮光膜，或藉由通過TFT 的上面且由A1(鋁）等的金屬膜所構成的資料線來對通道領 域及其隣接領域進行遮光。並且，在TFT陣列基板上， 亦於畫素開關用T F T的下側設置例如由高融點金屬所構 成的遮光膜。如此一來，若在TFT的下側也設置遮光 膜，則可防範來自TFT陣列基板側的背面反射光射入該 光電裝置的TFT，或者在經由稜鏡等來組合複數個光電裝 -4- (2) (2)200402669 置而構成一個光學系時，可防止從其他的光電裝置穿過稜 鏡等而來的投射光等的返回光射入該光電裝置的TFT。 【發明內容】 但，上述遮光技術會有以下所述的問題點。亦即，若 利用在對向基板上或 TFT陣列基板上形成遮光膜的技 術，則於遮光膜與通道領域之間，由3次元來看，例如會 因隔著液晶層、電極、層間絕緣膜等，而使得間距會非常 大’無法充分遮住傾斜射入兩者間的光。特別是在作爲投 影機的光閥用之小型的光電裝置中，入射光是以透鏡來集 中來自光源的光之光束，含不可無視傾斜射入的成份（例 如，自垂直於基板的方向傾斜1 0度〜1 5度程度的成份） 爲1 〇%)，因此實際上會有無法充分遮住如此傾斜的入射 光之問題。 又，自無遮光膜的領域侵入光電裝置内的光會在反射 於基板或基板上所形成的遮光膜的上面或資料線之後，該 反射光或該反射光更反射於基板或遮光膜及資料線的多重 反射光會有可能最後到達TFT通道領域。 特別是近年來隨著顯示畫像的高品質化的要求，光電 裝置的高精細化或畫素間距的微細化也會跟著被要求，甚 至要求更明亮的畫像而須提高入射光的光強度時，若利用 上述以往的各種遮光技術，則會更難以實施充分的遮光， 而導致會有因TFT的電晶體特性變化而產生閃爍等顯示 畫像的品質降低的問題點。 -5- (3) (3)200402669 在此，爲了提高耐光性，雖可單純地擴大遮光膜的形 成領域，但基本上難以提高各畫素的開口率，會有顯示畫 像變暗的問題點發生。 本發明是有鑑於上述問題點而硏發者，其課題是在於 提供一種耐光性佳，可進行明亮且高品質的畫像顯示之光 電裝置及具備如此的光電裝置之電子機器。 爲了解決上述課題，本發明的光電裝置的特徵係包 含： 夾持於一對第1及第2基板間的光電物質；及 在上述第1基板上（above)具備： 畫素電極； 對該畫素電極進行開關控制的薄膜電晶體；及 將畫像訊號供應給該薄膜電晶體的資料線；及 將掃描訊號供應給上述薄膜電晶體，且與上述資料線 交叉的掃描線； 在上述第2基板上（above)具備： ' 由上側來覆蓋構成上述薄膜電晶體的半導體層的至少 通道領域之第1遮光膜； 又，上述遮光膜具有：由平面來看，在上述資料線及 上述掃描線會相交叉的交叉領域中，以能夠在對應於上述 晝素電極的各畫素的開口領域中規定切角的方式來突出之 突出部； 又，上述通道領域係配置於上述交叉領域內。 若利用本發明的光電裝置，則於其動作時，例如在薄 -6 - (4) (4)200402669 膜電晶體的源極，畫像訊號會經由資料線來供給，在薄膜 電晶體的閘極，掃描訊號會經由掃描線來供給。如此一 來，可藉由薄膜電晶體來開關控制連接於薄膜電晶體的汲 極之畫素電極，藉此而能夠進行主動矩陣驅動方式的驅 動。並且，在第2基板上設有對向配置於畫素電極的對向 電極’在與畫素電極之間進行電壓施加。或者在横電場驅 動方式時’不需要如此的對向電極，在相隣接的畫素電極 間進行電壓施加。 又，由於構成薄膜電晶體的半導體層的至少通道領域 及其隣接領域會藉由形成於第2基板上的第1遮光膜來從 其上側予以覆蓋，因此對基板面而言，基本上可防止來自 上方的入射光射入薄膜電晶體的通道領域及其隣接領域。 在此，特別是第1遮光膜會在資料線及掃描線相交叉 的交叉領域中具有能夠在各畫素的開口領域用以規定切角 而突出的突出部。例如，若以四角形的開口領域爲基準， 則會形成1〜4個的切角，而得以規定五角形〜八角形的 開口領域。並且，通道領域會被設置於具有如此切角的交 叉領域内。因此，與不存在如此的突出部的情況時相較 下，對基板面而言，可藉由具有突出部的第1遮光膜來有 効阻止由上方垂直或傾斜行進的強力入射光及該入射光所 引起的内面反射光及多重反射光等射入薄膜電晶體的通道 領域及其隣接領域。 其結果，一方面可以提高各畫素的開口率，另一方面 能夠有效率地降低因發生薄膜電晶體的光洩漏電流或不均 (5) (5)200402669 一所引起的顯示斑紋或閃燦等，進而可以最後顯示明亮的 局品質畫像。 又’本發明之光電裝置的其他形態爲：上述通道領域 係配置於上述交叉領域的中央。 在此形態中，通道領域是被配置於交叉領域的中央， 特別是僅存在切角的部份會自光通過的各畫素的開口領域 離開。因此，可有效地提高對通道領域的遮光性能。又， 所謂「配置於交叉領域的中央」，除了通道領域的中心點 會一致於交叉領域的重心等的中心點以外，亦包含通道領 域會在交叉領域内自其邊緣多少靠近該中心點側的位置 時。 又’本發明之光電裝置的其他形態爲：在上述第2基 板上（above)更具備··對向配置於上述畫素電極的微透 鏡’上述第1遮光膜係形成於對向於上述交叉領域的領域 中〇 若利用此形態，則入射光會經由微透鏡來引導至各畫 素的開口領域的靠中央處。在此，特別是射入靠近（配列 成陣列狀）微透鏡的境界的四個角落之入射光，在透鏡的 性質上’將難以適當地集光或無法適當地集光。然而，可 藉由突出部來遮住無法利用如此的微透鏡來適當地集光之 光成份，因此一方面可維持亮度，另一方面可謀求畫質的 提升。 又’本發明之光電裝置的其他形態爲：上述第1遮光 膜係於上述交叉領域中分別形成島狀。 (6) (6)200402669 若利用此形態，則可藉由島狀形成於交叉領域且具有 突出部的第1遮光膜來對通道領域及其隣接領域進行遮 光。特別是構成如此的島狀，可縮小形成於第2基板的遮 光膜總面積，因此可有效地阻止在製造過程貼合第1及第 2基板時因組合偏移而導致各畫素的開口領域變得狹窄。 並且，在形成島狀下，亦可減少在第2基板因第1遮光膜 而產生的應力。 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：上述第1遮光 膜係形成於含上述交叉領域之沿著上述掃描線或上述資料 線而延伸的條紋狀的領域中。 若利用此形態，則可藉由形成於含交叉領域的條紋狀 領域且具有突出部的第1遮光膜來局部性提高對通道領域 及其隣接領域的遮光性能。甚至’亦可針對沿著掃描線或 資料線的條紋狀領域全體進行遮光，且可藉由第1遮光膜 來規定各畫素的格子狀非開口領域中沿著掃描線或資料線 的領域。 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：上述第1遮光 膜係形成於含上述交叉領域之沿著上述掃描線及上述資料 線而延伸的格子狀的領域中。 