SU752552A1 - Method of determining electrodynamic parameters of delay systems - Google Patents
Method of determining electrodynamic parameters of delay systems Download PDFInfo
- Publication number
- SU752552A1 SU752552A1 SU782609490A SU2609490A SU752552A1 SU 752552 A1 SU752552 A1 SU 752552A1 SU 782609490 A SU782609490 A SU 782609490A SU 2609490 A SU2609490 A SU 2609490A SU 752552 A1 SU752552 A1 SU 752552A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electronic
- gain
- parameters
- determining
- electron
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
гаетс благодар тому, что ток пучка выбирают соответствующим рабочему режиму ЛБВ, oпpeдev ют диапазон изменеии коэффициеита электроиного усилени в области затухани , варьиру ускор ющее напр жение , фиксируют и измер ют несколько величин коэффициеита электронного усилени в этой области, включа окрестность минимального электронного усилени (максимального затухани ) и измер ют ио два различных напр жени , соответствующих каждой величине усилени .This is due to the fact that the beam current is chosen to correspond to the working mode of the TWT, the range of variation of the electron amplification coefficient in the attenuation region is exceeded, the accelerating voltage varies, the several values of the electron amplification coefficient in this region are measured and measured, including the vicinity of the minimum electron gain (maximum attenuations) and measured by two different voltages corresponding to each magnitude of the gain.
Указанна последовательность операций позвол ет достаточно просто получать экспериментальную зависимость коэффициента электронного затухани от ускор ющего напр жени и но ней одновременно определить три основных электродинамических параметра ЗС.This sequence of operations allows one to rather simply obtain the experimental dependence of the electron attenuation coefficient on the accelerating voltage, and at the same time determine the three main electrodynamic parameters of the ES.
Сущность изобретени по сн етс чертежами . На фиг. 1 изображены экспериментальна и теоретическа зависимости коэффициента электронного усилени /( от ускор ющего напр жени f/o; на фиг. 2 - блок-схема измерительной установки, котора использовалась дл реализации предложенного споеоба измерений.The invention is illustrated in the drawings. FIG. Figure 1 shows the experimental and theoretical dependences of the electron gain factor / (on the accelerating voltage f / o; Fig. 2 is a block diagram of a measurement setup that was used to implement the proposed measurement probe.
Установка содержит стандартный генератор СВЧ (ГСС) 1, .плавные аттенюаторы 2, 3, детекторные камеры 4, 5, усилитель 6, осциллограф 7, прозрачную ЛБВ с блоком питани 8, вольтметр 9.The installation contains a standard microwave generator (GSS) 1, floating attenuators 2, 3, detector chambers 4, 5, amplifier 6, oscilloscope 7, transparent TWT with power supply 8, voltmeter 9.
Дл определени еопротивлени св зи, коэффициента замедлени и распределенных потерь исследуемой ЗС необходимо с помощью электронного пучка «прозрачной ЛБВ либо электронного зонда сн ть часть зависимости К от UQ. При этом данную зависимость с целью уменьщени погрещности измерений из-за наличи отражений в тракте исследуемой ЗС, лучще всего снимать в области электронного затухани (фиг. 1). Затем, иепользу линейную теорию ЛБВ, позвол ющую рассчитать зависимость К от L/0 нри различных электродинамических и геометрических параметрах ЗС, а также электрических и геометрических параметрах электронного пучка, участвующего во взаимодействии , добитьс совпадени теоретической и экспериментальной зависимости К от Uo, в области максимального затухани .To determine the coupling resistance, deceleration ratio, and distributed losses of the studied CS, it is necessary to remove a part of the dependence of K on UQ using the electron beam of the transparent TWT or the electron probe. At the same time, this dependence, in order to reduce the measurement error due to the presence of reflections in the path of the studied ES, is best taken in the electronic attenuation region (Fig. 1). Then, using the linear theory of the TWT, which allows calculating the dependence of K on L / 0 at various electrodynamic and geometric parameters of the ZP, as well as the electrical and geometric parameters of the electron beam participating in the interaction, to achieve a coincidence of the theoretical and experimental dependence of K on Uo, in the region of maximum fading out.
