[go: up one dir, main page]

SU862236A1 - Amplifier using cigfets - Google Patents

Amplifier using cigfets Download PDF

Info

Publication number
SU862236A1
SU862236A1 SU792859947A SU2859947A SU862236A1 SU 862236 A1 SU862236 A1 SU 862236A1 SU 792859947 A SU792859947 A SU 792859947A SU 2859947 A SU2859947 A SU 2859947A SU 862236 A1 SU862236 A1 SU 862236A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
type
key
amplifier
bus
Prior art date
Application number
SU792859947A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валерий Викторович Баранов
Юрий Михайлович Герасимов
Андрей Николаевич Кармазинский
Павел Борисович Поплевин
Эдгар Павлович Савостьянов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6429
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6429 filed Critical Предприятие П/Я Р-6429
Priority to SU792859947A priority Critical patent/SU862236A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU862236A1 publication Critical patent/SU862236A1/en

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Description

II

Известно устройство дл  преобразовани  уровней напр жени  1, в котором к входу подключены затворы транзисторов г -типа, р-типа и исток второго транзисторап-типа. Устройство служит дл  согласовани  с ТТЛсхемами , однако, не выполн ет функции защелки, т. е. запоминани  информации.A device for converting voltage levels 1 is known, in which g-type, p-type transistors and a second transistor type are connected to the input. The device serves to coordinate with TTL circuits, however, it does not function as a latch, i.e., store information.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  быстродействующий усилитель на КМДП-транзисторах 2, который- содержит два ключевых транзистора р-типа и два нагрузочных транзистора П-типа, соединенных по схеме триггера , два ключевых транзистора П-типа, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала , а затворы - к первой управл ющей щине, и два транзистора сброса р-типа, стоки которых соединены со стоками соответствующих ключевых р-типа транзисторов и с выходами усилител , истоки - с истоками ключевых транзисторов р-типа и с щиной питани , а затворы подключены ко второй управл ющей шине, первую и вторую разр дные шины (шины входной информации ), два согласующихп-типа транзистора, истоки которых соединены со стоками соответствующих ключевыхП-типа транзисторов,The closest in technical essence to the invention is a high-speed amplifier on CMD transistors 2, which contains two p-type key transistors and two P-type load transistors, connected according to a trigger circuit, two P-type transistors, whose sources are connected to the zero potential bus, and the gates to the first control pitch, and two p-type reset transistors, whose drains are connected to the drains of the corresponding p-type key transistors and with the amplifier outputs, the sources with the sources of the key transistors p-type and power supply, and the gates are connected to the second control bus, the first and second bit buses (input data buses), two matching-type transistors, whose sources are connected to the drains of the corresponding key-type transistors,

стоки - с истоками соответствующих нагрузочныхП-типа , транзисторов, а затворы - соответственно с первой и второй разр дными шинами.the drains are from the sources of the corresponding load-type transistors, and the gates are correspondingly with the first and second bit buses.

Недостатками этого усилител  вл ютс  ограниченные функциональные возможности;The disadvantages of this amplifier are limited functionality;

5 необходимость в дифференциальном входном сигнале и невозможность использовани  схемы дл  непосредственной стыковки с ТТЛ-схемами в режиме.защелки.5 the need for a differential input signal and the impossibility of using a circuit for direct connection with TTL circuits in latch mode.

Целью изобретени   вл етс  расширение функциональных возможностей усилител  за счет обеспечени  функции запоминани . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в усилителе на КМДП-транзисторах, содержащем два клк)чевых транзистора р-типа и два нагрузочных транзистора п-типа, единенных по схеме триггера, в котором стоки первых ключевого- и нагрузочного транзисторов подключены к пр мому выходу усилител  и к затворам второго ключевого и нагрузочного транзисторов, стоки которых подключены к инверсному выходу усилител The aim of the invention is to enhance the functionality of the amplifier by providing a memory function. The goal is achieved by the fact that in an amplifier on CMDF transistors containing two p-type QC transistors and two n-type load transistors, united in a trigger circuit, in which the drains of the first key and load transistors are connected to the direct output of the amplifier and to the gate of the second key and load transistors, the drains of which are connected to the inverse output of the amplifier

20 и к затворам первых ключевого и нагрузочного Транзисторов, истоки ключевых транзисторов триггера подключены к шине питани , два согласующих транзистораа-типа.20 and to the gates of the first key and load transistors, the origins of the key transistors of the trigger are connected to the power bus, two matching transistors-type.

