SU842519A1 - Способ относительного измерени пАРАМЕТРА РЕшЕТКи МОНОКРиСТАллОВ - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к рентгено-т дифракционным методам анализа монокристаллов и может быть использовано дл  неразрушающего экспрессного контрол  совершенства кристаллов.,

Известен способ относительного измерени  параметра решетки, заключающийс  в том, что на двухслойный образец под брэгговским углом направл ют рентгеновский пучо от -монохроматора и регистрируют два дифракционных максимума, соответствующие исследуемому и эталонному слою Г1 .

Однако относительна  точность способа ограничена шириной области отражени  кристалла и не превышает , что обусловлено применением однолучевоЯ дифракции.

Известен также способ, при котором на одну сторону исследуемого образца направл ют два рентгеновских пучка, отражённых от монохроматора, служащего эталоном, и, враща  образец , регистрируют два дифракционных максимума. Поскольку в данном способе возможна раздельна  регистраци  дифракционных максимумов, относительна  точность может быть не менее lO- -10-б -2J.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ, заключающийс  в облучении плоскопараллельного образца с двух сторон двум  рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров,повороте исследуемого кристалла и регистрации двух дифракционных максимумов, соответствующих отражени м от противопо0 ложных сторон образца ГЗ .

Однако необходимость использовани  в этом способе эталонного кристалла , изготовленного из материала образца с той же ориентировкой зна5 чительно сужает круг исследуемых объектов, а необходимость учета поправок на рефракцию рентгеновских лучей и необходимость высокой стабилизации поддержани  температуры

0 образца и эталона существенно усложн ет технику выполнени  измерений.

Цель изобретени  - упрощение относительного измерени  параметра решетки с одновременным сохранением

5 высокой точности.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе относительного измерени  параметра решетки монокристаллов , включающем облучение

0 плоскопараллельного образца с двух

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Способ относительного измерения параметра решетки монокристаллов , включающий облучение плоскопараллельного образца с двух сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров , поворот исследуемого кристалла и регистрацию двух диффракционных максимумов, соответствующих отражениям от противоположных сторон образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при сохранении его высокой точности, образец выполняют двухслойным со слоем изучаемого материала на одной стороне и эталоном на другой, а пучки, облучающие образец, направляют . навстречу друг другу.