SU851221A1 - Способ определени температурыКРиСТАллизАции ХАльКОгЕНидНыХ СТЕКОл - Google Patents

Description

Изобретение относится к способам обнаружения и исследования фазовых переходов в стеклоббраэных полупроводниках.

Известны способы для определения температур фазовых переходов в материалах, которые дают полную информацию о всех фазовых переходах, материала: размягчении, кристаллизации , плавлении [1].

Однако приборы для осуществления известных способов сложны, поскольку содержат держатели образца и эталона, нагревательную камеру, устройство регулирования. Кроме того,про- . мышленные установки, допускающие работу с образцами массой до 1 мг, достаточно редки. Способы проводятся на образцах массой от 1 до 200 мг и состоят в том, что навеску вещества помещают непосредственно на термопару, которая нагревается проходящим через нее током, в то время как халькогенидные стекла в нагретом состоянии . . обладают высокой реакционной способностью, а разъедание термопары ведет к изменению величины ее сигнала и ошибкам в определении температур фазовых переходов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому- является способ определения температуры кристаллизации халькогенидных стекол, ’ состоящий в том, что исследуемое вещество нагревают ^с постоянной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению физических свойств вещества (2).

’® Недостаток указанного способа состоит в том, что на начальных стадиях фазового перехода изменения отражения незначительны и не могут быть точно зарегистрированы, что ведет к завышению измеренной температуры перехода. Кроме того, не все материалы изменяют значительно свои отражающие свойства при фазовом переходе.

Цель изобретения — повышение точ20 ности определения момента фазового перехода на малых колйчествах веще ства.

Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температу25 ры кристаллизации халькогенидных стекол, состоящем в том, что исследуемое вещество нагревают с постоянной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению фиэи30 ческих свойств вещества, указанную регистрацию фазового перехода осуществляют по моменту возникновения оптического излучения из исследуемого вещества.

На фиг. 1 представлена схема реализации способа, обнаружения фазовых переходов; на фиг. 2 — форма записи ’ самописца·, по которой устанавливают момент фазового перехода; на фиг. 3— записи сигналов, показывающие, что излучение оптического диапазона наблюдается лишь в момент кристаллизации;*® на фиг. 4 — блок-схема установки для осуществления предлагаемого способа, когда материал имеет вид порошка; на фиТ¹. 5 — то же, без удаления стеклообразных пленок с подложки. 15

Схема реализации предлагаемого способа включает пластину 1 исследуемого вещества, осветитель 2, фотоприемник 3, нагреваемый столик 4, усилитель 5, самописец б и термопа- 20 РУ 7, регистрирующую * температуру столика. Самописец 6 записывает линию 8 температуры и линию 9 интенсивности отраженного света.

Согласно предлагаемому способу образец нагревают и измеряют интенсивность света, отраженного от его поверхности . в момент фазового перехода отражающие свойства поверхности меняются, что фиксируется фотоприемником.

Кривые 10 и 11(фиг. 3)показывают, что излучение оптического диапазона наблюдается в момент кристаллизации.

Установка для осуществления способа состоит из навески вещества 12, 35 ленточного нагревателя 13,регулятора 14 силы тока, термопары 15, лин- _ эы 16, германиевого фотодиода 17 типа ФД-5Г, усилителя 18, самописца 19, нагреваемого столика 20 и подложки 21 40 пленки.

Если исследуемое вещество имеет вид порошка, то способ реализуется следующим образом; «авеску вещества 12 помещают в углубление ленточного нагревателя 13, ток через который задается устройством 14, изменяющим величину тока во времени по определенному закону.Для навесок массой менее 100 мкг удобнее применить нагреватель в виде отдельной проволоки. Температура нагревателя фиксируется термопарой 15. Излучение, возникающее в момент кристаллизации, собирается линзой 16, которая фиксирует его на германиевый фотодиод 17, работающий в фотодиодном режиме. Усилитель 18 принимает сигнал фотодиода и усиливает его перед записью на самописце 19, где одновременно ведут запись нарастания температуры. Момент начала кристализации точно фиксируется по резкому импульсу светового излучения. Регистрация кристаллизации в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников без удаления их с подложки осуществляется аналогичным образом. Отличие заключается в том, что пленку на подложке 21 помещают на поверхность нагреваемого столика 20.

Предлагаемый способ обеспечивает определение температуры кристаллиза__ ции на малых количествах вещества с высокой точностью.