Представлеииа на фиг. 2 измерительна установка включает в себ только стандартную аппаратуру и может быть использована дл измерений электродинамических параметров ЗС в любой части диапазоиа СВЧ.The representation in FIG. 2, the measurement setup includes only standard instrumentation and can be used to measure the ES electrodynamic parameters in any part of the microwave range.
Измерение усиленн осуществл етс следующим образом.The measurement is enhanced as follows.
Аттенюатор 3 (фиг. 2) устанавливаетс в положение, соответствующее минимальному затуханию. С помощью аттенюатора 2 на выбранной частоте сигнала ГСС 1 осуществл етс баланс при отсутствии электронного пучка 8. Включают электрон1 1Й пучок и устанавливают величину тока пучка (/р), близкую к рабочему режиму ЛБВ. При данном токе электронного нучка измер ют , напр жение Uo максимальный коэффициент электронного затухани с помощью аттенюатора 2 и таким образом определ ют диапазон изменени коэффициента электронного затухани . Затем выключают электронный пучок и вновь осуществл ют баланс с помощью аттенюатора 2. Далее приступают к измерению чаети зависимости /( от UQ (фиг. 1).Attenuator 3 (FIG. 2) is set to the position corresponding to the minimum attenuation. Using attenuator 2 at the selected frequency of the GSS 1 signal, a balance is achieved in the absence of an electron beam 8. The electron 1 beam is turned on and the beam current (/ p) is set close to the TWT operating mode. With this current of the electronic device, the voltage Uo is measured by the maximum electronic attenuation coefficient using attenuator 2, and thus the range of variation of the electronic attenuation coefficient is determined. Then, the electron beam is turned off and the balance is again performed using attenuator 2. Next, we start measuring the dependence of / (on UQ (Fig. 1)).
Аттенюатор 3 устанавливают на величину затухани , равную К. (фиг. 1), включают нучок и устанавливают ток пучка равным /р. Измен ускор ющее напр жение с помощью блока питани АБВ, вольтметром 9 измер ют напр жени Ui и Ui (фиг. 1), соответствующие электронному затуханию -Ki. Затем с помощью аттенюатора 3 устанавливают затухание, равное -Kz, н процеес измерений повтор ют. Таким образом последовательно измер ют -Ki, Hi, Ui, -Кг, Uz, Uz; -Ks, Us, Us и т. д. и получают чаеть зависимости коэффициеита электронного затухани от ускор ющего напр жени и окреетиости максимального электронного затухани . Дл определени искомых нараметров ЗС достаточно 4-х, 6-ти экспериментальных точек /С от UQ. Далее, использу линейную теорию ЛБВ, с помощью ЭВМ наход т теоретическую зависимость /С от UQ, соответствующую экспериментальной , н путем расчетов определ ют сопротивление св зи, коэффициент замедлени и распределенные потери ЗС.Attenuator 3 is set to the attenuation value equal to K. (Fig. 1), turn on the knob and set the beam current to be equal to / p. Changing the accelerating voltage with the help of an ABV power supply unit, a voltmeter 9 measures voltages Ui and Ui (Fig. 1), corresponding to the electronic decay -Ki. Then, attenuator 3 is used to set the attenuation equal to -Kz, and the measurement process is repeated. Thus, -Ki, Hi, Ui, -Kg, Uz, Uz are successively measured; -Ks, Us, Us, etc., are obtained from the dependence of the electronic attenuation coefficient on the accelerating voltage and the maximum electronic attenuation coefficient. To determine the desired parameters of the CS, 4, 6 experimental points / С from UQ are sufficient. Further, using a linear theory of the TWT, a computer determines the theoretical dependence of / C on UQ, corresponding to the experimental value, and by calculating the connection resistance, retardation factor, and distributed losses of the ES, by calculations.