сток каждого из которых подключен к истоку соответствующего нагрузочного триггера, два ключевых транзистораП-типа, сток каждого из которых подключен к истоку соответствующего согласующего транзистора, а исток первого ключевого транзистора д-типа соединен с шиной нулевого потенциала , а затвор - с входной информационной шиной, два транзистора сброса р-типа, стоки которых соединены со стоками соответствующих ключевых транзисторов р-типа, истоки - с щиной питани , а затворы - с управл ющей шиной, введены дополнительные транзисторы сброса Л.-типа, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала , а каждый сток - к соответствующему истоку нагрузочных транзисторов триггера Л.-типа, затворы - к затворам согласующих транзисторов fv-типа и к затворам транзисторов сброса р-типа, исток ключевого транзистораЛ-типа подключен к шине входной информационной, а затвор - к шине питани .the drain of each of which is connected to the source of the corresponding load trigger, two key P-type transistors, the drain of each of which is connected to the source of the corresponding matching transistor, and the source of the first d-type key transistor is connected to the zero potential bus, and the gate to the input information bus, two p-type reset transistors, the drains of which are connected to the drains of the corresponding p-type key transistors, the sources with power supply, and the gates with the control bus, additional reset transistors are introduced L.-type, the sources of which are connected to the zero potential bus, and each drain - to the corresponding source of the load transistors of the L.-type trigger, gates - to the gates of matching fv-type transistors and to the gates of the p-type reset transistors The type is connected to the input data bus, and the shutter is connected to the power bus.

Схема предлагаемого быстродействую . щего усилител  на КМДП-транзисторах дана на чертеже.The scheme of the proposed speed. Amplifier on CMPE transistors is given in the drawing.

Усилитель содержит два ключевых транзистора р-типа 1, 2 и два нагрузочных транзистора П-типа 3, 4, соединенных по схеме триггера, два транзистора сброса р-типа 5, 6, два ключевых транзистора Т1-типа 7, 8, два согласующих транзистора й-типа 9, 10, управл ющую шину 11, входную информационную fuHHy 12, два транзистора сброса 13, 14 л-типа, пр мой 15 и инверсный 16 выходы, шину питани  17 и шину нулевого потенциала 18.The amplifier contains two p-type key transistors 1, 2 and two P-type load transistors 3, 4 connected according to a trigger circuit, two p-type reset transistors 5, 6, two T1-type key transistors 7, 8, two matching transistors a type 9, 10, control bus 11, input information fuHHy 12, two reset transistors 13, 14 L-type, direct 15 and inverse 16 outputs, power supply bus 17 and zero potential bus 18.

Истоки транзисторов 1, 2 подключены к шине 17, стоки - к стокам транзисторов 3, 4 и выходами 15, 16. Причем с пр мым выходом 15 св заны транзисторы 1, 3, а с инверсным 16 - транзисторы 2, 4. Затворы транзисторов 1, 3 подключены к выходу 16, а затворы транзисторов 2, 4 - к выходу 15. Истоки транзисторов 5, 6 соединены с шиной 17, стоки - с выходами 15, 16, а затворы - с шиной 11. Стоки транзисторов 9, 10 подключены к истокам транзисторов 3, 4 соответственно, а истоки транзисторов 9, 10 - к стокам транзисторов 7, 8 соответственно . Исток транзистора 8 соединен с шиной 18, а затвор - с шиной 12. Истоки транзисторов 13, 14 подключены к шине 18, стоки - к стокам транзисторов 9, 10, затворы - к затворам транзисторов 9, 10, 5, 6. Исток транзистора 7 подключен к шине 12, а затвор к шине 17.The sources of the transistors 1, 2 are connected to the bus 17, the drains to the drains of the transistors 3, 4 and the outputs 15, 16. Moreover, the transistors 1, 3 are connected to the direct output 15, and the transistors 1 to the inverse 16. , 3 are connected to the output 16, and the gates of the transistors 2, 4 - to the output 15. The sources of the transistors 5, 6 are connected to the bus 17, the drains - to the outputs 15, 16, and the gates - to the bus 11. The drains of the transistors 9, 10 are connected to the sources of transistors 3, 4, respectively, and the sources of transistors 9, 10 - to the drains of transistors 7, 8, respectively. The source of the transistor 8 is connected to the bus 18, and the gate to the bus 12. The sources of the transistors 13, 14 are connected to the bus 18, the drains to the drains of the transistors 9, 10, the gates to the gates of the transistors 9, 10, 5, 6. The source of the transistor 7 connected to the bus 12, and the gate to the bus 17.