若利用此形態，則可藉由形成於含交叉領域的格子狀 領域且具有突出部的第1遮光膜來具部性提高對通道領域 及其隣接領域的遮光性能。甚至’可針對沿著掃描線及資 料線的格子狀領域全體進行遮光，且可藉由第1遮光膜來 規定各畫素的非開口領域全體。 -9- (7) (7)200402669 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：在上述第1基 板上（above)更具備：由上側來覆蓋至少上述通道領域的 上側遮光膜。 若利用此形態，則對基板面而言，可藉由第1遮光膜 及上側遮光膜來更爲確實地阻止來自上方的入射光及該入 射光所引起的内面反射光或多重反射光至少射入薄膜電晶 體的通道領域。又，亦可單獨地藉由如此的第1遮光膜來 規定各畫素的非開口領域，或者藉由第1遮光膜及上側遮 光膜來規定各畫素的非開口領域。 又，如此的上側遮光膜亦可兼具構成連接於畫素電極 的儲存電容的固定電位側電容電極或包含該固定電位側電 容電極的電容線。或者亦可兼具儲存電容的畫素電位側電 容電極。又，亦可由導電性的遮光膜來構成固定電位側電 容電極及畫素電位側電容電極雙方。 在此形態中，上述上側遮光膜亦可具有：以能夠在上 述交叉領域中規定上述切角的方式來突出之突出部。 若利用如此的構成，則並非只限於第1遮光膜的突出 部，亦可藉由上側遮光膜的突出部，在離開光通過的各畫 素的開口領域的位置，對通道領域及其隣接領域進行二重 遮光，因此更可提高對通道領域及其隣接領域的遮光性 能。 又，在上述上側遮光膜的形態中，上述第1遮光膜的 平面形狀亦可形成在上述交叉領域中覆蓋上述上側遮光膜 的平面形狀。 •10- (8) (8)200402669 若利用如此的構成，則通常比返回光還要強力的入射 光會穿過第1遮光膜的旁邊，而反射於上側遮光膜的上 面’有效地防止内面反射光發生。又，亦可藉由形成於第 2基板側的第1遮光膜來規定各畫素的非開口領域的一部 份或全部。又，即使在製造過程貼合第1及第2基板時發 生組合偏移，還是可以藉由上側遮光膜的存在來有效阻止 開口領域變窄。 又，在上述上側遮光膜的形態中，上述第1遮光膜的 平面形狀亦可形成在上述交叉領域中形成於比上述上側遮 光膜的平面形狀還要靠內側。 若利用如此的構成，則可藉由上側遮光膜，在第1基 板上規定各畫素的非開口領域的全部或一部份。又，即使 在製造過程貼合第1及第2基板時發生組合偏移，還是可 以藉由上側遮光膜的存在來有效阻止開口領域變窄。此情 況，第1遮光膜的主要機能爲通道領域及其隣接領域的遮 光用，特別是只在第1基板側進行遮光下，可發揮降低產 生於該光電裝置内部的熱之機能。 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：在上述第1基 板上更具備：由下側來覆蓋上述通道領域及其隣接領域的 下側遮光膜。 若利用此形態，則由於構成薄膜電晶體的半導體層的 通道領域及其隣接領域會藉由下側遮光膜來從其下側覆 蓋，因此對基板面而言，基本上可阻止來自下方的返回光 及該返回光所引起的内面反射光或多重反射光射入薄膜電 2 h 1 -11 - (9) (9)200402669 晶體的通道領域及其隣接領域。在此，所謂的 「返回 光」是例如自基板的背面反射的光，或自其他光閥（使用 複數個以該光電裝置作爲光閥的複板式投影機的其他光 閥）射出穿過合成光學系而來的光等之入射光及返回至相 反方向不寄與顯示的光。 又，可藉由如此的下側遮光膜，在第1基板上規定各 畫素的非開口領域全部或一部份。 在此形態中，上述下側遮光膜具有：以能夠在上述交 叉領域中規定上述切角的方式來突出之突出部。 若利用如此的構成，則與在該下側遮光膜不存在突出 部時相較下，對基板面而言，可藉由具有突出部的下側遮 光膜來有効阻止自下方垂直或傾斜行進的返回光及該返回 光所引起的内面反射光及多重反射光等射入薄膜電晶體的 通道領域及其隣接領域。 此外，在下側遮光膜的形態中，上述下側遮光膜的平 面形狀與上述上側遮光膜的平面形狀相較下，可於上述交 文領域中形成較小。 若利用如此的構成，則通常比返回光還要強力的人射 光會穿過上側遮光膜的旁邊而反射於下側遮光膜的表面， 進而能夠有效地防止内面反射光發生。 但，在下側遮光膜的形態中，上述下側遮光膜的平面 形狀與上述上側遮光膜的平面形狀相較下，可於上述交叉 領域中形成較大。又，在下側遮光膜的形態中，上述下側 遮光膜的平面形狀與上述第1遮光膜的平面形狀相較下， -12- (10) (10)200402669 可於上述交叉領域中形成較小或者形成較大。 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：上述開口領域 的四個角落中，至少在上述光電物質之動作不良相對較大 的一個或複數個角落設有上述突出部。 若利用如此的構成，則可例如對液晶層的配向不良、 光電物質層的動作不良較大的角落規定切角。因此例如在 液晶層的配向不良與面磨方向的關係未均等發生於四個角 落時，或動作不良未均等發生於四個角落時，可積極地隱 藏該動作不良的領域。藉此，可藉由防止各開口領域的角 落之光穿透來有效率地提高對比度。同時，有關動作不良 較小的角落方面，由於可進行正常動作或接近正常的動 作，因此可在隱藏該部份的情況下作爲開口領域的一部份 來加以利用，抑止因突出部的存在造成各畫素的開口率降 又，如此的突出部對一個開口領域而言，可按照動作 不良的發生處或程度來設置於一處或兩處或三處。 又，本發明之光電裝置的其他形態爲：在上述開口領 域的四個角落分別設有左右上下對稱的突出部。 若利用此形態，則於開口領域的四個角落分別設有左 右上下對稱的突出部，各畫素的開口領域的平面形狀與不 存在突出部時相較下，接近圓形或多角形。其結果’可利 用接近圓形或多角形的平面形狀的開口領域來降低各開D 領域内發生光穿透領域或動作不良領域，而得以進行良好 的畫像顯示。特別是在使用圓形或接近圓形的微透鏡時’ -13- (11) (11)200402669 若採用如此的構成，則可非常有效地使適當集光的入射光 經由開口領域而通過，同時遮住未適當集光的入射光。 又，本發明的光電裝置的特徵係包含： 夾持於一對第1及第2基板間的光電物質；及 在上述第1基板上（above)具備： 畫素電極； 對該畫素電極進行開關控制的薄膜電晶體；及 將畫像訊號供應給該薄膜電晶體的資料線；及 將掃描訊號供應給上述薄膜電晶體，且與上述資料線 交叉的掃描線； 在上述第2基板上（above)具備： 由上側來覆蓋構成上述薄膜電晶體的半導體層的至少 通道領域之第1遮光膜； 又，上述第1遮光膜具有··由平面來看，在上述資料 線及上述掃描線會相交叉的交叉領域中，遮住上述畫素電 極的角部之遮光領域； 又，上述通道領域係配置於上述交叉領域內。 