[go: up one dir, main page]

SU516175A1 - Push-pull power amplifier - Google Patents

Push-pull power amplifier

Info

Publication number
SU516175A1
SU516175A1 SU1885026A SU1885026A SU516175A1 SU 516175 A1 SU516175 A1 SU 516175A1 SU 1885026 A SU1885026 A SU 1885026A SU 1885026 A SU1885026 A SU 1885026A SU 516175 A1 SU516175 A1 SU 516175A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
voltage
arm
load
Prior art date
Application number
SU1885026A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Валентинович Попов
Анатолий Иванович Скоков
Original Assignee
Минский радиотехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Минский радиотехнический институт filed Critical Минский радиотехнический институт
Priority to SU1885026A priority Critical patent/SU516175A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU516175A1 publication Critical patent/SU516175A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  в мощных выходных устройствах радноаппаратуры, работаюод,их на комплексную нагрузку.The invention relates to radio engineering and can be used in high-power output devices of a rado-equipment, operating one, for complex load.

Известен двухтактный усилитель мощности, содержащий в одном плече п транзисторов одного типа проводимости, в другом п транзисторов противоположного типа проводимости, причем транзисторы в каждом плече включены последовательно в цепь источника питани , эмиттеры первых транзисторов плеч соединены между собой и подключены к обн:,ей нагрузке , коллекторы последних транзисторов илеч подключены к выводам источника питани  с максимальным и минимальным потенциалами соответственно, а коллекторы остальных транзисторов подключены через диоды к отводам источника питани  с иромежуточны .ми потенциалами.A push-pull power amplifier is known, which contains in one arm n transistors of the same conductivity type, in the other p transistors of the opposite conductivity type, with the transistors in each arm connected in series to the power supply circuit, the emitters of the first arm transistors are interconnected and connected , the collectors of the last transistors and terminals are connected to the terminals of the power supply with maximum and minimum potentials, respectively, and the collectors of the remaining transistors are connected via rows to the taps of a power source iromezhutochny .mi potentials.

Однако к.п.д. известных усилителей мощности снижаетс  при работе на комплексную нагрузку, т. е. увеличиваетс  мощность потерь.However, efficiency Known power amplifiers are reduced when operating at a complex load, i.e., the power loss increases.

Цель изобретени  - сиижеиие мощности потерь при комплексном характере нагрузки.The purpose of the invention is the power loss due to the complex nature of the load.

Дл  этого в предлагаемом усилителе мощности к одному отводу источника питани  подсоединены коллектор первого транзистора одного плеча и коллектор п-1 транзистора другого илеча, к следующему отводу - коллектор второго транзистора и п-2 транзистора другого плеча и т. д.For this purpose, in the proposed power amplifier, the collector of the first transistor of one arm and the collector of the p-1 transistor of the other side are connected to one power supply source, to the next branch - the collector of the second transistor and p-2 transistor of the other arm, etc.

22

На фнг. 1 приведена принципиальна  электрическа  схема усилител  с источником питани  с четырьм  отводами; на фиг. 2 - кривые тока Н напр жени  дл  схемы фиг. 1 при активно-емкостной нагрузке.On fng. 1 shows a circuit diagram of an amplifier with a power supply with four taps; in fig. 2 shows the current H voltage curves for the circuit of FIG. 1 with active-capacitive load.

