SU899464A1 - Способ получени дисульфида кремни - Google Patents
Способ получени дисульфида кремни Download PDFInfo
- Publication number
- SU899464A1 SU899464A1 SU802927835A SU2927835A SU899464A1 SU 899464 A1 SU899464 A1 SU 899464A1 SU 802927835 A SU802927835 A SU 802927835A SU 2927835 A SU2927835 A SU 2927835A SU 899464 A1 SU899464 A1 SU 899464A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- sulfur
- ampoule
- product
- disulfide
- Prior art date
Links
- KHDSWONFYIAAPE-UHFFFAOYSA-N silicon sulfide Chemical compound S=[Si]=S KHDSWONFYIAAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 29
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- DWFFKGPZNGKUPH-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilicon Chemical compound S=[Si] DWFFKGPZNGKUPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000532370 Atla Species 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020343 SiS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- -1 wt.%: 1-1 (and 5 Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИСУЛЬФИДА КРЕМНИЯ
1
Изобретение относитс к препаративной неорганической химии и касаетс способов получени дисульфида кремни , который находит применение в качесгве вещества-источника летучего соединени кремни и как исходное вещество дл синтеза кремний-органических соединений .
Известен синтез дисульфида кремни из злементов в эвакуированной ампуле, разработанный Малатестой, согласно которому кремний и сера смешиваетс в порошкообразном состо5шин с небольшим количеством BaOj (в качестве катализатора). Синтез ведут при 750 С с последующей очисткой продукта вакуумной суб лимапией, выход 75% 11.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату вл етс способ Альвареца-Тостадо и Харлоу, согласно которому 1 моль кремни перетираетс в ступке с 2;5 моль серы и смешиваетс со стекл нной ватой из пирекса. Синтез ведут в звакуированной ампуле при 900-lOOCfC.
После окончани реакш1И отгон етс избыток серы, а получившийс продукт -- спек
непрореагировавшего кремни , сгекловаты и дисульфида кремни подвергают многократной вакуумной сублимации в другой ампуле. Выход чистого продукта 80% 12.
Недостатками способа вл ютс :
1. Низкий выход готового продукта, что объ сн етс невозможностью полной гомогенизашта исходных веществ со стекл нной ватой, зто приводит к образованию спека,, который представл ет из себ смесь серы, кремни , дисульфида кремни и стекловагы.Кроме того,все дальнейшие манипул ш1и по очистке св заны с размельчением и перегрузкой продукта реакции в специальные ампулы дл вакуумной сублимации, что приводит к дополнительным потер м дисульфида кремни в результате его гидролиза влагой воздуха.
2. Низка чистота продукта, что объ сн етс наличием в реакгшоиной смеси стекловаты. Кро ме того, при вакуумной сублимагцш происко иг взаимодействие останшггос П1прпреа1ированщего кремни г им мч.фидом чо реакции Si + SiS. - 2SiST 2SiS „ обI 13Т15luiТВ разование моносульфида кремни требует именно многократной вакуумной сублимации тотового продукта. 3. Взрывоопасность данного синтеза, что объ сн етс невозможностью полностью гомоге низировать исходную реакционную смесь. При температуре синтеза, а именно 900-1000 С, давление насыщенного пара серы значительно превышает 1 атм. а реакци кремни с серой происходит с вьщелением большого количества тепла, т. е. из-за неравномерного разогрева реакционной смеси возможен взрыв. Цель изобретени - повышение выхода готового продукта, повышение чистоты продукта и безопасное ведение процесса. Поставленна цель достигаетс способом получени дисульфида кремни , включающим взаимодействие кремни и избытка серы при нагревании в вакуумированной ампуле, сублимацию полученного продукта с последующей отгонкой избытка серы, причем кремний берут в виде пластин и взаимодействие ведут в двухсекционной вакуумированной ампуле в интервале температур в секции, содержащей серу 250-400 С, и в секции, содержащей кремний 900-1000 С, а отгонку избытка серы ведут в той же ампуле (промежуточна зона - осаждение - 550-700С). Выбран метод ампульного синтеза в вакуум с использованием двух-секционной ампулы из кварцевого стекла в качестве реакционного сосуда , где кремний в виде пластин помещаетс с одного кра одной секции, а сера (элементарна в специальной дополнительной ампу ле в другую секцию реакщ1онного сосуда. При зтом весь реакщюнный сосуд вакуумированный и отпа нный помещаетс в печь с градиентом температуры таким образом, что в процессе синтеза реализуютс три зоны: зона - 250-400 С серы элементарной, 9001000 С - зона реакции и зона осаждени полу чающегос продукта - 550-700 С. Пары серы, диффундиру из одной зоны в другую, реагируют с поверхностью кремни с образованием дисульфида, который сублимиру осаждаетс в промежутоштой части реакционног сосуда - в зоне осаждени . Поскольку поверхность кремни мала, так как вз т не порошок а пластины кремни , то реакци идет медленно без сильного разогрева, а общее давление в системе определ етс давлением насыщенного пара серы,г.