上述本發明的光電裝置可爲液晶裝置，或EL(電激發 光）顯示裝置 又，本發明的電子機器爲了解決上述課題，而是具備 上述本發明的光電裝置（包含各種形態）。 本發明的電子機器由於具備本發明的光電裝置，因此 可實現能夠顯示高品質的畫像之各種的電子機器，例如投 射型顯示裝置，液晶電視，行動電話，電子筆記本，打字 -14- (12) (12)200402669 機，攝影機，（取景器型或監視器直視型），工作站，電 視電話，POS終端機，及具備觸控板的機器等。 本發明的如此作用及其他效果，可由以下說明的實施 形態明確得知。 【實施方式】 以下，一邊參照圖面，一邊來說明本發明的實施形 態。以下的實施形態是將本發明的光電裝置適用於液晶裝 置者。 (光電裝置的畫素部之構成） 首先，參照圖1至圖4來説明本發明之實施形態的光 電裝置的畫素部構成。其中，圖1是表示構成光電裝置的 畫像顯示領域之矩陣狀的複數個畫素之各種元件及配線等 的等效電路圖。圖2是表示形成有資料線，掃描線，畫素 電極等的TFT陣列基板之相隣接的複數個畫素群的平面 圖。圖3是表示圖2的A-A ’剖面圖。圖4是表示抽出實 施形態之對向基板上的遮光膜的平面圖案之部份平面圖。 並且，在圖3中，爲了能夠在圖面上辨識出各層或各構 件，而使該各層或各構件的縮小比例有所不同。 在圖1中，在構成本實施形態的光電裝置的畫像顯示 領域之形成矩陣狀的複數個畫素中形成份別有：畫素電極 9a，及供以開關控制該畫素電極9a的TFT30，且供給畫 素訊號的資料線 6a會電性連接於該TFT30的源極。並 -15- /55 (13) (13)200402669 且，寫入資料線6a的畫素訊號S1，S2，、、、，Sn會依 此順序來供給，或者針對相鄰接的複數條資料線6a來供 應給每個群組。又，在TFT30的閘極電性連接有掃描線 3 a ’以規定的時序來依次脈衝性地將掃描訊號 ， G2，、、、，Gm施加於掃描線3a。又，畫素電極9a會 電性連接於TFT30的汲極，使開關元件的TFT30僅於— 定期間關閉該開關，以規定的時序來將由資料線6a所供 給的畫素訊號S1，S2，、、、，Sn寫入各畫素。經由畫 素電極9a而寫入光電物質（液晶）的規定位準的畫素訊 號S1，S2，、、、，Sn會在與形成於對向基板（後述） 的對向電極（後述）之間保持於一定期間。液晶會根據所 被施加的電壓位準來使分子集合的配向及秩序變化，藉此 來調變光，使能夠進行灰階顯示。若正常白色模式，則會 按照以各畫素單位而施加的電壓來減少對入射光的透過 率，若正常黑色模式，則會按照以各畫素單位而施加電壓 來增加對入射光的透過率，全體由光電裝置來射出具有對 應於畫像訊號的對比度之光。在此，爲了防止所保持的 畫素訊號洩漏，而附加一與形成於畫素電極9a和對向電 極之間的液晶電容並列的儲存電容7〇。儲存電容70是形 成於TFT30的汲極領域與電容線3 00之間。 在圖2中，在光電裝置的TFT陣列基板上，矩陣狀 設置有複數個透明的畫素電極9a(依點線部9a’來顯示其 輪廓），分別沿著畫素電極9a的縱橫境界來設置有資料線 6 a及掃描線3 a。 -16- (14) (14)200402669 又’於半導體層1 a中，以能夠對向於通道領域1 a ’ (圖3中細斜線領域所示者）的方式來配置有掃描線 3 a ’該掃描線3 a具有作爲閘極電極的機能。特別是在本 實施形態中，掃描線3 a會在形成該閘極電極的部份形成 寬廣。如此一來，在掃描線3 a與資料線6a的交叉處分別 設有=掃描線3 a會作爲閘極電極而對向配置於通道領域 la’之畫素開關用的TFT30。 如圖2及圖3所示，電容線3 00是形成於掃描線3a 上。電容線3 0 0是包含：由平面來看，沿著掃描線3 a而 延伸成條紋狀的本線部，及由掃描線3a及資料線6a的交 點之該本線部來沿著資料線6a而突出於圖2中上下的突 出部。又，掃描線3 a亦可不含突出部而形成直線。 電容線3 00是例如由含金屬或合金的導電性遮光膜所 形成’構成上側遮光膜的一例，且具有作爲固定電位側電 容電極的機能。電容線 3 00是由：例如含 Ti(鈦）、 Cr(鉻）、W (鎢）、Ta (鉬）、M0(鉬）等高融點金屬中的至少 一個之金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽化物、以及層 疊該等者所構成。又，電容線 300亦可含 A1(鋁）、 Ag(銀）、Au (金）、Cu(銅）等其他的金屬。或者，電容線 3 00亦可具有多層構造，亦即層疊第1膜（例如由導電性 的多晶矽膜等所構成）與第2膜（例如由含高融點金屬的 金屬矽化物膜等所構成）的多層構造。 另一方面，對電容線300而言，經由介電質膜75來 對向配置的中繼層7.1具有作爲儲存電容70的畫素電位側 -17· (15) (15)200402669 電容電極之機能，更具有中繼連接畫素電極9a與TFT30 的高濃度汲極領域1 e的中間導電層之機能。 如此一來，在本實施形態中，儲存電容70是藉由作 爲連接於TFT30的高濃度汲極領域le及畫素電極9a的畫 素電位側電容電極之中繼層7 1與作爲固定電位側電容電 極之電容線3 0 0的一部份會經由介電質膜7 5來對向配置 而構築。 又，分別延伸於圖2中縱方向的資料線6a與分別延 伸於圖2中橫方向的電容線3 00會互相交叉而形成，藉此 於TFT陣列基板10上的TFT30的上側構成有由平面來看 呈格子狀的上側遮光膜，大槪規定各畫素的開口領域。 另一方面，在TFT陣列基板10上之TFT30的下側， 下側遮光膜1 1 a會被設置成格子狀。有關下側遮光膜1 1 a 方面，也是與電容線30 0同樣的，由各種金屬膜等所形 成。 在本實施形態中，特別是電容線3 00會在如此的格子 狀遮光領域中，於掃描線3 a及資料線6 a所交叉的交叉領 域中具有在各畫素的開口領域規定切角的突出部4〇 i。 又，中繼層71具有突出部402，而使能夠對向於規定如 此的切角之突出部401來形成電容。又，下側遮光膜ila 亦於此交叉領域中，具有在各畫素的開口領域規定切角的 突出部411。有關如此的突出部401、4 02及411的構成 及作用効果方面會在往後敘述。 又，在圖3中，配置於作爲電容電極的中繼層71與 -18- (16) (16)200402669 電容線300之間的介電質膜75是例如由膜厚5〜200nm 程度較薄的HTO膜、LTO膜等的氧化矽膜、或氮化矽膜 等所構成。由增大儲存電容70的觀點來看，只要膜的可 靠性能夠充分取得，介電質膜75越薄越好。 如圖2及圖3所示，畫素電極9a是藉由中繼中繼層 71來經由接觸孔83及85而電性連接於半導體層la中的 高濃度汲極領域1 e。