В зависимости от соотношени  размеров транзисторов усилитель может работать в усилительном или ключевом режиме.Depending on the ratio of the sizes of the transistors, the amplifier can operate in an amplifier or a key mode.

В усилительном режиме, обеспечивающем высокое быстродействие, транзисторы 13, 14 выбираютс  в несколько раз больше транзисторов 7 - 10. При этом усилительIn the amplifier mode, which provides high speed, the transistors 13, 14 are selected several times more than the transistors 7 - 10. In this case, the amplifier

работает следующим образом: в исходном состо нии (режим хранени  в ЗУ) на управл ющей шине 11 потенциал соответствует логическому «О. В результате транзисторы 6 5 открыты и на обоих выходах схемы 15, 16 устанавливаютс  уровни логической «1 (эквивалентно отсутствию информации в ЗУ открывающие транзисторы 3, 4 и закрывающие транзисторы 1, 2. Паразитные емкости в узловых точках схемы В и А зар жаютс  до потенциала, близкого к напр жению питани . Транзисторы 9, 10, 13, 14 закрыты, поэтому схема не реагирует на входную информацию на шине 12. В этом режиме на шине 12 должна быть установлена, входна  информаци .works as follows: in the initial state (storage mode in the memory) on the control bus 11, the potential corresponds to the logical "O. As a result, the transistors 6 5 are open and at both outputs of the circuit 15, 16 the logic levels are set to "1 (equivalent to the absence of information in the memory, the opening transistors 3, 4 and the closing transistors 1, 2. The parasitic capacitances at the nodal points of the circuit B and A are charged to potential Transistors 9, 10, 13, 14 are closed, so the circuit does not respond to the input information on the bus 12. In this mode, bus 12 must be installed, the input information.

В режиме приема запоминани  входной информации (режим обращени  в ЗУ) потенциал на шине 11 измен етс  на «1. Транзисторы 5, 6 закрываютс ,, а транзисторы 9, 10, 13, 14 открываютс .In the input memory reception mode (memory access mode), the potential on bus 11 is changed to "1. Transistors 5, 6 are closed, and transistors 9, 10, 13, 14 are opened.

Если на входе 12 присутствует потенциал «1, то транзистор 8 открыт, а транзистор 7 закрыт. Паразитные емкости в узловых точках схемы Лий начинают разр жатьс , причем скорость разр да емкости в узле В выше, поскольку суммарное сопротивление открытых транзисторов 8, 10, 14 меньше сопротивлени  открытого транзистора 13 (предполагаетс , что дл  повышени  чувствительности работы с.хема (:имметрична, т. е. размеры транзисторов 1, , 7, 9 и 13 соответственно равны размерам транзисторов 2, 4, 6, 8, 10 и 14). При снижении потенциала в узле В до порога срабатывани  триггера начинаетс  регенеративный процесс , привод щий.к быстрой установке полных логических уровней на выходах 15, 16. При этом на выходе 15 установитс  уровень «1, а на выходе 16 - «О.If the potential 12 is present at the input 12, then the transistor 8 is open and the transistor 7 is closed. The parasitic capacitances at the nodal points of the Li circuit begin to discharge, and the discharge rate of the capacitance at node B is higher, since the total resistance of the open transistors 8, 10, 14 is lower than the resistance of the open transistor 13 (it is assumed that to improve the sensitivity of the s. Circuit (: i.e., the sizes of the transistors 1, 7, 9, and 13 are respectively equal to the sizes of the transistors 2, 4, 6, 8, 10, and 14. When the potential in the node B decreases to the trigger threshold, the regeneration process leading to quick install full logic At the outputs 15, the level will be set to "1, and the output to 16 will be set to" O.

