SU645040A1 - Устройство дл измерени температуры - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области термометрии .

Известно устройство дл  измерени  температуры , содержащее двухтранзисторный мультивибратор с коллекторно-базовьши св з ми, в разр дные цепи которого включены термочувствительные резисторы, и источник питани  1.

Однако известное устройство обладает низкой термостабильностью.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  устройство .дл  измерени  температуры, содержащее двухтранзнсторный мультивибратор с коллекторно-базовьши св з ми, два конденсатора, две электрнческие цени, из которых состоит из конденсатора и последовательно соединенного с ним транзистора, два терморезистора, включенных в разр дную цепь, два резистора коллекторной нагрузки транзисторов мультивибратора, которые подключены также к эмиттерам двух компенсирующих транзисторов, и источника питани  .

Однако в известном устройстве не осуществлена полна  термостабнлизаци  по норогу отпирани  транзисторов мультивибратора и по коэффициенту их усилени , что ведет к снижению точности измерени .

Цель изобретени  - повышение точности измерени .

Дл  этого в устройство дополнительно введены две группы транзисторов, кажда  из которых состоит по крайней мере из трех транзисторов, и две группы корректиРЗющих резисторов, состо щих но крайней мере из трех резисторов, причем коллекторы каждого транзистора мультивибратора через эмиттерно-базовый переходы первой пары дополнительных транзисторов со свободным коллектором подсоединены к одной обкладке конденсатора, к выводам резисторов коллекторной нагрузки и к эмиттерам второй пары дополнительных транзисторов, базы, которых через первую пару корректирующих резисторов подключены к минусовой клемме источника питани , а коллекторы этих транзисторов подсоединены к эмиттерам компенсирующих транзисторов и к вторым выводам резисторов коллекторной нагрузки и через вторую пару корректирующих резисторов к плюсовой клемме источника питани . Базы комненсирующих транзисторов подсоединены к эмиттерам третьей пары дополнительных транзисторов со свободными коллекторами и через третью пару корректирующих резисторов подключены к плюсовой клемме источника питани , к минусовой клемме которого подсоединены базы третьей пары дополнительных транзисторов.

На чертеже приведена электрическа  схема устройства.

Устройство содержит транзисторы 1 и 2 мультивибратор, конденсаторы 3 и 4, терморезисторы 5 и 6, резисторы 7 и 8 коллекторной нагрузки, конденсаторы 9 и 10, транзисторы 11 и 12, комиенсируюи1, транзисторы 13 и 14, первую пару 15, 16 дополнительных транзисторов, вторую пару 17, 18 дополнительных транзисторов, первую пару дополнительных корректирующих резисторов 19, 20, источник 21 питани , вторую пару 22, 23 корректирующих резисторов, третью пару 24, 25 дополнительных транзисторов , третью пару 26, 27 дополнительных корректирзющих резисторов.

Устройство работает следующим образом .

Период следовани  генерируемых имнульсов

Г ЗДС.п .

Ь - i/o - Оо

где Е - напр жение источника питани  схемы;

t/o -порог отпирани  транзистора со свободным коллектором и с коллекторным напр жением, равным 0;

t/o -порог отпирани  ключевого транзистора при коллекторном напр жении , равном ;

t/o - падение напр жени  на транзисторах со свободным коллектором при наличии корректирующих резисторов;

R - сопротивление базовых резисторов 5,6;

С - емкость конденсаторов 3,4. С учетом того, что обычно можно считать и что с помощью корректирующих резисторов можно получить значение UQ Uo, последнее равенство прини .мает вид

,4RC, Е - 3f/o

что и доказывает, что может быть обеспечена практически полна  термОстабнльность схемы по порогу отпирани  ключевых транзисторов 1, 2.

Введение в схему транзисторов 15, 17, 16, 18 н резисторов 19, 20 позвол ет термостабилизировать схему и но коэффиниенту усилени  транзисторов 1. Наличие транзисторов 1, 17 и 2, 18 одной структуры, где транзисторы 17, 18  вл ютс  нелинейной коллекторной нагрузкой ключевых транзисторов 1, 2, прн разр де конденсаторов 3,4,

практически гарантирует одинаковость коэффициентов усилени  и температурных свойств (особенно, если транзисторы выбираютс  из одной партии). Это, в свою очередь , обеспечивает посто нство коэффициента насыщени  транзисторов мультипликатора при колебани х температуры окружающей среды. Посто нство коэффициентов насыщени  при колебани х темнсратуры увеличивает термостабильность схемы. Резисторы 19, 20 позвол ют устанавливать требуемое значение коллекторного тока транзисторов 17, 18. Дл  отключени  транзнсторов 17, 18 от схемы в момент зар да

конденсаторов 3, 4 введены транзисторы 15, 16 со свободным коллектором.

Повыщение точности измерени  позвол ет улучщить качество работы систем контрол  и измерени  температуры в разлпчных област х техники.

Claims (2)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  измерени  темиературы, содержащее двухтранзисторный мультивибратор с коллекторно-базовыми св з ми, два конденсатора, две электрические цепи, кажда  из которых состоит из кондеисатора и носледовательно соединенного с ним транзистора , два терморезистора, включенных

   в разр дную цепь, два резистора коллекторной нагрузки транзисторов мультивибратора , которые подключены также к эмиттерам двух компенсирующих транзисторов, и источник питани , отличающеес 

   тем, что, с целью повыщенн  точности измерени , в устройство донолнительно введены две группы транзисторов, кажда  из которых состоит по крайней мере из трех транзисторов , и две группы корректирующих резисторов , состо щих по крайней мере из трех резисторов, причем коллекторы каждого транзистора мультивибратора через эмиттерно-базовый переходы первой пары дополнительных транзисторов со свободным

   коллектором подсоединены к одной обкладке конденсатора, к выводам резисторов коллекторной нагрузки и к эмиттера.м второй пары дополнительных транзисторов, базы которых через первую пару корректируюЩих резисторов иодключены к минусовой клемме источника питани , а коллекторы этих транзисторов подсоединены к эмиттерам компенсирующих транзисторов и к вторым выводам резисторов коллекторной нагрз зки . и через вторую пару корректирующих резисторов к плюсовой клемме источника питани , а базы компенсирующих транзисторов подсоединены к эмиттера.м третьей нары дополнительных транзисторов

   со свободными коллекторами и через третью пару корректирующих резисторов подключены к плюсовой клемме источника питани , к минусовой клемме которого подсоединены базы третьей пары дополнительных транзисторов.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. В. П. Буд нов, Релаксацнолные генераторы - импульсные преобразователи пе

   электрических величин. М., «Энерги , 1974, с. 83.
2. 2. Авторское свидетельство СССР № 581390, кл. G 01К 7/16, 1976.