如此一來，若利用中繼層7 1來作爲 中繼層，則即使層間距離形成較長（例如2000nm )，照 樣能夠一方面迴避以1個接觸孔來連接兩者間之技術上的 困難性，另一方面可以較小徑的兩個以上直列的接觸孔來 良好地連接兩者間，提高畫素開口率，且亦可防止接觸孔 開孔時的鈾刻穿透。 另一方面，資料線6a是經由接觸孔8 1來電性連接於 半導體層1 a (例如由多晶矽膜所構成）的其中高濃度源 極領域1 d。又，亦可藉由中繼層來中繼連接資料線6a與 高濃度源極領域1 a。 電容線3 00是由配置有畫素電極9a的畫像顯示領域 來沿設於其周圍，藉由電性連接定電位源來形成固定電 位。就該定電位源而言，可爲供給至掃描線驅動電路（後 述）或資料線驅動電路（後述）之正電源或負電源的定電位 源，或者供給至對向基板2 0的對向電極2 1之定電位源。 上述掃描線驅動電路爲用以將掃描訊號（供以驅動TFT30 者）供給至掃描線3 a，上述資料線驅動電路爲控制將畫 像訊號供給至資料線6 a的取樣電路。又，有關下側遮光 -19- (17) (17)200402669 膜1 la方面，爲了迴避該電位變動對TFT30造成不良的 影響，亦可與電容線3 00 —樣的，由畫像顯示領域延伸至 其周圍，然後連接至定電位源。 在圖2及圖3中，光電裝置具備：透明的TFT陣列 基板1〇，及對向配置的透明對向基板20。在此，TFT陣 列基板1 〇是例如由石英基板，玻璃基板，或矽基板所構 成，對向基板20是例如由玻璃基板或石英基板所構成。 如圖3所示，在TFT陣列基板10中設有畫素電極 9a，且於上側設有被施以面磨處理等的規定配向處理之配 向膜16。畫素電極9a是例如由ITO(Indium Tin Oxide)膜 等的透明導電性膜所構成。又，配向膜1 6是例如由聚醯 亞胺膜等的有機膜所構成。 另一方面，在對向基板20的全面設有對向電極21， 且於下側設有被施以面磨處理等的規定配向處理之配向膜 22。對向電極21是例如由ITO膜等的透明導電性膜所構 成。又，配向膜22是由聚醯亞胺膜等的有機膜所構成。 在如此構成，亦即以畫素電極9a與對向電極2 1能夠 呈對面之方式而配置的TFT陣列基板10與對向基板20 之間，光電物質（例如液晶）會被封入後述的密封材所圍 繞的空間中，形成液晶層5 0。液晶層5 0會在未被施加來 自畫素電極9a的電場之狀態下，藉由配内膜16及22來 形成規定的配向狀態。液晶層5 0是例如由一種或混合數 種類的向列液晶的液晶來構成。密封材是供以使TFT陣 列基板1 〇及對向基板20貼合於其周邊，例如由光硬化性 -20- (18) (18)200402669 樹脂或熱硬化性樹脂所構成的接著劑，混入有供以使兩基 板間的距離形成規定値之玻璃纖維或玻璃串珠等的間隔 材。 又，於畫素開關用 TFT30的下面設有下層絕緣膜 1 2。下層絕緣膜1 2除了具有從下側遮光膜1 1 a來層間絶 縁TFT30的機能以外，還具有藉由形成於TFT陣列基板 10的全面來防止在TFT陣列基板10的表面硏磨時的磨屑 或洗浄後殘留的汙垢等造成畫素開關用TFT30的特性產 生變化之機能。 在圖3中，畫素開關用 TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain)構造，具備：掃描線3a、及根據來自該掃描 線3 a的電場而形成通道之半導體層1 a的通道領域1 a ’、 及包含絕緣掃描線3 a與半導體層1 a的閘極絕緣膜之絕緣 膜2、及半導體層1 a的低濃度源極領域1 b及低濃度汲極 領域1 c、以及半導體層1 a的高濃度源極領域1d及高濃 度汲極領域1 e。 在掃描線3 a上形成有第1層間絕緣膜41，該第1層 間絕緣膜4 1會分別開孔有通往高濃度源極領域1 d的接觸 孔8 1及通往高濃度汲極領域1 e的接觸孔83。 在第1層間絕緣膜41上形成有中繼層71及電容線 3 00，且於該等的上面形成有第2層間絕緣膜42，該第2 層間絕緣膜42會分別開孔有接觸孔8 1及接觸孔8 5。 在第2層間絕緣膜42上形成有資料線6a，且於該等 的上面形成有第3層間絕緣膜43 ’該第3層間絕緣膜43 -21 - 7K 1 (19) (19)200402669 會形成有通往中繼層71的接觸孔85。畫素電極9a是被 設置於如此構成的第3層間絕緣膜43的上面。 就本實施形態而言’特別是在對向基板20上，在各 畫素的開口領域以外的領域中形成有島狀的第1遮光膜， 例如遮光膜23。 如圖4所示，遮光膜23會在格子狀的遮光領域或非 開口領域中由平面來看資料線6a及掃描線3a相交叉的交 叉領域中，具有與電容線300的突出部401或下側遮光膜 11a的突出部403 (參照圖2)幾乎同樣，用以在對應於畫素 電極9a的各畫素的開口領域規定切角而突出的突出部 423。又，通道領域la’會被配置於此交叉領域内。 在採用如此的構成下，如上述，可藉由構成上側遮光 膜的電容線3 00及資料線6a與該遮光膜23來確實地阻止 來自對向基板20側的入射光侵入至通道領域la’及其隣 接領域。 有關遮光膜23的材料方面，是與電容線3 00同樣 的，例如含Ti (鈦）、Cr(鉻）、W (鎢）、Ta (鉅）、M0 (鉬）等 高融點金屬中的至少一個之金屬單體、合金、金屬矽化 物、聚矽化物、以及層疊該等者所構成。又，亦可含 A1(鋁）、Ag(銀）、Au (金）、Cu(銅）等其他的金屬。或者， 亦可具有多層構造，例如層疊光吸収性的多晶矽膜與光反 射性的金屬膜等而形成的多層構造。此情況，由降低内面 反射光的觀點來看，以在下側（内側）配置光吸収性的多晶 矽膜等較爲有利，同時由防止光電裝置的温度上昇的觀點 -22-

/ k V (20) 200402669 來看，以在上側（外側）配置光反射性的金屬膜等較 利。或者，如此遮光膜2 3亦可由有色樹脂來形成。 又，有關遮光膜23的平面圖案之各種變形形 面，會在往後參照圖5〜圖11來說明。 如以上參照圖1〜圖4所述，若利用本實施形態 通道領域1 a ’及其隣接領域（亦即，圖2及圖3所示 濃度源極領域lb及低濃度汲極領域lc)會從上側藉由 遮光膜（例如形成於對向基板20上的遮光膜23 )， 成於TFT陣列基板10上的上側遮光膜（電容線3〇〇 料線6a)來覆蓋。因此，可藉由遮光膜23及上側遮 的電容線3 00及資料線6a來提高對TFT陣列基板1 遮光性，亦即有效地遮住來自垂直方向的入射光射至 陣列基板1 0。另一方面，通道領域1 a ’及其隣接領域 下側藉由下側遮光膜1 1 a來予以覆蓋。因此，可藉由 遮光膜11 a來提高對返回光的遮光性，亦即可有效 TFT陣列基板1〇的背面反射光或自其他的光電裝置 且穿透合成光學系而來的光等。 在此，入射光是包含由傾斜方向射入TF T陣列 1 〇的傾斜光。例如，包含1 0%程度之入射角會從垂 移1 〇度〜1 5度左右的成份。