Аналогично работает схема при подаче на вход 12 «О. В этом случае открываетс  транзистор 7, а транзистор 8 закрываетс . При этом быстрее разр жаетс  емкость узла Л, и на выходе 15 устанавливаетс  уровень «О, а на выходе 16 - «1.Similarly, the scheme works when applying to the input 12 "O. In this case, the transistor 7 is opened, and the transistor 8 is closed. At the same time, the capacity of the node L is discharged faster, and the level "O" is set at the output 15, and "1" at the output 16.

В описанном режимеобращени  после срабатывани  триггера и установлени  логических уровней на выходах 15, 16 информаци  на входе 12 схемы может измен тьс , поскольку транзисторы 13, 14 открыты, а перераспределение сопротивлений в узлах А и В относительно шины 18 не повли ет на первоначально установленное состо ние триггера.In the described reversal mode, after triggering and establishing logic levels at outputs 15, 16, information at input 12 of the circuit may change, since transistors 13, 14 are open, and redistributing the resistances at nodes A and B relative to bus 18 will not affect the initially set state trigger

. Таким образом, схема запоминает поданную на вход информацию. Дл  изменени  информации на выходах 15, 16-схемы необходимо вновь установить режим хранени , изменить информацию на входе 12 и перейти к режи.му обращени .. Thus, the scheme remembers the input information. To change the information on the outputs 15, 16 of the circuit, it is necessary to set the storage mode again, change the information on the input 12 and go to the addressing mode.

Claims (2)

При работе усилител  в ключевом режиме транзисторы 13, 14 выбираютс  минимальных размеров и необходимы дл  поддержани  статического состо ни . Принцип работы усилител  в ключевом режиме аналогичен описанному выше. В этом режиме обеспечиваетс  высока  помехоустойчивость схемы. Компромиссный вариант схемы - использование сравнимых размеров транзисторов 13, 14 и 7- 10. Предлагаемый усилитель может быть применен в интегральных ЗУ в качестве элемента регистра, устанавливаемого на адресных входах ЗУ, и (или) в качестве схемы приема и запоминани  входной информации ЗУ в случае предъ влени  к интегральному ЗУ требований по согласованию с ТТЛ-схемами и запоминанию вводимой информации. Кроме того, использование усилител  в интегральных ЗУ позволит примерно на 10% сократить число интегральных микросхем в ЗУ, поскольку при этом исключаютс  микросхемы согласовани  уровней и регистр адреса (дл  блоков ЗУ, где используютс  микросхемы ТТЛ-типа и регистры адреса). Соответственно снизитс  стоимость и увеличитс  надежность блока ЗУ. Формула изобретени  Усилитель на КМДП-транзисторах, содержаший два ключевых транзистора р-типа и два нагрузочных транзистора ц-типа, соединенных по схеме триггера, причем стоки первых ключевого и нагрузочного транзисторов подключены к пр мому выходу усилител  и к затворам вторых ключевого и нагрузочного транзисторов, стоки которых подключены к инверсному выходу усилител  и к затворам первых ключевого и нагрузочного транзисторов, истоки ключевых транзисторов триггера подключены к шине питани , два согласуюш,их транзистора Ц-типа, сток каждого из которых подключен к истоку соответствуюш,его нагрузочного транзистора триггера, два ключевых транзистора и-типа, сток каждого из которых подключен к истоку соответствуюшего согласуюш,его транзистора , а исток первого ключевого транзистора -типа соединен с шиной нулевого потенциала , затвор - с входной информационной шиной, два транзистора сбора р-типа, стоки которых соединены со стоками соответствуюших ключевых транзисторов р-типа, истоки с шиной питани , а затворы - с управл юшей шиной, отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей усилител  за счет обеспечени  функции запоминани , в него введены дополнительные транзисторы сбросаП.-типа, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала, а каждый сток - к соответствующему истоку нагрузочных транзисторовЦ-типа триггера , затворы - к затворам согласующих транзисторов -типа, и к затворам транзисторов сброса р-типа, исток второго ключевого транзистора Ц-типа подключен к входной информационной шине, а затвор - к шине питани . . Источники информации, прин тые во внимание, при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 558400, кл. Н 03 К 19/00, 27.02.76. When the amplifier operates in the key mode, the transistors 13, 14 are selected to be minimal in size and necessary to maintain the static state. The principle of operation of the amplifier in the key mode is similar to that described above. In this mode, the circuit noise immunity is high. The trade-off option of the circuit is the use of comparable sizes of transistors 13, 14 and 7-10. The proposed amplifier can be used in integrated memory as a register element installed on the memory address inputs, and (or) as a memory reception and storage scheme in the case of presenting requirements to the integral memory in accordance with the TTL schemes and storing the input information. In addition, the use of an amplifier in integrated memory will reduce the number of integrated circuits in memory by about 10%, since this eliminates the level matching chips and the address register (for memory blocks using TTL-type chips and address registers). Accordingly, the cost will be reduced and the reliability of the memory unit will increase. Claims of the Invention Amplifier on a KMDP transistor containing two p-type key transistors and two c-type load transistors connected in a trigger circuit, with the outlets of the first key and load transistors connected to the forward output of the amplifier and to the gates of the second key and load transistors, the drains of which are connected to the inverter output of the amplifier and to the gates of the first key and load transistors, the origins of the key transistors of the trigger are connected to the power bus, two are consistent, their C-type transistor, with the current of each of which is connected to the source of the corresponding, its load transistor trigger, two key transistors and-type, the drain of each of which is connected to the source of the corresponding match, its transistor, and the source of the first key transistor of the type connected to the bus of zero potential, the gate - with input bus, two p-type collector transistors, the drains of which are connected to the drains of the corresponding p-type key transistors, the sources with the power bus, and the gates with the bus control, characterized in that increase the functionality of the amplifier by providing the memory function, additional reset transistors of the type P type, whose sources are connected to the zero potential bus, and each drain to the corresponding source of the load transistors of the G-type trigger, gates to the gates of matching transistors of the type, and to the gates of the p-type reset transistors, the source of the second C-type key transistor is connected to the input data bus, and the gate to the power bus. . Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate number 558400, cl. H 03 K 19/00, 02.27.76. 2.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2668722/18-24, кл. G 11 С 7/00, 1978 (прототип).2. USSR author's certificate for application number 2668722 / 18-24, cl. G 11 C 7/00, 1978 (prototype).
SU792859947A 1979-12-26 1979-12-26 Amplifier using cigfets SU862236A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792859947A SU862236A1 (en) 1979-12-26 1979-12-26 Amplifier using cigfets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792859947A SU862236A1 (en) 1979-12-26 1979-12-26 Amplifier using cigfets

