SU862236A1 - Amplifier using cigfets - Google Patents
Amplifier using cigfets Download PDFInfo
- Publication number
- SU862236A1 SU862236A1 SU792859947A SU2859947A SU862236A1 SU 862236 A1 SU862236 A1 SU 862236A1 SU 792859947 A SU792859947 A SU 792859947A SU 2859947 A SU2859947 A SU 2859947A SU 862236 A1 SU862236 A1 SU 862236A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- type
- key
- amplifier
- bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Description
II
Известно устройство дл преобразовани уровней напр жени 1, в котором к входу подключены затворы транзисторов г -типа, р-типа и исток второго транзисторап-типа. Устройство служит дл согласовани с ТТЛсхемами , однако, не выполн ет функции защелки, т. е. запоминани информации.A device for converting voltage levels 1 is known, in which g-type, p-type transistors and a second transistor type are connected to the input. The device serves to coordinate with TTL circuits, however, it does not function as a latch, i.e., store information.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс быстродействующий усилитель на КМДП-транзисторах 2, который- содержит два ключевых транзистора р-типа и два нагрузочных транзистора П-типа, соединенных по схеме триггера , два ключевых транзистора П-типа, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала , а затворы - к первой управл ющей щине, и два транзистора сброса р-типа, стоки которых соединены со стоками соответствующих ключевых р-типа транзисторов и с выходами усилител , истоки - с истоками ключевых транзисторов р-типа и с щиной питани , а затворы подключены ко второй управл ющей шине, первую и вторую разр дные шины (шины входной информации ), два согласующихп-типа транзистора, истоки которых соединены со стоками соответствующих ключевыхП-типа транзисторов,The closest in technical essence to the invention is a high-speed amplifier on CMD transistors 2, which contains two p-type key transistors and two P-type load transistors, connected according to a trigger circuit, two P-type transistors, whose sources are connected to the zero potential bus, and the gates to the first control pitch, and two p-type reset transistors, whose drains are connected to the drains of the corresponding p-type key transistors and with the amplifier outputs, the sources with the sources of the key transistors p-type and power supply, and the gates are connected to the second control bus, the first and second bit buses (input data buses), two matching-type transistors, whose sources are connected to the drains of the corresponding key-type transistors,
стоки - с истоками соответствующих нагрузочныхП-типа , транзисторов, а затворы - соответственно с первой и второй разр дными шинами.the drains are from the sources of the corresponding load-type transistors, and the gates are correspondingly with the first and second bit buses.
Недостатками этого усилител вл ютс ограниченные функциональные возможности;The disadvantages of this amplifier are limited functionality;
5 необходимость в дифференциальном входном сигнале и невозможность использовани схемы дл непосредственной стыковки с ТТЛ-схемами в режиме.защелки.5 the need for a differential input signal and the impossibility of using a circuit for direct connection with TTL circuits in latch mode.
Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей усилител за счет обеспечени функции запоминани . Поставленна цель достигаетс тем, что в усилителе на КМДП-транзисторах, содержащем два клк)чевых транзистора р-типа и два нагрузочных транзистора п-типа, единенных по схеме триггера, в котором стоки первых ключевого- и нагрузочного транзисторов подключены к пр мому выходу усилител и к затворам второго ключевого и нагрузочного транзисторов, стоки которых подключены к инверсному выходу усилител The aim of the invention is to enhance the functionality of the amplifier by providing a memory function. The goal is achieved by the fact that in an amplifier on CMDF transistors containing two p-type QC transistors and two n-type load transistors, united in a trigger circuit, in which the drains of the first key and load transistors are connected to the direct output of the amplifier and to the gate of the second key and load transistors, the drains of which are connected to the inverse output of the amplifier
20 и к затворам первых ключевого и нагрузочного Транзисторов, истоки ключевых транзисторов триггера подключены к шине питани , два согласующих транзистораа-типа.20 and to the gates of the first key and load transistors, the origins of the key transistors of the trigger are connected to the power bus, two matching transistors-type.