又，如此的傾斜光會被 於TFT陣列基板丨0上所形成之下側遮光膜丨丨a的上 而於該光電裝置内產生傾斜的内面反射光。又，如此 斜的内面反射光會被反射於該光電裝置内的其他界面 產生傾斜的多重反射光。特別是入射光會比返回光 爲有 態方 ，則 的低 第1 及形 及資 光膜 0的 TFT 會從 下側 遮住 射出 基板 直偏 反射 面， 之傾 ，而 還要 -23- 1. ο (21) (21)200402669 強，因此該入射光所引起之傾斜的内面反射光及多重反射 光亦強。又，有關返回光方面亦含自傾斜方向射入的光， 及該該光所引起的内面反射光及多重反射光也會產生。 然而，在本實施形態中，特別是遮光膜23在交叉領 域中具有用以在各畫素的開口領域規定切角的突出部 42 3 (參照圖4)。並且，電容線3 00具有突出部401，下側 遮光膜11a具有突出部411 (參照圖2)。而且，通道領域 la’會被配置於交叉領域内的中央，僅存在切角的部份， 入射光會通過或從返回光所射入的各畫素的開口領域離 開。因此，對通道領域1 a ’及其隣接領域的遮光性能會藉 突出部423、401及411的存在而更加提高。亦即，與不 存在突出部423、401及411時相較下，可有效地阻止傾 斜行進之強力的入射光或返回光、甚至該等入射光或返回 光所引起的内面反射光及多重反射光等射入通道領域1 a ’ 及其隣接領域。 此結果，可有效降低TFT30之光洩漏電流的發生或 所：引起的顯示斑紋、閃爍等。 又，本實施形態，如圖4及圖2所示，在開口領域的 四個角落分別設有左右上下對稱的突出部。因此，各畫素 的開口領域的平面形狀與不存在突出部4 0 1等的情況時相 較下，較接近圓形或多角形。藉此，可對TFT30進行四 方取得平衡的遮光，可進行各開口領域内降低光穿透領域 或動作不良領域的良好畫像顯示。 但，並非只限於在四個角落全體設置突出部423、 -24- (22) (22)200402669 401及411，亦可在四個角落中，液晶層50的配向不良較 大的一個或複數個角落設置突出部423、401及411°例 如亦可只在液晶層50的配向不良對配向膜16及22的面 磨方向的關係最爲顯著的角落設置如此的突出部423 ' 401及411。藉此，一方面可抑止非開口領域過度擴大’ 另一方面可隱藏液晶層5 0的配向不良，提高對比度。 又，本實施形態中，雖電容線3 00具有突出部401 ’ 且下側遮光膜11a具有突出部411，但亦可不具有該等突 出部。或者只有其中一方具有突出部。無論是哪一種情 況，在對向基板20上的遮光膜23存在突出部423與不設 置任何突出部時相較之下，較能夠提高遮光性能。 另一方面，若利用本實施形態，則由於儲存電容7〇 在用以規定切角的遮光領域内亦設置，因此不僅可以增大 電容値，而且還能夠有效地迴避各畫素的開口領域變窄。 同樣的，TFT30的汲極電極亦可配置於用以規定切角的遮 光領域内來防止各畫素的開口領域變窄。 如以上圖1〜圖4所述，若利用本實施形態，則可藉 由電晶體特性佳的畫素開關用TFT30來降低顯示斑紋或 閃燥等，實現一種明亮且高精細、高品質的畫像顯示的光 電裝置。 在以上所述的實施形態中，雖是使下側遮光膜1 1 a於 周邊領域形成固定電位或浮動電位，但亦可使下側遮光膜 1 1 a於畫像顯示領域内連接至電容線3 0 0而形成固定電 位。此情況，可使下側遮光膜1 1 a具有作爲電容線3 00的 -25- /〇:> (23) (23)200402669 冗長配線之機能，可謀求電容線3 0 0的低電阻化。或者 使下側遮光膜1 1 a沿著掃描線3 a，在每一個畫素或複數 個畫素與掃描線3 a連接，且亦可使下側遮光膜1 1 a形成 分斷於每一條掃描線3 a的略條紋狀。此情況，可使下側 遮光膜11a具有作爲掃描線3a的冗長配線之機能，可謀 求掃描線3 a的低電阻化。並且，在如此使用下側遮光膜 1 1 a來作爲冗長配線之下，亦可縮小沿著電容線3 00或掃 描線3 a之遮光領域的寬度。 在以上所述的實施形態中，亦可在TF T陣列基板1 〇 中控掘溝’或者在下層絕緣膜1 2、第1層間絕緣膜4 1、 第2層間絕緣膜42、第3層間絕緣膜43中控掘溝，而埋 入資料線6a等的配線或TFT30等，藉此來對沿著畫素電 極9a的下層面的資料線6a或掃描線3a的領域中所產生 的段差進行平坦化處理。或利用 CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理等來硏磨第3層間絕緣膜43或 第2層間絕緣膜42上面的段差，進行平坦化處理，或利 用有機SOG(Spin On Glass)來形成平坦化。 (變形形態） 首先，參照圖5〜圖13來説明可採用於上述實施形 態之對向基板2 0上的遮光膜2 3的平面圖案的各種變形形 態。圖5〜圖1 1是分別表示可採用於實施形態之對向基 板20側的遮光膜23的平面圖案之變形形態的部份平面 圖。又，圖12是表示圖4的實施形態及圖5〜圖7的變 -26- (24) (24)200402669 形形態之入射光等的路徑與各種遮光膜的關係圖。圖i 3 是表7Π：圖〜8圖11的變形形態之入射光等的路徑與各種 遮光膜的關係圖。又，於圖5〜圖13中，對與圖1〜圖4 所示者同樣的構成要件賦予同樣的元件符号，並省略其説 明。 在圖4所示之上述實施形態及圖5〜圖7的變形形態 中，對向基板2 0上的遮光膜23及23b〜23d是形成比構 築於TFT陣列基板1 0上的格子狀的上側遮光膜（亦即， 規定格子狀的遮光領域的電容線3 00及資料線6a)的至少 一部份還要大，至少部份地規定各畫素的非開口領域。無 論是在哪一種變形形態中，在對向於突出部4 0 1的領域中 設有作爲突出部423的遮光膜。 亦即，在圖4的實施形態中，遮光膜23是僅於存在 上側遮光膜的遮光領域的其中交叉領域中，島狀設置於對 向基板2 0上。若利用如此的遮光膜2 3，則可對畫素開關 用TFT30提高交叉領域附近的遮光性能。並且，可規定 交叉領域之各畫素的非開口領域。 在圖5的變形形態中，遮光膜23b是僅於存在上側遮 光膜的遮光領域的其中交叉領域及沿著掃描線3 a的帯狀 領域中，約横條紋狀設置於對向基板20上。若利用如此 的遮光膜23b，則可對畫素開關用TFT30提高交叉領域附 近及沿著掃描線3 a的領域之遮光性能。並且，可規定交 叉領域及沿著掃描線3 a的帯狀領域之各畫素的非開口領 域。 -27- (25) (25)200402669 在圖6的變形形態中，遮光膜23c是僅於存在上側遮 光膜的遮光領域的其中交叉領域及沿著資料線6a的領域 中，約縱條紋狀設置於對向基板20上。若利用如此的遮 光膜23c，則可對畫素開關用TFT30提高交叉領域附近及 沿著資料線6a的領域之遮光性能。並且，可規定交叉領 域及沿著資料線6a的領域之各畫素的非開口領域。 