[go: up one dir, main page]

SU899464A1 - Способ получени дисульфида кремни - Google Patents

Способ получени дисульфида кремни Download PDF

Info

Publication number
SU899464A1
SU899464A1 SU802927835A SU2927835A SU899464A1 SU 899464 A1 SU899464 A1 SU 899464A1 SU 802927835 A SU802927835 A SU 802927835A SU 2927835 A SU2927835 A SU 2927835A SU 899464 A1 SU899464 A1 SU 899464A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
silicon
sulfur
ampoule
product
disulfide
Prior art date
Application number
SU802927835A
Other languages
English (en)
Inventor
Леонид Эрнестович Горш
Ната Ивановна Мацкевич
Original Assignee
Институт Неорганической Химии Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Неорганической Химии Со Ан Ссср filed Critical Институт Неорганической Химии Со Ан Ссср
Priority to SU802927835A priority Critical patent/SU899464A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU899464A1 publication Critical patent/SU899464A1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИСУЛЬФИДА КРЕМНИЯ
1
Изобретение относитс  к препаративной неорганической химии и касаетс  способов получени  дисульфида кремни , который находит применение в качесгве вещества-источника летучего соединени  кремни  и как исходное вещество дл  синтеза кремний-органических соединений .
Известен синтез дисульфида кремни  из злементов в эвакуированной ампуле, разработанный Малатестой, согласно которому кремний и сера смешиваетс  в порошкообразном состо5шин с небольшим количеством BaOj (в качестве катализатора). Синтез ведут при 750 С с последующей очисткой продукта вакуумной суб лимапией, выход 75% 11.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  способ Альвареца-Тостадо и Харлоу, согласно которому 1 моль кремни  перетираетс  в ступке с 2;5 моль серы и смешиваетс  со стекл нной ватой из пирекса. Синтез ведут в звакуированной ампуле при 900-lOOCfC.
После окончани  реакш1И отгон етс  избыток серы, а получившийс  продукт -- спек
непрореагировавшего кремни , сгекловаты и дисульфида кремни  подвергают многократной вакуумной сублимации в другой ампуле. Выход чистого продукта 80% 12.
Недостатками способа  вл ютс :
1. Низкий выход готового продукта, что объ сн етс  невозможностью полной гомогенизашта исходных веществ со стекл нной ватой, зто приводит к образованию спека,, который представл ет из себ  смесь серы, кремни , дисульфида кремни  и стекловагы.Кроме того,все дальнейшие манипул ш1и по очистке св заны с размельчением и перегрузкой продукта реакции в специальные ампулы дл  вакуумной сублимации, что приводит к дополнительным потер м дисульфида кремни  в результате его гидролиза влагой воздуха.
2. Низка  чистота продукта, что объ сн етс  наличием в реакгшоиной смеси стекловаты. Кро ме того, при вакуумной сублимагцш происко иг взаимодействие останшггос  П1прпреа1ированщего кремни  г им мч.фидом чо реакции Si + SiS. - 2SiST 2SiS „ обI 13Т15luiТВ разование моносульфида кремни  требует именно многократной вакуумной сублимации тотового продукта. 3. Взрывоопасность данного синтеза, что объ сн етс  невозможностью полностью гомоге низировать исходную реакционную смесь. При температуре синтеза, а именно 900-1000 С, давление насыщенного пара серы значительно превышает 1 атм. а реакци  кремни  с серой происходит с вьщелением большого количества тепла, т. е. из-за неравномерного разогрева реакционной смеси возможен взрыв. Цель изобретени  - повышение выхода готового продукта, повышение чистоты продукта и безопасное ведение процесса. Поставленна  цель достигаетс  способом получени  дисульфида кремни , включающим взаимодействие кремни  и избытка серы при нагревании в вакуумированной ампуле, сублимацию полученного продукта с последующей отгонкой избытка серы, причем кремний берут в виде пластин и взаимодействие ведут в двухсекционной вакуумированной ампуле в интервале температур в секции, содержащей серу 250-400 С, и в секции, содержащей кремний 900-1000 С, а отгонку избытка серы ведут в той же ампуле (промежуточна  зона - осаждение - 550-700С). Выбран метод ампульного синтеза в вакуум с использованием двух-секционной ампулы из кварцевого стекла в качестве реакционного сосуда , где кремний в виде пластин помещаетс  с одного кра  одной секции, а сера (элементарна  в специальной дополнительной ампу ле в другую секцию реакщ1онного сосуда. При зтом весь реакщюнный сосуд вакуумированный и отпа нный помещаетс  в печь с градиентом температуры таким образом, что в процессе синтеза реализуютс  три зоны: зона - 250-400 С серы элементарной, 9001000 С - зона реакции и зона осаждени  полу чающегос  продукта - 550-700 С. Пары серы, диффундиру  из одной зоны в другую, реагируют с поверхностью кремни  с образованием дисульфида, который сублимиру  осаждаетс  в промежутоштой части реакционног сосуда - в зоне осаждени . Поскольку поверхность кремни  мала, так как вз т не порошок а пластины кремни , то реакци  идет медленно без сильного разогрева, а общее давление в системе определ етс  давлением насыщенного пара серы,г.