Двухтактный усилитель мощности содержит в одном плече п транзисторов 1 одного типа проводимости ( -Ь), в другом - п транзисторов 2 противоположного проводимости (2i-24), причем транзисторы 1, 2 ii каждом плече включены последовательно в цепь источника питани  (на чертеже не указан ), эмиттеры первых тра зисторов плеч соединены между собой и подключеиы к общей нагрузке 3, коллекторы траизлсторов 2 и U подключены к выводам (отводам) 4i и 4) источника питани  с максимальным и минимальным потенциалами соответственно, а KO.Iлекторы остальных транзисторов Ь, 1з, и 2з подключены через диоды 5 и 6 к отводам 49 и 4з источника питани  с промежуточными потенциалами, к отводу 42 источника питани  подсоединены коллектор первого транзг1стора li одного плеча и коллектор транзистора 2з другого плеча, к отводу 4з - коллектор транзистора 1з одного плеча и транзистора 2i другого плеча.The push-pull power amplifier contains in one arm n transistors 1 of one conductivity type (-b), in the other - n transistors 2 of opposite conductivity (2i-24), with transistors 1, 2 ii each arm connected in series to a power supply circuit (in the drawing is specified), the emitters of the first shoulder transistors are interconnected and connected to the total load 3, the collectors of the tractors 2 and U are connected to the leads (taps) 4i and 4) of the power supply with maximum and minimum potentials, respectively, and KO.Ilectors of the remaining transistors B, 1z, and 2z are connected via diodes 5 and 6 to the taps 49 and 4z of the power supply with intermediate potentials, to the power supply taps 42 are connected the collector of the first transistor li of one arm and the collector of the transistor 2z of the other arm, to the outlet 4z - transistor 1z collector of one shoulder and transistor 2i of the other shoulder.

Диоды 7 и 8 служат дл  создани  необходимого смещени  на базах транзисторов 1, 2 при работе транзистора в режиме, близком к насыщению . Диоды 9 и 10 защищают транзисторы 1, 2 от пробо . Источники напр жени  смещени  И и 12 и резисторы 13 и 14 создают необходимое смещение на базах транзисторов1 , 2.Diodes 7 and 8 serve to create the necessary bias on the bases of transistors 1, 2 when the transistor operates in a mode close to saturation. Diodes 9 and 10 protect transistors 1, 2 from breakdown. The bias voltage sources And and 12 and the resistors 13 and 14 create the necessary bias on the bases of the transistors 1, 2.

В схеме напр жени  на отводах 4з и 44 источника питани  положительные, а на отводах 4i и 42 - отрицательные. При этом выполн ютс  соотнощени : напр жение на отводе 44 больше напр жени  на отводе 4з, и модуль напр жени  на отводе 42 меньше модул  напр жени  на отводе 41. Такое построение схемы усилител  с четырьм  отводами источника питани  имеет место при работе усилител  с симметричным двупол рным входным сигналом .In the voltage circuit at the taps 4h and 44, the power sources are positive, and at the taps 4i and 42 - negative. At the same time, the following ratios are fulfilled: the voltage on the tap 44 is greater than the voltage on the tap 4h, and the voltage module on the tap 42 is less than the voltage module on the tap 41. Such an arrangement of the amplifier with four tapes of the power source takes place when the amplifier with a symmetrical two-pole pny input signal.

В режиме потреблени  энергии двухтактный усилитель мощности работает следующим образом .In power consumption mode, the push-pull power amplifier operates as follows.

При малых положительных напр жени х на нагрузке 3 усилитель питаетс  от отвода 4з источника питани . Работает транзистор ЬТранзисторы li и Ь полностью открыты. При превышении напр жени  на нагрузке величины напр жени  отвода 4з источника транзистор 1з полностью открываетс , а в активном режиме работает транзистор Ц, который питаетс  от отвода 44 источника питани . Этот процесс переключени  отводов источника (при наличии в плече п транзисторов 1) идет до максимального значени  напр жени  на нагрузке 3 и при уменьшении напр жени  на нагрузке 3 повтор етс  в обратном пор дке до тех пор, пока ток в нагрузке 3 по знаку совпадет с напр жением ( период времени от to до 4 на фиг. 2).At low positive voltages on the load 3, the amplifier is powered by a tap 4 of the power supply. The transistor btransistors li and b are fully open. When the voltage on the load exceeds the voltage of the 4z tap of the source, the transistor 1z opens fully, and in the active mode, the transistor C operates, which is powered by the tap 44 of the power supply. This process of switching the source taps (if there are transistors 1 in shoulder p) goes to the maximum voltage value at load 3, and when voltage decreases at load 3, it repeats in the reverse order until the current in load 3 coincides with voltage (time period from to to 4 in FIG. 2).

Как только ток в нагрузке 3 мен ет знак, цепочка транзисторов h-Ц выключаетс  и начинает работать цепочка транзисторов 2i-24.As soon as the current in the load 3 changes sign, the chain of transistors h-q turns off and the chain of transistors 2i-24 begins to work.