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU862236A1 true SU862236A1 (en) 1981-09-07

Family

ID=20868049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792859947A SU862236A1 (en) 1979-12-26 1979-12-26 Amplifier using cigfets

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU862236A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3504930A1 (en) 1984-02-13 1985-08-14 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT
DE3546847C2 (en) * 1984-02-13 1995-04-27 Hitachi Ltd LSI memory circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3504930A1 (en) 1984-02-13 1985-08-14 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT
US5311482A (en) * 1984-02-13 1994-05-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
DE3546847C2 (en) * 1984-02-13 1995-04-27 Hitachi Ltd LSI memory circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5239502A (en) Bit storage cell
US5289432A (en) Dual-port static random access memory cell
US3953839A (en) Bit circuitry for enhance-deplete ram
US4556961A (en) Semiconductor memory with delay means to reduce peak currents
US4062000A (en) Current sense amp for static memory cell
US4744063A (en) Static memory utilizing transition detectors to reduce power consumption
US4377855A (en) Content-addressable memory
EP0328110B1 (en) Operation mode setting circuit for DRAM
US4701889A (en) Static semiconductor memory device
US5193076A (en) Control of sense amplifier latch timing
US4112506A (en) Random access memory using complementary field effect devices
US3796893A (en) Peripheral circuitry for dynamic mos rams
US3653034A (en) High speed decode circuit utilizing field effect transistors
JPH07131327A (en) And gate and decoding circuit
SU862236A1 (en) Amplifier using cigfets
US3971004A (en) Memory cell with decoupled supply voltage while writing
US4333166A (en) Semiconductor memory circuits
US5483479A (en) Associative storage memory
US6084455A (en) High-speed CMOS latch
SE7409882L (en)
US4841279A (en) CMOS RAM data compare circuit
US5689454A (en) Circuitry and methodology for pulse capture
KR850008238A (en) Semiconductor memory
SU999103A1 (en) Amplifier for storage device
JP2638357B2 (en) High-speed address comparison circuit for memories with redundant addressing components.