е. самой низкой температурой реакционного сосуда - 250-400 С что дает несколько дес тков мм рт. ст. и  вл етс  взрывобезопасным . Синтез и одновременна  рафинизаци  дисул фида кремни  происходит согласно способу в УСЛОВ11ЯХ диффузионного переноса газообразых компонентов, ноэгому в ампуле целесообразно иметь давление ниже атл (т. кин. серы 444,6 С), выбранные температуры дл  зоны еры отвечают условию: 250-400 С. При температуре ниже 250 С давление пара серы и скорость ее диффузии таковы, что в зоне кремни  (900-1000°С) ее концентрации бует недостаточно и пойдет процесс с образованием летучего продукта моносульфида кремни , который в зоне осаждени  диспропорционирует на кремний и дисульфид кремни  и загр зн ет получающийс  продукт. Температура в зоне кремни  900- выбрана потому, что взаимодействие кремни  с серой идет бурно с большим выделением тепла, поэтому при температуре более 1000 С возможен сильный локальный разогрев поверхности кремни , который приведет к оплавлению продукта реакции (температура плавлени  дисульфида кремни  - 1090 С), а по вление жидкой фазы на поверхности кремни  приведет к закрьггию его поверхности коркой расплава, а значит затруднит доставку серы к этой поверхности, что приведет к сильному замедлению процесса. Кроме того, расплавленный дисульфид кремни  взаимодействует с кварцем с образованием нелетучей массы, что приводит к снижению выхода чистого вещества. После полной сульфидлзации кремни  и сублимации продукта в зону осаждени  (815 ч) реакционный сосуд вынимаетс  из печи и избыток серы отгон етс  в секцию, где помещаетс  ампула с серой. При этом секци  реакционного сосуда с дисульфидом кремни  прогреваетс  в печи до ЗОС) С. а остальна  часть находитс  при комнатной температуре или охлаждаетс  жвдким азотом. После отгонки серы реакционный сосуд перемешиваетс  в месте перет жки. Таким образом, полученный рафинированный дисульфид кремни  остаетс  в одной ампуле, а остаток серы - в другой . Ампулу с полученным веществом помешают в сухой бокс, вскрывают и отбирают пробу вещества на химический и рентгенофазовый анализ. Избыток серы должен составл ть 5-10%. Предлагаемый температурный интервал позвол ет вести синтез в м гких усилови х, а при задании средних значений температур, а именно: в зоне серы 325-75 С, в зоне кремни  950-50 С, вести процесс без жесткости термостатировани . Пример 1. В двух-секционный кварцевый реакционный сосуд в разные его секции помещают 2 г кремни  КЭФ - 0,5 в виде пластин и 4,3 г серы ОСЧ в отдельной, специально подготовленной ампуле, эвакуируют, отпаивают и нагревают в печи с градиентом темперагуры так. что сера находитс  при 25Q°C, кремний - 900 С, а получающийс  продукт дисульфид кремни  сублимирует в промежуто ную зону осаждени  при 550-700 С . После окончани  процесса, через 8 ч в секщш, где помещалась сера, отгон етс  ее избыток и реа ционный сосуд перепаиваетс  в месте перет жк Выход по кремнию приблизительно 100%. Полученное вещество идентифицируют химическим , рентгенофазовым и спектральным анализами, откуда следует, что состав получен ного продукта отвечает формуле дисульфида кремни  Si82 найдено Si 30,6 + 0,3 вес.% (теоретически 30,5) , S 69,5 + 0,2 вес.% (теоретически 69,5), а структура отвечает ром ческой модификации SiS2, содержание микропримесей , вес.%: 1-1( и 5 , Са; остальные менее I-IOT, Пример 2. В двух-секционный кварц вый реакционный сосуд в разные его секции помещают 2,5 г кремни  КЭФ - 0,5 в виде пластин и 5,5 г серы ОСЧ в отдельной, специально подготовленной ампуле гак, что сера находитс  при 400°С., кремний - 1000 С, а получающийс  продукт - дисульфид кремни  сублимирует в промежуточную зону осаждени  при 550 700С. После окончани  процесса, через 15 ч в секцию, где помещалась сера отгон етс  ее из быток и реакщюнный сосуд перепаиваетс  в месте перет жки. Выход по кремнию приблизительно 100%. Полученное вещество идентифицируют хими ческим, рентгено-фазовым и спектральным анализами, откуда следует, что состав полученного продукта отвечает формуле дисульфида кремни  SiS найдено Si 30,5+0,2 вес.% ( теоретически 30,5)., S 69,6+0,3 пес.% (теоретически 69,5), а структура отвечает ромбической модификации , содержание микропримесей , вес.%: 510 Мд и Л1; 2 , Са; остальное менее . Таким образом, предлагаемый способ позвол ет повысиггь выход готового продукта и довести его до 100%, повысить чистоту дисульфвда кремни : благодар  использованию исходных продуктов квалификации ОСЧ и отсутствию побочных продуктов в реакции, готовый продукт содержит М1Шимальное количество примесей . Весь сш1тез проходит во взрывобезопасных услови х.