在圖7的變形形態中，遮光膜23d是在存在上側遮光 膜的領域中，約格子狀設置於對向基板20上。若利用如 此的遮光膜23d，則可對畫素開關用TFT30提高格子狀的 非開口領域全體之遮光性能。並且，可規定該格子狀的非 開口領域。 如以上所述，在圖4的實施形態及圖5〜圖7的變形 形態中，是藉由對向基板20上的遮光膜23及23b〜23d 來至少部份地規定格子狀的非開口領域。相對的，在圖8 〜圖1 1的變形形態中，對向基板20上的遮光膜23 ’及 23b ’〜23d ’是形成比上側遮光膜還要小，不規定非開口 領域。無論是在哪一種的變形形態中，在對向於突出部 401的領域中設有更小的突出部423’（遮光膜）。 亦即，在圖8的變形形態中，遮光膜23 ’是僅於存在 上側遮光膜（亦即，電容線3 00及資料線6a)的遮光領域 的其中交叉領域中，島狀設置於對向基板20上。若利用 如此的遮光膜23 ’，則可對畫素開關用TFT30提高交叉領 域附近的遮光性能。又，因爲遮光膜23’的突出部423’ 是形成比突出部401還要小，所以可有效迴避在製造時 -28 - (26) (26)200402669 T F T陣列基板1 0與對向基板2 0的機械性組合偏移造成遮 光膜23 ’縮小開口領域的情況。 在圖9的變形形態中，遮光膜2 3 b是僅於存在上側 遮光膜的遮光領域的其中交叉領域及沿著掃描線3 a的領 域中，約橫條紋狀設置於對向基板20上。若利用如此的 遮光膜23b’，則可對畫素開關用TFT30提高交叉領域附 近及沿著掃描線3 a的領域之遮光性能。又’因爲遮光膜 2 3 b ’是形成比突出部4 0 1及電容線3 0 0還要小’所以可 有效迴避在製造時TFT陣列基板10與對向基板20的機 械性組合偏移造成遮光膜23 b ’縮小開口領域的情況。 在圖10的變形形態中，遮光膜23c ’是僅於存在上側 遮光膜的遮光領域的其中交叉領域及沿著資料線6 a的領 域中，約縱條紋狀設置於對向基板20上。若利用如此的 遮光膜23c’，則可對畫素開關用TFT30提高交叉領域附 近及沿著資料線6a的領域之遮光性能。又，因爲遮光膜 23c ’是形成比突出部401及資料線6a還要小，所以可有 效迴避在製造時TFT陣列基板10與對向基板20的機械 性組合偏移造成遮光膜23 c ’縮小開口領域的情況。 在圖1 1的變形形態中，遮光膜23 d ’是僅於存在上 側遮光膜的領域中，約格子狀設置於對向基板20上。若 利用如此的遮光膜23d’，則可對畫素開關用TFT30提高 格子狀的非開口領域全體之所以可有效迴避在製造時TFT 陣列基板1 〇與對向基板20的機械性組合偏移造成遮光膜 23 d’縮小開口領域的情況。 -29- (27) (27)200402669 在此，如圖12所示，在圖4的實施形態及圖5〜圖7 的變形形態時，對向基板20上的遮光膜（亦即，遮光膜 23、23b〜23d)要比TFT陣列基板10上的遮光膜（亦即， 電容線3 0 0及資料線6a以及下側遮光膜1 la)來得大。因 此，可藉由對向基板20上的遮光膜來大致達成TFT30的 遮光，亦即遮住垂直的入射光L1或傾斜的入射光l 2。有 關返回光L3方面，亦可藉由下側遮光膜lia來遮光。並 且，即使兩基板間有些微的組合偏移，由平面來看，TFT 陣列基板10上的遮光膜自對向基板20上的遮光膜超出， 而縮小各畫素的開口領域的可能性低。 另一方面，如圖13所示，在圖8〜圖1 1的變形形態 時，對向基板20上的遮光膜（亦即，遮光膜23 ’、23b， 〜23 d’）要比TFT陣列基板10上的遮光膜（亦即，電容 線 3 00及資料線6a、以及下側遮光膜1 la)來得小。因 此，可藉由對向基板20上的遮光膜及TFT陣列基板1〇 上的遮光膜來大致達成 TFT30的遮光，亦即遮住垂直的 人射光L 1或傾斜的入射光L2。並且，即使兩基板間有些 微的組合偏移，由平面來看，對向基板20上的遮光膜自 TFT陣列基板10上的遮光膜超出，而縮小各畫素的開口 領域的可能性低。 如以上參照圖4〜圖1 3所述，在本實施形態中，電 容線300、中繼層402及下側遮光膜11a的突出部或畫素 電極9a的切角部可採用各種形態，可形成多種多樣的組 合。無論是採用哪一種組合，皆是根據實際的裝置式樣， •30· (28) (28)200402669 經由實驗或經驗等來決定最佳的組合而採用。 其次，參照圖14及圖15來說明使用微透鏡的變形形 態。在此，圖14(a)是表示抽出安裝於對向基板20的微透 鏡之部份擴大平面圖，圖14(b)是表示其E-E ’剖面圖。 又，圖15(a)是表示圖14的微透鏡與遮光膜23(參照圖4) 的關係部份擴大剖面圖，圖15(b)是表示其E-E ’剖面圖。 就本變形形態而言，是在對向基板20的内部，以能 夠一對一對應於各畫素的方式來安裝微透鏡，或者在上側 或下側表面，以能夠一對一對應於各畫素的方式來與覆蓋 玻璃等一起安裝。 如圖14所示，微透鏡501是以各畫素的中心爲透鏡 中心，用以集光的微小凸透鏡。因此，在圖14(a)中，以 等高線（contour)來顯示表面高度之微透鏡501的中央附 近，如圖14(b)所示，可適當地集中入射光L1。另一方 面，在相鄰接於圖14(a)的上下左右之微透鏡501的間隙 領域501(圖中影線領域所示者），就透鏡的性質上而言， 會難以甚至不可能適當地進行入射光的集光。因此，如圖 14(b)所示，無法適當地集光，而產生迷光L4。 然而，如圖15(a)所示，在本實施形態中，由於間隙 領域502會藉由具有突出部423的遮光膜23來隱藏，因 此如圖15(b)所示，幾乎可阻止迷光L4混入入射光L1。 此刻，由於微透鏡5 0 1會使各畫素的開口領域的入射光 L1約集中成圓形，因此有利於將突出部423形成於各畫 素的開口領域的四個角落，而使各畫素的開口領域接近圓 -31 - (29) (29)200402669 形。 如參照圖1 4及圖1 5所述’若利用本變形形態’則可 利用微透鏡5 0 1來提高光的利用効率’藉此能夠進行更明 亮的畫像顯示。同時’可藉由具有突出部423的遮光膜 2 3來解除因微透鏡5 0 1的透鏡特性劣化而導致間隙領域 5 0 2所引起的不良情況，因此最後可進行非常高品質的畫 像顯示。 如以上所述，設置於對向基板的遮光膜的突出部亦可 具有遮住畫素電極的角部之遮光領域。又，設置於對向基 板的遮光膜的突出部亦可於掃描線與資料線的交叉領域中 覆蓋其他的遮光膜，或者在該交叉領域中形成於其他遮光 膜的内側。 (光電裝置的全體構成） 參照圖1 6及圖1 7來説明以上構成之各實施形態的光 電裝置的全體構成。又，圖1 6是表示由對向基板20側所 見之TFT陣列基板1 〇及形成於上面的各構成要件的平面 圖。圖17是表示圖16的H-H’剖面圖。 