В период времени 4-4 (фиг. 2) комплексна  нагрузка 3 не потребл ет энергию от источника , а отдает ее. Разр д емкости происходит не на минимальный уровень напр жени , а на ближайший по величине. Если при этом на входе усилител  напр жение находитс  между уровн ми напр жений на отводах 44 и 4з (момент времени tz на фиг. 2), то в активном режиме будет транзистор 2i, и емкость разр жаетс  на отвод 4з источника питани . При напр жении на нагрузке 3 меньшем, чем напр жение на отводе 4з, диод 6 закрываетс  обратным напр жением, в активном режиме работает транзистор 2, и емкость разр жаетс  на «землю через открытый транзистор 2i.In the time period 4-4 (Fig. 2), the complex load 3 does not consume energy from the source, but gives it away. Capacity is discharged not to the minimum voltage level, but to the closest voltage level. If, at the same time, the input voltage of the amplifier is between the voltage levels at the taps 44 and 4h (time tz in Fig. 2), then the active mode will have transistor 2i, and the capacitance will be discharged to the tap 4z of the power supply. When the voltage on the load 3 is less than the voltage on the tap 4, the diode 6 is closed by reverse voltage, in active mode the transistor 2 is working, and the capacitance is discharged to ground through the open transistor 2i.

Если в цепочке п транзисторов, то этот процесс идет до тех пор, пока конденсатор, полностью не разр дитс  (период времени /2-(:, на фиг. 2), и при дальнейшем изменении напр жени  на входе ток и напр жение одного знака. Происходит перезар д емкости, нагрузка 3 потребл ет энергию. Переключение отводов источника питани  и транзисторов 1,If in a chain of n transistors, then this process goes on until the capacitor is completely discharged (time period / 2- (:, in Fig. 2), and as the voltage at the input changes further, the current and voltage of one sign Capacity recharge occurs, load 3 consumes power. Switching the power supply and transistor 1 taps,

2идет, как описано выше. Транзисторы 2з и 24 обеспечивают зар д емкости отрицательной полуволной, а транзисторы Ь и Ь обеспечивают разр д емкости.2 comes as described above. The transistors 2z and 24 provide the capacitance charge of the negative half-wave, and the transistors b and b provide the discharge of the capacitance.

Повышение к.п.д. за счет уменьшени  потерь в транзисторах 1, 2 при емкостной нагрузке 3 по схеме фиг. 1 по сн етс  чертежом, приведенным на фиг. 2, где:Increase efficiency by reducing losses in transistors 1, 2 with a capacitive load 3 according to the scheme of FIG. 1 is illustrated in the drawing of FIG. 2, where:

U(t) - напр жение на нагрузке;U (t) is the load voltage;

I(t) - ток в нагрузке;I (t) is the current in the load;

- напр жени  на отводах 4i-44 соответственно . - voltages at the taps 4i-44, respectively.

В промежутке времени от /о до tz и от 4 до /6 нагрузка 3 потребл ет энергию. В промежутке времени от /2 до 4 и от t до /8 нагрузкаIn the period from / o to tz and from 4 to / 6, the load 3 consumes energy. In the interval from / 2 to 4 and from t to / 8 load

3отдает энергию в источник питани . Редкой штриховкой на фиг. 2 показана3 Puts energy into the power source. The rare hatching in FIG. 2 is shown

часть напр жени  источника питани , котора  падает на транзисторах при данной форме напр жени  U(t) на нагрузке 3 при работе схемы в обычном режиме с двум  источниками питани . Густой штриховкой показана часть напр жени  питани , котора  падает на регулирующих транзисторах по схеме фиг. 1, при использовании четырех источников питани  и при той же форме напр жени  на нагрузке. Соотношение площадей, заштрихованных густой и редкой штриховкой, указывает , что в предлагаемом усилителе величина напр жени , падающего на транзисторах, значительно меньше. Следовательно, предлагаемый усилитель энономичнее обычного.part of the voltage of the power source, which falls on the transistors with this form of voltage U (t) on the load 3 when the circuit operates in the usual mode with two power sources. Thick hatching shows the portion of the supply voltage that falls on the control transistors as shown in FIG. 1, using four power sources and with the same voltage form on the load. The ratio of areas shaded with thick and sparse shading indicates that in the proposed amplifier, the voltage across the transistors is much smaller. Therefore, the proposed amplifier is more generic than usual.