е. самой низкой температурой реакционного сосуда - 250-400 С что дает несколько дес тков мм рт. ст. и вл етс взрывобезопасным . Синтез и одновременна рафинизаци дисул фида кремни происходит согласно способу в УСЛОВ11ЯХ диффузионного переноса газообразых компонентов, ноэгому в ампуле целесообразно иметь давление ниже атл (т. кин. серы 444,6 С), выбранные температуры дл зоны еры отвечают условию: 250-400 С. При температуре ниже 250 С давление пара серы и скорость ее диффузии таковы, что в зоне кремни (900-1000°С) ее концентрации бует недостаточно и пойдет процесс с образованием летучего продукта моносульфида кремни , который в зоне осаждени диспропорционирует на кремний и дисульфид кремни и загр зн ет получающийс продукт. Температура в зоне кремни 900- выбрана потому, что взаимодействие кремни с серой идет бурно с большим выделением тепла, поэтому при температуре более 1000 С возможен сильный локальный разогрев поверхности кремни , который приведет к оплавлению продукта реакции (температура плавлени дисульфида кремни - 1090 С), а по вление жидкой фазы на поверхности кремни приведет к закрьггию его поверхности коркой расплава, а значит затруднит доставку серы к этой поверхности, что приведет к сильному замедлению процесса. Кроме того, расплавленный дисульфид кремни взаимодействует с кварцем с образованием нелетучей массы, что приводит к снижению выхода чистого вещества. После полной сульфидлзации кремни и сублимации продукта в зону осаждени (815 ч) реакционный сосуд вынимаетс из печи и избыток серы отгон етс в секцию, где помещаетс ампула с серой. При этом секци реакционного сосуда с дисульфидом кремни прогреваетс в печи до ЗОС) С. а остальна часть находитс при комнатной температуре или охлаждаетс жвдким азотом. После отгонки серы реакционный сосуд перемешиваетс в месте перет жки. Таким образом, полученный рафинированный дисульфид кремни остаетс в одной ампуле, а остаток серы - в другой . Ампулу с полученным веществом помешают в сухой бокс, вскрывают и отбирают пробу вещества на химический и рентгенофазовый анализ. Избыток серы должен составл ть 5-10%. Предлагаемый температурный интервал позвол ет вести синтез в м гких усилови х, а при задании средних значений температур, а именно: в зоне серы 325-75 С, в зоне кремни 950-50 С, вести процесс без жесткости термостатировани . Пример 1. В двух-секционный кварцевый реакционный сосуд в разные его секции помещают 2 г кремни КЭФ - 0,5 в виде пластин и 4,3 г серы ОСЧ в отдельной, специально подготовленной ампуле, эвакуируют, отпаивают и нагревают в печи с градиентом темперагуры так. что сера находитс при 25Q°C, кремний - 900 С, а получающийс продукт дисульфид кремни сублимирует в промежуто ную зону осаждени при 550-700 С . После окончани процесса, через 8 ч в секщш, где помещалась сера, отгон етс ее избыток и реа ционный сосуд перепаиваетс в месте перет жк Выход по кремнию приблизительно 100%. Полученное вещество идентифицируют химическим , рентгенофазовым и спектральным анализами, откуда следует, что состав получен ного продукта отвечает формуле дисульфида кремни Si82 найдено Si 30,6 + 0,3 вес.% (теоретически 30,5) , S 69,5 + 0,2 вес.% (теоретически 69,5), а структура отвечает ром ческой модификации SiS2, содержание микропримесей , вес.%: 1-1( и 5 , Са; остальные менее I-IOT, Пример 2. В двух-секционный кварц вый реакционный сосуд в разные его секции помещают 2,5 г кремни КЭФ - 0,5 в виде пластин и 5,5 г серы ОСЧ в отдельной, специально подготовленной ампуле гак, что сера находитс при 400°С., кремний - 1000 С, а получающийс продукт - дисульфид кремни сублимирует в промежуточную зону осаждени при 550 700С. После окончани процесса, через 15 ч в секцию, где помещалась сера отгон етс ее из быток и реакщюнный сосуд перепаиваетс в месте перет жки. Выход по кремнию приблизительно 100%. Полученное вещество идентифицируют хими ческим, рентгено-фазовым и спектральным анализами, откуда следует, что состав полученного продукта отвечает формуле дисульфида кремни SiS найдено Si 30,5+0,2 вес.% ( теоретически 30,5)., S 69,6+0,3 пес.% (теоретически 69,5), а структура отвечает ромбической модификации , содержание микропримесей , вес.%: 510 Мд и Л1; 2 , Са; остальное менее . Таким образом, предлагаемый способ позвол ет повысиггь выход готового продукта и довести его до 100%, повысить чистоту дисульфвда кремни : благодар использованию исходных продуктов квалификации ОСЧ и отсутствию побочных продуктов в реакции, готовый продукт содержит М1Шимальное количество примесей . Весь сш1тез проходит во взрывобезопасных услови х.
