[go: up one dir, main page]

TH37725A3 - Alkali-containing mixtures with silicates for cleaning microelectronics, substrate - Google Patents

Alkali-containing mixtures with silicates for cleaning microelectronics, substrate

Info

Publication number
TH37725A3
TH37725A3 TH9901001673A TH9901001673A TH37725A3 TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3 TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
percent
mixture
mixture according
weight
Prior art date
Application number
TH9901001673A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH30235C3 (en
Inventor
ซี. สกี นายเดวิด
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายรุทร นพคุณ filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH37725A3 publication Critical patent/TH37725A3/en
Publication of TH30235C3 publication Critical patent/TH30235C3/en

Links

Abstract

DC60 (11/01/51) การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์ สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก DC60 (11/01/51) This invention provides a useful industrial alkaline alkaline solution mixtures. Microelectronics to peel or clean the wafer substrates. Semiconductor by Removes photosensitive waste or other unwanted contaminants. This mixture generally contains (a) sufficient amounts of one or more metal ion-dehydrated bases to produce approximately 11 or more pH (b) soluble silicates and approximately 0.01 dehydrated metal ions. Percent to about 5 percent by weight (Expressed as a percentage of SiO2) (c) may contain chelates. One or more from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight (d) may contain a water soluble co-organic solvent from approximately 0.01 percent to approximately 80 percent by weight (e) may contain an increase in the removal of titanium residue from approximately 1 percent to approximately 50. The percentage by weight and (f) may contain water-soluble surfactants from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight. The invention provides a useful industrial alkaline alkaline-based mixture. Microelectronics to peel or clean the semiconductor wafer substrate by Removes photosensitive waste or other unwanted contaminants. This mixture generally contains (a) sufficient amounts of one or more metal ion-dehydrated bases to produce approximately 11 or more pH (b) soluble silicates and approximately 0.01 dehydrated metal ions. Percent to about 5 percent by weight (Expressed as a percentage of SiO2) (c) may contain chelates. One or more from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight (d) may contain a water soluble co-organic solvent from approximately 0.01 percent to approximately 80 percent by weight (e) may contain an increase in the removal of titanium residue from approximately 1 percent to approximately 50. Percent by weight and (f) may contain water-soluble surfactants from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight.

Claims (8)

1. สารผสมสำหรับการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นแผงวงจรรวมซึ่ง ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอมีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งมีเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะในปริมาณ เพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอชจากประมาณ 11 ถึงประมาณ 13 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ และ ปราศจากไอออนของโลหะคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ดังกล่าว เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และสารประกอบ โพลีไฮดรอกซี 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมคือจากประมาณจาก 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออไรด์ 1 1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 1 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำ ได้คือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์และเอมีนอินทรีย์ 1 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเอมีนอินทรีย์ 1 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์,เมทิลไตรเอทานอล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 1 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกตและควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต 1 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะนั้นคือ เททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต 1 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์จาก ประมาณ 0.1-2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกตประมาณ 0.01-1เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งยังมี ทรานส์-(1,2-ไซโครเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติกแอซิค จากประมาณ 0.01-1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 0. สารผสมทางเคมีซึ่งเกิดจากการผสม (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในตัวซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\' -เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอลีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนติโล)-เททระอะซิติก แอซิด 2 1. สารผสมสำหรับกวาดหรือทำความสะอาดสับสเตรตในวงจรกันซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) สารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ 2 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมดังกล่าวคือจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการจำกัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออโรด์ 2 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่ง หรือมากกว่าจะมีอยู่ในปริมาณที่เพียงพอที่จะให้ pH ของสารผสมจากประมาณ 11 ถึง ประมาณ 13 2 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และ ปราศจากไอออนคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม 2 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 2 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตคือกรดอะมิโนคาร์บอกซิลิก 2 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติด แอซิด, 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'- เททระอะซิติก แอซิด,เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอมีนเททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด 3 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า 3 1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 3 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ ดังกล่าวเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และ วารประกอบโพลีไฮดรอกซี 3 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือ มากกว่า 3 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 33 ในที่ซึ่งสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้คือสารลดแรง ตึงผิวนอนไอออนิก เอธอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออล 3 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซค์และเอมีนอินทรีย์ 3 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 35 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และ เอมีนอินทรีย์ 3 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, เมทิลไตรเอทานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์ 3 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกต และควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต 3 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะคือเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต 4 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์จาก ประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 3 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักเทียบจากน้ำหนักของสารผสม 41. Mixture for stripping or cleaning an integrated circuit substrate which Includes (a) deionized bases of one or more metals; (b) soluble and dehydrated silicate of metal ions; (c) One or more types of chelates; And (d) the water in which the chelate was chosen from a group containing (Ethylene dinitrilol) tetracetic acid, diethylene triamine pentacetic acid, triethylene tetramine heter Xaacetic acid, 1,3-diamino - 2-hydroxypropane-N, N, N \ ', N \' - tetracetic acid , Tendon, tendon, n \ ', n \' - ethylenediamine Tetra (methylene phosphonic acid) and (1,2-cyclohexylene dinitrilo) -tetraacetic acid 2. Mixture According to claim 1, in the presence of a number of metal ion-free bases It is sufficient to obtain a pH of approximately 11 to approximately 13 3. Mixture according to claim 1, where the soluble and dehydrated silicate concentrations of the metal are from approximately 0.01 percent to approximately 5. Percentage by weight (SiO2) of the mixture 4. Mixture according to claim 1 where the chelate concentration is from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight of the mixture. Holds the right to No. 1, which also has a co-soluble co-solvent type One or more 6. Mixture according to claim 5, where the concentration of the co-organic solvent Water soluble is approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by weight of the mixture. 7. Mixture according to claim 5, where the aforementioned co-soluble co-solvent soluble Choose from a group that includes 1-hydroxy alkyl-2-pyridinone, alcohols and polyhydroxy compounds 8. Mixture according to claim 1 which also contains a type of titanium residue removal additive. Or more 9. Mixture according to claim 8 where the concentration of the pulp removal additive Titanium is approximately from 1 percent to approximately 50 percent by weight of a mixture 1.0. Mixture according to claim 1, where titanium residue removal additives are selected. From the group containing hydroxylamine, hydroxylamine salts, peroxides, ozone and fluoride 1 1. Mixture according to claim 1 which also contains reducing agents. One or more soluble surfactants 1 2. Mixture according to claim 11, where the concentration of soluble surfactant This is obtained from approximately 0.01% to approximately 1% by weight of Mixture 1 3. Mixture according to claim 1 where the base is selected from the group containing hydroxides and organic amines 1 4. Substance Combined according to claim 13, where the base is chosen from a group consisting of Quaternary ammonium hydroxide, ammonium hydroxide And organic amines 1 5. Mixture according to claim 1, where the base is selected from the group containing choline, tetrabutyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonia. M hydroxide, methyl triethanol Ammonium hydroxide And methyl triethyl ammonium hydroxide 1 6. Mixture according to claim 1, where soluble and deionized silicates are Of the metal, it is selected from a group consisting of ammonium silicate and quaternary ammonium silicate 1 7. Mixture according to claim 1, where soluble and deionized silicates Of that metal is Tetramethyl Ammonium Silicate 1 8. Mixture according to claim 1 which contains tetramethyl ammonium hydroxide from approximately 0.1-2% by weight of the mixture. And tetramethyl ammonium silicate approximately 0.01-1% by weight of Mixture 1 9. Mixture according to claim 18 which also contains trans- (1,2-cyclohexylene dinitrilo) tetracetic Acid from approximately 0.01-1% by weight of mixtures 2.0. Chemical mixtures formed by mixing (a) deionized bases of one or more metals; (b) soluble and dehydrated silicate of metal ions; (c) One or more types of chelates; And (d) the water in which the chelate was chosen from a group containing (Ethylene dinitrilol) tetracetic acid, diethylene triamine pentacetic acid, triethylene tetramine heter Xaacetic acid, 1,3-diamino - 2-hydroxypropane-N, N, N \ ', N \' - tetracetic acid , Tendon, tendon, n \ ', n \' - ethylenediameter Tetra (methylene phosphonic acid) and (1,2-cyclohexylene dinotilo) - tetraacetic acid 2 1. Substance Mix for sweeping or cleaning the substrate in a circuit consisting of: (a) deionized bases of one or more strontium; (b) soluble and dehydrated silicate of metal ions; (c) One or more titanium residue removal additives; And (d) water 2 2. Mixture according to claim 21, where the concentration of sludge removal additive Such titanium is from approximately 1 percent to approximately 50 percent by weight of the mixture 2. 