Claims (2)
Достигаетс это тем, что устройство содержит дополнительный элемент с управл емой проводимостью, выполненный на полевом транзисторе, и трансформатор, исток и сток полевого транзистора дополнительного элемента с управл емой проводимостью подключены к другим выводам вторичных обмоток трехобмоточного трансформатора , первична обмотка трансформатора подключена к источнику второго перемножаемого напр жени , затвор полевого транзистора основного элемента с управл емой проводимостью через вторич ную обмотку трансформатора соеаинен с затвором полевого транзистора дополнительного элемента с управл емой проводимостью , нагрузочный резистор включен между средними выводами вторичных обмотбк трехобмоточного тpaнcфop faтopa, а средний вывод вторичной обмотки транс форматора через .источник напр жени смешетш соединен q шиной нулевого по- тенциапа. На чертеже показана электрическа принципиальна схема изобретени . Устройство содержит основной и допол Н1ггельный элементы с управл емой прово димостью, выполненные на полевых тран-. зисторах 1 и 2, трехобмоточный трансформатор 3, трансформатор 4, источники первого и второго перемножаемых напр жений 5 и 6, нагрузочный резистор 7, источник напр жени смешени 8. Вначале рассмотрим работу устройства без транзистора 2. Напр жение исто чника 5 поступает на делитель напр жени (сопротивление канала транзистора 1 сопротивление нагрузки 7). Дл достаточн малой нагрузки выходное напр жение устройства пропорционально напр жению источника 5 и проводимости канала тран зистора 1. Эта проводимость линейно зависит от напр жени на затворе, которое определ етс напр жением источника 6. Следовательно, выходное напр жение устройства равно произведению напр жений источников 5 и 6. К истоку и стоку транзистора 1 подвод тс с вторичной обмотки трансформа тора 3 равные и противофазные напр жени , симметричные относительно затвора и общего провода, что устран ет паразшные наводки и нелинейную зависимость сопротивлени канала транзистора от Hiaпр жени сток-исток. Транзистор 2 работает аналогично транзистору 1. При )равенстве сопротивлений каналов транзисторов 1 и 2, что имеет место при сигнале источника 6, равном нудю, выходное напр жение устройства равно нулю, так как токи, протекающие через нагрузошый резистор 7 и транзисторы 1 и 2, равны по величине и противополох ны по знаку. При сипнале жуточника 6, отличном от нул , сопротивлени каналов транзисторов 1 и 2 измен ютс противофазно и на нагрузке 7 выдел етс сигнал, определ емый разностью токов, протекающих через транзисторы 1, 2. Этот сигнал пропорционален произведению напр жений источников 5 и 6. В устройстве примен етс соласованна пара полевых транзисторов 1 и 2. При изменении температуры сопроивлени каналов транзисторов измен ют , одинаково, что приводит к исключению емпературной погрешности устройства. Формула изобретени Устройство дл умножени напр жений , содержащее элемент с управл емой проводимостью, выполненный на полевом транзисторе трехобмоточный трансформатор , источник напр жени смещени , нагрузочный резистор, источники первого и второго перемножаемых напр жений, причем первична обмотка -трехобмоточного трансформатора подключена к источнику первого .перемножаемого напр жени , сток и исток полевого транзистора элемента с управл емой проводимостью подключены к одним выводам . ричных обмоток трехобмоточного трансформатора , отличающеес тем, что, с целью повышени точности, оно содержит дополнительный элемент с управл емой провоаимостью, выполненный на полевом транзисторе, и трансформатор, исток и сток полевого транзистора дополнительного элемента с управл емой проводимостью подключены к Ъругим выводам вторичных србмоток трехобмоточного трансформатора, первична обмотка трансформатора подключена к жзточнику второго перемнсакаемого напр жени , затвор полевого транзистора основного элемента с управл емой проводимостью через вторичную обмотку трансформатора соединен с затвором полевого транзистора дополнительного элемента с управл емой проводимостью , нагрузочный резистор включен между средними выводами вторичньгх об- моток трехобмоточного трансформатора, а средний вывод вторичной обмотки трансформатора через источник напр жени смещени соединен с шиной нулевого потенциала . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР hfe 446071, М. 06 Q 7/16, 1974. This is achieved by the fact that the device contains an additional element with controlled conductivity, made on the field-effect transistor, and a transformer, source and drain of the field-effect transistor of the additional element with controlled conductivity connected to the other terminals of the secondary windings of the three-winding transformer, the primary winding of the transformer is connected to the source of the second multiplier the voltage, the gate of the field-effect transistor of the main element with controlled conductivity through the secondary winding of the transformer soyain with the gate of the FET of the complementary element with a controllable conductivity, a load resistor is connected between the intermediate tap of the secondary-winding obmotbk tpancfop fatopa and the average terminal of the secondary winding of the transformer via voltage .istochnik smeshetsh connected q bus po- tentsiapa zero. The drawing shows an electrical schematic diagram of the invention. The device contains the main and additional H1-bolt elements with controlled conductivity, made on the field tran- ses. 1 and 2 transistors, a three-winding transformer 3, a transformer 4, sources of the first and second multiplied voltages 5 and 6, a load resistor 7, the source of the mixing voltage 8. First consider the operation of the device without a transistor 2. The voltage of the source 5 goes to the divider wiring (channel resistance transistor 1 load resistance 7). For a sufficiently small load, the output voltage of the device is proportional to the voltage of source 5 and the conductivity of transistor 1 channel. This conductivity linearly depends on the gate voltage, which is determined by the voltage of source 6. Consequently, the output voltage of the device is equal to the product of the sources 5 and 6. The source and drain of the transistor 1 are supplied from the secondary winding of the transformer 3 with equal and anti-phase voltages, symmetrical with respect to the gate and the common wire, which eliminates parasites and not linear dependence of the transistor channel resistance on Hia drain-source voltage. Transistor 2 operates similarly to transistor 1. When) the equal resistance of the channels of transistors 1 and 2, which occurs when the source signal 6 is equal to nudity, the output voltage of the device is zero, because the currents flowing through the load resistor 7 and transistors 1 and 2, equal in magnitude and inversely in sign. When the sipnale of the subscriber 6 is different from zero, the resistances of the channels of transistors 1 and 2 change out of phase and a signal is detected at load 7, which is determined by the difference of currents flowing through transistors 1, 2. This signal is proportional to the product of the voltage sources of 5 and 6. In A soldered pair of field-effect transistors 1 and 2 is applied to the device. As the temperature changes, the resistance of the channels of the transistors is changed in the same way, which leads to the exclusion of the temperature error of the device. Claims An apparatus for multiplying voltages comprising a controlled-conductance element, a three-winding transformer, a bias voltage source, a load resistor, sources of the first and second multiplicated voltages at the field-effect transistor, and the primary winding of the three-winding transformer is connected to the source of the first. The voltage, drain, and source of the field-effect transistor of the element with controlled conductivity are connected to the same terminals. Rice windings of a three-winding transformer, characterized in that, in order to increase accuracy, it contains an additional element with controlled conductivity, made on a field-effect transistor, and a transformer, source and drain of a field-effect transistor of an additional element with controlled conductivity are connected to the circumferential terminals of the secondary three-winding terminal transformer, the primary winding of the transformer is connected to the second source of the alternating voltage, the gate of the field-effect transistor of the main element with the control emoy conductivity through the secondary winding of the transformer is connected to the gate of the FET of the complementary element with a controllable conductivity, a load resistor is connected between the intermediate tap vtorichngh ob- skein winding transformer, the average output of the transformer secondary winding via the source bias voltage is connected to zero potential bus. Sources of information taken into account in the examination: 1. USSR Copyright Certificate hfe 446071, M. 06 Q 7/16, 1974.
2..Авторское свидетельство СССР № 437087, М. 06 Q 7/16, .2..The USSR author's certificate number 437087, M. 06 Q 7/16,.