Изобретение относитс к импульсной технике и автоматике и может быть ис пользовано в чзиловых цеп х радиоэлектр ной аппаратуры, импульсных (ключевых стабилизаторах источника питани . Известны транзисторные ключи с защитой от перегрузки, содержащее ключевой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, и включающий транз стор, подключенный параллельно переходу база-эмиттер ключевого транзисто ра, диоды и конденсатор l и f23. Недостатками известных устройств вл ютс ограниченный диапазон рабочих напр жений и температур и критичность к нагрузке с емкостным характером. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению вл етс транзисторный ключ с защитой от перегрузки , также содержащий ключевой транзистор с резистивным делителем в цепи базы, включенный по схеме с общим эмиттером, коллектор которого чере резистс) .соединен с шиной нагрузки к через последовательно соединенные . диод и резистор - с шиной входного сиг нала, и выключающий транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, подключенный коллектором к базе ключевого транзистора . Недостатком .этого транзистора импульсного ключа с защитой от перегрузки вл етс узка область работоспособности при изменении напр жени питани и температуры. Это обусловлено тем, что в услови х близости величин максимального рабочего тока и тока короткого замыкани нагрузки при повышении напр жени питани защита срабатывает в рабочем режиме ключа, хот величина рабочего тока меньше допустимого тока через транзистор, а при понижении напр жени питани защита не срабатывает при коротком замыкании нагрузки, хот ток короткого замыкани больше допустимого тока через транзистор. А вследствие изменений порога срабатывани в диапазоне температур, защита срабатывает 379 1ФИ рабочем токе, меньше допустимого посто нного тока через транзистор и не срабатывает при токе короткого замыкани нагрузки, большем допустимогх посто нного тока через транзистор, что . вл етс нарушением нормального функционировани схемы. Цель изобретени - расширение области р отоспособаости трбшзисторного ключа с зашитой от перегрузки при изменении напр жени питани и температуры . Поставленна цель достигаетс тем, что в транзисторный ключ с заиштой от перегрузки, содержаищй ключевой транзистор с резисторным делителем в цепи базы, включенный по схеме с общим эмиттером, коллектор которого через резистор совйинен с шиной нагрузки и через последовательно соединенные диод и резистор - с шиной входного сигнала, и выключающий транзистор, включенный по схеме с обишм эмиттером, подсоединенный коллектором к базе ключевого транзистора, введены два дополнительны транзистора противоположного типа проводимости, при этом эмиттер первого дополнительного транзистора соединен с анодом диода, коллектс соединен с базой выключающего транзистора, а база через резистор с коллектором второго дополнительного транзистора, эмиттер кс/горого соединен с шиной напр жени питани , база через резистор с шиной входного сигнала, а коллектор - с резисторным делителем в цепи базы ключевого транзистора. На чертеже изображена электрическа схема транзисторного ключа с защитой от перегрузки.., -.. Транзисторный ключ с защитой от перегрузки содержит ключевой транзистор 1, включенный по охеме с общим эмиттером, с резистфами 2 и 3 в цепИ базы, транзистс 4- дополн ющего типа проводимости с диодом 5, необходимые дл переключени тока, поступающего через резистор 6, делитель на резистор 7 и 8, определ ющий амплитуду импульса на базе транзистора 4, низкоомный резистор 9, вл ющийс датчиком тока, резистор Ю утечки, выключающий транзистор 11, того же типа проводимости, что и ключевой транзистор I, конденсат 12 и резистор 13 .образуют дифференцирующее звено в цепи св зи базы выключающего транзистора с щиной 14 входного сигнала, транзистор 15 дополнительного типа проводимости, вл ющийс инвертором входного сигнала, эмиттер которого соединен с шиной 16 напр жени питани . Нагрузочный элемент 17 подключен между шиной 16 напр жени питани и общей точкой соединени диода 5 и резистора 9. Устройство работает следующим образом . В исходном состо нии все транзисторы закрыты. Входной импульс положительной пол рности через резистор 2 поступает на базу транзистора 1, который открываетс и оказываетс в области насыщени . В результате в цепи внешней нагрузки проходит коллекторный ток транзистора 1 на врем действи входного импульса. При этом-цепь из диода 5, резистора 9 и транзистора 1 щунтирует транзистор 4. Вследствие этого транзистор 11 также остаетс закрытым. При коротком замыкании нагрузки при поступлении входного импульса в цепи коллектора транзистс а 1 возникает ток. большой величины. Ввиду значительного падени , напр жени , создаваемого этим током на резистсре 9, сумма напр жений на транзисторе 1 и резисторе 9 становитс достаточной дл запирани диода 5. При этом ток от транзистора 15 переключаетс в эмиттер транзистора 4. Ток коллектора 4 посту-пает в базу транзистора 11, открыва его. При этом ток, текущий через резистор 2, поступает теперь в коллектор транзистора 11, чем обеспечиваетс выключение транзистора 1. Далее транзистор 11 остаетс включенным на прот жении всего импульса, благодар чему транзистор 1 удерживаетс в выключенном состо нии. , Т1ри работе на активно-емкостную нагрузку импульс отрицательной пол рности , поступающий на базу транзистора 11 через конденсатор 12 и резистор 13 блок1фует защиту на врем зар да емкости нагрузки. Следует отметить, что после устранени ксфоткого замыкани нагрузки не требуетс какого-либо специального сигнала дл восстановлени нормального функцион1фовани схемы. Расширение области работоспособности транзисторного ключа с защитой достигаетс за счет отслеживани порогом срабатывани защиты изменений напр жени и за счет независимости порога ераThe invention relates to pulsed technology and automation and can be used in the power circuits of electronic equipment, pulses (key power supply stabilizers. The transistor overload switches are known, containing a key transistor connected in a common emitter circuit and including a transistor connected in parallel with the base-emitter junction of the key transistor, the diodes and the capacitor l and f23. The disadvantages of the known devices are the limited range of operating voltages and temperatures and is critical capacitive load. The closest technical solution to this invention is a transistor switch with overload protection, also containing a key transistor with a resistive divider in the base circuit, connected according to a common emitter circuit, whose collector is resistor). loads to through serially connected. a diode and a resistor - with an input signal bus, and a switching-off transistor, connected in accordance with a common emitter circuit, connected by a collector to the base of the key transistor. The disadvantage of this transistor of a pulse switch with overload protection is the narrow operability range when the supply voltage and temperature change. This is due to the fact that in the vicinity of the maximum operating current and short-circuit load current when the supply voltage rises, the protection operates in the operating mode of the switch, although the operating current is less than the permissible current through the transistor, and when the supply voltage drops, short circuit load, although the short circuit current is greater than the allowable current through the transistor. And due to changes in the threshold in the temperature range, the protection trips the operating current 379 1FI, less than the permissible direct current through the transistor and does not work when the load short-circuit current is greater than the permissible direct current through the transistor, which. is a violation of the normal functioning of the circuit. The purpose of the invention is to expand the range of the transistor key with protection against overload when changing the supply voltage and temperature. The goal is achieved by the fact that in a transistor switch with overload, contains a key transistor with a resistor divider in the base circuit, connected according to a common emitter circuit, the collector of which through a resistor is connected to the load bus and through a serially connected diode and resistor to the input bus signal, and the switching-off transistor, connected according to the circuit with the emitter, connected by a collector to the base of the key transistor, two additional transistors of the opposite conductivity type are introduced, and The first additional transistor tther is connected to the diode anode, the collector is connected to the base of the switching transistor, and the base is connected via a resistor to the collector of the second additional transistor, the emitter is connected to the supply voltage busbar, the base is connected to the input resistor, divider in the base circuit of the key transistor. The drawing shows an electrical circuit of the transistor switch with overload protection .., - .. The transistor switch with overload protection contains a key transistor 1, connected along a common emitter, with resistors 2 and 3 in the base circuit, transistors 4 are of additional type conductor diode 5 required to switch the current flowing through resistor 6, divide by resistor 7 and 8, which determines the pulse amplitude at the base of transistor 4, low resistance resistor 9, which is a current sensor, resistor Yu leakage, turning off transistor 11, the same like Conductance, as the key transistor I, condensate 12 and resistor 13. form the differentiating link in the communication circuit of the base of the switching-off transistor with a length of 14 input signal, additional type conductivity transistor 15, which is an inverter of the input signal, the emitter of which is connected to voltage bus 16 nutrition A load element 17 is connected between the supply voltage bus 16 and the common connection point of the diode 5 and the resistor 9. The device operates as follows. In the initial state, all transistors are closed. An input pulse of positive polarity through a resistor 2 is fed to the base of transistor 1, which opens and appears in the saturation region. As a result, the collector current of transistor 1 passes through the external load for the duration of the input pulse. In this case, the circuit from diode 5, resistor 9 and transistor 1 bypasses the transistor 4. As a result, transistor 11 also remains closed. When a load is short-circuited, when an input pulse arrives in the collector circuit of the transistor, a current arises. large quantities. Due to a significant drop, the voltage generated by this current in the resistor 9, the sum of the voltages across the transistor 1 and resistor 9 becomes sufficient to turn off diode 5. The current from the transistor 15 switches to the emitter of the transistor 4. The collector current 4 enters the base transistor 11, open it. In this case, the current flowing through the resistor 2 now flows into the collector of the transistor 11, which ensures the switching off of the transistor 1. Next, the transistor 11 remains turned on for the entire pulse, thereby keeping the transistor 1 in the off state. When working on an active-capacitive load, a negative polarity pulse arrives at the base of transistor 11 through a capacitor 12 and a resistor 13 blocks protection for the duration of the load capacitance charging. It should be noted that after the elimination of the shock load circuit, no special signal is required to restore the normal functioning of the circuit. The expansion of the operability range of the transistor switch with protection is achieved by tracking the threshold of protection of voltage changes and by the independence of the threshold