3. Mixture according to claim 22, where the titanium residue limiting agent is selected. From the group containing hydroxylamine, hydroxylamine salts, peroxides, ozone and fluoride 2 4. Mixture according to claim 23 where the bases are Dehydrated Or more, it exists in sufficient quantities to provide the pH of the mixture from approximately 11 to approximately 13 2 5. Mixture according to claim 23 where the soluble silicate concentration and Deionized is from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (in SiO2 form) of mix 2 6. Mixture according to claim 23, which also contains one or more chelates. Rights No. 26 where the chelate concentration is from approximately 0.01% to approximately 10% by weight of the mixture 2. 8. Mixture according to claim 27, where the chelate is an amino acid. Box 2 9. Mixture according to claim 27, where the chelate is chosen from a group containing (Ethylene dinitrilol) tetracetic acid, diethylene triamine pentacetic acid, triethylene tetramine heter Gsaacid acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N, N, N \ ', N \' - tetracetic acid , N, N, N \ ', N \' - Ethylenediaminetetra (methylene phosphonic acid) and (1,2-cyclohexic Lean dinitril) -tetraacetic acid 3 0. Mixture according to claim 23, which also contains a water soluble co-organic solvent type. One or more 3 1. Mixture according to claim 30, where the concentration of the co-organic solvent Water soluble is from approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by weight of the mixture. 3. 2. Mixture according to claim 30, where the co-soluble co-solvent soluble It was selected from the group that consisted of 1-hydroxy-alkyl-2-pyrolidinone, alcohol and polyhydroxyethyl compound 3. 3. Mixture according to claim 23, which also contains surfactants that One or more water-soluble surfactants 3. 4. Mixture according to claim 33, where water-soluble surfactants are surfactants. Non-ionic ethoxylated acetylene diol 3 5. Mixture according to claim 23, where the non-ionic metal base is chosen from. Group containing hydroxide and organic amines 3 6. Mixture according to claim 35, where the non-ionic metal base is selected. From the quaternary ammonium hydroxide, ammonium hydroxide and organic amines 3 7. Mixture according to claim 23, where the metal ion-free bases Selected From the group containing choline, tetrabutyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, methyl triethanol ammonium hydroxide. And methyl triethyl ammonium hydroxide 3. 8. Mixture according to claim 23, where soluble and deionized silicates are Of the metal selected from the group containing ammonium silicate And quaternary ammonium silicate 3 9. Mixture according to claim 23, where soluble and deionized silicate is Of the metal is tetramethyl ammonium silicate 4.0. Mixture according to claim 23, which contains tetramethyl ammonium hydroxide from approximately 0.1 percent to approximately 3 percent by weight. And tetramethyl ammonium silicate from approx. 0.01% to approx. 1% by weight by weight of Mixture 4. 1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งยังมีทรานส์(1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติก แอซิด จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ สารผสม 41. Mixture according to claim 40, which also contains trans (1,2-cyclohexylene dinitrilo), tetracetic acid, from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent. By weight of Mixture 4 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียม คือ ไฮดรอกซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ มีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 42. Mixture according to claim 34, where the titanium residue is hydroxylamine in amounts from approximately 1 percent to approximately 30 percent by weight and contains non-ionic non-ionic surfactants. Ethoxylated acetylene diol in the amount of approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture 4 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 42 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะ คือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะคือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ซิลิเกต 43. Mixture according to claim 42, where the dehydrated base of the metal is tetramethyl ammonium hydroxide, soluble and dehydrated silicate of the metal, is Tetramethyl Ammonium Silicate 4 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมคือ ไฮดรอก ซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และ สารผสมยังมีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจาก ประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักของสารผสม 44. Mixture according to claim 40, where the titanium residue is hydroxylamine in amounts from approximately 1 percent to approximately 30 percent by weight of the mixture, and the mixture also contains a strong reducing agent. Surface tension, ionic ethoxylate, acetylanic diol, in the amount of approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture 4. 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ คือ กลีเซอรอล 45. Mixture according to claim 6, where the co-soluble co-organic solvent is glycerol 4. 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 45 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 46. Mixture according to Clause 45, where the mixture also contains non-ionic ethoxylated acetylated diol surfactants, volumes from approximately 0.01% to Approximately 1 percent by weight of Mixture 4. 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งสารผสมยังมีกลีเซอรอลในรูปตัวทำละลาย อินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ในปริมาณจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดย น้ำหนักของสารผสม 47. Mixture according to claim 19 where the mixture still contains glycerol as a solvent. Water-soluble co-organics in amounts from approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by Mixture weight 4 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม8.Mixture according to claim 47, where the mixture also contains non-ionic ethoxylated acetylatediol surfactant from approximately 0.01 percent. To approximately 1 percent by weight of the mixture
TH9901001673A 1999-05-17 Alkali-containing mixtures with silicates for cleaning microelectronics, substrate TH30235C3 (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH37725A3 true TH37725A3 (en) 2000-03-20
TH30235C3 TH30235C3 (en) 2011-07-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4147320B2 (en) Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
JP6966570B2 (en) Formulation after chemical mechanical polishing and usage
EP1576072B1 (en) Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
CA2330747A1 (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US20090120457A1 (en) Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices
KR100746056B1 (en) Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
JP4522408B2 (en) Stripping and cleaning compositions for microelectronics
CN100515928C (en) Composition comprising an oxidizing and complexing compound
JP5886946B2 (en) Semi-water soluble polymer removal composition with enhanced compatibility for copper, tungsten and porous low-κ dielectrics
CN1802731A (en) Removal of post-etch residues in semiconductor processing
WO2002094462A1 (en) Method for cleaning surface of substrate
JP2008198994A (en) Cleaning agent for semiconductor substrate
KR20040041019A (en) Washing liquid for semiconductor substrate
CN102482627B (en) Detergent composition for solar battery
JP2012001719A (en) Cleaning liquid composition
US6245155B1 (en) Method for removing photoresist and plasma etch residues
US7521408B2 (en) Semiconductor cleaning solution
CN102575201B (en) Cleaning solution composition for substrate for preparation of flat panel display
JP2006505132A (en) Semiconductor surface treatment and compounds used in it
TH30235C3 (en) Alkali-containing mixtures with silicates for cleaning microelectronics, substrate
TH37725A3 (en) Alkali-containing mixtures with silicates for cleaning microelectronics, substrate
JP2001345303A (en) Method for processing surface of substrate
WO1999051796A1 (en) Method for removing photoresist and plasma etch residues
KR20060102244A (en) Semiconductor device cleaning composition
TH73870A (en) Mixture for stripping and cleaning microelectronics