TH29893A

TH29893A - Methods of manufacturing semiconductors

Info

Publication number: TH29893A
Application number: TH9701004682A
Authority: TH
Inventors: ซาคากูชิ นายคิโยฟูมิ; โยเนฮารา นายทาคาโอะ
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 1997-11-14
Publication date: 1998-09-04

Abstract

DC60 (16/03/41) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการทำให้เกิดบริเวณการแพร่ อย่างน้อยบนผิวของด้านหนึ่งของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิดการนำ, การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมถึงบริเวณการแพร่นั้น, การเตรียมวัสดุรองรับแรก โดยการทำให้เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน บนชั้น ซิลิคอน รูพรุนนั้น , การยึดติดวัสดุรองรับ แรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้าน ใน, การแยกโครงสร้างหลายชั้น ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน แต่ไม่ตามบริเวณการแพร่ และการแยก ชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบนวัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการทำให้เกิดบริเวณการแพร่อย่างน้อยบนผิวของด้านหนึ่ง ของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิด การนำ, การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมถึง บริเวณการแพร่นั้น, การเตรียมวัสดุรองรับแรกโดยการทำให้ เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน บนชั้น ซิลิคอน รู พรุนนั้น , การยึดติดวัสดุรองรับแรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็น รูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกโครงสร้างหลายชั้น ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน แต่ไม่ตามบริเวณการแพร่ และการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบบนวัสดุรองรับที่สองที่แยก แล้วนั้น DC60 (16/03/41) Method of manufacturing semiconductors. That includes the process of causing the diffusion area At least on the surface of one side of the silicon backing by a controlled diffusion type conductivity, inducing a porous silicon layer in the region including the diffusion area, the preparation of the first support. By inducing a non-porous semiconductor layer on that porous silicon layer, bonding of the first and second supports. To produce a multi-layer structure with a non-porous semiconductor layer inside, a multi-layer structure separation based on the porous silicon layer but not by the diffusion area, and the separation of the remaining pore silicon layer on the second support. That separated Methods of manufacturing semiconductors That consists of the process of causing the diffusion area at least on the surface of one side. Of silicon support material by controlled diffusion type conductivity, making porous silicon layer in areas including The diffusion area, first preparation of support material by making A non-porous semiconductor layer is formed on that porous silicon layer, the first substrate adhesion. And the second support material To produce multilayer structures with non-semiconductor layers Inner porosity, multilayer separation according to the pore silicon layer, but not by the diffusion area. And the separation of the porous silicon layer on the split second support

Claims

1.Methods of manufacturing semiconductors Characteristic that consists of a process of: causing diffusion areas at least on the surface of one side. Of silicon support material by diffusion elements can be controlled, control type; Creating a porous silicon layer in the area including the Spread that already mentioned; Preparation of the first support by inducing a semiconductor layer. Non-porous on the previously mentioned porous silicon layer; Adhesion of the already mentioned guest support material And a second support material to produce a multi-layer structure with a tag substance layer: