SU920839A1 - Запоминающий модуль - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранени  и переработки дискретной информации, физическими носител ми которой  вл ютс  цилиндрические магнитные домены (ЦМД).

Известен запоминающий модуль, который содержит магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены N адресных и п разр дных проводников, Nxn динамических ловушек ЦМД и п разр дных компрессоров, причем кажда  динамическа  ловушка через управл емые переключатели соединена с одним адресным и одним разр дным компрессорами 1.

Недостат1{ом данного устройства  вл етс  большое количество адресных проводников (равное количеству слов, хранимых в накопителе ), что затрудн ет его техническую реализацию.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением  вл етс  запоминайщий модуль, который содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположен дешифратор, выходы которого подключены к N адресным компрессорам , динамические ловушки, кажда  из

которых подключена к одному из N адресных и одному из п разр дных компрессоров через переключатели и дополнительные компрессоры , установленные в разрывах цепей св зи разр дных компрессоров и разр дных

5 аннигил торов и содержащие в промежуточных позици х последовательно соединенные между собой магниторезистивные датчики 2.

Основным недостатком этого устройства

Q  вл етс  ограниченна  область его применени . Данное обсто тельство обусловлено тем, что оно примерно в п ть раз уступает по плотности записи информации доменным ЗУ с последовательно-параллельной выборкой вследствие наличи  магнитных адресных

15 и разр дных цепей поиска и считывани  информации , выполненных ввиде компрессоров . Далее, по причине ограниченной длины адресных и разр дных компрессов (менее 10 ступеней) ограничена и обща  емкость

Claims (2)