сток каждого из которых подключен к истоку соответствующего нагрузочного триггера, два ключевых транзистораП-типа, сток каждого из которых подключен к истоку соответствующего согласующего транзистора, а исток первого ключевого транзистора д-типа соединен с шиной нулевого потенциала , а затвор - с входной информационной шиной, два транзистора сброса р-типа, стоки которых соединены со стоками соответствующих ключевых транзисторов р-типа, истоки - с щиной питани , а затворы - с управл ющей шиной, введены дополнительные транзисторы сброса Л.-типа, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала , а каждый сток - к соответствующему истоку нагрузочных транзисторов триггера Л.-типа, затворы - к затворам согласующих транзисторов fv-типа и к затворам транзисторов сброса р-типа, исток ключевого транзистораЛ-типа подключен к шине входной информационной, а затвор - к шине питани .the drain of each of which is connected to the source of the corresponding load trigger, two key P-type transistors, the drain of each of which is connected to the source of the corresponding matching transistor, and the source of the first d-type key transistor is connected to the zero potential bus, and the gate to the input information bus, two p-type reset transistors, the drains of which are connected to the drains of the corresponding p-type key transistors, the sources with power supply, and the gates with the control bus, additional reset transistors are introduced L.-type, the sources of which are connected to the zero potential bus, and each drain - to the corresponding source of the load transistors of the L.-type trigger, gates - to the gates of matching fv-type transistors and to the gates of the p-type reset transistors The type is connected to the input data bus, and the shutter is connected to the power bus.
Схема предлагаемого быстродействую . щего усилител на КМДП-транзисторах дана на чертеже.The scheme of the proposed speed. Amplifier on CMPE transistors is given in the drawing.
Усилитель содержит два ключевых транзистора р-типа 1, 2 и два нагрузочных транзистора П-типа 3, 4, соединенных по схеме триггера, два транзистора сброса р-типа 5, 6, два ключевых транзистора Т1-типа 7, 8, два согласующих транзистора й-типа 9, 10, управл ющую шину 11, входную информационную fuHHy 12, два транзистора сброса 13, 14 л-типа, пр мой 15 и инверсный 16 выходы, шину питани 17 и шину нулевого потенциала 18.The amplifier contains two p-type key transistors 1, 2 and two P-type load transistors 3, 4 connected according to a trigger circuit, two p-type reset transistors 5, 6, two T1-type key transistors 7, 8, two matching transistors a type 9, 10, control bus 11, input information fuHHy 12, two reset transistors 13, 14 L-type, direct 15 and inverse 16 outputs, power supply bus 17 and zero potential bus 18.
Истоки транзисторов 1, 2 подключены к шине 17, стоки - к стокам транзисторов 3, 4 и выходами 15, 16. Причем с пр мым выходом 15 св заны транзисторы 1, 3, а с инверсным 16 - транзисторы 2, 4. Затворы транзисторов 1, 3 подключены к выходу 16, а затворы транзисторов 2, 4 - к выходу 15. Истоки транзисторов 5, 6 соединены с шиной 17, стоки - с выходами 15, 16, а затворы - с шиной 11. Стоки транзисторов 9, 10 подключены к истокам транзисторов 3, 4 соответственно, а истоки транзисторов 9, 10 - к стокам транзисторов 7, 8 соответственно . Исток транзистора 8 соединен с шиной 18, а затвор - с шиной 12. Истоки транзисторов 13, 14 подключены к шине 18, стоки - к стокам транзисторов 9, 10, затворы - к затворам транзисторов 9, 10, 5, 6. Исток транзистора 7 подключен к шине 12, а затвор к шине 17.The sources of the transistors 1, 2 are connected to the bus 17, the drains to the drains of the transistors 3, 4 and the outputs 15, 16. Moreover, the transistors 1, 3 are connected to the direct output 15, and the transistors 1 to the inverse 16. , 3 are connected to the output 16, and the gates of the transistors 2, 4 - to the output 15. The sources of the transistors 5, 6 are connected to the bus 17, the drains - to the outputs 15, 16, and the gates - to the bus 11. The drains of the transistors 9, 10 are connected to the sources of transistors 3, 4, respectively, and the sources of transistors 9, 10 - to the drains of transistors 7, 8, respectively. The source of the transistor 8 is connected to the bus 18, and the gate to the bus 12. The sources of the transistors 13, 14 are connected to the bus 18, the drains to the drains of the transistors 9, 10, the gates to the gates of the transistors 9, 10, 5, 6. The source of the transistor 7 connected to the bus 12, and the gate to the bus 17.