Чем ближе сдвиг по фазе между напр жением и током в нагрузке к 90°, тем более эффективно применение дополнительных св зей в усилителе, обеспечивающих разр д емкости нагрузки 3 на последовательные отводы источника питани .The closer the phase shift between the voltage and the current in the load is to 90 °, the more efficient is the use of additional connections in the amplifier, ensuring the discharge of the load capacitance 3 to successive power supply taps.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Двухтактный усилитель мощности, содержащий в одном плече п транзисторов одного типа проводимости, в другом п транзисторов противоположного типа проводимости, причем транзисторы в каждом плече включены последовательно в цепь источника питани , эмиттеры первых транзисторов плеч соединены между собой и подключены к общей нагрузке, коллекторы последних транзисторов илеч подключены к выводам источника питани  с максимальным и минимальным потенциалами соответственно , а коллекторы остальных транзисторов подключены через диоды к отводам источника питани  с промежуточными потенциалами , отличающийс  тем, что, с целью снижени  мощности потерь при комплексном характере нагрузки, к одному отводу источника питани  подсоединены коллектор первого транзистора одного плеча и коллектор п-1 транзистора другого плеча, к следующему отводу - коллектор второго транзистора и /1-2 транзистора другого плеча и т. д.A push-pull power amplifier containing n transistors of the same conductivity type in one shoulder and n transistors of the opposite conductivity type in the other, with transistors in each arm connected in series to the power supply circuit, the emitters of the first shoulder transistors are interconnected and connected to the common load, the collectors of the last transistors The cells are connected to the terminals of the power supply with the maximum and minimum potentials, respectively, and the collectors of the remaining transistors are connected via diodes to Am of a power source with intermediate potentials, characterized in that, in order to reduce power losses during complex loading, the collector of the first transistor of one arm and the collector of p-1 transistor of the other arm are connected to one lead of the power source, to the next tap - collector of the second transistor and / 1-2 transistors of the other arm, etc.
SU1885026A 1973-02-16 1973-02-16 Push-pull power amplifier SU516175A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1885026A SU516175A1 (en) 1973-02-16 1973-02-16 Push-pull power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1885026A SU516175A1 (en) 1973-02-16 1973-02-16 Push-pull power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU516175A1 true SU516175A1 (en) 1976-05-30

Family

ID=20543074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1885026A SU516175A1 (en) 1973-02-16 1973-02-16 Push-pull power amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU516175A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4134057A (en) Device for enabling an accumulator to be recharged from a source of electrical energy
US4274044A (en) DC-DC Converter for charging a battery by means of a solar cell
JPS55149871A (en) Line voltage detector
SU516175A1 (en) Push-pull power amplifier
CN209692611U (en) Relative constant CMOS charge pump is exported based on wide-range input voltage
CN220440691U (en) High-side driving circuit
SU1171976A1 (en) Amplifier of power of homopolar signal
RU1804677C (en) Charger-discharger
US20250070660A1 (en) Switch capacitor charging circuit
SU1510068A1 (en) Power amplifier
SU1185534A1 (en) Device for controlling d.c.voltage
SU718911A1 (en) Pulse modulator
SU987758A1 (en) Adjustable step-down dc voltage converter
SU605298A1 (en) Dc voltage converter
SU721919A1 (en) Switching device
SU571859A1 (en) Device for controlling thyristor
SU379955A1 (en) ALL-UNION STT- ^ tm '^
SU1704279A1 (en) Electronic switch
SU365782A1 (en) TRANSISTOR SMOOTH FILTER
SU1102024A1 (en) Pulse generator
SU650178A1 (en) High-voltage thyristorized dc-to-dc converter
SU630621A1 (en) Pulse voltage stabilizer
SU1629985A1 (en) Emitter-coupled gate
SU864977A1 (en) Phase-dependent converter
SU316160A1 (en) Voltage converter