1. 2Q модул . С учетом потерь площади пленки на организацию дешифраторов- обща  емкость модул  составит величину пор дка 10 бит. Кроме того, следует учесть и тот факт, что магнитоодноосные пленки-носители ЦМД (как и вообще промышленно производимые кристаллы) выпускаютс  со стандартизированными линейными размерами, вне зависимости от того, какой тип доступа к информации (последовательно-параллельный или произвольный) будет в создаваемом ЗУ реализован. На магнитоодноосной пленке такого размера в насто щее врем  при реализации последователььо-параллельного доступа может быть размещено пор дка бит информации. При этом вс  поверхность пленки зан та каналами продвижени  ЦМД, а при реализации произвольного доступа (как было указано) вследствие ограничени  на общую емкость модул  на пленке может быть размещено пор дка 10 бит информации , причем в этом случае не более 50% пленки будет зан то каналами продвижени  ЦМД (сюда же входит и дещифратор). Следовательно, результирующее значение плотности записи информации в м.одуле с произвольным доступом почти в дес ть разменьще , чем в модуле ЗУ, с последовательно-параллельной выборкой информации. Следствием такого уменьщени  плотности записи информации  витс  увеличение физического объема ЗУ, собранного из таких модулей, в 10- 100 раз и не менее, чем дес тикратное увеличение стоимости ЗУ по сравнению с ЗУ с послёдовательно-параллельной выборкой информации . Таким образом, доменные ЗУ,, реализованные на основе известных модулей , могут потер ть преимущества, присущие доменным ЗУ вообще (высока  плотность записи информации, малые габариты, .низка  удельна  стоимость и т.д.), по отнощению к ЗУ, создаваемым на основе других типов элементной базы, использующих физические  влени  в твердом теле, в частности, по отнощению к по упроводниковым ЗУ, и следовательно , модули не могут быть использованы дл  построени  внещних накопителей емкостью 10 - 10 бит информации, где применение доменной технологии дает наибольщий эффект. В результате область применени  известнь1х модулей ЗУ ограничиваетс  буферными накопител ми дискретной информации и накопител ми терминальных устройств вычислительных систем, где требуема  емкость обычно лежит в диапазоне 10 10 бит. Цель изобретени  - расщирение области применени  запоминающего модул  на ЦМД. Поставленна  цель достигаетс  тем, что запоминающий модуль, содержащий магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены дещифратор, выходы которого подключены к адресным компрессорам и,МД, динамические ловущки ЦМД, кажда  из которых подключена к одному из адресных и одному из разр дных компрессоров ЦМД через переключатели ЦМД, дополнительные компрессоры ЦМД, соединенные с разр дными компрессорами и разр дньши аннигил торами и магнитосв занные с последова-тельно соединенными между собой магщторезисторными датчиками, содержит дополнительно 2N-f-l (где N - число запоминающих слов) управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов, регистр сдвига, управл емый генератор и два аннигил тора ЦМД, N кольцевых регистров сдвига ЦМД, N дополнительных динамических ловущек ЦМД и N управл емых репликаторов ЦМД, причем каждый из N кольцевых регистров сдвига через последовательно соединенные управл емый переключатель ЦМД дополнительную динамическую ловушку и управл емый репликатор ЦМД подключен к соответствующему входу дещифратора, а генератор ЦМД через управл емый переключатель подключен к второму аннигил тору ЦМД и к входу регистра сдвига, который последовательно соединен с первым аннигил тором ЦМД и через N управл емых переключателей ЦМД подключен к N кольцевым регистрам сдвига ЦМД. На фиг. 1 изображена принцициальна  схема запоминающего модул ; на фиг. 2 показана конструкци  объединенных динамической ловущки и репликатора ЦМД. Предлагаемый запоминающий модуль содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены первый аннигил тор 1 ЦМД, переключате/1и 2 ЦМД, кольцевые регистры 3 сдвига ЦМД, динамические ловущки 4 ЦМД, репликаторы 5 ЦМД, объединенные динамическа  ловущка и репликатор 6 ЦМД, дещифратор 7, накопитель 8 с произвольной выборкой информации, гег нератор 9 ЦМД, регистр 10 сдвига ЦМД, щины 11 и 12 управлени  переключател ми ЦМД, щина 13 управлени  репликаторами ЦМД, щины 14 управлени  дещифратором , разр дны е щины 15 накопител , управл емый переключатель 16 ЦМД и второй аннигил тор 17 ЦМД. Предлагаемый запоминающий модуль функционирует следующим образом. Считывание информации из модул  производитс  только через накопитель 8, поэтому ничем не отличаетс  от процесса считывани  в известном устройстве за исключением того, что вместо генераторов путем подачи тока в щину 13 возбуждаютс  репликаторы 5. Процесс репликации в данном случае аналогичен процессу генерации ЦМД в известном устройстве, поскольку в дина .