Использование предлагаемого способа измерени электродииамических нараметров замедл ЕОЩих систем обеспечпвает но срав0 с существующими способами следующие преимущества:The use of the proposed method for measuring electrodiamiamic delay systems for ESP systems provides, but compares with the existing methods, the following advantages:
обеспечение одновременного измерени трех основных электродинамических параметров ЗС и вследствие этого уменьщение погрешности или упрощение измерений; измерение распределенных потерь ЗС, не включающих в себ переходное ослабление СВЧ-сигнала, обусловленного выводами энергии ЗС, что вл етс особенно важным прн исследовании ЗС коротковолновой части СВЧ-диапазона; измерение сопротивлени св зи ЗС с учетом геометрических размеров реального электроиного нучка ЛБВ и его месторасположени в пространстве взаимодействи .ensuring the simultaneous measurement of three basic electrodynamic parameters of the ES and, consequently, a decrease in the error or simplification of measurements; measurement of distributed losses of the ES, which do not include the transient attenuation of the microwave signal, due to the conclusions of the energy of the ES, which is especially important for the study of the ES of the shortwave part of the microwave range; measuring the resistance of a CS connection, taking into account the geometrical dimensions of the real electronic nuchion TWT and its location in the interaction space.
Использование изобретени позвол ет сократить врем и повысить точность определени параметров замедл ющих еистем.The use of the invention allows to reduce the time and improve the accuracy of determining the parameters of the decelerating systems.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782609490A SU752552A1 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | Method of determining electrodynamic parameters of delay systems |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782609490A SU752552A1 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | Method of determining electrodynamic parameters of delay systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU752552A1 true SU752552A1 (en) | 1980-07-30 |
Family
ID=20761923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782609490A SU752552A1 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | Method of determining electrodynamic parameters of delay systems |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU752552A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0457294A1 (en) * | 1990-05-16 | 1991-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromagnetic field analyzer for devices in which electromagnetic field is present near conductor and electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing electromagnetic field |
-
1978
- 1978-04-27 SU SU782609490A patent/SU752552A1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0457294A1 (en) * | 1990-05-16 | 1991-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromagnetic field analyzer for devices in which electromagnetic field is present near conductor and electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing electromagnetic field |
US5315233A (en) * | 1990-05-16 | 1994-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromagnetic field analyzer for devices in which an electromagnetic field is present near a conductor and an electric charge moves in the electromagnetic field, and method of analyzing an electromagnetic field |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kuffel | Influence of humidity on the breakdown voltage of sphere-gaps and uniform-field gaps | |
SU752552A1 (en) | Method of determining electrodynamic parameters of delay systems | |
Lorents et al. | Stopping of Low-Energy H+ and He+ Ions in Plastics | |
McPherson et al. | Microwave transient-response measurements of elastic momentum-transfer collision frequencies in argon | |
US3319165A (en) | Apparatus for measuring the phase delay of a signal channel | |
Andrews | An impulse spectral intensity measurement system | |
Gál et al. | A random tail pulse generator for simulation of nuclear radiation detector signals | |
JPS57111457A (en) | Voltage measuring device using electron beam | |
JPS552939A (en) | Water content measuring instrument for circulation type grain drier | |
SU693476A1 (en) | Method of measuring electrodynamic parameters of travelling-wave tube decelerating systems | |
SU1081578A1 (en) | Method of determination of specimen temperature | |
SU780076A1 (en) | Method of measuring coupling resistance of delay systems | |
SU834586A1 (en) | Device for measuring ac voltage waveform coefficient | |
Walsh | XLIV. The Measurement of Space Charge Wavelength in an Electron Beam | |
SU457909A1 (en) | Ion densitometer for measuring gas density | |
SU561147A1 (en) | Dynamic Performance Analyzer | |
SU735946A1 (en) | Device for testing flanged connection states | |
SU953684A1 (en) | Electronic multiplier gain automatic measuring method | |
SU125311A1 (en) | Method for analyzing the reverse current of the control grid of electron tubes | |
SU1102478A1 (en) | Method of measuring high-frequency characteristics of accelerating structures | |
SU970254A1 (en) | Device for measuring amplifier background noise level | |
SU828130A1 (en) | Method of alternating magnetic field parameter determination | |
SU574599A1 (en) | Device for measuring thickness of coatings | |
SU79605A1 (en) | Electronic Fluxmeter | |
SU633429A1 (en) | Method of determining the temperature of electrons in plasma of active element of he-ne laser |