在圖16中，於TFT陣列基板10的上面，密封材52 會沿著其邊縁而設置，且並行於其内側，設有用以規定畫 像顯示領域l〇a的周邊之遮光膜53。在密封材52的外側 領域’以規定的時序來將畫像訊號供給至資料線6a，藉 此來驅動資料線6 a的資料線驅動電路1 〇 1及外部電路連 接端子102會沿著TFT陣列基板1〇的一邊而設置，以規 -32- (30) (30)200402669 定的時序來將掃描訊號供給至掃描線3a，藉此來驅動掃 描線3a的掃描線驅動電路104會沿著連接於該一邊的兩 邊而設置。若供給至掃描線3a的掃描訊號無延遲的問 題，則掃描線驅動電路1 04亦可只設置於單側。又，亦可 使資料線驅動電路1 〇 1沿著畫像顯示領域1 〇a的邊而配置 於兩側。又，於TFT陣列基板1 0的剩下一邊設有供以連 接設置於畫像顯示領域l〇a兩側的掃描線驅動電路104間 之複數條的配線1〇5。又，於對向基板20的角落部的至 少一處設有供以電性導通TFT陣列基板10與對向基板20 之間的導通材106。又’如圖17所不，具有與圖16所示 的密封材52幾乎相同的輪廓之對向基板20會藉由該密封 材52來固著於TFT陣列基板10。 並且，在TFT陣列基板10上，除了該等資料線驅動 電路1 0 1及掃描線驅動電路1 〇4等以外，亦可追加取樣電 路（以規定的時序來將畫像訊號施加於複數條的資料線 6a )，及預充電電路（比畫像訊號還要先供應規定電壓位 準的預充電訊號給各複數條的資料線6a )，以及檢查電 路（供以檢查製造途中或出貨時之該光電裝置的品質或缺 陷等）。 在參照以上圖1〜1 7來說明的實施形態中，亦可取代 在TFT矩陣基板1〇上設置資料線驅動電路ι〇1及掃描線 驅動電路1 04，例如經由設置於TFT矩陣基板1〇的周邊 部的向異性導電薄膜來電性或機械性連接於安裝在TAB (Tape Automated Bonding，捲帶自動接合基板）基板上 -33· (31) (31)200402669 的驅動用LSI。並且，在對向基板20的投射光所射入的 一側及TFT矩陣基板1 〇的射出光所射出的一側，分別對 應於所使用的液晶種類，亦即分別對應於TN(Twisted Nematic)模式，STN(Super Twisted Nematic)模式， VA(Vertically Aligned)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)模式等的動作模式，或正常白色模式/正 常黑色模式，來將偏光薄膜，相位差薄膜，及偏光板等配 置於規定的方向上。 以上所述實施形態的光電裝置，爲了適用於投影機， 而分別使用三個的光電裝置來作爲RGB用的光閥，在各 光閥中，經由各個RGB色分解用的分色稜鏡而分解的各 色光會當作投射光來分別射入。因此，在各實施形態中， 不會在對向基板20設置彩色濾光片。但，亦可在對向於 畫素電極9a的規定領域中，將RGB的彩色濾光片及其保 護膜一起形成於對向基板20上。如此一來，可將各實施 形態的光電裝置適用於投影機以外的直視型或反射型的彩 色光電裝置。或者，亦可在對向於TFT陣列基板10上的 RGB之畫素電極9a下，以彩色阻劑等來形成彩色濾光片 層。如此一來，可在提高入射光的集光効率下實現明亮的 光電裝置。 又，亦可於對向基板20上堆積幾層折射率不同的干 渉層，利用光的干渉來形成作出RGB色的稜鏡濾光片。 若利用附有此稜鏡濾光片的對向基板，則可實現更明亮的 彩色光電裝置。 -34- (32) 200402669 (電子機器的實施形態） 其次，說明有關以上述光電裝置作爲光閥使 機器的一例，亦即投射型彩色顯示裝置的實施形 構成，特別是光学構成。在此，圖1 8是表示投 顯示裝置的圖式剖面圖。 在圖1 8中，本實施型態的投射型顯示裝置 液晶投影機1 1 00是準備3個液晶模組（包含驅 搭載於TFT陣列基板上的液晶裝置），分別作爲 的光閥100R， 100G及100B之投影機。在液 1 1 00中，若由鹵化金屬燈等白色光源的燈單元1 出投射光，則會藉由3片的反射鏡1 1 06及2片 鏡1108來分成對應於RGB的三原色之光成份 B，且分別被引導至對應於各色的光閥100R， 100B。此刻，特別是爲了防止B光因較長的光 光損失，而經由中繼透鏡系1 1 2 1 (由入射透鏡 繼透鏡1123及射出透鏡1 124所構成）來引導。 應於根據光閥100R，100G及100B而調變的三 成份會藉由分色稜鏡1 1 1 2來再度合成，然後經 鏡1114來作爲彩色畫像投射至螢幕1120。 但，本發明並非只限於上述實施型態，只要 請專利範圍及說明書所記載的主旨範圍，亦包含 各種變更的光電裝置及電子機器。 用之電子 態的全體 射型彩色 之一例的 動電路爲 r RGB 用 晶投影機 102發射 的分色稜 R，G及 1 00G 及 路而產生 1122，中 並且，對 原色之光 由投射透 不脫離申 實施其他 -35- (33) (33)200402669 【圖式簡單說明】 圖1是表示設置於構成本發明的實施形態的光電裝置 的畫像顯示領域之矩陣狀的複數個畫素之各種元件及配線 等的等效電路圖。 圖2是表示形成有實施形態的光電裝置之資料線，掃 描線，畫素電極等的TFT陣列基板之相隣接的複數個畫 素群的平面圖。 圖3是表示圖2的A-A ’剖面圖。 圖4是表示抽出實施形態之對向基板側的遮光膜的平 面圖案之部份平面圖。 圖5是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光膜 的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 圖6是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光膜 的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 圖7是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光膜 的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 * 圖8是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光膜 的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 圖9是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光膜 的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 圖1 0是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光 膜的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 圖1 1是表示實施形態中可採用之對向基板側的遮光 膜的平面圖案之變形形態的部份平面圖。 -36- (34) (34)200402669 圖1 2是表示圖4的實施形態及圖5〜7的變形形態之 入射光等的路徑與各種遮光膜的關係之剖面圖。 圖1 3是表示圖8〜1 1的變形形態之入射光等的路徑 與各種遮光膜的關係之剖面圖。 圖1 4是表示變形形態之抽出安裝於對向基板20的微 透鏡的部份擴大平面圖（圖14(a))，及其E-E ’剖面圖 (圖 14(b))。 圖15是表示圖14之微透鏡與對向基板側之遮光膜的 關係的部份擴大剖面圖（圖15(a))，及其E-E ’剖面圖 (圖 15(b))。 圖1 6是表示由對向基板側所見之實施形態的光電裝 置的 TFT陣列基板及形成於上面的各構成要件的平面 圖。 圖17是表不圖16的H-H 剖面圖。 圖1 8是表示本發明的電子機器的實施形態之一例的 彩色液晶投影機的剖面圖。 【符號之說明】 la :半導體層 la’ ：通道領域 1 d :高濃度源極領域 1 e :高濃度汲極領域 3 a :掃描線 6a :資料線 -37- (35) (35)200402669 9a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 1 1 a :下側遮光膜 20 :對向基板

2 1 :對向電極 23 :遮光膜 30 : TFT 5 0 :液晶層 70 :儲存電容 71 :中繼層 3 0 0 :電容線 401、 402、 411、 423:突出部 5 0 1 :微透鏡 -38·

Claims (1)

1. 200402669 ⑴ 拾、申請專利範圍 1·一種光電裝置，其特徵係包含·· 夾持於一對第1及第2基板間的光電物質；及 在上述第1基板上（above)具備： 畫素電極； 對該畫素電極進行開關控制的薄膜電晶體；及 將畫像訊號供應給該薄膜電晶體的資料線；及 將掃描訊號供應給上述薄膜電晶體，且與上述資料線 交叉的掃描線； 在上述第2基板上（above)具備： 由上側來覆蓋構成上述薄膜電晶體的半導體層的至少 通道領域之第1遮光膜； 又，上述遮光膜具有：由平面來看，在上述資料線及 上述掃描線會相交叉的交叉領域中，以能夠在對應於上述 畫素電極的各畫素的開口領域中規定切角的方式來突出之 突出部； 又，上述通道領域係配置於上述交叉領域內。 2.如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述通道 領域係配置於上述交叉領域的中央。 3·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中在上述第 2基板上（above)更具備：對向配置於上述畫素電極的微透 鏡； 上述第1遮光膜係形成於對向於上述交叉領域的領域 中。 •39- (2) (2)200402669 4·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述第1 遮光膜係於上述交叉領域中分別形成島狀。 5 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述第1 遮光膜係形成於含上述交叉領域之沿著上述掃描線或上述 資料線而延伸的條紋狀的領域中。 6·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述第1 遮光膜係形成於含上述交叉領域之沿著上述掃描線及上述 資料線而延伸的格子狀的領域中。 7·如申請專利範圍第〗項之光電裝置，其中在上述第 1基板上（above)更具備：由上側來覆蓋至少上述通道領域 的上側遮光膜。 8 ·如申請專利範圍第7項之光電裝置，其中上述上側 遮光膜具有：以能夠在上述交叉領域中規定上述切角的方 式來突出之突出部。 9.如申請專利範圍第7項之光電裝置，其中上述第i 遮光膜的平面形狀係於上述交叉領域中覆蓋上述上側遮光 膜的平面形狀。 10·如申請專利範圍第7項之光電裝置，其中上述第i 遮光膜的平面形狀係於上述交叉領域中形成於比上述上側 遮光膜的平面形狀還要靠內側。 11.如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中在上述 第1基板上（above)更具備：由下側來覆蓋至少上述通道 領域的下側遮光膜。 12·如申請專利範圍第11項之光電裝置，其中上述下 -40- (3) (3)200402669 側遮光膜具有··以能夠在上述交叉領域中規定上述切角的 方式來突出之突出部。 13.如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述開 口領域的四個角落中’至少在上述光電物質之動作不良相 對較大的一個或複數個角落設有上述突出部。 14·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中在上述 開口領域的四個角落分別設有左右上下對稱的突出部。 15·—種光電裝置，其特徵係包含： 夾持於一對第1及第2基板間的光電物質；及 在上述第1基板上（above)具備： 畫素電極； 對該畫素電極進行開關控制的薄膜電晶體·，及 將畫像訊號供應給該薄膜電晶體的資料線；及 將掃描訊號供應給上述薄膜電晶體，且與上述資料線 交叉的掃描線； 在上述第2基板上（above)具備： 由上側來覆蓋構成上述薄膜電晶體的半導體層的至少 通道領域之第1遮光膜； 又，上述第1遮光膜具有：由平面來看，在上述資料 線及上述掃描線會相交叉的交叉領域中，遮住上述畫素電 極的角部之遮光領域； 又，上述通道領域係配置於上述交叉領域內。 16.—種電子機器，其特徵係具備光電裝置；該光電 裝置係包含： -41 - (4) (4)200402669 夾持於一對第1及第2基板間的光電物質；及 在上述第1基板上（above)具備： 畫素電極； 對該畫素電極進行開關控制的薄膜電晶體；及 將畫像訊號供應給該薄膜電晶體的資料線；及 將掃描訊號供應給上述薄膜電晶體，且與上述資料線 交叉的掃描線； 在上述第2基板上（above)具備： 由上側來覆蓋構成上述薄膜電晶體的半導體層的至少 通道領域之第1遮光膜； 又，上述第1遮光膜具有：由平面來看，在上述資料 線及上述掃描線會相交叉的交叉領域中，以能夠在對應於 上述畫素電極的各畫素的開口領域中規定切角的方式來突 出之突出部； 又，上述通道領域係配置於上述交叉領域內。 -42-