мических ловущках 4 всегда наход тс  ЦМД, введенные в эти ловущки перед подготовкой устройства к работе. Репликатор образован ферромагнитными аппликаци ми 18 и 19 динамической ловущки (см. фиг. 2), между которыми пропущена токова  щина 13. Репликаци  производитс  путем подачи тока в щину 13, когда вектор Н магнитного пол  управлени  продвижением ЦМД совпадает с направлением Е стрелки S и, соответственно, ЦМД выт гиваетс , превраща сь в полосовой домен. кра  которого располагаютс  под ферромагнитными аппликаци ми 18 и 19. Запись информации в модуль может быть произведена как непосредственно в накопитель 8, так и в кольцевые регистры 3, из которых информаци  впоследствии быть переведена в накопитель 8 дл  дальнейшего ее считывани . Процессы записи информации непосредственно в накопитель 8 и перевода информации в «акопитель 8 из кольцевых регистров 3 полностью аналогичны процессу записи информации в известном устройстве с той лишь разницей, что при записи информации непосредственно в Н9копитель.8 вместо генераторов ,-как это имело место в известном устройстве , возбуждаютс  путем подачи тока в шину 13 репликаторы 5 ЦМД, а при переводе информации из кольцевых регистров 3 в накопитель 8 в процессе подачи тока в шину 12 срабатывают переключатели 2, ток в шину 13 в этом случае не подаетс . Запись информации в кольцевые регистры 3 осушествл етс  путем ввода ЦМД, поступивших из генератора 9, через управл емый переключатель 16 в регистр 10, откуда они через переключатели 2 ЦМД ввод тс  непосредственно в регистры 3. Конструкци  ключей 16 и 2 принципиального значени  не имеет и поэтому в насто щем описании- не представл етс . Дл  описани  процесса записи информации в кольцевые регистрь 3 важно указать только фазу подачи тока в разр дную шину 15,  вл ющуюс  одновременно шиной управлени  переключателем 16. Из фиг. 2 видно, чтд при записи информации в регистры 3 необходимо возбудить (подать ток) шину 13, в результате чего на выходе репликаторов 5 и генератора 9 по в тс  ЦМД. Если шины 14 и шины 15 не возбуждены, то ЦМД из репликаторов 5 проход т через-адресные компрессоры в накопитель 8 и попадают в аннигил торы, установленные на выходе адресных компрессоров . То же самое происходит и с ЦМД, который по вилс  на выходе генератора 9. Этот ЦМД, пройд  через переключатель 16, попадет в аннигил тор 17. Если же соответствующа  разр дна  шина 15 возбуждена, то ЦМД, поступивший с выхода генератора 9, мен ет свое направление и переходит в регистр (канал продвижени ) 10. Таким образом, в пределах одного такта работы устройства процесс записи, информации в регистры 3 не пересекаетс  с процессом записи информации в запоминающие  чейки накопител  8, поскольку последний осуществл етс  при возбуждении шины 15 в предыдущей четверти периода оборота пол  управлени , т.е. когда вектор Ну поворачиваетс  из положени  «В в положение «С. Предлагаема  конструкци  запоминающего модул  выгодно отличаетс  от извест-, ной, так как позвол ет создать доменные ЗУ с плотностью записи информации, практически равной плотности информации в ЗУ с последовательной выборкой информации, и временем выборки, практически равным времени выборки из ЗУ с произвольным доступом . Таким образом; предложенные модули в отличие от известных могут быть использованы не только дл  построени  буферных накопителей информации и накопителей терминальных устройств, но и дл  построени  внешних накопителей информации цифровых вычислительных систем. Кроме того, применение предлагаемого запоминающего модул  позвол ет снизить стоимость быстродействующих доменных ЗУ, поскольку практически при том же среднем значении времени выборки информации, что и в известном устройстве плотность записи информации в предлагаемом модуле в 5-10 раз выше по сравнению, с известными устройствами. Формула изобретени  Запоминающий модуль, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены дешифратор, выходы которого подключены к адресным компрессорам цилиндрических магнитных доменов, динамические ловушки цилиндрических магнитных доменов , кажда  из которых подключена к одному из адресных и одному из разр дных компрессоров цилиндрических магнитных доменов через переключатели цилиндрических магнитных доменов, дополнительные компрессоры цилиндрических магнитных доменов, соединенные с разр дными компрессорами и разр дными аннигил торами и магнитосБ занные с последовательно соединенными между собой магниторезисторными датчиками, отличающийс  тем, что, с целью расширени  области применени  устройства, оно содержит дополнительно 2N+1 (где N - число запоминаемых слов) управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов, регистр сдвига, управл емь1Й генератор и два аннигил тора цилиндрических магнитных доменов, N кольцевых регистров сдвига цилиндрических магнитных доменов, N дополнительных динамических ловушек цилиндрических магнитных доменов и N управл емых репликаторов цилиндрических магнитных доменов, причем каждый из N кольцевых регистров сдвига через последовательно соединенные управл емый переключатель цилиндрических магнитных доменов, дополнительную динамическую ловушку и управл емый репликатор цилиндрических магнитных доменов подключен к соответствующему входу дешифратора, а генератор цилиндрических магнитных доменов через управл емый переключательподключен к второму аннигил тору цилиндрических магнитных доменов и к входу регистра сдвига, который последовательно соединен с первым аннигил тором цилиндрических магнитных доменов .и через N управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов подключен к N кольцевым регистрам сдвига цилиндрических магнитных доменов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2476359/18-24, кл. G 11 С 11/14, 1977.
2. 2.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2636403/18-24, кл. G 11 С 11/14, 1978 (прототип). ,