В зависимости от соотношени размеров транзисторов усилитель может работать в усилительном или ключевом режиме.Depending on the ratio of the sizes of the transistors, the amplifier can operate in an amplifier or a key mode.
В усилительном режиме, обеспечивающем высокое быстродействие, транзисторы 13, 14 выбираютс в несколько раз больше транзисторов 7 - 10. При этом усилительIn the amplifier mode, which provides high speed, the transistors 13, 14 are selected several times more than the transistors 7 - 10. In this case, the amplifier
работает следующим образом: в исходном состо нии (режим хранени в ЗУ) на управл ющей шине 11 потенциал соответствует логическому «О. В результате транзисторы 6 5 открыты и на обоих выходах схемы 15, 16 устанавливаютс уровни логической «1 (эквивалентно отсутствию информации в ЗУ открывающие транзисторы 3, 4 и закрывающие транзисторы 1, 2. Паразитные емкости в узловых точках схемы В и А зар жаютс до потенциала, близкого к напр жению питани . Транзисторы 9, 10, 13, 14 закрыты, поэтому схема не реагирует на входную информацию на шине 12. В этом режиме на шине 12 должна быть установлена, входна информаци .works as follows: in the initial state (storage mode in the memory) on the control bus 11, the potential corresponds to the logical "O. As a result, the transistors 6 5 are open and at both outputs of the circuit 15, 16 the logic levels are set to "1 (equivalent to the absence of information in the memory, the opening transistors 3, 4 and the closing transistors 1, 2. The parasitic capacitances at the nodal points of the circuit B and A are charged to potential Transistors 9, 10, 13, 14 are closed, so the circuit does not respond to the input information on the bus 12. In this mode, bus 12 must be installed, the input information.
В режиме приема запоминани входной информации (режим обращени в ЗУ) потенциал на шине 11 измен етс на «1. Транзисторы 5, 6 закрываютс ,, а транзисторы 9, 10, 13, 14 открываютс .In the input memory reception mode (memory access mode), the potential on bus 11 is changed to "1. Transistors 5, 6 are closed, and transistors 9, 10, 13, 14 are opened.
Если на входе 12 присутствует потенциал «1, то транзистор 8 открыт, а транзистор 7 закрыт. Паразитные емкости в узловых точках схемы Лий начинают разр жатьс , причем скорость разр да емкости в узле В выше, поскольку суммарное сопротивление открытых транзисторов 8, 10, 14 меньше сопротивлени открытого транзистора 13 (предполагаетс , что дл повышени чувствительности работы с.хема (:имметрична, т. е. размеры транзисторов 1, , 7, 9 и 13 соответственно равны размерам транзисторов 2, 4, 6, 8, 10 и 14). При снижении потенциала в узле В до порога срабатывани триггера начинаетс регенеративный процесс , привод щий.к быстрой установке полных логических уровней на выходах 15, 16. При этом на выходе 15 установитс уровень «1, а на выходе 16 - «О.If the potential 12 is present at the input 12, then the transistor 8 is open and the transistor 7 is closed. The parasitic capacitances at the nodal points of the Li circuit begin to discharge, and the discharge rate of the capacitance at node B is higher, since the total resistance of the open transistors 8, 10, 14 is lower than the resistance of the open transistor 13 (it is assumed that to improve the sensitivity of the s. Circuit (: i.e., the sizes of the transistors 1, 7, 9, and 13 are respectively equal to the sizes of the transistors 2, 4, 6, 8, 10, and 14. When the potential in the node B decreases to the trigger threshold, the regeneration process leading to quick install full logic At the outputs 15, the level will be set to "1, and the output to 16 will be set to" O.