Claims (2)

  1. Формула изобретени  Способе получени  дисульфида кремни , включающий взаимодействие кремни  и избытка серы при нагревании в вакуумировашюй ампуле, сублимащио полученного продукта с последующей отгонкой избытка, серы, отличающийс  тем, что, с целью повыщенп  выхода го.ового продукта и повыщени  его чистоты, а также повышени  безопасности процесса, кремний берут в виде пластин и взаимодействие ведут в двухсекционной вакуумированной ампуле в интервале температур в секции, содержащей серу 250-400 С, и в секции, содержащей кремний 900-ЮОО С, а отгонку избытка серы ведут в той же ампуле. Источники информащ1и, прин тые во внимание при экспертизе 1.Z. Malatesta, bazzetta chimica I taliana. Chemical Abstracts, 1949, 43, 8, p. 2884.
  2. 2.Патент США № 2589653, кл. 23-206, 1952.
SU802927835A 1980-04-11 1980-04-11 Способ получени дисульфида кремни SU899464A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802927835A SU899464A1 (ru) 1980-04-11 1980-04-11 Способ получени дисульфида кремни

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802927835A SU899464A1 (ru) 1980-04-11 1980-04-11 Способ получени дисульфида кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU899464A1 true SU899464A1 (ru) 1982-01-23

Family

ID=20897009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802927835A SU899464A1 (ru) 1980-04-11 1980-04-11 Способ получени дисульфида кремни

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU899464A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802161A1 (en) * 1996-04-16 1997-10-22 Furukawa Co., Ltd. Method of manufacturing silicon sulfide
EP0994071A3 (en) * 1996-04-16 2000-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lithium ion-conductive solid electrolyte and method for producing the same
US7155781B2 (en) 2002-12-19 2007-01-02 Kabushiki Kaisha Strawberry Corporation Electronic instrument
US20210292173A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-23 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method of making high quality silicon sulfide

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802161A1 (en) * 1996-04-16 1997-10-22 Furukawa Co., Ltd. Method of manufacturing silicon sulfide
US5843391A (en) * 1996-04-16 1998-12-01 Furukawa Co., Ltd. Method of manufacturing silicon sulfide
EP0994071A3 (en) * 1996-04-16 2000-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lithium ion-conductive solid electrolyte and method for producing the same
US7155781B2 (en) 2002-12-19 2007-01-02 Kabushiki Kaisha Strawberry Corporation Electronic instrument
US20210292173A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-23 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method of making high quality silicon sulfide
US12071352B2 (en) * 2020-03-19 2024-08-27 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method of making high quality silicon sulfide

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100647445B1 (ko) 고순도 유기규소디설판의 제조방법
KR100552130B1 (ko) 불화칼슘결정의제조방법및원료의처리방법
US3761500A (en) Liquid double alkoxides
Ward et al. The preparation and properties of bis-disilanyl sulphide and tris-disilanylamine
SU899464A1 (ru) Способ получени дисульфида кремни
Krebs et al. Ortho-thioborates and ortho-selenoborates: synthesis, structure and properties of Tl3BS3 and Tl3BSe3
JPS58156520A (ja) 高純度ケイ素の半連続製造方法
Seyferth et al. 1, 1, 3, 3-tetramethyl-2, 2, 4, 4-tetrakis (trimethylsilyl)-1, 3-disilacyclobutane and its 1, 3-Digerma and 1, 3-Distanna Analogs: Unexpected Products from the Reaction of Bis (trimethylsilyl) bromomethyllithium with Dimethyldihalo Derivatives of Silicon, Germanium and Tin
Kaczmarczyk et al. The preparation and some properties of a new pentasilicon dodecachloride, Si5Cl12
US3350166A (en) Synthesis of aluminum borate whiskers
US4767607A (en) Method for production of high purity aluminum nitrides
MacDiarmid Pseudo-halogen derivatives of monosilane
US2824787A (en) Manufacture of boron nitride
Evers et al. The interaction of boron halides with silyl cyanides
US3803082A (en) Stabilization of light metal hydride(u)
US3933990A (en) Synthesization method of ternary chalcogenides
RU2021218C1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА GeS2
ITMI992423A1 (it) Procedimento di sintesi diretta di fosfuro di indio
US3911059A (en) Preparation of alkylphosphonothiolates
US3321271A (en) Synthesis of aluminum silicate whiskers
SU1520003A1 (ru) Способ очистки серы от органических примесей
RU2089492C1 (ru) Способ получения гипотиофосфата олова sn*002p*002s*006 или ортотиофосфата индия inps*004
RU2189405C1 (ru) Способ получения монокристаллов соединения liins2
Krämer et al. Synthesis and crystal growth of new antimony (III)-oxide-iodides
SU1079610A1 (ru) Способ получени дисульфида титана