Claims (2)

1. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ХАЛЬКОГЕНЙДНЫХ СТЕКОЛ Изобретение относитс  к способам обнаружени  и исследовани  фазовых переходов в стеклообразных полупроводниках . Известны способы дл  определени  температур фазовых переходов в материалах , которые дают полную информацию о всех фазовых переходах, материала: разм гчении, кристаллизации , плавлении 1. Однако приборы дл  осуществлени  известных способов сложны, поскольку содержат держатели образца и эталона , нагревательную камеру, устройство регулировани . Кроме того,промыпшенные установки, допускающие работу с образцами массой до 1 мг, дос таточно редки. Способы провод тс  на образцах массой от 1 до 200 мг и сое то т в том, что навеску вещества помещают непосредственно на термопару котора  нагреваетс  проход щим через нее током, в то врем  как халькогенидные стекла в нагретом состо нии . обладают высокой реакционной способностью , а разъедание термопары ведет к изменению величины ее сигнала и ошибкам в определении температур фазовых переходов. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  способ определени  температуры кристаллизации халькогенидных стекол, состо щий в том, что исследуемое вещество нагревают посто нной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению физических свойств вещества 2. Недостаток указанного способа состоит в том, что на начальных стади х фазового перехода изменени  отражени  незначительны и не могут быть точно зарегистрированы, что ведет к завышению измеренной темп(ратуры перехода . Кроме .того, .не все материалы измен ют значительно свои отражакидие свойства при фазовЬм переходе. Цель изобретени  - повышение точности определени  момента фазового перехода на малых количествах веще ства . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе определени  температуры кристаллизации халькогенидных стекол , состо щем в том, что исследуемое вещество нагревают с посто нной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению физических свойств вещества, указанную регистрацию фазового перехода осуществл ют по моменту возникновени  оптического излучени  из исследуемого вещества. На фиг. 1 представлена схема реализации способа, обнаружени  фазовых переходов; на фиг. 2 - форма записи самописца-, по которой устанавливают момент фазового перехода; на фиг. 3- записи сигналов, покаэывак цие, что излучение оптического диапазона наблюдаетс  лишь в момент кристаллизаци на фиг. 4 - блок-схема установки дл  осуществленк  предлагаемого способа, когда материал имеет вид порошка; на фи. 5 - то же, без удалени  стек лообразных пленок с подложки. Схема реализации предлагаемого способа включает пластину 1 исследуемого вещества, осветитель 2, фотоприемник 3, нагреваемый ртолик 4, усилитель 5, самописец б и термопаРУ 7, регистрирукмдую температуру столика. Самописец 6 записывает линию 8 температуры и линию 9 интенсив ности отраженного света. Согласно предлагаемому способу об разец нагревают и измер ют интенсивность света, отраженного от его поверхности , в момент фазового перехода отражающие свойства поверхности мен ютс , что фиксируетс  фотоприемником ., Кривые 10 и 11(фиг. 3)показывают что излучение оптического диапазона наблюдаетс  в момент кристгшлизации Установка дл  осуществлени  способа состоит из навески вацества 12 ленточного нагревател  13,регул тора 14 силы тока, термопары 15, линзы 16, германиевого фотодиода 17 тип ФД-ЗГ, усилител  18, самописца 19, нагреваемого столика 20 и лодложки 21 пленки. ЕСЛИ исследуемое вещество имеет вид порошка, то способ реализуетс  следующим образом: «авеску вещества 12 помещают в углубление ленточного нагревател  13, ток через который за даетс  устройством 14, измен ющим величину тока во времени по определенному закону.Дл  навесок массой менее 100 мкг удобнее применить нагреватель в виде отдельной проволоки. Температура нагревател  фиксируетс  термопарой 15. Излучение, возникающее в момент кристаллизации, собираетс  линзой 16, котора  фиксирует его на германиевый фотодиод 17, работающий в фотодиодном режиме. Усилитель 18 принимает сигнал фотодиода и усиливает его перед записью на самописце 19, где одновременно ведут запись нарастани  температуры, момент начала кристализации точно фиксируетс  по резкому импульсу светового излучени . Регистраци  кристаллизации в пленКАХ хаЛькогенидных стеклообразных полупроводников без удалени  их с подложки осуществл етс  аналогичным образом . Отличие заключаетс  в том, что пленку на подложке 21 помещают на поверхность нагреваемого столика 20. Предлагаемый способ обеспечивает определение температуры кристаллизации на малых количествах вещества с высокой точностью. Формула изобретени  Способ определени  температуры кристаллизации халькогенидных сте-. кол, состо щий в том, что исследуемое вещество нагревают с посто нной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению физических свойств вещества, о т л и чающийс   тем, что, с целью повышени  точности определени  момента фазового перехода на малых количествах вещества, указанную регистрацию фазового перехода осуществл ют по моменту возникновени  оптического излучени  из исследуемого вещества. Источники инфорации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Уэндландт У. Термические методы анализа . М.,Мир, 1978.
2. 2.Патент США № 3131557, кл. 7317 , опублик. 1967 (прототип).