Аналогично работает схема при подаче на вход 12 «О. В этом случае открываетс транзистор 7, а транзистор 8 закрываетс . При этом быстрее разр жаетс емкость узла Л, и на выходе 15 устанавливаетс уровень «О, а на выходе 16 - «1.Similarly, the scheme works when applying to the input 12 "O. In this case, the transistor 7 is opened, and the transistor 8 is closed. At the same time, the capacity of the node L is discharged faster, and the level "O" is set at the output 15, and "1" at the output 16.
В описанном режимеобращени после срабатывани триггера и установлени логических уровней на выходах 15, 16 информаци на входе 12 схемы может измен тьс , поскольку транзисторы 13, 14 открыты, а перераспределение сопротивлений в узлах А и В относительно шины 18 не повли ет на первоначально установленное состо ние триггера.In the described reversal mode, after triggering and establishing logic levels at outputs 15, 16, information at input 12 of the circuit may change, since transistors 13, 14 are open, and redistributing the resistances at nodes A and B relative to bus 18 will not affect the initially set state trigger
. Таким образом, схема запоминает поданную на вход информацию. Дл изменени информации на выходах 15, 16-схемы необходимо вновь установить режим хранени , изменить информацию на входе 12 и перейти к режи.му обращени .. Thus, the scheme remembers the input information. To change the information on the outputs 15, 16 of the circuit, it is necessary to set the storage mode again, change the information on the input 12 and go to the addressing mode.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792859947A SU862236A1 (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Amplifier using cigfets |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792859947A SU862236A1 (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Amplifier using cigfets |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU862236A1 true SU862236A1 (en) | 1981-09-07 |
Family
ID=20868049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792859947A SU862236A1 (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Amplifier using cigfets |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU862236A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3504930A1 (en) | 1984-02-13 | 1985-08-14 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT |
DE3546847C2 (en) * | 1984-02-13 | 1995-04-27 | Hitachi Ltd | LSI memory circuit |
-
1979
- 1979-12-26 SU SU792859947A patent/SU862236A1/en active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3504930A1 (en) | 1984-02-13 | 1985-08-14 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT |
US5311482A (en) * | 1984-02-13 | 1994-05-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
DE3546847C2 (en) * | 1984-02-13 | 1995-04-27 | Hitachi Ltd | LSI memory circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5239502A (en) | Bit storage cell | |
US5289432A (en) | Dual-port static random access memory cell | |
US3953839A (en) | Bit circuitry for enhance-deplete ram | |
US4556961A (en) | Semiconductor memory with delay means to reduce peak currents | |
US4062000A (en) | Current sense amp for static memory cell | |
US4744063A (en) | Static memory utilizing transition detectors to reduce power consumption | |
US4377855A (en) | Content-addressable memory | |
EP0328110B1 (en) | Operation mode setting circuit for DRAM | |
US4701889A (en) | Static semiconductor memory device | |
US5193076A (en) | Control of sense amplifier latch timing | |
US4112506A (en) | Random access memory using complementary field effect devices | |
US3796893A (en) | Peripheral circuitry for dynamic mos rams | |
US3653034A (en) | High speed decode circuit utilizing field effect transistors | |
JPH07131327A (en) | And gate and decoding circuit | |
SU862236A1 (en) | Amplifier using cigfets | |
US3971004A (en) | Memory cell with decoupled supply voltage while writing | |
US4333166A (en) | Semiconductor memory circuits | |
US5483479A (en) | Associative storage memory | |
US6084455A (en) | High-speed CMOS latch | |
SE7409882L (en) | ||
US4841279A (en) | CMOS RAM data compare circuit | |
US5689454A (en) | Circuitry and methodology for pulse capture | |
KR850008238A (en) | Semiconductor memory | |
SU999103A1 (en) | Amplifier for storage device | |
JP2638357B2 (en) | High-speed address comparison circuit for memories with redundant addressing components. |