Claims (2)
- Формула изобретени Способе получени дисульфида кремни , включающий взаимодействие кремни и избытка серы при нагревании в вакуумировашюй ампуле, сублимащио полученного продукта с последующей отгонкой избытка, серы, отличающийс тем, что, с целью повыщенп выхода го.ового продукта и повыщени его чистоты, а также повышени безопасности процесса, кремний берут в виде пластин и взаимодействие ведут в двухсекционной вакуумированной ампуле в интервале температур в секции, содержащей серу 250-400 С, и в секции, содержащей кремний 900-ЮОО С, а отгонку избытка серы ведут в той же ампуле. Источники информащ1и, прин тые во внимание при экспертизе 1.Z. Malatesta, bazzetta chimica I taliana. Chemical Abstracts, 1949, 43, 8, p. 2884.
- 2.Патент США № 2589653, кл. 23-206, 1952.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802927835A SU899464A1 (ru) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Способ получени дисульфида кремни |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802927835A SU899464A1 (ru) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Способ получени дисульфида кремни |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU899464A1 true SU899464A1 (ru) | 1982-01-23 |
Family
ID=20897009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802927835A SU899464A1 (ru) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Способ получени дисульфида кремни |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU899464A1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0802161A1 (en) * | 1996-04-16 | 1997-10-22 | Furukawa Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon sulfide |
EP0994071A3 (en) * | 1996-04-16 | 2000-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithium ion-conductive solid electrolyte and method for producing the same |
US7155781B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Strawberry Corporation | Electronic instrument |
US20210292173A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method of making high quality silicon sulfide |
-
1980
- 1980-04-11 SU SU802927835A patent/SU899464A1/ru active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0802161A1 (en) * | 1996-04-16 | 1997-10-22 | Furukawa Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon sulfide |
US5843391A (en) * | 1996-04-16 | 1998-12-01 | Furukawa Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon sulfide |
EP0994071A3 (en) * | 1996-04-16 | 2000-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithium ion-conductive solid electrolyte and method for producing the same |
US7155781B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Strawberry Corporation | Electronic instrument |
US20210292173A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method of making high quality silicon sulfide |
US12071352B2 (en) * | 2020-03-19 | 2024-08-27 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method of making high quality silicon sulfide |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100647445B1 (ko) | 고순도 유기규소디설판의 제조방법 | |
KR100552130B1 (ko) | 불화칼슘결정의제조방법및원료의처리방법 | |
US3761500A (en) | Liquid double alkoxides | |
Ward et al. | The preparation and properties of bis-disilanyl sulphide and tris-disilanylamine | |
SU899464A1 (ru) | Способ получени дисульфида кремни | |
Krebs et al. | Ortho-thioborates and ortho-selenoborates: synthesis, structure and properties of Tl3BS3 and Tl3BSe3 | |
JPS58156520A (ja) | 高純度ケイ素の半連続製造方法 | |
Seyferth et al. | 1, 1, 3, 3-tetramethyl-2, 2, 4, 4-tetrakis (trimethylsilyl)-1, 3-disilacyclobutane and its 1, 3-Digerma and 1, 3-Distanna Analogs: Unexpected Products from the Reaction of Bis (trimethylsilyl) bromomethyllithium with Dimethyldihalo Derivatives of Silicon, Germanium and Tin | |
Kaczmarczyk et al. | The preparation and some properties of a new pentasilicon dodecachloride, Si5Cl12 | |
US3350166A (en) | Synthesis of aluminum borate whiskers | |
US4767607A (en) | Method for production of high purity aluminum nitrides | |
MacDiarmid | Pseudo-halogen derivatives of monosilane | |
US2824787A (en) | Manufacture of boron nitride | |
Evers et al. | The interaction of boron halides with silyl cyanides | |
US3803082A (en) | Stabilization of light metal hydride(u) | |
US3933990A (en) | Synthesization method of ternary chalcogenides | |
RU2021218C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА GeS2 | |
ITMI992423A1 (it) | Procedimento di sintesi diretta di fosfuro di indio | |
US3911059A (en) | Preparation of alkylphosphonothiolates | |
US3321271A (en) | Synthesis of aluminum silicate whiskers | |
SU1520003A1 (ru) | Способ очистки серы от органических примесей | |
RU2089492C1 (ru) | Способ получения гипотиофосфата олова sn*002p*002s*006 или ортотиофосфата индия inps*004 | |
RU2189405C1 (ru) | Способ получения монокристаллов соединения liins2 | |
Krämer et al. | Synthesis and crystal growth of new antimony (III)-oxide-iodides | |
SU1079610A1 (ru) | Способ получени дисульфида титана |